JP3400855B2 - 半導体用保護膜のエッチング方法 - Google Patents
半導体用保護膜のエッチング方法Info
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- JP3400855B2 JP3400855B2 JP09889394A JP9889394A JP3400855B2 JP 3400855 B2 JP3400855 B2 JP 3400855B2 JP 09889394 A JP09889394 A JP 09889394A JP 9889394 A JP9889394 A JP 9889394A JP 3400855 B2 JP3400855 B2 JP 3400855B2
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- Japan
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- etching
- fluorine
- carbon atoms
- polymer
- protective film
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、含フッ素脂肪族環構造
を有する含フッ素ポリマーからなる半導体用保護膜のエ
ッチング方法に関する。
を有する含フッ素ポリマーからなる半導体用保護膜のエ
ッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】含フッ素脂肪族環構造を有する含フッ素
ポリマーは低吸水率で誘電率が低いために半導体のa線
遮蔽膜、バッファーコート膜、パッシベーション膜等の
保護膜として有用であることが特開平３−６８１４０号
公報により知られている。この保護膜に電極用窓開け等
のエッチングを施す際に、ウェハを薬液中に浸漬するい
わゆるウェットエッチングとプラズマ中にウェハをさら
すいわゆるドライエッチングが適用可能であるが、ドラ
イエッチングは減圧下で反応性ガスに高電圧を印加する
必要があるために大がかりな装置が必要となり、装置コ
スト的にウェットエッチングが好ましい。
ポリマーは低吸水率で誘電率が低いために半導体のa線
遮蔽膜、バッファーコート膜、パッシベーション膜等の
保護膜として有用であることが特開平３−６８１４０号
公報により知られている。この保護膜に電極用窓開け等
のエッチングを施す際に、ウェハを薬液中に浸漬するい
わゆるウェットエッチングとプラズマ中にウェハをさら
すいわゆるドライエッチングが適用可能であるが、ドラ
イエッチングは減圧下で反応性ガスに高電圧を印加する
必要があるために大がかりな装置が必要となり、装置コ
スト的にウェットエッチングが好ましい。
【０００３】しかし前記公報記載のペルフルオロ（２−
ブチルテトラヒドロフラン）等のエッチング液を用いる
と、ポリマー被膜にクラックが生成し、また、エッチン
グ後にポリマー残渣が表面に残存するために、エッチン
グ工程での歩どまりを低下させ、半導体の信頼性を低下
させるという課題があった。
ブチルテトラヒドロフラン）等のエッチング液を用いる
と、ポリマー被膜にクラックが生成し、また、エッチン
グ後にポリマー残渣が表面に残存するために、エッチン
グ工程での歩どまりを低下させ、半導体の信頼性を低下
させるという課題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は従来技
術の有していた前述の欠点を解消するにあり、ポリマー
被膜にクラックを生成させることなくウェットエッチン
グが可能なエッチング方法と、エッチング後のポリマー
残渣の残存を防止するためのリンス液を用いるエッチン
グ方法を新規に提供する。
術の有していた前述の欠点を解消するにあり、ポリマー
被膜にクラックを生成させることなくウェットエッチン
グが可能なエッチング方法と、エッチング後のポリマー
残渣の残存を防止するためのリンス液を用いるエッチン
グ方法を新規に提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題の
認識に基づいて、鋭意検討を重ねた結果、エッチング液
として炭素数５〜３０の含水素フッ素系溶剤からなるエ
ッチング液を用いることにより、またはこのエッチング
