JP3411291B2 - 疲労延性の高い電着銅箔 - Google Patents
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- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 231
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 title claims description 203
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 54
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 39
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 32
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 29
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 25
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 25
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 claims description 20
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 17
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 8
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N nickel zinc Chemical compound [Ni].[Zn] QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 7
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- DQIPXGFHRRCVHY-UHFFFAOYSA-N chromium zinc Chemical compound [Cr].[Zn] DQIPXGFHRRCVHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 17
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- -1 etc.) Chemical compound 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 4
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- DVYVMJLSUSGYMH-UHFFFAOYSA-N n-methyl-3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CNCCC[Si](OC)(OC)OC DVYVMJLSUSGYMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 3
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 3
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 3
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 3
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- RYYVLZVUVIJVGH-UHFFFAOYSA-N caffeine Chemical compound CN1C(=O)N(C)C(=O)C2=C1N=CN2C RYYVLZVUVIJVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N phenylsilane Chemical compound [SiH3]C1=CC=CC=C1 PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LMPMFQXUJXPWSL-UHFFFAOYSA-N 3-(3-sulfopropyldisulfanyl)propane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CCCSSCCCS(O)(=O)=O LMPMFQXUJXPWSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMJIKKNFJBDSHO-UHFFFAOYSA-N 3-[3-aminopropyl(diethoxy)silyl]oxy-3-methylpentane-1,5-diol Chemical compound NCCC[Si](OCC)(OCC)OC(C)(CCO)CCO PMJIKKNFJBDSHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000215068 Acacia senegal Species 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 102000008186 Collagen Human genes 0.000 description 1
- 108010035532 Collagen Proteins 0.000 description 1
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002907 Guar gum Polymers 0.000 description 1
- 229920000084 Gum arabic Polymers 0.000 description 1
- PMMYEEVYMWASQN-DMTCNVIQSA-N Hydroxyproline Chemical compound O[C@H]1CN[C@H](C(O)=O)C1 PMMYEEVYMWASQN-DMTCNVIQSA-N 0.000 description 1
- LPHGQDQBBGAPDZ-UHFFFAOYSA-N Isocaffeine Natural products CN1C(=O)N(C)C(=O)C2=C1N(C)C=N2 LPHGQDQBBGAPDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N L-Proline Chemical compound OC(=O)[C@@H]1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N Proline Natural products OC(=O)C1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010489 acacia gum Nutrition 0.000 description 1
- 239000000205 acacia gum Substances 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- PFXFKBDDQUKKTF-UHFFFAOYSA-N amino(phenyl)silicon Chemical compound N[Si]C1=CC=CC=C1 PFXFKBDDQUKKTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001948 caffeine Drugs 0.000 description 1
- VJEONQKOZGKCAK-UHFFFAOYSA-N caffeine Natural products CN1C(=O)N(C)C(=O)C2=C1C=CN2C VJEONQKOZGKCAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- CSNJTIWCTNEOSW-UHFFFAOYSA-N carbamothioylsulfanyl carbamodithioate Chemical class NC(=S)SSC(N)=S CSNJTIWCTNEOSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 229920001436 collagen Polymers 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- ICEXLMACENYGPP-UHFFFAOYSA-N dipropylcarbamothioylsulfanyl n,n-dipropylcarbamodithioate Chemical compound CCCN(CCC)C(=S)SSC(=S)N(CCC)CCC ICEXLMACENYGPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- VHJLVAABSRFDPM-QWWZWVQMSA-N dithiothreitol Chemical compound SC[C@@H](O)[C@H](O)CS VHJLVAABSRFDPM-QWWZWVQMSA-N 0.000 description 1
- PMMYEEVYMWASQN-UHFFFAOYSA-N dl-hydroxyproline Natural products OC1C[NH2+]C(C([O-])=O)C1 PMMYEEVYMWASQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000000665 guar gum Substances 0.000 description 1
- 235000010417 guar gum Nutrition 0.000 description 1
- 229960002154 guar gum Drugs 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000008241 heterogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002591 hydroxyproline Drugs 0.000 description 1
- 239000012770 industrial material Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007431 microscopic evaluation Methods 0.000 description 1
- 235000013379 molasses Nutrition 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- RQAGEUFKLGHJPA-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoylsilicon Chemical compound [Si]C(=O)C=C RQAGEUFKLGHJPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000018102 proteins Nutrition 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000003134 recirculating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- CVHZOJJKTDOEJC-UHFFFAOYSA-N saccharin Chemical group C1=CC=C2C(=O)NS(=O)(=O)C2=C1 CVHZOJJKTDOEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940081974 saccharin Drugs 0.000 description 1
- 235000019204 saccharin Nutrition 0.000 description 1
- 239000000901 saccharin and its Na,K and Ca salt Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N sulfanylsilane Chemical compound S[SiH3] TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical class [H]S* 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- FGMPLJWBKKVCDB-UHFFFAOYSA-N trans-L-hydroxy-proline Natural products ON1CCCC1C(O)=O FGMPLJWBKKVCDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
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Description
な銅箔の製造方法に関する。
り、この場合、この回路は、例えば、自動車のダッシュ
ボードにて、設置中に一回折り曲げられるか、および/
またはこの回路は、例えば、カメラにて、何回も曲げら
れるか、および/またはこの回路は、例えば、コンピュ
ーターのデイスクドライブにて、繰り返し曲げられる。
銅箔は、この可塑性の印刷回路基板の構成要素であり、
従って、それは、付与する屈折応力に耐えなければなら
ない。
ら、従来の電着銅箔は、約20%〜約50%の疲労延性を有
する。もし、この電着銅箔を熱処理するなら、この疲労
延性は、僅かに改善できる。熱処理した電着銅箔は、一
回の曲げおよび半径の大きい曲げに適当なレベルの疲労
延性を有する。
物イオンを含有する電解質を用いて、製造される。この
遊離の塩化物イオンは、水不純物または意図的な添加に
起因して存在するが、この銅箔を粗くする。結果とし
て、この銅箔は、その高い粒度および表面トポグラフィ
ーの増加(より樹枝状になる)のために、それ自体の積
層樹脂の間に高い結合力を有する。その理由は、この電
解質中の遊離の塩化物イオンが、得られる電着銅箔の円
柱形の粒子構造に寄与するからである。しかしながら、
円柱形の粒子構造を有する銅箔は、その銅箔面に対して
垂直の大きな粒子境界における欠陥のために、良好なフ
レックス性能を与えるほど導電性ではない。さらに、従
来の銅箔は、有機物添加剤(例えば、動物のにかわ)を
含有する電解質を用いて、製造されている。しかしなが
ら、この電解質中に有機物添加剤が存在するために、加
熱の際の冶金変化に抵抗があり、その粒子境界が弱くな
って、結果として、疲労延性が低くなる。従って、従来
の電着銅箔および熱処理した電着銅箔は、フレックス回
路に全く適当というわけではない。
ど充分な強度を有する。加工銅箔は、低温焼なましする
傾向にある。熱加工した銅箔を、例えば、種々の重合体
樹脂に積層することにより、この銅箔が焼なまされ、そ
れゆえ、その疲労延性が高められる。加工銅箔は、比較
的に低温(例えば、約200℃以下)での熱処理中に、結
晶化した粒子の成長を受けやすい。従って、加工銅箔
は、現在では、高性能の動的フレックス用途(例えば、
フレックス回路)に好ましい。同様に、焼なまし加工銅
箔もまた、高性能の動的フレックス用途に好ましい。焼
なまし加工銅箔は、粒度および粒度配向が大きく、それ
により、焼なまし電着銅箔と比較して、疲労延性が良好
となる。焼なまし加工銅箔は、疲労延性が65%(これ
は、Grade 7の銅箔に対するANS/IPC spec MF 150Fに必
要な最小値である)より大きい。しかしながら、加工銅
箔および焼なまし加工銅箔は、酸化物の含入を受け、結
果として、この銅箔の性質および特性が劣化する。
用するための銅箔の全ての要求事項を満たすわけではな
い。さらに具体的には、電着銅箔および熱処理した銅箔
は、疲労延性が低い。加工銅箔は、その粒子構造および
酸化物の含入のために、フレックス回路性能には限界が
