JP3385180B2 - 化合物半導体膜の形成方法 - Google Patents
化合物半導体膜の形成方法Info
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化合物半導体膜の
形成方法に関する。より詳しくは、一般に分子線エピタ
キシ（ＭＢＥ）として知られ、またガスソースＭＢＥ
（ＧＳＭＢＥ）及び化学線エピタキシ（ＣＢＥ）として
も知られる方法の改良に関する。
形成方法に関する。より詳しくは、一般に分子線エピタ
キシ（ＭＢＥ）として知られ、またガスソースＭＢＥ
（ＧＳＭＢＥ）及び化学線エピタキシ（ＣＢＥ）として
も知られる方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭＢＥでは、化学薬品を加熱して真空シ
ステムの内部或いは外部に適切な蒸気圧を作り出すこと
によって生成される分子線を、高真空或いは超高真空の
環境下で、加熱された基板に衝突させる。分子線は、基
板上で化学的に反応し、化合物半導体を形成する。他の
元素を付加的に供給することにより、ドーパントが導入
され得る。
ステムの内部或いは外部に適切な蒸気圧を作り出すこと
によって生成される分子線を、高真空或いは超高真空の
環境下で、加熱された基板に衝突させる。分子線は、基
板上で化学的に反応し、化合物半導体を形成する。他の
元素を付加的に供給することにより、ドーパントが導入
され得る。
【０００３】ＩＩＩ−Ｖ化合物（例えば、ＧａＡｓ）或
いはＩＩ−ＶＩ化合物（例えば、ＺｎＳｅ）の成長で
は、再蒸発によって元素のうちの１つの過剰分が失われ
ると、化学量論的な材料が得られる。ＩＩＩ−Ｖ化合物
では、これは通常は第Ｖ族元素（例えば、Ａｓ）が過剰
に供給されるときに起こり、成長レートは、第ＩＩＩ族
元素（例えば、Ｇａ）の到着レートによって制御され
る。
いはＩＩ−ＶＩ化合物（例えば、ＺｎＳｅ）の成長で
は、再蒸発によって元素のうちの１つの過剰分が失われ
ると、化学量論的な材料が得られる。ＩＩＩ−Ｖ化合物
では、これは通常は第Ｖ族元素（例えば、Ａｓ）が過剰
に供給されるときに起こり、成長レートは、第ＩＩＩ族
元素（例えば、Ｇａ）の到着レートによって制御され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、基板の温度が
低いと、種の滞在時間がより長くなり、少量の付加的な
Ａｓが成長している膜に組み込まれる。これにより、材
料が半絶縁状態になり、また材料の結晶性の質が低下す
る。
低いと、種の滞在時間がより長くなり、少量の付加的な
Ａｓが成長している膜に組み込まれる。これにより、材
料が半絶縁状態になり、また材料の結晶性の質が低下す
る。
【０００５】膜特性を向上させるために、基本的なＭＢ
Ｅ法を変形した方法が用いられ得る。これには、原子層
エピタキシ（ＡＬＥ）が含まれる。この方法は、マイグ
レーション・エンハンスト・エピタキシ（ＭＥＥ）とし
ても知られ、第ＩＩＩ族及び第Ｖ族の元素を、（ａ）連
続して或いは（ｂ）Ｖ／ＩＩＩフラックス比を厳密に制
御して、供給する。前者の方法（ａ）では、プロセスの
連続性に関連する難点があり、これにより全体的な成長
レートが遅くなる。また、シャッター或いはバルブが頻
繁に動作するため、器具の故障が発生しやすい。後者の
方法（ｂ）では、成長期間を通じてフラックス比を非常
に正確に制御する必要があり、表面全体に渡る自然変動
が、成長面積が大きい場合に対するこの方法の適用を困
難なものにする。
Ｅ法を変形した方法が用いられ得る。これには、原子層
エピタキシ（ＡＬＥ）が含まれる。この方法は、マイグ
レーション・エンハンスト・エピタキシ（ＭＥＥ）とし
ても知られ、第ＩＩＩ族及び第Ｖ族の元素を、（ａ）連
続して或いは（ｂ）Ｖ／ＩＩＩフラックス比を厳密に制
御して、供給する。前者の方法（ａ）では、プロセスの
連続性に関連する難点があり、これにより全体的な成長
レートが遅くなる。また、シャッター或いはバルブが頻
繁に動作するため、器具の故障が発生しやすい。後者の
方法（ｂ）では、成長期間を通じてフラックス比を非常
に正確に制御する必要があり、表面全体に渡る自然変動
が、成長面積が大きい場合に対するこの方法の適用を困
難なものにする。
【０００６】第ＩＩＩ族窒化物（例えば、ＡｌＮ、Ｇａ
Ｎ、及びＩｎＮ）の場合には、格子パラメータの不整合
が大きいと、さらに別の問題が生じる。窒素リッチな条
件下で膜を成長させる場合、成長は、互いに分断された
垂直方向の結晶島にて起こる。このため、成長方向に垂
直な方向での導電率が、非常に小さくなる。同じ材料に
対する第ＩＩＩ族リッチな条件下での成長では、連続し
た膜は得られるが、結晶島がバックグラウンドから成長
し、過剰な第ＩＩＩ族元素がその上面に存在する。いず
れのタイプの膜も、電子デバイス或いは光電子デバイス
の製造に用いるには適切ではない。
Ｎ、及びＩｎＮ）の場合には、格子パラメータの不整合
が大きいと、さらに別の問題が生じる。窒素リッチな条
件下で膜を成長させる場合、成長は、互いに分断された
垂直方向の結晶島にて起こる。このため、成長方向に垂
直な方向での導電率が、非常に小さくなる。同じ材料に
対する第ＩＩＩ族リッチな条件下での成長では、連続し
た膜は得られるが、結晶島がバックグラウンドから成長
し、過剰な第ＩＩＩ族元素がその上面に存在する。いず
れのタイプの膜も、電子デバイス或いは光電子デバイス
の製造に用いるには適切ではない。
【０００７】A. Ishidaらは、Appl. Phys. Lett.、第67
(5)巻、1995年7月31日、第665〜666頁にて、いわゆる
「ホットウォールエピタキシ」によって、ＧａＮ膜をサ
ファイア基板上に成長させる様々な方法を開示してい
る。ある方法では、ＧａＮ膜を、Ｇａ及びＮＨ3ソース
から基板上に直接に成長させる。別の方法では、ＧａＮ
層が予め堆積されて、次にアンモニアにより窒化され
る。さらに別の方法では、予め堆積されたＧａ層を窒化
させることにより形成されたＧａＮ初期層上に、ＧａＮ
膜を成長させる。
(5)巻、1995年7月31日、第665〜666頁にて、いわゆる
「ホットウォールエピタキシ」によって、ＧａＮ膜をサ
