JP3392227B2 - Jベンド型半導体パッケージの外観検査方法及びその装置 - Google Patents

Jベンド型半導体パッケージの外観検査方法及びその装置

Info

Publication number
JP3392227B2
JP3392227B2 JP19537094A JP19537094A JP3392227B2 JP 3392227 B2 JP3392227 B2 JP 3392227B2 JP 19537094 A JP19537094 A JP 19537094A JP 19537094 A JP19537094 A JP 19537094A JP 3392227 B2 JP3392227 B2 JP 3392227B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
semiconductor package
image
row
image data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP19537094A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0861931A (ja
Inventor
哲也 白川
正康 赤岩
隆史 岡部
貴史 古谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP19537094A priority Critical patent/JP3392227B2/ja
Publication of JPH0861931A publication Critical patent/JPH0861931A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3392227B2 publication Critical patent/JP3392227B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Image Analysis (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ICパッケージあるい
はそれに類似する電子部品等から突出したリードの外観
を検査するパッケージの外観検査方法及びその装置に係
り、特に、周囲に各列毎に突設されたリードとして、J
字型に形成されたJベンド型半導体パッケージの良否を
検査するのに好適なものに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体パッケージのリード形状を検査し
たり、リード表面を検査したりする第一の従来技術とし
ては、そのリードを撮像して2値化し、その2値化した
白黒画像により検査することが主に行われている。その
ような場合、リードの先端部である実装面が、一様に平
面をなすガルウィング型形状をなしている。また、他の
従来技術として、特開平4−75680号公報に記載さ
れた技術のものがある。この技術のものは、半導体の良
否を判定する際、半導体の各リードのうち、不良品であ
る半導体のリードの幾つかを切断しておき、その切断さ
れたリードを検出することにより、半導体が不良品であ
ることを判定するようにしたものもある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記に示す
第一の従来技術のものは、リードの実装面が一様の平面
をなすガルウィング型形状をなしており、リードの検査
時、該リードを照明手段で照明すると、リードの先端及
びその根本部分の濃淡のエッジがはっきりするので、2
値化画像を利用して検査を良好に行うことができるもの
の、リードがJ字型に形成されたJベンド型のものに適
用することができない問題がある。即ち、リードの実装
面がJベンド型をなすICでは、照明手段で照射したと
き、リード実装面のエッジがはっきりせず、また表面の
明るさも一様でないため、リードを高精度で検査するこ
とができない問題があった。また、他の従来技術のもの
は、半導体の良否を判定する際、前述の如く不良品であ
る半導体のリードを切断しておき、その切断されたリー
ドを検出することにより、半導体が不良品であることを
判定するようにしたものであり、リードが変形したり位
置ずれが起きたりするのを検査するものではない。
【0004】本発明の目的は、上記従来技術の問題点に
鑑み、Jベンド型のリードを有する半導体でも、該リー
ドの変形や位置ずれを高精度に検査することができるJ
ベンド型半導体パッケージの外観検査方法を提供するこ
とにあり、他の目的は、上記方法を的確に実施し得るJ
ベンド型半導体パッケージの外観検査装置を提供するこ
とにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、周囲若しくは
両側部に夫々配列され、かつ先端部が各列毎にJ型形状
をなすリードを有する半導体パッケージの外観検査方法
であって、所定の検査位置に載置された半導体パッケー
ジを照明したとき、該照明された半導体パッケージのリ
ードを撮像し、その撮像した夫々の列における各リード
のJ型先端部の画像データのうち、該画像データの最も
明るい領域を予め設定された基準位置と比較し、その最
も明るい領域と基準位置とのずれ量を求め、求めたずれ
量のうち、夫々の列においてずれ量が最大となるものを
選び出し、選び出した最大ずれ量の大小を比較してリー
ドの良否を判定することを特徴とする。
【0006】また本発明は、所定の検査位置に載置され
た半導体パッケージを照明する照明手段と、該照明手段
によって照明された半導体パッケージのリードを撮像す
る撮像手段と、撮像手段によって撮像した夫々の列にお
ける各リードのJ型先端部の画像データに基づいてリー
ドの良否を判定する画像処理手段とを備え、かつ該画像
処理手段は、前記夫々の列における各リードのJ型先端
部の画像データのうち、該画像データの最も明るい領域
を予め設定された基準位置と比較し、その最も明るい領
域と基準位置とのずれ量を求め、求めたずれ量のうち、
夫々の列においてずれ量が最大となるものを選び出し、
選び出した最大ずれ量の大小を比較してリードの良否を
判定することずれ検出部を有することを特徴とする。
【0007】
【作用】本発明方法では、上述の如く、所定の検査位置
に載置された半導体パッケージを照明したとき、該照明
された半導体パッケージのリードを撮像し、その撮像し
た夫々の列における各リードのJ型先端部の画像データ
のうち、該画像データの最も明るい領域を予め設定され
た基準位置と比較し、その最も明るい領域と基準位置と
のずれ量を求め、求めたずれ量のうち、夫々の列におい
てずれ量が最大となるものを選び出し、選び出した最大
ずれ量の大小を比較してリードの良否を判定するので、
J型のリードを有する半導体パッケージであっても、リ
ードの変形や位置ずれを高精度に検査することができ
る。
【0008】本発明装置では、上述の如く、所定の検査
位置に載置された半導体パッケージを照明する照明手段
と、該照明手段によって照明された半導体パッケージの
リードを撮像する撮像手段と、撮像手段によって撮像し
た夫々の列における各リードのJ型先端部の画像データ
に基づいてリードの良否を判定する画像処理手段とを備
え、かつ該画像処理手段は、前記夫々の列における各リ
ードのJ型先端部の画像データのうち、該画像データの
最も明るい領域を予め設定された基準位置と比較し、そ
の最も明るい領域と基準位置とのずれ量を求め、求めた
ずれ量のうち、夫々の列においてずれ量が最大となるも
のを選び出し、選び出した最大ずれ量の大小を比較して
リードの良否を判定するずれ検出部を有して構成したの
で、上記方法を的確に実施し得る。
【0009】
【実施例】以下、本発明の実施例を図1乃至図13によ
り説明する。図1乃至図13は本発明方法を実施するた
めのJベンド型半導体パッケージの外観不良検査装置の
一実施例を示している。図1(a)及び(b)におい
て、1は被検査対象である半導体パッケージであり、2
a〜2dは該半導体パッケージ1に突設されたリードで
ある。各リード2a〜2dは半導体パッケージ1の周囲
に配列されており、その先端部(実装面)がJ字状のい
わゆるJベンド型をなしている。3は半導体パッケージ
1を照明するための照明装置であり、図示の如く半導体
パッケージ1がリード2a〜2dを上に配置させた状態
で検査位置に搭載して検査する時、その各リード2a〜
2dに対し環状の照明器具で一様に照明するように構成
している。4は照明された半導体パッケージ1と対向す
る位置に配置された撮像カメラであり、暗い部分でも的
確に映し出せるよう、明暗比の大きなものを撮像し得る
のが好ましいことから、高解像度のものが望ましい。5
は撮像カメラ4によって撮像された画像を処理用の信号
に変換する変換手段、6は変換された撮像データを記録
するメモリ、7はメモリ6から取り出された撮像データ
に基づき半導体パッケージ1のリード2a〜2dを各列
毎に検査する画像処理手段であり、該画像処理手段7が
その検査結果を信号9として図示しない下位手段に送信
する。
【0010】ところで、Jベンド型半導体パッケージ1
では、そのリード2a,2bの実装面の形状が曲面であ
り、照明装置3からの光軸8a〜8cのうち、光軸8b
はリード実装面の中央部分(曲面部分)に当たると、そ
の光が8b′として反射し、撮像カメラ4に入射するの
で、その部分では画像濃度が明るくなる。しかし、光軸
8a及び8cはリード実装面の中央部分の両端部に当た
ると、その光が図1(a)に示す矢印8a′及び8c′
の如く側方に反射するので、その部分では撮像カメラ4
で撮像したときに画像濃度が暗くなる。従って、撮像カ
メラ4で撮像すると、半導体パッケージ1の撮像データ
は、図2に示す如くなる。即ち、メモリ6に取り込まれ
た撮像データは、各リードの画像12の実装面において
中央部分13bが明るくなり、その両端部13a,13
cがハッチングにて示すように中央部分13bより暗く
なる。なお図2において、符号11は半導体パッケージ
1のモールド部の画像データであり、10は画像の輪郭
を表している。
【0011】そこで、本発明において、画像処理手段7
が、半導体パッケージ1の撮像データのうち、リードの
明るい部分の撮像データを採り、その明るい部分の撮像
データの位置を基準位置14と比較することにより、各
リードの位置ずれ(或いは曲がり)を検査するずれ検出
部7Aを有している。具体的に述べると、画像処理手段
7のずれ検出部7Aは、図3に拡大して示すように、半
導体パッケージ1の全体位置及び傾きに基づいて基準位
置14を予め設定しており、その基準位置14に対し、
一方の列における各リード画像12a〜12dのうち、
リード画像12bの中央部分13bと両端部13a・1
3bとがどのような位置関係になっているかを判定す
る。この場合、ずれ量検出部7Aは図4に示すように、
リード画像12a〜13dの濃度を夫々とり、夫々の濃
度が基準位置14に対しどのようにずれている、或いは
曲がっているかを判定する。図4は、図3における各リ
ード画像12a〜12dの中心線15a〜15d上にお
ける画像濃度の分布を示し、横軸は基準位置14に対す
る各リード画像の左右方向の位置を、縦軸はその位置に
対する明るさを夫々表している。なお図4において、符
号16a〜16dは、図3の各リード画像12a〜12
dに対応する濃度グラフを表している。
【0012】そして、図5に示すように、例えば濃度分
布のグラフ16aを基準とし、他のグラフ16b〜16
dを左右にシフトさせることによって夫々のグラフ17
b〜17dを作成すると共に、該夫々のグラフ17b〜
17dのうち、夫々の最も明るさの小さい最小点18b
〜18dの位置が、シフト量0の位置19からどれくら
