JP3259975B2 - 画像読取装置 - Google Patents
画像読取装置Info
- Publication number
- JP3259975B2 JP3259975B2 JP07976092A JP7976092A JP3259975B2 JP 3259975 B2 JP3259975 B2 JP 3259975B2 JP 07976092 A JP07976092 A JP 07976092A JP 7976092 A JP7976092 A JP 7976092A JP 3259975 B2 JP3259975 B2 JP 3259975B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line density
- density
- line
- main scanning
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000003705 background correction Methods 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 2
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ装置，デ
ジタル複写機，スキャナ装置等に適用される画像読取装
置に関する。
ジタル複写機，スキャナ装置等に適用される画像読取装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来のスキャナ装置の概略構成を
示すブロック図であり、１は１次元ラインセンサである
ＣＣＤ（電荷結合素子）、２はＣＣＤ１に対して各種駆
動クロックを出力する駆動クロック生成部、３はＣＣＤ
１から出力された画信号に乗った直流成分を除去する直
流再生回路、４は画信号の出力方向を逆転する極性反転
回路、５はレンズや光源等による出力歪を補正するシェ
ーディング補正回路（可変ゲインアンプ）、６はアナロ
グ画信号をデジタル信号化するＡ／Ｄ（アナログ／デジ
タル）変換器、７は２値化回路、８はメモリ、９は間引
き／補間変換回路である。
示すブロック図であり、１は１次元ラインセンサである
ＣＣＤ（電荷結合素子）、２はＣＣＤ１に対して各種駆
動クロックを出力する駆動クロック生成部、３はＣＣＤ
１から出力された画信号に乗った直流成分を除去する直
流再生回路、４は画信号の出力方向を逆転する極性反転
回路、５はレンズや光源等による出力歪を補正するシェ
ーディング補正回路（可変ゲインアンプ）、６はアナロ
グ画信号をデジタル信号化するＡ／Ｄ（アナログ／デジ
タル）変換器、７は２値化回路、８はメモリ、９は間引
き／補間変換回路である。
【０００３】図８はＣＣＤ１の概略構成を示すブロック
図であり、１１は、画素数分のフォトダイオードアレイ
であって、入力光を光電変換して光電流として蓄積し、
シフトパルスに同期して信号電荷として後述するＣＣＤ
シフトゲート１２に移送する。このＣＣＤシフトゲート
１２は、２相のクロックパルスで電荷を転送し、画信号
を転送クロックパルス１周期に対して１画素分出力す
る。さらに１３はＣＣＤシフトゲート１２からの出力電
荷を画素ごとに電圧の信号に変換する出力バッファであ
る。
図であり、１１は、画素数分のフォトダイオードアレイ
であって、入力光を光電変換して光電流として蓄積し、
シフトパルスに同期して信号電荷として後述するＣＣＤ
シフトゲート１２に移送する。このＣＣＤシフトゲート
１２は、２相のクロックパルスで電荷を転送し、画信号
を転送クロックパルス１周期に対して１画素分出力す
る。さらに１３はＣＣＤシフトゲート１２からの出力電
荷を画素ごとに電圧の信号に変換する出力バッファであ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来のスキャナ
装置において、読取線密度を、例えば１／２に縮小変換
する場合、クロックレートを半減し、２値化回路７でオ
ア処理を行うため、通常の２値読取りの黒線は保存さ
れ、比較的良好に出力されるが、ハーフトーン画像は、
２値化回路７で疑似中間調化後、間引き／補間変換回路
９で間引き／補間するため劣化してしまう。
装置において、読取線密度を、例えば１／２に縮小変換
する場合、クロックレートを半減し、２値化回路７でオ
ア処理を行うため、通常の２値読取りの黒線は保存さ
れ、比較的良好に出力されるが、ハーフトーン画像は、
２値化回路７で疑似中間調化後、間引き／補間変換回路
９で間引き／補間するため劣化してしまう。
【０００５】上記の劣化を改善するため、隣接画素間の
多値レベルでの平均値演算を行う方法があるが、この処
理のためのみにデジタル演算部が必要となって、コスト
アップになるという問題がある。
多値レベルでの平均値演算を行う方法があるが、この処
理のためのみにデジタル演算部が必要となって、コスト
アップになるという問題がある。
【０００６】本発明の目的は、簡単な構成で線密度縮小
が行える画像読取装置を提供することにある。
が行える画像読取装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、読取部における主走査の読取線密度を、
読取部で使用される１次元ラインセンサの画素ピッチに
相当する基本線密度から縮小可能な画像読取装置におい
て、基本線密度からの線密度縮小時に、主走査変換はリ
セットパルスを間引き、また副走査変換はシフトパルス
を間引き、かつ各線密度ごとのライン周期を出力ゲイン
が一定になるよう変化させるように前記１次元ラインセ
ンサを駆動する手段を備えたことを特徴とする。
め、本発明は、読取部における主走査の読取線密度を、
読取部で使用される１次元ラインセンサの画素ピッチに
相当する基本線密度から縮小可能な画像読取装置におい
て、基本線密度からの線密度縮小時に、主走査変換はリ
セットパルスを間引き、また副走査変換はシフトパルス
を間引き、かつ各線密度ごとのライン周期を出力ゲイン
が一定になるよう変化させるように前記１次元ラインセ
ンサを駆動する手段を備えたことを特徴とする。
【０００８】また本発明は、読取部における主走査の読
取線密度を、読取部で使用される１次元ラインセンサの
画素ピッチに相当する基本線密度から縮小可能な画像読
取装置において、基本線密度からの線密度縮小時に、主
走査変換はリセットパルスを間引き、また副走査変換は
シフトパルスを間引くように前記１次元ラインセンサを
駆動する手段と、前記１次元ラインセンサの出力側に設
けられたゲイン切換アンプとを備えたことを特徴とす
る。
取線密度を、読取部で使用される１次元ラインセンサの
画素ピッチに相当する基本線密度から縮小可能な画像読
取装置において、基本線密度からの線密度縮小時に、主
走査変換はリセットパルスを間引き、また副走査変換は
シフトパルスを間引くように前記１次元ラインセンサを
駆動する手段と、前記１次元ラインセンサの出力側に設
けられたゲイン切換アンプとを備えたことを特徴とす
る。
【０００９】また本発明は、読取部における主走査の読
取線密度を、読取部で使用される１次元ラインセンサの
画素ピッチに相当する基本線密度から縮小可能な画像読
取装置において、基本線密度からの線密度縮小時に、主
走査変換はリセットパルスを間引き、また副走査変換は
シフトパルスを間引くように前記１次元ラインセンサを
駆動する手段と、原稿照射用ランプの光量を切換えるラ
ンプ駆動体とを備えたことを特徴とする。
取線密度を、読取部で使用される１次元ラインセンサの
画素ピッチに相当する基本線密度から縮小可能な画像読
取装置において、基本線密度からの線密度縮小時に、主
走査変換はリセットパルスを間引き、また副走査変換は
シフトパルスを間引くように前記１次元ラインセンサを
駆動する手段と、原稿照射用ランプの光量を切換えるラ
ンプ駆動体とを備えたことを特徴とする。
【００１０】
【作用】上記の手段によれば、１次元ラインセンサの駆
動クロックパルスであるリセットパルスあるいはシフト
パルス、又は両方を間引いてタイミングを変えること
で、基本線密度の１／２ｎ縮小（ｎは整数）の画像読取
ができる。
動クロックパルスであるリセットパルスあるいはシフト
パルス、又は両方を間引いてタイミングを変えること
で、基本線密度の１／２ｎ縮小（ｎは整数）の画像読取
ができる。
【００１１】また主・副走査の線密度を縮小すると、縮
小分に対応して出力が増加するので、線密度に応じてラ
イン周期を変化させて短かくすることにより、出力ゲイ
ンを常に略一定で読み出せる。
小分に対応して出力が増加するので、線密度に応じてラ
イン周期を変化させて短かくすることにより、出力ゲイ
ンを常に略一定で読み出せる。
【００１２】また線密度の縮小に応じて出力が増加する
分だけ、ゲイン切換アンプで１次元ラインセンサの出力
を減少させることにより、出力ゲインを常に略一定に保
つことができる。
分だけ、ゲイン切換アンプで１次元ラインセンサの出力
を減少させることにより、出力ゲインを常に略一定に保
つことができる。
【００１３】また線密度の縮小に応じて出力が増加する
分だけ、ランプによる原稿面照度を減少させるようにラ
ンプ光量を切換えることにより、出力ゲインを常に略一
定に保つことができる。
分だけ、ランプによる原稿面照度を減少させるようにラ
ンプ光量を切換えることにより、出力ゲインを常に略一
定に保つことができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。尚、図７，図８に基づいて説明した部材と対応す
る部材には同一符号を付して詳しい説明は省略する。
する。尚、図７，図８に基づいて説明した部材と対応す
る部材には同一符号を付して詳しい説明は省略する。
【００１５】図１は本発明の第１実施例であるスキャナ
装置の概略構成を示すブロック図であり、基本的構成は
