JPH0851098A - 半導体処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 装置の稼動率を低下させることなく異物の除
去を行い、製品の歩留まりの向上を図ることが可能な半
導体処理装置を提供する。 【構成】 試料台６の上方に、試料台６の表面と所定の
間隙を介して移動可能な可動電極１４を配設し、移動中
に可動電極１４に正電圧を、また、試料台６に負電圧を
それぞれ印加させてコロナ放電を起こさせる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、チャンバ内に設置さ
れた試料台上に載置されたウエハ表面を、例えばプラズ
マ反応によって処理する半導体処理装置に係り、特に試
料台表面に付着した異物を稼動率を低下させることなく
除去して、製品の歩留まりの向上を図る構造に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】図８はこの種の従来のＲＩＥ（reactive
ion etching）等の半導体処理装置の概略構成を示す断
面図である。図において、１は処理室および反応室を形
成するチャンバ、２は反応ガス３をチャンバ１内に導入
するためのガス導入口、４はチャンバ１内の上部に配設
され、反応ガス３が通過するための複数の穴４ａを有す
る上部電極、５はチャンバ１の下部に配設され絶縁性部
材でなる絶縁支持台である。

【０００３】６はこの絶縁支持台５上に上部電極４と対
向して配設される下部電極としての試料台で、例えば内
部に冷媒を循環させる等して温度が調節されている。７
はこの試料台６上に載置されるウエハ、８は絶縁支持台
５上に配設され、ウエハ７を試料台６上にクランプする
ことにより密着固定させるクランプ手段、９はコンデン
サ等でなる整合器１０を介して試料台６と電気的に接続
される高周波（ＲＦ）電源で、上部電極６をアース電位
として試料台６に高周波電圧を印加する。１１はチャン
バ１内の反応生成物を含んだ排ガス１２を、チャンバ１
の外部に排出するためのガス排出口である。

【０００４】次に、上記のように構成された従来の半導
体処理装置の動作について説明する。まず、ガス導入口
２から供給される反応ガス（エッチングガス）３を、上
部電極４の穴４ａを介してチャンバ１内に導入する。次
いで、チャンバ１内の圧力を所定の圧力に制御しなが
ら、高周波電源９により下部電極としての試料台６と、
上部電極４との間に整合器１０を介して高周波電圧を印
加することによってプラズマ放電を誘起させ、試料台６
上に載置されたウエハ７上の被エッチング膜（図示せ
ず）をエッチングする。その後、このエッチング処理に
よって発生した反応生成物を含む排ガス１２は、ガス排
出口１１からチャンバ１の外部に排出される。

【０００５】一方、試料台６の内部には例えば冷却水等
の冷媒が循環されて、試料台６は常時温度が制御され冷
却されている。そして、ウエハ７をこの温度制御された
試料台６上に、クランプ手段８によって密着固定するこ
とにより、プラズマエッチング中にプラズマから受ける
熱や、被エッチング膜がエッチングされる時に発生する
反応熱を、試料台６側に放熱してウエハ７自身の温度上
昇を抑制し、後工程におけるアッシング時のレジスト残
渣、エッチング形状の異常およびエッチングレート等の
プロセス変動の要因となるレジストのレチクレーション
（レジスト焼け、変質）の発生を防止するようにしてい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体処理装置
は以上のように構成され、ウエハ７の温度上昇を防止す
るために、常に温度制御されて冷却される試料台６上に
密着固定させるようにしているので、図９に示すように
試料台６とウエハ７との間に異物が存在した場合、クラ
ンプ手段８によって機械的にウエハ７を試料台上に押し
付けたとしても、異物１３の周辺では空隙が発生するた
め、この空隙により異物１３周辺における試料台６とウ
エハ７との間の熱交換効率が低下してウエハ７の温度が
上昇する。なお、このような事態はクランプ手段８を用
いない静電チャック方式の装置においても起こる。

【０００７】その結果、上述したようにレジストレチク
レーション（レジスト焼け、劣化）や、これによるプロ
セスの変動が起こりパターン欠陥等の形状の異常が発生
し、製品の歩留まりを大きく低下させるという問題点が
あった。又、試料台６上の異物１３を除去する方法とし
て、チャンバ１のサイクルパージ等が採用されている
が、全ての粒径の異物を完全に除去することは出来ない
ため、最終的にはチャンバ１内を大気開放して直接クリ
ーニングするしかなく、一度大気開放した装置を再度処
理可能とするためには、かなりの時間を要し装置の稼動
率を低下させるという問題点があった。

【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、装置の稼動率を低下させること
なく異物の除去を行い、製品の歩留まりの向上を図るこ
とが可能な半導体処理装置を提供することを目的とする
ものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る半導体処理装置は、試料台の上方に試料台の表面と所
定の間隙を介して移動可能な可動電極を配設し、移動中
に可動電極に正電圧を、また試料台に負電圧をそれぞれ
印加させてコロナ放電を起こさせるようにしたものであ
る。

【００１０】又、この発明の請求項２に係る半導体処理
装置は、搬送ロボットに試料台の表面と所定の間隙を介
して移動可能な可動電極を配設し、移動中に可動電極に
正電圧を、また試料台に負電圧をそれぞれ印加させてコ
ロナ放電を起こさせるようにしたものである。

【００１１】又、この発明の請求項３に係る半導体処理
装置は、試料台の表面に沿って移動可能な回転式粘着ロ
ーラを備えたものである。

【００１２】又、この発明の請求項４に係る半導体処理
装置は、搬送ロボットに試料台の表面に沿って移動可能
な回転式粘着ローラを備えたものである。

【００１３】又、この発明の請求項５に係る半導体処理
装置は、請求項３または４において、回転式粘着ローラ
の近傍に回転式粘着ローラに純水を吹き付ける純水吹き
付け手段を配設したものである。

【００１４】又、この発明の請求項６に係る半導体処理
装置は、請求項３または４において、回転式粘着ローラ
の用済み後の粘着シートはシート巻取手段で回収するよ
うにしたものである。

【００１５】又、この発明の請求項７に係る半導体処理
装置は、試料台の上方に試料台の表面を払拭して移動可
能なワイパブラシを配設したものである。

【００１６】又、この発明の請求項８に係る半導体処理
装置は、請求項７において、ワイパブラシに超音波振動
発生手段を具備したものである。

【００１７】又、この発明の請求項９に係る半導体処理
装置は、搬送ロボットに試料台の表面を払拭して移動可
能なワイパブラシを備えたものである。

【００１８】又、この発明の請求項１０に係る半導体処
理装置は、搬送ロボットに試料台の表面に不活性ガスを
吹き付ける不活性ガス吹き付け手段を備えたものであ
る。

【００１９】

【作用】この発明の請求項１における半導体処理装置の
可動電極は、試料台の表面と所定の間隙を介して移動す
るとともに、正電圧が印加されることにより負電圧が印
加された試料台との間にコロナ放電を誘起する。

【００２０】又、この発明の請求項２における半導体処
理装置の可動電極は、搬送ロボットに配設され試料台の
表面と所定の間隙を介して移動するとともに、正電圧が
印加されることにより負電圧が印加された試料台との間
にコロナ放電を誘起する。

【００２１】又、この発明の請求項３における半導体処
理装置の回転式粘着ローラは、試料台の表面に沿って移
動する。

【００２２】又、この発明の請求項４における半導体処
理装置の回転式粘着ローラは、搬送ロボットに配設され
試料台の表面に沿って移動する。

【００２３】又、この発明の請求項５における半導体処
理装置の純水吹き付け手段は、回転式粘着ローラの近傍
に配設され、回転式粘着ローラに純水を吹き付ける。

【００２４】又、この発明の請求項６に係る半導体処理
装置のテープ巻取手段は、用済み後の粘着テープを巻き
取って回収する。

【００２５】又、この発明の請求項７に係る半導体処理
装置のワイパブラシは、試料台の上方に配設され試料台
の表面を払拭して移動する。

【００２６】又、この発明の請求項８に係る半導体処理
装置のワイパブラシに具備された超音波振動発生手段
は、ワイパブラシを振動させる。

【００２７】又、この発明の請求項９に係る半導体処理
装置のワイパブラシは、搬送ロボットに配設され試料台
の表面を払拭して移動する。

【００２８】又、この発明の請求項１０に係る半導体処
理装置の不活性ガス吹き付け手段は、搬送ロボットに配
設され試料台の表面に不活性ガスを吹き付ける。

【００２９】

【実施例】

実施例１．以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１はこの発明の実施例１における半導体処理装置
の概略構成を示す正面図および平面図である。図におい
て、図８に示す従来装置と同様な部分は同一符号を付し
て説明を省略する。１４は絶縁支持台５を回転可能に貫
通する垂直部１４ａと、この垂直部１４ａからほぼ直角
に折曲されて延在する水平部１４ｂとでなるＬ字状の可
動電極で、水平部１４ｂは試料台６の表面と数ｍｍの間
隙を介して配置され、垂直部１４ａの回転により図１
（Ｂ）に矢印で示すように回動する。１５は可動電極１
４に直流電圧を印加する直流電源である。

【００３０】次に、上記のように構成された実施例１に
おける半導体処理装置の動作について説明する。まず、
試料台６上に何も載っていない状態、すなわち、ウエハ
の処理が行われていない状態において、直流電源１５に
より可動電極１４に正電圧を、また、直流電源９により
試料台６に負電圧をそれぞれ印加して、可動電極１４と
試料台６との間にコロナ放電を起こさせる。次いで、こ
の状態で可動電極１４を回転させることにより、水平部
１４ｂを回動させて試料台６の上方をくまなく移動させ
る。

【００３１】すると、コロナ放電によって発生した電子
は、試料台６と可動電極１４との間に発生する電界によ
り、試料台６から可動電極１４に向かって移動する。こ
の時、試料台６上に付着されている異物はこの電子によ
り負に帯電する。このようにして帯電した異物は負電圧
が印加された試料台６に反発し、可動電極１４およびチ
ャンバ１の内壁に向かう電界によって、それぞれ可動電
極１４およびチャンバ１の内壁に向かって移動する。

【００３２】そして、チャンバ１の内壁に衝突した異物
は、チャンバ１が接地されているために帯電していた負
電荷を失い堆積する。また、可動電極１４に衝突した異
物は、可動電極１４に正電圧が印加されているために帯
電していた負電荷を失い堆積する。このようにしてチャ
ンバ１の内壁や可動電極１４に堆積された異物は、試料
台６上にウエハが載置された後、ドライクリーニングま
たはサイクルパージによりガス排出口１１を介してチャ
ンバ１の外部に排出される。なお、この時、万一ウエハ
上に異物が落ちたとしても、ウエハと共に装置外に搬出
されるため試料台６上に異物が付着することはない。

【００３３】このように上記実施例１によれば、試料台
６の上方を正電圧が印加された可動電極１４を移動さ
せ、負電圧が印加された試料台６との間にコロナ放電を
起こし、このコロナ放電による電子で試料台６上の異物
を負に帯電させ、電界によりチャンバ１の内壁および可
動電極１４に搬送するようにしているので、異物を除去
するために大気開放をする必要もなくなるため、稼動率
を低下させることなく異物の除去を行い、装置としての
歩留まりを向上させることができる。

【００３４】なお、コロナ放電は、試料台６を接地して
も起こすことはできるが、上記実施例１のように試料台
６に負電圧を印加しておくことにより、負に帯電し試料
台６を離れた異物が、チャンバ１の内壁や可動電極１４
に衝突することなく、再度試料台６上に落下してきたと
しても、試料台６に負電圧が印加されているために負電
荷を失うことはなく、再び反発してチャンバ１の内壁お
よび可動電極１４に向かって飛び出していくので、試料
台６上に再付着するのが防止されるという効果も得るこ
とができる。

【００３５】実施例２．図２はこの発明の実施例２にお
ける半導体処理装置の概略構成を示す正面図および平面
図である。図において、図１に示す実施例１におけるも
のと同様な部分は同一符号を付して説明を省略する。１
６は試料台６上に突設されウエハ７をリフトアップする
ための複数のリフトピン、１７はチャンバ１の側壁に配
設され、搬送ロボット室（図示せず）内とチャンバ１の
内部とを仕切るゲートバルブ、１８は搬送ロボット室
（図示せず）内に配設され、ウエハ７を上部で保持して
ゲートバルブ１７を介してチャンバ１内の試料台６上に
搬送する搬送ロボット、１９は搬送ロボット１８の下部
に配置され、長手方向中央部を中心にして回転可能な可
動電極で、直流電源１５と接続線を介して接続されてい
る。

【００３６】次に、上記のように構成された実施例２に
おける半導体処理装置の動作について説明する。まず、
試料台６上に何も載っていない状態、すなわち、ウエハ
の処理が行われていない状態において、搬送ロボット１
８でウエハ７を保持して、搬送ロボット１８を前進させ
てゲートバルブ１７を通して試料台６上まで搬送する。
次に、直流電源１５により可動電極１９に正電圧を、ま
た、直流電源９により試料台６に負電圧をそれぞれ印加
して、可動電極１９と試料台６との間にコロナ放電を起
こさせる。なお、この時、ウエハ７はリフトピン１６で
リフトアップされていないので、試料台６と同じ負電圧
が印加されている。次いで、この状態で可動電極１９を
試料台６の表面と数ｍｍの間隙を介して回転させること
により、試料台６の上方をくまなく移動させる。

【００３７】すると、コロナ放電によって発生した電子
は、試料台６と可動電極１９との間に発生する電界によ
り、試料台６から可動電極１９に向かって移動する。こ
の時、試料台６上に付着されている異物はこの電子によ
り負に帯電する。このようにして帯電した異物は負電圧
が印加された試料台６に反発し、可動電極１９およびチ
ャンバ１の内壁に向かう電界によって、それぞれ可動電
極１９およびチャンバ１の内壁に向かって移動する。

【００３８】そして、チャンバ１の内壁に衝突した異物
は、チャンバ１が接地されているために帯電していた負
電荷を失い堆積する。また、可動電極１９に衝突した異
物は、可動電極１９に正電圧が印加されているために帯
電していた負電荷を失い堆積する。このようにして試料
台６上の異物を完全に除去した後、搬送ロボット１８上
のウエハ７を試料台６上に移し換える。その後、チャン
バ１の内壁に堆積された異物は、試料台６上にウエハが
載置された後、ドライクリーニングまたはサイクルパー
ジによりガス排出口１１を介してチャンバ１の外部に排
出される。なお、この時、万一ウエハ７上に異物が落ち
たとしても、ウエハ７と共に装置外に搬出されるため試
料台６上に異物が付着することはない。

【００３９】なお、上記実施例２における可動電極１９
は搬送ロボット１８に装着されているため、可動電極１
９に堆積された異物は定期的に可動電極１９を交換する
ことにより装置外に排出される。そして、この交換作業
は搬送ロボット室（図示せず）を大気開放しなければな
らないが、搬送ロボット室はチャンバ１とは異なり、搬
送ロボット室内の真空引きが終了すれば、装置は使用可
能状態となるので、装置の稼動率を低下させることはな
い。

【００４０】このように上記実施例２によれば、試料台
６の上方を正電圧が印加された可動電極１９を移動さ
せ、負電圧が印加された試料台６との間にコロナ放電を
起こし、このコロナ放電による電子で試料台６上の異物
を負に帯電させ、電界によりチャンバ１の内壁および可
動電極１４に搬送するようにしているので、異物を除去
するために大気開放をする必要もなくなるため、稼動率
を低下させることなく異物の除去を行い、装置としての
歩留まりを向上させることができる。

【００４１】実施例３．図３はこの発明の実施例３にお
ける半導体処理装置の概略構成を示す正面図および平面
図である。図において、図２に示す実施例２におけるも
のと同様な部分は同一符号を付して説明を省略する。２
０は搬送ロボット１８に装着された不活性ガス吹き付け
手段で、搬送ロボット１８の先端に試料台６の直径とほ
ぼ同じ寸法幅で形成される開口部２０ａと、この開口部
２０ａと供給バルブ２１との間を連結する配管２０ｂと
で構成されている。

【００４２】次に、上記のように構成された実施例３に
おける半導体処理装置の動作について説明する。まず、
例えばＮ₂等の不活性ガス供給源（図示せず）と連結さ
れた供給バルブ２１は閉じた状態で、搬送ロボット１８
を前進させゲートバルブ１７を介して試料台６の上方に
ウエハ７を搬送する。この搬送中、開口部２０ａがチャ
ンバ１内に到達した時点で供給バルブ２１を開く。する
と、開口部２０ａから試料台６上に向かって不活性ガス
が吹き出し、搬送ロボット１８の前進に伴って試料台６
上の異物を順次吹き飛ばす。そして、吹き飛ばされた異
物はチャンバ１内を流れる処理ガスの流れに乗って、ガ
ス排出口１１からチャンバ１の外部に排出される。

【００４３】次に、供給バルブ２１を閉じ、リフトピン
１６を用いて搬送ロボット１８からウエハ７を持ち上げ
る。そして、この状態で搬送ロボット１８を後退させな
がら再び供給バルブ２１を開き、試料台６上の異物を再
び吹き飛ばす。次いで、搬送ロボット１８が完全にチャ
ンバ１の外部まで後退すると、供給バルブ２１を閉じて
不活性ガスの吹き出しを止め、ゲートバルブ１７を閉じ
た後、リフトピン１６を下げてウエハ７を試料台６上に
載置し所定の処理が行われる。

【００４４】このように上記実施例３によれば、搬送ロ
ボット１８に不活性ガス吹き付け手段２０を装着し、搬
送ロボット１８でウエハ７を搬送しながら、開口部２０
ａから不活性ガスを試料台６上に吹き付け、異物を吹き
飛ばすようにしているので、ウエハ７の搬送動作と異物
の吹き飛ばし動作とが同時進行となり、異物を吹き飛ば
すための時間を特別に設ける必要も無くなるため、稼動
率を低下させることなく異物の除去を行い、装置として
の歩留まりを向上させることができる。

【００４５】実施例４．図４はこの発明の実施例４にお
ける半導体処理装置の概略構成を示す正面図および平面
図である。図において、上記各実施例と同様な部分は同
一符号を付して説明を省略する。２２は図中矢印で示す
ように前進、後退が可能なロボット、２３はこのロボッ
ト２２の先端に回転可能に支承されたローラ２３ａ、お
よびこのローラ２３ａに巻回された粘着シート２３ｂで
なる粘着ローラである。

【００４６】そして、粘着シート２３ｂは基材として軟
質ポリ塩化ビニール（ＰＶＣ）を用い、この基材上にア
クリル系の粘着材を１０μｍ程度の厚さ塗布して形成し
たものであり、また、粘着材の粘着力としては、対ミラ
ーウエハ９０度の剥離力として５０ｇ／２０ｍｍ程度以
上のものを使用すれば良い。２４はローラ２３ａと所定
の間隔を介して回転可能に支承され、用済み後の粘着シ
ート２３ｂを巻回して回収するシート巻取手段としての
巻取ローラである。

【００４７】次に、上記のように構成された実施例４に
おける半導体処理装置の動作について説明する。まず、
ロボット２２を前進させ粘着ローラ２３をゲートバルブ
１７を介して試料台６上まで移動させる。そして、粘着
ローラ２３を試料台６の表面全域に沿って回転移動させ
ることにより、試料台６上の異物を吸着させて除去す
る。その後、粘着シート２３ｂに吸着された異物の量が
所定値以上となると、その部分の粘着シート２３ｂは用
済みとして巻取ローラ２４に巻取られて回収される。

【００４８】このように上記実施例４によれば、ロボッ
ト２２に装着された粘着ローラ２３を試料台６の表面全
域に沿って回転移動させ、粘着シート２３ｂに試料台６
上の異物を吸着させるようにしているので、クリーニン
グサイクルを大幅に改善することができ、稼動率を低下
させることなく異物の除去を行い、装置としての歩留ま
りを向上させることができる。又、用済みの粘着シート
２３ｂは巻取ローラ２４で適宜巻き取って回収するよう
にしているので、粘着シート２３ｂの粘着力が低下させ
ることもなく、安定して異物を除去することが可能であ
る。

【００４９】実施例５．図５はこの発明の実施例５にお
ける半導体処理装置の概略構成を示す正面図および平面
図である。図において、上記各実施例と同様な部分は同
一符号を付して説明を省略する。２５は図中矢印で示す
ように前進、後退、および上昇、下降が可能なロボット
で、先端には上記実施例４におけると同様のローラ２３
ａおよび粘着シート２３ｂでなる粘着ローラ２３が装着
されている。２６はロボット２５の先端に粘着ローラ２
３の上方を延在して突設されたウエハ７を保持するため
のウエハ搬送用アーム、２７はこのウエハ搬送用アーム
２６を貫通して取り付けられ、粘着ローラ２３の外周面
に向かって開口する純水吹き付け手段としての純水吹き
付けノズルである。

【００５０】次に、上記のように構成された実施例５に
おける半導体処理装置の動作について説明する。まず、
処理が完了したウエハ７をリフトピン１６により上昇さ
せる。次いでゲートバルブ１７を開けてロボット２５を
チャンバ１内に搬入させウエハ７を保持する。その後、
粘着ローラ２３が試料台６上に接触するまでロボット２
５を下降させ、そのままの状態で後退させてウエハ７を
チャンバ１の外部に搬出する。この時、試料台６上は粘
着ローラ２３が接触しながら移動しているので、異物は
粘着ローラ２３によって吸着され除去される。又、この
ような動作が繰り返されることによって粘着ローラ２３
の粘着力が低下した場合は、純水吹き付けノズル２７か
ら純水を噴射させ、粘着ローラ２３に吹き付けることに
よって粘着力を回復させる。

【００５１】このように上記実施例５によれば、ロボッ
ト２５に装着された粘着ローラ２３を試料台６上に接触
させた状態で、ウエハ搬出動作を行うようにしているの
で、異物除去のための時間を特別に設ける必要がなく、
且つウエハ搬出毎に異物除去をすることができ、又、粘
着ローラ２３に純水吹き付けノズル２７から純水を吹き
付けて粘着力の低下を防止するようにしているので、安
定した異物の除去が可能になる。

【００５２】実施例６．図６はこの発明の実施例６にお
ける半導体処理装置の概略構成を示す正面図および平面
図である。図において、上記各実施例と同様な部分は同
一符号を付して説明を省略する。２８はチャンバ１内に
並設された一対のレール２９上を、図６（Ｂ）に矢印で
示すように移動し、試料台６の表面を払拭可能に配設さ
れたワイパブラシで、図示しないヒータにより加熱され
反応生成物が付着しないように成されている。３０はレ
ール２９の端部に配設された超音波振動発生手段であ
る。

【００５３】次に、上記のように構成された実施例にお
ける半導体処理装置の動作について説明する。まず、試
料台６上に何も載っていない状態、すなわち、ウエハの
処理が行われていない状態において、まず、ワイパブラ
シ２８を両レール２９に沿って移動させると、試料台６
上の異物はワイパブラシ２８によって払拭されて除去さ
れる。又、ワイパブラシ２８に付着した異物は超音波振
動発生手段３０による超音波振動にて振い落とされ、ガ
ス排出口１１からチャンバ１の外部に排出される。

【００５４】このように上記実施例６によれば、試料台
６上をワイパブラシ２８で払拭することにより異物を除
去するようにしているので、比較的大きな異物を除去す
るのに適しており、又、異物を除去するために大気開放
をする必要もないため、稼動率を低下させることなく異
物の除去を行い、装置としての歩留まりを向上させるこ
とができる。

【００５５】実施例７．図７はこの発明の実施例７にお
ける半導体処理装置の概略構成を示す正面図および平面
図である。図において、上記各実施例と同様な部分は同
一符号を付して説明を省略する。３１は図中矢印で示す
ように前進、後退が可能なロボット、３２はこのロボッ
ト３１の先端に突設されたウエハ７を保持するためのウ
エハ搬送用アーム、３３はこのウエハ搬送用アーム３２
の下部にピン３３ａを介して回転可能に枢着されたワイ
パブラシである。

【００５６】次に、上記のように構成された実施例７に
おける半導体処理装置の動作について説明する。まず、
処理が完了したウエハ７をリフトピン１６により上昇さ
せる。次いで、ゲートバルブ１７を開けてロボット３１
をチャンバ１内に搬入させ、ウエハ搬送用アーム３２が
ウエハ７の下方に位置するとリフトピン１６が下降し、
ウエハ７はウエハ搬送用アーム３２上に保持される。

【００５７】すると、ワイパブラシ３３がピン３３ａを
中心にして回転を開始し、試料台６上の異物はワイパブ
ラシ３３によって払拭されて除去される。そして、試料
台６上から除去された異物はガス排出口１１からチャン
バ１の外部に排出される。一方、ウエハ７を保持したロ
ボット３１はゲートバルブ１７を介して後退し、ロボッ
ト室（図示せず）内に戻り、ワイパブラシ３３に付着し
た異物はロボット室内におけるサイクルパージにより除
去される。

【００５８】このように上記実施例７によれば、ウエハ
７をチャンバ１内に搬入またはチャンバ１外に搬出する
ロボット３１の動作と併行して、ロボット３１に装着さ
れたワイパブラシ３３を回転させ試料台６上を払拭する
ことにより異物を除去するようにしているので、異物除
去のための時間を特別に設ける必要がなく、又、ワイパ
ブラシ３３を交換する場合、ロボット室を大気開放する
だけで良く、チャンバ１内を大気開放する必要がないの
で、稼動率を低下させることなく異物の除去を行い、装
置としての歩留まりを向上させることができる。

【００５９】

【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１によ
れば、試料台の上方に試料台の表面と所定の間隙を介し
て移動可能な可動電極を配設し、移動中に可動電極に正
電圧を、また試料台に負電圧をそれぞれ印加させてコロ
ナ放電を起こさせるようにしたので、装置の稼動率を低
下させることなく異物の除去を行い、製品の歩留まりの
向上を図ることが可能な半導体処理装置を提供すること
ができる。

【００６０】又、この発明の請求項２によれば、搬送ロ
ボットに試料台の表面と所定の間隙を介して移動可能な
可動電極を配設し、移動中に可動電極に正電圧を、また
試料台に負電圧をそれぞれ印加させてコロナ放電を起こ
させるようにしたので、装置の稼動率を低下させること
なく異物の除去を行い、製品の歩留まりの向上を図るこ
とが可能な半導体処理装置を提供することができる。

【００６１】又、この発明の請求項３によれば、試料台
の表面に沿って移動可能な回転式粘着ローラを備えたの
で、装置の稼動率を低下させることなく異物の除去を行
い、製品の歩留まりの向上を図ることが可能な半導体処
理装置を提供することができる。

【００６２】又、この発明の請求項４によれば、搬送ロ
ボットに試料台の表面に沿って移動可能な回転式粘着ロ
ーラを備えたので、装置の稼動率を低下させることなく
異物の除去を行い、製品の歩留まりの向上を図ることが
可能な半導体処理装置を提供することができる。

【００６３】又、この発明の請求項５によれば、請求項
３または４において、回転式粘着ローラの近傍に回転式
粘着ローラに純水を吹き付ける純水吹き付け手段を配設
したので、装置の稼動率を低下させることなく異物の除
去を行い、製品の歩留まりの向上を図ることが可能であ
ることは勿論のこと、回転式粘着ローラの粘着シートの
粘着力の低下を防止することが可能な半導体処理装置を
提供することができる。

【００６４】又、この発明の請求項６によれば、請求項
３または４において、回転式粘着ローラの用済み後の粘
着シートはシート巻取手段で回収するようにしたので、
装置の稼動率を低下させることなく異物の除去を行い、
製品の歩留まりの向上を図ることが可能であることは勿
論のこと、回転式粘着ローラの粘着シートの粘着力の低
下を防止することが可能な半導体処理装置を提供するこ
とができる。

【００６５】又、この発明の請求項７によれば、試料台
の上方に試料台の表面を払拭して移動可能なワイパブラ
シを配設した装置の稼動率を低下させることなく異物の
除去を行い、製品の歩留まりの向上を図ることが可能な
半導体処理装置を提供することができる。

【００６６】又、この発明の請求項８によれば、請求項
７において、ワイパブラシに超音波振動発生手段を具備
したので、装置の稼動率を低下させることなく異物の除
去を行い、製品の歩留まりの向上を図ることが可能であ
ることは勿論のこと、ワイパブラシに付着した異物を容
易に振り落とすことが可能な半導体処理装置を提供する
ことができる。

【００６７】又、この発明の請求項９によれば、搬送ロ
ボットに試料台の表面を払拭して移動可能なワイパブラ
シを備えたので、装置の稼動率を低下させることなく異
物の除去を行い、製品の歩留まりの向上を図ることが可
能な半導体処理装置を提供することができる。

【００６８】又、この発明の請求項１０によれば、搬送
ロボットに試料台の表面に不活性ガスを吹き付ける不活
性ガス吹き付け手段を備えたので、装置の稼動率を低下
させることなく異物の除去を行い、製品の歩留まりの向
上を図ることが可能な半導体処理装置を提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施例１における半導体処理装置
の概略構成を示す正面図および平面図である。

【図２】 この発明の実施例２における半導体処理装置
の概略構成を示す正面図および平面図である。

【図３】 この発明の実施例３における半導体処理装置
の概略構成を示す正面図および平面図である。

【図４】 この発明の実施例４における半導体処理装置
の概略構成を示す正面図および平面図である。

【図５】 この発明の実施例５における半導体処理装置
の概略構成を示す正面図および平面図である。

【図６】 この発明の実施例６における半導体処理装置
の概略構成を示す正面図および平面図である。

【図７】 この発明の実施例７における半導体処理装置
の概略構成を示す正面図および平面図である。

【図８】 従来の半導体処理装置の概略構成を示す正面
図である。

【図９】 ウエハと試料台との間に異物が存在する場合
の状態を示す図である。

【符号の説明】

１ チャンバ、４ 上部電極、６ 試料台、７ ウエ
ハ、９，１５ 直流電源、１４，１９ 可動電極、１８
搬送ロボット、２０ 不活性ガス吹き付け手段、２０
ａ 開口部、２０ｂ 配管、２１ 供給バルブ、２２，
２５，３１ ロボット、２３ 粘着ローラ、２３ａ ロ
ーラ、２３ｂ 粘着シート、２４ 巻取ローラ、２６，
３２ ウエハ搬送用アーム、２７ 純水吹き付けノズ
ル、２８，３３ ワイパブラシ、３０ 超音波振動発生
手段。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川井 健治 伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機株式会 社ユー・エル・エス・アイ開発研究所内 (72)発明者 石田 智章 伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機株式会 社ユー・エル・エス・アイ開発研究所内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 チャンバ内に設置された試料台上にウエ
   ハを載置して、ウエハの表面の処理を行う半導体処理装
   置において、上記試料台の上方に上記試料台の表面と所
   定の間隙を介して移動可能な可動電極を配設し、上記移
   動中に上記可動電極に正電圧を、また上記試料台に負電
   圧をそれぞれ印加させてコロナ放電を起こさせるように
   したことを特徴とする半導体処理装置。
2. 【請求項２】 ウエハを搬送ロボットによってチャンバ
   内に搬入するとともに上記チャンバ内に設置された試料
   台上に載置して、上記ウエハの表面の処理を行う半導体
   処理装置において、上記搬送ロボットに上記試料台の表
   面と所定の間隙を介して移動可能な可動電極を配設し、
   上記移動中に上記可動電極に正電圧を、また上記試料台
   に負電圧をそれぞれ印加させてコロナ放電を起こさせる
   ようにしたことを特徴とする半導体処理装置。
3. 【請求項３】 チャンバ内に設置された試料台上にウエ
   ハを載置して、ウエハの表面の処理を行う半導体処理装
   置において、上記試料台の表面に沿って移動可能な回転
   式粘着ローラを備えたことを特徴とする半導体処理装
   置。
4. 【請求項４】 ウエハを搬送ロボットによってチャンバ
   内に搬入するとともに上記チャンバ内に設置された試料
   台上に載置して、上記ウエハの表面の処理を行う半導体
   処理装置において、上記搬送ロボットに上記試料台の表
   面に沿って移動可能な回転式粘着ローラを備えたことを
   特徴とする半導体処理装置。
5. 【請求項５】 回転式粘着ローラの近傍に上記回転式粘
   着ローラに純水を吹き付ける純水吹き付け手段を配設し
   たことを特徴とする請求項３または４記載の半導体処理
   装置。
6. 【請求項６】 回転式粘着ローラの用済み後の粘着シー
   トはシート巻取手段で回収するようにしたことを特徴と
   する請求項３または４記載の半導体処理装置。
7. 【請求項７】 チャンバ内に設置された試料台上にウエ
   ハを載置して、ウエハの表面の処理を行う半導体処理装
   置において、上記試料台の上方に上記試料台の表面を払
   拭して移動可能なワイパブラシを配設したことを特徴と
   する半導体処理装置。
8. 【請求項８】 ワイパブラシは超音波振動発生手段を具
   備していることを特徴とする請求項７記載の半導体処理
   装置。
9. 【請求項９】 ウエハを搬送ロボットによってチャンバ
   内に搬入するとともに上記チャンバ内に設置された試料
   台上に載置して、上記ウエハの表面の処理を行う半導体
   処理装置において、上記搬送ロボットに上記試料台の表
   面を払拭して移動可能なワイパブラシを備えたことを特
   徴とする半導体処理装置。
10. 【請求項１０】 ウエハを搬送ロボットによってチャン
    バ内に搬入するとともに上記チャンバ内に設置された試
    料台上に載置して、上記ウエハの表面の処理を行う半導
    体処理装置において、上記搬送ロボットに上記試料台の
    表面に不活性ガスを吹き付ける不活性ガス吹き付け手段
    を備えたことを特徴とする半導体処理装置。