い離れているかを求める。図5グラフ17b,17dの
最小点18b,18dは、位置19からの距離が許容範
囲であるが、グラフ17cの最小点18cは位置19か
らの距離が許容範囲を著しく大きく超えており、これに
より、グラフ17cである半導体パッケージ1の一方の
リード12cが、他のリード12a,b,12dに比較
し、位置ずれが起きていることを検出する。従って、画
像処理手段7は、半導体パッケージ1の各リード2a〜
2dを照明したとき、そのリード先端部のリード画像1
2を撮像し、その撮像したリード画像12の最も明るい
領域としての中央部分13a〜13dを基準位置14と
比較し、その位置ずれ(或いは曲がり)がどの程度かを
判定することにより、各リード2a〜2dの良否を検査
するように構成している。
【0013】また前記画像処理手段7は、一列に存在す
るリードの先端部にごみのような異物が存在したとき、
その付着した異物のうちで最も大きい異物の大きさを検
出する異物検出部7Bを有している。該異物検出部7B
は、一列に存在する偶数本のリードのうち、夫々予め定
めた2本ずつのリードの画像濃度を順次比較し、その夫
々比較した2本ずつのリードの中で、最も大きい方の異
物の面積(大きさ)を検出できるように構成し、しかも
その際、位置ずれが起きているリードと比較していても
確実に異物の大きさを検出できるようにしている。例え
ば、異物検出部7Bは、一列において比較すべき2つの
リードのなかで、一方のリードに異物が付着すると共
に、そのリードに位置ずれが起きていた場合、これを撮
像したときのリード画像12eは、異物付着部分の画像
濃度が暗くなるので、図7(a)に示すように、中央部
分の明るい部分に異物による暗い部分20が存在するこ
ととなり、その結果、画像処理手段7がメモリ6から取
り込んだリード濃度21eは、図8に示すように、明る
い部分である中央部分の途中位置に暗い部分21e′が
生じる。また、上記リード画像12eと比較すべき他方
のリード画像12fが位置ずれを起こしていると、その
リード濃度21fが図8に示すようになり、従って、一
方のリード画像21eと他方のリード画像21fとが左
右にずれた形態となる。このような場合、異物検出部7
Bは、所定のアルゴリズムによって双方のリード画像の
ずれ量を補正し、図9に示すようにリード画像21eと
21fとを互いに重ね合わせ、重ね合わせた双方のリー
ド画像から暗い部分22を、図10に示すように差分2
3として取り出し、取り出された暗い部分22の大きさ
を図10に示すように、濃度しきい値24に基づいて比
較することにより、暗い部分22の大きさを求め、求め
た大きさにより異物付着による良否を判定するように構
成している。
【0014】次に、画像処理手段7の処理動作を図6の
フローに従い詳細に説明する。検査時、撮像カメラ4に
よって半導体パッケージ1のを撮像すると、その撮像デ
ータが変換手段5を介してメモリ6に記録され、記録さ
れた撮像データに基づき画像処理手段7が検査する。そ
の場合、画像処理手段7は、リード画像から各列毎にリ
ード画像の濃度を順次チェックすることとなる。その場
合、各列においては複数のリード画像の中から、まず、
比較しようとするA,Bからなる2本のリードを予め設
定されたプログラムに従い一組のペアとして決め(ステ
ップ61)、その決めたペア(2本)のリードの濃度デ
ータを、予め用意した1次元配列A[],B[]に夫々
格納する(ステップ62〜64)。例えば、図3におい
て、一方のリード画像12aと他方のリード画像12d
とを選定したとすれば、それらリード画像12a,12
dにおける中心線15a,15d上の明るさ(濃度デー
タ)を、該リードの左から右の順に数値で表して配列す
る。これは、リード2a,2bは幅と長さをもった面で
あり、その面上の明るさの分布をデータとしてとるには
2次元の配列が必要になるが、本例ではリードの長さ方
向のずれ量を求めるだけであるので、1次元配列で済
む。その後、最小値を探し出すため、A配列,B配列の
データからローカルな変数(ここではMIN)に、その
データで扱うことが可能な数の中で一番大きな数として
の最大数を入れると共に、何番目かを表す番号(ここで
はP)を0にした後(ステップ65)、ステップ66〜
74までを所定の回数に達するまで繰り返し行うことに
より、一方のリードと他方のリードとのずれ量を決定す
る。そして、1,2,3…と順番に見ていき、n番目の
データがMINよりも小さいとき、Pにnを入れ、それ
と同時にMINにはそのn番目のデータを入れ、その後
さらに小さいデータが表れたときは、再びPとMINを
更新することとなるが、n番目が最小だったときはn
と、その値MINが最後まで更新しない。具体的に述べ
ると、リード画像データの左右方向の位置として、「0
123456789」と規定し、 またAのリードの画像濃度が 「0000377200」とし、 Bのリードの画像濃度が 「0028630000」とした場 合、これらAとBとの差 「0028347200」を求め、 また位置毎の差の合計を、即ち0番目から9番目までの
差の合計「2+8+3+4+7+2=26」を求める。
次に、Aのリードの画像濃度に対し、Bのリードの画像
濃度のデータを一桁だけ左にずらして「0286300
000」とし、上記と同様にしてその差を求めると共
に、位置毎の差の合計を求める。即ち、 Aのリードの画像濃度 「0000377200」、 Bのリードの画像濃度 「0286300000」、 AとBとの差 「0286077200」、 0番目から9番目までの差の合計 「2+8+6+7+7+2=32」 さらに、Aのリードの画像濃度に対し、Bのリードの画
像濃度のデータを一桁だけ右にずらして「000286
3000」とし、これを同様にしてその差を求めると共