図７の構成と同じであるが、間引き／補間変換回路９を
なくしている。図２，図３はＣＣＤ１における信号波形
図であり、図２（ａ）は等倍時の各信号の波形図、図２
（ｂ）は等倍時の全体波形図、図３（ａ）は主走査１／
２縮小時の各信号の波形図、図３（ｂ）は副走査１／２
縮小時の各信号の波形図であって、ＳＨはシフトパル
ス、Ｉ，ＩＩは電荷を転送するためのクロックパルス
（２相）、ＲＳはリセットパルス、ＯＳは出力波形、Ｓ
Ｐは同期パルス、ＬＮＳＹＮはライン同期パルスであ
る。
装置の概略構成を示すブロック図であり、基本的構成は
図７の構成と同じであるが、間引き／補間変換回路９を
なくしている。図２，図３はＣＣＤ１における信号波形
図であり、図２（ａ）は等倍時の各信号の波形図、図２
（ｂ）は等倍時の全体波形図、図３（ａ）は主走査１／
２縮小時の各信号の波形図、図３（ｂ）は副走査１／２
縮小時の各信号の波形図であって、ＳＨはシフトパル
ス、Ｉ，ＩＩは電荷を転送するためのクロックパルス
（２相）、ＲＳはリセットパルス、ＯＳは出力波形、Ｓ
Ｐは同期パルス、ＬＮＳＹＮはライン同期パルスであ
る。
【００１６】図２，図３に示したように、主走査等倍時
には１画素ごとに１パルス入るリセットパルスＲＳを、
例えば、主走査線密度１／２縮小時には、２画素に１回
入れるようにする。このことで、ＣＣＤ１の出力バッフ
ァ１３において２画素分のチャージに相当する電圧が出
力されるため、アナログ的に２画素の平均値が得られる
ことになる。また副走査線密度１／２縮小時には、シフ
トパルスＳＨを２ラインに１回間引くことにより、ＣＣ
Ｄ１のフォトダイオードアレイ１１への電荷蓄積が副走
査２ライン分で行われるため、上記の主走査縮小と同じ
く、ＣＣＤ１内でアナログ的に画素の入力レベルが平均
値化（積分化）される。
には１画素ごとに１パルス入るリセットパルスＲＳを、
例えば、主走査線密度１／２縮小時には、２画素に１回
入れるようにする。このことで、ＣＣＤ１の出力バッフ
ァ１３において２画素分のチャージに相当する電圧が出
力されるため、アナログ的に２画素の平均値が得られる
ことになる。また副走査線密度１／２縮小時には、シフ
トパルスＳＨを２ラインに１回間引くことにより、ＣＣ
Ｄ１のフォトダイオードアレイ１１への電荷蓄積が副走
査２ライン分で行われるため、上記の主走査縮小と同じ
く、ＣＣＤ１内でアナログ的に画素の入力レベルが平均
値化（積分化）される。
【００１７】但し、図３（ａ）の出力波形ＯＳを見れば
分るように、出力レベルが各パルス（クロック）の間引
きにより変化するので、主走査では、２画素目のシフト
パルスＳＨが入った後の画信号を取る処理が必要であ
り、サンプルホールドであれば、同図で示したようなパ
ルスを与えなければならない。また副走査では、図３
（ｂ）の出力波形ＯＳのようにライン波形が歯抜け状態
になるので、この有効データのみを取り込む処理が必要
となる。
分るように、出力レベルが各パルス（クロック）の間引
きにより変化するので、主走査では、２画素目のシフト
パルスＳＨが入った後の画信号を取る処理が必要であ
り、サンプルホールドであれば、同図で示したようなパ
ルスを与えなければならない。また副走査では、図３
（ｂ）の出力波形ＯＳのようにライン波形が歯抜け状態
になるので、この有効データのみを取り込む処理が必要
となる。
【００１８】尚、上記の第１実施例の変換は、主走査と
副走査において各々関係することなく、一方のみでも、
又は両方を行うようにしてもよい。
副走査において各々関係することなく、一方のみでも、
又は両方を行うようにしてもよい。
【００１９】ところで第１実施例では、リセットパルス
ＲＳとシフトパルスＳＨの間引きにて線密度の１／２ｎ
縮小が容易にできるが、リセットパルスＲＳとシフトパ
ルスＳＨの間引きだけであると、ＣＣＤ１の画信号出力
レベルが２倍，４倍と大きくなる。
ＲＳとシフトパルスＳＨの間引きにて線密度の１／２ｎ
縮小が容易にできるが、リセットパルスＲＳとシフトパ
ルスＳＨの間引きだけであると、ＣＣＤ１の画信号出力
レベルが２倍，４倍と大きくなる。
【００２０】すなわち、主走査を１／２に縮小（ＲＳの
１／２間引き）すると、ＣＣＤ１の出力バッファ１３で
の注入電荷が２倍になるので出力は２倍になる。
１／２間引き）すると、ＣＣＤ１の出力バッファ１３で
の注入電荷が２倍になるので出力は２倍になる。
【００２１】同様に、副走査を１／２に縮小（ＳＨの１
／２間引き）すると、ＣＣＤ１のフォトダイオードアレ
イ１１の蓄積時間が２倍になり、蓄積電荷も２倍になる
ので出力は２倍になる。さらに主走査と副走査とを共に
１／２に縮小すると上述した理由により、出力は４倍に
なる。
／２間引き）すると、ＣＣＤ１のフォトダイオードアレ
イ１１の蓄積時間が２倍になり、蓄積電荷も２倍になる
ので出力は２倍になる。さらに主走査と副走査とを共に
１／２に縮小すると上述した理由により、出力は４倍に
なる。
【００２２】上記の出力の増加によってＣＣＤ１の出力
が飽和しないようにすれば、第１実施例の線密度変換で
も何等問題が生じない。しかし画像Ｓ／Ｎを確保し、良
好な画像を得るには各線密度で出力をなるべく一定にす
ることが望ましい。
が飽和しないようにすれば、第１実施例の線密度変換で
も何等問題が生じない。しかし画像Ｓ／Ｎを確保し、良
好な画像を得るには各線密度で出力をなるべく一定にす
ることが望ましい。
【００２３】そこで駆動クロック生成部２により線密度
に応じてライン周期を変化させるようにし、ＣＣＤ１の
出力が２倍，４倍になる上記の線密度変換時にライン周
期を１／２，１／４に短かくし、出力ゲインを一定に近
づけることが考えられる。
に応じてライン周期を変化させるようにし、ＣＣＤ１の
出力が２倍，４倍になる上記の線密度変換時にライン周
期を１／２，１／４に短かくし、出力ゲインを一定に近
づけることが考えられる。
【００２４】図４（ａ）は等倍時のライン同期パルスＬ
ＮＳＹＮと出力波形ＯＳの波形図、図４（ｂ）は主走査
又は副走査の１／２縮小時のＬＮＳＹＮとＯＳの波形
図、図４（ｃ）は主走査と副走査とが共に１／２縮小時
のＬＮＳＹＮとＯＳの波形図であり、図４（ｂ）に示し
たように、ライン同期パルスＬＮＳＹＮを１／２（図４
（ｂ））、１／４（図４（ｃ））に短かくすることで、
縮小（線密度を粗くする）しても出力ゲインを略一定で
読み出しができることになる。また低線密度時にはライ
ン周期が短かくなり、読み取りを早くできることにな
る。
ＮＳＹＮと出力波形ＯＳの波形図、図４（ｂ）は主走査
又は副走査の１／２縮小時のＬＮＳＹＮとＯＳの波形
図、図４（ｃ）は主走査と副走査とが共に１／２縮小時
のＬＮＳＹＮとＯＳの波形図であり、図４（ｂ）に示し
たように、ライン同期パルスＬＮＳＹＮを１／２（図４
（ｂ））、１／４（図４（ｃ））に短かくすることで、
縮小（線密度を粗くする）しても出力ゲインを略一定で
読み出しができることになる。また低線密度時にはライ
ン周期が短かくなり、読み取りを早くできることにな
る。
【００２５】図５は本発明の第２実施例の概略構成を示
すブロック図であり、図１の第１実施例とは、直流再生
回路３及び極性反転回路４と、シェーディング補正回路
５との間にゲイン切換アンプ２０を設けた点で異なって
いる。
すブロック図であり、図１の第１実施例とは、直流再生
回路３及び極性反転回路４と、シェーディング補正回路
５との間にゲイン切換アンプ２０を設けた点で異なって
いる。
【００２６】この第２実施例では、上述した線密度の１
／２，１／４縮小時におけるアナログ出力ゲインの増加
を、ＣＣＤ１の出力側のゲイン切換アンプ２０により、
１／２，１／４に落すようにすることにより、ゲイン切
換アンプ２０からの画信号出力を、線密度の変換にかか
わらず略一定に保つことができ、次段でのＡ／Ｄ変換等
を同一条件で良好に行うことができる。ゲイン切換アン
プ２０は図示しないＣＰＵ（中央演算処理部）の指示を
受けて切換駆動する。
／２，１／４縮小時におけるアナログ出力ゲインの増加
を、ＣＣＤ１の出力側のゲイン切換アンプ２０により、
１／２，１／４に落すようにすることにより、ゲイン切
換アンプ２０からの画信号出力を、線密度の変換にかか
わらず略一定に保つことができ、次段でのＡ／Ｄ変換等
を同一条件で良好に行うことができる。ゲイン切換アン
プ２０は図示しないＣＰＵ（中央演算処理部）の指示を
受けて切換駆動する。
【００２７】図６はスキャナ装置の一構成例を示す説明
図であり、３０ａ，３０ｂは原稿照明用の複数（図では
２本を示している）のランプ、３１は原稿Ｄからの反射
光を集束レンズ３２方向へ偏向するミラーであって、集
束レンズ３２はＣＣＤ１上に原稿情報を結像させる。さ
らに３３はＣＰＵの指示を受けてランプ３０ａ，３０ｂ
の点消灯を制御するランプ駆動体である。ランプ３０
ａ，３０ｂとしては蛍光灯，冷陰極管，キセノンラン
プ，発光ダイオードアレイ，ハロゲンランプ等を用いる
ことができる。
図であり、３０ａ，３０ｂは原稿照明用の複数（図では
２本を示している）のランプ、３１は原稿Ｄからの反射
光を集束レンズ３２方向へ偏向するミラーであって、集
束レンズ３２はＣＣＤ１上に原稿情報を結像させる。さ
らに３３はＣＰＵの指示を受けてランプ３０ａ，３０ｂ
の点消灯を制御するランプ駆動体である。ランプ３０
ａ，３０ｂとしては蛍光灯，冷陰極管，キセノンラン
プ，発光ダイオードアレイ，ハロゲンランプ等を用いる
ことができる。
【００２８】同図の装置では、上述した線密度の１／
２，１／４縮小時におけるアナログ出力ゲインの増加
を、ランプ駆動体３３によりランプ３０ａ，３０ｂの光
量を切り換えることで抑えている。
２，１／４縮小時におけるアナログ出力ゲインの増加
を、ランプ駆動体３３によりランプ３０ａ，３０ｂの光
量を切り換えることで抑えている。
【００２９】すなわち、通常の読取時には両ランプ３０
ａ，３０ｂを点灯させ、線密度を粗くし、例えば１／２
縮小する場合にはいずれか一方のランプのみを点灯さ
せ、原稿面照度を１／２にすることによって出力ゲイン
を一定に保つようにしている。また主走査と副走査とが
共に１／２縮小の時には出力ゲインが通常時に比べて４
倍になるので、この場合にはランプ電流制御による調光
回路を用いて原稿面照度を１／４にする。
ａ，３０ｂを点灯させ、線密度を粗くし、例えば１／２
縮小する場合にはいずれか一方のランプのみを点灯さ
せ、原稿面照度を１／２にすることによって出力ゲイン
を一定に保つようにしている。また主走査と副走査とが
共に１／２縮小の時には出力ゲインが通常時に比べて４
倍になるので、この場合にはランプ電流制御による調光
回路を用いて原稿面照度を１／４にする。
【００３０】上記のように低線密度時にはランプを減光
することでランプによる消費電流を最小に抑えることが
できるという効果も生じる。
することでランプによる消費電流を最小に抑えることが
できるという効果も生じる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
１次元ラインセンサの駆動パルスの発生タイミングを変
えるという簡単な構成で、基本線密度の１／２ｎ縮小読
取りができるためコストダウンが図れ、しかも変換され
る各線密度ごとにライン周期を変化させたり、１次元ラ
インセンサの出力を変化させたり、原稿照射用のランプ
の光量を変化させることで、出力ゲインを略一定に保つ
ことができるため、良好なデジタル化処理を行うことが
できる画像読取装置を提供できる。
１次元ラインセンサの駆動パルスの発生タイミングを変
えるという簡単な構成で、基本線密度の１／２ｎ縮小読
取りができるためコストダウンが図れ、しかも変換され
る各線密度ごとにライン周期を変化させたり、１次元ラ
インセンサの出力を変化させたり、原稿照射用のランプ
の光量を変化させることで、出力ゲインを略一定に保つ
ことができるため、良好なデジタル化処理を行うことが
できる画像読取装置を提供できる。
【図１】本発明の画像読取装置の第１実施例の概略構成
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図２】等倍時におけるＣＣＤの各信号の波形図であ
る。
る。
【図３】１／２縮小時におけるＣＣＤの各信号の波形図
である。
である。
【図４】ライン同期パルスと出力波形の波形図である。
【図５】本発明の第２実施例の概略構成を示すブロック
図である。
図である。
【図６】スキャナ装置の一構成例を示す説明図である。
【図７】従来のスキャナ装置の概略構成を示すブロック
図である。
図である。
【図８】ＣＣＤの概略構成を示すブロック図である。
１…ＣＣＤ（１次元ラインセンサ）、 ２…駆動クロッ
ク生成部、 ３…直流再生回路、 ４…極性反転回路、
５…シェーディング補正回路、 ６…Ａ／Ｄ変換器、
７…２値化回路、 ８…メモリ、 １１…フォトダイ
オードアレイ、１２…ＣＣＤシフトゲート、 １３…出
力バッファ、 ２０…ゲイン切換アンプ、 ３０ａ，３
０ｂ…ランプ、 ３３…ランプ駆動体。
ク生成部、 ３…直流再生回路、 ４…極性反転回路、
５…シェーディング補正回路、 ６…Ａ／Ｄ変換器、
７…２値化回路、 ８…メモリ、 １１…フォトダイ
オードアレイ、１２…ＣＣＤシフトゲート、 １３…出
力バッファ、 ２０…ゲイン切換アンプ、 ３０ａ，３
０ｂ…ランプ、 ３３…ランプ駆動体。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H04N 1/38 - 1/393 G06T 3/40 H04N 1/04
Claims (3)
- 【請求項１】 読取部における主走査の読取線密度を、
読取部で使用される１次元ラインセンサの画素ピッチに
相当する基本線密度から縮小可能な画像読取装置におい
て、基本線密度からの線密度縮小時に、主走査変換はリ
セットパルスを間引き、また副走査変換はシフトパルス
を間引き、かつ各線密度ごとのライン周期を出力ゲイン
が一定になるよう変化させるように前記１次元ラインセ
ンサを駆動する手段を備えたことを特徴とする画像読取
装置。 - 【請求項２】 読取部における主走査の読取線密度を、
読取部で使用される１次元ラインセンサの画素ピッチに
相当する基本線密度から縮小可能な画像読取装置におい
て、基本線密度からの線密度縮小時に、主走査変換はリ
セットパルスを間引き、また副走査変換はシフトパルス
を間引くように前記１次元ラインセンサを駆動する手段
と、前記１次元ラインセンサの出力側に設けられたゲイ
ン切換アンプとを備えたことを特徴とする画像読取装
置。 - 【請求項３】 読取部における主走査の読取線密度を、
読取部で使用される１次元ラインセンサの画素ピッチに
相当する基本線密度から縮小可能な画像読取装置におい
て、基本線密度からの線密度縮小時に、主走査変換はリ
セットパルスを間引き、また副走査変換はシフトパルス
を間引くように前記１次元ラインセンサを駆動する手段
と、原稿照射用ランプの光量を切換えるランプ駆動体と
を備えたことを特徴とする画像読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07976092A JP3259975B2 (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 画像読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07976092A JP3259975B2 (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 画像読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05284336A JPH05284336A (ja) | 1993-10-29 |
| JP3259975B2 true JP3259975B2 (ja) | 2002-02-25 |
Family
ID=13699182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07976092A Expired - Fee Related JP3259975B2 (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 画像読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3259975B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9314368B2 (en) | 2010-01-25 | 2016-04-19 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Home-use applicators for non-invasively removing heat from subcutaneous lipid-rich cells via phase change coolants, and associates devices, systems and methods |
| US9375345B2 (en) | 2006-09-26 | 2016-06-28 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Cooling device having a plurality of controllable cooling elements to provide a predetermined cooling profile |
| US9408745B2 (en) | 2007-08-21 | 2016-08-09 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Monitoring the cooling of subcutaneous lipid-rich cells, such as the cooling of adipose tissue |
| US9655770B2 (en) | 2007-07-13 | 2017-05-23 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | System for treating lipid-rich regions |
| US9737434B2 (en) | 2008-12-17 | 2017-08-22 | Zeltiq Aestehtics, Inc. | Systems and methods with interrupt/resume capabilities for treating subcutaneous lipid-rich cells |
| US9861520B2 (en) | 2009-04-30 | 2018-01-09 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Device, system and method of removing heat from subcutaneous lipid-rich cells |
| US10092346B2 (en) | 2010-07-20 | 2018-10-09 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Combined modality treatment systems, methods and apparatus for body contouring applications |
| US10722395B2 (en) | 2011-01-25 | 2020-07-28 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Devices, application systems and methods with localized heat flux zones for removing heat from subcutaneous lipid-rich cells |
| US11291606B2 (en) | 2007-05-18 | 2022-04-05 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Treatment apparatus for removing heat from subcutaneous lipid-rich cells and massaging tissue |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4658677B2 (ja) * | 2005-05-12 | 2011-03-23 | 株式会社リコー | 画像読取装置 |
-
1992
- 1992-04-01 JP JP07976092A patent/JP3259975B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9375345B2 (en) | 2006-09-26 | 2016-06-28 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Cooling device having a plurality of controllable cooling elements to provide a predetermined cooling profile |
| US11291606B2 (en) | 2007-05-18 | 2022-04-05 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Treatment apparatus for removing heat from subcutaneous lipid-rich cells and massaging tissue |
| US9655770B2 (en) | 2007-07-13 | 2017-05-23 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | System for treating lipid-rich regions |
| US9408745B2 (en) | 2007-08-21 | 2016-08-09 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Monitoring the cooling of subcutaneous lipid-rich cells, such as the cooling of adipose tissue |
| US11583438B1 (en) | 2007-08-21 | 2023-02-21 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Monitoring the cooling of subcutaneous lipid-rich cells, such as the cooling of adipose tissue |
| US9737434B2 (en) | 2008-12-17 | 2017-08-22 | Zeltiq Aestehtics, Inc. | Systems and methods with interrupt/resume capabilities for treating subcutaneous lipid-rich cells |
| US9861520B2 (en) | 2009-04-30 | 2018-01-09 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Device, system and method of removing heat from subcutaneous lipid-rich cells |
| US9314368B2 (en) | 2010-01-25 | 2016-04-19 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Home-use applicators for non-invasively removing heat from subcutaneous lipid-rich cells via phase change coolants, and associates devices, systems and methods |
| US9844461B2 (en) | 2010-01-25 | 2017-12-19 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Home-use applicators for non-invasively removing heat from subcutaneous lipid-rich cells via phase change coolants |
| US10092346B2 (en) | 2010-07-20 | 2018-10-09 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Combined modality treatment systems, methods and apparatus for body contouring applications |
| US10722395B2 (en) | 2011-01-25 | 2020-07-28 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Devices, application systems and methods with localized heat flux zones for removing heat from subcutaneous lipid-rich cells |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05284336A (ja) | 1993-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7675523B2 (en) | Image processing apparatus and image processing method | |
| US7423784B2 (en) | Processing of signals from image sensing apparatus whose image sensing area includes a plurality of areas | |
| JPH06315068A (ja) | 短期および長期の積分周期を有するラスタ入力スキャナ | |
| JPH09326930A (ja) | リニアイメージセンサの出力画像信号の補正方法 | |
| JP3259975B2 (ja) | 画像読取装置 | |
| US7817297B2 (en) | Image processing apparatus and image processing method | |
| JP3130593B2 (ja) | 原稿読取り装置 | |
| US6335805B1 (en) | Image reading apparatus and method utilizing a plurality of line sensors | |
| JP4059500B2 (ja) | 画像読取装置 | |
| JPS60237765A (ja) | 画像読取装置 | |
| US20020097330A1 (en) | Photosensor array using segmented charge transfer gates to improve processing time for small images | |
| JPH05207232A (ja) | 画像読取装置 | |
| JPH0354510B2 (ja) | ||
| JP3207544B2 (ja) | 画像読取装置 | |
| JP4101192B2 (ja) | 画像読取装置及び画像処理装置 | |
| JP2506643B2 (ja) | 前歴補正読取装置 | |
| JP3105936B2 (ja) | 画像読取装置 | |
| JPH05191575A (ja) | 画像読取装置 | |
| JP2888627B2 (ja) | 画像読み取り装置 | |
| JP2001217990A (ja) | 画像読み取り装置及び画像読み取り方法 | |
| JP3548320B2 (ja) | 画像読取り装置 | |
| JPH096945A (ja) | 画像読み取り装置 | |
| JP3459586B2 (ja) | スキャナ装置 | |
| JP3217834B2 (ja) | 画像読取装置 | |
| JPS62172862A (ja) | イメ−ジセンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071214 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081214 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |