JP3384598B2 - マイクロ波誘電体磁器組成物及びその製造方法 - Google Patents
マイクロ波誘電体磁器組成物及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波誘電体磁器
組成物に関し、更に詳しく言えば、実用的な無負荷Ｑ
（以下、単にＱｕという。）を維持しつつ、共振周波数
の温度係数（以下、単にτf という。）を実用的な特性
範囲内で広く変化させ、且つ、比誘電率（以下、単にε
r という。）を大きく向上させたマイクロ波誘電体磁器
組成物、並びにそれを比較的低温で焼成して製造する方
法に関する。本発明は、マイクロ波領域において誘電体
共振器、マイクロ波集積回路基板、各種マイクロ波回路
のインピーダンス整合等に利用され、特にＬＣフィルタ
材として好適である。
組成物に関し、更に詳しく言えば、実用的な無負荷Ｑ
（以下、単にＱｕという。）を維持しつつ、共振周波数
の温度係数（以下、単にτf という。）を実用的な特性
範囲内で広く変化させ、且つ、比誘電率（以下、単にε
r という。）を大きく向上させたマイクロ波誘電体磁器
組成物、並びにそれを比較的低温で焼成して製造する方
法に関する。本発明は、マイクロ波領域において誘電体
共振器、マイクロ波集積回路基板、各種マイクロ波回路
のインピーダンス整合等に利用され、特にＬＣフィルタ
材として好適である。
【０００２】
【従来の技術】一般にマイクロ波やミリ波等の高周波領
域に使用されるＬＣフィルタ材や誘電体共振器、誘電体
基板等には、高いεr 及び高いＱｕを有し、しかも共振
周波数の温度係数の絶対値が小さいものが望まれてい
る。つまり、マイクロ波誘電体磁器組成物（以下、単に
誘電体磁器組成物という。）は、使用周波数が高周波と
なるに従って誘電損失が大きくなる傾向にあるので、マ
イクロ波領域でεr 及びＱｕの大きな誘電体磁器組成物
が望まれている。近年、このような誘電体磁器組成物と
して、Ｂａ（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 やＢａ（Ｍｇ1/3
Ｔａ2/3 ）Ｏ3 等の複合ペロブスカイト型構造に属する
組成物或いはＢａＯ−ＴｉＯ2 系組成物等が使用されて
いるが、いずれも焼成温度が１３００℃以上と高いもの
である。
域に使用されるＬＣフィルタ材や誘電体共振器、誘電体
基板等には、高いεr 及び高いＱｕを有し、しかも共振
周波数の温度係数の絶対値が小さいものが望まれてい
る。つまり、マイクロ波誘電体磁器組成物（以下、単に
誘電体磁器組成物という。）は、使用周波数が高周波と
なるに従って誘電損失が大きくなる傾向にあるので、マ
イクロ波領域でεr 及びＱｕの大きな誘電体磁器組成物
が望まれている。近年、このような誘電体磁器組成物と
して、Ｂａ（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 やＢａ（Ｍｇ1/3
Ｔａ2/3 ）Ｏ3 等の複合ペロブスカイト型構造に属する
組成物或いはＢａＯ−ＴｉＯ2 系組成物等が使用されて
いるが、いずれも焼成温度が１３００℃以上と高いもの
である。
【０００３】このように焼成温度が高いと焼成時の電力
消費量が多くなり、生産コストや生産効率の面で不利益
を生じる等の欠点があった。また、ＬＣフィルタ、スト
リップ線路フィルタ等のように、電極として銀などの融
点の低い導体と同時焼結する場合には、特に焼成温度が
できるだけ低い方が有利である。
消費量が多くなり、生産コストや生産効率の面で不利益
を生じる等の欠点があった。また、ＬＣフィルタ、スト
リップ線路フィルタ等のように、電極として銀などの融
点の低い導体と同時焼結する場合には、特に焼成温度が
できるだけ低い方が有利である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記欠点を
克服するものであり、Ｂｉ2 Ｏ3 −Ｎｂ2 Ｏ5 −Ｔａ2
Ｏ5 系主成分に、所定量のＶ2 Ｏ5 が添加含有された組
成物により、高いＱｕを維持しつつ、実用的な範囲で広
く変化するτf 及び高いεr を備えることができる誘電
体磁器組成物及びそれを比較的低温で焼成して製造する
方法を提供することを目的とする。
克服するものであり、Ｂｉ2 Ｏ3 −Ｎｂ2 Ｏ5 −Ｔａ2
Ｏ5 系主成分に、所定量のＶ2 Ｏ5 が添加含有された組
成物により、高いＱｕを維持しつつ、実用的な範囲で広
く変化するτf 及び高いεr を備えることができる誘電
体磁器組成物及びそれを比較的低温で焼成して製造する
方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、Ｂｉ2 Ｏ3
−Ｎｂ2 Ｏ5 −Ｔａ2 Ｏ5 系組成物において、高いＱｕ
を維持しつつ、τf を実用的な特性範囲内で広く変化さ
せ、且つ、高いεr を備え、また、低温で焼成して製造
できる組成について種々検討した結果、上記組成物にお
いてＮｂ2 Ｏ5 とＴａ2 Ｏ5 との比率を変化させ、それ
に更に所定量のＶ2 Ｏ5 を添加した組成物とすることに
より上記の目的が達成されることを見出し、本発明を完
成するに至った。
−Ｎｂ2 Ｏ5 −Ｔａ2 Ｏ5 系組成物において、高いＱｕ
を維持しつつ、τf を実用的な特性範囲内で広く変化さ
せ、且つ、高いεr を備え、また、低温で焼成して製造
できる組成について種々検討した結果、上記組成物にお
いてＮｂ2 Ｏ5 とＴａ2 Ｏ5 との比率を変化させ、それ
に更に所定量のＶ2 Ｏ5 を添加した組成物とすることに
より上記の目的が達成されることを見出し、本発明を完
成するに至った。
【０００６】即ち、本第１発明の誘電体磁器組成物は、
ｘＢｉ2 Ｏ3 −（１−ｘ）｛ｙＮｂ2 Ｏ5 −（１−ｙ）
Ｔａ2 Ｏ5 ｝〔但し、０．４５≦ｘ≦０．５５及び０＜
ｙ＜１．０〕で示される組成を主成分とし、これに上記
ｘＢｉ2 Ｏ3 −（１−ｘ）｛ｙＮｂ2 Ｏ5 −（１−ｙ）
Ｔａ2 Ｏ5 ｝１００重量部に対して０．８重量部以下
（０重量部を含まない。）のＶ2 Ｏ5 が添加含有されて
いることを特徴とする。
ｘＢｉ2 Ｏ3 −（１−ｘ）｛ｙＮｂ2 Ｏ5 −（１−ｙ）
Ｔａ2 Ｏ5 ｝〔但し、０．４５≦ｘ≦０．５５及び０＜
ｙ＜１．０〕で示される組成を主成分とし、これに上記
ｘＢｉ2 Ｏ3 −（１−ｘ）｛ｙＮｂ2 Ｏ5 −（１−ｙ）
Ｔａ2 Ｏ5 ｝１００重量部に対して０．８重量部以下
（０重量部を含まない。）のＶ2 Ｏ5 が添加含有されて
いることを特徴とする。
【０００７】また、第２発明の誘電体磁器組成物の製造
方法は、ｘＢｉ2 Ｏ3 −（１−ｘ）｛ｙＮｂ2 Ｏ5 −
（１−ｙ）Ｔａ2 Ｏ5 ｝〔但し、０．４５≦ｘ≦０．５
５及び０＜ｙ＜１．０〕で示される組成を主成分とし、
これに上記ｘＢｉ2 Ｏ3 −（１−ｘ）｛ｙＮｂ2 Ｏ5 −
（１−ｙ）Ｔａ2 Ｏ5 ｝１００重量部に対して０．８重
量部以下（０重量部を含まない。）のＶ2 Ｏ5 が添加含
有された組成になるように酸化ビスマス（ＩＩＩ）粉
末、酸化ニオブ（Ｖ）粉末、酸化タンタル（Ｖ）粉末及
び酸化バナジウム（Ｖ）粉末を混合し、その後、仮焼し
仮焼粉末を製造し、該仮焼粉末を粉砕し、所定形状に成
形し、次いで、８６０〜９５０℃にて焼成することを特
徴とする。
方法は、ｘＢｉ2 Ｏ3 −（１−ｘ）｛ｙＮｂ2 Ｏ5 −
（１−ｙ）Ｔａ2 Ｏ5 ｝〔但し、０．４５≦ｘ≦０．５
５及び０＜ｙ＜１．０〕で示される組成を主成分とし、
これに上記ｘＢｉ2 Ｏ3 −（１−ｘ）｛ｙＮｂ2 Ｏ5 −
（１−ｙ）Ｔａ2 Ｏ5 ｝１００重量部に対して０．８重
量部以下（０重量部を含まない。）のＶ2 Ｏ5 が添加含
有された組成になるように酸化ビスマス（ＩＩＩ）粉
末、酸化ニオブ（Ｖ）粉末、酸化タンタル（Ｖ）粉末及
び酸化バナジウム（Ｖ）粉末を混合し、その後、仮焼し
仮焼粉末を製造し、該仮焼粉末を粉砕し、所定形状に成
形し、次いで、８６０〜９５０℃にて焼成することを特
徴とする。
【０００８】上記第１及び第２発明において、ｘを０．
４５〜０．５５とした理由は、ｘが０．４５未満又は
０．５５を越えた場合は、Ｑｕが小さくなりすぎるから
である。また、上記ｙは０＜ｙ＜１．０の範囲であり、
Ｎｂ2 Ｏ5 が存在しない場合（ｙ＝０）は、τf の絶対
値が大きくなる（マイナスの方向に小さくなる）ととも
にεr が低下し、Ｎｂ2 Ｏ5 が少量でも存在すれば、Ｌ
Ｃフィルタ材にとって重要なεr が向上する傾向にあ
る。一方、ｙが１．０ではεr の低下がみられ、また、
ｙが大きくなるにつれＱｕが低下する傾向にある。
４５〜０．５５とした理由は、ｘが０．４５未満又は
０．５５を越えた場合は、Ｑｕが小さくなりすぎるから
である。また、上記ｙは０＜ｙ＜１．０の範囲であり、
Ｎｂ2 Ｏ5 が存在しない場合（ｙ＝０）は、τf の絶対
値が大きくなる（マイナスの方向に小さくなる）ととも
にεr が低下し、Ｎｂ2 Ｏ5 が少量でも存在すれば、Ｌ
Ｃフィルタ材にとって重要なεr が向上する傾向にあ
る。一方、ｙが１．０ではεr の低下がみられ、また、
ｙが大きくなるにつれＱｕが低下する傾向にある。
【０００９】更に、Ｖ2 Ｏ5 の添加割合を上記０．８重
量％以下（０重量％は含まない。）とするのは、Ｖ2 Ｏ
5 を添加することにより焼成温度を低くできるものの、
０．８重量％を越えて添加した場合はＱｕが低下する傾
向にあるためである。また、αが０重量％、即ち、Ｖ2
Ｏ5 を添加しない場合を除くのは、焼結不十分となり各
特性が低下するからである。Ｖ2 Ｏ5 の添加量は特に
０．４重量％では、０．８重量％、０．６重量％及び
０．２重量％の場合に比べてＱｕがかなり高くなり（表
１のＮｏ．１３〜１６、Ｎｏ．９〜１２及び１〜４に対
するＮｏ．５〜８）より好ましい。また、第２発明にお
いて、焼成温度を８６０〜９５０℃の範囲とするのは、
この範囲を外れると、Ｑｕが低くなり、また、τf が負
の方向に大きくなりすぎるためである。更に、ＬＣフィ
ルタのように導体と同時焼結するような場合は特に低温
焼成が好ましい。
量％以下（０重量％は含まない。）とするのは、Ｖ2 Ｏ
5 を添加することにより焼成温度を低くできるものの、
０．８重量％を越えて添加した場合はＱｕが低下する傾
向にあるためである。また、αが０重量％、即ち、Ｖ2
Ｏ5 を添加しない場合を除くのは、焼結不十分となり各
特性が低下するからである。Ｖ2 Ｏ5 の添加量は特に
０．４重量％では、０．８重量％、０．６重量％及び
０．２重量％の場合に比べてＱｕがかなり高くなり（表
１のＮｏ．１３〜１６、Ｎｏ．９〜１２及び１〜４に対
するＮｏ．５〜８）より好ましい。また、第２発明にお
いて、焼成温度を８６０〜９５０℃の範囲とするのは、
この範囲を外れると、Ｑｕが低くなり、また、τf が負
の方向に大きくなりすぎるためである。更に、ＬＣフィ
ルタのように導体と同時焼結するような場合は特に低温
焼成が好ましい。
【００１０】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。Ｂｉ2 Ｏ3 粉末（純度；９８．９％）、Ｎｂ2 Ｏ5
粉末（純度；９９．９％）Ｔａ2 Ｏ5 粉末（純度；９
９．９％）及びＶ2 Ｏ5 粉末（純度；９９．５％）を出
発原料として、表１並びに表２に示すように、ｘＢｉ2
Ｏ3 −（１−ｘ）｛ｙＮｂ2 Ｏ5 −（１−ｙ）Ｔａ2 Ｏ
5 ｝のｘが０．０．４３〜０．５７、ｙ及びＶ2 Ｏ5 添
加量（α重量％）が各々０〜１．０の範囲で変化した組
成になるように、所定量（いずれも全量として約６００
ｇ）を秤量、混合した。
る。Ｂｉ2 Ｏ3 粉末（純度；９８．９％）、Ｎｂ2 Ｏ5
粉末（純度；９９．９％）Ｔａ2 Ｏ5 粉末（純度；９
９．９％）及びＶ2 Ｏ5 粉末（純度；９９．５％）を出
発原料として、表１並びに表２に示すように、ｘＢｉ2
Ｏ3 −（１−ｘ）｛ｙＮｂ2 Ｏ5 −（１−ｙ）Ｔａ2 Ｏ
5 ｝のｘが０．０．４３〜０．５７、ｙ及びＶ2 Ｏ5 添
加量（α重量％）が各々０〜１．０の範囲で変化した組
成になるように、所定量（いずれも全量として約６００
ｇ）を秤量、混合した。
【００１１】
【表１】
【００１２】
【表２】
【００１３】その後、振動ミルによる一次粉砕（３時
間）を施した後、大気雰囲気中にて７００℃で２時間仮
焼した。次いで、この仮焼粉末に適量の有機バインダー
（１５ｇ）と水（３２０ｇ）を加え、２０ｍｍφのアル
ミナボールで、９０ｒｐｍ、２３時間粉砕した。その
後、真空凍結乾燥（約０．４Ｔｏｒｒ、凍結温度；−２
０〜−４０℃、乾燥温度；４０〜５０℃、約２０時間）
により造粒し、この造粒された原料を用いて１トン／ｃ
ｍ2 のプレス圧で１９ｍｍφ×１０ｍｍｔ（高さ）の円
柱状に成形した。
間）を施した後、大気雰囲気中にて７００℃で２時間仮
焼した。次いで、この仮焼粉末に適量の有機バインダー
（１５ｇ）と水（３２０ｇ）を加え、２０ｍｍφのアル
ミナボールで、９０ｒｐｍ、２３時間粉砕した。その
後、真空凍結乾燥（約０．４Ｔｏｒｒ、凍結温度；−２
０〜−４０℃、乾燥温度；４０〜５０℃、約２０時間）
により造粒し、この造粒された原料を用いて１トン／ｃ
ｍ2 のプレス圧で１９ｍｍφ×１０ｍｍｔ（高さ）の円
柱状に成形した。
【００１４】次に、この成形体を大気中、５００℃、３
時間にて脱脂し、その後、９００℃で２時間焼成して焼
結体を得た。最後にこの焼結体の両端面を約１６ｍｍφ
×８ｍｍｔ（高さ）の円柱状に研磨し、更に水系洗浄剤
（「エリーズＫ−２０００」、旭化成社製）５部と水１
００部とを混合した希釈液にて６０分洗浄し、１０時間
乾燥させた後、誘電体試料（表１のＮｏ．１〜１６）と
した。尚、上記仮焼工程における昇温速度は２００℃／
ｈ及び降温速度は−２００℃／ｈ、この脱脂工程におけ
る昇温速度は５０℃／ｈ、焼成工程における昇温速度は
１００℃／ｈ及び降温速度は−１００℃／ｈであった。
時間にて脱脂し、その後、９００℃で２時間焼成して焼
結体を得た。最後にこの焼結体の両端面を約１６ｍｍφ
×８ｍｍｔ（高さ）の円柱状に研磨し、更に水系洗浄剤
（「エリーズＫ−２０００」、旭化成社製）５部と水１
００部とを混合した希釈液にて６０分洗浄し、１０時間
乾燥させた後、誘電体試料（表１のＮｏ．１〜１６）と
した。尚、上記仮焼工程における昇温速度は２００℃／
ｈ及び降温速度は−２００℃／ｈ、この脱脂工程におけ
る昇温速度は５０℃／ｈ、焼成工程における昇温速度は
１００℃／ｈ及び降温速度は−１００℃／ｈであった。
【００１５】そして、上記各試料につき、平行導体板型
誘電体円柱共振器法（ＴＥ011 ＭＯＤＥ）等により、ε
r 、Ｑｕ及びτf を測定した。尚、測定時の共振周波数
は表１の通りである。また、τf は２３〜８０℃の温度
領域で測定し、τf ＝（ｆ80−ｆ23）／（ｆ23×Δ
Ｔ）、ΔＴ＝８０−２３＝５７℃にて算出した。これら
の結果を表１及び表２並びに図１〜６のグラフに示す。
誘電体円柱共振器法（ＴＥ011 ＭＯＤＥ）等により、ε
r 、Ｑｕ及びτf を測定した。尚、測定時の共振周波数
は表１の通りである。また、τf は２３〜８０℃の温度
領域で測定し、τf ＝（ｆ80−ｆ23）／（ｆ23×Δ
Ｔ）、ΔＴ＝８０−２３＝５７℃にて算出した。これら
の結果を表１及び表２並びに図１〜６のグラフに示す。
【００１６】これらの結果によれば、ｘが０．４３及び
０．５７ではＱｕが相当に低下し、且つ０．４３（表２
のＮｏ．１７）ではεr もかなり低下し、０．５７（表
２のＮｏ．２４）ではτf もマイナスの方向に小さくな
る。一方、ｘが０．４５〜０．５５、特に０．４７〜
０．５１の範囲では、εr 、Ｑｕ及びτf いずれも優れ
ており、バランスのよい特性を有する組成物が得られる
ことが分かる（図１〜３）。また、ｙが１．０でαが
０．２重量％（表２のＮｏ．２８）及び０．４重量％
（表２のＮｏ．２９）では、ｙが０．２〜０．８の場合
に比べεr がやや低下しており、ｙが０ではεr の低下
が更に大きい。更に、ｙが０でαが１．０重量％（表１
のＮｏ．２７）では、εr は非常に優れているもののＱ
ｕが低下傾向にある。また、ｙが１．０でαが１．０重
量％（表１のＮｏ．３０）では、τf は非常に良好であ
るもののＱｕが低下しており、ｙが０．４でαが０の場
合（表２のＮｏ．３１）は焼結不十分のためεr 、Ｑｕ
及びτf いずれもが大きく低下している（図４〜６）。
以上の各例では個々には優れた点があるものの、εr 、
Ｑｕ及びτf の各性能のバランスをやや欠いた結果とな
っている。
０．５７ではＱｕが相当に低下し、且つ０．４３（表２
のＮｏ．１７）ではεr もかなり低下し、０．５７（表
２のＮｏ．２４）ではτf もマイナスの方向に小さくな
る。一方、ｘが０．４５〜０．５５、特に０．４７〜
０．５１の範囲では、εr 、Ｑｕ及びτf いずれも優れ
ており、バランスのよい特性を有する組成物が得られる
ことが分かる（図１〜３）。また、ｙが１．０でαが
０．２重量％（表２のＮｏ．２８）及び０．４重量％
（表２のＮｏ．２９）では、ｙが０．２〜０．８の場合
に比べεr がやや低下しており、ｙが０ではεr の低下
が更に大きい。更に、ｙが０でαが１．０重量％（表１
のＮｏ．２７）では、εr は非常に優れているもののＱ
ｕが低下傾向にある。また、ｙが１．０でαが１．０重
量％（表１のＮｏ．３０）では、τf は非常に良好であ
るもののＱｕが低下しており、ｙが０．４でαが０の場
合（表２のＮｏ．３１）は焼結不十分のためεr 、Ｑｕ
及びτf いずれもが大きく低下している（図４〜６）。
以上の各例では個々には優れた点があるものの、εr 、
Ｑｕ及びτf の各性能のバランスをやや欠いた結果とな
っている。
【００１７】一方、ｙが０．２〜０．８の範囲にあり、
αが０．８重量％（表１のＮｏ．１３〜１６）及び０．
６重量％（表１のＮｏ．９〜１２）では、εr は非常に
優れており、Ｑｕは、αが０．８重量％の場合に低下し
ているが実用上問題ない範囲内であり、また、τf も問
題がなく、実用上十分な性能を示している。また、ｙが
０．２〜０．８の範囲で、αが０．４重量％（表１のＮ
ｏ．５〜８）では、上記のαが０．８及び０．６重量％
の場合に比べて、εr は若干低下する傾向にあるが、Ｑ
ｕは大きく向上しており、また、τf は同等でありバラ
ンスのとれた優れた性能を示している。更に、ｙが０．
２〜０．８の範囲で、αが０．２重量％（表１のＮｏ．
１〜４）では、各特性ともαが大きい場合に比べて低下
傾向にあるが、実用上十分満足できる範囲内である（図
４〜６）。
αが０．８重量％（表１のＮｏ．１３〜１６）及び０．
６重量％（表１のＮｏ．９〜１２）では、εr は非常に
優れており、Ｑｕは、αが０．８重量％の場合に低下し
ているが実用上問題ない範囲内であり、また、τf も問
題がなく、実用上十分な性能を示している。また、ｙが
０．２〜０．８の範囲で、αが０．４重量％（表１のＮ
ｏ．５〜８）では、上記のαが０．８及び０．６重量％
の場合に比べて、εr は若干低下する傾向にあるが、Ｑ
ｕは大きく向上しており、また、τf は同等でありバラ
ンスのとれた優れた性能を示している。更に、ｙが０．
２〜０．８の範囲で、αが０．２重量％（表１のＮｏ．
１〜４）では、各特性ともαが大きい場合に比べて低下
傾向にあるが、実用上十分満足できる範囲内である（図
４〜６）。
【００１８】更に、図４〜６によれば、αの値の如何に
かかわらず、ｙが０．２から０．８へと増加していくに
つれ、各特性はほぼ同様の傾向を示し、特にτf の性能
が向上する傾向にあり、Ｎｂ2 Ｏ5 とＴａ2 Ｏ5 との比
率を変化させることにより、高いεr と実用上問題のな
いＱｕを維持しつつ、τf の値を実用的な範囲内で制御
できることが分かる。尚、本発明においては、前記具体
的実施例に示すものに限られず、目的、用途に応じて本
発明の範囲内で種々変更した実施例とすることができ
る。
かかわらず、ｙが０．２から０．８へと増加していくに
つれ、各特性はほぼ同様の傾向を示し、特にτf の性能
が向上する傾向にあり、Ｎｂ2 Ｏ5 とＴａ2 Ｏ5 との比
率を変化させることにより、高いεr と実用上問題のな
いＱｕを維持しつつ、τf の値を実用的な範囲内で制御
できることが分かる。尚、本発明においては、前記具体
的実施例に示すものに限られず、目的、用途に応じて本
発明の範囲内で種々変更した実施例とすることができ
る。
【００１９】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物では、Ｂｉ2
Ｏ3 −Ｎｂ2 Ｏ5 −Ｔａ2 Ｏ5 系において、各酸化物を
所定の比率とし、これに所定量のＶ2 Ｏ5 を添加するこ
とによって、実用上問題のないＱｕを維持しつつ、τf
を実用的な特性範囲内で広く変化させることができる。
また、εr が非常に高く、ＬＣフィルタ材として好適な
誘電体磁器組成物を得ることができる。更に、本発明の
製造方法によれば、有用な誘電体磁器組成物を、８６０
〜９５０℃という比較的低温で焼成することにより製造
でき、この低温焼成は導体と同時焼結するＬＣフィルタ
の場合には特に好都合である。
Ｏ3 −Ｎｂ2 Ｏ5 −Ｔａ2 Ｏ5 系において、各酸化物を
所定の比率とし、これに所定量のＶ2 Ｏ5 を添加するこ
とによって、実用上問題のないＱｕを維持しつつ、τf
を実用的な特性範囲内で広く変化させることができる。
また、εr が非常に高く、ＬＣフィルタ材として好適な
誘電体磁器組成物を得ることができる。更に、本発明の
製造方法によれば、有用な誘電体磁器組成物を、８６０
〜９５０℃という比較的低温で焼成することにより製造
でき、この低温焼成は導体と同時焼結するＬＣフィルタ
の場合には特に好都合である。
【図１】ｘＢｉ2 Ｏ3 −（１−ｘ）｛０．８Ｎｂ2 Ｏ5
−０．２Ｔａ2 Ｏ5 ｝で表される主成分に、Ｖ2 Ｏ5 を
０．４重量％としたときの、ｘとεr との関係を示すグ
ラフである。
−０．２Ｔａ2 Ｏ5 ｝で表される主成分に、Ｖ2 Ｏ5 を
０．４重量％としたときの、ｘとεr との関係を示すグ
ラフである。
【図２】ｘＢｉ2 Ｏ3 −（１−ｘ）｛０．８Ｎｂ2 Ｏ5
−０．２Ｔａ2 Ｏ5 ｝で表される主成分に、Ｖ2 Ｏ5 を
０．４重量％としたときの、ｘとＱｕとの関係を示すグ
ラフである。
−０．２Ｔａ2 Ｏ5 ｝で表される主成分に、Ｖ2 Ｏ5 を
０．４重量％としたときの、ｘとＱｕとの関係を示すグ
ラフである。
【図３】ｘＢｉ2 Ｏ3 −（１−ｘ）｛０．８Ｎｂ2 Ｏ5
−０．２Ｔａ2 Ｏ5 ｝で表される主成分に、Ｖ2 Ｏ5 を
０．４重量％としたときの、ｘとτf との関係を示すグ
ラフである。
−０．２Ｔａ2 Ｏ5 ｝で表される主成分に、Ｖ2 Ｏ5 を
０．４重量％としたときの、ｘとτf との関係を示すグ
ラフである。
【図４】０．５Ｂｉ2 Ｏ3 −０．５｛ｙＮｂ2 Ｏ5 −
（１−ｙ）Ｔａ2 Ｏ5 ｝で表される主成分におけるｙ及
びＶ2 Ｏ5 の添加量αと、εr との関係を示すグラフで
ある。
（１−ｙ）Ｔａ2 Ｏ5 ｝で表される主成分におけるｙ及
びＶ2 Ｏ5 の添加量αと、εr との関係を示すグラフで
ある。
【図５】０．５Ｂｉ2 Ｏ3 −０．５｛ｙＮｂ2 Ｏ5 −
（１−ｙ）Ｔａ2 Ｏ5 ｝で表される主成分におけるｙ及
びＶ2 Ｏ5 の添加量αと、Ｑｕとの関係を示すグラフで
ある。
（１−ｙ）Ｔａ2 Ｏ5 ｝で表される主成分におけるｙ及
びＶ2 Ｏ5 の添加量αと、Ｑｕとの関係を示すグラフで
ある。
【図６】０．５Ｂｉ2 Ｏ3 −０．５｛ｙＮｂ2 Ｏ5 −
（１−ｙ）Ｔａ2 Ｏ5 ｝で表される主成分におけるｙ及
びＶ2 Ｏ5 の添加量αと、τf との関係を示すグラフで
ある。
（１−ｙ）Ｔａ2 Ｏ5 ｝で表される主成分におけるｙ及
びＶ2 Ｏ5 の添加量αと、τf との関係を示すグラフで
ある。
─────────────────────────────────────────────────────
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(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C04B 35/00 - 35/495
ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】 ｘＢｉ2 Ｏ3 −（１−ｘ）｛ｙＮｂ2 Ｏ
5 −（１−ｙ）Ｔａ2 Ｏ5 ｝〔但し、０．４５≦ｘ≦
０．５５及び０＜ｙ＜１．０〕で示される組成を主成分
とし、これに上記ｘＢｉ2 Ｏ3 −（１−ｘ）｛ｙＮｂ2
Ｏ5 −（１−ｙ）Ｔａ2 Ｏ5 ｝１００重量部に対して
０．８重量部以下（０重量部を含まない。）のＶ2 Ｏ5
が添加含有されたことを特徴とするマイクロ波誘電体磁
器組成物。 - 【請求項２】 ｘＢｉ2 Ｏ3 −（１−ｘ）｛ｙＮｂ2 Ｏ
5 −（１−ｙ）Ｔａ2 Ｏ5 ｝〔但し、０．４５≦ｘ≦
０．５５及び０＜ｙ＜１．０〕で示される組成を主成分
とし、これに上記ｘＢｉ2 Ｏ3 −（１−ｘ）｛ｙＮｂ2
Ｏ5 −（１−ｙ）Ｔａ2 Ｏ5 ｝１００重量部に対して
０．８重量部以下（０重量部を含まない。）のＶ2 Ｏ5
が添加含有された組成になるように酸化ビスマス（ＩＩ
Ｉ）粉末、酸化ニオブ（Ｖ）粉末、酸化タンタル（Ｖ）
粉末及び酸化バナジウム（Ｖ）粉末を混合し、その後、
仮焼し仮焼粉末を製造し、該仮焼粉末を粉砕し、所定形
状に成形し、次いで、８６０〜９５０℃にて焼成するこ
とを特徴とするマイクロ波誘電体磁器組成物の製造方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35267493A JP3384598B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | マイクロ波誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
| EP94120445A EP0659706B1 (en) | 1993-12-27 | 1994-12-22 | Microwave dielectric ceramic composition |
| DE69409477T DE69409477T2 (de) | 1993-12-27 | 1994-12-22 | Mikrowellendielektrische keramische Zusammensetzung |
| US08/363,333 US5489559A (en) | 1993-12-27 | 1994-12-23 | Microwave dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35267493A JP3384598B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | マイクロ波誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07187783A JPH07187783A (ja) | 1995-07-25 |
| JP3384598B2 true JP3384598B2 (ja) | 2003-03-10 |
Family
ID=18425669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35267493A Expired - Fee Related JP3384598B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | マイクロ波誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3384598B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111484328A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-08-04 | 咸阳陶瓷研究设计院有限公司 | 一种微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用 |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP35267493A patent/JP3384598B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07187783A (ja) | 1995-07-25 |
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