に、位置毎の差の合計を求める。即ち、 Aのリードの画像濃度 「0000377200」、 Bのリードの画像濃度 「0002863000」、 AとBとの差 「0002514200」、 0番目から9番目までの差の合計 「2+5+1+4+2=14」 また、Aのリードの画像濃度 「0000377200」、 Bを右に2桁ずらした画像濃度 「0000286300」、 AとBとの差 「0000111100」、 0番目から9番目までの差の合計 「1+1+1+1=4」、 またさらに、Aのリードの画像濃度 「0000377200」、 Bを右に3桁ずらした画像濃度 「0000028630」、 AとBとの差 「0000351430」、 0番目から9番目までの差の合計 「3+5+1+4+3=16」 これにより、Bのリードをずらした量と差の合計との関
係は、 Bをずらした量 → 左1 0 右1 右2 右3 差の合計 → 32 26 14 4 16 となり、従って、この場合の差の合計が最小になる点と
しては、右に2桁ずれたとき、4の最小値となることが
わかる。このようにして二つのリードの画像濃度を比較
してそれらの最小点のシフト量を求め、これを繰り返す
ことによって全てのリード最小点のシフト量を求める
と、次は、2本のリード上の異物があるかないかを判定
するため、図11に示す処理内容を行う。
【0015】即ち、比較すべきA,Bからなる2本のリ
ード画像の位置を合わせた後(ステップ111)、A,
B双方のリードの同じ位置での明るさが一方に比べて他
方がある値以上に暗い部分(大きさ)を求めるため、変
数Tをクリアすると共に、ローカル変数THに予め設定
されたしきい値を代入し(ステップ112)、次いで、
A,Bのうち、一方のリード上の左右方向の位置である
X点,上下方向の位置であるY点の濃度をローカル変数
Laに代入し(ステップ113)、またA,Bのうちの
他方のリード上においてもステップ113とほぼ同様の
処理を行う(ステップ114)。但しこの場合、左右方
向として、図6の処理で求めたBリードの左右のずれ量
Pを補正するため、左右方向の位置としてX−P点を代
入する。これは図8から図9への移行を示す。その後、
A,Bリードの相対する2点の明るさを比較し、Aより
Bが暗くかつその差(濃度)がTHより大きいか否かを
チェックし、或いはBよりAが暗くかつその差がTHよ
り大きいか否かをチェックする(ステップ115)。そ
の結果、何れか一方が他方より暗くかつその差がTHよ
り大きいと、YESとなり、Tを加算してインクリメン
トし(ステップ116)、その後、Y方向ループ及びX
方向ループがエンドになるまで、チェックする(ステッ
プ117,118)。また、その逆に何れか一方が他方
より暗くかつその差がTHより小さくとも、次のステッ
プ117以降の処理を上記と同様に行う。図6では、リ
ードの左右位置を比較するため、上下方向のデータが不
要なので、平均してX方向のみのループにしたが、この
異物の検査では、リード上の全ての面での比較が必要な
ので、上下(Y)方向を加えた二重ループとなってい
る。従って、X方向及びY方向のループが全て回ると、
Tに対し差がしきい値THより大きい部分の画素数の合
計(=面積)が求まり、これにより、しきい値THより
大きいものだけを、異物による不良品として判定するこ
ととなる。
【0016】次に、半導体パッケージ1の各列のリード
2a〜2dのうち、一方の列における複数のリードの中
からずれ量Pが最大となるリード番号とそのずれ量,及
び異物が最大となるリードの番号とその異物の大きさを
特定するまでの処理について述べる。まず、最大ずれ量
PMAX及び最大異物をクリアし(ステップ121)、
検査すべき列に存在する全ての本数を格納する(ステッ
プ122)。次いで、その列の全てのリードのうち、一
方のリードの番号Naを1とし(ステップ123)、他
方のリードの番号をEとする(ステップ124)。これ
は、実施例では、検査すべき列に10本のリードが存在
する場合、1番目のリードと10番目のリードを代入す
る。そして、1番目のリードと10番目のリードとの間
で、図11のアルゴリズムによってずれ量Pと異物の大
きさTを求め(ステップ125)、その求めたずれ量P
の絶対値をとり(ステップ126)、そのずれ量をステ
ップ121でクリアしたずれ量の最大値より大きいか否
かを比較し(ステップ127)、その結果、YESなら
ば、そのずれ量Pと双方のリード番号Na,Nbをメモ
リ1に格納する(ステップ128)。但し、この時点で
は、どのリード番号のものがどの番号に対しずれている
のか不明である。なお、ステップ127の処理結果、N
Oであると、次に述べるステップ129の処理を行う。
ステップ129では、ステップ125によって求めた異
物の大きさTを同様にして最大値より大きいか否かを比
較し、その結果、YESならば、その異物の大きさTと
双方のリード番号Na,Nbをメモリ2に格納した後
(ステップ130)、ステップ131の処理を行う。ま
たステップ129の結果、NOであると、一方のリード
番号Naをインクリメントすると共に、他方のリード番
号Nbをデクリメントする処理、即ち、Naが1番目で
Nbが10番目の場合には、Naを2番目とすると共
に、Nbを9番目とする。これは実施例では、一つの列
においてペアとなるリードを選定する場合、1番目と1
0番目からなるリードのペアの後、2番目と9番目から
なるリードのペア,3番と8番目からなるリードのペ
ア,4番目と7番目からなるリードのペア,5番目と6
番目からなるリードのペアを夫々比較するためである。
そして、Eの半分繰り返したか否かがチェックされ(ス
テップ132)、繰り返していないと、次には2番目と
9番目とのリード間でステップ125以降の処理が繰り
返し実行され、その後3番目の8番目のリード間で、さ
らに4番目と7番目のリード間で、最後に5番目と6番
目のリード間で、夫々ステップ125以降の処理を同様
に順次行うことにより、一つの列における最大ずれ量を
もつリードのペアと、最大異物をもつリードのペアを特
定することとなる。
【0017】このようにして1番目と10番目のリード
間,2番目と9番目のリード間,3番目と8番目のリー
ド間,4番目と7番目のリード間,5番目と6番目のリ
ード間で、ずれ量P及び異物の大きさTが最大となる夫
々のペアを求めると、画像処理手段7は、図13に示す
フローによりその最大ずれ量P及び最大異物の大きさT
をもつリードを特定する。具体的に述べると、図13に
おいて、図12で求めたずれ量Pが最大となるペアの番
号のもの、Na,Nbをメモリ1から取り出し(ステッ
プ141)、そのNaの番号のものが、一列におけるリ
ード本数の半分以下のものかそれ以上のものかをチェッ
クする(ステップ142)。その結果、Naが一列にお
けるリード本数の半分以下の番号の場合には、ステップ
143〜146の処理を行い、またNaが一列における
リード本数の半分を超える番号の場合にはステップ14
7〜150の処理を行う。例えば、Naが1番目から5
番目のまでのものの場合には、Na番とNa+1番とを
選び、これを図6に示すステップ62以降の処理を実行
することによってずれ量Pを求め(ステップ143)、
その求めたずれ量をPAとし(ステップ144)、次い
でNa番とペアとなっているNb番と、Nb−1番とを
選び、これらのずれ量Pを同様にして求め(ステップ1
45)、その求めたずれ量をPBとする(ステップ14
6)。一方、Naが6番から10番目のもでのものの場
合には、Na番とNa−1番とを選び、これを上記と同
様に図6に示すステップ62以降の処理を実行すること
によってずれ量Pを求め(ステップ147)、その求め
たずれ量をPAとし(ステップ148)、ついでNa番
とペアとなっているNb番と、Nb+1番とを選び、こ
れらのずれ量Pを同様にして求め(ステップ149)、
求めたずれ量PをPBとする(ステップ150)。即
ち、ステップ142において、Naが1番から5番まで
の間のものであれば、その番号のものとこれに1を加え
た番号のものとを比較し、Naが6から10番までの間
のものであれば、その番号とものとこれから1を引いた
番号のものとを比較する。従って、例えば、Na=2,
Nb=9となるペアのものであれば、2番目のリードと
これに1を加えた3番目のリードとを比較すると共に、
9番目のリードとこれに1を引いた8番目のリードとを
比較し、Na=6,Nb=5のペアのものであれば、6
番と5番とを比較すると共に、7番と4番とを比較し、
そのずれ量を共に求める。このようにすることにより、
図12で処理した場合と異なるペア同士で比較すること
となる。
【0018】その後、ずれ量PAとPBとの大小を比較
し(ステップ151)、その大きい方のずれ量をNpと
して、ずれ量最大のリードを一本に絞る(ステップ15
2)。従って、例えば、最初の候補のペアが2番と9番
のリードで、上記処理により2番,3番の差よりも8
番,9番の差が大きいと、9番のリードをずれ量の最大
と特定する。次いで、最大となるずれ量を曲がり判定値
と比較し(ステップ154)、その結果、該判定値より
大きいと、そのずれ量を欠陥とし、リード曲がり不良と
みなすことにより、その曲がり量(ずれ量)とリード番
号,不良発生フラグをグローバル変数エリアに格納す
る。これは、一つの列において、ずれ量が最大となるも
のを一つ選び出し、そのずれ量が判定値より大きいかを
チェックすれば、リード本数に拘わらず、リードが不良
品であることをを判定できるためであり、判定値を超え
る位の大きなずれ量のリードが複数あっても、それらを
個別にチェックする必要がなく、かなり合理的なチェッ
クとなる。
【0019】その後、次のようにして異物を特定する処
理を実行することとなる。即ち、メモリ2から求めた異
物が最大となるリードのペア番号Na,Nbを取り出
し、その取り出したペア番号のうち、Naを上述したず
れ量の場合と同様に処理することにより(ステップ16
2〜174)、異物の大きさが最大となる番号を特定す
ると共に、その異物の大きさを面積判定値と比較し、そ
の結果、異物が面積判定値とより大きいと、その大きさ
とリード番号,不良発生フラグをグローバル変数エリア
に格納して終了する。この場合もずれ量のときと同様で
あって、異物最大となるものを一つ選び、その大きさを
チェックすれば、一つの列においてリード不良品か否か
を判定することができる。
【0020】このように、本発明方法においては、半導
体パッケージ1の周囲に配列されたリード2a〜2dの
うち、一つの列において、ずれ量が最大となるものを判
定値と比較し、以後その処理を他の列のリードにおいて
も同様に順次行うことにより、リードが良品か否かを判
定するので、リード2a〜2データの先端部がJ型形状
であっても、該リードの変形や位置ずれを高精度に検査
することができる。しかも、異物の大きさも同様に比較
するので、異物付着によるリードの不良品をも確実に検
査することができる。従って、J型リードであっても、
リードの外観検査としての性能を高めることができる。
【0021】また本発明装置では、所定の検査位置に載
置された半導体パッケージ1を照明する照明装置3と、
該照明装置3によって照明された半導体パッケージ1の
リード2a〜2dを撮像する撮像カメラ4と、撮像カメ
ラ4によって撮像した夫々の列における各リード2a〜
2dの先端部の画像データに基づいてリードの良否を判
定する画像処理手段7とを備え、かつ該画像処理手段7
は、前記夫々の列における各リードのJ型先端部の画像
データのうち、該画像データの最も明るい領域を予め設
定された基準位置と比較し、その最も明るい領域と基準
位置とのずれ量を求め、求めたずれ量のうち、夫々の列
においてずれ量が最大となるものを選び出し、選び出し
た最大ずれ量の大小を比較してリードの良否を判定する
ことずれ検出部を有して構成したので、上記方法を的確
に実施し得る。しかも、本発明装置では、画像処理手段
7がリード2a〜2dに付着した異物の大きさを濃度デ
ータとして求め、該濃度データのうち、夫々の列におい
て濃度データの大きさが最大となるものを選び出し、選
び出した最大濃度データの大小を比較してリードの良否
を判定する異物検出部を有しているので、異物付着によ
るリード不良品の検査を的確に実施し得る。
【0022】なお図示実施例では、リードの曲がりをチ
ェックした後、リードに付着した異物の大きさをチェッ
クした例を示したが、少なくともリード曲がりのチェッ
クと異物のチェックとの何れか一方のチェックがあれ
ば、リードの外観検査を行うことができる。また、ペア
を選定する際、図12の如く一つの列にリードが10本
のように偶数本存在する場合について述べた例を示した
が、奇数本存在する場合には最後のペアとして、残り一
本のリードの画像データと、それまでにチェックした同
列位置の何れか一本のリードの画像データとを選定する
ことにより行えば、リードが奇数本数存在する場合にも
確実に適用することができる。また、ペアを選定する場
合、1番目と10番目のリード間、2番目と9番目のリ
ード間で、3番目と8番目のリード間,…の組合せとし
た例を示したが、要は一列に存在する全てのリードの画
像データをチェックできれば良いので、上述した組合せ
に拘る必要はない。さらにリード2a〜2dが半導体パ
ッケージ1の周囲に配列された例を示したが、該パッケ
ージの両側部にリードが配列されているものにも適用す
ることができるのは勿論である。
【0023】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の請求項1に
よれば、所定の検査位置に載置された半導体パッケージ
を照明したとき、該照明された半導体パッケージのリー
ドを撮像し、その撮像した夫々の列における各リードの
J型先端部の画像データのうち、該画像データの最も明
るい領域を予め設定された基準位置と比較し、その最も
明るい領域と基準位置とのずれ量を求め、求めたずれ量
のうち、夫々の列においてずれ量が最大となるものを選
び出し、選び出した最大ずれ量の大小を比較してリード
の良否を判定するので、J型のリードを有する半導体パ
ッケージであっても、リードの変形や位置ずれを高精度
に検査することができる。また請求項2によれば、請求
項1に加え、前記画像データの最も明るい領域に異物等
の存在によって発生しかつ暗い部分の面積をなす濃度デ
ータを取り出すと共に、取り出した濃度データのうち、
夫々の列において濃度データの大きさが最大となるもの
を選び出し、選び出した最大濃度データの大小を比較し
てリードの良否を判定するので、異物付着によるリード
不良品を確実に検査することができる結果、J型リード
の外観検査としての性能を高め得る効果がある。
【0024】そして、請求項3によれば、所定の検査位
置に載置された半導体パッケージを照明する照明手段
と、該照明手段によって照明された半導体パッケージの
リードを撮像する撮像手段と、撮像手段によって撮像し
た夫々の列における各リードのJ型先端部の画像データ
に基づいてリードの良否を判定する画像処理手段とを備
え、かつ該画像処理手段は、前記夫々の列における各リ
ードのJ型先端部の画像データのうち、該画像データの
最も明るい領域を予め設定された基準位置と比較し、そ
の最も明るい領域と基準位置とのずれ量を求め、求めた
ずれ量のうち、夫々の列においてずれ量が最大となるも
のを選び出し、選び出した最大ずれ量の大小を比較して
リードの良否を判定することずれ検出部を有して構成し
たので、上記請求項1の方法を的確に実施し得る効果が
ある。また請求項4によれば、画像処理手段がに付着し
た異物の大きさを濃度データとして求め、該濃度データ
のうち、夫々の列において濃度データの大きさが最大と
なるものを選び出し、選び出した最大濃度データの大小
を比較してリードの良否を判定する異物検出部を有して
いるので、請求項2の方法を的確に実施し得る効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明方法を実施するためのJベンド型半導体
パッケージの外観不良検査装置の一実施例を示す全体構
成図(a),Jベンド型半導体パッケージを示す平面図
(b)。
【図2】Jベンド型半導体パッケージを撮像したメモリ
の撮像データを示す説明図。
【図3】一列に存在する良品リードと位置ずれが発生す
る不良品リードとを示す撮像データの説明図。
【図4】一列に存在する各リード画像の中心線上におけ
る画像濃度の分布を示す説明図。
【図5】図4に示す各リード画像濃度を左右にシフトさ
せたときの差分を示す説明図。
【図6】画像処理手段によって相対的なずれ量を求める
処理動作を示すフローチャート。
【図7】一つの列に異物が付着したリードと位置ずれが
発生したリードとの画像データを示す拡大説明図。
【図8】異物が付着したリードと位置ずれが発生したリ
ードとの画像濃度を比較した説明図。
【図9】異物が付着したリードと位置ずれが発生したリ
ードとのずれ量を補正した画像濃度の説明図。
【図10】異物が付着したリードにおける異物だけの差
分を示す画像濃度の説明図。
【図11】画像処理手段によって異物の大きさを検出す
る処理動作を示すフローチャート。
【図12】一列に存在するリード間において、比較する
ために夫々のペアのリードを決定すると共に、ペア間に
おいて最大ずれ量と最大異物とが何れに存在するかを求
めるフローチャート。
【図13】一列に存在するリードの中からずれ量が最大
となるリードの番号を特定するフローチャート(a),
同じく異物最大となるリードの番号を特定するフローチ
ャート(b)。
【符号の説明】
1…半導体パッケージ、2a〜2d…リード、3…照明
装置、4…撮像カメラ、5…変換手段、6…メモリ、7
…画像処理手段、7A…ずれ検出部、7B…異物検出
部、13a,13c…各リードの先端部における暗い部
分の画像データ、13b…各リードの先端部における明
るい部分の画像データ、14…基準位置、20…リード
先端部の明るい部分に付着した異物の画像データ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 赤岩 正康 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社 日立製作所 生産技術研究所 内 (72)発明者 岡部 隆史 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社 日立製作所 生産技術研究所 内 (72)発明者 古谷 貴史 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社 日立画像情報システム内 (56)参考文献 特開 平5−243350(JP,A) 特開 平4−178543(JP,A) 特開 平3−206908(JP,A) 特開 平6−174437(JP,A) 特開 平7−229842(JP,A) 特開 平5−231835(JP,A) 特開 平6−42931(JP,A) 特開 平2−57905(JP,A) 特開 平6−102024(JP,A) 特開 平6−61700(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01B 11/24 H01L 21/66

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 周囲若しくは両側部に夫々配列され、か
    つ先端部が各列毎にJ型形状をなすリードを有する半導
    体パッケージの外観検査方法であって、所定の検査位置
    に載置された半導体パッケージを照明したとき、該照明
    された半導体パッケージのリードを撮像し、その撮像し
    た夫々の列における各リードのJ型先端部の画像データ
    のうち、該画像データの最も明るい領域を予め設定され
    た基準位置と比較し、その最も明るい領域と基準位置と
    のずれ量を求め、求めたずれ量のうち、夫々の列におい
    てずれ量が最大となるものを選び出し、選び出した最大
    ずれ量の大小を比較してリードの良否を判定することを
    特徴とするJベンド型半導体パッケージの外観検査方
    法。
  2. 【請求項2】 周囲若しくは両側部に夫々配列され、か
    つ先端部が各列毎にJ型形状をなすリードを有する半導
    体パッケージの外観検査方法であって、所定の検査位置
    に載置された半導体パッケージを照明したとき、該照明
    された半導体パッケージのリードを撮像し、その撮像し
    た夫々の列における各リードのJ型先端部の画像データ
    のうち、該画像データの最も明るい領域を予め設定され
    た基準位置と比較し、その最も明るい領域と基準位置と
    のずれ量を求める一方、前記画像データの最も明るい領
    域に異物等の存在によって発生しかつ暗い部分の面積を
    なす濃度データを取り出すと共に、取り出した濃度デー
    タのうち、夫々の列において濃度データの大きさが最大
    となるものを選び出し、選び出した最大濃度データの大
    小を比較してリードの良否を判定することを特徴とする
    Jベンド型半導体パッケージの外観検査方法。
  3. 【請求項3】 周囲若しくは両側部に夫々配列され、か
    つ先端部が各列毎にJ型形状をなすリードを有する半導
    体パッケージの外観検査装置であって、所定の検査位置
    に載置された半導体パッケージを照明する照明手段と、
    該照明手段によって照明された半導体パッケージのリー
    ドを撮像する撮像手段と、撮像手段によって撮像した夫
    々の列における各リードのJ型先端部の画像データに基
    づいてリードの良否を判定する画像処理手段とを備え、
    かつ該画像処理手段は、前記夫々の列における各リード
    のJ型先端部の画像データのうち、該画像データの最も
    明るい領域を予め設定された基準位置と比較し、その最
    も明るい領域と基準位置とのずれ量を求め、求めたずれ
    量のうち、夫々の列においてずれ量が最大となるものを
    選び出し、選び出した最大ずれ量の大小を比較してリー
    ドの良否を判定するずれ検出部を有することを特徴とす
    るJベンド型半導体パッケージの外観検査装置。
  4. 【請求項4】 周囲若しくは両側部に夫々配列され、か
    つ先端部が各列毎にJ型形状をなすリードを有する半導
    体パッケージの外観検査装置であって、所定の検査位置
    に載置された半導体パッケージを照明する照明手段と、
    該照明手段によって照明された半導体パッケージのリー
    ドを撮像する撮像手段と、撮像手段によって撮像した夫
    々の列における各リードのJ型先端部の画像データに基
    づいてリードの良否を判定する画像処理手段とを備え、
    かつ該画像処理手段は、前記夫々の列における各リード
    のJ型先端部の画像データのうち、該画像データの最も
    明るい領域を予め設定された基準位置と比較し、その最
    も明るい領域と基準位置とのずれ量を求めるずれ検出部
    と、前記画像データの最も明るい領域に異物等の存在に
    よって発生しかつ暗い部分の面積をなす濃度データを取
    り出すと共に、取り出した濃度データのうち、夫々の列
    において濃度データの大きさが最大となるものを選び出
    し、選び出した最大濃度データの大小を比較してリード
    の良否を判定する異物検出部とを有することを特徴とす
    るJベンド型半導体パッケージの外観検査装置。
JP19537094A 1994-08-19 1994-08-19 Jベンド型半導体パッケージの外観検査方法及びその装置 Expired - Fee Related JP3392227B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19537094A JP3392227B2 (ja) 1994-08-19 1994-08-19 Jベンド型半導体パッケージの外観検査方法及びその装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19537094A JP3392227B2 (ja) 1994-08-19 1994-08-19 Jベンド型半導体パッケージの外観検査方法及びその装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0861931A JPH0861931A (ja) 1996-03-08
JP3392227B2 true JP3392227B2 (ja) 2003-03-31

Family

ID=16340053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19537094A Expired - Fee Related JP3392227B2 (ja) 1994-08-19 1994-08-19 Jベンド型半導体パッケージの外観検査方法及びその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3392227B2 (ja)

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2680847B2 (ja) * 1988-08-12 1997-11-19 九州日本電気株式会社 Jリードicパッケージのリード平坦度検出機
JPH03206908A (ja) * 1990-01-10 1991-09-10 Matsushita Electron Corp 半導体装置のリード検査装置
JP3006075B2 (ja) * 1990-11-13 2000-02-07 松下電器産業株式会社 リードの長さばらつき検出方法およびリード先端部の半田の外観検査方法
JPH05243350A (ja) * 1991-04-12 1993-09-21 Hitachi Ltd 半導体装置のリード検査方法
JPH05231835A (ja) * 1992-02-20 1993-09-07 Hitachi Ltd 半導体装置の外観検査方法および外観検査装置
JPH0781845B2 (ja) * 1992-06-11 1995-09-06 株式会社ジャスト 電子部品のリード形状検査装置
JP2828840B2 (ja) * 1992-08-07 1998-11-25 三洋電機株式会社 部品認識装置
JPH06102024A (ja) * 1992-09-17 1994-04-12 Fujitsu Ltd ワイヤ検査装置及び検査方法
JPH06174437A (ja) * 1992-12-01 1994-06-24 Canon Inc ボンディングワイヤ検査装置
JP2715897B2 (ja) * 1994-02-21 1998-02-18 日本電気株式会社 Icの異物検査装置及び方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0861931A (ja) 1996-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5058178A (en) Method and apparatus for inspection of specular, three-dimensional features
US7248732B2 (en) Pattern inspection method and inspection apparatus
US7457455B2 (en) Pattern defect inspection method and apparatus
JP3051279B2 (ja) バンプ外観検査方法およびバンプ外観検査装置
US5537490A (en) Line image processing method
JP4711570B2 (ja) パターン検査方法及び検査装置
JP4230880B2 (ja) 欠陥検査方法
US20060110024A1 (en) Surface inspection method and apparatus
JP2003083908A (ja) 欠陥検査方法及びその装置
JP3173874B2 (ja) 外観検査装置
JPS61212708A (ja) 多層パターン欠陥検出方法及びその装置
JP3392227B2 (ja) Jベンド型半導体パッケージの外観検査方法及びその装置
JP2969011B2 (ja) はんだ付け状態の外観検査装置
JP3272998B2 (ja) バンプ高さ良否判定装置
JP2954332B2 (ja) 画像入力方法およびその装置
JP3032616B2 (ja) 外観検査方法及び装置
JP3189604B2 (ja) 検査方法および装置
JP3171949B2 (ja) ワイヤボンディング検査方法
JP2715897B2 (ja) Icの異物検査装置及び方法
JP2601232B2 (ja) Icリードずれ検査装置
JP3407603B2 (ja) ワイヤボンディングにおけるセカンドボンディング点の検査方法
JP4565334B2 (ja) 除外フィルターによる検査方法
JPH0666401B2 (ja) リ−ドフレ−ムの検査方法
JPH05332950A (ja) 欠陥検査装置
JPH10112469A (ja) ワイヤボンディング検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080124

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090124

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees