KR100191557B1 - 본딩와이어 높이 검사방법 - Google Patents

본딩와이어 높이 검사방법 Download PDF

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히로미 도미야마
다케유키 나카가와
사토루 나가이
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후지야마 겐지
가부시키가이샤 신가와
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Abstract

[목적]
본딩된 와이어의 높이 평가가 가능한 본딩와이어 높이 검사방법을 제공한다.
[구성]
미리광학계의 합초레벨을 바꾸어 와이어 높이와 와이어폭의 상관관계를 조사해 두고, 검사하는 와이어의 높이 기준이 되는 상한치(Z1) 및 하한치(Z2)에서 광학계의 합초레벨인 검사레벨(Z0)을 설정하고, 검사하는 와이어(5b, 5c, 5d)를 촬상한 와이어폭(H0, H2, H3)이 상기 와이어 높이와 와이어폭의 상관관계에 있어서의 상한치(Z1) 및 하한치(Z2)내에 있어서의 와이어 폭내인지를 구하여 와이어 높이의 양부를 판정한다.

Description

본딩와이어 높이 검사방법
제1도는 본 발명의 본딩와이어 높이 검사방법에 사용하는 제어회로부의 1실시예를 나타내는 블록도.
제2도는 와이어 폭과 와이어 높이와의 상관관계도.
제3도는 본 발명을 설명하기 위한 와이어 높이와 와이어 폭과의 상관관계를 나타내고, (a)는 시료의 정면도, (b)(c)(a)는 촬상된 와이어폭의 도면.
제4도는 동작의 흐름도.
제5도는 본딩와이어 높이 검사장치의 개략측면도.
제6도는 와이어 높이와 와이어 폭과의 관계를 나타내고, (a)는 시료의 정면도, (b)는 촬상된 폭의 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 반도체칩 2 : 패드
3 : 리드프레임 4 : 리드
5,5b~5d : 와이어 6 : 시료
10 : 검사대 11 : 조명수단
12 : 광학계 14 : 촬상장치
15 : XY 테이블 17 : Z축모터
A : 검사하는 와이어의 좌표수직선 Z0 : 검사레벨
Z1 : 상한치 Z2 : 하한치
H0, H2, H3 : 와이어폭
[산업상의 이용 분야]
본 발명은 반도체 칩의 패드와 리드프레임의 리드사이에 본딩된 와이어의 높이 검사방법에 관한 것이다.
[종래의 기술]
종래, 본딩된 와이어의 높이 검사방법으로서, 가령 특개평 5-160233호 공보를 들 수 있다.
이 검사방법에 사용하는 검사장치의 개략을 제5도에 도시한다. 반도체칩(1)의 패드(2)와 리드프레임(3)의 리드(4)를 접속하도록 와이어(5)가 본딩된 시료(6)는 검사대(10)에 재치되어 있다. 검사대(10)에 재치된 시료(6)의 상방에는 조명수단(11)이 설치되고, 조명수단(11)은 광학계(12)의 하부에 부착되어 있다.
광학계(12)의 상부에는 조리개수단(13)을 통하여 CCD(광학변환소자) 카메라 등의 촬상장치(14)가 부착되어 있다. 조명수단(11) 및 촬상장치(14)가 부착된 광학계(12)는 XY 테이블(15)상에 고정된 지지블록(16)에 상하운동 가능하게 부착되고, Z축모터(17)에서 상하구동 되도록 되어 있다.
또한, 도시하지 않았으나 상기 조명수단(11)은 다수개의 LED가 링모양으로 설치된 고조사 각도 링모양 조명기와, 이 고조사 각도 링모양 조명기에서 외측으로 동일하게 다수개의 LED가 링모양으로 설치된 저조사 각도 링모양 조명기를 갖는다. 그리고, 고조사 각도 링모양 조명기 및 저조사 각도 링모양 조명기의 각 LED는 광학계(12)의 광축중심 방향을 향하여 있고, 고조사 각도 링모양 조명기는 수평면에 대한 경사각이 약 30∼55°, 저조사 각도 링모양 조명기는 수평면에 대한 경사각이 약 5∼15°로 되어 있다.
그래서, 와이어 높이를 검사할 경우는 상기 종래기술에 개시되어 있는 바와같이 조명수단(11)의 저조사 각도 링모양 조명기를 제어하고(일부 조명을 오프로 하고), 또 조리개수단(13)을 이용하여 초점심도를 얕게하여 검사한다. 즉, 제6도(a)에 도시하는 바와같이 XY 테이블(15)을 구동하여 광학계(12)를 검사하는 와이어(5)의 XY좌표의 수직선(A)상에 위치시킨다. 그리고, Z축모터(17)을 구동하여 광학계(12)를 상하이동시켜서 검사점(A0)에 초점을 맞추면, 와이어(5)의 화상은 제6도(b)와 같이 된다.
즉, 합초점 A0(검사점:A0)의 와이어폭(H0)은 가장 작고, 합초점(A0)에서 이격됨에 따라 와이어폭은 흐려져서 커진다. 상기 종래기술에도 개시되어 있는 바와같이, 흐릿한 폭(와이어폭)과 와이어 높이(Z)에 일정한 관계가 있으므로, 이 관계를 미리 실험에 의해 조사해 둠으로써 와이어폭에서 용이하게 와이어(5)의 임의의 점의 높이(Z)가 산출(측정)된다.
[발명이 해결하고자 하는 과제]
상기 종래기술은 합초시에 있어서의 와이어상을 기준으로하여 촬상된 와이어 폭에서 와이어 높이를 측정하지만, 그 측정결과의 평가(양부판정) 방법에 대해서는 아무것도 개시되어 있지 않다.
본 발명의 목적은 본딩된 와이어 높이의 평가가 가능한 본딩와이어 높이 검사방법을 제공함에 있다.
[과제를 해결하기 위한 수단]
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은, 반도체 칩의 패드와 리드프레임의 리드에 본딩된 와이어를 광학계를 통하여 촬상장치에서 촬상하여 와이어 높이를 검사하는 본딩와이어 높이검사방법에 있어서, 미리 광학계의 합초레벨을 바꾸어 와이어 높이와 와이어 폭과의 상관관계를 조사해 두고, 검사하는 와이어 높이의 기준이 되는 상한치 및 하한치에서 광학계의 합초레벨인 검사레벨을 설정하고, 검사하는 와이어를 촬상한 와이어 폭이 상기 와이어 높이와 와이어폭의 상관관계가 있어서의 상기 상한치 및 하한치내에 있어서의 와이어 폭내인지를 구하여 와이어 높이의 양부를 판정하는 것을 특징으로 한다.
[작용]
광학계의 합초점이 와이어 검사점과 일치하면, 검사점의 와이어 폭은 가장 작아진다. 광학계의 합초점이 와이어 검사점에서 이격됨에 따라 와이어 폭은 흐려져서 커진다.
그래서, 미리 와이어 높이와 와이어폭의 상관관계를 조사해 둔다. 그리고, 검사하는 와이어를 검사하고, 검사한 와이어폭이 와이어 높이의 상한치 및 하한치에 대응하는 와이어 폭 보다 작으면 합격이라고 판정하고, 상한치 및 하한치에 대응하는 와이어 쪽보다 크면 불합격이라고 판정한다.
[실시예]
이하, 본 발명의 1실시예를 제1도 내지 제5도에 의해 설명한다. 본 실시예는 제5도에 도시하는 검사장치를 이용하여 검사한다.
제1도에 도시하는 바와같이, 제5도의 촬상장치(14)에서 촬상한 영상은 화상입력수단(20)에 의해 디지털 신호로 변환되어 화상기록메모리(21)에 기억되고, 이 화상기억 메모리(21)에 기억된 화상형상은 화상처리부(22)에 의해 화상처리됨과 동시에 화상은 모니터(23)에 표시된다. 또 제5도의 XY 테이블(15)을 구동하는 X축모터(24) 및 Y축모터(25) 및 Z축모터(17)는 XYZ축 구동부(26)에 의해 제어되고, XYZ구동부(26)는 수동입력수단(27)에 의해 직접제어 또는 연산제어부(30)에 의해 제어된다. 또, 제5도의 조리개수단(13), 조명수단(11)등의 광학계 구동부(28)의 설정도 연산제어부(30)에 의해 제어된다.
연산제어부(30)는 제어메모리(31)에 기억된 처리수순에 의해 처리 및 각부를 제어하고, 상기 XYZ구동부(26) 및 광학계 구동부(28)의 제어외에 상기 화상처리부(22)에서 처리된 화상에 의해 와이어 폭의 산출 및 와이어 높이의 양부판정 등을 행한다. 또 연산제어부(30)는 데이타 기억메모리(32)에서 필요한 데이타를 판독하여 처리하고, 또 산출한 데이타를 데이타 기억메모리(32)에 기억한다. 데이타 기억메모리(32)는 검사하는 와이어(5)의 XY좌표를 기억한 와이어 좌표데이타 기억메모리(33)와, 와이어 높이의 양부의 기준이 되는 상한치 및 하한치를 기억하는 상한 하한데이타 기억메모리(34)와, 와이어 폭과 높이의 상관데이타를 기억하는 와이어폭 높이 상관데이타 기억메모리(35)를 가지고 있다. 와이어 좌표데이타 기억메모리(33) 및 상한 하한데이타 기억메모리(34)에는 검사하는 와이어의 좌표 및 상한치, 하한치를 미리 기억해 둔다.
다음에, 작용에 대하여 설명한다.
미리 와이어 높이 검사에 앞서, 와이어 높이와 와이어 폭의 상관관계를 조사해 둔다.
즉, 광학계 구동부(28)의 조리개수단(13)의 조리개 및 조명수단(11)의 조명레벨의 설정을 와이어 높이의 검사에 적합한 조건(종래의 기술의 항에서 기술한 조건)으로 설정한다. 또, 정상적으로 와이어(5)가 뻗은 시료(6)를 검사대(10)에 세트한다. 그리고, 수동입력수단(27)을 조작하여 YXZ구동부(26)를 통하여 X축모터(24) 및 Y축모터(25)를 구동시켜서 XY테이블(15)을 이동시키고, 광학계(12)를 검사하는 와이어(5)의 검사점(5)의 검사점(A)의 상방에 위치시킨다. 다음에, 수동입력수단(27)을 조작하여 XYZ구동부(26)을 통하여 Z축모터(17)를 일정량씩 구동, 즉 광학계(12)를 일정레벨씩 이동시켜서 합초점레벨을 바꾸면서 촬상장치(14)에 의해 촬상된 화상을 연산제어부(30)에서 처리하여 와이어폭을 검출한다. 이에 의해 제2도에 도시하는 바와같이 광학계(12)높이, 즉 와이어 높이(Z)와 와이어폭(H)의 상관관계를 구하고, 이 상관관계를 와이어 폭 높이 상관데이타 기억메모리(35)에 기억시킨다.
이제, 제3도(a)에 도시하는 바와같이 검사레벨(광학계(12)의 합초레벨)을 Z0, 상한치를 Z1, 하한치를 Z2로 하고, 검사하는 와이어(5) 좌표의 수직선을 A로 한다. 또 제2도에 있어서, 검사레벨(Z0)에 있어서의 와이어 폭을 H0, 상한치(Z1) 및 하한치(Z2)에 있어서의 와이어폭을 H1로 한다. 그래서, 검사하는 시료(6)가 검사대(10)상에 위치결정 재치되면, 제4도에 도시하는 수순으로 와이어 높이의 평가가 이루어진다.
우선 연산제어부(30)는 상한 하한데이타 기억메모리(34)에 기억된 상한치(Z1) 및 하한치(Z2)에서 광학계(12)의 검사레벨(Z0)을 수식 1에 표시하는 바와같이 상한치(Z1)와 하한치(Z2)의 평균치에 의해 설정하고, 이 검사레벨(Z0)이 되도록 XYZ구동부(26)을 통과시켜 Z축 모터(17)을 구동한다(검사레벨(Z0)의 설정).
다음에, 연산제어부(30)는 와이어 좌표데이타 기억메모리(33)에 기억된 와이어 좌표데이타를 판독하고, XYZ 구동부(26)을 통하여 X축모터(24) 및 Y축모터(25)를 구동하여 XY테이블(15)을 이동시키고, 광학계(12)를 검사하는 와이어의 검사중심선(A)상으로 이동시킨다(광학게(12)의 촬상위치에의 이동).
그리고 촬상장치(14)에서 촬상하여 화상처리부(22)에서 화상처리된 와이어 폭을 연산제어부(30)가 산출한다(와이어폭의 산출). 연산제어부(30)는 이 산출한 와이어폭에 대응하는 와이어폭 높이 상관데이타 기억메모리(35)에 기억된 와이어 높이를 연산하고, 그 와이어 높이가 상기 상한 하한데이타 기억메모리(34)에 기억된 상한치(Z0)와 하한치(Z1)범위내에 있는지를 판정(와이어노피 합부판정)하고, 그의 결과를 모니터(23)에 표시(결과표시) 한다.
지금, 제3도에 도시하는 바와같이 5b는 정상적인 와이어, 5c는 상한치(Z1)를 초과한 와이어, 5d는 하한치(Z2)보다 낮은 와이어일 경우, 검사하는 와이어(5)의 좌표수직선(A)과 와이어(5b,5c,5d)의 교차점을 각각 A0, A1, A2로 한다. 와이어(5b)의 경우는 제3도(b)에 도시하는 바와같이 연산제어부(30)에서 산출한 와이어 폭은 H0으로 H1보다 작고, 상한치(Z1)와 하한치(Z2)범위내에 있으므로 합격이라 판정된다. 와이어(5c, 5d)의 경우는 각각 제3도(c)(d)에 도시하는 바와 같이 연산제어부(30)에서 산출한 와이어 폭은 각각 H2, H3으로 H1보다 크며, 상한치(Z0)와 하한치(Z1)의 범위밖에 있으므로 불합격이라 판정된다.
[발명의 효과]
본 발명에 의하면, 미리 광학계의 합초레벨을 바꾸어 와이어 높이와 와이어 폭의 상관관계를 조사해두고, 검사하는 와이어 높이의 기준이 되는 상한치 및 하한치에서 광학계의 합초레벨인 검사레벨을 설정하고, 검사하는 와이어를 촬상한 와이어 폭이 상기 와이어 높이와 와이어 폭의 상관관계에 있어서와 상기 상한치 및 하한치내에 있어서의 와이어 폭내인지를 구하여 와이어 높이의 양부를 판정하므로 본딩된 와이어 높이의 평가가 가능하다.

Claims (1)

  1. 반도체 칩의 패드와 리드프레임의 리드에 본딩된 와이어를 광학계를 통하여 촬상장치에서 촬상하여 와이어 높이를 검사하는 본딩와이어 높이 검사방법에 있어서, 미리광학계의 합초레벨을 바꾸어 와이어 높이와 와이어폭과의 상관관계를 조사해 두고, 검사하는 와이어 높이의 기준이 되는 상한치 및 하한치에서 광학계의 합초레벨인 검사레벨을 설정하고, 검사하는 와이어를 촬상한 와이어를 촬상한 와이어 폭이 상기 와이어 높이와 와이어 폭의 상관관계에 있어서의 상기 상한치 및 하한치내에 있어서의 와이어폭 내인지를 구하여 와이어 높이의 양부를 판정하는 것을 특징으로 하는 본딩와이어 높이 검사방법.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3370547B2 (ja) * 1997-03-17 2003-01-27 株式会社新川 ボンディングワイヤ高さ検査装置
KR100291780B1 (ko) * 1998-06-15 2002-05-01 윤종용 본딩와이어 검사장치 및 그 검사방법
JP2008252080A (ja) * 2007-03-08 2008-10-16 Shinkawa Ltd ボンディング部の圧着ボール検出方法及び圧着ボール検出装置
JP5680005B2 (ja) 2012-02-24 2015-03-04 株式会社東芝 コネクタの嵌合状態を検査する検査方法および検査装置、並びにコネクタを有する電気機器の組立方法
SG2013084975A (en) * 2013-11-11 2015-06-29 Saedge Vision Solutions Pte Ltd An apparatus and method for inspecting asemiconductor package
JP6433810B2 (ja) * 2015-02-23 2018-12-05 キヤノンマシナリー株式会社 ボンディングワイヤの検出方法及びボンディングワイヤの検出装置
TWI697656B (zh) * 2017-12-20 2020-07-01 日商新川股份有限公司 線形狀檢查裝置以及線形狀檢查方法
JP7450272B2 (ja) * 2020-10-14 2024-03-15 イーメージ ヴィジョン ピーティーイー． エルティーディー． 重なり合うボンドワイヤのループ高さの測定

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2688361B2 (ja) * 1988-08-02 1997-12-10 正己 山川 光電センサ
US5030008A (en) * 1988-10-11 1991-07-09 Kla Instruments, Corporation Method and apparatus for the automated analysis of three-dimensional objects
JP2981942B2 (ja) * 1991-12-02 1999-11-22 株式会社新川 ボンデイングワイヤ検査方法

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