JP3403188B2 - 重合方法 - Google Patents
重合方法Info
- Publication number
- JP3403188B2 JP3403188B2 JP2001512779A JP2001512779A JP3403188B2 JP 3403188 B2 JP3403188 B2 JP 3403188B2 JP 2001512779 A JP2001512779 A JP 2001512779A JP 2001512779 A JP2001512779 A JP 2001512779A JP 3403188 B2 JP3403188 B2 JP 3403188B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- polymer
- oligomer
- substituent
- aromatic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/02—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/02—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes
- C08G61/10—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes only aromatic carbon atoms, e.g. polyphenylenes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/114—Poly-phenylenevinylene; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/151—Copolymers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Description
本発明は、ポリマーまたはオリゴマーの製造方法、およ
び前記製造方法によって製造し得るか、あるいは製造さ
れるポリマーまたはオリゴマーに関するものである。上
記ポリマーの用途も提供する。
び前記製造方法によって製造し得るか、あるいは製造さ
れるポリマーまたはオリゴマーに関するものである。上
記ポリマーの用途も提供する。
【０００１】より具体的には、本発明は、電気デバイ
ス、電子デバイス、光学デバイスおよび光電子デバイス
［例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）などの、小分子およ
びポリマーに基づく発光デバイス］用の共役分子、オリ
ゴマーおよびポリマーに向けられるものである。特に本
発明は、制御されたＣ−Ｃ結合形成プロセスで一つにカ
ップリングした場合に、発光性の共役分子、オリゴマ
ー、高分子およびポリマーを与える芳香族前駆体の合成
プロセスに関するものである。
ス、電子デバイス、光学デバイスおよび光電子デバイス
［例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）などの、小分子およ
びポリマーに基づく発光デバイス］用の共役分子、オリ
ゴマーおよびポリマーに向けられるものである。特に本
発明は、制御されたＣ−Ｃ結合形成プロセスで一つにカ
ップリングした場合に、発光性の共役分子、オリゴマ
ー、高分子およびポリマーを与える芳香族前駆体の合成
プロセスに関するものである。
【０００２】印加された電場内での電荷注入による発光
能（電界ルミネセンス）を有する有機半導体にとって、
固体状態での高い光ルミネセンス効率は必須の条件であ
る。発光デバイスへの応用を目的として新しい共役系を
設計する場合、重合カップリング反応に適切に関与し得
る芳香族前駆体分子を製造するプロセスが有利である。
置換パターンの変化によって、光ルミネセンス効率の改
善が可能となることを示す多くの証拠が、明らかになり
つつある。
能（電界ルミネセンス）を有する有機半導体にとって、
固体状態での高い光ルミネセンス効率は必須の条件であ
る。発光デバイスへの応用を目的として新しい共役系を
設計する場合、重合カップリング反応に適切に関与し得
る芳香族前駆体分子を製造するプロセスが有利である。
置換パターンの変化によって、光ルミネセンス効率の改
善が可能となることを示す多くの証拠が、明らかになり
つつある。
【０００３】特に発光デバイスに用いられる共役ポリマ
ーまたはオリゴマーを、芳香族モノマーをカップリング
して得る方法は、いくつか知られている。１，４−ビス
（ハロメチル）芳香族誘導体のＧｉｌｃｈ脱ハロゲン化
水素重縮合は、そのような方法の一つである。この方法
は、Ｇｉｌｃｈら，Ｊ Ｐｏｌｙ Ｓｃｉ．１−Ａ，１
９６６，４，１３３７；Ｗｕｄｌ，米国特許第５，１８
９，１３６号（１９９０年）；Ｈ．Ｓｐｒｅｉｔｚｅ
ｒ，Ｗ．Ｋｒｅｕｄｅｒ，Ｈ．ＢｅｃｋｅｒおよびＨ．
Ｓｃｈｏｏ，ＷＯ９８／２７１３６；Ｈ．Ｂｅｃｋｅ
ｒ，Ｈ．Ｓｐｒｅｉｔｚｅｒ，Ｋ．Ｉｂｒｏｍおよび
Ｗ．Ｋｒｅｕｄｅｒ，Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，
１９９９，３２，４９２５−４９３２などの文献に記載
されている。Ｇｉｌｃｈ脱ハロゲン化水素法は、対応す
るジメチル誘導体のラジカル臭素化、または反応性前駆
体のハロメチル化にとりわけ依存している。前者の場
合、芳香環の求電子ハロゲン化のために収率が低下す
る。特にこの問題は、芳香環が、求電子置換を活性化す
る基を置換基としてさらに有している場合に起こる。後
者の場合、ハロメチル化を良好な収率で行うには、電子
リッチな芳香族前駆体が必要となる。ハロメチル化反応
は、製造中に強力な発がん性物質であるメチルハロメチ
ルエーテル（この場合、ハロはＣｌまたはＢｒ）が形成
される可能性があるので、特に大量生産の魅力に乏し
い。
ーまたはオリゴマーを、芳香族モノマーをカップリング
して得る方法は、いくつか知られている。１，４−ビス
（ハロメチル）芳香族誘導体のＧｉｌｃｈ脱ハロゲン化
水素重縮合は、そのような方法の一つである。この方法
は、Ｇｉｌｃｈら，Ｊ Ｐｏｌｙ Ｓｃｉ．１−Ａ，１
９６６，４，１３３７；Ｗｕｄｌ，米国特許第５，１８
９，１３６号（１９９０年）；Ｈ．Ｓｐｒｅｉｔｚｅ
ｒ，Ｗ．Ｋｒｅｕｄｅｒ，Ｈ．ＢｅｃｋｅｒおよびＨ．
Ｓｃｈｏｏ，ＷＯ９８／２７１３６；Ｈ．Ｂｅｃｋｅ
ｒ，Ｈ．Ｓｐｒｅｉｔｚｅｒ，Ｋ．Ｉｂｒｏｍおよび
Ｗ．Ｋｒｅｕｄｅｒ，Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，
１９９９，３２，４９２５−４９３２などの文献に記載
されている。Ｇｉｌｃｈ脱ハロゲン化水素法は、対応す
るジメチル誘導体のラジカル臭素化、または反応性前駆
体のハロメチル化にとりわけ依存している。前者の場
合、芳香環の求電子ハロゲン化のために収率が低下す
る。特にこの問題は、芳香環が、求電子置換を活性化す
る基を置換基としてさらに有している場合に起こる。後
者の場合、ハロメチル化を良好な収率で行うには、電子
リッチな芳香族前駆体が必要となる。ハロメチル化反応
は、製造中に強力な発がん性物質であるメチルハロメチ
ルエーテル（この場合、ハロはＣｌまたはＢｒ）が形成
される可能性があるので、特に大量生産の魅力に乏し
い。
【０００４】ＳｃｈｌｕｅｔｅｒおよびＷｅｇｎｅｒ，
Ａｃｔａ Ｐｏｌｙｍ．，１９９３，４４，５９に記載
されているようなボロン酸（boronic acid）誘導体とビ
ニルおよびアリールハライドとのスズキ（Ｐｄ触媒）ク
ロスカップリングも、既知の重合反応の一つである。こ
の反応はしばしば「スズキ」重合と呼ばれている。
Ａｃｔａ Ｐｏｌｙｍ．，１９９３，４４，５９に記載
されているようなボロン酸（boronic acid）誘導体とビ
ニルおよびアリールハライドとのスズキ（Ｐｄ触媒）ク
ロスカップリングも、既知の重合反応の一つである。こ
の反応はしばしば「スズキ」重合と呼ばれている。
【０００５】また、ビス（ホスホネート）とジカルボニ
ル化合物とのＨｏｒｎｅｒ Ｗｉｔｔｉｇ重縮合も、既
知の重合反応の一つである。この方法は、Ｋｒｅｕｄｅ
ｒらのＷＯ９６／１０６１７（１９９６年）；Ｃｈｅ
ｍ．Ａｂｓｔｒ．，１９９６，１２４，３４５０３８ｕ
で論じられている。
ル化合物とのＨｏｒｎｅｒ Ｗｉｔｔｉｇ重縮合も、既
知の重合反応の一つである。この方法は、Ｋｒｅｕｄｅ
ｒらのＷＯ９６／１０６１７（１９９６年）；Ｃｈｅ
ｍ．Ａｂｓｔｒ．，１９９６，１２４，３４５０３８ｕ
で論じられている。
【０００６】Ｙａｍａｍｏｔｏ，Ｐｒｏｇｒ．Ｐｏｌｙ
ｍ．Ｓｃｉ．，１９９２，１７，１１５３には、芳香族
ジブロモ誘導体のニッケル触媒クロスカップリングを伴
うさらにもう１つの重合反応が開示されている。この反
応は、しばしば「ヤマモト」重合と呼ばれている。
ｍ．Ｓｃｉ．，１９９２，１７，１１５３には、芳香族
ジブロモ誘導体のニッケル触媒クロスカップリングを伴
うさらにもう１つの重合反応が開示されている。この反
応は、しばしば「ヤマモト」重合と呼ばれている。
【０００７】ジカルボニル誘導体のＭｃＭｕｒｒｙカッ
プリングによる重合が、Ｆｅａｓｔら，Ａｂｓｔｒａｃ
ｔｓ ｏｆ Ｐａｐｅｒｓ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉ
ｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，１９９
８，Ｖｏｌ． ２１５（Ｐｔ２），ｐｐ．３２２−ＰＯ
ＬＹ、および、Ｄａｉｋら，Ｎｅｗ Ｊ Ｃｈｅｍ．，
１９９８，２２，１０４７に記載されている。
プリングによる重合が、Ｆｅａｓｔら，Ａｂｓｔｒａｃ
ｔｓ ｏｆ Ｐａｐｅｒｓ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉ
ｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，１９９
８，Ｖｏｌ． ２１５（Ｐｔ２），ｐｐ．３２２−ＰＯ
ＬＹ、および、Ｄａｉｋら，Ｎｅｗ Ｊ Ｃｈｅｍ．，
１９９８，２２，１０４７に記載されている。
【０００８】上記重合反応に使用される一定のモノマー
の合成には問題が多いと、当業者には認識されると考え
られる。そのため、これらの重合反応によって得ること
ができるポリマーの範囲は限定されることになる。
の合成には問題が多いと、当業者には認識されると考え
られる。そのため、これらの重合反応によって得ること
ができるポリマーの範囲は限定されることになる。
【０００９】ポリ（ｐ−アリーレンビニレン）（ＰＰＶ
類）が、ＷＯ９８／２７１３６に概説されている。
類）が、ＷＯ９８／２７１３６に概説されている。
【００１０】Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｍｅｔａｌｓ，１０
１（１９９９）２１６−２１７には、シリル二置換ＰＰ
Ｖ誘導体が開示されている。２つのシリル置換基は同じ
ものである。２，５−ビス（ブロモメチル）−１，４−
ビス（ジメチルオクチルシリル）ベンゼンから、脱ハロ
ゲン化水素重縮合反応によって、ポリ［２，５−ビス
（ジメチルオクチルシリル）−１，４−フェニレン−ビ
ニレン］ポリマーが合成されている。
１（１９９９）２１６−２１７には、シリル二置換ＰＰ
Ｖ誘導体が開示されている。２つのシリル置換基は同じ
ものである。２，５−ビス（ブロモメチル）−１，４−
ビス（ジメチルオクチルシリル）ベンゼンから、脱ハロ
ゲン化水素重縮合反応によって、ポリ［２，５−ビス
（ジメチルオクチルシリル）−１，４−フェニレン−ビ
ニレン］ポリマーが合成されている。
【００１１】重合分野以外では、ビスカルバメート類お
よびウレタン類の直接金属化というコンセプトが、例え
ばＳｎｉｅｃｋｕｓ，Ｐｕｒｅ Ａｐｐｌ．Ｃｈｅ
ｍ．，１９９４，６６，２１５５；Ｂｏｗｅｒら，Ｊ．
Ｏｒｇ Ｃｈｅｍ．，１９９８，６３，１５１４；およ
びＶ．Ｓｎｉｅｃｋｕｓ，Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１９９
０，９０，８７９−９３３などに報告されている。しか
し、このコンセプトが、ポリマーまたはオリゴマーの製
造方法の一工程として開示または示唆されたことはな
い。
よびウレタン類の直接金属化というコンセプトが、例え
ばＳｎｉｅｃｋｕｓ，Ｐｕｒｅ Ａｐｐｌ．Ｃｈｅ
ｍ．，１９９４，６６，２１５５；Ｂｏｗｅｒら，Ｊ．
Ｏｒｇ Ｃｈｅｍ．，１９９８，６３，１５１４；およ
びＶ．Ｓｎｉｅｃｋｕｓ，Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１９９
０，９０，８７９−９３３などに報告されている。しか
し、このコンセプトが、ポリマーまたはオリゴマーの製
造方法の一工程として開示または示唆されたことはな
い。
【００１２】本発明者らは、上記の重合反応に用いられ
るモノマーの供給方法を改良する必要があることを見出
した。
るモノマーの供給方法を改良する必要があることを見出
した。
【００１３】従って、改良されたポリマーまたはオリゴ
マー製造方法を提供することが、本発明の目的である。
マー製造方法を提供することが、本発明の目的である。
【００１４】また、上記の改良された方法によって製造
されるポリマーおよびオリゴマー、並びに上記の改良さ
れた方法によって製造し得るポリマーおよびオリゴマー
を提供することも、本発明の目的である。
されるポリマーおよびオリゴマー、並びに上記の改良さ
れた方法によって製造し得るポリマーおよびオリゴマー
を提供することも、本発明の目的である。
【００１５】さらに、本発明のポリマーおよびオリゴマ
ーを含む光学デバイスまたはその部品を提供すること
も、本発明の目的である。
ーを含む光学デバイスまたはその部品を提供すること
も、本発明の目的である。
【００１６】また、本発明のポリマーの用途を提供する
ことも、本発明の目的である。
ことも、本発明の目的である。
【００１７】最後に、本発明のポリマーを用いて光学デ
バイスまたはその部品を製造する方法を提供すること
も、本発明の目的である。
バイスまたはその部品を製造する方法を提供すること
も、本発明の目的である。
【００１８】よって、本発明の第１の態様は、（ａ）置
換芳香族基または置換ヘテロ芳香族基を有する第１モノ
マーを、（i）第１および第２配向基（director grou
p）で置換された芳香族基またはヘテロ芳香族基を用意
し；（ii）前記芳香族基またはヘテロ芳香族基上の第１
位置で金属化を行い；（iii）前記第１位置に第１置換
基を与えるように求電子置換を行って；製造する工程、
および（ｂ）１つの反応混合物中で、前記第１モノマー
を、夫々第１モノマーと同じかまたは第１モノマーと異
なる少なくとも２つのさらなるモノマーと、ポリマーま
たはオリゴマーが形成し得る条件下で接触させる工程を
含み、前記第１および第２配向基の性質および位置が、
前記第１位置を位置選択させるポリマーまたはオリゴマ
ーの製造方法を提供するものである。
換芳香族基または置換ヘテロ芳香族基を有する第１モノ
マーを、（i）第１および第２配向基（director grou
p）で置換された芳香族基またはヘテロ芳香族基を用意
し；（ii）前記芳香族基またはヘテロ芳香族基上の第１
位置で金属化を行い；（iii）前記第１位置に第１置換
基を与えるように求電子置換を行って；製造する工程、
および（ｂ）１つの反応混合物中で、前記第１モノマー
を、夫々第１モノマーと同じかまたは第１モノマーと異
なる少なくとも２つのさらなるモノマーと、ポリマーま
たはオリゴマーが形成し得る条件下で接触させる工程を
含み、前記第１および第２配向基の性質および位置が、
前記第１位置を位置選択させるポリマーまたはオリゴマ
ーの製造方法を提供するものである。
【００１９】さらに本発明の第２の態様は、上記第１の
態様で定義した方法によって製造される（好ましくは可
溶性の）ポリマーまたはオリゴマーを提供するものであ
る。
態様で定義した方法によって製造される（好ましくは可
溶性の）ポリマーまたはオリゴマーを提供するものであ
る。
【００２０】さらに本発明の第３の態様は、第１および
第２連結位置、並びに第１および第２配向基ＸおよびＹ
を有する芳香族基またはヘテロ芳香族基［ここで、Ｘは
第１連結位置に対してオルト、Ｙは第２連結位置基に対
してオルトであり、ＸとＹは同じかまたは異なり、夫々
独立してヒドロキシル基、アルコキシ基、アルコキシア
ルキル基、アミド基、ハライド基、ハロアルキル基、ア
ミノ基、アミノアルキル基、カルボン酸エステル基、ウ
レタン基、カルバメート基、スルホンアミド基、スルフ
リルアルキル基またはカルバミド基を含む。また、Ａは
Ｃ、Ｏ、ＳまたはＮＲであり、かつｎ＝０であるか、あ
るいはＡはＣまたはＮＲ、ＢはＣまたはＮＲ、かつｎ＝
１であり、Ｒは１または複数のヘテロ原子を含有しても
よいペンダント基（好ましくはヒドロカルビル）であ
る］を含む繰返し単位を有し、上記第１の態様で定義し
た方法によって製造し得る（好ましくは可溶性の）ポリ
マーまたはオリゴマーを提供するものである。
第２連結位置、並びに第１および第２配向基ＸおよびＹ
を有する芳香族基またはヘテロ芳香族基［ここで、Ｘは
第１連結位置に対してオルト、Ｙは第２連結位置基に対
してオルトであり、ＸとＹは同じかまたは異なり、夫々
独立してヒドロキシル基、アルコキシ基、アルコキシア
ルキル基、アミド基、ハライド基、ハロアルキル基、ア
ミノ基、アミノアルキル基、カルボン酸エステル基、ウ
レタン基、カルバメート基、スルホンアミド基、スルフ
リルアルキル基またはカルバミド基を含む。また、Ａは
Ｃ、Ｏ、ＳまたはＮＲであり、かつｎ＝０であるか、あ
るいはＡはＣまたはＮＲ、ＢはＣまたはＮＲ、かつｎ＝
１であり、Ｒは１または複数のヘテロ原子を含有しても
よいペンダント基（好ましくはヒドロカルビル）であ
る］を含む繰返し単位を有し、上記第１の態様で定義し
た方法によって製造し得る（好ましくは可溶性の）ポリ
マーまたはオリゴマーを提供するものである。
【００２１】さらに本発明の第４の態様は、置換または
未置換ビニレン基と、互いに異なる第１および第２シリ
ル置換基Ｘ'およびＹ'を有する芳香族基またはヘテロ芳
香族基（ここで、Ｘ'は第１連結位置に対してオルトで
あり、Ｙ'は前記ビニレン基に対してオルトである）と
を含む繰返し単位を有し、上記第１の態様で定義した方
法によって製造し得る（好ましくは可溶性の）ポリマー
またはオリゴマーを提供するものである。
未置換ビニレン基と、互いに異なる第１および第２シリ
ル置換基Ｘ'およびＹ'を有する芳香族基またはヘテロ芳
香族基（ここで、Ｘ'は第１連結位置に対してオルトで
あり、Ｙ'は前記ビニレン基に対してオルトである）と
を含む繰返し単位を有し、上記第１の態様で定義した方
法によって製造し得る（好ましくは可溶性の）ポリマー
またはオリゴマーを提供するものである。
【００２２】さらに本発明の第５の態様は、正電荷担体
を注入するための第１電荷担体注入層（アノード）；負
電荷担体を注入するための第２電荷担体注入層（カソー
ド）；正電荷担体および負電荷担体を受容し、且つ結合
して光を発生させるために両電荷担体注入層の間に配置
された発光層；を含み、前記発光層が本発明の第２、第
３または第４の態様のいずれか一つで定義したポリマー
またはオリゴマーを含む光学デバイスまたはその部品を
提供するものである。
を注入するための第１電荷担体注入層（アノード）；負
電荷担体を注入するための第２電荷担体注入層（カソー
ド）；正電荷担体および負電荷担体を受容し、且つ結合
して光を発生させるために両電荷担体注入層の間に配置
された発光層；を含み、前記発光層が本発明の第２、第
３または第４の態様のいずれか一つで定義したポリマー
またはオリゴマーを含む光学デバイスまたはその部品を
提供するものである。
【００２３】さらに本発明の第６の態様は、本発明の第
２、第３または第４の態様のいずれか一つで定義したポ
リマーまたはオリゴマーの、光学デバイスにおける用途
を提供するものである。
２、第３または第４の態様のいずれか一つで定義したポ
リマーまたはオリゴマーの、光学デバイスにおける用途
を提供するものである。
【００２４】さらに本発明の第７の態様は、（ａ）本発
明の第２、第３または第４の態様のいずれか一つで定義
したポリマーまたはオリゴマーを製造する工程、および
（ｂ）前記ポリマーまたはオリゴマーを光学デバイスま
たはその部品に組み込む工程を含む光学デバイスまたは
その部品の製造方法を提供するものである。
明の第２、第３または第４の態様のいずれか一つで定義
したポリマーまたはオリゴマーを製造する工程、および
（ｂ）前記ポリマーまたはオリゴマーを光学デバイスま
たはその部品に組み込む工程を含む光学デバイスまたは
その部品の製造方法を提供するものである。
【００２５】上記第１の態様において、本発明は、重合
によってポリマーまたはオリゴマーを形成させるための
置換芳香族基または置換ヘテロ芳香族基を含むモノマー
の効率的な合成方法を提供するものである。本方法の利
点のひとつは、置換基を制御できることであり、置換基
を逐次的に導入することが可能であるため、互いに異な
るものとすることができる。
によってポリマーまたはオリゴマーを形成させるための
置換芳香族基または置換ヘテロ芳香族基を含むモノマー
の効率的な合成方法を提供するものである。本方法の利
点のひとつは、置換基を制御できることであり、置換基
を逐次的に導入することが可能であるため、互いに異な
るものとすることができる。
【００２６】本発明において、「オリゴマー」という用
語は、トリマー、テトラマーおよび５までの高次オリゴ
マーを包含するものとする。「ポリマー」という用語
は、オリゴマーより高い重合度を有する全ての物質を包
含するものとする。
語は、トリマー、テトラマーおよび５までの高次オリゴ
マーを包含するものとする。「ポリマー」という用語
は、オリゴマーより高い重合度を有する全ての物質を包
含するものとする。
【００２７】また本発明において、「芳香族基またはヘ
テロ芳香族基」という用語は、単核芳香族基および多核
芳香族基を包含するものとする。単核芳香族基は芳香
環、例えばフェニルまたはフェニレンを１つだけ有す
る。多核芳香族基は２以上の芳香環を有し、それらの芳
香環は縮合していてもよいし（例えばナフタレン、キノ
リンまたはインドール）、個別に共有結合していてもよ
く（例えばビフェニル）、および／または縮合芳香環と
個別に共有結合した芳香環の組み合わせであってもよ
い。芳香族基またはヘテロ芳香族基は、その基の実質的
に全体に亘って、実質的に共役していることが好まし
い。
テロ芳香族基」という用語は、単核芳香族基および多核
芳香族基を包含するものとする。単核芳香族基は芳香
環、例えばフェニルまたはフェニレンを１つだけ有す
る。多核芳香族基は２以上の芳香環を有し、それらの芳
香環は縮合していてもよいし（例えばナフタレン、キノ
リンまたはインドール）、個別に共有結合していてもよ
く（例えばビフェニル）、および／または縮合芳香環と
個別に共有結合した芳香環の組み合わせであってもよ
い。芳香族基またはヘテロ芳香族基は、その基の実質的
に全体に亘って、実質的に共役していることが好まし
い。
【００２８】工程（ii）における第１位置での金属化
は、任意の適切な基、例えば水素またはハロゲン（例：
Ｃｌ、ＩまたはＢｒ）などの置換によって行うことがで
きる。しかしながら、金属化は、第１位置にある水素の
置換によって行われることが好ましい。
は、任意の適切な基、例えば水素またはハロゲン（例：
Ｃｌ、ＩまたはＢｒ）などの置換によって行うことがで
きる。しかしながら、金属化は、第１位置にある水素の
置換によって行われることが好ましい。
【００２９】第１置換基は、工程（iii）で第１位置に
与えられる。この第１置換は、第１位置での求電子置換
によって直接行うことができる。あるいは、求電子置換
と、それに続く１以上の追加工程によって、第１置換を
行うこともできる。
与えられる。この第１置換は、第１位置での求電子置換
によって直接行うことができる。あるいは、求電子置換
と、それに続く１以上の追加工程によって、第１置換を
行うこともできる。
【００３０】この方法は、芳香族基またはヘテロ芳香族
基を、代替の合成方法では容易に実現できない形で官能
化するのに、特に適している。これに関し、非対称に置
換された芳香族基またはヘテロ芳香族基の調製は困難で
あった。芳香族基またはヘテロ芳香族基（特にポリアリ
ーレンビニレン類）の非対称環置換は、鎖間パッキング
を中断させると予想される。Ｍ．Ｒ．Ａｎｄｅｒｓｓｏ
ｎ、Ｇ．ＹｕおよびＡ．Ｊ．Ｈｅｅｇｅｒ，Ｓｙｎｔ
ｈ．Ｍｅｔ．，１９９７，８５，１２７５で議論されて
いるように、このような基がポリマーまたはオリゴマー
に非対称に組み込まれると、ルミネセンス効率の増大を
引き起こす。
基を、代替の合成方法では容易に実現できない形で官能
化するのに、特に適している。これに関し、非対称に置
換された芳香族基またはヘテロ芳香族基の調製は困難で
あった。芳香族基またはヘテロ芳香族基（特にポリアリ
ーレンビニレン類）の非対称環置換は、鎖間パッキング
を中断させると予想される。Ｍ．Ｒ．Ａｎｄｅｒｓｓｏ
ｎ、Ｇ．ＹｕおよびＡ．Ｊ．Ｈｅｅｇｅｒ，Ｓｙｎｔ
ｈ．Ｍｅｔ．，１９９７，８５，１２７５で議論されて
いるように、このような基がポリマーまたはオリゴマー
に非対称に組み込まれると、ルミネセンス効率の増大を
引き起こす。
【００３１】Ｄ．−Ｈ．Ｈｗａｎｇ，Ｓ．Ｔ．Ｋｉｍ，
Ｈ．Ｋ．Ｓｈｉｍ，Ａ．Ｂ．Ｈｏｌｍｅｓ，Ｓ．Ｃ．Ｍ
ｏｒａｔｔｉおよびＲ．Ｈ．Ｆｒｉｅｎｄ，Ｃｈｅｍ．
Ｃｏｍｍｕｎ．，１９９６，２２４１−２２４２から知
られているポリマーＤＭＯＳ−ＰＰＶ ６は、本方法に
よって良好な収率で製造することができる。これは、下
記の反応式の通りである。
Ｈ．Ｋ．Ｓｈｉｍ，Ａ．Ｂ．Ｈｏｌｍｅｓ，Ｓ．Ｃ．Ｍ
ｏｒａｔｔｉおよびＲ．Ｈ．Ｆｒｉｅｎｄ，Ｃｈｅｍ．
Ｃｏｍｍｕｎ．，１９９６，２２４１−２２４２から知
られているポリマーＤＭＯＳ−ＰＰＶ ６は、本方法に
よって良好な収率で製造することができる。これは、下
記の反応式の通りである。
【００３２】
【化８】
【００３３】本発明の第１の態様の第２の例は、工程
（ａ）が、芳香族基またはヘテロ芳香族基上の第２位置
で金属化を行う工程（iv）、および前記第２位置に第２
置換基を与え得る求電子置換を行う工程（v）をさらに
含み、前記第１および第２配向基の性質および位置が、
前記第２位置を位置選択させるものである。
（ａ）が、芳香族基またはヘテロ芳香族基上の第２位置
で金属化を行う工程（iv）、および前記第２位置に第２
置換基を与え得る求電子置換を行う工程（v）をさらに
含み、前記第１および第２配向基の性質および位置が、
前記第２位置を位置選択させるものである。
【００３４】工程（iv）における第２位置での金属化
は、任意の適切な基、例えば水素またはハロゲン（例：
Ｃｌ、ＩあるいはＢｒ）などの置換によって行うことが
できる。しかし金属化は、第１位置にある水素の置換に
よって行われることが好ましい。
は、任意の適切な基、例えば水素またはハロゲン（例：
Ｃｌ、ＩあるいはＢｒ）などの置換によって行うことが
できる。しかし金属化は、第１位置にある水素の置換に
よって行われることが好ましい。
【００３５】第２置換基は、工程（v）で第２位置に与
えられる。この第２置換は、第２位置での求電子置換に
よって直接行うことができる。あるいは、求電子置換
と、それに続く１または複数の追加工程によって、第２
置換を行うことも可能である。
えられる。この第２置換は、第２位置での求電子置換に
よって直接行うことができる。あるいは、求電子置換
と、それに続く１または複数の追加工程によって、第２
置換を行うことも可能である。
【００３６】第１置換基と第２置換基は、同じか、また
は異なるものである。第１置換基と第２置換基は、互い
に異なることが好ましい。
は異なるものである。第１置換基と第２置換基は、互い
に異なることが好ましい。
【００３７】本方法における第１および／または第２置
換基は、夫々独立してハライド、Ｂ（ＯＨ）2、Ｂ（Ｏ
Ｒ）2、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルキル、
ヒドロキシル、アリール、ヘテロアリール、ＳｎＲ3、
シリル、アミドおよびＣＯＣＦ3よりなる群から選択さ
れるものであることが好ましい。これらの基のうち、Ｂ
ｒ、Ｉ、ＳｉＭｅ2Ｃ8Ｈ17、ＳｉＭｅ2Ｃ10Ｈ21および
ＳｉＭｅ3よりなる群から、第１および／または第２置
換基を夫々独立して選択することが、さらに好ましい。
換基は、夫々独立してハライド、Ｂ（ＯＨ）2、Ｂ（Ｏ
Ｒ）2、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルキル、
ヒドロキシル、アリール、ヘテロアリール、ＳｎＲ3、
シリル、アミドおよびＣＯＣＦ3よりなる群から選択さ
れるものであることが好ましい。これらの基のうち、Ｂ
ｒ、Ｉ、ＳｉＭｅ2Ｃ8Ｈ17、ＳｉＭｅ2Ｃ10Ｈ21および
ＳｉＭｅ3よりなる群から、第１および／または第２置
換基を夫々独立して選択することが、さらに好ましい。
【００３８】芳香族基またはヘテロ芳香族基は、非対称
に置換されることが好ましい。
に置換されることが好ましい。
【００３９】本方法の金属化工程について述べると、金
属化は、任意の適切な有機金属誘導体（例えば有機リチ
ウム誘導体またはスタンナン、ボロン酸またはそのエス
テル、銅試薬［Ｃｕ（I）］、亜鉛試薬［Ｚｎ（I
I）］、マグネシウム試薬［Ｍｇ（II）］またはニッケ
ル試薬［Ｎｉ（II）、Ｎｉ（０）］）を反応混合物に添
加することによって行うことができる。しかしながら、
有機リチウムが好ましく、ｔＢｕＬｉが最も好ましい。
属化は、任意の適切な有機金属誘導体（例えば有機リチ
ウム誘導体またはスタンナン、ボロン酸またはそのエス
テル、銅試薬［Ｃｕ（I）］、亜鉛試薬［Ｚｎ（I
I）］、マグネシウム試薬［Ｍｇ（II）］またはニッケ
ル試薬［Ｎｉ（II）、Ｎｉ（０）］）を反応混合物に添
加することによって行うことができる。しかしながら、
有機リチウムが好ましく、ｔＢｕＬｉが最も好ましい。
【００４０】水素の置換によって金属化を行う場合、反
応混合物に有機リチウム誘導体を添加することによっ
て、また所望により、引き続いて上で述べた試薬類を用
いて金属交換反応させることにより、金属化を行うこと
が好ましい。
応混合物に有機リチウム誘導体を添加することによっ
て、また所望により、引き続いて上で述べた試薬類を用
いて金属交換反応させることにより、金属化を行うこと
が好ましい。
【００４１】本方法では、第１および第２配向基の性質
と位置が及ぼす立体効果および誘起効果を考慮しなけれ
ばならない。
と位置が及ぼす立体効果および誘起効果を考慮しなけれ
ばならない。
【００４２】第１および第２配向基の性質および位置
は、第１位置を、第１配向基に対してオルトになるよう
に位置選択させるものであることが好ましい。
は、第１位置を、第１配向基に対してオルトになるよう
に位置選択させるものであることが好ましい。
【００４３】また、第１および第２配向基の性質および
位置は、第２位置を、第２配向基に対してオルトになる
ように位置選択させるものであることが好ましい。
位置は、第２位置を、第２配向基に対してオルトになる
ように位置選択させるものであることが好ましい。
【００４４】第１および第２配向基の性質および位置
が、第１位置を第１配向基に対してオルトになるように
選択し、かつ第２位置を第２配向基に対してオルトにな
るように選択する場合に、考えられる反応式を以下に示
す。
が、第１位置を第１配向基に対してオルトになるように
選択し、かつ第２位置を第２配向基に対してオルトにな
るように選択する場合に、考えられる反応式を以下に示
す。
【００４５】
【化９】
【００４６】Ｅは、例えばＢｒ、Ｉ、Ｂ（ＯＨ）2、Ｂ
（ＯＲ）2、ＯＲ、ＯＨ、Ａｒ、Ｒ、ヘテロ芳香族、Ｓ
ｎＲ3、ＳｉＲ3、ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3、ＮＲ2またはＣＯＣＦ
3であり、Ｒは１以上のヘテロ原子を含有してもよいペ
ンダント基（好ましくはヒドロカルビル）である。
（ＯＲ）2、ＯＲ、ＯＨ、Ａｒ、Ｒ、ヘテロ芳香族、Ｓ
ｎＲ3、ＳｉＲ3、ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3、ＮＲ2またはＣＯＣＦ
3であり、Ｒは１以上のヘテロ原子を含有してもよいペ
ンダント基（好ましくはヒドロカルビル）である。
【００４７】２つの「配向」基で適切に官能化された任
意のヘテロ芳香族または芳香族出発物質について、同様
の反応を考えることができる。特にこの経路により、置
換フルオレン誘導体およびナフタレン誘導体を好適に得
ることができた。
意のヘテロ芳香族または芳香族出発物質について、同様
の反応を考えることができる。特にこの経路により、置
換フルオレン誘導体およびナフタレン誘導体を好適に得
ることができた。
【００４８】第１配向基と第２配向基は、同じか、また
は異なるものである。
は異なるものである。
【００４９】第１および第２配向基は、夫々独立してア
ルコキシ、アルコキシアルキル、アミド、ハライド、ハ
ロアルキル、アミノ、アミノアルキル、カルボン酸エス
テル、ウレタン、カルバメート、スルホンアミド、スル
フリルアルキルまたはカルバミドから選択されることが
好ましい。
ルコキシ、アルコキシアルキル、アミド、ハライド、ハ
ロアルキル、アミノ、アミノアルキル、カルボン酸エス
テル、ウレタン、カルバメート、スルホンアミド、スル
フリルアルキルまたはカルバミドから選択されることが
好ましい。
【００５０】本方法では、第１および第２配向基は、夫
々独立してＣＯＮＥｔ2、ＣＯＮＨＣＭｅ2Ｐｈ、ＯＣＯ
ＮＭｅＣＭｅ2Ｐｈ、ＯＣＯＮＥｔ2、ＳＯ2ＮＨＣＭｅ2
Ｐｈ、およびＳＯ2−ｔＢｕよりなる群から選択される
ものであることが好ましい。
々独立してＣＯＮＥｔ2、ＣＯＮＨＣＭｅ2Ｐｈ、ＯＣＯ
ＮＭｅＣＭｅ2Ｐｈ、ＯＣＯＮＥｔ2、ＳＯ2ＮＨＣＭｅ2
Ｐｈ、およびＳＯ2−ｔＢｕよりなる群から選択される
ものであることが好ましい。
【００５１】Ｎ，Ｎ−ジエチルカルボキサミド（−ＣＯ
ＮＥｔ2）およびウレタン（例えば−ＯＣＯＮＥｔ2）配
向基は、例えばｔ−ブチルリチウムなどによる金属化
を、隣接する（オルト）位置に配向させるために使用す
ることができる。得られた有機リチウムはアルキル化、
シリル化、ボロン酸化（boronated）またはスタンニル
化（stannylated）し、芳香環に新しいＣ−Ｃ結合を形
成させるための一連の有機金属誘導体に変換することが
できる。得られた金属誘導体は、重合反応で適切な前駆
体とクロスカップリングさせることができる。
ＮＥｔ2）およびウレタン（例えば−ＯＣＯＮＥｔ2）配
向基は、例えばｔ−ブチルリチウムなどによる金属化
を、隣接する（オルト）位置に配向させるために使用す
ることができる。得られた有機リチウムはアルキル化、
シリル化、ボロン酸化（boronated）またはスタンニル
化（stannylated）し、芳香環に新しいＣ−Ｃ結合を形
成させるための一連の有機金属誘導体に変換することが
できる。得られた金属誘導体は、重合反応で適切な前駆
体とクロスカップリングさせることができる。
【００５２】本発明の第１の態様における第３の例で
は、工程（ａ）が、配向基の一方あるいは両方、および
／または第１および第２置換基の一方あるいは両方を反
応性基に変換して、重合に関与し得る２つの反応性基を
持つモノマーを形成させる工程（vi）をさらに含む。
は、工程（ａ）が、配向基の一方あるいは両方、および
／または第１および第２置換基の一方あるいは両方を反
応性基に変換して、重合に関与し得る２つの反応性基を
持つモノマーを形成させる工程（vi）をさらに含む。
【００５３】配向基の一方あるいは両方、および／また
は第１および第２の置換基の一方あるいは両方を、上述
のクロスカップリング重合反応の一つに関与し得る反応
性基に変換することが可能な場合、本方法により、共役
発光性オリゴマーおよびポリマーを合成するための、広
範囲にわたる種々の新規置換モノマーが得られる。
は第１および第２の置換基の一方あるいは両方を、上述
のクロスカップリング重合反応の一つに関与し得る反応
性基に変換することが可能な場合、本方法により、共役
発光性オリゴマーおよびポリマーを合成するための、広
範囲にわたる種々の新規置換モノマーが得られる。
【００５４】工程（vi）における変換は、１段階または
数段階の化学変換工程によって行うことができる。
数段階の化学変換工程によって行うことができる。
【００５５】上記２つの反応性基は、互いにパラである
ことが好ましい。
ことが好ましい。
【００５６】カルボキサミド配向基は三級アミンに還元
し、最終的にはＣＨ2ＣｌまたはＣＨ2Ｂｒに変換して、
Ｇｉｌｃｈ重合を行うことができる。ウレタン配向基は
切断してフェノールとし、それをトリフレートに変換
し、金属を媒介させたクロスカップリングに供すること
により、例えばＨｅｃｋ反応によってポリ（アリーレ
ン）類、ポリ（アリーレンビニレン）類、またはＳｏｎ
ｏｇａｓｈｉｒａ重縮合によってポリ（アリーレンエチ
レン）類とすることができる。
し、最終的にはＣＨ2ＣｌまたはＣＨ2Ｂｒに変換して、
Ｇｉｌｃｈ重合を行うことができる。ウレタン配向基は
切断してフェノールとし、それをトリフレートに変換
し、金属を媒介させたクロスカップリングに供すること
により、例えばＨｅｃｋ反応によってポリ（アリーレ
ン）類、ポリ（アリーレンビニレン）類、またはＳｏｎ
ｏｇａｓｈｉｒａ重縮合によってポリ（アリーレンエチ
レン）類とすることができる。
【００５７】本方法によって、多くの芳香族およびヘテ
ロ芳香族前駆体を製造することができた。スズキクロス
カップリング用のボロネートおよびハロ置換前駆体が、
新規共役物質の製造プロセスで得ることができた。スタ
ンナン前駆体は、Ｓｔｉｌｌｅクロスカップリング重合
での使用に好適である。好ましくは、Ｇｉｌｃｈ脱ハロ
ゲン化水素用のビス（ハロメチル）前駆体の製造に、本
方法を用いることができる。
ロ芳香族前駆体を製造することができた。スズキクロス
カップリング用のボロネートおよびハロ置換前駆体が、
新規共役物質の製造プロセスで得ることができた。スタ
ンナン前駆体は、Ｓｔｉｌｌｅクロスカップリング重合
での使用に好適である。好ましくは、Ｇｉｌｃｈ脱ハロ
ゲン化水素用のビス（ハロメチル）前駆体の製造に、本
方法を用いることができる。
【００５８】本方法によれば、金属化誘導体のＣＦ3Ｃ
Ｏ2Ｅｔとの反応は、Ｈｏｒｎｅｒ重縮合によって新規
ＣＦ3置換ポリ（アリーレンビニレン）誘導体を与える
ことが可能な、対応するモノ−またはビス−トリフルオ
ロアセチル置換誘導体をもたらす。
Ｏ2Ｅｔとの反応は、Ｈｏｒｎｅｒ重縮合によって新規
ＣＦ3置換ポリ（アリーレンビニレン）誘導体を与える
ことが可能な、対応するモノ−またはビス−トリフルオ
ロアセチル置換誘導体をもたらす。
【００５９】この第３の例の具体例として、各配向基は
夫々独立してホスホネート、カルボニル、トリフレート
またはハロメチル反応性基に変換することができる。各
配向基が夫々ハロメチル基に変換される場合、第１モノ
マーは、上述したＧｉｌｃｈ脱ハロゲン化水素反応での
使用に適している。
夫々独立してホスホネート、カルボニル、トリフレート
またはハロメチル反応性基に変換することができる。各
配向基が夫々ハロメチル基に変換される場合、第１モノ
マーは、上述したＧｉｌｃｈ脱ハロゲン化水素反応での
使用に適している。
【００６０】本発明の第２の態様によって適切に製造し
得るポリマーまたはオリゴマーの一種として、第１モノ
マーから誘導されるアリーレンビニレン繰返し単位を含
むポリマーまたはオリゴマーを挙げることができる。好
ましくは、上記アリーレンビニレン繰返し単位は、フェ
ニレンビニレン基を含む。
得るポリマーまたはオリゴマーの一種として、第１モノ
マーから誘導されるアリーレンビニレン繰返し単位を含
むポリマーまたはオリゴマーを挙げることができる。好
ましくは、上記アリーレンビニレン繰返し単位は、フェ
ニレンビニレン基を含む。
【００６１】上記態様の別の例では、各置換基を夫々独
立してハライド反応性基に変換する。結果として、第１
モノマーは、上述した「ヤマモト」重合または「スズ
キ」重合に好適に関与することができる。
立してハライド反応性基に変換する。結果として、第１
モノマーは、上述した「ヤマモト」重合または「スズ
キ」重合に好適に関与することができる。
【００６２】本発明の第２の態様によって好適に製造し
得るポリマーまたはオリゴマーのもう一種は、第１モノ
マーから誘導されるフェニレン繰返し単位を含むポリマ
ーまたはオリゴマーである。
得るポリマーまたはオリゴマーのもう一種は、第１モノ
マーから誘導されるフェニレン繰返し単位を含むポリマ
ーまたはオリゴマーである。
【００６３】本発明の第１の態様で上記した方法によっ
て製造されるポリマーまたはオリゴマーは、本発明の第
２の態様として提供される。
て製造されるポリマーまたはオリゴマーは、本発明の第
２の態様として提供される。
【００６４】本発明の第３の態様では、２つの連結位置
は互いにパラであることが好ましい。連結位置とは、上
記ポリマーまたはオリゴマー鎖中の別の基に（通常はＣ
−Ｃ結合によって）共有結合的に連結される芳香族基ま
たはヘテロ芳香族基上の位置である。
は互いにパラであることが好ましい。連結位置とは、上
記ポリマーまたはオリゴマー鎖中の別の基に（通常はＣ
−Ｃ結合によって）共有結合的に連結される芳香族基ま
たはヘテロ芳香族基上の位置である。
【００６５】芳香族またはヘテロ芳香族基は、一般式
（I）：
（I）：
【００６６】
【化１０】
【００６７】を有する基を含むことが、さらに好まし
い。
い。
【００６８】本発明の第３の態様に係るポリマーまたは
オリゴマーは、一般式（II）：
オリゴマーは、一般式（II）：
【００６９】
【化１１】
【００７０】を有する基を含有する芳香族またはヘテロ
芳香族基を含む繰返し単位を持つことが好ましい。
芳香族基を含む繰返し単位を持つことが好ましい。
【００７１】本発明の第３の態様における第１および第
２配向基ＸおよびＹは、本発明の第１の態様に関し、上
で定義した通りである。
２配向基ＸおよびＹは、本発明の第１の態様に関し、上
で定義した通りである。
【００７２】本発明の第３の態様に係るオリゴマーまた
はポリマーは、放射性（より好ましくは発光性）ポリマ
ーまたはオリゴマーであることが好ましく、１．５ｅＶ
〜３．５ｅＶの範囲のバンドギャップを有することがさ
らに好ましい。
はポリマーは、放射性（より好ましくは発光性）ポリマ
ーまたはオリゴマーであることが好ましく、１．５ｅＶ
〜３．５ｅＶの範囲のバンドギャップを有することがさ
らに好ましい。
【００７３】本発明の第３の態様において、特に興味深
いポリマーおよびオリゴマーは、以下に示すものであ
る：
いポリマーおよびオリゴマーは、以下に示すものであ
る：
【００７４】
【化１２】
【００７５】［式中、ＡとＢは同じかまたは異なり、夫
々Ｈ、アルキル、シクロアルキル、あるいは分岐アルキ
ルであり、ｎは２〜１００の範囲であり（好ましくはｎ
は約６）、１＜ａ＜１０（好ましくはａは１）、および
１＜ｂ＜１０（好ましくはｂは１）である］。
々Ｈ、アルキル、シクロアルキル、あるいは分岐アルキ
ルであり、ｎは２〜１００の範囲であり（好ましくはｎ
は約６）、１＜ａ＜１０（好ましくはａは１）、および
１＜ｂ＜１０（好ましくはｂは１）である］。
【００７６】フルオレンコモノマー上のＣ９置換基Ａお
よびＢは、上記ポリマーまたはオリゴマーの溶解性を向
上させるように選択することができる。この点で好まし
いＣ９置換基は、Ｃ6Ｈ13およびＣ8Ｈ17である。
よびＢは、上記ポリマーまたはオリゴマーの溶解性を向
上させるように選択することができる。この点で好まし
いＣ９置換基は、Ｃ6Ｈ13およびＣ8Ｈ17である。
【００７７】本発明の第４の態様では、ポリマーまたは
オリゴマーが一般式（III）：
オリゴマーが一般式（III）：
【００７８】
【化１３】
【００７９】で示される基を含有する繰返し単位を有す
ることが好ましい。
ることが好ましい。
【００８０】また、Ｘ'はＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3、Ｙ'はＳｉＲ'
1Ｒ'2Ｒ'3であり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ'1、Ｒ'2、および
Ｒ'3は夫々独立してアルキルまたはシクロアルキルであ
ることが好ましい。Ｘ'およびＹ'は、夫々独立してＳｉ
Ｍｅ2Ｃ10Ｈ21あるいはＳｉＭｅ2Ｃ8Ｈ17であることが
さらに好ましい。
1Ｒ'2Ｒ'3であり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ'1、Ｒ'2、および
Ｒ'3は夫々独立してアルキルまたはシクロアルキルであ
ることが好ましい。Ｘ'およびＹ'は、夫々独立してＳｉ
Ｍｅ2Ｃ10Ｈ21あるいはＳｉＭｅ2Ｃ8Ｈ17であることが
さらに好ましい。
【００８１】本発明の第４の態様において、特に興味深
いポリマーは、ホモポリマーを含む。「ホモポリマー」
という用語は、単一種類のモノマーから製造されている
ことを意味すると見なし得る。この点に関し、ホモポリ
マーは２以上の異なる繰返し単位を有すると定義するこ
とも可能であるため、モノマーは繰返し単位とは区別さ
れる。
いポリマーは、ホモポリマーを含む。「ホモポリマー」
という用語は、単一種類のモノマーから製造されている
ことを意味すると見なし得る。この点に関し、ホモポリ
マーは２以上の異なる繰返し単位を有すると定義するこ
とも可能であるため、モノマーは繰返し単位とは区別さ
れる。
【００８２】上記ホモポリマーは、好ましくは、式：
【００８３】
【化１４】
【００８４】（式中、ｎは４〜２００、好ましくは４〜
１００である）を有する。
１００である）を有する。
【００８５】本発明の第４の態様に係るポリマーまたは
オリゴマーは、発光性のポリマーまたはオリゴマーであ
ることが好ましい。上記ポリマーまたはオリゴマーは、
１．５ｅＶ〜３．５ｅＶの範囲のバンドギャップを有す
ることがさらに好ましい。
オリゴマーは、発光性のポリマーまたはオリゴマーであ
ることが好ましい。上記ポリマーまたはオリゴマーは、
１．５ｅＶ〜３．５ｅＶの範囲のバンドギャップを有す
ることがさらに好ましい。
【００８６】本発明の第５の態様は、基板と、基板上に
保持された本発明の第２、第３または第４の態様による
ポリマーを含む光学デバイスまたはその部品を提供する
ものである。
保持された本発明の第２、第３または第４の態様による
ポリマーを含む光学デバイスまたはその部品を提供する
ものである。
【００８７】この第５の態様では、アノード；カソー
ド；所望により１以上の電荷輸送層；並びに正電荷担体
および負電荷担体を受容し、結合して光を発生させるた
めにアノードとカソードの間に配置された発光層；を含
み、該発光層が本発明の第２、第３または第４の態様の
いずれか一つによるポリマーまたはオリゴマーを含む光
学デバイスまたはその部品を提供する。
ド；所望により１以上の電荷輸送層；並びに正電荷担体
および負電荷担体を受容し、結合して光を発生させるた
めにアノードとカソードの間に配置された発光層；を含
み、該発光層が本発明の第２、第３または第４の態様の
いずれか一つによるポリマーまたはオリゴマーを含む光
学デバイスまたはその部品を提供する。
【００８８】上記カソード材料は、好ましくは、電子を
注入するのに適した仕事関数を有するものであり、例え
ばＣａ、Ａｌ、ＬｉＦ−ＡｌまたはＣｓＦ−Ａｌなどで
ある。またアノード材料は、好ましくは、プロトンを注
入するのに適した仕事関数を有するものである。
注入するのに適した仕事関数を有するものであり、例え
ばＣａ、Ａｌ、ＬｉＦ−ＡｌまたはＣｓＦ−Ａｌなどで
ある。またアノード材料は、好ましくは、プロトンを注
入するのに適した仕事関数を有するものである。
【００８９】光学デバイスまたはその部品は、電界発光
デバイスを含むことが好ましい。
デバイスを含むことが好ましい。
【００９０】本発明の第６の態様において、本発明の第
２、第３または第４の態様のいずれか一つによるポリマ
ーまたはオリゴマーを光学デバイスに使用する場合、該
光学デバイスは電界発光デバイスを含むことが好まし
い。
２、第３または第４の態様のいずれか一つによるポリマ
ーまたはオリゴマーを光学デバイスに使用する場合、該
光学デバイスは電界発光デバイスを含むことが好まし
い。
【００９１】また本発明は、第２、第３または第４の態
様で定義したポリマーまたはオリゴマーの、発光性材料
としての用途も提供する。
様で定義したポリマーまたはオリゴマーの、発光性材料
としての用途も提供する。
【００９２】下記反応式は、変換工程（vi）を例示する
ものである。
ものである。
【００９３】
【化１５】
【００９４】上記の反応式は、ビスアミド１の金属化に
よってビス金属化誘導体を得て、最終的にビスシリル化
前駆体２とする工程を示している。次にこれを重合し
て、対応する共役ポリマーとしている。上記の例では、
ポリ（２，５−ビスジメチルオクチルシリル−１，４−
フェニレンビニレン）誘導体が得られる。この方法の利
点は、前駆体（３）を高収率で合成する工程であるこ
と、および発がん性であるクロロメチルメチルエーテル
を回避できることである。
よってビス金属化誘導体を得て、最終的にビスシリル化
前駆体２とする工程を示している。次にこれを重合し
て、対応する共役ポリマーとしている。上記の例では、
ポリ（２，５−ビスジメチルオクチルシリル−１，４−
フェニレンビニレン）誘導体が得られる。この方法の利
点は、前駆体（３）を高収率で合成する工程であるこ
と、および発がん性であるクロロメチルメチルエーテル
を回避できることである。
【００９５】基本的には、アリール基またはヘテロアリ
ール基を含有する２の前駆体類似物は、Ｃ−Ｃカップリ
ング反応によって製造することができる。
ール基を含有する２の前駆体類似物は、Ｃ−Ｃカップリ
ング反応によって製造することができる。
【００９６】図６はＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ正孔注入層とア
ルミニウムカソードとを含むＬＥＤ構造で測定したポリ
マー１２の電界ルミネセンススペクトルを示している。
ルミニウムカソードとを含むＬＥＤ構造で測定したポリ
マー１２の電界ルミネセンススペクトルを示している。
【００９７】非対称フェニレン基を含む下記前駆体７
を、目覚しい効率で製造した。これを、高発光性非対称
置換ＰＰＶ誘導体である「Ｃ8Ｃ10ポリマー」に変換し
た。ポリ（２，５−ビスジメチルデシルシリル−１，４
−フェニレンビニレン）（「Ｃ10Ｃ10ポリマー」）も製
造した。
を、目覚しい効率で製造した。これを、高発光性非対称
置換ＰＰＶ誘導体である「Ｃ8Ｃ10ポリマー」に変換し
た。ポリ（２，５−ビスジメチルデシルシリル−１，４
−フェニレンビニレン）（「Ｃ10Ｃ10ポリマー」）も製
造した。
【００９８】
【化１６】
【００９９】上記の例は、ポリ（２−ジメチルオクチル
シリル−１，４−フェニレン−ビニレン）（ＤＭＯＳ−
ＰＰＶポリマー６）、およびポリ（２，５−ビスジメチ
ルオクチルシリル−１，４−フェニレン）−ビニレン
（Ｃ8Ｃ8ポリマー４）およびＣ10Ｃ10ポリマー１３なら
びに非対称Ｃ8Ｃ10ポリマー８の合成方法を例示したも
のである。これらのポリマーは固体状態で４７〜５７％
の範囲のＰＬ効率を示し、ＩＴＯ（ガラス上）およびＡ
ｌを金属接点とするポリマーＬＥＤ中の発光層として加
工することができる。
シリル−１，４−フェニレン−ビニレン）（ＤＭＯＳ−
ＰＰＶポリマー６）、およびポリ（２，５−ビスジメチ
ルオクチルシリル−１，４−フェニレン）−ビニレン
（Ｃ8Ｃ8ポリマー４）およびＣ10Ｃ10ポリマー１３なら
びに非対称Ｃ8Ｃ10ポリマー８の合成方法を例示したも
のである。これらのポリマーは固体状態で４７〜５７％
の範囲のＰＬ効率を示し、ＩＴＯ（ガラス上）およびＡ
ｌを金属接点とするポリマーＬＥＤ中の発光層として加
工することができる。
【０１００】Ｃ8Ｃ10ポリマー８、Ｃ10Ｃ10ポリマー１
３およびＤＭＯＳ−ＰＰＶ ６の吸収スペクトルは（ピ
ーク波長も相対強度も）非常に似ている。しかしＣ8Ｃ8
ポリマー３は、他のスペクトルに対して８ｎｍを超える
ブルーシフトを示す共に、はるかに顕著なＵＶ特性を有
している。
３およびＤＭＯＳ−ＰＰＶ ６の吸収スペクトルは（ピ
ーク波長も相対強度も）非常に似ている。しかしＣ8Ｃ8
ポリマー３は、他のスペクトルに対して８ｎｍを超える
ブルーシフトを示す共に、はるかに顕著なＵＶ特性を有
している。
【０１０１】４種類のポリマーは全て、ＥＬスペクトル
およびＰＬスペクトルのいずれも非常に似ており、ＤＭ
ＯＳ−ＰＰＶ ６の第１ピークが最大波長を示し、Ｃ8
Ｃ10ポリマー８の第１ピークが最小波長を示す。振動構
造はいずれのスペクトル系においても十分に分解されて
おり、マイクロキャビティにおいてスペクトルを変化さ
せる干渉効果は認められない。ＰＬ効率を報告する。
およびＰＬスペクトルのいずれも非常に似ており、ＤＭ
ＯＳ−ＰＰＶ ６の第１ピークが最大波長を示し、Ｃ8
Ｃ10ポリマー８の第１ピークが最小波長を示す。振動構
造はいずれのスペクトル系においても十分に分解されて
おり、マイクロキャビティにおいてスペクトルを変化さ
せる干渉効果は認められない。ＰＬ効率を報告する。
【０１０２】下記反応式も、変換工程（vi）を例示する
ものである。
ものである。
【０１０３】
【化１７】
【０１０４】モノマー１０およびこれに関するカルバメ
ートのスズキクロスカップリングは、夫々青色発光材料
１１および１２を与える。スペクトルのＵＶ領域におけ
る発光の証拠が検出される。
ートのスズキクロスカップリングは、夫々青色発光材料
１１および１２を与える。スペクトルのＵＶ領域におけ
る発光の証拠が検出される。
【０１０５】
【実施例】実施例１
２−ジメチルオクチルシリル−テトラ−Ｎ−エチル−テ
レフタルアミドの製造
レフタルアミドの製造
【０１０６】
【化１８】
【０１０７】アセトン−窒素浴で冷却した無水テトラヒ
ドロフラン３０ｍｌ中のテトラ−Ｎ−エチル−テレフタ
ルアミド（１００ｍｇ、０．３６ｍｍｏｌ）に、ｔｅｒ
ｔ−ブチルリチウム（２５３ｍｌ、０．４３ｍｍｏｌ）
を加えた。３０分後にクロロジメチルオクチルシラン
（１０２ｍｌ、０．４３ｍｍｏｌ）を加えた。その混合
物を室温に達するまで３時間以上、浴中に放置した。食
塩水を加え、ジクロロメタンで抽出した。有機抽出物を
硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。ヘキサ
ン／酢酸エチル（６０／４０）を溶離液とするカラムク
ロマトグラフィー［Ｒｆ＝０．５４；ヘキサン／酢酸エ
チル（８５／２５）］により、白色固体を得た（収率：
７８％）。融点＝４６℃。
ドロフラン３０ｍｌ中のテトラ−Ｎ−エチル−テレフタ
ルアミド（１００ｍｇ、０．３６ｍｍｏｌ）に、ｔｅｒ
ｔ−ブチルリチウム（２５３ｍｌ、０．４３ｍｍｏｌ）
を加えた。３０分後にクロロジメチルオクチルシラン
（１０２ｍｌ、０．４３ｍｍｏｌ）を加えた。その混合
物を室温に達するまで３時間以上、浴中に放置した。食
塩水を加え、ジクロロメタンで抽出した。有機抽出物を
硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。ヘキサ
ン／酢酸エチル（６０／４０）を溶離液とするカラムク
ロマトグラフィー［Ｒｆ＝０．５４；ヘキサン／酢酸エ
チル（８５／２５）］により、白色固体を得た（収率：
７８％）。融点＝４６℃。
【０１０８】スペクトル測定結果
ＩＲ（ＫＢｒ）単位ｃｍ-1：２９７２、２９２６、２８
５４、１６２３、１４８４、１４３０、１３８３、１２
９１、１２５１、１２２０、１１０５、１０６２、８４
２。1 Ｈ−ＮＭＲ δH（ＣＤＣｌ3，２５０ＭＨｚ）７．４
０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５７Ｈｚ）、７．２２（ｄｄ，
１Ｈ，Ｊ1＝７．７５Ｈｚ，Ｊ2＝１．５７Ｈｚ）、７．
０９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．７５Ｈｚ）、３．４５−３．
３６（ｍ，４Ｈ）、３．０６−２．９８（ｍ，４Ｈ）、
１．１５−０．９０（ｍ，２５Ｈ）、０．７４−０．６
４（ｍ，４Ｈ）、０．１２（ｓ，６Ｈ）。13 Ｃ−ＮＭＲ δC（ＣＤＣｌ3，６２．５ ＭＨｚ）１
７１．６、１７１．０、１４３．６、１３７．４、１３
６．５、１３２．８、１２６．３、１２５．６、４３．
４、３８．９、３３．５、３１．８、２９．２、２９．
１、２３．８、２２．５、１５．９、１４．０、１３．
６、１２．７、−２．３。 質量スペクトル測定：（ＣＩ）ｍ／ｚ ４４７．３４０
０（Ｍ＋）Ｃ40Ｈ80Ｎ2Ｏ2Ｓｉの場合、Ｍ ４４６．７
４００。 実測値 Ｃ：６９．９９％、Ｈ：１０．２２％、Ｎ：６．２７％ 計算値 Ｃ：６９．９０％、Ｈ：１０．３９％、Ｎ：６．２７％。
５４、１６２３、１４８４、１４３０、１３８３、１２
９１、１２５１、１２２０、１１０５、１０６２、８４
２。1 Ｈ−ＮＭＲ δH（ＣＤＣｌ3，２５０ＭＨｚ）７．４
０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５７Ｈｚ）、７．２２（ｄｄ，
１Ｈ，Ｊ1＝７．７５Ｈｚ，Ｊ2＝１．５７Ｈｚ）、７．
０９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．７５Ｈｚ）、３．４５−３．
３６（ｍ，４Ｈ）、３．０６−２．９８（ｍ，４Ｈ）、
１．１５−０．９０（ｍ，２５Ｈ）、０．７４−０．６
４（ｍ，４Ｈ）、０．１２（ｓ，６Ｈ）。13 Ｃ−ＮＭＲ δC（ＣＤＣｌ3，６２．５ ＭＨｚ）１
７１．６、１７１．０、１４３．６、１３７．４、１３
６．５、１３２．８、１２６．３、１２５．６、４３．
４、３８．９、３３．５、３１．８、２９．２、２９．
１、２３．８、２２．５、１５．９、１４．０、１３．
６、１２．７、−２．３。 質量スペクトル測定：（ＣＩ）ｍ／ｚ ４４７．３４０
０（Ｍ＋）Ｃ40Ｈ80Ｎ2Ｏ2Ｓｉの場合、Ｍ ４４６．７
４００。 実測値 Ｃ：６９．９９％、Ｈ：１０．２２％、Ｎ：６．２７％ 計算値 Ｃ：６９．９０％、Ｈ：１０．３９％、Ｎ：６．２７％。
【０１０９】実施例２
２−ジメチルオクチルシリル−５−ジメチルデシルシリ
ル−テトラ−Ｎ−エチル−テレフタルアミドの製造
ル−テトラ−Ｎ−エチル−テレフタルアミドの製造
【０１１０】
【化１９】
【０１１１】−７８℃で、テトラメチルエチレンジアミ
ン（０．５５ｍｌ、３．７ｍｍｏｌ）の乾燥テトラヒド
ロフラン（１５ｍｌ）溶液に、ｓｅｃ−ブチルリチウム
（２．９ｍｌ、３．７ｍｍｏｌ）を加えた。乾燥テトラ
ヒドロフラン（１５ｍｌ）中の２−ジメチルオクチルシ
リル−テトラ−Ｎ−エチル−テレフタルアミド（１．２
６ｇ、２．８ｍｍｏｌ）を滴下し、その混合物を−７８
℃で２０分間攪拌した。クロロジメチルオクチルシラン
（１ｍｌ、３．７ｍｍｏｌ）を加えた後、反応液を浴中
で室温に達するまで終夜放置した。食塩水を加え、ジク
ロロメタンで抽出した。有機抽出物を硫酸マグネシウム
で乾燥し、減圧下で濃縮した。ヘキサン／酢酸エチル
（８０／２０）を溶離液とするカラムクロマトグラフィ
ー［Ｒｆ＝０．４１；ヘキサン／酢酸エチル（８０／２
０）］により、白色固体を得た（収率：８５％）。
ン（０．５５ｍｌ、３．７ｍｍｏｌ）の乾燥テトラヒド
ロフラン（１５ｍｌ）溶液に、ｓｅｃ−ブチルリチウム
（２．９ｍｌ、３．７ｍｍｏｌ）を加えた。乾燥テトラ
ヒドロフラン（１５ｍｌ）中の２−ジメチルオクチルシ
リル−テトラ−Ｎ−エチル−テレフタルアミド（１．２
６ｇ、２．８ｍｍｏｌ）を滴下し、その混合物を−７８
℃で２０分間攪拌した。クロロジメチルオクチルシラン
（１ｍｌ、３．７ｍｍｏｌ）を加えた後、反応液を浴中
で室温に達するまで終夜放置した。食塩水を加え、ジク
ロロメタンで抽出した。有機抽出物を硫酸マグネシウム
で乾燥し、減圧下で濃縮した。ヘキサン／酢酸エチル
（８０／２０）を溶離液とするカラムクロマトグラフィ
ー［Ｒｆ＝０．４１；ヘキサン／酢酸エチル（８０／２
０）］により、白色固体を得た（収率：８５％）。
【０１１２】スペクトル測定結果
ＩＲ（ＫＢｒ）単位ｃｍ-1：２９５５、２９２２、２８
５２、１６３５、１４８２、１４５５、１４２４、１３
８０、１２７６、１２４７、１１２９、１０８６、８６
８、８３９、８１３。1 Ｈ−ＮＭＲ δH（ＣＤＣｌ3，２５０ＭＨｚ）７．３
３（ｓ，２Ｈ）、３．５４（ｑ，４Ｈ，Ｊ＝７．１５Ｈ
ｚ）、３．１２（ｑ，４Ｈ，Ｊ＝７．１５Ｈｚ）、１．
３０−０．５２（ｍ，５０Ｈ）、０．２１（ｓ，１２
Ｈ）。13 Ｃ−ＮＭＲ δC（ＣＤＣｌ3，６２．５ＭＨｚ）１７
２．４、１４２．２、１３７．３、１３２．２、４３．
３、３８．９、３３．７、３１．９、２９．７、２９．
４、２４．０、２２．７、１６．０、１４．１、１３．
８、１２．８、−２．３。 質量スペクトル測定：（ＣＩ）ｍ／ｚ＝６４４．５１３
２。 元素分析（Ｃ38Ｈ72Ｎ2Ｏ2Ｓｉとして６４５．１７） 実測値 Ｃ：７０．８４％、Ｈ：１１．２６％、Ｎ：４．３９％ 計算値 Ｃ：７０．７５％、Ｈ：１１．２５％、Ｎ：４．３４％。
５２、１６３５、１４８２、１４５５、１４２４、１３
８０、１２７６、１２４７、１１２９、１０８６、８６
８、８３９、８１３。1 Ｈ−ＮＭＲ δH（ＣＤＣｌ3，２５０ＭＨｚ）７．３
３（ｓ，２Ｈ）、３．５４（ｑ，４Ｈ，Ｊ＝７．１５Ｈ
ｚ）、３．１２（ｑ，４Ｈ，Ｊ＝７．１５Ｈｚ）、１．
３０−０．５２（ｍ，５０Ｈ）、０．２１（ｓ，１２
Ｈ）。13 Ｃ−ＮＭＲ δC（ＣＤＣｌ3，６２．５ＭＨｚ）１７
２．４、１４２．２、１３７．３、１３２．２、４３．
３、３８．９、３３．７、３１．９、２９．７、２９．
４、２４．０、２２．７、１６．０、１４．１、１３．
８、１２．８、−２．３。 質量スペクトル測定：（ＣＩ）ｍ／ｚ＝６４４．５１３
２。 元素分析（Ｃ38Ｈ72Ｎ2Ｏ2Ｓｉとして６４５．１７） 実測値 Ｃ：７０．８４％、Ｈ：１１．２６％、Ｎ：４．３９％ 計算値 Ｃ：７０．７５％、Ｈ：１１．２５％、Ｎ：４．３４％。
【０１１３】実施例３
２−ジメチルオクチルシリル−５−ジメチルデシルシリ
ル−テトラ−Ｎ−エチル−ｐ−キシリレンジアミンの製
造
ル−テトラ−Ｎ−エチル−ｐ−キシリレンジアミンの製
造
【０１１４】
【化２０】
【０１１５】攪拌した２−ジメチルオクチルシリル−５
−ジメチルデシルシリル−テトラ−Ｎ−エチル−テレフ
タルアミド（１．３ｇ、２．３ｍｍｏｌ）の乾燥テトラ
ヒドロフラン（３０ｍｌ）溶液に、ボラン−テトラヒド
ロフラン錯体（２３ｍｌ、２３ｍｍｏｌ）を加えた。反
応液を１８時間還流した。水素の遊離が停止するまで水
を注意深く加えた。その混合物を減圧下で濃縮し、６Ｍ
塩酸を加えた。その水溶液を４時間加熱還流した。その
溶液を冷却し、水酸化ナトリウムでｐＨ９に調節した。
水相をジクロロメタンで抽出した。合わせた有機相を硫
酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。ヘキサン
／酢酸エチル（９６／４）を溶離液とするカラムクロマ
トグラフィー［Ｒｆ＝０．７９；ヘキサン／酢酸エチル
（８０／２０）］により、白色固体を得た（収率：５２
％）。融点＝２６℃。
−ジメチルデシルシリル−テトラ−Ｎ−エチル−テレフ
タルアミド（１．３ｇ、２．３ｍｍｏｌ）の乾燥テトラ
ヒドロフラン（３０ｍｌ）溶液に、ボラン−テトラヒド
ロフラン錯体（２３ｍｌ、２３ｍｍｏｌ）を加えた。反
応液を１８時間還流した。水素の遊離が停止するまで水
を注意深く加えた。その混合物を減圧下で濃縮し、６Ｍ
塩酸を加えた。その水溶液を４時間加熱還流した。その
溶液を冷却し、水酸化ナトリウムでｐＨ９に調節した。
水相をジクロロメタンで抽出した。合わせた有機相を硫
酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。ヘキサン
／酢酸エチル（９６／４）を溶離液とするカラムクロマ
トグラフィー［Ｒｆ＝０．７９；ヘキサン／酢酸エチル
（８０／２０）］により、白色固体を得た（収率：５２
％）。融点＝２６℃。
【０１１６】スペクトル測定結果
ＩＲ（ＣＨＣｌ3）単位ｃｍ-1：２９６３、２９２２、
２８５２、１４６６、１３７０、１２４８、１２０３、
１１６６、１１２１、１０５７、８３５。1 Ｈ−ＮＭＲ δH（ＣＤＣｌ3，２５０ＭＨｚ）７．７
１（ｓ，２Ｈ）、３．６３（ｓ，４Ｈ）、２．５１
（ｑ，８Ｈ，Ｊ＝７．１０Ｈｚ）、１．３０−０．８１
（ｍ，５０Ｈ）、０．３０（ｓ，１２Ｈ）。13 Ｃ−ＮＭＲ δC（ＣＤＣｌ3，６２．５ＭＨｚ）１４
３．２、１３７．８２１、１３４．７、５８．６、４
６．２、３３．７、３１．９、２９．７、２９．３、２
４．２、２２．７、１６．６、１４．１、１１．７、−
１．３。 質量スペクトル測定：（ＭＡＬＤＩ）ｍ／ｚ ６１８．
３０（ＭＨ）+。
２８５２、１４６６、１３７０、１２４８、１２０３、
１１６６、１１２１、１０５７、８３５。1 Ｈ−ＮＭＲ δH（ＣＤＣｌ3，２５０ＭＨｚ）７．７
１（ｓ，２Ｈ）、３．６３（ｓ，４Ｈ）、２．５１
（ｑ，８Ｈ，Ｊ＝７．１０Ｈｚ）、１．３０−０．８１
（ｍ，５０Ｈ）、０．３０（ｓ，１２Ｈ）。13 Ｃ−ＮＭＲ δC（ＣＤＣｌ3，６２．５ＭＨｚ）１４
３．２、１３７．８２１、１３４．７、５８．６、４
６．２、３３．７、３１．９、２９．７、２９．３、２
４．２、２２．７、１６．６、１４．１、１１．７、−
１．３。 質量スペクトル測定：（ＭＡＬＤＩ）ｍ／ｚ ６１８．
３０（ＭＨ）+。
【０１１７】実施例４
２−ジメチルデシルシリル−５−ジメチルデシルシリル
−１，４−ビス（クロロメチル）ベンゼンの製造
−１，４−ビス（クロロメチル）ベンゼンの製造
【０１１８】
【化２１】
【０１１９】０℃で、２−ジメチルデシルシリル−５−
ジメチルデシルシリル−テトラ−Ｎ−エチル−ｐ−キシ
リレンジアミン（６６３ｍｇ、１．０９ｍｍｏｌ）の乾
燥ジクロロメタン（２０ｍｌ）溶液にクロロギ酸ビニル
（７０．３ｍｌ、８２．７ｍｍｏｌ）を加えた。その混
合物を室温で５時間攪拌した。食塩水を加え、水相をジ
クロロメタンで抽出した。合わせた有機相を硫酸マグネ
シウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。ヘキサンを溶離液
とするカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．４６；ヘ
キサン）により、白色固体を得た（収率：６５％）。融
点＝４０℃。
ジメチルデシルシリル−テトラ−Ｎ−エチル−ｐ−キシ
リレンジアミン（６６３ｍｇ、１．０９ｍｍｏｌ）の乾
燥ジクロロメタン（２０ｍｌ）溶液にクロロギ酸ビニル
（７０．３ｍｌ、８２．７ｍｍｏｌ）を加えた。その混
合物を室温で５時間攪拌した。食塩水を加え、水相をジ
クロロメタンで抽出した。合わせた有機相を硫酸マグネ
シウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。ヘキサンを溶離液
とするカラムクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．４６；ヘ
キサン）により、白色固体を得た（収率：６５％）。融
点＝４０℃。
【０１２０】スペクトル測定結果
ＩＲ（ＣＨＣｌ3）単位ｃｍ-1：２９２３、２８５４、
１４６６、１４１１、１３７７、１３４４、１２５４、
１１９２、１１７２、１１４０、１１０８、８３７、７
９２、７１６。1 Ｈ−ＮＭＲ δH（ＣＤＣｌ3，２５０ＭＨｚ）７．５
７（ｓ，２Ｈ）、４．７０（ｓ，４Ｈ）、１．３６−
１．２９（ｍ，２９Ｈ）、０．９２−０．８３（ｍ，９
Ｈ）、０．４２（ｓ，１２Ｈ）。13 Ｃ−ＮＭＲ δC（ＣＤＣｌ3，６２．５ＭＨｚ）１４
１．９、１４０．２、１３７．０、４６．５、３３．
６、３２．０、２９．７、２９．６、２９．４、２９．
３、２４．０、２２．７、１６．５、１４．１、−１．
５。 元素分析： 実測値 Ｃ：６６．５２％、Ｈ：１０．３１％ 計算値 Ｃ：６６．３８％、Ｈ：１０．４１％。
１４６６、１４１１、１３７７、１３４４、１２５４、
１１９２、１１７２、１１４０、１１０８、８３７、７
９２、７１６。1 Ｈ−ＮＭＲ δH（ＣＤＣｌ3，２５０ＭＨｚ）７．５
７（ｓ，２Ｈ）、４．７０（ｓ，４Ｈ）、１．３６−
１．２９（ｍ，２９Ｈ）、０．９２−０．８３（ｍ，９
Ｈ）、０．４２（ｓ，１２Ｈ）。13 Ｃ−ＮＭＲ δC（ＣＤＣｌ3，６２．５ＭＨｚ）１４
１．９、１４０．２、１３７．０、４６．５、３３．
６、３２．０、２９．７、２９．６、２９．４、２９．
３、２４．０、２２．７、１６．５、１４．１、−１．
５。 元素分析： 実測値 Ｃ：６６．５２％、Ｈ：１０．３１％ 計算値 Ｃ：６６．３８％、Ｈ：１０．４１％。
【０１２１】実施例５
ポリ［２−（ジメチルオクチルシリル）−５−（ジメチ
ルデシルシリル）−１，４−フェニレンビニレン］の製
造
ルデシルシリル）−１，４−フェニレンビニレン］の製
造
【０１２２】
【化２２】
【０１２３】脱気した２−ジメチルデシルシリル−５−
ジメチルデシルシリル−１，４−ビス（クロロメチル）
ベンゼン（１０９ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）の乾燥テトラ
ヒドロフラン（１．５ｍｌ）溶液に、脱気したカリウム
ｔｅｒｔ−ブトキシド（１１２．５ｍｇ，１ｍｍｏｌ）
の乾燥テトラヒドロフラン（５ｍｌ）溶液を、１０分か
けて加えた。その混合物を窒素下で終夜攪拌した。その
溶液をメタノールに注いだところ、明黄色薄片が得られ
た。ポリマーをアセトン中で再沈殿させ、終夜乾燥した
（収率：２６％）。
ジメチルデシルシリル−１，４−ビス（クロロメチル）
ベンゼン（１０９ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）の乾燥テトラ
ヒドロフラン（１．５ｍｌ）溶液に、脱気したカリウム
ｔｅｒｔ−ブトキシド（１１２．５ｍｇ，１ｍｍｏｌ）
の乾燥テトラヒドロフラン（５ｍｌ）溶液を、１０分か
けて加えた。その混合物を窒素下で終夜攪拌した。その
溶液をメタノールに注いだところ、明黄色薄片が得られ
た。ポリマーをアセトン中で再沈殿させ、終夜乾燥した
（収率：２６％）。
【０１２４】スペクトル測定結果
ＵＶ（ＣＨＣｌ3）δmax：４３８ｎｍ
ＵＶ（フィルム）δmax：４３０ｎｍ
Ｍｎ（ＧＰＣ）２８９０００；Ｍｗ（ＧＰＣ）１０６５
０００；ＰＤ＝３．７1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，２５０ＭＨｚ）ｄ／ｐｐｍ
ｖｓ． ＴＧＡ：３５０℃で分解 ＤＳＣ：３００℃で分解、Ｔｇなし、ｍｐなし。
０００；ＰＤ＝３．７1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，２５０ＭＨｚ）ｄ／ｐｐｍ
ｖｓ． ＴＧＡ：３５０℃で分解 ＤＳＣ：３００℃で分解、Ｔｇなし、ｍｐなし。
【０１２５】実施例６：デバイス作製
ＰＥＤＯＴ：ＰＰＳの正孔伝導／電子ブロッキング層を
特徴とする単層デバイス素子および二層デバイスを、２
種類のカソード金属（Ａｌ、Ｃａ）を使ってＩＴＯ基板
上に作製した。単層および二層デバイスを組み立てた。
ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ層を有する二層デバイスについての
み、定量データを記載する。
特徴とする単層デバイス素子および二層デバイスを、２
種類のカソード金属（Ａｌ、Ｃａ）を使ってＩＴＯ基板
上に作製した。単層および二層デバイスを組み立てた。
ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ層を有する二層デバイスについての
み、定量データを記載する。
【０１２６】スピンコーティング用の溶媒はＴＨＦ、キ
シレンまたはトルエンとした。ＤＭＯＳ−ＰＰＶにはテ
トラクロロエタンを使用した。
シレンまたはトルエンとした。ＤＭＯＳ−ＰＰＶにはテ
トラクロロエタンを使用した。
【０１２７】
【表１】
【０１２８】フィルム厚： ３：１００ｎｍ； ６：９
０ｎｍ； ８：７０ｎｍ； １３：１２０ｎｍ。
０ｎｍ； ８：７０ｎｍ； １３：１２０ｎｍ。
【０１２９】種々のスペクトル測定結果を図１〜５に示
す。Ｃ10Ｃ10ポリマー１３以外は、Ａｌカソードを用い
た場合に最も良い結果が得られた。Ｃ8Ｃ10ポリマー８
を用いた場合のターンオン電圧は他の材料よりも低かっ
た（特にＡｌカソードの場合）。発光層の厚さも重要な
因子であり得る（Ｃ8Ｃ10ポリマー８およびＣ10Ｃ10ポ
リマー１３は同じ電界を必要とするが、これはＣ8Ｃ8ポ
リマー３およびＤＭＯＳ−ＰＰＶ ６で要求される電界
よりも低い）。
す。Ｃ10Ｃ10ポリマー１３以外は、Ａｌカソードを用い
た場合に最も良い結果が得られた。Ｃ8Ｃ10ポリマー８
を用いた場合のターンオン電圧は他の材料よりも低かっ
た（特にＡｌカソードの場合）。発光層の厚さも重要な
因子であり得る（Ｃ8Ｃ10ポリマー８およびＣ10Ｃ10ポ
リマー１３は同じ電界を必要とするが、これはＣ8Ｃ8ポ
リマー３およびＤＭＯＳ−ＰＰＶ ６で要求される電界
よりも低い）。
【０１３０】ＤＭＯＳ−ＰＰＶデバイスの効率は、この
ポリマーを使って行われた以前の研究と非常に似てい
る。本研究における最も高い効率はＣ8Ｃ8ポリマー３を
用いた場合に測定され、一方、最も大きなルミネセンス
はＣ8Ｃ10ポリマー８を用いた場合に達成された。この
知見は、本発明によって非対称芳香族基またはヘテロ芳
香族基を含む第１モノマーを有するポリマーの製造にお
ける目覚しい利点と一致している。 ［図面の簡単な説明］ 以下、添付の図面を参照して、本発明をさらに詳しく説
明する。
ポリマーを使って行われた以前の研究と非常に似てい
る。本研究における最も高い効率はＣ8Ｃ8ポリマー３を
用いた場合に測定され、一方、最も大きなルミネセンス
はＣ8Ｃ10ポリマー８を用いた場合に達成された。この
知見は、本発明によって非対称芳香族基またはヘテロ芳
香族基を含む第１モノマーを有するポリマーの製造にお
ける目覚しい利点と一致している。 ［図面の簡単な説明］ 以下、添付の図面を参照して、本発明をさらに詳しく説
明する。
【図１】 Ｃ8Ｃ10ポリマーの吸収スペクトル、電界ル
ミネセンス（ＥＬ）スペクトルおよび光ルミネセンス
（ＰＬ）スペクトルを示す図である。ａ．ｕ．は任意単
位を意味する。
ミネセンス（ＥＬ）スペクトルおよび光ルミネセンス
（ＰＬ）スペクトルを示す図である。ａ．ｕ．は任意単
位を意味する。
【図２】 Ｃ8Ｃ10、Ｃ8Ｃ8、Ｃ10Ｃ10およびＤＭＯＳ
−ＰＰＶポリマー夫々における吸収スペクトルを示す図
である。
−ＰＰＶポリマー夫々における吸収スペクトルを示す図
である。
【図３】 Ｃ8Ｃ10、Ｃ8Ｃ8、Ｃ10Ｃ10およびＤＭＯＳ
−ＰＰＶポリマー夫々における電界発光（ＥＬ）スペク
トルを示す図である。
−ＰＰＶポリマー夫々における電界発光（ＥＬ）スペク
トルを示す図である。
【図４】 Ｃ8Ｃ10、Ｃ8Ｃ8、Ｃ10Ｃ10およびＤＭＯＳ
−ＰＰＶポリマー夫々における光発光（ＰＬ）スペクト
ルを示す図である。
−ＰＰＶポリマー夫々における光発光（ＰＬ）スペクト
ルを示す図である。
【図５】 ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層とＡｌカソードを有す
るＣ8Ｃ10ポリマー製デバイスにおける電流密度および
ルミネセンスを示す図である。
るＣ8Ｃ10ポリマー製デバイスにおける電流密度および
ルミネセンスを示す図である。
【図６】 ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ正孔注入層とアルミニウ
ムカソードを含むＬＥＤ構造で測定したポリマー１２の
電界ルミネセンススペクトルを示す図である。
ムカソードを含むＬＥＤ構造で測定したポリマー１２の
電界ルミネセンススペクトルを示す図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 フロレンス ダニエル アニ ジュネス
ト
フランス国 ノワル スル ヴィラン
エフ−35530 リュ シャルル アルド
ワン ３ ビス
(72)発明者 ライナー オイゲーン マルティーン
ドイツ国 グレンザク／ワイレン デー
−79639 バズラーストラッセ 23アー
(72)発明者 フランコ ツェツィアーリ
イギリス国 ケンブリッジ シービー１
３エイチエル ブランプトン ロード
52
(56)参考文献 国際公開98／46652（ＷＯ，Ａ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C08G 61/02
C08G 61/10 - 61/12
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
ＷＰＩ／Ｌ（ＱＵＥＳＴＥＬ)
Claims (45)
- 【請求項１】 （ａ）置換芳香族基または置換ヘテロ芳
香族基を有する第１モノマーを、 （i）第１配向基および第２配向基で置換された芳香族
またはヘテロ芳香族基を用意し； （ii）前記芳香族基またはヘテロ芳香族基上の第１位置
で金属化を行い； （iii）前記第１位置に第１置換基を与えるように求電
子置換を行って； 製造する工程、および （ｂ）１つの反応混合物中で、前記第１モノマーを、夫
々第１モノマーと同じかまたは第１モノマーと異なる少
なくとも２つのさらなるモノマーと、ポリマーまたはオ
リゴマーが形成し得る条件下で接触させる工程を含み、 前記第１配向基および第２配向基の性質および位置が、
前記第１位置を位置選択させるものであることを特徴と
するポリマーまたはオリゴマーの製造方法。 - 【請求項２】 工程（ａ）がさらに、 （iv）上記芳香族基あるいは上記ヘテロ芳香族基上の第
２位置を金属化し； （v）前記第２位置に第２置換基を与えるように求電子
置換を行う； 工程を含み、 上記第１配向基および上記第２配向基の性質および位置
が、前記第２位置を位置選択させるものである請求項１
に記載の方法。 - 【請求項３】 上記第１置換基および／または上記第２
置換基が、夫々独立してハライド、Ｂ（ＯＨ）2、Ｂ
（ＯＲ）2、有機スタンナン、アルコキシ、アルコキシ
アルキル、アルキル、ヒドロキシド、アリール、ヘテロ
アリール、シリル、トリフレートおよびアミド、並びに
ＣＯＣＦ3よりなる群から選択されるものである上記請
求項のいずれかに記載の方法。 - 【請求項４】 上記第１置換基および／または上記第２
置換基が、夫々独立してＢｒ、Ｉ、ＳｉＭｅ2Ｃ8Ｈ17、
ＳｉＭｅ2Ｃ10Ｈ21、およびＳｉＭｅ3よりなる群から選
択されるものである請求項３に記載の方法。 - 【請求項５】 金属化が、有機リチウムの添加によって
行われるものである上記請求項のいずれかに記載の方
法。 - 【請求項６】 上記第１配向基および上記第２配向基の
性質および位置が、上記第１位置を、上記第１配向基に
対してオルトになるように位置選択させるものである上
記請求項のいずれかに記載の方法。 - 【請求項７】 上記第１配向基および上記第２配向基の
性質および位置が、上記第２位置を、上記第２配向基に
対してオルトになるように位置選択させるものである請
求項２〜６のいずれかに記載の方法。 - 【請求項８】 上記第１配向基および第２配向基は、同
じか、または異なるものであり、 夫々独立してアルコキシ基、アルコキシアルキル基、ア
ミド基、ハライド基、ハロアルキル基、アミノ基、アミ
ノアルキル基、カルボン酸エステル基、ウレタン基、カ
ルバメート基、スルホンアミド基、スルフリルアルキル
基、またはカルバミド基から選択されるものである上記
請求項のいずれかに記載の方法。 - 【請求項９】 上記第１配向基および上記第２配向基
は、同じか、または異なるものであり、 夫々独立してＣＯＮＥｔ2、ＣＯＮＨＣＭｅ2Ｐｈ、ＯＣ
ＯＮＭｅＣＭｅ2Ｐｈ、ＯＣＯＮＥｔ2、ＳＯ2ＮＨＣＭ
ｅ2Ｐｈ、およびＳＯ2−ｔＢｕよりなる群から選択され
るものである請求項８に記載の方法。 - 【請求項１０】 上記第１配向基および上記第２配向基
は、異なるものである上記請求項のいずれかに記載の方
法。 - 【請求項１１】 上記第１配向基および上記第２配向基
は、同じものである上記請求項のいずれかに記載の方
法。 - 【請求項１２】 上記芳香族基または上記ヘテロ芳香族
基は、フェニレン基、フルオレン基、アントラセン基、
またはナフタレン基から選択されるものである上記請求
項のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１３】 さらに工程（ａ）が、上記配向基の一
方あるいは両方、および／または上記第１置換基および
上記第２置換基の一方あるいは両方を、重合に関与する
２つの反応性基を有するモノマーを形成するために、夫
々変換させる工程（vi）を含むものである上記請求項の
いずれかに記載の方法。 - 【請求項１４】 上記２つの反応性基が、互いにパラで
ある請求項１３に記載の方法。 - 【請求項１５】 各配向基が、夫々独立してホスホネー
ト基、カルボニル基、トリフレート基、またはハロメチ
ル基に変換されるものである請求項１３または１４に記
載の方法。 - 【請求項１６】 上記ポリマーまたはオリゴマーは、上
記第１モノマーから誘導されるアリーレンビニレン繰り
返し単位を含むものである請求項１５に記載の方法。 - 【請求項１７】 上記アリーレンビニレン単位は、フェ
ニレンビニレン基を含むものである請求項１６に記載の
方法。 - 【請求項１８】 各置換基が、夫々独立してハライド基
に変換されるものである請求項１３または１４に記載の
方法。 - 【請求項１９】 上記ポリマーまたはオリゴマーは、上
記第１モノマーから誘導されるフェニレン繰り返し単位
を含むものである請求項１８に記載の方法。 - 【請求項２０】 請求項１〜１９のいずれかに記載の方
法によって製造されるものであるポリマーまたはオリゴ
マー。 - 【請求項２１】 第１連結位置および第２連結位置、並
びに、第１配向基および第２配向基ＸおよびＹを含有す
る芳香族基あるいはヘテロ芳香族基を含む繰り返し単位
を有するものである、請求項１〜５のいずれかに記載の
方法によって製造し得るものであるポリマーまたはオリ
ゴマー。 ここで、Ｘは上記第１連結位置に対してオルト、Ｙは上
記第２連結位置に対してオルトであり、 ＸおよびＹは、同じか、または異なり、夫々独立してヒ
ドロキシル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、
アミド基、ハライド基、ハロアルキル基、アミノ基、ア
ミノアルキル基、カルボン酸エステル基、ウレタン基、
カルバメート基、スルホンアミド基、スルフリルアルキ
ル基、あるいはカルバミド基を含み； ＡはＣ、Ｏ、Ｓ、またはＮＲで、ｎ＝０；あるいは、Ａ
はＣまたはＮＲ、ＢはＣまたはＮＲで、ｎ＝１；およ
び、Ｒはペンダント基、 である。 - 【請求項２２】 一般式（I）： 【化１】 （式中、ＸおよびＹは、請求項２１の定義と同じであ
る） を有する基を含むものである請求項２１に記載のポリマ
ーまたはオリゴマー。 - 【請求項２３】 一般式（II）： 【化２】 （式中、ＸまたはＹは、請求項２２の定義と同じであ
る） を有する基を含む芳香族基またはヘテロ芳香族基を含有
する繰り返し単位を有するものである請求項２２に記載
のポリマーまたはオリゴマー。 - 【請求項２４】 上記第１配向基および上記第２配向基
が、請求項９〜１１のいずれかの規定と同じものである
請求項２１〜２３のいずれかに記載のポリマーまたはオ
リゴマー。 - 【請求項２５】 発光性のポリマーまたはオリゴマーで
ある請求項２１〜２４のいずれかに記載のポリマーまた
はオリゴマー。 - 【請求項２６】 １．５ｅＶ〜３．５ｅＶの範囲のバン
ドギャップを有するものである請求項２５に記載のポリ
マーまたはオリゴマー。 - 【請求項２７】 一般式： 【化３】 （式中、ＡおよびＢは、同じか、または異なるものであ
り、夫々Ｈ、アルキル、シクロアルキル、あるいは分岐
アルキルであり；ｎは２〜１００の範囲であり、１＜ａ
＜１０、および１＜ｂ＜１０である） を有するものである請求項２６に記載のポリマーまたは
オリゴマー。 - 【請求項２８】 置換または未置換ビニレン基と、第１
シリル置換基および第２シリル置換基Ｘ’およびＹ’を
有する芳香族基またはヘテロ芳香族基を含む繰り返し単
位を有するものである、請求項１〜５のいずれかに記載
の方法によって製造し得るものであるポリマーまたはオ
リゴマー。 ここで、Ｘ’とＹ’は互いに異なり、Ｘ’は第１連結位
置に対してオルト、Ｙ’は前記ビニレン基に対してオル
トである。 - 【請求項２９】 一般式（III）： 【化４】 （式中、Ｘ’およびＹ’は請求項２８の定義と同じであ
る） で示される基を含む繰り返し単位を有するものである請
求項２８に記載のポリマーまたはオリゴマー。 - 【請求項３０】 Ｘ’はＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3、Ｙ’はＳｉＲ'
1Ｒ'2Ｒ'3であり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ'1、Ｒ'2および
Ｒ'3は、夫々独立してアルキルあるいはシクロアルキル
である請求項２８または２９に記載のポリマーまたはオ
リゴマー。 - 【請求項３１】 Ｘ’およびＹ’は、夫々独立してＳｉ
Ｍｅ2Ｃ10Ｈ21、あるいはＳｉＭｅ2Ｃ8Ｈ17である請求
項３０に記載のポリマーまたはオリゴマー。 - 【請求項３２】 ホモポリマーを含むものである請求項
２８〜３１のいずれかに記載のポリマーまたはオリゴマ
ー。 - 【請求項３３】 式： 【化５】 （式中、ｎは４〜２００である） を有するホモポリマーを含むものである請求項３２に記
載のポリマーまたはオリゴマー。 - 【請求項３４】 未置換ビニレン基と、第１ＳｉＭｅ2
Ｃ10Ｈ21置換基および第２ＳｉＭｅ2Ｃ10Ｈ21置換基を
有する芳香族基またはヘテロ芳香族基を含む繰り返し単
位を有するものである、請求項１〜５のいずれかに記載
の方法によって製造し得るものであるポリマーまたはオ
リゴマー。 ここで、前記第１置換基は第１連結位置に対してオル
ト、前記第２置換基は前記ビニレン基に対してオルトで
ある。 - 【請求項３５】 繰り返し単位： 【化６】 を有するものである請求項３４に記載のポリマーまたは
オリゴマー。 - 【請求項３６】 式： 【化７】 （式中、ｎは４〜２００である） を有するホモポリマーを含むものである請求項３５に記
載のポリマーまたはオリゴマー。 - 【請求項３７】 発光性のポリマーまたはオリゴマーで
ある請求項２８〜３６のいずれかに記載のポリマーまた
はオリゴマー。 - 【請求項３８】 １．５ｅＶ〜３．５ｅＶの範囲のバン
ドギャップを有するものである請求項３７に記載のポリ
マーまたはオリゴマー。 - 【請求項３９】 基板と、基板上に保持された請求項２
０〜３８のいずれかに記載のポリマーを含むものである
光学デバイス。 - 【請求項４０】 アノード；カソード；正電荷担体およ
び負電荷担体を受容し、且つ結合して光を発生させるた
めに、前記アノードと前記カソードの間に配置された発
光層；を含み、 前記発光層が、請求項２０、２５、２６、３７あるいは
３８のいずれかに記載のポリマーまたはオリゴマーを含
むものである光学デバイス。 - 【請求項４１】 上記光学デバイスが、電界発光デバイ
スを含むものである請求項４０に記載の光学デバイス。 - 【請求項４２】 光学デバイスに用いられるものである
請求項２０〜３８のいずれかに記載のポリマーまたはオ
リゴマー。 - 【請求項４３】 上記光学デバイスが、電界発光デバイ
スを含むものである請求項４２に記載のポリマーまたは
オリゴマー。 - 【請求項４４】 発光性材料として用いられるものであ
る請求項２０、２５、２６、３７あるいは３８のいずれ
かに記載のポリマーまたはオリゴマー。 - 【請求項４５】 （ａ）請求項２０、２５、２６、３７
あるいは３８のいずれかに記載のポリマーまたはオリゴ
マーを製造する工程；および （ｂ）光学デバイスに、前記ポリマーまたはオリゴマー
を組み込む工程； を含むものである光学デバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9917356.9 | 1999-07-24 | ||
| GBGB9917356.9A GB9917356D0 (en) | 1999-07-24 | 1999-07-24 | Aromatic monomers and polymers for optoelectronic devices |
| PCT/GB2000/002850 WO2001007502A2 (en) | 1999-07-24 | 2000-07-24 | Polymerisation method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003505563A JP2003505563A (ja) | 2003-02-12 |
| JP3403188B2 true JP3403188B2 (ja) | 2003-05-06 |
Family
ID=10857847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001512779A Expired - Fee Related JP3403188B2 (ja) | 1999-07-24 | 2000-07-24 | 重合方法 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7005484B1 (ja) |
| EP (1) | EP1200504B1 (ja) |
| JP (1) | JP3403188B2 (ja) |
| KR (1) | KR100470952B1 (ja) |
| CN (1) | CN1243778C (ja) |
| AT (1) | ATE333482T1 (ja) |
| AU (1) | AU6008300A (ja) |
| DE (1) | DE60029450T2 (ja) |
| GB (1) | GB9917356D0 (ja) |
| WO (1) | WO2001007502A2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6878312B1 (en) | 1999-03-29 | 2005-04-12 | Seiko Epson Corporation | Composition, film manufacturing method, as well as functional device and manufacturing method therefore |
| US7074885B2 (en) | 2001-05-03 | 2006-07-11 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electroactive fluorene copolymers and devices made with such polymers |
| US7074886B2 (en) | 2001-05-07 | 2006-07-11 | E. I. Du Pont De Memours And Company | Electroactive fluorene polymers having perfluoroalkyl groups, process for preparing such polymers and devices made with such polymers |
| US7138483B2 (en) | 2003-02-12 | 2006-11-21 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Monomers, conjugated polymers and electronic devices using such polymers |
| DE102008056391B4 (de) * | 2008-09-26 | 2021-04-01 | Osram Oled Gmbh | Organisches elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US9608225B2 (en) * | 2010-01-21 | 2017-03-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device and method of fabricating the same |
| AU2012286513A1 (en) * | 2011-07-15 | 2014-02-20 | The University Of Melbourne | Process for the synthesis of conjugated polymers |
| CN114853985B (zh) * | 2022-06-06 | 2023-06-16 | 中国科学技术大学 | 一种无醚共轭芳香主链的自交联阴离子交换膜及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19509451A1 (de) * | 1995-03-20 | 1996-09-26 | Hoechst Ag | Poly((oligo-p-phenylen)-vinylen)-Derivate, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie ihre Verwendung |
| JP3272230B2 (ja) | 1995-07-31 | 2002-04-08 | 三星電子株式会社 | 青色発光性高分子およびこれを採用した青色発光ダイオードの製造方法 |
| AU7251898A (en) | 1997-04-17 | 1998-11-11 | California Institute Of Technology | Substituted poly(phenylenevinylene)s and poly(napthalenevinylene)s |
-
1999
- 1999-07-24 GB GBGB9917356.9A patent/GB9917356D0/en not_active Ceased
-
2000
- 2000-07-24 CN CNB008108269A patent/CN1243778C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-07-24 AT AT00946212T patent/ATE333482T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-07-24 AU AU60083/00A patent/AU6008300A/en not_active Abandoned
- 2000-07-24 EP EP00946212A patent/EP1200504B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-24 JP JP2001512779A patent/JP3403188B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-07-24 KR KR10-2002-7001044A patent/KR100470952B1/ko active IP Right Grant
- 2000-07-24 WO PCT/GB2000/002850 patent/WO2001007502A2/en active IP Right Grant
- 2000-07-24 DE DE60029450T patent/DE60029450T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-24 US US10/048,097 patent/US7005484B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB9917356D0 (en) | 1999-09-22 |
| EP1200504A2 (en) | 2002-05-02 |
| CN1364175A (zh) | 2002-08-14 |
| DE60029450D1 (de) | 2006-08-31 |
| KR20020040760A (ko) | 2002-05-30 |
| JP2003505563A (ja) | 2003-02-12 |
| WO2001007502A2 (en) | 2001-02-01 |
| ATE333482T1 (de) | 2006-08-15 |
| AU6008300A (en) | 2001-02-13 |
| CN1243778C (zh) | 2006-03-01 |
| DE60029450T2 (de) | 2006-12-28 |
| WO2001007502A3 (en) | 2001-03-22 |
| KR100470952B1 (ko) | 2005-03-10 |
| US7005484B1 (en) | 2006-02-28 |
| EP1200504B1 (en) | 2006-07-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7834136B2 (en) | Conjugated polymers and blends containing carbazole, representation and use thereof | |
| JP4959100B2 (ja) | 置換フルオレンポリマー及びその製造方法 | |
| JP5214237B2 (ja) | 電荷輸送材料として使用するトリアリールアミン化合物 | |
| US6512070B2 (en) | Dual purpose electroactive copolymers | |
| JP2004532325A5 (ja) | ||
| US20070270570A1 (en) | White electroluminescent polymeric material and preparation thereof | |
| JP2004510298A (ja) | ねじれを持つポリマー、その使用方法、およびランダムコポリマーの製造方法 | |
| JP2004534872A (ja) | エレクトロルミネセンスポリマーおよび発光デバイスにおけるその使用 | |
| JP2008519140A (ja) | 新しい種類の架橋ビフェニリンポリマー | |
| JP2009024174A (ja) | 置換フルオレンポリマー及びその製造方法 | |
| JP5819581B2 (ja) | ポリマー及びその製造方法 | |
| JP2013018986A (ja) | ジベンゾシロールポリマー及びその製造方法 | |
| Zhang et al. | Deep blue light-emitting polymers with fluorinated backbone for enhanced color purity and efficiency | |
| TW201033245A (en) | Polymer, organic photoelectric device and display including the same | |
| JP3403188B2 (ja) | 重合方法 | |
| WO2006132356A1 (ja) | 高分子化合物の製造方法 | |
| JP2007046052A (ja) | ルミネッセンス用高分子 | |
| KR20130046632A (ko) | 벤조사이아디아졸 유도체를 포함하는 전계발광고분자 및 그를 이용한 유기 전계 발광 소자 | |
| JP2005509068A (ja) | 芳香族ポリマーを調製する方法 | |
| RU2370501C2 (ru) | Разветвленные полифенилены - поли-(1,3,5-трифенилбензол-4'-триил) с центром ветвления - 1,3,5-трифенилбензольное ядро, обладающие свойством высокой эффективности электролюминесценции, и способ их получения | |
| Kim et al. | Synthesis and light emitting properties of new polyquinolines with a pendent 4′‐octyloxybiphenyl group | |
| KR100604196B1 (ko) | 열적 안정성 및 발광특성이 향상된폴리(스파이로바이플로레닐-2,7-비닐렌)계 및폴리(알킬플로레닐-2,7-비닐렌) 유도체 및 이를 이용한전기 발광 소자 | |
| Xu et al. | Synthesis and characterization of red electrophosphorescent polymers containing pendant iridium (III) complex moieties | |
| Lee et al. | Synthesis of new fluorene-based copolymers containing an anthracene derivative and their applications in polymeric light-emitting diodes | |
| JP2008133308A (ja) | 高分子化合物及びそれを用いたエレクトロルミネッセンス発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030128 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3403188 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
| S633 | Written request for registration of reclamation of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090228 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090228 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100228 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100228 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120229 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120229 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130228 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130228 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140228 Year of fee payment: 11 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |