JP3389812B2 - ワークのプラズマクリーニング装置およびプラズマクリーニング方法 - Google Patents
ワークのプラズマクリーニング装置およびプラズマクリーニング方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップやチップを
実装する基板などのワークをクリーニングするワークの
プラズマクリーニング装置およびプラズマクリーニング
方法に関するものである。
実装する基板などのワークをクリーニングするワークの
プラズマクリーニング装置およびプラズマクリーニング
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ウェハから切り出されたチップ
を基板に実装した後、チップの電極と基板の電極をワイ
ヤで接続するワイヤボンディングを行ったり、あるいは
バンプ付き電子部品をボンディングするような場合、ワ
イヤやバンプのボンディング性を良くするために、基板
やチップの電極をプラズマクリーニングして電極の汚れ
を除去することが行われる。
を基板に実装した後、チップの電極と基板の電極をワイ
ヤで接続するワイヤボンディングを行ったり、あるいは
バンプ付き電子部品をボンディングするような場合、ワ
イヤやバンプのボンディング性を良くするために、基板
やチップの電極をプラズマクリーニングして電極の汚れ
を除去することが行われる。
【０００３】プラズマクリーニングは、基板を真空チャ
ンバ内に配置し、真空チャンバ内にプラズマを発生さ
せ、そのプラズマ中のイオンや電子を基板の表面に衝突
させてこの表面をエッチングすることによりクリーニン
グするものである。
ンバ内に配置し、真空チャンバ内にプラズマを発生さ
せ、そのプラズマ中のイオンや電子を基板の表面に衝突
させてこの表面をエッチングすることによりクリーニン
グするものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】基板の汚れとしては、
無機質の汚れと有機質の汚れがあり、いずれもワイヤや
バンプなどのボンディング性を阻害する。無機質の汚れ
は、例えば電極の素材であるニッケルや銅から生じたニ
ッケル酸化物、ニッケル水酸化物、銅酸化物である。ま
た有機質の汚れとしては、例えばチップを基板に接着す
るボンドや取り扱い者の手あかから生じた炭素化合物で
ある。
無機質の汚れと有機質の汚れがあり、いずれもワイヤや
バンプなどのボンディング性を阻害する。無機質の汚れ
は、例えば電極の素材であるニッケルや銅から生じたニ
ッケル酸化物、ニッケル水酸化物、銅酸化物である。ま
た有機質の汚れとしては、例えばチップを基板に接着す
るボンドや取り扱い者の手あかから生じた炭素化合物で
ある。
【０００５】ところが従来の平行平板型プラズマクリー
ニングでは、無機質の汚れは除去できるが、有機質の汚
れは十分に除去できないという問題点があった。その理
由は、プラズマクリーニングにより基板表面からエッチ
ングされて飛散した有機物の汚れは、２次的に基板の表
面に付着するためであると考えられる。
ニングでは、無機質の汚れは除去できるが、有機質の汚
れは十分に除去できないという問題点があった。その理
由は、プラズマクリーニングにより基板表面からエッチ
ングされて飛散した有機物の汚れは、２次的に基板の表
面に付着するためであると考えられる。
【０００６】したがって本発明は、基板などのワークの
無機質の汚れと有機質の汚れを共にクリーニングして除
去できるワークのプラズマクリーニング装置およびプラ
ズマクリーニング方法を提供することを目的とする。
無機質の汚れと有機質の汚れを共にクリーニングして除
去できるワークのプラズマクリーニング装置およびプラ
ズマクリーニング方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明のワーク
のプラズマクリーニング装置は、下部電極と、この下部
電極に電圧を印加する高周波電源と、この下部電極の上
方に設けられたアース電極と、下部電極とアース電極の
間の真空チャンバ内を真空吸引する真空吸引手段と、真
空チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給
手段と、下部電極の上下動手段とを備え、前記上下動手
段により下部電極を上昇させてワークに接近させ、高周
波電位によるセルフバイアスによりプラズマ中のイオン
をワークの表面に衝突させて無機質の汚れをクリーニン
グするイオンスパッタエッチングモードと、前記上下動
手段により下部電極を下降させて下部電極とワークのギ
ャップを大きくし、ワークの電位をフローティング電位
としてイオンの衝突をほぼなくし、質量の軽い電子の衝
突のみによる熱エネルギーにより表面の有機物を揮発さ
せてクリーニングするプラズマエッチングモードとを発
生させるようにした。
のプラズマクリーニング装置は、下部電極と、この下部
電極に電圧を印加する高周波電源と、この下部電極の上
方に設けられたアース電極と、下部電極とアース電極の
間の真空チャンバ内を真空吸引する真空吸引手段と、真
空チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給
手段と、下部電極の上下動手段とを備え、前記上下動手
段により下部電極を上昇させてワークに接近させ、高周
波電位によるセルフバイアスによりプラズマ中のイオン
をワークの表面に衝突させて無機質の汚れをクリーニン
グするイオンスパッタエッチングモードと、前記上下動
手段により下部電極を下降させて下部電極とワークのギ
ャップを大きくし、ワークの電位をフローティング電位
としてイオンの衝突をほぼなくし、質量の軽い電子の衝
突のみによる熱エネルギーにより表面の有機物を揮発さ
せてクリーニングするプラズマエッチングモードとを発
生させるようにした。
【０００８】請求項２の発明のワークのプラズマクリー
ニング方法は、ワークをワークの上方にアース電極を設
けた真空チャンバの内部に配置し、ワークの下方のワー
クに接近した高さにある下部電極に高周波電圧を印加す
ることによりこの下部電極上のワークにセルフバイアス
電圧を印加させ、プラズマ中のイオンをワークの表面に
衝突させてこの表面をエッチングすることによりこの表
面の無機質の汚れを除去する第１工程と、ワークの下方
の下部電極とワークとのギャップを大きくし、下部電極
に高周波電圧を印加することによりイオンの衝突をほぼ
なくし、質量の軽い電子の衝突のみによる熱エネルギー
によりこの表面の有機質の汚れを加熱揮発させて除去す
る第２の工程と、を含む。
ニング方法は、ワークをワークの上方にアース電極を設
けた真空チャンバの内部に配置し、ワークの下方のワー
クに接近した高さにある下部電極に高周波電圧を印加す
ることによりこの下部電極上のワークにセルフバイアス
電圧を印加させ、プラズマ中のイオンをワークの表面に
衝突させてこの表面をエッチングすることによりこの表
面の無機質の汚れを除去する第１工程と、ワークの下方
の下部電極とワークとのギャップを大きくし、下部電極
に高周波電圧を印加することによりイオンの衝突をほぼ
なくし、質量の軽い電子の衝突のみによる熱エネルギー
によりこの表面の有機質の汚れを加熱揮発させて除去す
る第２の工程と、を含む。
【０００９】
【発明の実施の形態】上記構成の各発明によれば、まず
ワークの電位を高周波電位としてセルフバイアスにより
イオンをワークに衝突させ、これにより無機質の汚れを
エッチングして除去する。その後、ワークとアース電極
の電位差を小さくしてワークの電位をフローティング電
位として質量の軽い電子のみをワークに衝突させ、その
熱エネルギーにより有機質の汚れを揮発させて除去す
る。
ワークの電位を高周波電位としてセルフバイアスにより
イオンをワークに衝突させ、これにより無機質の汚れを
エッチングして除去する。その後、ワークとアース電極
の電位差を小さくしてワークの電位をフローティング電
位として質量の軽い電子のみをワークに衝突させ、その
熱エネルギーにより有機質の汚れを揮発させて除去す
る。
【００１０】（実施の形態１）図１および図２は、本発
明の実施の形態１のワークのプラズマクリーニング装置
の断面図であって、図１は無機質の汚れをクリーニング
中の状態を示しており、図２は有機質の汚れをクリーニ
ング中の状態を示している。
明の実施の形態１のワークのプラズマクリーニング装置
の断面図であって、図１は無機質の汚れをクリーニング
中の状態を示しており、図２は有機質の汚れをクリーニ
ング中の状態を示している。
【００１１】まず、図１を参照してワークのプラズマク
リーニング装置の構造を説明する。１は基板であり、そ
の上面にはチップ２がボンド３で接着されている。基板
１の表面には回路パターンの電極４が形成されている。
後工程のワイヤボンディング工程により、チップ１の上
面の電極（図示せず）と基板１の電極４はワイヤで接続
されるが、これに先立ち、ワイヤのボンディング性を阻
害する無機質の汚れと有機質の汚れを、このプラズマク
リーニング装置により除去するものである。
リーニング装置の構造を説明する。１は基板であり、そ
の上面にはチップ２がボンド３で接着されている。基板
１の表面には回路パターンの電極４が形成されている。
後工程のワイヤボンディング工程により、チップ１の上
面の電極（図示せず）と基板１の電極４はワイヤで接続
されるが、これに先立ち、ワイヤのボンディング性を阻
害する無機質の汚れと有機質の汚れを、このプラズマク
リーニング装置により除去するものである。
【００１２】基板１は絶縁性のワーク支持プレート５上
に載せられている。ワーク支持プレート５には開口部６
が開口されており、開口部６の下側には下部電極７が配
設されている。下部電極７は、高圧の高周波電源８に接
続されている。９はワーク支持プレート５や下部電極７
の受台である。
に載せられている。ワーク支持プレート５には開口部６
が開口されており、開口部６の下側には下部電極７が配
設されている。下部電極７は、高圧の高周波電源８に接
続されている。９はワーク支持プレート５や下部電極７
の受台である。
【００１３】下部電極７の下面には垂直な送りねじ１０
が結合されている。送りねじ１０にはナット１１が螺着
されている。ナット１１と、モータ１２の回転軸に装着
されたナット１３にはベルト１４が調帯されている。し
たがってモータ１２が正逆駆動すると、ナット１１は正
逆回転し、これにより送りねじ１０および下部電極７は
上下動する。すなわち、送りねじ１０、ナット１１，１
３、モータ１２、ベルト１４は、下部電極７の上下動手
段となっている。
が結合されている。送りねじ１０にはナット１１が螺着
されている。ナット１１と、モータ１２の回転軸に装着
されたナット１３にはベルト１４が調帯されている。し
たがってモータ１２が正逆駆動すると、ナット１１は正
逆回転し、これにより送りねじ１０および下部電極７は
上下動する。すなわち、送りねじ１０、ナット１１，１
３、モータ１２、ベルト１４は、下部電極７の上下動手
段となっている。
【００１４】ワーク支持プレート５上には蓋ケース２０
が設置されている。蓋ケース２０はアース２１に接続さ
れており、アース電極を兼ねている。なお蓋ケース２０
とは別個に、基板１の上方にアース電極を設けてもよ
い。蓋ケース２０は図外の開閉手段により開閉する。蓋
ケース２０の内部は真空チャンバ２２になっている。真
空チャンバ２２には、第１のパイプ２３と第２のパイプ
２４が接続されている。第１のパイプ２３は真空吸引手
段２５に接続されており、真空チャンバ２２内を真空吸
引する。第２のパイプはガス供給手段２６に接続されて
おり、真空チャンバ２２内にアルゴンガスなどのプラズ
マ発生用ガスを供給する。
が設置されている。蓋ケース２０はアース２１に接続さ
れており、アース電極を兼ねている。なお蓋ケース２０
とは別個に、基板１の上方にアース電極を設けてもよ
い。蓋ケース２０は図外の開閉手段により開閉する。蓋
ケース２０の内部は真空チャンバ２２になっている。真
空チャンバ２２には、第１のパイプ２３と第２のパイプ
２４が接続されている。第１のパイプ２３は真空吸引手
段２５に接続されており、真空チャンバ２２内を真空吸
引する。第２のパイプはガス供給手段２６に接続されて
おり、真空チャンバ２２内にアルゴンガスなどのプラズ
マ発生用ガスを供給する。
【００１５】このワークのプラズマクリーニング装置は
上記のように構成されており、次に動作を説明する。図
１において、無機質の汚れをクリーニングするときは、
下部電極７をワーク支持プレート５の下面に当るまで上
昇させる。この状態で、真空チャンバ２２内を真空吸引
した後、真空チャンバ２２内にプラズマ発生用ガスを供
給する。次に下部電極７に高圧の高周波電圧を印加す
る。図中、Ｅはアース電極である蓋ケース２０と下部電
極７の電位差、Ｅ１は基板１と蓋ケース２０の電位差で
ある。
上記のように構成されており、次に動作を説明する。図
１において、無機質の汚れをクリーニングするときは、
下部電極７をワーク支持プレート５の下面に当るまで上
昇させる。この状態で、真空チャンバ２２内を真空吸引
した後、真空チャンバ２２内にプラズマ発生用ガスを供
給する。次に下部電極７に高圧の高周波電圧を印加す
る。図中、Ｅはアース電極である蓋ケース２０と下部電
極７の電位差、Ｅ１は基板１と蓋ケース２０の電位差で
ある。
【００１６】図１に示すように下部電極７を上昇させて
基板１に接近させた状態では、電位差Ｅ１は電位差Ｅに
ほぼ等しく、ワークの電位は高周波電位となる。したが
って高周波電位によるセルフバイアスによりプラズマ中
のイオンがワーク表面に衝突し（矢印ａ）、この表面を
エッチングして無機質の汚れは除去される。
基板１に接近させた状態では、電位差Ｅ１は電位差Ｅに
ほぼ等しく、ワークの電位は高周波電位となる。したが
って高周波電位によるセルフバイアスによりプラズマ中
のイオンがワーク表面に衝突し（矢印ａ）、この表面を
エッチングして無機質の汚れは除去される。
【００１７】上述したように、図１に示すプラズマエッ
チングによっては有機質の汚れはクリーニングできな
い。そこで次に、図２に示す方法により有機質の汚れを
クリーニングする。すなわち図２では、モータ１２を駆
動して下部電極７を下降させ、基板１との間に大きなギ
ャップＧを確保する。また図１の場合と同様に、真空チ
ャンバ２２の真空吸引と、真空チャンバ２２へのプラズ
マ発生用ガスの供給を行ったうえで、下部電極７に高圧
の高周波電圧を印加する。
チングによっては有機質の汚れはクリーニングできな
い。そこで次に、図２に示す方法により有機質の汚れを
クリーニングする。すなわち図２では、モータ１２を駆
動して下部電極７を下降させ、基板１との間に大きなギ
ャップＧを確保する。また図１の場合と同様に、真空チ
ャンバ２２の真空吸引と、真空チャンバ２２へのプラズ
マ発生用ガスの供給を行ったうえで、下部電極７に高圧
の高周波電圧を印加する。
【００１８】Ｅは下部電極７と蓋ケース２０の電位差、
Ｅ２は基板１と蓋ケース２０の電位差である。上記ギャ
ップＧを確保したことにより、基板１と蓋ケース２０の
電位差Ｅ２は図１の場合の電位差Ｅ１よりも大巾に小さ
くなり、ワークの電位はフローティングとなる。したが
って質量の軽い電子のみワークに衝突し、この衝突エネ
ルギーによる加熱のために有機質の汚れは揮発して除去
される。なお図１および図２において、基板１のクリー
ニングとともに、チップ２の上面の電極のクリーニング
も行われる。
Ｅ２は基板１と蓋ケース２０の電位差である。上記ギャ
ップＧを確保したことにより、基板１と蓋ケース２０の
電位差Ｅ２は図１の場合の電位差Ｅ１よりも大巾に小さ
くなり、ワークの電位はフローティングとなる。したが
って質量の軽い電子のみワークに衝突し、この衝突エネ
ルギーによる加熱のために有機質の汚れは揮発して除去
される。なお図１および図２において、基板１のクリー
ニングとともに、チップ２の上面の電極のクリーニング
も行われる。
【００１９】以上のように、下部電極７の高さを調整す
ることにより、下部電極７とアース電極である蓋ケース
２０の距離を相対的に異ならせ、これにより基板１と蓋
ケース（アース電極）２０の電位差を変えて、イオンス
パッタエッチングモードとプラズマエッチングモードを
発生させ、無機質の汚れと有機質の汚れを確実に除去す
ることができる。
ることにより、下部電極７とアース電極である蓋ケース
２０の距離を相対的に異ならせ、これにより基板１と蓋
ケース（アース電極）２０の電位差を変えて、イオンス
パッタエッチングモードとプラズマエッチングモードを
発生させ、無機質の汚れと有機質の汚れを確実に除去す
ることができる。
【００２０】以上のようにして、まずイオンスパッタエ
ッチングにより無機質の汚れを除去した後、プラズマエ
ッチングにより有機質の汚れを除去したならば、蓋ケー
ス２０を開き、基板１を次の工程へ送る。なお本発明者
の実験によれば、先きに図２に示す方法により有機質を
クリーニングした後、図１に示す方法で無機質等をクリ
ーニングすると、無機質のクリーニング中に基板１は有
機質の汚れにより再度汚れるという結果が得られた。し
たがって本方法は、無機質の汚れのクリーニングの後、
有機質の汚れのクリーニングを行うことが望ましい。
ッチングにより無機質の汚れを除去した後、プラズマエ
ッチングにより有機質の汚れを除去したならば、蓋ケー
ス２０を開き、基板１を次の工程へ送る。なお本発明者
の実験によれば、先きに図２に示す方法により有機質を
クリーニングした後、図１に示す方法で無機質等をクリ
ーニングすると、無機質のクリーニング中に基板１は有
機質の汚れにより再度汚れるという結果が得られた。し
たがって本方法は、無機質の汚れのクリーニングの後、
有機質の汚れのクリーニングを行うことが望ましい。
【００２１】（実施の形態２）図３は、本発明の実施の
形態２のワークのプラズマクリーニング装置の断面図で
ある。本実施の形態２では、プラズマクリーニング装置
は２台並設されている。図において左側のプラズマクリ
ーニング装置の下部電極７は上昇位置にあり、図１の場
合と同じである。また右側のプラズマクリーニング装置
の下部電極７は下降位置にあり、図２の場合と同じであ
る。なお実施の形態１と同一要素には同一符号を付して
いる。
形態２のワークのプラズマクリーニング装置の断面図で
ある。本実施の形態２では、プラズマクリーニング装置
は２台並設されている。図において左側のプラズマクリ
ーニング装置の下部電極７は上昇位置にあり、図１の場
合と同じである。また右側のプラズマクリーニング装置
の下部電極７は下降位置にあり、図２の場合と同じであ
る。なお実施の形態１と同一要素には同一符号を付して
いる。
【００２２】動作は実施の形態１と同様であって、まず
左側のプラズマクリーニング装置により無機質の汚れを
除去した後、基板１を右側のプラズマクリーニング装置
へ送り、有機質の汚れをクリーニングする。このように
プラズマクリーニング装置を２個並設すれば、無機質の
汚れのクリーニングと有機質の汚れのクリーニングを並
行して行えるが、設備コストは高くなる。なお実施の形
態２では、下部電極７は所定の高さに固定していてもよ
いものであり、したがって下部電極７の上下動手段はな
くてもよい。
左側のプラズマクリーニング装置により無機質の汚れを
除去した後、基板１を右側のプラズマクリーニング装置
へ送り、有機質の汚れをクリーニングする。このように
プラズマクリーニング装置を２個並設すれば、無機質の
汚れのクリーニングと有機質の汚れのクリーニングを並
行して行えるが、設備コストは高くなる。なお実施の形
態２では、下部電極７は所定の高さに固定していてもよ
いものであり、したがって下部電極７の上下動手段はな
くてもよい。
【００２３】（実施の形態３）図４は、本発明の実施の
形態３のワークのプラズマクリーニング装置の断面図で
ある。このものは、図３に示す実施の形態２と同様のも
のであるが、右側の基板１は下部電極７上に立設された
ピン状のスペーサ２７上に載置されている点が相違して
いる。したがってこのものも、まず左側のプラズマクリ
ーニング装置により無機質の汚れを除去した後、基板１
を右側のプラズマクリーニング装置へ送り、有機質の汚
れをクリーニングする。勿論このものも、下部電極７の
上下動手段はなくてもよい。
形態３のワークのプラズマクリーニング装置の断面図で
ある。このものは、図３に示す実施の形態２と同様のも
のであるが、右側の基板１は下部電極７上に立設された
ピン状のスペーサ２７上に載置されている点が相違して
いる。したがってこのものも、まず左側のプラズマクリ
ーニング装置により無機質の汚れを除去した後、基板１
を右側のプラズマクリーニング装置へ送り、有機質の汚
れをクリーニングする。勿論このものも、下部電極７の
上下動手段はなくてもよい。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、ワークと下部電極のギ
ャップの大きさを変えるという簡単な手段により、イオ
ンスパッタエッチングモードとプラズマエッチングモー
ドの２つのモードを実現し、これにより基板やチップな
どのワークの無機質の汚れと有機質の汚れをきれいに除
去することができ、したがって後工程で行われるワイヤ
ボンディングやバンプのボンディングなどを良好に行う
ことができる。
ャップの大きさを変えるという簡単な手段により、イオ
ンスパッタエッチングモードとプラズマエッチングモー
ドの２つのモードを実現し、これにより基板やチップな
どのワークの無機質の汚れと有機質の汚れをきれいに除
去することができ、したがって後工程で行われるワイヤ
ボンディングやバンプのボンディングなどを良好に行う
ことができる。
【図１】本発明の実施の形態１のワークのプラズマクリ
ーニング装置の断面図
ーニング装置の断面図
【図２】本発明の実施の形態１のワークのプラズマクリ
ーニング装置の断面図
ーニング装置の断面図
【図３】本発明の実施の形態２のワークのプラズマクリ
ーニング装置の断面図
ーニング装置の断面図
【図４】本発明の実施の形態３のワークのプラズマクリ
ーニング装置の断面図
ーニング装置の断面図
１ 基板
２ チップ
４ 電極
５ ワーク支持プレート
７ 下部電極
８ 高周波電源
２０ 蓋ケース（アース電極）
２２ 真空チャンバ
２５ 真空吸引手段
２６ ガス供給手段
Claims (4)
- 【請求項１】下部電極と、この下部電極に電圧を印加す
る高周波電源と、この下部電極の上方に設けられたアー
ス電極と、下部電極とアース電極の間の真空チャンバ内
を真空吸引する真空吸引手段と、真空チャンバ内にプラ
ズマ発生用ガスを供給するガス供給手段と、下部電極の
上下動手段とを備え、前記上下動手段により下部電極を
上昇させてワークに接近させ、高周波電位によるセルフ
バイアスによりプラズマ中のイオンをワークの表面に衝
突させて無機質の汚れをクリーニングするイオンスパッ
タエッチングモードと、前記上下動手段により下部電極
を下降させて下部電極とワークのギャップを大きくし、
ワークの電位をフローティング電位としてイオンの衝突
をほぼなくし、質量の軽い電子の衝突のみによる熱エネ
ルギーにより表面の有機物を揮発させてクリーニングす
るプラズマエッチングモードとを発生させるようにした
ことを特徴とするワークのプラズマクリーニング装置。 - 【請求項２】ワークをワークの上方にアース電極を設け
た真空チャンバの内部に配置し、ワークの下方のワーク
に接近した高さにある下部電極に高周波電圧を印加する
ことによりこの下部電極上のワークにセルフバイアス電
圧を印加させ、プラズマ中のイオンをワークの表面に衝
突させてこの表面をエッチングすることによりこの表面
の無機質の汚れを除去する第１工程と、ワークの下方の
下部電極とワークとのギャップを大きくし、下部電極に
高周波電圧を印加することによりイオンの衝突をほぼな
くし、質量の軽い電子の衝突のみによる熱エネルギーに
よりこの表面の有機質の汚れを加熱揮発させて除去する
第２の工程と、を含むことを特徴とするワークのプラズ
マクリーニング方法。 - 【請求項３】下部電極と、この下部電極に電圧を印加す
る高周波電源と、この下部電極の上方に設けられたアー
ス電極と、下部電極とアース電極の間の真空チャンバ内
を真空吸引する真空吸引手段と、真空チャンバ内にプラ
ズマ発生用ガスを供給するガス供給手段とを備えたワー
クのプラズマクリーニング装置が２台あり、一方のプラ
ズマクリーニング装置の下部電極は上昇位置にあって、
下部電極に高周波電源の電圧を印加した際の高周波電位
によるセルフバイアスによりプラズマ中のイオンをワー
クの表面に衝突させて無機質の汚れをクリーニングする
よ うにし、また他方のプラズマクリーニング装置の下部
電極は下降位置にあって下部電極に高周波電源の電圧を
印加した際のワークの電位をフローティング電位として
イオンの衝突をほぼなくし、質量の軽い電子の衝突のみ
による熱エネルギーにより表面の有機物を揮発させてク
リーニングするようにしたことを特徴とするプラズマク
リーニング装置。 - 【請求項４】請求項３に記載のワークのプラズマクリー
ニング装置を用いるワークのプラズマクリーニング方法
であって、前記一方のプラズマクリーニング装置の下部
電極に高周波電圧を印加することによりこの下部電極上
のワークにセルフバイアス電圧を印加させ、プラズマ中
のイオンをワークの表面に衝突させてこの表面をエッチ
ングすることによりこの表面の無機質の汚れを除去する
ようにし、次に前記ワークを前記他方のプラズマクリー
ニング装置の下部電極に高周波電圧を印加することによ
りイオンの衝突をほぼなくし、質量の軽い電子の衝突の
みによる熱エネルギーによりこの表面の有機質の汚れを
加熱揮発させて除去するようにしたことを特徴とするワ
ークのプラズマクリーニング方法。
Priority Applications (1)
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| JP08914297A JP3389812B2 (ja) | 1997-04-08 | 1997-04-08 | ワークのプラズマクリーニング装置およびプラズマクリーニング方法 |
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| JP08914297A JP3389812B2 (ja) | 1997-04-08 | 1997-04-08 | ワークのプラズマクリーニング装置およびプラズマクリーニング方法 |
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| JPH10284451A JPH10284451A (ja) | 1998-10-23 |
| JP3389812B2 true JP3389812B2 (ja) | 2003-03-24 |
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ID=13962627
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| JP (1) | JP3389812B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4630596B2 (ja) * | 2004-08-04 | 2011-02-09 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-04-08 JP JP08914297A patent/JP3389812B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH10284451A (ja) | 1998-10-23 |
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