ファイア基板上に成長させる様々な方法を開示してい
る。ある方法では、ＧａＮ膜を、Ｇａ及びＮＨ3ソース
から基板上に直接に成長させる。別の方法では、ＧａＮ
層が予め堆積されて、次にアンモニアにより窒化され
る。さらに別の方法では、予め堆積されたＧａ層を窒化
させることにより形成されたＧａＮ初期層上に、ＧａＮ
膜を成長させる。
【０００８】しかし、サファイア基板に直接に形成され
たＧａＮ膜は、多結晶性であるために、質が劣る。ガリ
ウムを予め基板に堆積させた後にアンモニアにより窒化
させる方法によると、均一な膜構造を得ることができ
る。しかし、ＧａＮとサファイアとの間の大きな格子不
整合を克服するために、ＭＢＥ使用者の多くは、予め堆
積させて窒化させる方法と低温ＧａＮ或いはＡｌＮバッ
ファ層とを組み合わせて使用する。ＭＢＥで現時点で利
用可能な低い成長レートでは、これは、時間のかかる複
雑なプロセスとなり得る。
たＧａＮ膜は、多結晶性であるために、質が劣る。ガリ
ウムを予め基板に堆積させた後にアンモニアにより窒化
させる方法によると、均一な膜構造を得ることができ
る。しかし、ＧａＮとサファイアとの間の大きな格子不
整合を克服するために、ＭＢＥ使用者の多くは、予め堆
積させて窒化させる方法と低温ＧａＮ或いはＡｌＮバッ
ファ層とを組み合わせて使用する。ＭＢＥで現時点で利
用可能な低い成長レートでは、これは、時間のかかる複
雑なプロセスとなり得る。
【０００９】GB-A-2284431は、その化学量論的性質が主
にＴｉＮ或いはＴｉＮ合金相から主にＡｕ或いはＡｕ合
金相へと次第に変化する複数の層の堆積を伴うプロセス
を開示しており、特に３つのＴｉターゲットと１つのＡ
ｕターゲットとを使用し、窒素ガスを真空室に導入し
て、ＴｉＮプレーティング層を形成することを開示して
いる。
にＴｉＮ或いはＴｉＮ合金相から主にＡｕ或いはＡｕ合
金相へと次第に変化する複数の層の堆積を伴うプロセス
を開示しており、特に３つのＴｉターゲットと１つのＡ
ｕターゲットとを使用し、窒素ガスを真空室に導入し
て、ＴｉＮプレーティング層を形成することを開示して
いる。
【００１０】GB-A-2210502は、基板上へのＧａＡｓ膜の
成長方法を開示している。開示されている方法では、中
心となるＧａＡｓ膜を両方の成分が同時に供給される標
準的な既知のＭＢＥ法で成長する前に、初期段階でＭＥ
Ｅを使用してＧａＡｓバッファ層を形成する。そのよう
なプロセスでは、ＭＥＥの使用に関する上述の難点が生
じる。
成長方法を開示している。開示されている方法では、中
心となるＧａＡｓ膜を両方の成分が同時に供給される標
準的な既知のＭＢＥ法で成長する前に、初期段階でＭＥ
Ｅを使用してＧａＡｓバッファ層を形成する。そのよう
なプロセスでは、ＭＥＥの使用に関する上述の難点が生
じる。
【００１１】GB-A-1469978は、Ａｓが過剰な状態で基板
を予熱し、続いてＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させ
ることを開示している。そのような成長は、ＧａのＡｓ
に対する比であるＧａ／Ａｓ比を一定にして、連続的に
生じる。
を予熱し、続いてＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させ
ることを開示している。そのような成長は、ＧａのＡｓ
に対する比であるＧａ／Ａｓ比を一定にして、連続的に
生じる。
【００１２】EP-A-0525297は、多層のドープされたＧａ
Ａｓエピタキシャル層構造を形成するためのＧＳＭＢＥ
プロセスを開示している。開示されているプロセスで
は、アルシンを連続的に供給する一方で、ドーパントが
供給されている間にはトリエチルガリウムを間欠的にス
トップする。
Ａｓエピタキシャル層構造を形成するためのＧＳＭＢＥ
プロセスを開示している。開示されているプロセスで
は、アルシンを連続的に供給する一方で、ドーパントが
供給されている間にはトリエチルガリウムを間欠的にス
トップする。
【００１３】US-A-5091335も、第ＩＩＩ族及び第Ｖ族原
子が同時に到着せず、且つＩｎ及びＡｓのフラックスが
一定であるような、ＭＥＥプロセスの一形態を開示して
いる。
子が同時に到着せず、且つＩｎ及びＡｓのフラックスが
一定であるような、ＭＥＥプロセスの一形態を開示して
いる。
【００１４】US-A-5015353は、エピタキシャル成長を伴
わずに窒化シリコン膜を形成する方法を開示している。
膜の化学量論的な性質は制御され得て、化学量論的性質
を予め選択するか、或いは、屈折率を制御する目的で膜
の堆積深さと共に化学量論的性質を予め選択的に変化さ
せる。説明されている技法を使用して一定の化学量論的
性質を有する膜を形成するためには、堆積プロセスの全
体を通じてＳｉ及びＮのフラックスを一定にする必要が
ある。
わずに窒化シリコン膜を形成する方法を開示している。
膜の化学量論的な性質は制御され得て、化学量論的性質
を予め選択するか、或いは、屈折率を制御する目的で膜
の堆積深さと共に化学量論的性質を予め選択的に変化さ
せる。説明されている技法を使用して一定の化学量論的
性質を有する膜を形成するためには、堆積プロセスの全
体を通じてＳｉ及びＮのフラックスを一定にする必要が
ある。
【００１５】US-A-4902643は、第ＩＩＩ族及び第Ｖ族原
子のエピタキシャル成長のためのＡＬＥプロセス、すな
わち第ＩＩＩ族原子と第Ｖ族原子とが同時に到着しない
プロセスを、開示している。
子のエピタキシャル成長のためのＡＬＥプロセス、すな
わち第ＩＩＩ族原子と第Ｖ族原子とが同時に到着しない
プロセスを、開示している。
【００１６】US-A-4517047は、多層膜装置の各層を、そ
の層の成長期間を通じてＶ／ＩＩＩ比が一定であるよう
な条件下でＭＢＥによって成長するプロセスを開示して
いる。
の層の成長期間を通じてＶ／ＩＩＩ比が一定であるよう
な条件下でＭＢＥによって成長するプロセスを開示して
いる。
【００１７】本発明は、上記の課題を克服するためにな
されたものであり、その目的は、平坦な膜を信頼性があ
り且つ再現性のある方法で得ることを可能にする、化合
物半導体膜の改良された形成方法を提供することであ
る。
されたものであり、その目的は、平坦な膜を信頼性があ
り且つ再現性のある方法で得ることを可能にする、化合
物半導体膜の改良された形成方法を提供することであ
る。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、化合物
半導体の第１及び第２成分が所定の化学量論比であるよ
うな化合物半導体膜の形成方法が提供される。該方法
は、（ａ）第１成分を、膜が形成される成長期間に渡っ
て第１到着レートプロフィールに従って基板に到着させ
る工程と、（ｂ）第２成分を、成長期間に渡って第２到
着レートプロフィールに従って基板に到着させる工程
と、を包含する。第１及び第２到着レートプロフィール
は、第１及び第２成分が成長期間に渡って基板に同時に
到着し、且つ、（ｉ）成長期間の最初の部分において
は、膜の成長が第１成分が化学量論的に過剰である条件
下で行われ、また（ｉｉ）成長期間の引き続く部分にお
いては、膜の成長が第２成分が化学量論的に過剰である
条件下で行われるように、設定される。以上のことによ
り、上記目的が達成される。
半導体の第１及び第２成分が所定の化学量論比であるよ
うな化合物半導体膜の形成方法が提供される。該方法
は、（ａ）第１成分を、膜が形成される成長期間に渡っ
て第１到着レートプロフィールに従って基板に到着させ
る工程と、（ｂ）第２成分を、成長期間に渡って第２到
着レートプロフィールに従って基板に到着させる工程
と、を包含する。第１及び第２到着レートプロフィール
は、第１及び第２成分が成長期間に渡って基板に同時に
到着し、且つ、（ｉ）成長期間の最初の部分において
は、膜の成長が第１成分が化学量論的に過剰である条件
下で行われ、また（ｉｉ）成長期間の引き続く部分にお
いては、膜の成長が第２成分が化学量論的に過剰である
条件下で行われるように、設定される。以上のことによ
り、上記目的が達成される。
【００１９】各成分の到着レートは、基板が置かれるＭ
ＢＥ装置の真空室内における、そのような成分の供給レ
ート、すなわちフラックスによって決定される。従っ
て、到着レートは、その成分の真空室への供給レート、
すなわちフラックスを変化させることによって、変化さ
れ得る。
ＢＥ装置の真空室内における、そのような成分の供給レ
ート、すなわちフラックスによって決定される。従っ
て、到着レートは、その成分の真空室への供給レート、
すなわちフラックスを変化させることによって、変化さ
れ得る。
【００２０】好ましくは、成長期間の最初の部分は約
５．５分を超えず、より好ましくは、約４．５〜５．５
分である。
５．５分を超えず、より好ましくは、約４．５〜５．５
分である。
【００２１】好ましくは、成長期間の引き続く部分と
は、最初の部分の後の成長期間の残りの部分を表す。好
ましくは、当該引き続く部分は、成長期間の５０％を超
える部分を表す。
は、最初の部分の後の成長期間の残りの部分を表す。好
ましくは、当該引き続く部分は、成長期間の５０％を超
える部分を表す。
【００２２】また好ましくは、第２成分に対する第１成
分の化学量論比は、成長期間の少なくとも最初の部分を
通じて変動する。
分の化学量論比は、成長期間の少なくとも最初の部分を
通じて変動する。
【００２３】第１及び第２到着レートプロフィールのう
ちの一方を、該当する成分の到着レートが成長期間に渡
って実質的に一定であるように設定し、他方の到着レー
トプロフィールを、該当する成分の到着レートが成長期
間に渡って変動するように設定してもよい。
ちの一方を、該当する成分の到着レートが成長期間に渡
って実質的に一定であるように設定し、他方の到着レー
トプロフィールを、該当する成分の到着レートが成長期
間に渡って変動するように設定してもよい。
【００２４】１つの好適な実施形態によれば、第１到着
レートプロフィールは、第１成分の到着レートが成長期
間に渡って一定であるように設定され、第２到着レート
プロフィールは、第２成分が最初は前記最初の部分に渡
って化学量論的に不足する量で到着し、続いて化学量論
的に過剰な量で到着するように設定される。
レートプロフィールは、第１成分の到着レートが成長期
間に渡って一定であるように設定され、第２到着レート
プロフィールは、第２成分が最初は前記最初の部分に渡
って化学量論的に不足する量で到着し、続いて化学量論
的に過剰な量で到着するように設定される。
【００２５】別の好適な実施形態によれば、第１到着レ
ートプロフィールは、第１成分が前記最初の部分に渡っ
て化学量論的に過剰な量で到着し、続いて化学量論的に
不足する量で到着するように設定され、第２到着レート
プロフィールは、第２成分の到着レートが成長期間に渡
って実質的に一定であるように設定される。
ートプロフィールは、第１成分が前記最初の部分に渡っ
て化学量論的に過剰な量で到着し、続いて化学量論的に
不足する量で到着するように設定され、第２到着レート
プロフィールは、第２成分の到着レートが成長期間に渡
って実質的に一定であるように設定される。
【００２６】好ましくは、第２成分に対する第１成分の
化学量論比は、成長期間の少なくとも最初の部分を通じ
て実質的に連続して変動する。
化学量論比は、成長期間の少なくとも最初の部分を通じ
て実質的に連続して変動する。
【００２７】最も好ましくは、第１成分に対する第２成
分の化学量論比は、成長期間の開始時には（０．８５±
０．０２）：１であり、５±０．５分間に渡って約１：
１に変更され、その後、次の４分間に渡って１．１３：
１に変更される。
分の化学量論比は、成長期間の開始時には（０．８５±
０．０２）：１であり、５±０．５分間に渡って約１：
１に変更され、その後、次の４分間に渡って１．１３：
１に変更される。
【００２８】本発明は、特に、第ＩＩＩ族元素が第１成
分を構成し且つ第Ｖ族元素が第２成分を構成するＩＩＩ
−Ｖ化合物半導体の成長に関するが、これに限定されな
い。
分を構成し且つ第Ｖ族元素が第２成分を構成するＩＩＩ
−Ｖ化合物半導体の成長に関するが、これに限定されな
い。
【００２９】好ましくは、成長期間の最初の部分の開始
時での化学量論的な過剰量は、１３〜１７％（Ｖ／ＩＩ
Ｉ＝０．８５±０．０２）の範囲である。
時での化学量論的な過剰量は、１３〜１７％（Ｖ／ＩＩ
Ｉ＝０．８５±０．０２）の範囲である。
【００３０】本発明は、特に、サファイア基板の上に直
接にＧａＮを成長させる場合に適用され得る。
接にＧａＮを成長させる場合に適用され得る。
【００３１】本発明の方法は、電子デバイス或いは光電
子デバイスの製造に適した第ＩＩＩ族窒化物の連続した
平坦な膜を形成する、信頼性があり且つ再現性のある方
法を提供する。さらに、到着する種の化学量論的性質を
成長期間を通じて常時正確に制御する必要はなく、成長
期間の終了までに全体的な化学量論的性質が所定の化学
量論比に従っていることを確実にするだけでよい。
子デバイスの製造に適した第ＩＩＩ族窒化物の連続した
平坦な膜を形成する、信頼性があり且つ再現性のある方
法を提供する。さらに、到着する種の化学量論的性質を
成長期間を通じて常時正確に制御する必要はなく、成長
期間の終了までに全体的な化学量論的性質が所定の化学
量論比に従っていることを確実にするだけでよい。
【００３２】さらに、化合物半導体の第１及び第２成分
は同時に供給されるため、成長レートは比較的高く、ま
たシャッタ或いはバルブを頻繁に動作させる必要はな
い。従って、エピタキシャルプロセスの信頼性が、さら
に高くなる。
は同時に供給されるため、成長レートは比較的高く、ま
たシャッタ或いはバルブを頻繁に動作させる必要はな
い。従って、エピタキシャルプロセスの信頼性が、さら
に高くなる。
【００３３】本発明は、１つ以上のドーパントを含ませ
て、例えば電界効果トランジスタの動作或いは横方向の
電流の導通が必要な他のデバイスに適した導電膜を作成
する工程を、包含し得る。
て、例えば電界効果トランジスタの動作或いは横方向の
電流の導通が必要な他のデバイスに適した導電膜を作成
する工程を、包含し得る。
【００３４】
【発明の実施の形態】図１は、本発明により形成された
平坦で連続したＧａＮ膜を示す。このような膜は、ある
範囲の電子デバイス及び光電子デバイスの製造において
使用するために、非常に適している。
平坦で連続したＧａＮ膜を示す。このような膜は、ある
範囲の電子デバイス及び光電子デバイスの製造において
使用するために、非常に適している。
【００３５】図１の膜は、市販のプラズマソース（Oxfo
rd Applied Research Radical Source）から供給された
窒素ソースを除いて従来の固体ソースを用いている市販
のＭＢＥシステム（Varian/EPI Modular Gen II）を使
用して、成長させた。
rd Applied Research Radical Source）から供給された
窒素ソースを除いて従来の固体ソースを用いている市販
のＭＢＥシステム（Varian/EPI Modular Gen II）を使
用して、成長させた。
【００３６】プラズマ窒素ソースは、圧力１．８×１０
-5Torr（２．４×１０-6Ｐａ）及び高周波パワー４８０
Ｗが得られる窒素フローで供給された。プラズマ窒素ソ
ースは、プラズマの光出力をモニタする光ダイオードを
備え、光出力をほぼ一定値に維持することにより、窒素
フラックスをほぼ一定とした。窒素ソースは、成長が開
始される前に約１０分間に渡って安定化された。図２
は、この最初の１０分間の後にフラックスが実質的に一
定であることを示し、また、僅かに高いパワー４９０Ｗ
及び圧力１．９×１０-5Torr（２．５３×１０-6Ｐａ）
でのフラックスプロフィールも示している。
-5Torr（２．４×１０-6Ｐａ）及び高周波パワー４８０
Ｗが得られる窒素フローで供給された。プラズマ窒素ソ
ースは、プラズマの光出力をモニタする光ダイオードを
備え、光出力をほぼ一定値に維持することにより、窒素
フラックスをほぼ一定とした。窒素ソースは、成長が開
始される前に約１０分間に渡って安定化された。図２
は、この最初の１０分間の後にフラックスが実質的に一
定であることを示し、また、僅かに高いパワー４９０Ｗ
及び圧力１．９×１０-5Torr（２．５３×１０-6Ｐａ）
でのフラックスプロフィールも示している。
【００３７】Ｇａフラックスは、イオンゲージを用いて
測定した。ここに示すＧａフラックスの値は、イオンゲ
ージによって測定された「ビーム等価圧力（ＢＥＰ）」
である。
測定した。ここに示すＧａフラックスの値は、イオンゲ
ージによって測定された「ビーム等価圧力（ＢＥＰ）」
である。
【００３８】ＧａＮを成長させる基板は、研磨された
（０００１）表面を有する直径５０ｍｍの市販のサファ
イアウェハである。ＭＢＥシステム内で基板を放射加熱
させるために、ウェハの裏面はＭｏでコートされてい
る。ＭＢＥシステムに導入される前に、サファイアウェ
ハの表面をアセトンで洗浄し、ＭＢＥシステムへの導入
後には、ウェハを３〜４時間に渡って３００℃まで加熱
し、次に３０分間に渡って８００℃まで加熱した。
（０００１）表面を有する直径５０ｍｍの市販のサファ
イアウェハである。ＭＢＥシステム内で基板を放射加熱
させるために、ウェハの裏面はＭｏでコートされてい
る。ＭＢＥシステムに導入される前に、サファイアウェ
ハの表面をアセトンで洗浄し、ＭＢＥシステムへの導入
後には、ウェハを３〜４時間に渡って３００℃まで加熱
し、次に３０分間に渡って８００℃まで加熱した。
【００３９】ＧａＮの成長は、７５０℃に加熱されたサ
ファイア基板を用いて行った。成長工程前に、サファイ
アの窒化も「バッファ層」の成長も行わなかった。本発
明によれば（図３のサンプル１を参照）、Ｇａフラック
スを９分間に渡って４×１０-7Torr（５．３３×１０-8
Ｐａ、Ｖ／ＩＩＩ＝０．８５）から３×１０-7Torr（４
×１０-8Ｐａ、Ｖ／ＩＩＩ＝１．１３）へと徐々に減少
させる一方で、（光ダイオードの出力によってモニタさ
れる）窒素フラックスは、１．８×１０-5Torr（２．４
×１０-6Ｐａ）で一定に保持された。この９分間のう
ち、Ｇａフラックスは、最初の５分の後に３．４×１０
-7Torr（Ｖ／ＩＩＩ＝１）に達し、このフラックスが２
分間続き、その後さらに減少した。９分間の経過後は、
成長は、３×１０-7Torr（４×１０-8Ｐａ、Ｖ／ＩＩＩ
＝１．１３）のＧａフラックスで、ＧａＮの所望の厚さ
を得るのに十分な時間に渡って継続させた。この定常状
態の成長レートは、１時間あたり約０．２５μｍであっ
た。ＧａＮ層の成長が完了すると、層を窒素フラックス
下で冷却させた。
ファイア基板を用いて行った。成長工程前に、サファイ
アの窒化も「バッファ層」の成長も行わなかった。本発
明によれば（図３のサンプル１を参照）、Ｇａフラック
スを９分間に渡って４×１０-7Torr（５．３３×１０-8
Ｐａ、Ｖ／ＩＩＩ＝０．８５）から３×１０-7Torr（４
×１０-8Ｐａ、Ｖ／ＩＩＩ＝１．１３）へと徐々に減少
させる一方で、（光ダイオードの出力によってモニタさ
れる）窒素フラックスは、１．８×１０-5Torr（２．４
×１０-6Ｐａ）で一定に保持された。この９分間のう
ち、Ｇａフラックスは、最初の５分の後に３．４×１０
-7Torr（Ｖ／ＩＩＩ＝１）に達し、このフラックスが２
分間続き、その後さらに減少した。９分間の経過後は、
成長は、３×１０-7Torr（４×１０-8Ｐａ、Ｖ／ＩＩＩ
＝１．１３）のＧａフラックスで、ＧａＮの所望の厚さ
を得るのに十分な時間に渡って継続させた。この定常状
態の成長レートは、１時間あたり約０．２５μｍであっ
た。ＧａＮ層の成長が完了すると、層を窒素フラックス
下で冷却させた。
【００４０】最初のＧａフラックスが３．５×１０-7To
rr（４．６７×１０-8Ｐａ、Ｖ／ＩＩＩ＝０．９７）
で、これを９分間に渡って３×１０-7Torr（４×１０-8
Ｐａ、Ｖ／ＩＩＩ＝１．１３）まで徐々に減少させる場
合（図３のサンプル２を参照）には、得られるＧａＮは
ルミネセンス及びモフォロジーが劣り、（前述の）完全
に窒素リッチな条件下で成長させた場合に典型的なＧａ
Ｎになることが分かった。この場合、１分後には、Ｇａ
フラックスは３．４×１０-7Torr（Ｖ／ＩＩＩ＝１）に
達する。一方、最初のＧａフラックスが５×１０-7Torr
（６．６７×１０-8Ｐａ、Ｖ／ＩＩＩ＝０．６８）で、
これを９分間に渡って３×１０-7Torr（４×１０-8Ｐ
ａ、Ｖ／ＩＩＩ＝１．１３）まで次第に減少させる場合
には、約６．５分後にＧａフラックスが３．４×１０-7
Torr（Ｖ／ＩＩＩ＝１）に達するが、この場合には、
（前述の）Ｇａリッチな条件下で成長させた場合に典型
的な、金属Ｇａと孤立したＧａＮ結晶とを含む材料が得
られ、この材料もまた、デバイスの製造には不適切であ
る。Ｇａフラックスを５分間に渡って５×１０-7Torr
（６．６７×１０-8Ｐａ、Ｖ／ＩＩＩ＝０．６８）から
３×１０-7Torr（４×１０-8Ｐａ、Ｖ／ＩＩＩ＝１．１
３）へ減少させる場合は、約３．５分後にＧａフラック
スが３．４×１０-7Torr（Ｖ／ＩＩＩ＝１）に達する
が、この場合も、材料は同様にＧａリッチで、質が劣
る。Ｇａフラックスが最初は４×１０-7Torr（５．３３
×１０-8Ｐａ、Ｖ／ＩＩＩ＝０．８５）で、これを上述
の方法で９分間に渡って３×１０-7Torr（４×１０-8Ｐ
ａ、Ｖ／ＩＩＩ＝１．１３）まで減少させるときに形成
される材料は、良好なルミネセンス特性及び良好なモフ
ォロジーを有する良質のＧａＮ材料である。さらに、こ
のような条件下で成長させたドープ層について電気的な
測定を行うと、これらの層が連続していることが分か
る。
rr（４．６７×１０-8Ｐａ、Ｖ／ＩＩＩ＝０．９７）
で、これを９分間に渡って３×１０-7Torr（４×１０-8
Ｐａ、Ｖ／ＩＩＩ＝１．１３）まで徐々に減少させる場
合（図３のサンプル２を参照）には、得られるＧａＮは
ルミネセンス及びモフォロジーが劣り、（前述の）完全
に窒素リッチな条件下で成長させた場合に典型的なＧａ
Ｎになることが分かった。この場合、１分後には、Ｇａ
フラックスは３．４×１０-7Torr（Ｖ／ＩＩＩ＝１）に
達する。一方、最初のＧａフラックスが５×１０-7Torr
（６．６７×１０-8Ｐａ、Ｖ／ＩＩＩ＝０．６８）で、
これを９分間に渡って３×１０-7Torr（４×１０-8Ｐ
ａ、Ｖ／ＩＩＩ＝１．１３）まで次第に減少させる場合
には、約６．５分後にＧａフラックスが３．４×１０-7
Torr（Ｖ／ＩＩＩ＝１）に達するが、この場合には、
（前述の）Ｇａリッチな条件下で成長させた場合に典型
的な、金属Ｇａと孤立したＧａＮ結晶とを含む材料が得
られ、この材料もまた、デバイスの製造には不適切であ
る。Ｇａフラックスを５分間に渡って５×１０-7Torr
（６．６７×１０-8Ｐａ、Ｖ／ＩＩＩ＝０．６８）から
３×１０-7Torr（４×１０-8Ｐａ、Ｖ／ＩＩＩ＝１．１
３）へ減少させる場合は、約３．５分後にＧａフラック
スが３．４×１０-7Torr（Ｖ／ＩＩＩ＝１）に達する
が、この場合も、材料は同様にＧａリッチで、質が劣
る。Ｇａフラックスが最初は４×１０-7Torr（５．３３
×１０-8Ｐａ、Ｖ／ＩＩＩ＝０．８５）で、これを上述
の方法で９分間に渡って３×１０-7Torr（４×１０-8Ｐ
ａ、Ｖ／ＩＩＩ＝１．１３）まで減少させるときに形成
される材料は、良好なルミネセンス特性及び良好なモフ
ォロジーを有する良質のＧａＮ材料である。さらに、こ
のような条件下で成長させたドープ層について電気的な
測定を行うと、これらの層が連続していることが分か
る。
【００４１】以上に図３を参照して述べた本発明の実施
形態では、Ｇａフラックスを変動させる一方で、Ｎフラ
ックスを一定に保った。しかし、Ｎフラックスを変動さ
せる一方でＧａフラックスを一定に保つ場合でも同様の
結果が得られ、成長の各段階で上記のＶ／ＩＩＩ比が実
現されることが理解され得る。
形態では、Ｇａフラックスを変動させる一方で、Ｎフラ
ックスを一定に保った。しかし、Ｎフラックスを変動さ
せる一方でＧａフラックスを一定に保つ場合でも同様の
結果が得られ、成長の各段階で上記のＶ／ＩＩＩ比が実
現されることが理解され得る。
【００４２】本発明により形成された膜は、所望のタイ
プの電子デバイス或いは光電子デバイスに組み込まれ得
る。このようなデバイスの簡単な例として、図４に示す
ヘテロ接合デバイスがある。図４において、サファイア
基板１０の上には、本発明の方法を用いてエピタキシャ
ル成長期間中にｎ型ドーパントが加えられたｎ型ＧａＮ
層１２が、成長されている。ｎ型ＧａＮ層１２の上に
は、ｐ型ＧａＮ層１４が形成されている。さらに、ｎ型
ＧａＮ層１２の上にはｎ型コンタクト１６が設けられ、
ｐ型ＧａＮ層１４の上にはｐ型コンタクト１８が設けら
れている。
プの電子デバイス或いは光電子デバイスに組み込まれ得
る。このようなデバイスの簡単な例として、図４に示す
ヘテロ接合デバイスがある。図４において、サファイア
基板１０の上には、本発明の方法を用いてエピタキシャ
ル成長期間中にｎ型ドーパントが加えられたｎ型ＧａＮ
層１２が、成長されている。ｎ型ＧａＮ層１２の上に
は、ｐ型ＧａＮ層１４が形成されている。さらに、ｎ型
ＧａＮ層１２の上にはｎ型コンタクト１６が設けられ、
ｐ型ＧａＮ層１４の上にはｐ型コンタクト１８が設けら
れている。
【００４３】
【発明の効果】本発明によれば、電子デバイス或いは光
電子デバイスの製造に適した第ＩＩＩ族窒化物の連続し
た平坦な膜を形成する、信頼性があり且つ再現性のある
方法が提供される。さらに、到着する種の化学量論的性
質を成長期間を通じて常時正確に制御する必要はなく、
成長期間の終了までに全体的な化学量論的性質が所定の
化学量論比に従っていることを確実にするだけでよい。
電子デバイスの製造に適した第ＩＩＩ族窒化物の連続し
た平坦な膜を形成する、信頼性があり且つ再現性のある
方法が提供される。さらに、到着する種の化学量論的性
質を成長期間を通じて常時正確に制御する必要はなく、
成長期間の終了までに全体的な化学量論的性質が所定の
化学量論比に従っていることを確実にするだけでよい。
【００４４】さらに、化合物半導体の第１及び第２成分
は同時に供給されるため、成長レートは比較的高く、ま
たシャッタ或いはバルブを頻繁に動作させる必要はな
い。従って、エピタキシャルプロセスの信頼性が、さら
に高くなる。
は同時に供給されるため、成長レートは比較的高く、ま
たシャッタ或いはバルブを頻繁に動作させる必要はな
い。従って、エピタキシャルプロセスの信頼性が、さら
に高くなる。
【００４５】また、本発明は、１つ以上のドーパントを
含ませて、例えば電界効果トランジスタの動作或いは横
方向の電流の導通が必要な他のデバイスに適した導電膜
を作成する工程を、包含し得る。
含ませて、例えば電界効果トランジスタの動作或いは横
方向の電流の導通が必要な他のデバイスに適した導電膜
を作成する工程を、包含し得る。
【図１】本発明の方法のある実施形態に従って成長され
たＧａＮ膜の顕微鏡写真である。
たＧａＮ膜の顕微鏡写真である。
【図２】ＧａＮ膜の成長において２つのパワーレートで
操作されるプラズマ窒素ソースからの窒素プラズマ光放
出或いはＯＥＤ電圧の時間変動を示すグラフである（光
放出は、S.E.HooperらがJ. Cryst. Growth、155(199
5)、第157〜163頁に開示しているように、プラズマソー
スからのフラックスレートの半定量的測定単位であ
る）。
操作されるプラズマ窒素ソースからの窒素プラズマ光放
出或いはＯＥＤ電圧の時間変動を示すグラフである（光
放出は、S.E.HooperらがJ. Cryst. Growth、155(199
5)、第157〜163頁に開示しているように、プラズマソー
スからのフラックスレートの半定量的測定単位であ
る）。
【図３】図１に示したＧａＮ膜をＮフラックス或いはＯ
ＥＤ電圧が一定の条件下で成長させるために用いられ
る、Ｇａフラックスの変動を示すグラフである。
ＥＤ電圧が一定の条件下で成長させるために用いられ
る、Ｇａフラックスの変動を示すグラフである。
【図４】本発明により形成された膜を組み込んだヘテロ
接合デバイスの概略図である。
接合デバイスの概略図である。
１０ サファイア基板
１２ ｎ型ＧａＮ層
１４ ｐ型ＧａＮ層
１６ ｎ型コンタクト
１８ ｐ型コンタクト
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ティモシー ディビッド ベストウィッ
ク
イギリス国 オーエックス２ ７ビーデ
ィー オックスフォード， オークソー
プ ロード 45
(72)発明者 ジェフリー ダガン
イギリス国 オーエックス15 ０エスジ
ェイ オックスフォードシャー， デッ
ディントン， ハイ ストリート ６
／７， キングス コテージ
(72)発明者 ストゥワート エドワード クーパー
イギリス国 オーエックス４ １エヌエ
イチ オックスフォード， ストーン
ストリート ４
(72)発明者 ティン サン チェン
イギリス国 エヌジー９ ６エイチエッ
クス ノッチンガム， トトン， グッ
ドウッド ドライブ 11
(72)発明者 チャールズ トーマス ベイレイ フォ
クソン
イギリス国 ノッチンガム， ウォラト
ン， パークサイド 76， ザ ホワイ
トハウス
(56)参考文献 特開 昭63−288999（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−51394（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/203,21/205
H01L 21/363,21/365
Claims (15)
- 【請求項１】 化合物半導体のガリウム及び窒素が所定
の化学量論比である化合物半導体膜の形成方法であり、
該方法は、（ａ）該ガリウムを、該膜が形成される成長
期間に渡って第１到着レートプロフィールに従って基板
に到着させる工程と、（ｂ）該窒素を、該成長期間に渡
って第２到着レートプロフィールに従って該基板に到着
させる工程と、を包含し、該第１及び第２到着レートプ
ロフィールは、該ガリウム及び窒素が該成長期間に渡っ
て該基板に同時に到着するように、及び（ｉ）該成長期
間の最初の部分においては、該膜の成長が、該ガリウム
が化学量論的に過剰である条件下で行われ、且つ（ｉ
ｉ）該成長期間の引き続く部分においては、該膜の成長
が、該窒素が化学量論的に過剰である条件下で行われる
ように、設定されている、化合物半導体の形成方法。 - 【請求項２】 前記成長期間の前記最初の部分は、５．
５分を超えない、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記成長期間の前記最初の部分は、４．
５分〜５．５分である、請求項２に記載の方法。 - 【請求項４】 前記成長期間の開始時における前記ガリ
ウムの化学量論的な過剰量は、１３％〜１７％の範囲で
ある、請求項１から３のいずれかひとつに記載の方法。 - 【請求項５】 前記成長期間の前記引き続く部分は、前
記最初の部分の後の該成長期間の残りの部分を表す、請
求項１から４のいずれかひとつに記載の方法。 - 【請求項６】 前記引き続く部分は、前記成長期間の５
０％を超える部分を表す、請求項５に記載の方法。 - 【請求項７】 前記窒素に対する前記ガリウムの化学量
論比は、前記成長期間の少なくとも前記最初の部分を通
じて変化される、請求項１から６のいずれかに記載の方
法。 - 【請求項８】 前記第１及び第２到着レートプロフィー
ルのうちの一方は、該当する成分の到着レートが前記成
長期間に渡って実質的に一定であるように設定され、他
方の到着レートプロフィールは、該当する成分の到着レ
ートが該成長期間に渡って変動するように設定される、
請求項１から７のいずれかひとつに記載の方法。 - 【請求項９】 前記第１到着レートプロフィールは、前
記ガリウムの到着レートが前記成長期間に渡って一定で
あるように設定され、前記第２到着レートプロフィール
は、前記窒素が、最初は前記最初の部分に渡って化学量
論的に不足する量で到着し、続いて化学量論的に過剰な
量で到着するように、設定される、請求項８に記載の方
法。 - 【請求項１０】 前記第１到着レートプロフィールは、
前記ガリウムが、前記最初の部分に渡って化学量論的に
過剰な量で到着し、続いて化学量論的に不足する量で到
着するように設定され、前記第２到着レートプロフィー
ルは、前記窒素の到着レートが前記成長期間に渡って実
質的に一定であるように設定される、請求項８に記載の
方法。 - 【請求項１１】 前記ガリウムに対する前記窒素の化学
量論比が、前記成長期間の開始時には（０．８５±０．
０２）：１であり、５±０．５分間に渡って約１：１に
変更され、その後、次の４分間に渡って１．１３：１に
変更される、請求項１から１０のいずれかに記載の方
法。 - 【請求項１２】 前記基板がサファイア基板である、請
求項１から１１のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１３】 前記膜に１つ以上のドーパントを含ま
せる工程をさらに包含する、請求項１から１２のいずれ
かに記載の方法。 - 【請求項１４】 少なくとも１つの化合物半導体膜が組
み込まれている電子デバイスであって、該少なくとも１
つの化合物半導体膜は請求項１から１３のいずれかに記
載の方法によって形成されている、電子デバイス。 - 【請求項１５】 少なくとも１つの化合物半導体膜が組
み込まれている光電子デバイスであって、該少なくとも
１つの化合物半導体膜は請求項１から１３のいずれかに
記載の方法によって形成されている、光電子デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9611471A GB2313606A (en) | 1996-06-01 | 1996-06-01 | Forming a compound semiconductor film |
| GB9611471.5 | 1996-06-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10199812A JPH10199812A (ja) | 1998-07-31 |
| JP3385180B2 true JP3385180B2 (ja) | 2003-03-10 |
Family
ID=10794620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14429197A Expired - Fee Related JP3385180B2 (ja) | 1996-06-01 | 1997-06-02 | 化合物半導体膜の形成方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6001173A (ja) |
| EP (1) | EP0810307B1 (ja) |
| JP (1) | JP3385180B2 (ja) |
| DE (1) | DE69719403T2 (ja) |
| GB (1) | GB2313606A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2332563A (en) * | 1997-12-18 | 1999-06-23 | Sharp Kk | Growth of group III nitride or group III-V nitride layers |
| KR100304664B1 (ko) * | 1999-02-05 | 2001-09-26 | 윤종용 | ＧａＮ막 제조 방법 |
| US6475277B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-11-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Group III-V nitride semiconductor growth method and vapor phase growth apparatus |
| US6576932B2 (en) | 2001-03-01 | 2003-06-10 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Increasing the brightness of III-nitride light emitting devices |
| FR2860101B1 (fr) * | 2003-09-22 | 2005-10-21 | Commissariat Energie Atomique | Protection de la surface du sic par une couche de gan |
| JP4908453B2 (ja) | 2008-04-25 | 2012-04-04 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物半導体レーザを作製する方法 |
| CA2653581A1 (en) | 2009-02-11 | 2010-08-11 | Kenneth Scott Alexander Butcher | Migration and plasma enhanced chemical vapour deposition |
| JP5023267B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2012-09-12 | 株式会社アルバック | Ｉｉｉ族窒化物薄膜の形成方法 |
| US8143147B1 (en) | 2011-02-10 | 2012-03-27 | Intermolecular, Inc. | Methods and systems for forming thin films |
| US11876147B2 (en) * | 2018-05-25 | 2024-01-16 | The Regents Of The University Of Michigan | Enhanced doping efficiency of ultrawide bandgap semiconductors by metal-semiconductor assisted epitaxy |
| US11101378B2 (en) * | 2019-04-09 | 2021-08-24 | Raytheon Company | Semiconductor structure having both enhancement mode group III-N high electron mobility transistors and depletion mode group III-N high electron mobility transistors |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO1987003740A1 (en) * | 1985-12-09 | 1987-06-18 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Process for forming thin film of compound semiconductor |
| FI81926C (fi) * | 1987-09-29 | 1990-12-10 | Nokia Oy Ab | Foerfarande foer uppbyggning av gaas-filmer pao si- och gaas-substrater. |
| US5015353A (en) * | 1987-09-30 | 1991-05-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for producing substoichiometric silicon nitride of preselected proportions |
| JPH01204411A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-17 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| FR2632452B1 (fr) * | 1988-06-03 | 1990-08-17 | Labo Electronique Physique | Procede de realisation de couches epitaxiales |
| US5168077A (en) * | 1989-03-31 | 1992-12-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a p-type compound semiconductor thin film containing a iii-group element and a v-group element by metal organics chemical vapor deposition |
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1996
- 1996-06-01 GB GB9611471A patent/GB2313606A/en not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-05-30 US US08/866,527 patent/US6001173A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-02 JP JP14429197A patent/JP3385180B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-02 EP EP97303690A patent/EP0810307B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-02 DE DE69719403T patent/DE69719403T2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10199812A (ja) | 1998-07-31 |
| EP0810307B1 (en) | 2003-03-05 |
| US6001173A (en) | 1999-12-14 |
| DE69719403T2 (de) | 2004-01-15 |
| DE69719403D1 (de) | 2003-04-10 |
| EP0810307A3 (en) | 1998-10-28 |
| GB9611471D0 (en) | 1996-08-07 |
| EP0810307A2 (en) | 1997-12-03 |
| GB2313606A (en) | 1997-12-03 |
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