JP3418028B2 - 半導体チップのピックアップ方法、およびそれに用いる真空吸着用コレット - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップのピック
アップ方法に関し、特に粘着シート上に並ぶ複数個の半
導体チップを真空吸着用コレットを用いて個々にピック
アップする半導体チップのピックアップ方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図７は、従来の半導体チップのピックア
ップ方法を説明するための断面図である。

【０００３】本従来例に用いられる半導体チップ１は、
例えば複数個の半導体チップ１が平面的に形成された１
枚の直方体ウエハ（例えば１０列×１０列）をその切断
線に沿ってけがき線をつけ、その後粘着シート（厚さ
０．１〜０．１５μｍ）２上に接着し、前記粘着シート
２を拡張することによって前記けがき線に沿って複数個
の半導体チップが個々の半導体チップ１に分割（ダイシ
ング）されてなるものである。

【０００４】該ピックアップ方法に用いられるピックア
ップ装置は、上述したような複数個の半導体チップ１を
搭載した粘着シート２の周辺部を挟持する内リング３及
び外リング４と、前記半導体チップ１を個々にピックア
ップする真空吸着用コレット５と、該真空吸着用コレッ
ト５による半導体チップ１の吸着時に半導体チップ１の
直下の粘着シート２を突き上げ該半導体チップ１を真空
吸着用コレット５側に突き上げるニードル６と、同じく
真空吸着用コレット５による半導体チップ１の吸着時に
半導体チップ１の周辺部の粘着シート２を半導体チップ
１近域につれて強く押し上げるニードルスリーブ７とを
備えてなる構造からなる。

【０００５】以下、従来の半導体チップ１のピックアッ
プ方法について図７にしたがって説明する。

【０００６】図７（ａ）に示すように、粘着シート２上
に分割された状態で並ぶ半導体チップ１をピックアップ
する場合には、まず、図示のごとく前記粘着シート２の
周辺部を内リング３と外リング４とで挟んで固定し、前
記粘着シート２にシートテンションを与える。

【０００７】次に、図７（ｂ）に示すように、ピックア
ップすべき半導体チップ１の上面に真空吸着用コレット
５の先端を接触させる一方、該半導体チップ１の底面側
に粘着シート２を介してニードル６を接触させる。この
時、先端にテーパを有する円筒状のニードルスリーブ７
によって、粘着シート２のうち該半導体チップ１の周囲
に相当する部分を所定量だけ押し上げる。

【０００８】次に、図７（ｃ）に示すように、前記ニー
ドル６の先端で前記粘着シート２のうち前記半導体チッ
プ１の直下の部分を更に所定量だけ突き上げる。これに
より、該半導体チップ１底面と粘着シート２との接触面
積を低減させて、接着力を低下させる。

【０００９】この状態で、図７（ｄ）に示すように、前
記真空吸着用コレット５で真空吸着して、半導体チップ
１を粘着シート２上からピックアップする。

【００１０】この一連の作業を、粘着シート２上に並ぶ
個々の半導体チップ毎に行う。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の半導
体チップのピックアップ方法では、以下に説明するよう
な問題点があった。

【００１２】図８（ａ）に示すように、シートテンショ
ンが強いリング周辺部では、ニードル６先端の所定量の
突き上げに対して半導体チップ１の底面と接着シート２
との接着面積の低減が大きいため、接着力の低下も大き
く、半導体チップ１のピックアップは良好である。

【００１３】しかしながら、図８（ｂ）に示すように、
シートテンションが弱いリング中央部では、上記所定量
の突き上げに対して半導体チップ１の底面と粘着シート
２との接触面積の低減が小さいため、接着力の低下も小
さく、半導体チップ１のピックアップミス（吸着ミス）
が発生する場合がある。

【００１４】ここで、図８（ｃ）に示すように、ニード
ル６の突き上げ量を増加させた場合、半導体チップ１へ
の負荷が大きくなり、該半導体チップ１に割れ，欠け，
打痕（ニードル６による突き上げ後に、半導体チップ１
の底面にニードル６の突き上げ跡が残ったもの）を発生
させる原因となり、半導体チップ１の歩留まり及び信頼
性の低下を招いてしまうことになる。また、シートテン
ションの強いリング周辺部では、シート破れが発生する
場合があり、半導体チップ１へのダメージが更に大きく
なるとともに、このシート破れの衝撃で粘着シート２上
の半導体チップ１が飛散してしまう等の新たな問題が発
生する。

【００１５】本発明は、上記課題に鑑み、半導体チップ
の吸着ミスやシート破れ、半導体チップの品質及び歩留
まりの低下を招くことなく確実なピックアップが可能な
半導体チップのピックアップ方法を提供することを目的
とするものである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明に記載の半導体チ
ップのピックアップ方法は、テンションが与えられた粘
着シート上に並ぶ複数個の半導体チップを、真空吸着用
コレットを用いて個々にピックアップする半導体チップ
のピックアップ方法において、前記真空吸着用コレット
は、その先端の半導体チップ吸着面と、該半導体チップ
吸着面より突出するとともにその突出量が半導体チップ
の厚みよりも小さく、互いが対向配置された２つのツメ
部と、該ツメ部に隣接し対向するツメ部非形成部とを備
えてなり、前記半導体チップを粘着シートを介して支持
する基台上にて、前記真空吸着用コレットの半導体チッ
プ吸着面に半導体チップを接触させる工程と、該半導体
チップが粘着シート上において水平移動するよう前記ツ
メ部を水平方向に半導体チップの幅の６０〜１００％の
範囲で移動させる工程と、該半導体チップを真空吸着し
ピックアップする工程とを順次行ってなり、 互いのツメ
の間隔を半導体チップの幅の１．１倍〜１．３倍の範囲
に設定してなることを特徴とするものである。

【００１７】また、本発明に記載の半導体チップのピッ
クアップ方法は、テンションが与えられた粘着シート上
に並ぶ複数個の半導体チップを、真空吸着用コレットを
用いて個々にピックアップする半導体チップのピックア
ップ方法において、前記真空吸着用コレットはその先端
の半導体チップ吸着面と、該半導体チップ吸着面より突
出するとともにその突出量が半導体チップの厚みよりも
小さく、互いが対向配置された２つのツメ部と、該ツメ
部に隣接し対向するツメ部非形成部とを備えてなり、前
記半導体チップを粘着シートを介して支持する基台上に
て、前記真空吸着用コレットの半導体チップ吸着面に半
導体チップを接触させる工程と、該半導体チップの側面
が前記ツメ部に接触するよう前記粘着シートを水平方向
に移動させるとともにさらに該粘着シートを水平方向に
半導体チップの幅の６０〜１００％の範囲で移動させる
工程と、該半導体チップを真空吸着しピックアップする
工程とを順次行ってなり、 互いのツメの間隔を半導体チ
ップの幅の１．１倍〜１．３倍の範囲に設定してなるこ
とを特徴とするものである。

【００１８】さらに、本発明に記載の半導体チップのピ
ックアップ方法は、前記ツメ部の長さを前記半導体チッ
プの厚みの０．５倍〜０．９倍の範囲に設定してなるこ
とを特徴とするものである。

【００１９】加えて、本発明の請求項4記載の真空吸着
用コレットは、請求項１乃至３のいずれかに記載の半導
体チップのピックアップ方法に用いる真空吸着用コレッ
トであって、前記真空吸着用コレットはその先端の半導
体チップ吸着面と、該半導体チップ吸着面より突出する
とともにその突出量が半導体チップの厚みよりも小さ
く、互いが対向配置された２つのツメ部と、該ツメ部に
隣接し対向するツメ部非形成部と、を備えてなると共
に、前記ツメ部の長さを前記半導体チップの厚みの０．
５倍〜０．９倍の範囲に設定し、互いのツメの間隔を半
導体チップの幅の１．１倍〜１．３倍の範囲に設定して
なることを特徴とするものである。

【００２０】

【作用】上記構成によれば、真空吸着用コレットの半導
体チップ吸着面に半導体チップを接触させた後、該半導
体チップを粘着シート上において水平移動するよう前記
ツメ部を水平方向に一定量移動させることにより、半導
体チップ底面と粘着シートとを引き剥がすことができ、
半導体チップと粘着シートとの接着力を大幅に低減する
ことができる。その後、該半導体チップを真空吸着して
ピックアップするので吸着ミスすることなく確実にピッ
クアップすることができる。

【００２１】また、真空吸着用コレットの半導体チップ
吸着面に半導体チップを接触させた後、該半導体チップ
の側面が前記ツメ部に接触するよう前記粘着シートを水
平方向に移動させるとともにさらに該粘着シートを水平
方向に一定量移動させることにより、半導体チップ底面
と粘着シート表面とを引き剥がすことができ、半導体チ
ップと粘着シートとの接着力を大幅に低減することがで
きる。その後、該半導体チップを真空吸着してピックア
ップするので吸着ミスすることなく確実にピックアップ
することができる。

【００２２】さらに、前記ツメ部が半導体チップ吸着面
の両側面にて互いが対向配置されているので、ツメ部の
水平移動又は粘着シートの水平移動をツメ部の並置方向
の2方向において行うことが可能である。

【００２３】加えて、本発明では、前記ツメ部の長さを
前記半導体チップの厚みの０．５倍〜０．９倍の範囲に
設定しているので、ツメ部先端が粘着シートと接触する
ことがなく、また互いのツメ部の間隔を半導体チップの
幅の１．１倍〜１．３倍の範囲に設定してなる構成なの
で、半導体チップが平面的に傾いている場合であっても
安定して半導体チップを半導体チップ吸着面まで導くこ
とができる。

【００２４】

【実施例】図１は本発明の一実施例を示す断面図であ
り、図２は全体的な流れを説明するための断面図であ
る。

【００２５】本実施例に用いられる半導体チップ１は、
従来例同様、例えば複数個の半導体チップ１が平面的に
形成された１枚の直方体ウエハ（例えば１０列×１０
列）をその切断線に沿ってけがき線をつけ、その後粘着
シート（厚さ０．１〜０．１５μｍ）２上に接着し、前
記粘着シート２を拡張することによって前記けがき線に
沿って複数個の半導体チップが個々の半導体チップ１に
分割（ダイシング）されてなるものである。なお、前記
粘着シート２の拡張は、互いの半導体チップ間が例えば
半導体チップの幅の３倍程度となる程度まで拡張する。

【００２６】該ピックアップ方法に用いられるピックア
ップ装置は、上述したような複数個の半導体チップ１を
搭載した粘着シート２の周辺部を挟持する内リング３及
び外リング４と、前記半導体チップ１を個々にピックア
ップする真空吸着用コレット１１と、該真空吸着用コレ
ット１１による半導体チップ１のピックアップの際に基
台となるステージ１２とを備えてなる構造からなる。

【００２７】前記真空吸着用コレット１１は、図３に示
すように、その先端に半導体チップ吸着面１１ａ、中心
部に真空吸着するための貫通孔１１ｂを備えるととも
に、前記半導体チップ吸着面１１ａの両端側に互いが対
向する２つのツメ部１１ｃを備えてなる構成からなる。

【００２８】該真空吸着用コレット１１の先端形状につ
いて、以下図３（ｄ）にしたがって詳細に説明する。

【００２９】半導体チップ１の厚さをｈ、半導体チップ
１の幅をｌ、ツメ部１１ｃの長さをＨ、ツメ部１１ｃの
間隔をＬとすると、半導体チップ１を真空吸着用コレッ
ト１１の半導体チップ吸着面１１ａに吸着させるには、
Ｌ＞ｌである必要があり、また真空吸着用コレット１１
のツメ部１１ｃが粘着シート２に接触しないためにはｈ
＞Ｈである必要がある。

【００３０】ここで、半導体チップ１が例えば厚さｈ＝
１１０μｍ、幅ｌ＝３００μｍの半導体レーザチップの
場合であれば、例えば真空吸着用コレット１１のツメ部
１１ｃの長さＨはＨ＝９０μｍ、ツメ部１１ｃの間隔Ｌ
はＬ＝ｌ＋５０μｍ＝３５０μｍとする。

【００３１】前記ツメ部１１ｃの長さ及びツメ部１１ｃ
の間隔は上記に限らず、ツメ部１１ｃの長さとしては半
導体チップ１の厚みの０．５倍〜０．９倍の範囲であれ
ば良く、またツメ部１１ｃの間隔としては半導体チップ
１の幅の１．１倍〜１．３倍の範囲であれば良い。これ
により、ツメ部１１ｃの先端が粘着シート２に接触する
ことがなく、また半導体チップ１が平面的に傾いている
場合であっても互いのツメ部１１ｃ間に導くことがで
き、さらに後述するツメ部１１ｃの水平移動の距離も小
さな距離で済むため時間短縮にもつながる。

【００３２】前記ステージ１２は、図４に示すように、
例えば円柱形状からなり、真空吸着用コレット１１が半
導体チップ１を真空吸着する際に半導体チップ１の底面
を粘着シート２を介して支えるためのものである。

【００３３】以下、本実施例の半導体チップ１のピック
アップ方法について図１及び図２にしたがって説明す
る。

【００３４】図２（ａ）に示すように、粘着シート２上
に分割された状態で並ぶ半導体チップ１をピックアップ
する場合には、まず、図示のごとく前記粘着シート２の
周辺部を内リング１３と外リング１４とで挟んで固定
し、前記粘着シート２にシートテンションを与える。

【００３５】次に、図１（ａ）及び図２（ｂ）に示すよ
うに、ピックアップすべき半導体チップ１の上面に真空
吸着用コレット１１の吸着面１１ａを接触させる一方、
該半導体チップ１の底面側に粘着シート２を介してステ
ージ１２を接触させる。

【００３６】次に、図１（ｂ）及び図２（ｃ）に示すよ
うに、前記真空吸着用コレット１１を距離Ｘだけ水平移
動させる。この真空吸着用コレット１１の移動と同時
に、真空吸着用コレット１１のつめ部１１ｃにより、半
導体チップ１も粘着シート２上を移動する。これによ
り、半導体チップ１の底面と粘着シート２とを引き剥が
すのと同様の効果が得られ、半導体チップ１と粘着シー
ト２との接着力が大きく低下する。

【００３７】次に、図１（ｃ）及び図２（ｄ）に示すよ
うに、前記真空吸着用コレット１１で真空吸着して、半
導体チップ１を粘着シート２上からピックアップする。

【００３８】この一連の作業を、粘着シート２上に並ぶ
個々の半導体チップ毎に行う。

【００３９】以下、図１（ｂ）に示した、真空吸着用コ
レット１１の移動距離Ｘと移動の方向について説明す
る。

【００４０】例えば半導体チップ１を上述した半導体レ
ーザチップの大きさとし、真空吸着用コレット１１のツ
メ部１１ｃの間隔を３５０μｍとすると、前記真空吸着
用コレット１１の移動距離Ｘは、半導体チップ１の幅の
６０％程度、即ちＸ＝３００×０．６＝１８０μｍとす
る。

【００４１】該移動距離Ｘについても、上記数値に限ら
ず、半導体チップ１の幅の６０〜１００％程度の範囲で
あれば良い。ちなみに、小さすぎると半導体チップ１の
移動量が少量となり大幅な接着力の低下が得られなくな
るからであり、また大きすぎると無駄な移動により時間
がかかり、且つどこかに引っ掛かる等の問題が発生する
からである。

【００４２】また、前記真空吸着用コレット１１の移動
の方向は、次にピックアップすべき半導体チップ１′が
当たることのないように、該半導体チップ１′の反対方
向とする。

【００４３】図５は、本発明の他の実施例を示す断面図
であり、図６は全体的な流れを説明するための断面図で
ある。

【００４４】以下、図５及び図６にしたがって本実施例
よりなる半導体チップ１のピックアップ方法を説明す
る。

【００４５】図６（ａ）に示すように、粘着シート２上
に分割された状態で並ぶ半導体チップ１をピックアップ
する場合には、まず、図示のごとく前記粘着シート２の
周辺部を内リング１３と外リング１４とで挟んで固定
し、前記粘着シート２にシートテンションを与える。

【００４６】次に、図５（ａ）及び図６（ｂ）に示すよ
うに、ピックアップすべき半導体チップ１の上面に真空
吸着用コレット１１の吸着面１１ａを接触させる一方、
該半導体チップ１の底面側に粘着シート２を介してステ
ージ１２を接触させる。

【００４７】次に、図５（ｂ）及び図６（ｃ）に示すよ
うに、リング１３，１４を距離Ｘだけ水平移動させる。
即ち、粘着シート２を距離Ｘだけ水平移動させることに
なる。この粘着シート２の移動と同時に、真空吸着用コ
レット１１のつめ部１１ｃにより、半導体チップ１も粘
着シート２上を移動する。これにより、半導体チップ１
の底面と粘着シート２とを引き剥がすのと同様の効果が
得られ、半導体チップ１と粘着シート２との接着力が大
きく低下する。

【００４８】次に、図５（ｃ）及び図６（ｄ）に示すよ
うに、前記真空吸着用コレット１１で真空吸着して、半
導体チップ１を粘着シート２上からピックアップする。

【００４９】この一連の作業を、粘着シート２上に並ぶ
個々の半導体チップ毎に行う。

【００５０】以下、図５（ｂ）に示した、粘着シート２
の移動距離Ｘと移動の方向について説明する。

【００５１】例えば半導体チップ１を上述した半導体レ
ーザチップの大きさとし、真空吸着用コレット１１のツ
メ部１１ｃの間隔を３５０μｍとすると、前記粘着シー
ト２の移動距離Ｘは、半導体チップ１の幅の６０％程
度、即ちＸ＝３００×０．６＝１８０μｍとする。

【００５２】該移動距離Ｘについても、上記数値に限ら
ず、半導体チップ１の幅の６０〜１００％程度の範囲で
あれば良い。ちなみに、小さすぎると半導体チップ１の
移動量が少量となり大幅な接着力の低下が得られなくな
るからであり、また大きすぎると無駄な移動により時間
がかかり、且つどこかに引っ掛かる等の問題が発生する
からである。

【００５３】また、前記粘着シート２の移動の方向は、
次にピックアップすべき半導体チップ１′が当たること
のないように、該半導体チップ１′の反対方向とする。

【００５４】上述した実施例によれば、半導体チップ１
を粘着シート２上において水平移動させることにより、
半導体チップ１を粘着シート２より垂直方向に引き剥が
すのと同様の効果が得られるため、半導体チップ１のピ
ックアップ時に半導体チップ１と粘着シート２との接着
力が大幅に低減でき、吸着ミスを起こすことなく半導体
チップ１のピックアップが行える。

【００５５】また、従来のように半導体チップ１を突き
上げることが無いため、半導体チップ１へ与えるダメー
ジが大きく低減でき、半導体チップ１の割れ、欠け、打
痕の発生を抑え、半導体チップ１の歩留まりと信頼性の
向上を図ることができる。

【００５６】さらに、突出部が半導体チップ吸着面１１
ａの両端側にて互いが対向配置された２つのツメ部１１
から構成しているので、例えば複数列×複数列の半導体
チップの列を奇数列については左側から右側へ偶数列に
ついては右側から左側へといった２方向において順次ピ
ックアップすることが可能である。

【００５７】加えて、前記ツメ部１１ｃの長さを前記半
導体チップ１の厚みの０．５倍〜０．９倍の範囲に設定
しているので、ツメ部１１ｃ先端が粘着シート２と接触
することがなく、また互いのツメ部１１ｃの間隔を半導
体チップ１の幅の１．１倍〜１．３倍の範囲に設定して
なる構成なので、半導体チップ１が平面的に傾いている
場合であっても安定して半導体チップ１を半導体チップ
吸着面１１ａまで導くことができ、安定して半導体チッ
プ１がピックアップされる。

【００５８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
又は２記載の半導体チップのピックアップ方法によれ
ば、吸着ミスを起こすことなく真空吸着用コレットにて
半導体チップのピックアップが行えるとともに、従来の
ように半導体チップを突き上げることが無いため、半導
体チップへ与えるダメージが大きく低減でき、半導体チ
ップの割れ、欠け、打痕の発生を抑え、半導体チップの
歩留まりと信頼性の向上が図れる。

【００５９】また、本発明の請求項３記載の半導体チッ
プのピックアップ方法によれば、突出部の水平移動又は
粘着シートの水平移動をツメ部の並置方向の２方向にお
いて行うことができ、該２方向において順次半導体チッ
プをピックアップすることが可能となる。

【００６０】さらに、本発明の請求項４記載の半導体チ
ップのピックアップ方法によれば、ツメ部先端が粘着シ
ートと接触することがなく、また半導体チップが平面的
に傾いている場合であっても安定して半導体チップをピ
ックアップすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。

【図２】本発明の一実施例の全体的な流れを説明するた
めの断面図である。

【図３】真空吸着用コレットの構造を説明するための図
であり、（ａ）は正面図であり、（ｂ）は側面図であ
り、（ｃ）は底面図であり、（ｄ）は半導体チップを吸
着した際の拡大正面図である。

【図４】ステージの構造を説明するための図であり、
（ａ）は平面図であり、（ｂ）は側面図である。

【図５】本発明の他の実施例を示す断面図である。

【図６】本発明の他の実施例の全体的な流れを説明する
ための断面図である。

【図７】従来例を示す断面図である。

【図８】従来の問題点を説明するための断面図である。

【符号の説明】

１ 半導体チップ ２ 粘着シート １１ 真空吸着用コレット １１ａ 半導体チップ吸着面 １１ｃ ツメ部 １２ ステージ

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 テンションが与えられた粘着シート上に
   並ぶ複数個の半導体チップを、真空吸着用コレットを用
   いて個々にピックアップする半導体チップのピックアッ
   プ方法において、 前記真空吸着用コレットは、その先端の半導体チップ吸
   着面と、該半導体チップ吸着面より突出するとともにそ
   の突出量が半導体チップの厚みよりも小さく、互いが対
   向配置された２つのツメ部と、該ツメ部に隣接し対向す
   るツメ部非形成部とを備えてなり、 前記半導体チップを粘着シートを介して支持する基台上
   にて、前記真空吸着用コレットの半導体チップ吸着面に
   半導体チップを接触させる工程と、 該半導体チップが粘着シート上において水平移動するよ
   う前記ツメ部を水平方向に半導体チップの幅の６０〜１
   ００％の範囲で移動させる工程と、 該半導体チップを真空吸着しピックアップする工程とを
   順次行ってなり、 互いのツメの間隔を半導体チップの幅の１．１倍〜１．
   ３倍の範囲に設定してな ることを特徴とする半導体チッ
   プのピックアップ方法。
2. 【請求項２】 テンションが与えられた粘着シート上に
   並ぶ複数個の半導体チップを、真空吸着用コレットを用
   いて個々にピックアップする半導体チップのピックアッ
   プ方法において、 前記真空吸着用コレットはその先端の半導体チップ吸着
   面と、該半導体チップ吸着面より突出するとともにその
   突出量が半導体チップの厚みよりも小さく、互いが対向
   配置された２つのツメ部と、該ツメ部に隣接し対向する
   ツメ部非形成部とを備えてなり、 前記半導体チップを粘着シートを介して支持する基台上
   にて、前記真空吸着用コレットの半導体チップ吸着面に
   半導体チップを接触させる工程と、 該半導体チップの側面が前記ツメ部に接触するよう前記
   粘着シートを水平方向に移動させるとともにさらに該粘
   着シートを水平方向に半導体チップの幅の６０〜１００
   ％の範囲で移動させる工程と、 該半導体チップを真空吸着しピックアップする工程とを
   順次行ってなり、 互いのツメの間隔を半導体チップの幅の１．１倍〜１．
   ３倍の範囲に設定して な ることを特徴とする半導体チッ
   プのピックアップ方法。
3. 【請求項３】 前記ツメ部の長さを前記半導体チップの
   厚みの０．５倍〜０．９倍の範囲に設定してなることを
   特徴とする請求項１又は２に記載の半導体チップのピッ
   クアップ方法。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の半導
   体チップのピックアップ方法に用いる、真空吸着用コレ
   ットであって、 前記真空吸着用コレットはその先端の半導体チップ吸着
   面と、該半導体チップ吸着面より突出するとともにその
   突出量が半導体チップの厚みよりも小さく、互いが対向
   配置された２つのツメ部と、該ツメ部に隣接し対向する
   ツメ部非形成部と、を備えてなると共に、 前記ツメ部の長さを前記半導体チップの厚みの０．５倍
   〜０．９倍の範囲に設定し、互いのツメの間隔を半導体
   チップの幅の１．１倍〜１．３倍の範囲に設定してなる
   ことを特徴とする真空吸着用コレット。