液でエッチングした後にリンス液としてポリフルオロ芳
香族系溶剤からなるリンス液を用いることにより、ポリ
マー被膜にクラックが生成せず、エッチング後にポリマ
ー残渣が表面に残存しないことを新規に見いだすにいた
った。
認識に基づいて、鋭意検討を重ねた結果、エッチング液
として炭素数５〜３０の含水素フッ素系溶剤からなるエ
ッチング液を用いることにより、またはこのエッチング
液でエッチングした後にリンス液としてポリフルオロ芳
香族系溶剤からなるリンス液を用いることにより、ポリ
マー被膜にクラックが生成せず、エッチング後にポリマ
ー残渣が表面に残存しないことを新規に見いだすにいた
った。
【０００６】すなわち、本発明は、含フッ素脂肪族環構
造を有する含フッ素ポリマーからなる半導体用保護膜の
エッチング方法において、エッチング液として炭素数５
〜３０の含水素フッ素系溶剤からなるエッチング液を用
いることを特徴とする半導体用保護膜のエッチング方法
である。
造を有する含フッ素ポリマーからなる半導体用保護膜の
エッチング方法において、エッチング液として炭素数５
〜３０の含水素フッ素系溶剤からなるエッチング液を用
いることを特徴とする半導体用保護膜のエッチング方法
である。
【０００７】本発明における炭素数５〜３０の含水素フ
ッ素系溶剤は、炭素原子とそれに結合したフッ素原子お
よび水素原子からなり、炭素数が５〜３０の化合物であ
り、炭素原子、フッ素原子、水素原子以外の、たとえば
塩素原子等のフッ素原子以外のハロゲン原子、または酸
素原子、イオウ原子、窒素原子等がさらに結合していて
もよい化合物である。たとえば、以下のものが挙げられ
る。
ッ素系溶剤は、炭素原子とそれに結合したフッ素原子お
よび水素原子からなり、炭素数が５〜３０の化合物であ
り、炭素原子、フッ素原子、水素原子以外の、たとえば
塩素原子等のフッ素原子以外のハロゲン原子、または酸
素原子、イオウ原子、窒素原子等がさらに結合していて
もよい化合物である。たとえば、以下のものが挙げられ
る。
【０００８】ポリフルオロ脂肪族飽和炭化水素類、ポリ
フルオロ脂肪族不飽和炭化水素類、ポリフルオロ芳香族
炭化水素類、ポリフルオロ脂環族炭化水素類、ポリフル
オロアミン類、ポリフルオロエーテル類、ポリフルオロ
環状エーテル類、低分子量ポリフルオロポリエーテル
類。
フルオロ脂肪族不飽和炭化水素類、ポリフルオロ芳香族
炭化水素類、ポリフルオロ脂環族炭化水素類、ポリフル
オロアミン類、ポリフルオロエーテル類、ポリフルオロ
環状エーテル類、低分子量ポリフルオロポリエーテル
類。
【０００９】炭素数が５未満の場合は保護膜である含フ
ッ素脂肪族環構造を有する含フッ素ポリマーの溶解性が
低下するため、炭素数が３０超の場合は化合物は常温で
液体でなくなるため、それぞれエッチング液として適当
でない。水素原子は、本発明の目的である、ポリマー被
膜のクラック発生を防止するために、少なくとも分子内
に１原子以上必要である。
ッ素脂肪族環構造を有する含フッ素ポリマーの溶解性が
低下するため、炭素数が３０超の場合は化合物は常温で
液体でなくなるため、それぞれエッチング液として適当
でない。水素原子は、本発明の目的である、ポリマー被
膜のクラック発生を防止するために、少なくとも分子内
に１原子以上必要である。
【００１０】含フッ素脂肪族環構造を有する含フッ素ポ
リマーの溶解性を低下させないために、フッ素数が炭素
数以上であることが好ましい。
リマーの溶解性を低下させないために、フッ素数が炭素
数以上であることが好ましい。
【００１１】本発明における好ましい含水素フッ素系溶
剤は、一般式Ｒｆ−Ｒｈ（ただし、Ｒｆは炭素数６〜１
２のポリフルオロアルキル基または炭素数６〜１２のポ
リフルオロアルケニル基、Ｒｈは水素原子、炭素数１〜
４のアルキル基または炭素数２〜４のアルケニル基。）
で表される化合物である。
剤は、一般式Ｒｆ−Ｒｈ（ただし、Ｒｆは炭素数６〜１
２のポリフルオロアルキル基または炭素数６〜１２のポ
リフルオロアルケニル基、Ｒｈは水素原子、炭素数１〜
４のアルキル基または炭素数２〜４のアルケニル基。）
で表される化合物である。
【００１２】多フッ素化部分Ｒｆはペルフルオロアルキ
ル基またはペルフルオロアルケニル基である必要はな
く、部分的に水素原子、塩素原子等のフッ素原子以外の
ハロゲン原子または酸素原子が結合されていてもよい。
ル基またはペルフルオロアルケニル基である必要はな
く、部分的に水素原子、塩素原子等のフッ素原子以外の
ハロゲン原子または酸素原子が結合されていてもよい。
【００１３】Ｒｆの炭素数が６より小さいと含フッ素ポ
リマーの溶解性が不十分であり、また、Ｒｆの炭素数が
１２より大きいと常温で固体でありエッチング液として
は不適当である。Ｒｈの炭素数が４より大きいと含フッ
素ポリマーの溶解性が低下するのでＲｈの炭素数として
は１〜４が好適である。
リマーの溶解性が不十分であり、また、Ｒｆの炭素数が
１２より大きいと常温で固体でありエッチング液として
は不適当である。Ｒｈの炭素数が４より大きいと含フッ
素ポリマーの溶解性が低下するのでＲｈの炭素数として
は１〜４が好適である。
【００１４】Ｒｈとしては、炭素数１〜４のものであれ
ば特に制限はなく、−ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ＝
ＣＨ2、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−Ｃ
（ＣＨ3）＝ＣＨ2、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ2
ＣＨ＝ＣＨ2、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−ＣＨ＝ＣＨ
ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、等が例示され
る。
ば特に制限はなく、−ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ＝
ＣＨ2、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−Ｃ
（ＣＨ3）＝ＣＨ2、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ2
ＣＨ＝ＣＨ2、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−ＣＨ＝ＣＨ
ＣＨ2ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3、等が例示され
る。
【００１５】本発明におけるエッチング液には炭素数５
〜３０の含水素フッ素系溶剤以外に他の溶剤を併用して
もよい。他の溶剤としてはフッ素系の溶剤が好ましい。
〜３０の含水素フッ素系溶剤以外に他の溶剤を併用して
もよい。他の溶剤としてはフッ素系の溶剤が好ましい。
【００１６】本発明において、エッチング液で含フッ素
脂肪族環構造を有する含フッ素ポリマーをエッチングし
た後に、必要に応じてリンス液を用いてリンスを行って
もよい。リンス液はエッチング液を除去できるものであ
れば特に制限はないが、エッチング液との相溶性の観点
からフッ素系化合物がより好ましい。
脂肪族環構造を有する含フッ素ポリマーをエッチングし
た後に、必要に応じてリンス液を用いてリンスを行って
もよい。リンス液はエッチング液を除去できるものであ
れば特に制限はないが、エッチング液との相溶性の観点
からフッ素系化合物がより好ましい。
【００１７】リンス液としてはポリフルオロ芳香族系溶
剤からなるリンス液がさらに好ましい。ポリフルオロ芳
香族系溶剤としては、ペルフルオロベンゼン、１，３−
ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンが特に好適であ
る。また、ポリフルオロ芳香族系溶剤と他の溶剤を併用
してもよい。他の溶剤としてはフッ素系の溶剤が好まし
い。併用できるフッ素系の溶剤の例を以下に示すが、こ
れらに限定されない。
剤からなるリンス液がさらに好ましい。ポリフルオロ芳
香族系溶剤としては、ペルフルオロベンゼン、１，３−
ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンが特に好適であ
る。また、ポリフルオロ芳香族系溶剤と他の溶剤を併用
してもよい。他の溶剤としてはフッ素系の溶剤が好まし
い。併用できるフッ素系の溶剤の例を以下に示すが、こ
れらに限定されない。
【００１８】ペルフルオロトリブチルアミン、ペルフル
オロトリプロピルアミン等のポリフルオロトリアルキル
アミン類、ペルフルオロヘキサン、ペルフルオロオクタ
ン、ペルフルオロ（２，３，５−トリメチルヘキサン）
等のポリフルオロ脂肪族飽和炭化水素類、ペルフルオロ
シクロヘキサン、ペルフルオロデカリン等のポリフルオ
ロ脂環族炭化水素類、ペルフルオロ（２−ブチルテトラ
ヒドロフラン）等のポリフルオロ環状エーテル類、低分
子量ポリフルオロポリエーテル類。
オロトリプロピルアミン等のポリフルオロトリアルキル
アミン類、ペルフルオロヘキサン、ペルフルオロオクタ
ン、ペルフルオロ（２，３，５−トリメチルヘキサン）
等のポリフルオロ脂肪族飽和炭化水素類、ペルフルオロ
シクロヘキサン、ペルフルオロデカリン等のポリフルオ
ロ脂環族炭化水素類、ペルフルオロ（２−ブチルテトラ
ヒドロフラン）等のポリフルオロ環状エーテル類、低分
子量ポリフルオロポリエーテル類。
【００１９】これら溶媒は単独でまたは２種以上の混合
物として使用できる。
物として使用できる。
【００２０】含フッ素脂肪族環構造を有する含フッ素ポ
リマーとしては、含フッ素環構造を有するモノマーを重
合して得られるものや、少なくとも２つの重合性二重結
合を有する含フッ素モノマーを環化重合して得られる主
鎖に含フッ素脂肪族環構造を有するポリマーが公知また
は周知のものを含めて広範囲にわたって例示される。
リマーとしては、含フッ素環構造を有するモノマーを重
合して得られるものや、少なくとも２つの重合性二重結
合を有する含フッ素モノマーを環化重合して得られる主
鎖に含フッ素脂肪族環構造を有するポリマーが公知また
は周知のものを含めて広範囲にわたって例示される。
【００２１】少なくとも２つの重合性二重結合を有する
含フッ素モノマーを環化重合して得られる主鎖に含フッ
素脂肪族環構造を有するポリマーは、特開昭６３−２３
８１１１号公報や特開昭６３−２３８１１５号公報等に
より知られている。すなわち、ペルフルオロ（アリルビ
ニルエーテル）やペルフルオロ（ブテニルビニルエーテ
ル）等の含フッ素モノマーの単独重合、またはそれらモ
ノマーとテトラフルオロエチレンなどのラジカル重合性
モノマーとの共重合により得られる。
含フッ素モノマーを環化重合して得られる主鎖に含フッ
素脂肪族環構造を有するポリマーは、特開昭６３−２３
８１１１号公報や特開昭６３−２３８１１５号公報等に
より知られている。すなわち、ペルフルオロ（アリルビ
ニルエーテル）やペルフルオロ（ブテニルビニルエーテ
ル）等の含フッ素モノマーの単独重合、またはそれらモ
ノマーとテトラフルオロエチレンなどのラジカル重合性
モノマーとの共重合により得られる。
【００２２】また、含フッ素環構造を有するモノマーを
重合して得られる主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有する
ポリマーは、特公昭６３−１８９６４号公報等により知
られている。すなわち、ペルフルオロ（２，２−ジメチ
ル−１，３−ジオキソール）等の含フッ素環構造を有す
るモノマーの単独重合、またはそれらモノマーとテトラ
フルオロエチレンなどのラジカル重合性モノマーとの共
重合により得られる。
重合して得られる主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有する
ポリマーは、特公昭６３−１８９６４号公報等により知
られている。すなわち、ペルフルオロ（２，２−ジメチ
ル−１，３−ジオキソール）等の含フッ素環構造を有す
るモノマーの単独重合、またはそれらモノマーとテトラ
フルオロエチレンなどのラジカル重合性モノマーとの共
重合により得られる。
【００２３】また、ペルフルオロ（２，２−ジメチル−
１，３−ジオキソール）等の含フッ素環構造を有するモ
ノマーとペルフルオロ（アリルビニルエーテル）やペル
フルオロ（ブテニルビニルエーテル）等の少なくとも２
つの重合性二重結合を有する含フッ素モノマーを共重合
して得られるポリマーでもよい。
１，３−ジオキソール）等の含フッ素環構造を有するモ
ノマーとペルフルオロ（アリルビニルエーテル）やペル
フルオロ（ブテニルビニルエーテル）等の少なくとも２
つの重合性二重結合を有する含フッ素モノマーを共重合
して得られるポリマーでもよい。
【００２４】含フッ素脂肪族環構造を有する含フッ素ポ
リマーは、主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有するポリマ
ーが好適である。ポリマーの繰り返し単位中に含フッ素
脂肪族環構造を２０モル％以上含有するものが透明性、
機械的特性等の面から好ましい。
リマーは、主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有するポリマ
ーが好適である。ポリマーの繰り返し単位中に含フッ素
脂肪族環構造を２０モル％以上含有するものが透明性、
機械的特性等の面から好ましい。
【００２５】
【実施例】次に、本発明の実施例についてさらに具体的
に説明するが、この説明が本発明を限定するものではな
い。
に説明するが、この説明が本発明を限定するものではな
い。
【００２６】合成例１（含フッ素脂肪族環構造を有する
ポリマーの合成） ペルフルオロ（ブテニルビニルエーテル）の３５ｇ、イ
オン交換水の１５０ｇ、および重合開始剤として((ＣＨ
3)2ＣＨＯＣＯＯ)2の９０ｍｇを内容積２００ｍｌの耐
圧ガラス製オートクレーブに入れた。系内を３回窒素で
置換した後、４０℃で２２時間懸濁重合を行った。その
結果、ポリマーを２８ｇ得た。このポリマーの赤外線吸
収スペクトルを測定したところ、１８１０ｃｍ-1に−Ｃ
ＯＯＨの吸収が認められた。
ポリマーの合成） ペルフルオロ（ブテニルビニルエーテル）の３５ｇ、イ
オン交換水の１５０ｇ、および重合開始剤として((ＣＨ
3)2ＣＨＯＣＯＯ)2の９０ｍｇを内容積２００ｍｌの耐
圧ガラス製オートクレーブに入れた。系内を３回窒素で
置換した後、４０℃で２２時間懸濁重合を行った。その
結果、ポリマーを２８ｇ得た。このポリマーの赤外線吸
収スペクトルを測定したところ、１８１０ｃｍ-1に−Ｃ
ＯＯＨの吸収が認められた。
【００２７】実施例１
合成例１で得られたポリマーをペルフルオロトリブチル
アミンに溶解させ、固形分濃度９重量％の溶液を調製し
た。この溶液をシリコンウェハ上にスピンコートするこ
とにより、厚さ２オｍの膜を形成した。この後、ホトレ
ジストの塗布、ベーキング、露光、現像工程を経て、ポ
リマー被膜上にホトレジストのパターンを形成した。次
いでＦ（ＣＦ2 ）8 ＣＨ2 ＣＨ3 に３分間浸漬した後、
１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンでリンス
することにより３０オｍラ３０オｍのビアホールをポリマ
ーに形成した。このとき、ポリマー被膜にはクラックの
発生は見られず、表面にポリマーの残渣も見られなかっ
た。
アミンに溶解させ、固形分濃度９重量％の溶液を調製し
た。この溶液をシリコンウェハ上にスピンコートするこ
とにより、厚さ２オｍの膜を形成した。この後、ホトレ
ジストの塗布、ベーキング、露光、現像工程を経て、ポ
リマー被膜上にホトレジストのパターンを形成した。次
いでＦ（ＣＦ2 ）8 ＣＨ2 ＣＨ3 に３分間浸漬した後、
１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンでリンス
することにより３０オｍラ３０オｍのビアホールをポリマ
ーに形成した。このとき、ポリマー被膜にはクラックの
発生は見られず、表面にポリマーの残渣も見られなかっ
た。
【００２８】実施例２
Ｆ（ＣＦ2）8ＣＨ2ＣＨ3に代えてＦ（ＣＦ2）6Ｈを用
い、リンスを行わない他は実施例１と同じ操作を行った
ところ、ポリマー被膜にはクラックの発生は見られず、
表面にポリマーの残渣も見られなかった。
い、リンスを行わない他は実施例１と同じ操作を行った
ところ、ポリマー被膜にはクラックの発生は見られず、
表面にポリマーの残渣も見られなかった。
【００２９】比較例１
Ｆ（ＣＦ2）8ＣＨ2ＣＨ3に代えてペルフルオロ（２−ブ
チルテトラヒドロフラン）を用いた他は実施例１と同じ
操作を行ったところ、ポリマー被膜にクラックの発生が
見られた。
チルテトラヒドロフラン）を用いた他は実施例１と同じ
操作を行ったところ、ポリマー被膜にクラックの発生が
見られた。
【００３０】比較例２
Ｆ（ＣＦ2）8ＣＨ2ＣＨ3に代えてペルフルオロ（トリブ
チルテトラヒドロフラン）を用いた他は実施例１と同じ
操作を行ったところ、ポリマー被膜にクラックの発生が
見られた。
チルテトラヒドロフラン）を用いた他は実施例１と同じ
操作を行ったところ、ポリマー被膜にクラックの発生が
見られた。
【００３１】
【発明の効果】含フッ素脂肪族環構造を有するポリマー
からなる保護膜にパターンを形成（エッチング）するに
あたり、本発明のエッチング方法を用いれば該保護膜に
クラックの発生や、表面へのポリマー残渣の付着を起こ
すことなくウェット方式でエッチングを行うことがで
き、半導体製造コストの低減、半導体の信頼性の向上を
達成できる。
からなる保護膜にパターンを形成（エッチング）するに
あたり、本発明のエッチング方法を用いれば該保護膜に
クラックの発生や、表面へのポリマー残渣の付着を起こ
すことなくウェット方式でエッチングを行うことがで
き、半導体製造コストの低減、半導体の信頼性の向上を
達成できる。
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/306,21/308,21/312
C09K 13/00 - 13/12
Claims (3)
- 【請求項１】含フッ素脂肪族環構造を有する含フッ素ポ
リマーからなる半導体用保護膜のエッチング方法におい
て、エッチング液として炭素数５〜３０の含水素フッ素
系溶剤からなるエッチング液を用いることを特徴とする
半導体用保護膜のエッチング方法。 - 【請求項２】含水素フッ素系溶剤が、一般式Ｒｆ−Ｒｈ
（ただし、Ｒｆは炭素数６〜１２のポリフルオロアルキ
ル基または炭素数６〜１２のポリフルオロアルケニル
基、Ｒｈは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基または
炭素数２〜４のアルケニル基。）で表される化合物であ
る請求項１に記載のエッチング方法。 - 【請求項３】エッチング液でエッチングした後、ポリフ
ルオロ芳香族系溶剤からなるリンス液でリンスを行う請
求項１または２に記載のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09889394A JP3400855B2 (ja) | 1993-05-17 | 1994-05-12 | 半導体用保護膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-139087 | 1993-05-17 | ||
| JP13908793 | 1993-05-17 | ||
| JP09889394A JP3400855B2 (ja) | 1993-05-17 | 1994-05-12 | 半導体用保護膜のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0799179A JPH0799179A (ja) | 1995-04-11 |
| JP3400855B2 true JP3400855B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=26439984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09889394A Expired - Fee Related JP3400855B2 (ja) | 1993-05-17 | 1994-05-12 | 半導体用保護膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3400855B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007318025A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子、および、有機半導体素子の製造方法 |
| JP5954017B2 (ja) * | 2011-08-25 | 2016-07-20 | Jnc株式会社 | ペルフルオロアルキル鎖を有する液晶化合物、液晶組成物および液晶表示素子 |
-
1994
- 1994-05-12 JP JP09889394A patent/JP3400855B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0799179A (ja) | 1995-04-11 |
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