ある。さらに、加工銅箔は、一定方向への圧延のため
に、異方性のフレックス性能を示す。焼なまし加工銅箔
は、張力が低く、それにより、取扱い性が乏しい。加工
銅箔および焼なまし加工銅箔は、その表面粗さが低いた
めに、銅と積層体との間の結合強度が低く、その製造に
伴う機械的な限界のために、厚さに限度があり、また、
その製造に関連した別の機械的な限界のために、幅に限
度がある。
た電着銅箔を開示しており、これは、実質的に均一でラ
ンダムに配向した粒子構造により特徴付けられ、この構
造は、本質的に円柱形の粒子がなく、本質的に二重境界
線がなく、約10ミクロンまでの平均粒度を有する。この
参考文献は、この銅箔が、約87,000〜約120,000psiの範
囲の23度で測定した極限引張り強度、および約15%〜約
28%の範囲の180℃で測定した伸度を有することが示さ
れている。この参考文献はまた、上述の銅箔の製造方法
を開示しており、この方法は、以下の(A)および
(B)を包含する:(A)アノードとカソードの間に電
解質溶液を流し、そして該アノードおよび該カソード
に、該カソード上に銅を析出させるのに効果的な量の電
圧をかけることであって、該電解質溶液は、銅イオン、
硫酸塩イオン、および少なくとも1種の有機添加剤また
はそれらの誘導体を含有し、該溶液の塩化物イオン濃度
は、約1ppmまでてあり、その電流密度は、約0.1〜約5A/
cm2である;(B)該カソードから銅箔を取り出すこ
と。
実質的に均一で非配向の粒子構造を有し、該構造は、本
質的に円柱形の粒子がなく、該銅箔は、177℃で15分間
焼なましした後、少なくとも約25%の疲労延性により特
徴づけられる。一実施態様では、この銅箔は、焼なまし
され、該銅箔は、少なくとも約65%の疲労延性により特
徴付けられる。本発明はまた、約5ppmまでの臨界塩化物
イオン濃度および約0.2ppmまでの有機添加剤により特徴
付けられる電解質溶液を用いる、電着銅箔の製造方法に
関する。
シートである。
倍率で撮影した顕微鏡写真である。
倍率で撮影した顕微鏡写真である。
これは、独特で新規な特徴の組合せを示す。一実施態様
では、本発明の銅箔は、実質的に均一で非配向の粒子構
造を有する低温焼なまし可能な電着銅箔であり、この構
造は、本質的に円柱形の粒子がなく、該銅箔は、177℃
で15分間焼なましした後、少なくとも約25%の疲労延性
により特徴づけられる。一実施態様では、本発明の銅箔
は、少なくとも約65%の疲労延性により特徴付けられ
る、焼なまし銅箔である。この疲労延性の測定方法は、
IPC−TM−650のTest Method 2.4.2.1に示されている。
疲労延性は、以下の等式を用いて算出される。
100.0%))であり、Nfは疲労サイクルであり、Suは極
限引張り強度(psi)であり、Eは弾性率(psi)であ
り、tMは核厚さ(インチ)であり、tは標本マイクロメ
ーター厚さ(インチ)であり、pは、0.005mm(0.0002
インチ)ん以内の曲率の心棒半径(インチ)である。
面品質管理を容易にするために、高い極限引張り強度
(UTS)を有し、そしてクラッキングを少なくするため
に、高温での高い伸度を有する。一実施態様では、本発
明の銅箔は、低プロフィールに制御されており、高いエ
ッチング性能およびインピーダンス制御を与える。一実
施態様では、本発明の銅箔には、酸化物が含まれていな
い。
られ、この方法は、約5ppm未満(好ましくは、0)のレ
ベルの塩化物イオンの臨界濃度および約0.2ppm未満(好
ましくは、0)の有機添加剤(例えば、動物のにかわ)
を使用する電解質溶液を用いて電着することを包含す
る。
配向の粒子構造により特徴付けられ、この構造は、本質
的に円柱形の粒子がない。一実施態様では、この銅箔
は、本質的に二重境界線がない。一実施態様では、本発
明の銅箔は、実質的に多孔性がない。「本質的に円柱形
の粒子がない」、「本質的に二重境界線がない」および
「実質的に多孔性がない」との表現は、ほとんどの場
合、本発明の銅箔の顕微鏡分析または透過電子顕微鏡
(TEM)分析により、円柱形の粒子がないこと、二重境
界線がないことまたは多孔性がないことが立証される
が、場合によっては、少量の円柱形の粒子の形成、二重
境界線の形成または多孔性が認められてもよいことを意
味する。
の焼なましまたは熱処理の前に、約3ミクロンまでの範
囲、一実施態様では、約0.5〜約3ミクロンの範囲、一
実施態様では、約1〜約2ミクロンの範囲の平均粒度を
有する。一実施態様では、これらの銅箔は、177℃で15
分間熱処理され、それらの銅箔は、約5ミクロンまで、
一実施態様では、約1〜約5ミクロン、一実施態様で
は、約2〜約4ミクロンの平均粒度を有する。一実施態
様では、本発明の銅箔は、約200℃を越える温度で少な
くとも約30分間熱処理され、それらの銅箔は、約8ミク
ロンまで、一実施態様では、約3〜約8ミクロン、一実
施態様では、約4〜約7ミクロンの平均粒度を有する。
の焼なましまたは熱処理の前に、その横方向の23℃での
UTSが、IPC−TM−650のTest Method 2.4.18を用いて、
約60,000psi〜約95,000psiの範囲、一実施態様では、約
60,000psi〜約85,000psiの範囲、一実施態様では、約6
5,000〜約75,000psiの範囲である。一実施態様では、そ
の横方向の180℃でのこれらの銅箔のUTSは、上述の試験
方法を用いて、約22,000psi〜約32,000psiの範囲、一実
施態様では、約23,000psi〜約30,000psiの範囲、一実施
態様では、約25,000〜約28,000psiの範囲である。一実
施態様では、その横方向の23℃でのこれらの銅箔の伸度
は、上述の試験方法を用いて、約8%〜約18%、一実施
態様では、約9%〜約16%、一実施態様では、約9%〜
約14%である。一実施態様では、その横方向の180℃で
のこれらの銅箔の伸度は、上述の試験方法を用いて、約
24%〜約45%、一実施態様では、約27%〜約41%、一実
施態様では、約29%〜約38%である。
処理または焼なましされ、その横方向の23℃でのそれら
の銅箔のUTSは、IPC−TM−650のTest Method 2.4.18を
用いて、約42,000psi〜約70,000psiの範囲、一実施態様
では、約44,000psi〜約65,000psiの範囲、一実施態様で
は、約46,000〜約60,000psiの範囲である。一実施態様
では、その横方向の180℃でのこれらの銅箔のUTSは、上
述の試験方法を用いて、約22,000psi〜約32,000psiの範
囲、一実施態様では、約23,000psi〜約30,000psiの範
囲、一実施態様では、約25,000〜約28,000psiの範囲で
ある。一実施態様では、その横方向の23℃でのこれらの
銅箔の伸度は、上述の試験方法を用いて、約15%〜約31
%、一実施態様では、約17%〜約27%、一実施態様で
は、約19%〜約23%である。一実施態様では、その横方
向の180℃でのこれらの銅箔の伸度は、上述の試験方法
を用いて、約24%〜約45%、一実施態様では、約27%〜
約40%、一実施態様では、約29%〜約37%である。
温度で少なくとも約30分間熱処理または焼なましされ、
その横方向にて23℃で試験したとき、それらの銅箔のUT
Sは、IPC−TM−650のTest Method 2.4.18を用いて、約3
6,000psi〜約48,000psiの範囲、一実施態様では、約38,
000psi〜約46,000psiの範囲、一実施態様では、約40,00
0〜約45,000psiの範囲である。一実施態様では、その横
方向にて180℃で試験したとき、これらの銅箔のUTSは、
上述の試験方法を用いて、約22,000psi〜約32,000psiの
範囲、一実施態様では、約23,000psi〜約30,000psiの範
囲、一実施態様では、約25,000〜約28,000psiの範囲で
ある。一実施態様では、その横方向にて23℃で試験した
とき、これらの銅箔の伸度は、上述の試験方法を用い
て、約23%〜約36%、一実施態様では、約25%〜約34
%、一実施態様では、約27%〜約32%である。一実施態
様では、その横方向にて180℃で試験したとき、これら
の銅箔の伸度は、上述の試験方法を用いて、約25%〜約
48%、一実施態様では、約27%〜約42%、一実施態様で
は、約29%〜約38%である。
の焼なましまたは熱処理の前に、その横方向の疲労延性
が、IPC−TM−650のTest Method 2.4.2.1を用いて、約1
5%〜約60%の範囲、一実施態様では、約15%〜約55%
の範囲、一実施態様では、約20%〜約50%の範囲であ
る。一実施態様では、本発明の銅箔は、177℃で15分間
熱処理され、その横方向のこれらの銅箔の疲労延性は、
少なくとも約25%、一実施態様では、約45%〜約90%の
範囲、一実施態様では、約55%〜約80%の範囲、一実施
態様では、約65%〜約75%の範囲である。一実施態様で
は、本発明の銅箔は、約200度を越える温度で少なくと
も約30分間熱処理され、その横方向のこれらの銅箔の疲
労延性は、少なくとも約65%、一実施態様では、約65%
〜約120%の範囲、一実施態様では、約65%〜約110%の
範囲、一実施態様では、約65%〜約100%の範囲であ
る。
の焼なましまたは熱処理の前に、この銅箔に84グラムの
負荷を付けて、その横方向での2mmの心棒を用いて、破
断までに約150〜約270回のフレックスサイクル、一実施
態様では、約170〜約270回のフレックスサイクル、一実
施態様では、約190〜約250回のフレックスサイクルに耐
える。一実施態様では、これらの銅箔は、177℃で15分
間熱処理され、破断までに約220〜約360回のフレックス
サイクル、一実施態様では、約240〜約340回のフレック
スサイクル、一実施態様では、約260〜約320回のフレッ
クスサイクルに耐える。一実施態様では、本発明の銅箔
は、約200℃を越える温度で少なくとも約30分間熱処理
され、破断までに約260〜約500回のフレックスサイク
ル、一実施態様では、約300〜約440回のフレックスサイ
クル、一実施態様では、約340〜約400回のフレックスサ
イクルに耐える。
施態様では、約2〜約8ミクロン、一実施態様では、約
3〜約6ミクロンのマット側の生箔粗さ、Rtmを有す
る。Rtmは、各5回の連続したサンプリング期間の最大
ピークと谷部垂直限界との平均であり、Rank Taylor Ho
bson,Ltd.(Leicester、England)により販売されてい
るSurftronic 3プロフィルメーターを用いて測定でき
る。これらの銅箔の光沢側のRtmは、一般に、約6ミク
ロン未満、一実施態様では、約5ミクロン未満、一実施
態様では、約2〜約6ミクロンの範囲、一実施態様で
は、約2〜約5ミクロンの範囲である。
り、約1/8〜約14オンスの範囲、一実施態様では、1平
方フィートあたり、約1/4〜約6オンスの範囲、一実施
態様では、1平フィートあたり、約3/8〜約6オンスの
範囲、一実施態様では、1平方フィートあたり、約1/2
〜約2オンスの範囲である。一実施態様では、これらの
銅箔は、1平方フィートあたり、約1/2、1または2オ
ンスの重量を有する。1平方フィートあたり1/2オンス
の重量の銅箔は、約17ミクロンの見掛け厚さを有する。
1平方フィートあたり1オンスの重量の銅箔は、約35ミ
クロンの見掛け厚さを有する。1平方フィートあたり2
オンスの重量の銅箔は、約70ミクロンの見掛け厚さを有
する。一実施態様では、これらの銅箔は、約10〜約250
ミクロンの範囲の厚さを有する。薄い銅箔のRtmは、厚
い銅箔よりのものも低くなる傾向がある。それゆえ、例
えば、1平方フィートあたり1/2オンスの重量の銅箔
は、一実施態様では、約1〜約4ミクロンのマット側の
生箔粗さ、Rtmを有するのに対して、1平方フィートあ
たり2オンスの重量の銅箔は、一実施態様では、約5〜
約7ミクロンのマット側の生箔粗さ、Rtmを有する。
認められている。一実施態様では、本発明の銅箔は、従
来の電着銅箔、応力を放出した電着銅箔または完全に焼
なまし電着銅箔よりも、疲労延性が高く、長いフレック
スサイクルに耐える。本発明の焼なましした銅箔は、一
実施態様では、焼なまし加工銅箔よりも、破断までの長
いフレックスサイクルに耐える。本発明の低温焼なまし
可能な銅箔は、一実施態様では、低温焼なまし可能な加
工銅箔よりも、長いフレックスサイクルに耐える。本発
明の銅箔は、一実施態様では、従来の低温焼なまし可能
な銅箔(加工銅箔か電着銅箔のいずれか)よりも、高い
疲労延性を示す。本発明の銅箔は、一実施態様では、焼
なまし加工銅箔よりも、高い等方性を示す。本発明の銅
箔は、一実施態様では、加工銅箔よりも、焼なまし後の
高い張力を示す。本発明の銅箔は、焼なまし加工銅箔よ
りも、高い銅−樹脂結合力を示す。本発明の銅箔は、一
実施態様では、焼なまし加工銅箔よりも広い幅で、製造
することが可能であり、この利点によって、本発明の銅
箔には、規模の経済性が高められる。本発明の銅箔を用
いると、従来の電着銅箔よりも低い焼なまし温度で、訳
65%を越える疲労延性を得ることが可能である。本発明
の銅箔は、一実施態様では、薄い規格では、加工銅箔よ
りも製造にかかるコストが安い。
を、電鋳セルのアノードとカソードの間に流すこと、お
よびこのカソード上に銅を析出させることを包含する。
この電解質溶液は、銅供給ストック(これは、銅ショッ
ト、銅線、酸化銅または再生した銅であり得る)を硫酸
溶液に溶解させることにより、形成される。この銅供給
ストック、硫酸および水は、好ましくは、高純度の等級
の物質である。この電解質溶液は、電鋳セルに入れる前
に、精製工程または濾過工程にかけることができる。そ
のアノードとカソードの間に電圧をかけると、このカソ
ードにて、銅の電着が起こる。その電流は、好ましく
は、直流、または直流バイアスの交流である。この電着
した銅は、このカソードの回転につれて、連続した薄い
ウエブとして、このカソードから取り出される。それ
は、ロール形状で集めることができる。この回転してい
るカソードは、好ましくは、円筒形の心棒の形状であ
る。しかしながら、他方、このカソードは、可動ベルト
の形状であり得る。これらの設計の両方とも、当該技術
分野で周知である。一実施態様では、このカソードは、
ステンレス鋼またはクロムメッキしたステンレス鋼のド
ラムである。一実施態様では、このカソードは、チタン
またはチタン合金からなる。このアノードは、このカソ
ードの曲線形状に一致する曲線形状を有しており、この
アノードとカソードの間に一定の間隙を与える。この間
隙は、約0.2〜約2センチメートルの長さであり得る。
の流速は、一般に、1秒間あたり、約0.2〜約3メート
ル、一実施態様では、1秒間あたり、約0.5〜約2.5メー
トル、一実施態様では、1秒間あたり、約0.7〜約2メ
ートルである。この電解質溶液は、一般に、1リットル
あたり、約10〜約150グラムの範囲、一実施態様では、
1リットルあたり、約40〜約110グラムの範囲、一実施
態様では、1リットルあたり、約50〜約90グラムの範囲
の遊離の硫酸濃度を有する。この電鋳セル中の電解質溶
液の温度は、一般に、約40℃〜約80℃の範囲、一実施態
様では、約45℃〜約75℃の範囲、一実施態様では、約50
℃〜約70℃の範囲である。この銅イオン(CuSO4に含ま
れている)の濃度は、一般に、1リットルあたり、約50
〜約130グラムの範囲、一実施態様では、1リットルあ
たり、約65〜約115グラムの範囲、一実施態様では、1
リットルあたり、約80〜約100グラムの範囲である。こ
の電流密度は重要であり、1平方フィートあたり、約50
0〜約2000アンペアの範囲、一実施態様では、1平方フ
ィートあたり、約500〜約1700アンペアの範囲、一実施
態様では、1平方フィートあたり、約600〜約1400アン
ペアの範囲である。
物イオン以外のもの)のレベルは、一般に、1リットル
あたり、約10グラム未満、一実施態様では、1リットル
あたり、約0.2〜約5グラムの範囲、一実施態様では、
1リットルあたり、約0.4〜約2グラムの範囲である。
これらの不純物には、リン酸塩、ヒ素、亜鉛、スズ、望
ましくない有機不純物などが挙げられる。
あり、好ましくは、0であるが、実際には、約5ppまで
の範囲、一実施態様では、約3ppmまでの範囲、一実施態
様では、約1ppmまでの範囲である。この塩化物イオン濃
度は、約0.5ppm未満、一実施態様では、約0.2ppm未満、
一実施態様では、約0.5ppm未満、一実施態様では、約0.
1ppm未満、一実施態様では、約0.05ppm未満であり得
る。塩化物イオンは、HCl、NaClまたは他の遊離の塩素
含有種として、この電解質溶液に添加してもよいが、こ
のような塩化物イオン濃度は、上述のレベルに維持しな
ければならない。「操作中電解質溶液」との用語は、こ
こでは、それを操作中電鋳セルに入れた後の電解質溶液
を表わすために、使用される。この電解質溶液中の低濃
度の塩化物イオンを測定する方法は、比朧分析を用い、
塩化物イオンと共に不溶性の沈殿物を形成する試薬の使
用を包含する。比朧分析を用いて、この試料の塩化物イ
オン濃度は、0.01ppm程度に低いレベルで定量できる。
での範囲、一実施態様では、約0.1ppmまでの範囲である
ことが重要である。一実施態様では、有機添加剤は添加
されず、それゆえ、該有機添加剤の濃度は0である。有
機添加剤を使用するとき、このような添加剤は、1種ま
たはそれ以上のゼラチンであり得る。ここで有用なゼラ
チンは、コラーゲンから誘導した水溶性タンパクの不均
一混合物である。動物のにかわは、好ましいゼラチンで
ある。この有機添加剤は、サッカリン、カフェイン、糖
みつ、グアーガム、アラビアゴム、チオ尿素、ポリアル
キレングリコール(例えば、ポリエチレングリコール、
ポリプロピレングリコール、ポリイソプロピレングリコ
ールなど)、ジチオスレイトール、アミノ酸(例えば、
プロリン、ヒドロキシプロリン、システインなど)、ア
クリルアミド、スルホプロピルジスルフィド、テトラプ
ロピルチウラムジスルフィド、アルキレンオキシド(例
えば、エチレンオキシド、プロピレンオキシドなど)、
スルホニウムアルカンスルホネート、チオカルバモイル
ジスルフィド、それらの誘導体、および2種またはそれ
以上の混合物からなる群から選択できる。
製造方法が提供される。この方法のフローシートは、図
1に描写する。この方法で使用する装置は、電鋳セル10
を包含し、これは、アノード12、カソード14、容器15お
よび電解質溶液18を含む。アノード12は、電解質溶液18
に沈められ、カソード14は、電解質溶液18に部分的に沈
められている。
は、当該技術分野で周知の電気的な手段が提供される。
その電流は、好ましくは、直流、または直流バイアスの
交流である。溶液18中の銅イオンは、カソード14の外面
14aにおいて、電子を獲得し、それにより、金属銅が、
銅箔層20の形状で、メッキされる。カソード14は、この
工程中において、その軸14bのまわりに連続的に回転
し、銅箔層20は、連続的なウエブとして、表面14aから
連続的に引き出され、これは、ロール20aに形成され
る。
ような有機添加剤を使用するなら)の電解質溶液を消耗
させる。これらの成分は、引き続き補給される。電解質
溶液18は、系22を通って引き出され、フィルター24、蒸
解がま26およびフィルター28を通って再循環され、次い
で、系30を通って容器16に再導入される。原料32からの
硫酸は、系34を通って蒸解がま26に進む。原料36からの
銅は、経路38に沿って、蒸解がま26に導入される。一実
施態様では、この銅は、銅ショット、くず銅線、酸化銅
または再生した銅の形状である。この銅は、硫酸および
空気により溶解されて、蒸解がま26にて、銅イオンを含
む溶液が形成される。
42を通って、系22の再循環溶液に添加されるか、また
は、原料46から系44を通って、添加される。これらの有
機添加剤の添加速度は、一実施態様では、約0.1mg/min/
kAまでの範囲、一実施態様では、約0.7mg/min/kAまでの
範囲である。
いると、浴制御が容易になる。塩化物イオンが高レベル
で存在するとき、銅の溶解速度が変わると、塩化物イオ
ンの濃度が変化する。塩化物イオンは、このような高レ
ベルでは、ドラッグアウト、プレートアウト、霧状化な
どにより、連続的に消耗され、従って、絶えず監視して
制御する必要がある。
は、大部分の金属表面を攻撃し、穴をあけ、そして腐食
を促進する。電鋳浴では、塩化物イオンは、ドラム表面
の有効寿命を短くし、タンク、パイプ、フィルターなど
を徐々に腐食する。本発明の方法を用いると、ドラム表
面の寿命が長くなる。
(例えば、動物のにかわ)が存在すると、この電解質溶
液を炭素濾過する必要が生じる。本発明の方法を用いる
と、有機添加剤の使用が最小であるかまたはそれらは存
在せず、従って、炭素濾過の必要性が少なくなるかまた
はその必要がなくなる。
まし可能な銅箔であり、一実施態様では、これらの銅箔
は、応力を緩和して疲労延性を上げるのに充分な温度で
効果的な期間にわたって、熱処理または焼なましされ
る。この熱処理温度は、一般に、約120℃〜約400℃の範
囲、一実施態様では、約140℃〜約300℃の範囲、一実施
態様では、約160℃〜約250℃の範囲である。この熱処理
の持続期間は、この熱処理が行われる特定の方法に依存
する。例えば、この熱処理は、以下の方法の1個または
それ以上で行うことができる:空気オーブン中の方法、
不活性雰囲気のオーブン中の方法、真空下での方法、放
射線による方法、および/または直接の接触による方
法。この熱処理は、他方、この銅箔ストリップの抵抗加
熱により、積層プレスでの加熱により、または積層後の
後焼き付けにより、行ってもよい。この熱処理の時間
は、特定の温度にて、この銅箔の結晶構造、欠陥および
位置を完全に転換するように、充分に長期間であること
が重要である。例えば、大きなバッチのオーブン中の多
量の銅箔は、主として、このオーブン、そのロール上の
内部ラップおよびそのラップ間に取り込まれた空気を加
熱するのに、比較的に長時間の熱処理時間を要する。逆
に、連続的な熱処理工程は、このオーブンに入れる銅箔
だけを特定の温度に上げるだけでよいので、比較的に短
時間しか必要としない。一般に、この熱処理時間は、約
0.001時間と約24時間の間、一実施態様では、約0.01〜
約6時間、一実施態様では、約0.03〜約3時間である。
するか銅箔特性を高める目的での処理を受けていないベ
ース銅箔を表わすように、ここで使用される。「処理し
た」との用語は、このような処理を受けた生銅箔または
ベース銅箔を表わすように、ここで使用される。この処
理は、全く一般的であり、典型的には、種々の処理溶液
および洗浄溶液の使用を包含する。一実施態様では、こ
の生銅箔またはベース銅箔は、この銅箔の一面または両
面に塗布した銅または酸化銅の少なくとも1個の粗い層
を有する。
の銅箔の一面または両面に塗布した少なくとも1個の金
属障壁層を有する。この金属層の金属は、インジウム、
亜鉛、スズ、ニッケル、コバルト、銅−亜鉛の混合物ま
たは合金、亜鉛−ニッケルの混合物または合金、銅−ス
ズの混合物または合金、およびそれらの組合せからなる
群から選択される。これらの金属層は、一般には、約0.
01〜約1ミクロンの範囲、一実施態様では、約0.05〜約
0.1ミクロンの範囲の厚さを有する。
の銅箔の一面または両面に塗布した少なくとも1個の金
属安定化層を有する。この金属層の金属は、スズ、クロ
ム、クロム−亜鉛の混合物または合金、亜鉛−ニッケル
の混合物または合金、およびそれらの組合せからなる群
から選択される。これらの金属層は、一般には、約0.00
5〜約0.05ミクロンの範囲、一実施態様では、約0.01〜
約0.02ミクロンの範囲の厚さを有する。
の銅箔の一面または両面に塗布した少なくとも1個の第
一の金属障壁層、および第一の金属障壁層に塗布した少
なくとも1個の第二の金属安定化層を有し、第一の金属
層の金属は、インジウム、亜鉛、スズ、ニッケル、コバ
ルト、銅−亜鉛の混合物または合金、および銅−スズの
混合物または合金からなる群から選択され、第二の金属
層の金属は、スズ、クロム、およびクロム−亜鉛の混合
物または合金からなる群から選択される。
の銅箔の一面または両面に塗布した銅または酸化銅の少
なくとも1個の粗い層、この粗い層に塗布した少なくと
も1個の第一の金属障壁層、および第一の金属障壁層に
塗布した少なくとも1個の第二の金属安定化層を有し、
第一の金属層の金属は、インジウム、亜鉛、スズ、ニッ
ケル、コバルト、銅−亜鉛の混合物または合金、および
銅−スズの混合物または合金からなる群から選択され、
第二の金属層の金属は、スズ、クロム、およびクロム−
亜鉛の混合物または合金からなる群から選択される。一
実施態様では、上述の金属層の組合せは、この銅箔の一
面(すなわち、マット側)に塗布され、そして前記第二
の金属安定化層は、この銅箔の他の側(すなわち、光沢
側)に塗布される。
層の1層には、シランカップリング剤を塗布できる。こ
のシランカップリング剤は、次式により表される: R4-nSiXn ここで、Rは、機能的に置換した炭化水素基であり、
該機能的に置換した炭化水素基の官能置換基は、アミ
ノ、ヒドロキシ、ハロ、メルカプト、アルコキシ、アシ
ルまたはエポキシである;Xは、加水分解可能な基、例え
ば、アルコキシ(例えば、メトキシ、エトキシなど)、
またはハロゲン(例えば、塩素)である;そして、n
は、1、2または3であり、好ましくは、nは3であ
る。上式で表わされるシランカップリング剤には、ハロ
シラン、アミノアルコキシシラン、アミノフェニルシラ
ン、フェニルシラン、複素環シラン、N−複素環シラ
ン、アクリルシラン、メルカプトシラン、およびそれら
の2種またはそれ以上の混合物が挙げられる。
リメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエト
キシシラン、ビス(2−ヒドロキシエチル)−3−アミ
ノプロピルトリエトキシシラン、3−(N−スチリルメ
チル−2−アミノエチルアミン)プロピルトリメトキシ
シラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、N−メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、2
−(2−アミノエチル−3−アミノプロピル)トリメト
キシシラン、およびN−フェニルアミノプロピルトリメ
トキシシランが挙げられる。
シプロピルトリメトキシシラン、およびテトラキシシラ
ンまたはテトラエトキシシランである。前者と後者の重
量比は、約1:10〜約10:1の範囲、一実施態様では、約1:
5〜約5:1の範囲であり得、一実施態様では、この重量比
は、約4:1である。
ノプロピルトリメトキシシランおよびクロロプロピルト
リメトキシシランである。前者と後者の重量比は、約1:
10〜約10:1の範囲、一実施態様では、約1:5〜約5:1の範
囲であり得、一実施態様では、この重量比は、約1:1で
ある。
リルメチル−2−アミノエチルアミン)プロピルトリメ
トキシシランおよびN−メチルアミノプロピルトリメト
キシシランである。前者と後者の重量比は、約1:10〜約
10:1の範囲、一実施態様では、約1:5〜約5:1の範囲であ
り得、一実施態様では、この重量比は、約1:1である。
シプロピルトリメトキシシランおよびN−メチルアミノ
プロピルトリメトキシシランである。前者と後者の重量
比は、約1:10〜約10:1の範囲、一実施態様では、約1:5
〜約5:1の範囲であり得、一実施態様では、この重量比
は、約1:3である。
このシランカップリング剤のみを、この銅箔の表面に塗
布することにより、行うことができる。しかしながら、
一般に、この被覆は、適当な媒体中のシランカップリン
グ剤を、この銅箔表面に塗布するのが好ましい。さらに
具体的には、このシランカップリング剤は、水、水およ
びアルコールの混合物、または適当な有機溶媒中の溶液
の形状で、またはこのシランカップリング剤の水性乳濁
液として、この銅箔表面に塗布できる。このシランカッ
プリング剤には、通常の有機溶媒が使用でき、これに
は、例えば、アルコール、エーテル、ケトン、およびそ
れらと脂肪族炭化水素または芳香族炭化水素との混合物
またはそれらとアミド(例えば、N,N−ジメチルホルム
アミド)との混合物が挙げられる。有用な溶媒には、良
好な濡れ性および乾燥性を有するものがあり、例えば、
水、エタノール、イソプロパノール、およびメチルエチ
ルケトンが挙げられる。このシランカップリング剤の水
性乳濁液は、通常の分散剤および界面活性剤(非イオン
性分散剤を含めて)を用いて、通常の様式で形成でき
る。この金属表面は、このシランカップリング剤の水性
乳濁液と接触させるのが便利である。このような溶液ま
たは乳濁液中のこのシランカップリング剤の濃度は、約
100重量%までのシランカップリング剤、一実施態様で
は、約0.1重量%〜約5重量%の範囲のシランカップリ
ング剤、一実施態様では、約0.3重量%〜約1重量%の
範囲のこのシランカップリング剤であり得る。このシラ
ンカップリング剤を用いた被覆方法は、望ましいなら、
数回繰り返してもよい。このシランカップリング剤は、
周知の塗布方法(これには、リバースローラー塗装、ド
クターブレード塗装、浸漬、ペイントおよび噴霧が含ま
れる)を用いて、この銅箔表面に塗布できる。
は、典型的には、約15℃〜約45℃の温度、一実施態様で
は、約20℃〜約30℃の温度で行われる。このシランカッ
プリング剤のこの銅箔表面への塗布に続いて、このシラ
ンカップリング剤は、この表面の乾燥を促進するため
に、一般に、約0.1〜約5分間、一実施態様では、約0.2
〜約2分間にわたって、約60℃〜約170℃の温度、一実
施態様では、約90℃〜約150℃の温度まで加熱できる。
この銅箔上のこのシランカップリング剤の乾燥フィルム
厚は、一般に、約0.002〜約0.1ミクロン、一実施態様で
は、約0.005〜約0.02ミクロンである。
定性および構造安定性が得られる。一実施態様では、こ
の物質は、可塑性の誘電性物質である。有用な誘電性物
質は、織ガラス補強材を部分硬化樹脂、通常、エポキシ
樹脂(例えば、二官能性、四官能性および多官能性のエ
ポキシド)で含浸させることにより、調製できる。有用
な樹脂には、ホルムアルデヒドおよび尿素またはホルム
アルデヒドおよびメラミンの反応から生成したアミノタ
イプの樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、フェノ
ール樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミ
ド樹脂、フタル酸ジアリル樹脂、フェニルシラン樹脂、
ポリベンズイミダゾール樹脂、ポリフェニルオキシド樹
脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、シアン酸エステ
ル樹脂などが挙げられる。これらの誘電性物質は、時に
は、プリプレグと呼ばれる。
よび銅箔の両方を、ロールに巻き付けた長いウエブ物質
の形状で供給するのが、有用である。一実施態様では、
これらの銅箔およびプリプレグの長いウエブは、連続工
程を用いて積層される。この工程では、この銅箔の連続
ウエブは、積層条件下にて、このプリプレグの連続ウエ
ブと接触されて、積層体構造が形成される。この積層体
構造は、長方形のシートに切断でき、この長方形のシー
トは、集合体の積重ねに入れられるか集められ、または
ロール形状でさらに処理される。
いウエブは、まず、長方形のシートに切断され、次い
で、積層される。この工程では、この銅箔の長方形のシ
ートおよびプリプレグ材料の長方形のシートは、集合体
の積重ねに入れられるか集められる。
プリプレグシートを含有していてもよい。この集合体
は、積層工程のプレート間にて、通常の積層温度および
圧力を受けて、銅箔シートの間にプリプレグシートのサ
ンドイッチを含む積層体が調製できる。
浸した織ガラス補強織布からなっていてもよい。熱およ
び圧力を適用することにより、この銅箔は、このプリプ
レグに対して固く押し付けられ、この集合体が受ける温
度により、この樹脂が活性化されて、硬化(すなわち、
架橋)を引き起こし、それゆえ、この銅箔がこのプリプ
レグ誘電性物質に堅固に結合する。一般的にいえば、こ
の積層操作は、約250〜約750psiの範囲の圧力、約160℃
〜約235℃の範囲の温度、および約15分間〜約2時間の
積層サイクルを包含する。完成した積層体は、次いで、
印刷回路基板(PCB)を調製するのに使用できる。
程にかけて、多層回路基板の製造工程の一部として、導
電性のラインまたは導電性のパターンが形成される。次
いで、第二のプリプレグが、このエッチングしたパター
ンに付着される。多層回路基板の製造方法は、当該技術
分野で周知である。同様に、減法銅エッチング工程も周
知であり、その一例は、米国特許第5,017,271号に開示
され、その内容は、本明細書中で参考として援用されて
いる。
法が利用可能である。さらに、このPCBには、無数の可
能性のある最終用途があり、これには、ラジオ、テレ
ビ、コンピューターなどがある。これらの方法および最
終用途は、当該技術分野で周知である。
いる。以下の実施例および本明細書および請求の範囲に
て、他に指示がなければ、全ての部およびパーセントは
重量基準であり、全ての温度は摂氏であり、そして全て
の圧力は大気圧である。
トルあたり80グラムの遊離硫酸濃度、0.1ppm未満の塩化
物イオン濃度、0.07mg/min/kAの動物にかわ添加速度、
および1平方フィートあたり1100ampsの電流密度を有す
る電解質溶液を用いて、以下の表に示した銅箔試料を調
製する。この試料は、以下に示すように、熱処理するか
または熱処理しない。そのフレックスサイクル数は、こ
の銅箔に84グラムの負荷を加えて、その横方向で、2mm
の直径の心棒を用いて測定する、この銅箔試料は、1oz/
ft2の見掛け重量を有する。その疲労延性は、等式
(I)を用いて算出する。
800の倍率で撮影した顕微鏡写真である。これらの顕微
鏡写真は、実質的に均一で非配向の粒子構造を明らかに
し、この構造は、本質的に円柱形の粒子がない。
トルあたり60グラムの遊離硫酸濃度、2.8ppmの塩化物イ
オン濃度、および0の有機添加剤濃度(すなわち、有機
添加剤を添加しない)を有する電解質溶液を用いて、以
下の表に示した銅箔試料を調製する。そのフレックスサ
イクル数は、この銅箔に84グラムの負荷を加えて、その
横方向で、2mmの直径の心棒を用いて測定する。この銅
箔試料は、1oz/ft2の見掛け重量を有する。この試験
は、IPC MF−150Fに従って、その横方向で行う。
を有する。この焼なましした試料を、200〜250℃で30分
間熱処理する。低温で焼なまし可能な試料を、Grade 8
の銅箔に関するIPC MF−150Fに必要なサイクルを用い
て、177℃で15分間熱処理する。この試料を、この機械
を横切る方向で試験する。そのフレックスサイクル数
は、この銅箔に84グラムの負荷を加えて、その横方向
で、2mmの直径の心棒を用いて測定する。
るものの、それらの種々の変更は、この明細書を読め
ば、当業者に明らかなことが理解されるべきである。従
って、ここで開示の発明は、添付の請求の範囲に入るよ
うなこれらの変更を含むべく意図されていることが理解
されるべきである。
Claims (20)
- 【請求項1】実質的に均一で非配向の粒子構造を有す
る、焼なましされた電着銅箔であって、該構造は、本質
的に円柱形の粒子がなく、少なくとも65%の疲労延性に
より特徴づけられ、 42,000〜70,000psiの範囲の23℃で測定された極限引張
り強度を有し、 15%〜31%の範囲の23℃で測定された伸度を有し、 22,000〜32,000psiの範囲の180℃で測定された極限引張
り強度を有し、 24%〜45%の範囲の180℃で測定された伸度を有し、 該銅箔は電解質溶液を用いて電着され、該電解質溶液
は、0の有機添加剤濃度、5ppmまでの塩化物イオン濃度
を有し、およびリン酸塩、ヒ素、亜鉛、およびスズから
なる群から選択される少なくとも一つの不純物を含有す
ることによって特長づけられる、焼なましされた電着銅
箔。 - 【請求項2】平均粒度が、3ミクロンまでである、請求
項1に記載の銅箔。 - 【請求項3】平均粒度が、5ミクロンまでである、請求
項1に記載の銅箔。 - 【請求項4】平均粒度が、8ミクロンまでである、請求
項1に記載の銅箔。 - 【請求項5】マット側の生箔粗さ、Rtmが、1〜10ミク
ロンである、請求項1に記載の銅箔。 - 【請求項6】光沢側の生箔粗さ、Rtmが、6ミクロン未
満である、請求項1に記載の銅箔。 - 【請求項7】一面または両面に塗布した銅または酸化銅
の少なくとも1個の粗い層を有する、請求項1に記載の
銅箔。 - 【請求項8】一面または両面に塗布した少なくとも1個
の金属層を有する、請求項1に記載の銅箔であって、該
金属層の金属は、インジウム、亜鉛、スズ、ニッケル、
コバルト、銅−亜鉛の混合物または合金、銅−スズの混
合物または合金、および亜鉛−ニッケルの混合物または
合金からなる群から選択される。 - 【請求項9】一面または両面に塗布した少なくとも1個
の金属層を有する、請求項1に記載の銅箔であって、該
金属層の金属は、スズ、クロム、クロム−亜鉛の混合物
または合金、および亜鉛−ニッケルの混合物または合金
からなる群から選択される。 - 【請求項10】一面または両面に塗布した銅または酸化
銅の少なくとも1個の粗い層、該粗い層に塗布した少な
くとも1個の第一の金属層、および第一の金属層に塗布
した少なくとも1個の第二の金属層を有する、請求項1
に記載の銅箔であって、該第一の金属層の金属は、イン
ジウム、亜鉛、スズ、ニッケル、コバルト、銅−亜鉛の
混合物または合金、銅−スズの混合物または合金、およ
び亜鉛−ニッケルの混合物または合金からなる群から選
択され、該第二の金属層の金属は、スズ、クロム、およ
びクロム−亜鉛の混合物または合金、亜鉛、および亜鉛
−ニッケルの混合物または合金からなる群から選択され
る。 - 【請求項11】一面または両面を覆う少なくとも1種の
シランカップリング剤を有する、請求項1に記載の銅
箔。 - 【請求項12】アノードとカソードの間に電解質溶液を
流し、該アノードおよびカソードに、該カソード上に銅
を析出させるのに効果的な量の電圧をかけること; 該カソードから銅箔を取り出すこと;および 該銅箔を焼きなましすること; を包含する、焼きなましされた電着銅箔の製造方法であ
って、 該電解質溶液は、5ppmまでの塩化物イオン濃度、ゼロの
有機添加剤濃度、およびリン酸塩、ヒ素、亜鉛およびス
ズからなる群から選択される少なくとも一つの不純物を
含有することによって特長づけられ、 該銅箔は、実質的に均一で非配向の粒子構造を有し、該
構造は、本質的に円柱形の粒子がなく、少なくとも65%
の疲労延性により特徴づけられる、電着銅箔の製造方
法。 - 【請求項13】前記銅を析出させる際に使用する電流密
度が、1平方フィートあたり、500〜2000ampsの範囲で
ある、請求項12に記載の方法。 - 【請求項14】前記電解質溶液が、1ppmまでの塩化物イ
オン濃度を有する、請求項12に記載の方法。 - 【請求項15】前記電解質溶液が、0の塩化物イオン濃
度を有する、請求項12に記載の方法。 - 【請求項16】前記銅箔の一面または両面に、銅または
酸化銅の少なくとも1個の粗い層を塗布する工程を包含
する、請求項12に記載の方法。 - 【請求項17】前記銅箔の一面または両面に、少なくと
も1個の金属層を塗布する工程を包含する、請求項12に
記載の方法であって、該金属層の金属は、インジウム、
亜鉛、スズ、ニッケル、コバルト、銅−亜鉛の混合物ま
たは合金、銅−スズの混合物または合金、および亜鉛−
ニッケルの混合物または合金からなる群から選択され
る。 - 【請求項18】前記銅箔の一面または両面に、第2の金
属層を塗布する工程を包含する、請求項17に記載の方法
であって、該第2の金属層の金属は、スズ、クロム、ク
ロム−亜鉛の混合物または合金、亜鉛、および亜鉛−ニ
ッケルの混合物または合金からなる群から選択される。 - 【請求項19】前記銅箔の一面または両面に、銅または
酸化銅の少なくとも1個の粗い層を塗布する工程、次い
で、該粗い層に、少なくとも1個の第一の金属層を塗布
する工程、次いで、該第一の金属層に、少なくとも1個
の第二の金属層を塗布する工程を包含する、請求項12に
記載の方法であって、該第一の金属層の金属は、インジ
ウム、亜鉛、スズ、ニッケル、コバルト、銅−亜鉛の混
合物または合金、銅−スズの混合物または合金、および
亜鉛−ニッケルの混合物または合金からなる群から選択
され、該第二の金属層の金属は、スズ、クロム、および
クロム−亜鉛の混合物または合金、亜鉛、および亜鉛−
ニッケルの混合物または合金からなる群から選択され
る。 - 【請求項20】前記銅箔の一面または両面に、少なくと
も1種のシランカップリング剤を塗布する工程を包含す
る、請求項12に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US27795P | 1995-06-16 | 1995-06-16 | |
US60/000,277 | 1995-06-16 | ||
US08/647,706 US6132887A (en) | 1995-06-16 | 1996-05-24 | High fatigue ductility electrodeposited copper foil |
US08/647,706 | 1996-05-24 | ||
PCT/US1996/007918 WO1997000338A2 (en) | 1995-06-16 | 1996-05-29 | High fatigue ductility electrodeposited copper foil |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002362452A Division JP2003201592A (ja) | 1995-06-16 | 2002-12-13 | 疲労延性の高い電着銅箔 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001523303A JP2001523303A (ja) | 2001-11-20 |
JP3411291B2 true JP3411291B2 (ja) | 2003-05-26 |
Family
ID=26667427
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50308897A Expired - Lifetime JP3411291B2 (ja) | 1995-06-16 | 1996-05-29 | 疲労延性の高い電着銅箔 |
JP2002362452A Withdrawn JP2003201592A (ja) | 1995-06-16 | 2002-12-13 | 疲労延性の高い電着銅箔 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002362452A Withdrawn JP2003201592A (ja) | 1995-06-16 | 2002-12-13 | 疲労延性の高い電着銅箔 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6132887A (ja) |
EP (1) | EP0776385B1 (ja) |
JP (2) | JP3411291B2 (ja) |
CN (1) | CN1113980C (ja) |
DE (1) | DE69635367T2 (ja) |
TW (1) | TW430697B (ja) |
WO (1) | WO1997000338A2 (ja) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5863666A (en) * | 1997-08-07 | 1999-01-26 | Gould Electronics Inc. | High performance flexible laminate |
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---|---|---|---|---|
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TW336325B (en) * | 1996-05-24 | 1998-07-11 | Electrocopper Products Ltd | Copper wire and process for making copper wire |
-
1996
- 1996-05-24 US US08/647,706 patent/US6132887A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-29 WO PCT/US1996/007918 patent/WO1997000338A2/en active IP Right Grant
- 1996-05-29 JP JP50308897A patent/JP3411291B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-29 CN CN96190650A patent/CN1113980C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-29 EP EP96920556A patent/EP0776385B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-29 DE DE69635367T patent/DE69635367T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-20 TW TW085108841A patent/TW430697B/zh not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-12-13 JP JP2002362452A patent/JP2003201592A/ja not_active Withdrawn
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---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1161065A (zh) | 1997-10-01 |
US6132887A (en) | 2000-10-17 |
JP2003201592A (ja) | 2003-07-18 |
CN1113980C (zh) | 2003-07-09 |
TW430697B (en) | 2001-04-21 |
JP2001523303A (ja) | 2001-11-20 |
EP0776385B1 (en) | 2005-11-02 |
DE69635367T2 (de) | 2006-07-06 |
WO1997000338A2 (en) | 1997-01-03 |
EP0776385A2 (en) | 1997-06-04 |
DE69635367D1 (de) | 2005-12-08 |
EP0776385A4 (en) | 1999-01-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090320 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100320 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100320 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110320 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120320 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130320 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130320 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140320 Year of fee payment: 11 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |