JPH06174437A - ボンディングワイヤ検査装置 - Google Patents

ボンディングワイヤ検査装置

Info

Publication number
JPH06174437A
JPH06174437A JP4321909A JP32190992A JPH06174437A JP H06174437 A JPH06174437 A JP H06174437A JP 4321909 A JP4321909 A JP 4321909A JP 32190992 A JP32190992 A JP 32190992A JP H06174437 A JPH06174437 A JP H06174437A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
bonding wire
image
processing
height
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4321909A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaki Kobayashi
正基 小林
Tetsushi Onuma
哲士 大沼
Nobumichi Kawahara
信途 川原
Masato Nagura
正人 名倉
Minokichi Ban
箕吉 伴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP4321909A priority Critical patent/JPH06174437A/ja
Publication of JPH06174437A publication Critical patent/JPH06174437A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/789Means for monitoring the connection process
    • H01L2224/78901Means for monitoring the connection process using a computer, e.g. fully- or semi-automatic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/859Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving monitoring, e.g. feedback loop

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ボンディングワイヤのループ形状を認識する
為の時間を短縮化する。 【構成】 照明系(3,4)からの光でワイヤ(1)を
落射照明し、ワイヤ1からの反射光を撮像装置2で受け
てワイヤ1のループのトップの光像(輝点)を撮る。コ
ンピューター(6)により、このトップの像に対応する
画像信号は、所定のウィンドウを設定することにより抽
出され、この抽出された画像信号の可動ステージ(5)
による撮像装置(2)の高さ位置の変化に伴う変化具合
から、ワイヤ1の高さを検出する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体のボンディング
ワイヤの形状検査を行なう装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ボンデイングワイヤの三次元形状を検査
する方法として、三次元的にワイヤのループ形状を検査
する装置が考えられる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この装
置では、ワイヤの三次元的ループ形状を認識するため
に、多量の測定点についてデータ処理を行なう必要があ
るため、処理時間がかかる。
【0004】また特にワイヤが傾斜している部分の検査
においては、処理範囲の設定を細分化しなければ、精度
が悪くなるので、さらに処理時間が増す。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決する為に、半導体リードフレーム上のボンディングさ
れたワイヤを上方から楽射照明する照明手段と、該照明
手段により照明されたワイヤを上方から撮像し、画像信
号を得る撮像手段と、該撮像手段により得た画像を処理
する処理手段と、該撮像手段の高さ位置を制御する制御
手段とを具備し、前記処理手段が、前記ボンディングワ
イヤの輝点に関する画像輝点処理用ウィンドウにより抽
出し、該輝点に関する画像信号からワイヤの高さを算出
する手段を有する。
【0006】本発明は、ボンディングワイヤの三次元形
状のうち、高さ方向の形状の認識をボンディングワイヤ
の最も高い位置(輝点が生じる位置)の高さに限定する
事により、認識処理時間が短縮できる様にしたものであ
る。
【0007】さらに、光源に落射照明を用い、ボンディ
ングワイヤの最も高い位置(トップ)の水平な部分から
垂直に反射された光をとらえる事により、容易にボンデ
ィングワイヤのトップ位置を認識でき、該水平な部分の
最適輝度変化を求める処理を行ない、高さを測定する事
により測定精度が向上する様にしたものである。
【0008】
【実施例】図1は、本発明の実施例を示す装置のブロッ
ク図であり、同図において、1は被検物であるところ
の、半導体リードフレーム上のボンディングワイヤ、2
は、光学顕微鏡等の結像系とCCDカメラ等の撮像系か
ら構成される撮像装置。3は、被検物1を落射照明をす
る光源を備える照明装置。4は、照明装置3からの光を
被検物1に垂直に入射させるためのハーフミラー。5
は、撮像装置2を、水平及び垂直方向にするためのX,
Y,Zステージ。6は、撮像装置2からの画像信号を処
理する画像処理装置。7は、システム全体の制御を行な
う中央制御装置。8は、中央制御装置7の結果表示を行
なう表示装置。9は、中央制御装置7に対して入力を行
なう入力装置である。
【0009】照明装置3から照射された照明光は、ハー
フミラー4を介して被検物1に対して垂直に入射する
(落射照明)。ボンディングワイヤ1は通常直径が数十
μmの金線あるいは、アルミ線であり、図2の様なルー
プ形状をしているので、撮像装置1の光軸に沿って落射
照明されるとボンディングワイヤの水平な部分すなわ
ち、ワイヤのトップの部分からの反射光が、被検物1の
上方に取り付けられた撮像装置2で高輝度で撮像され
る。撮像装置2で撮像された画像の信号は、画像処理装
置6で、演算処理される。一方、撮像装置2は、X,
Y,Zステージ5に取付けられており、その光軸方向の
高さを変える事によって、異なった焦平面の像を撮像
し、順次、画像処理装置6で演算処理し、ボンディング
ワイヤのループ高さを算出する。中央制御装置7からの
指令により、X,Y,Zステージ5を移動しながら、す
べてのボンディングワイヤに対して、高さを算出し、結
果を表示装置8に出力する。
【0010】次に、図3から図8を用いてボンディング
ワイヤ1のループ高さを算出する方法について詳細に説
明する。
【0011】図3は、落射照明を用いて、撮像された画
像の例である。同図において、落射照明を用いる事によ
り、ボンディングワイヤのトップの水平な部分が、輝度
が高く光って撮像され、それ以外のワイヤ部分は、落射
照明に於いては、照明光が散乱し、輝度が低く、暗く撮
像される。このボンディングワイヤの光っている部分
を、説明のため、以下輝点と呼ぶ。
【0012】図4は、被検物であるボンディングワイヤ
1と、撮像装置2との高さ関係を表わした図であり、同
図に於いて、F1〜F5は、撮像装置2の結像系のフォ
ーカス面を示しており、撮像装置を高さ方向に移動させ
ながら、F1〜F5の各フォーカス面での画像を撮像す
る。同図に於いては、説明のため、F1〜F5の5つの
フォーカス面としているが、3以上の任意のフォーカス
面を用いていれば良い事は、いうまでもない。但し、処
理速度と精度の両面を鑑みると、実用上5〜7のフォー
カス面が適当である。
【0013】本実施例においては、前述のF1〜F5の
各フォーカス面での画像を撮像して得られた画像信号
を、画像処理装置6内部の記憶装置に順次記憶してお
き、5画面分の画像信号を記憶してから、処理を開始す
る。該5画面分のフォーカス面の高さ間隔は、不等間隔
であっても良いが、処理を簡素化するため、等間隔であ
るものとし、説明する。
【0014】また、F1〜F5のフォーカス面は、入力
装置9を用いて、予め入力された設計上のボンディング
ワイヤの高さ位置に真中のフォーカス面すなわちF3が
合う様に中央制御装置7によって制御される。
【0015】初めに、該画像処理装置6に記憶された5
画面分の画像から、ワイヤの輝点を見つける。具体的に
は、画像処理装置6に対して、輝点の予想される撮像面
上の位置に処理用のウィンドウを設け、ウィンドウ内
で、周辺が暗く中心部の明るい形状を抽出する。
【0016】本実施例においては、高さ方向の精度向上
のため、焦点深度の浅い結像系を用いた撮像装置2であ
るため、F1〜F5のすべての画像上で、輝点が見つか
るわけではない。
【0017】従って、撮像の順序を限定するものではな
いが例えばF3→F4→F2→F5→F1の様な中央か
ら外側に向う順番で、輝点を捜して行き、輝点を見つけ
た時点で、該輝点を見つける処理を終了する。
【0018】次に、見つかった輝点に対し、図5に示す
様な処理用ウィンドウを設ける。該ウィンドウのサイズ
は、撮像装置2の結像系の倍率や画像処理装置6の処理
ピクセル数等によって異なるが、本実施例では、例え
ば、3×5ビクセルの処理用ウィンドウを設ける。
【0019】さて、該処理用ウィンドウ内の各ピクセル
において、F1〜F5のフォーカス面における輝度変化
を図6に示す。図6におけるP11等は、図5における
処理用ウィンドウの各ピクセルに対応した表記となって
いる。
【0020】次に図6に示した各ピクセルの輝度変化の
中から、最適な輝度変化を示すピクセルを抽出する。該
抽出方法は、以下の3点の考えに基づいている。 輝度の高いピクセルが最適ピクセルである。 輝度変化の大きいピクセルが最適ピクセルである。 各輝度変化の最大輝度が、中間つまり、F2〜F4に
存在するピクセルが最適ピクセルである。
【0021】以上の考えに基づき本実施例における具体
的な抽出方法について、以下に示す。
【0022】図6に於ける各ピクセルの輝度変化から、
最大輝度を算出する。同図に於いては、P22−F3,
P23−F3.P24−F3,P25−F3が該最大輝
度を示し、輝度をImaxと定義する。
【0023】次に、例えば、Imax×90%の輝度を含
むピクセルを抽出する。ここで示す90%という数値
は、予め、入力装置9から、設定されている値であり、
90%に限定するものではない。
【0024】上記演算によって、P21,P22,P2
3,P24,P25の5ピクセルが抽出される。
【0025】次に、上記5ピクセルに対し、F1〜F5
の各フォーカス面毎の輝度の差すなわち変化量を算出す
る。
【0026】図7に該輝度の変化量を示す。ここで、例
えば、Imax×20%以上の変化量を持つピクセルを抽
出する。
【0027】ここで示す20%という値は、予め入力装
置9から設定される値であり、20%に限定するもので
はない。
【0028】次に、P21,P25について、極大点を
含んでいるかを演算する。この場合、P21,P25共
に極大点を含んでいる。
【0029】最後に、最適ピクセルの抽出であるが、次
の2つの方法が考えられる。 (A)最大輝度の高いピクセル (B)輝度変化の大きいピクセル 図6、図7に示した例では、(A)の方法では、P25
が最適ピクセルとして抽出され、(B)の方法では、P
21が最適ピクセルとして抽出される。
【0030】上記抽出されたピクセルの輝度変化から、
高さを算出する。高さを算出する方法は、各測定輝度
を、例えば、2次曲線で近似し、その極大点を算出する
事によって求める。
【0031】本実施例においては、最大輝度を真中に含
む3点、つまり、例えばP21−F2,P21−F3,
P21−F4に、2次曲線を当てはめ、その極大点を算
出している。いずれにせよ、ワイヤのトップの高さが例
えば、F3+a×(F4−F3)(0≦a<1)という
形式で求められる。各フォーカス面F1〜F5の高さ
は、中央制御装置7で、既知である。そして、予めオー
トフォーカス技術等を用いて、チップの高さを計測する
ことにより、チップ面からのボンディングワイヤの高さ
が算出される。
【0032】上記処理をすべてのボンディングワイヤに
ついて行なう。
【0033】以上の処理を、フローチャートにしたもの
を図8に示す。本実施例においては、仮に1本のボンデ
ィングワイヤについて説明を行なってきたが、1画像上
に数本のワイヤが存在すれば、数本同時に処理可能であ
る事は、いうまでもない。
【0034】上記実施例では、最適ピクセルの抽出の際
に、最後に、(A)又は(B)の処理を行なっていた
が、P21,P22の各フォーカス面での輝度の和を算
出し、その輝度変化から高さを算出する。
【0035】これにより、測定における、ノイズレベル
での誤差が減少し、精度が向上する。
【0036】上記実施例では、最適ピクセルの抽出の際
に、最後に、(A)又は(B)の処理を行なっていた
が、P21,P22それぞれについて、高さを算出し、
平均を算出する。
【0037】これにより、測定における、ノイズレベル
での誤差が減少し、精度が向上する。
【0038】
【発明の効果】以上説明した様に、ボンディングワイヤ
の三次元形状に於いて、高さ方向の認識をボンディング
ワイヤのループ高さに限定することにより、処理時間が
短縮される効果がある。
【0039】さらに、落射照明を用いて、ボンディング
ワイヤの水平な位置すなわち、輝点に対し、処理用ウィ
ンドウを設け、最適な輝度変化を抽出する処理を設ける
ことにより、測定再現性(σ)が向上される効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す装置ブロック図
【図2】ボンディングワイヤを示す説明図
【図3】撮像装置で撮像された画像を示す説明図
【図4】ボンディングワイヤと撮像装置の高さ関係を示
す説明図
【図5】輝点の処理ウィンドウを示す説明図
【図6】各ピクセルにおける輝度を示す説明図
【図7】各ピクセルにおける輝度変化量を示す説明図
【図8】本発明の処理手順を示すフローチャート
【符号の説明】
1 被検物である半導体リードフレーム上のボンディン
グワイヤ 2 撮像装置 3 照明装置 4 ハーフミラー 5X,Y,Zステージ 6 画像処理装置 7 中央制御装置 8 表示装置 9 入力装置 10 パッド 11 半導体チップ 12 インナーリード 13 輝点 14 撮像装置のフォーカス面 15 処理用ウィンドウ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 名倉 正人 神奈川県川崎市中原区今井上町53番地キヤ ノン株式会社小杉事業所内 (72)発明者 伴 箕吉 神奈川県川崎市中原区今井上町53番地キヤ ノン株式会社小杉事業所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体リードフレーム上のボンディング
    されたワイヤを上方から落射照明する照明手段と、該照
    明手段により照明されたワイヤを上方から撮像し、画像
    信号を得る撮像手段と、該撮像手段により得た画像信号
    を処理する処理手段と、該撮像手段の高さ位置を制御す
    る制御手段とを具備し、前記処理手段が、前記ボンディ
    ングワイヤの輝点に関する画像信号を、輝点処理用ウィ
    ンドウにより抽出し、該輝点に関する画像信号からワイ
    ヤの高さを算出する手段を有することを特徴とするボン
    ディングワイヤ検査装置。
JP4321909A 1992-12-01 1992-12-01 ボンディングワイヤ検査装置 Pending JPH06174437A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4321909A JPH06174437A (ja) 1992-12-01 1992-12-01 ボンディングワイヤ検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4321909A JPH06174437A (ja) 1992-12-01 1992-12-01 ボンディングワイヤ検査装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06174437A true JPH06174437A (ja) 1994-06-24

Family

ID=18137760

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4321909A Pending JPH06174437A (ja) 1992-12-01 1992-12-01 ボンディングワイヤ検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06174437A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0861931A (ja) * 1994-08-19 1996-03-08 Hitachi Ltd Jベンド型半導体パッケージの外観検査方法及びその装置
JP2011058894A (ja) * 2009-09-08 2011-03-24 Nec Corp 線形状物高さ計測装置、該装置に用いられる線形状物高さ計測方法及び線形状物高さ計測制御プログラム
WO2019082558A1 (ja) * 2017-10-26 2019-05-02 株式会社新川 ボンディング装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0861931A (ja) * 1994-08-19 1996-03-08 Hitachi Ltd Jベンド型半導体パッケージの外観検査方法及びその装置
JP2011058894A (ja) * 2009-09-08 2011-03-24 Nec Corp 線形状物高さ計測装置、該装置に用いられる線形状物高さ計測方法及び線形状物高さ計測制御プログラム
WO2019082558A1 (ja) * 2017-10-26 2019-05-02 株式会社新川 ボンディング装置
JPWO2019082558A1 (ja) * 2017-10-26 2020-06-18 株式会社新川 ボンディング装置
US11367703B2 (en) 2017-10-26 2022-06-21 Shinkawa Ltd. Bonding apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8098372B2 (en) Optical inspection tool featuring multiple speed modes
US5151609A (en) Method of detecting solid shape of object with autofocusing and image detection at each focus level
US5097516A (en) Technique for illuminating a surface with a gradient intensity line of light to achieve enhanced two-dimensional imaging
US7796807B2 (en) Optical inspection apparatus for substrate defect detection
JP5997039B2 (ja) 欠陥検査方法および欠陥検査装置
TW201337839A (zh) 用於晶圓檢測之分段處理
JP2960684B2 (ja) 立体形状検出方法及びその装置
JP2851151B2 (ja) ワイヤボンディング検査装置
US5347362A (en) Bonding wire inspection method
CN110057839A (zh) 一种光学硅片检测系统中的对焦控制装置及方法
US5880844A (en) Hybrid confocal microscopy
JP3058781B2 (ja) 合焦点位置検出方法
JPH06174437A (ja) ボンディングワイヤ検査装置
KR100191557B1 (ko) 본딩와이어 높이 검사방법
JPH05231837A (ja) 形状測定方法及び装置
JP2005315792A (ja) 欠陥検査分類装置
JPH0763530A (ja) ボンディングワイヤー検査装置
JP2022161475A (ja) 欠陥検出装置、欠陥検出方法、画像処理装置及び画像処理プログラム
JPH10141925A (ja) 外観検査装置
JPH10247669A (ja) ボンディングワイヤ検査装置および方法
KR100575047B1 (ko) 하드웨어 로직으로 구현된 실시간 광삼각 측정의 신호처리 방법 및 장치
JPH0982739A (ja) ボンディングワイヤ検査装置
WO2024134913A1 (ja) 欠陥検査装置
JP4483039B2 (ja) 検査装置
JPH109819A (ja) 距離計測装置