JP3399554B2 - 画像読み取り装置 - Google Patents

画像読み取り装置

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JP3399554B2 JP05185192A JP5185192A JP3399554B2 JP 3399554 B2 JP3399554 B2 JP 3399554B2 JP 05185192 A JP05185192 A JP 05185192A JP 5185192 A JP5185192 A JP 5185192A JP 3399554 B2 JP3399554 B2 JP 3399554B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、デジタル複写機やファ
クシミリ装置に好適な画像読み取り装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の画像読み取り装置としては例えば
特開昭61−234166号公報に示すように、複数の
一次元撮像素子(CCDラインセンサ)を千鳥状に配列
したものや、2列に配列したものや、RGBのフィルタ
を備えたラインセンサを副走査方向に配列したものが知
られている。
【0003】これらのセンサは、いずれも間隔が1ライ
ンの幅の整数倍になるように配列されているので、その
差を補正するために等倍の読み取り時には、読み取り信
号をA/D変換した後、そのデータをRAMなどの記憶
素子に蓄積して上記間隔に応じたライン分を遅延するよ
うに構成されている。また、変倍の読み取り時にはスキ
ャン速度が異なるので、読み取りの際のライン間隔が異
なる。例えば等倍時の間隔が5ラインの場合には、2倍
(200%)の拡大時には間隔が10ラインになり、1
/2(50%)の縮小時には2.5ラインになる。した
がって、ライン間隔が整数倍の場合には等倍時と同様に
補正することができるが、2.5ラインのように小数を
含む場合には補正することができない。
【0004】このように小数を含む場合には、特開昭6
1−234166号公報に示すように各センサのサンプ
リングパルスの位相をずらして露光タイミングを変える
ことにより補正することが開示されている。例えば基準
となるセンサに対して1/2ずらした場合、スキャナが
移動して読み取る場合に読み取り位置が1/2ラインず
れたことになり、1/2ラインのずれを補正することが
できる。
【0005】また、上記小数分は変倍率に応じた種々の
値となる。例えば等倍時の間隔が5ラインの場合、75
%の縮小時には3.75ラインとなり、125%の拡大
時には6.25ラインとなるので、上記小数分はそれぞ
れ0.75ライン、0.25ラインとなるが、上記位相
のずれ量を調整することによりライン間隔のずれを補正
することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ここで、CCDライン
イメージセンサを用いた画像読み取り装置では、ランプ
をスキャンさせて所定のタイミング毎にCCDラインイ
メージセンサの信号が読み出されるが、1つの原稿当た
りの読み取り速度を早くするためには、ランプのスキャ
ン速度とCCDラインイメージセンサの読み出しタイミ
ングを早くしなければならない。したがって、1つの原
稿当たりの読み取り速度を早くするためには回路の電気
信号の処理速度を早くしなければならないので、回路が
複雑かつ高価になるという問題点がある。特に、読み取
られた画像を処理する回路系は、比較的大規模な電子回
路であるので、回路全体の処理速度を早くすると、コス
ト的にも信頼性の点でも多くの問題が発生する。
【0007】そこで、複数のラインセンサが配列された
CCDセンサを用いて読み取り速度を向上させる方法が
考えられている。しかしながら、このような装置では、
光学系によりスキャンしながら読み取るので、見かけの
アパーチャが実際の読み取り密度よりも大きく、また、
複数のラインセンサにより同一の画素をオーバラップし
ながら読み取るので、十分な解像度を実現することがで
きないという問題点がある。
【0008】本発明は上記従来の問題点に鑑み、解像度
の向上を図ることができる画像読み取り装置を提供する
ことを目的とする。本発明はまた、複数のラインセンサ
により読み取る場合の補正回路を安価かつ簡単に構成す
ることができる画像読み取り装置を提供することを目的
とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】第1の手段は上記目的を
達成するために、副走査方向にMライン分だけ離間して
配列され、Mライン離れた先の位置、後の位置をそれぞ
れ同時に読み取る第1及び第2のラインセンサと、前記
第1及び第2のラインセンサの間のライン数Mと変倍率
Xに基づいて、前記第1のラインセンサの読み取り信号
をM×X−1/2ライン分だけ遅延する手段と、前記遅
延された第1のラインセンサの信号の各画素と前記第2
のラインセンサの読み取り信号の各画素を1ラインに合
する手段とを備えたことを特徴とする。
【0010】第2の手段は、副走査方向にMライン分だ
け離間して配列され、Mライン離れた先の位置、後の位
置をそれぞれ同時に読み取る第1及び第2のラインセン
サと、前記第1及び第2のラインセンサの間のライン数
Mと変倍率Xに基づいて、前記第1のラインセンサの読
み取り信号がM×X−1/2ライン分だけ遅延するよう
に前記第1及び第2のラインセンサの各光蓄積タイミン
グを制御する制御回路と、前記制御回路により制御され
た前記第1及び第2のラインセンサの各信号の各画素
1ラインに合成する手段とを備えたことを特徴とする。
【0011】第3の手段は、第2の手段の制御回路が、
前記第1及び第2のラインセンサの各光蓄積タイミング
をずらすことを特徴とする。
【0012】第4の手段は、第2の手段の制御回路が、
前記ラインセンサの各光蓄積タイミングを各ラインセン
サのシフトゲート信号により制御することを特徴とす
る。
【0013】第5の手段は、副走査方向にMライン分だ
離間して配列され、Mライン離れた先の位置、後の位
置を同時にそれぞれのシャッタを介して読み取る第1及
び第2のラインセンサと、前記第1及び第2のラインセ
ンサの間のライン数Mと変倍率Xに基づいて、前記第1
のラインセンサの読み取り信号がM×X−1/2ライン
分だけ遅延するように前記シャッタの開閉タイミングを
制御する制御回路と、前記制御回路により制御された前
第1及び第2のラインセンサの各信号の各画素を1ラ
インに合成する手段とを備えたことを特徴とする。
【0014】
【作用】第1の手段では上記構成により、Mライン離れ
た先の位置、後の位置をそれぞれ同時に読み取る第1及
び第2のラインセンサの間のライン数Mと変倍率Xに基
づいて、第1のラインセンサの読み取り信号をM×X−
1/2ライン分だけ遅延して1ラインに合成するので、
複数のラインセンサが同一の画素をオーバラップして読
み取ることを防止することができ、したがって、解像度
を向上させることができる。
【0015】第2の手段では、Mライン離れた先の位
置、後の位置をそれぞれ同時に読み取る第1及び第2の
ラインセンサの間のライン数Mと変倍率Xに基づいて、
第1のラインセンサの読み取り信号がM×X−1/2ラ
イン分だけ遅延するように第1及び第2のラインセンサ
の各光蓄積タイミングを制御して1ラインに合成するの
で、複数のラインセンサが同一の画素をオーバラップし
て読み取ることを防止することができ、したがって、解
像度を向上させることができる。
【0016】第3の手段では、第1及び第2のラインセ
ンサの各光蓄積タイミングをずらすので、複数のライン
センサが同一の画素をオーバラップして読み取ることを
防止することができ、したがって、解像度を向上させる
ことができる。
【0017】第4の手段では、ラインセンサの各光蓄積
タイミングがシフトゲート信号により制御されるので、
解像度を向上させることができるとともに、複数のライ
ンセンサ間の距離を補正する回路を安価かつ簡単に構成
することができる。
【0018】第5の手段では、Mライン離れた先の位
置、後の位置をそれぞれ同時に読み取る第1及び第2の
ラインセンサの間のライン数Mと変倍率Xに基づいて、
第1のラインセンサの読み取り信号がM×X−1/2ラ
イン分だけ遅延するようにシャッタの開閉タイミングを
制御して1ラインに合成するので、複数のラインセンサ
が同一の画素をオーバラップして読み取ることを防止す
ることができ、したがって、解像度を向上させることが
できる。
【0019】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図1は本発明に係る画像読み取り装置の一実施例
を示すブロック図、図2は図1の画像読み取り装置の光
学系を示す構成図、図3は図1および図2のCCDセン
サの主要信号を示すタイミングチャートである。
【0020】CCDセンサ10は図1に示すように、一
例として2本のラインセンサ10a,10bにより構成
され、このラインセンサ10a,10bの間隔は読み取
り位置が副走査方向にMライン分だけずれるように構成
されている(Mは正の整数)。なお、ラインセンサ10
a(図示ライン1)がラインセンサ10b(ライン2)
より先の位置を読み取るものとして説明する。
【0021】まず、図2を参照してこのCCDセンサ1
0を用いた読み取り光学系を説明すると、コンタクトガ
ラス1上の原稿(図示省略)は、光源である蛍光灯2お
よび蛍光灯ヒータ3により照明され、その反射光すなわ
ち原稿像が第1ミラー4、第2ミラー5、第3ミラー6
により順次反射され、レンズ7によりCCDセンサ10
の受光面に結像され、したがって、原稿画像がCCDセ
ンサ10により読み取られる。なお、光源2,3と第1
ミラー4は変倍率に応じた速度で副走査方向(図示左右
方向)に移動し、第2ミラー5と第3ミラー6は光源
2,3と第1ミラー4の1/2の速度で副走査方向に移
動する。
【0022】図1において、このようなCCDセンサ1
0の各ラインセンサ10a,10bはタイミング発生回
路15により図3に示すように駆動され、アナログ画像
信号で原稿画像を読み取る。なお、図3においてシフト
ゲート信号SGは、各ラインセンサ10a,10bの光
信号蓄積時間Tint を決定するための信号である。この
各アナログ画像信号はそれぞれ信号処理回路11a,1
1bにより振幅が補正等された後、A/D変換器12
a,12bによりデジタル信号に変換され、後述するよ
うにライン間補正回路13によりラインセンサ10a,
10bの読み取り位置のずれが1/2ラインになるよう
に補正され、ついで1ライン化処理回路14により1ラ
イン分の画像に合成される。
【0023】ここで、ラインセンサ10a,10bの読
み取り位置に対して1/2ライン分のずれを発生させる
場合、データを演算する第1の方法と、ライン間の物理
的な距離が1ライン幅の整数倍でないセンサを用いる第
2の方法と、ラインセンサ10a,10bの各ラインの
光蓄積タイミングを変更する第3の方法が考えられる
が、第1の実施例では第1の方法が用いられている。
【0024】第1の実施例では、例えば特開昭61−2
34166号公報に示すようにカラー用の3ラインCC
Dセンサに適用された技術により容易に実現することが
できる。すなわち、ライン間補正回路13は、例えば各
ラインセンサ10a,10bの物理的な距離がMライン
であって変倍率がX倍の場合、ラインセンサ10aの読
み取り信号がM*X−1/2ライン分だけ遅延するよう
に構成されている。
【0025】第2〜第4の実施例では上記第3の方法が
用いられ、この第3の方法では、次の3通りの方法が考
えられる。第1に図4や図5に示すように、CCDセン
サの各ライン毎にシフトゲート信号SGの発生タイミン
グを変更する方法であり、第2に図6〜図8に示すよう
に光蓄積タイミングを外部からの電気信号により1ライ
ンの読み取り周期内の任意の位置に設定可能なCCDセ
ンサを用いる方法であり、第3に図9〜図11に示すよ
うにCCDセンサと光源の間にCCDセンサの各ライン
毎に制御可能なシャッタを設ける方法である。
【0026】つぎに、第2の実施例を説明する。図4は
CCDセンサの各ライン毎にシフトゲート信号SG1,
SG2の発生タイミング(蓄積時間)Tint1,Tint2
変更する場合を示すタイミングチャートである。この実
施例では、ラインセンサ10a,10bの物理的な距離
がラインセンサ10a,10bの物理的な距離がMライ
ンであるので、タイミング発生回路15は図4に示すよ
うに、発生タイミングTint1, Tint2の位相差Tdを
(Tint1/2)に設定することにより、1/2ラインの
読み取り位置のずれを発生することができる。
【0027】また、少なくとも光蓄積時間をシフトゲー
ト信号SG1, SG2に同期して制御可能なCCDセン
サを用いて光蓄積時間を短くすると、各ライン間の光蓄
積時間の重畳部分を無くすことができ、また、副走査方
向のアパーチャが小さくなるので、副走査方向のMTF
を向上することができる。
【0028】図5は他の例として、蓄積時間Tint1,
int2の1/2の周期の信号WG1,WG2により蓄積時
間Tint1,Tint2が交互になるように制御する場合を示
す。ここで、蓄積時間Tint1,Tint2を短くし過ぎる
と、出力信号のレベルが小さくなり、S/N比が悪くな
るが、ラインセンサ10a,10bの感度は一般に同等
であるので、蓄積時間Tint1,Tint2を同じに設定する
ことができる。そして、上記の条件を考慮して、各ライ
ンの蓄積時間Tint1,Tint2を一般的に同一に設定し、
かつ各ラインの蓄積タイミングが重ならないように最長
の蓄積時間Tint1,Tint2が得られるようにラインセン
サ10a,10bが制御される。
【0029】つぎに、図6〜図8を参照して第3の実施
例を説明する。図6は従来のCCDセンサを示す回路
図、図7は第3の実施例において光蓄積タイミングが外
部から設定可能なCCDセンサを示す回路図、図8は図
7のCCDセンサの駆動信号を示すタイミングチャート
である。
【0030】図6に示す従来のCCDセンサでは、1ラ
イン分の各画素のデータはシフトパルスSHによりスイ
ッチSWを介してCCDアナログシフトレジスタに取り
込まれ、ついで転送パルスφ1,φ2により転送され
る。したがって、この回路では光蓄積タイミングを外部
からの電気信号により1ラインの読み取り周期内の任意
の位置に設定することができない。
【0031】そこで、図7および図8に示すように信号
WGによりスイッチSW1をオン、オフすることにより
光蓄積タイミングのみスイッチSW1をコンデンサC側
に短絡して各画素の電荷をコンデンサCに蓄積し、光蓄
積タイミング以外でスイッチSW1を接地側に短絡して
画素のコンデンサCに電荷が蓄積されないように制御す
ることにより、CCDセンサの各ラインセンサの光蓄積
タイミングを制御することができる。
【0032】なお、この場合には図8に示すように、各
ラインのシフトゲート信号SG1,SG2のタイミング
は、同一になるように制御される。この場合にも同様
に、各ラインの蓄積時間Tint1,Tint2を一般的に同一
に設定し、かつ各ラインの蓄積タイミングが重ならない
ように最長の蓄積時間Tint1,Tint2が得られるように
ラインセンサ10a,10bが制御される。
【0033】つぎに、図9〜図11を参照して第4の実
施例を説明する。図9は液晶シャッタを用いた画像読み
取り装置の光学系を示す構成図、図10は図9に示す液
晶シャッタとCCDラインセンサの関係を示す説明図、
図11は液晶シャッタを用いた場合の駆動信号を示すタ
イミングチャートである。
【0034】この実施例では図9および図10に示すよ
うに、レンズ7とCCDセンサ10の間に液晶シャッタ
9が配置されている。液晶シャッタ9は図10に詳しく
示すように、2つのシャッタ9a,9bにより構成さ
れ、このシャッタ9a,9bはオン、オフにより他方の
ラインセンサ10a,10bの受光量に影響を与えない
ように配置される。
【0035】そして、図11に示すようにこのシャッタ
9a,9bはそれぞれ駆動信号TG1,TG2により交
互にオン、オフするように制御され、したがって、各ラ
インの受光タイミングを変更することができるので、光
蓄積時間Tl1,Tl2を変更することができる。なお、こ
の方法によれば、図6に示す場合と同様に、各ラインの
シフトゲート信号SG1,SG2のタイミングが同一に
なるように制御することができる。
【0036】なお、上記第2〜第4の実施例によれば、
光蓄積タイミングをずらすことにより1/2ラインのず
れを発生させることができるが、ライン間補正回路13
は、ライン間の距離がMライン、変倍率がX倍の場合、
ラインセンサ10aの信号を(M+1/2)*X−1/
2だけ遅延するように構成されている。
【0037】なお、3ライン以上のCCDセンサを用い
た場合には、各ラインの間隔が同一でない場合もある
が、ライン間補正回路13の構成を考慮すると、ライン
間隔は同一であるほうが各ライン毎に同一のハードウエ
アにより構成することができる。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように請求項1記載の発明
は、Mライン離れた先の位置、後の位置をそれぞれ同時
に読み取る第1及び第2のラインセンサの間のライン数
Mと変倍率Xに基づいて、第1のラインセンサの読み取
り信号をM×X−1/2ライン分だけ遅延して1ライン
に合成するので、複数のラインセンサが同一の画素をオ
ーバラップして読み取ることを防止することができ、し
たがって、解像度を向上させることができる。
【0039】請求項2記載の発明は、Mライン離れた先
の位置、後の位置をそれぞれ同時に読み取る第1及び第
2のラインセンサの間のライン数Mと変倍率Xに基づい
て、第1のラインセンサの読み取り信号がM×X−1/
2ライン分だけ遅延するように第1及び第2のラインセ
ンサの各光蓄積タイミングを制御して1ラインに合成
るので、複数のラインセンサが同一の画素をオーバラッ
プして読み取ることを防止することができ、したがっ
て、解像度を向上させることができる。
【0040】請求項3記載の発明は、第1及び第2のラ
インセンサの各光蓄積タイミングをずらすので、複数の
ラインセンサが同一の画素をオーバラップして読み取る
ことを防止することができ、したがって、解像度を向上
させることができる。
【0041】請求項4記載の発明は、請求項2記載の制
御回路が、前記ラインセンサの各光蓄積タイミングを各
ラインセンサのシフトゲート信号により制御するので、
解像度を向上させることができるとともに、複数のライ
ンセンサ間の距離を補正する回路を安価かつ簡単に構成
することができる。
【0042】請求項5記載の発明は、Mライン離れた先
の位置、後の位置をそれぞれ同時に読み取る第1及び第
2のラインセンサの間のライン数Mと変倍率Xに基づい
て、第1のラインセンサの読み取り信号がM×X−1/
2ライン分だけ遅延するようにシャッタの開閉タイミン
グを制御して1ラインに合成するので、複数のラインセ
ンサが同一の画素をオーバラップして読み取ることを防
止することができ、したがって、解像度を向上させるこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る画像読み取り装置の一実施例を示
すブロック図である。
【図2】図1の画像読み取り装置の光学系を示す構成図
である。
【図3】図1および図2のCCDセンサの主要信号を示
すタイミングチャートである。
【図4】第2の実施例においてCCDセンサの各ライン
毎にシフトゲート信号の発生タイミングを変更する場合
を示すタイミングチャートである。
【図5】図4の変形例を示すタイミングチャートであ
る。
【図6】従来のCCDセンサを示す回路図である。
【図7】第3の実施例において光蓄積タイミングが外部
から設定可能なCCDセンサを示す回路図である。
【図8】図7のCCDセンサの駆動信号を示すタイミン
グチャートである。
【図9】第4の実施例において液晶シャッタを用いた画
像読み取り装置の光学系を示す構成図である。
【図10】図9に示す液晶シャッタとCCDラインセン
サの関係を示す説明図である。
【図11】液晶シャッタを用いた場合の駆動信号を示す
タイミングチャートである。
【符号の説明】
9 液晶シャッタ 10 CCDセンサ 10a,10b ラインセンサ 13 ライン間補正回路 15 タイミング発生回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武末 敏洋 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株 式会社リコー内 (56)参考文献 特開 昭62−163456(JP,A) 特開 昭58−186254(JP,A) 特開 昭54−159809(JP,A) 特開 平5−260263(JP,A) 特開 平4−35177(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H04N 1/19 H04N 1/028 H04N 1/04

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 副走査方向にMライン分だけ離間して配
    列され、Mライン離れた先の位置、後の位置をそれぞれ
    同時に読み取る第1及び第2のラインセンサと、 前記第1及び第2のラインセンサの間のライン数Mと変
    倍率Xに基づいて、前記第1のラインセンサの読み取り
    信号をM×X−1/2ライン分だけ遅延する手段と、 前記遅延された第1のラインセンサの信号の各画素と前
    記第2のラインセンサの読み取り信号の各画素を1ライ
    ンに合成 する手段と、 を備えた画像読み取り装置。
  2. 【請求項2】 副走査方向にMライン分だけ離間して配
    列され、Mライン離れた先の位置、後の位置をそれぞれ
    同時に読み取る第1及び第2のラインセンサと、 前記第1及び第2のラインセンサの間のライン数Mと変
    倍率Xに基づいて、前記第1のラインセンサの読み取り
    信号がM×X−1/2ライン分だけ遅延するように前記
    第1及び第2のラインセンサの各光蓄積タイミングを制
    御する制御回路と、 前記制御回路により制御された前記第1及び第2のライ
    ンセンサの各信号の各画素を1ラインに合成する手段と
    を備えた画像読み取り装置。
  3. 【請求項3】 前記制御回路は、前記第1及び第2の
    インセンサの各光蓄積タイミングをずらすことを特徴と
    する請求項2記載の画像読み取り装置。
  4. 【請求項4】 前記制御回路は、前記ラインセンサの各
    光蓄積タイミングを各ラインセンサのシフトゲート信号
    により制御することを特徴とする請求項2記載の画像読
    み取り装置。
  5. 【請求項5】 副走査方向にMライン分だけ離間して配
    列され、Mライン離れた先の位置、後の位置を同時に
    れぞれのシャッタを介して読み取る第1及び第2のライ
    ンセンサと、 前記第1及び第2のラインセンサの間のライン数Mと変
    倍率Xに基づいて、前 記第1のラインセンサの読み取り
    信号がM×X−1/2ライン分だけ遅延するように前記
    シャッタの開閉タイミングを制御する制御回路と、 前記制御回路により制御された前記第1及び第2のライ
    ンセンサの各信号の各画素を1ラインに合成する手段と
    を備えた画像読み取り装置。
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