JP3381170B2

JP3381170B2 - 無電解メッキ方法及び無電解メッキ装置

Info

Publication number: JP3381170B2
Application number: JP2001051604A
Authority: JP
Inventors: 正三新宮原; 増林王; 秀雄池田; 明彦古屋; 敬一郎安田; 知幸馬場; 宗明萩原
Original assignee: Japan Science and Technology Corp; Toppan Inc
Current assignee: Japan Science and Technology Agency; Toppan Inc
Priority date: 2001-02-27
Filing date: 2001-02-27
Publication date: 2003-02-24
Anticipated expiration: 2021-02-27
Also published as: JP2002256445A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は無電解メッキ方法及
び無電解メッキ装置に関するものであり、例えば、多層
回路基板等の配線層或いはその下地となるメッキシード
層を無電解メッキ法によって成膜する際に、無電解メッ
キ浴を安定に保つための無電解メッキ浴中の溶存酸素量
を制御するための手段に特徴のある無電解メッキ方法及
び無電解メッキ装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、パーソナルコンピュータ等の
電子機器を構成する際に、半導体集積回路装置等の電子
部品を搭載するためにプリント基板やＴＣＰ（Ｔａｐｅ
ＣａｒｒｉｅｒＰａｃｋａｇｅ）等の高密度薄膜多
層回路基板が用いられている。

【０００３】この様なプリント基板或いはＴＣＰ等にお
いては絶縁性のベース層の回路面に配線層を形成するた
めの導電性皮膜をメッキ処理によって形成しており、例
えば、ベース層の表面の全面に触媒を形成し、無電解メ
ッキ法によってメッキシード層を形成した後、電解メッ
キ法によって導電性皮膜を形成し、次いで、通常のフォ
トリソグラフィー工程を用いて導電性皮膜を所定回路パ
ターンにエッチングして配線層を形成している。

【０００４】この様な工程に用いる無電解メッキにおい
て、一般にＣｕ²⁺等の価電子数が２以上の金属を用いる
場合、メッキ浴中において安定な金属錯体を形成するた
めに、メッキ浴中に酸素を供給する必要があることが知
られている。

【０００５】この事情を無電解銅メッキを例に説明する
と、無電解メッキ浴中において酸化第１銅（Ｃｕ₂Ｏ）
が形成され、形成されたＣｕ₂Ｏの不均化反応によっ
て，メッキ浴中に金属銅粉末が析出し、メッキ浴の安定
性が著しく低下するという問題がある。

【０００６】即ち、メッキ浴中において、２Ｃｕ²⁺＋ＨＣＨＯ＋５ＯＨ^-→Ｃｕ₂Ｏ＋ＨＣＯＯ
^-＋３Ｈ₂Ｏの反応でＣｕ₂Ｏが形成され、Ｃｕ₂Ｏ＋Ｈ₂Ｏ→Ｃｕ＋Ｃｕ²⁺＋２ＯＨ^- の不均化反応によって、Ｃｕ、即ち、金属銅粉末が析出
することになる。

【０００７】しかし、メッキ浴中の酸素濃度が十分高い
場合には、Ｃｕ₂Ｏ＋１／２Ｏ₂＋２Ｈ₂Ｏ→２Ｃｕ²⁺＋４ＯＨ
^- の反応が起こり、上記のの不均化反応が抑制され、
の反応によって形成されたＣｕ²⁺、即ち、Ｃｕ２価イオ
ンはメッキ浴中に含まれている錯化剤と反応しキレート
錯体を形成するため、メッキ浴中において金属銅粉末の
析出を起こすことなく安定に存在する。

【０００８】このの反応によってメッキ浴中の溶存酸
素量は減少するため、メッキ浴を安定に保つためには、
外部より酸素を供給する必要がある。因に、メッキ浴温
度＝６０℃、ＰＨ＝１２．５、メッキ負荷量＝０．５ｄ
ｍ²／リットルの条件で、空気攪拌なしで無電解メッキ
処理を行った場合、メッキ開始時における２．８８ｐｐ
ｍの溶存酸素が、２０分間で１．４ｐｐｍに低下した。

【０００９】そこで、従来においては、各種の方法で無
電解メッキ浴中に空気を導入して酸素を供給することが
提案されており、特に、溶存酸素濃度をより高めるため
に、微小気泡径の空気を導入することが提案されている
（必要ならば、特開平６−９７６３２号公報及び特開平
９−５９７８０号公報参照）。

【００１０】図４参照図４は、従来の無電解メッキ装置の一例の概略的構成図
であり（特開平６−９７６３２号公報参照）、メッキ浴
６２を収容する主メッキ槽６１、主メッキ槽６１に付随
するオーバーフロー部６３、オーバーフロー部６３から
オーバーフローしたメッキ浴６２を循環供給する外部循
環用流路６４、及び、メッキ浴６２に空気をバブリング
供給するエア攪拌用配管６５によって構成される。

【００１１】このエア攪拌用配管６５の先端部には複数
の孔６６が設けられており、この孔６６を介して多数の
気泡がメッキ浴６２中に供給される。一方、外部循環用
流路６４には、循環ポンプ６７、フィルタ６８、及び、
ミキサー６９が設けられており、ミキサー６９に接続す
るエアポンプ７０から循環するメッキ液に空気が導入・
混合され、空気の混合されたメッキ液が主メッキ槽６１
に再び供給される。

【００１２】この様に、メッキ浴中に空気、即ち、酸素
を送り込むことによって、メッキ浴中の溶存酸素量を増
大させ、安定した無電解メッキ処理を行うことができ、
特に、低温薄付けの無電解メッキ処理においては、メッ
キ浴中の溶存酸素濃度を十分なレベルで制御することが
できる。

【００１３】なお、この様な溶存酸素量の増大の必要性
は無電解銅メッキ処理に限られるものではなく、錯体形
成によりメッキ浴を安定化する必要のある、他の金属の
無電解メッキ処理、例えば、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｓｎ、
Ｐｂ、Ｆｅ、Ａｇ、Ａｕ等の無電解メッキ処理において
も事情は同じである。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の溶存酸
素濃度の制御方法では、３〜１０μｍ／時の成膜速度で
５〜３０μｍの膜厚のメッキ層を成膜する高速厚付けの
無電解メッキ処理においては、メッキ浴中の溶存酸素濃
度を十分に高く制御することが困難であるという問題が
ある。

【００１５】即ち、メッキ析出速度を高めて高速メッキ
を行うためには、メッキ浴の温度を高くする必要がある
が、そうすると必然的にメッキ浴の飽和酸素濃度が低く
なり、特に、メッキ浴の温度が５０℃を越えるとメッキ
浴の安定性が悪くなる。

【００１６】また、上述の溶存酸素濃度の制御方法にお
いては、酸素分圧が約２０％の大気を導入しているの
で、メッキ浴中の溶存酸素濃度の増加には限界があると
いう問題もある。

【００１７】したがって、本発明は、高速厚付けの無電
解メッキ処理においてもメッキ浴を安定に保つことが可
能になるように、メッキ浴中の溶存酸素濃度を制御する
ことを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。図１参照（１）本発明は、無電解メッキ方法において、少なくと
もメッキ槽１を含む系内の雰囲気中の酸素分圧を大気の
酸素分圧より高くし、前記雰囲気中の酸素分圧との平衡
状態を利用してメッキ液２中の溶存酸素濃度を制御する
ことを特徴とする。

【００１９】一般に、溶液中の飽和溶存酸素濃度Ｃ
_O2は、溶液を覆う雰囲気中の酸素分圧Ｐ _O2との間に、ｋ
を比例定数とすると、Ｃ_O2＝ｋ×Ｐ_O2（Ｈｅｎｒｙの法則）の関係があるので、メッキ槽１を含む系内の雰囲気中の
酸素分圧を、大気の酸素分圧より高くすることによって
メッキ液２中の溶存酸素濃度を従来よりも高めることが
でき、それによって、Ｃｕ₂Ｏの不均化反応等の不所望
な反応を抑制することができるので、メッキ浴を安定に
保つことができる。

【００２０】

【００２１】

【００２２】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、メッキ液２中の溶存酸素濃度を計測し、計測結果に
基づいて溶存酸素濃度が予め設定した値に保たれるよう
に大気より酸素分圧の高い雰囲気ガスの導入量を制御す
ることを特徴とする。

【００２３】この様に、メッキ液２中の溶存酸素濃度を
計測することによって、メッキ液２中の溶存酸素濃度を
より精度良く制御することができる。

【００２４】この場合、メッキ液２中の溶存酸素濃度
を、２〜２０ｐｐｍに制御することが望ましい。

【００２５】一般に、無電解メッキ液２中の溶存酸素濃
度は、無電解メッキ処理工程の開始にともなって、溶存
酸素がＣｕ²⁺等の金属多価イオンを形成するための反応
に消費され、２ｐｐｍ未満になるので、２ｐｐｍ以上に
制御することが必要になる。なお、溶存酸素濃度が２０
ｐｐｍを越えた場合には、逆にホルムアルデヒド等の還
元剤の酸化が進行して、金属多価イオンの還元反応が抑
制され、メッキ皮膜の析出が困難になるので、溶存酸素
濃度を２０ｐｐｍ以下にする必要がある。

【００２６】

【００２７】

【００２８】

【００２９】

【００３０】（３）また、本発明は、上記（１）または
（２）において、メッキ槽１の底部側に、大気の酸素分
圧以上の酸素分圧のガスを導入することを特徴とする。

【００３１】一般に、メッキ液２の表面の酸素と、メッ
キ液２中の溶存酸素との交換が遅いので、メッキ液２中
の溶存酸素濃度を迅速に制御するためには、メッキ槽１
の底部側から大気の酸素分圧以上の酸素分圧のガスを導
入してメッキ液２を攪拌することによって、メッキ液２
の表面の酸素とメッキ液２中の溶存酸素との交換をスム
ーズに行うことができる。

【００３２】なお、上記（１）乃至（３）のいずれかに
おいて、メッキ液２の液温を、５０℃〜９０℃にするこ
とが望ましい。

【００３３】上記の構成を採用することによって、高温
においてもメッキ液２中の溶存酸素濃度を十分高く保つ
ことができるので、メッキ液２の液温を５０℃〜９０℃
にすることができ、それによって、メッキの析出速度が
上がるので精度の高い安定した高速厚付けが可能にな
る。

【００３４】（４）また、本発明は、無電解メッキ装置
において、少なくともメッキ槽１中のメッキ液２が直接
外部大気に触れることを防止し且つ雰囲気中の酸素分圧
とメッキ液中の溶存酸素濃度とを平衡状態にする雰囲気
カバー３を設けるとともに、雰囲気カバー３内に大気よ
り酸素分圧の高い雰囲気ガスを導入する雰囲気ガス導入
手段４を設けたことを特徴とする。

【００３５】

【００３６】

【００３７】

【発明の実施の形態】ここで、図２を参照して、本発明
の第１の実施の形態の無電解メッキ装置を説明する。図２参照図２は本発明の第１の実施の形態の無電解メッキ装置の
概略的構成図であり、無電解メッキ装置は、硫酸銅系の
無電解Ｃｕメッキ浴１２を収容する耐薬液性樹脂製のメ
ッキ槽１１、無電解Ｃｕメッキ浴１２の底部側からＯ₂
とＮ₂の混合ガスを供給するエア攪拌用配管１３、メッ
キ槽１１に収容された無電解Ｃｕメッキ浴１２の表面が
直接外部の大気に触れることを防止する雰囲気カバー１
４、雰囲気カバー１４内にＯ₂とＮ₂の混合ガスを供給
する混合ガス供給管１５、及び、無電解Ｃｕメッキ浴１
２中の溶存酸素濃度を計測する溶存酸素濃度計１６によ
って構成される。この場合、雰囲気カバー１４内は密閉
される必要はなく、供給された混合ガスは、雰囲気カバ
ー１４とメッキ槽１１との間の間隙から大気中に放出さ
れる。また、図示を省略しているが、メッキ槽１１には
温度コントローラ及びチラーが設けられており、これら
によって、無電解Ｃｕメッキ浴１２の液温が制御され
る。

【００３８】また、エア攪拌用配管１３には、夫々流量
計１７を介して酸素ボンベ１８及び窒素ボンベ１９が接
続されており、制御用コンピュータ２０によってバルブ
２１を制御することによってＯ₂ガスとＮ₂ガスの供給
比率を制御するとともに、電動流量計２２を制御するこ
とによってＯ₂とＮ₂の混合ガスの流量を制御する。

【００３９】また、混合ガス供給管１５にも、夫々流量
計２３を介して酸素ボンベ２４及び窒素ボンベ２５が接
続されており、制御用コンピュータ２０によってバルブ
２６を制御することによってＯ₂ガスとＮ₂ガスの供給
比率を制御するとともに、電動流量計２７を制御するこ
とによってＯ₂とＮ₂の混合ガスの流量を制御する。

【００４０】この場合のＯ₂ガスとＮ₂ガスの供給比
率、即ち、混合比、及び、混合ガスの流量は、溶存酸素
濃度計１６によって、無電解Ｃｕメッキ浴１２中の溶存
酸素濃度を計測して、無電解Ｃｕメッキ浴１２中の溶存
酸素濃度が常に一定になるように、例えば、２〜２０ｐ
ｐｍになるように制御するものである。

【００４１】また、この場合の混合ガス供給管１５から
供給する混合ガスのＯ₂ガスとＮ₂ガスの混合比は、空
気の酸素分圧以上、即ち、Ｏ₂：Ｎ₂＝２２：７８（酸
素分圧２２％）〜１００：０（酸素分圧１００％）、よ
り好適にはＯ₂：Ｎ₂＝３０：７０（酸素分圧３０％）
〜６０：４０（酸素分圧６０％）の範囲で制御するもの
であり、供給量は、無電解Ｃｕメッキ浴１２中の溶存酸
素濃度が例えば、２〜２０ｐｐｍになるように、雰囲気
カバー１４が形成する内部容積に応じて決定する。

【００４２】なお、上述のＨｅｎｒｙの法則から明らか
なように、無電解Ｃｕメッキ浴１２中の飽和溶存酸素濃
度Ｃ_O2は、供給される混合ガスの酸素分圧Ｐ_O2に比例す
るが、比例定数ｋは温度依存性を有するので、混合ガス
の混合比及び供給量は無電解Ｃｕメッキ浴１２の液温に
も依存するものである。

【００４３】また、エア攪拌用配管１３から、供給する
混合ガスのＯ₂ガスとＮ₂ガスの混合比は、Ｏ₂：Ｎ₂
＝２０：８０〜１００：０の範囲で制御するものであ
り、Ｏ ₂：Ｎ₂＝２０：８０、即ち、大気を供給するの
であれば、酸素ボンベ１８及び窒素ボンベ１９を取外
し、エアポンプによって直接大気を供給するようにして
も良い。

【００４４】また、供給量は、酸素分圧によるが、例え
ば、１リットルの無電解Ｃｕメッキ浴１２に対して、酸
素分圧が３５％（Ｏ₂：Ｎ₂＝３５：６５）の混合ガス
を１０〜２０ｓｃｃｍ供給するものであり、いずれにし
ても、無電解Ｃｕメッキ浴１２中の溶存酸素濃度が例え
ば、２〜２０ｐｐｍになるように制御すれば良い。因
に、６５℃の液温の無電解Ｃｕメッキ浴１２に対して、
酸素分圧３５％の混合ガスを１５ｓｃｃｍ／リットル供
給した場合、無電解Ｃｕメッキ浴１２中の溶存酸素濃度
は３．２ｐｐｍとなった。

【００４５】この様に、本発明の第１の実施の形態にお
いては、メッキ槽１１を覆う雰囲気カバー１４を設け、
雰囲気カバー１４内に酸素分圧が３０％以上の混合ガス
を供給して、無電解Ｃｕメッキ液１２の表面が大気に直
接触れないようにしているので、Ｃｕ₂Ｏの不均化反応
を抑制することができ、それによって、無電解Ｃｕメッ
キ液１２を安定に保つことができる。

【００４６】また、本発明の第１の実施の形態において
は、無電解Ｃｕメッキ液１２の底部側からも酸素分圧が
２０％以上の混合ガスを供給してバブリングを行ってい
るので、無電解Ｃｕメッキ浴１２中においてＣｕ₂Ｏの
還元反応によって消費された溶存酸素を早急に補充する
ことが可能になる。

【００４７】したがって、無電解Ｃｕメッキ浴１２の温
度を高めた状態でも無電解Ｃｕメッキ浴１２中の溶存酸
素濃度を十分高く維持することができるので、高速厚付
けが可能になる。

【００４８】次に、図３を参照して、本発明の第２の実
施の形態の無電解メッキ装置を説明するが、この第２の
実施の形態の無電解メッキ装置は、無電解メッキを行な
う噴流式のメッキ槽に無電解Ｃｕメッキ液を循環供給す
るメッキ液タンク部を設けたものであり、メッキ液タン
ク部の構成として、上記の第１の実施の形態と実質的に
同様の溶存酸素濃度制御機構を設けるとともに、メッキ
槽側にも溶存酸素濃度制御機構を設けたものである。

【００４９】図３参照図３は本発明の第２の実施の形態の無電解メッキ装置の
概略的構成図であり、無電解メッキ装置は、メッキ槽部
とメッキ液タンク部によって構成されるものである。

【００５０】まず、メッキ槽部の構成は、硫酸銅系の無
電解Ｃｕメッキ浴３２を収容する耐薬液性樹脂からなる
噴流式のメッキ槽３１、オーバーフロー部３３、及び、
雰囲気カバー３４から構成され、メッキ槽３１にはメッ
キ液タンク部を構成するメッキ液収容槽３８に繋がる配
管３５が接続され、循環ポンプ３６によってメッキ液収
容槽３８内の溶存酸素濃度の制御された無電解Ｃｕメッ
キ浴３９が循環供給される。なお、図示を省略している
が、メッキ液収容槽３８、或いは、メッキ液収容槽３８
とメッキ槽３１の双方には温度コントローラ及びチラー
が設けられており、これらによって、無電解Ｃｕメッキ
浴３２及び無電界Ｃｕメッキ液３９の液温が制御され
る。

【００５１】また、このメッキ槽部には、上記の第１の
実施の形態と同様に、雰囲気カバー３４内には、混合ガ
ス供給管５５から、夫々流量計５０を介して酸素ボンベ
５１及び窒素ボンベ５２が接続されており、制御用コン
ピュータ４７によってバルブ５３を制御することによっ
てＯ₂ガスとＮ₂ガスの供給比率を制御するとともに、
電動流量計５６を制御することによって雰囲気カバー３
４内に供給されるＯ₂とＮ₂の混合ガスの流量を制御す
る。この場合も、雰囲気カバー３４内は密閉される必要
はなく、供給された混合ガスは、雰囲気カバー３４とメ
ッキ槽３１との間の間隙から大気中に放出される。

【００５２】一方、メッキ液タンク部の構成は、上記の
第１の実施の形態の無電解メッキ装置の構成と実質的に
同一であり、硫酸銅系の無電解Ｃｕメッキ液３９を収容
する耐薬液性樹脂製のメッキ液収容槽３８、収容された
無電解Ｃｕメッキ液３９の底部側からにＯ₂とＮ₂の混
合ガスを供給するエア攪拌用配管４０、雰囲気カバー４
１、雰囲気カバー４１内にＯ₂とＮ₂の混合ガスを供給
する混合ガス供給管５５に繋がる配管４２、及び、無電
解Ｃｕメッキ液３９中の溶存酸素濃度を測定する溶存酸
素濃度計４３によって構成される。

【００５３】また、エア攪拌用配管４０には、夫々流量
計４４を介して酸素ボンベ４５及び窒素ボンベ４６が接
続されており、制御用コンピュータ４７によってバルブ
４８を制御することによってＯ₂ガスとＮ₂ガスの供給
比率を制御するとともに、電動流量計４９を制御するこ
とによってＯ₂とＮ₂の混合ガスの流量を制御する。な
お、この場合も、雰囲気カバー４１内は密閉される必要
はなく、供給された混合ガスは、雰囲気カバー４１とメ
ッキ液収容槽３８との間の間隙から大気中に放出され
る。

【００５４】この場合の混合ガス供給管５５から供給す
る混合ガスの混合比及び流量、混合ガス供給管４２から
供給する混合ガスの混合比及び流量、及び、エア攪拌用
配管４０から供給する混合ガスの混合比及び流量の制御
の仕方は、上記の第１の実施の形態と基本的に同様であ
り、無電解Ｃｕメッキ浴３２の量、液温、メッキ液タン
ク系の空間の容量、循環量等に応じて無電解Ｃｕメッキ
浴３２中の溶存酸素濃度が２〜２０ｐｐｍになるように
制御する。

【００５５】この第２の実施の形態においては、メッキ
液タンク部を設け溶存酸素濃度を高めた無電解Ｃｕメッ
キ液３９をメッキ槽３１の底部から噴流式に供給し、オ
ーバーフローした無電解銅メッキ浴３２をオーバーフロ
ー部３３及び配管３７を介してメッキ液収容槽３８へ循
環させているので、メッキ槽３１中に供給される無電解
Ｃｕメッキ浴３２中の溶存酸素濃度をより正確に且つ迅
速に制御することができる。

【００５６】以上、本発明の各実施の形態を説明してき
たが、本発明は各実施の形態に記載された構成・条件に
限られるものではなく、各種の変更が可能である。例え
ば、上記の各実施の形態においては、メッキ槽部或いは
メッキ液タンク部において、雰囲気カバー１４，４１内
と、無電解Ｃｕメッキ浴１２或いは無電解Ｃｕメッキ液
３９の底部側からの両方から酸素を含む混合ガスを供給
しているが、いずれか一方からの供給でも良いものであ
る。但し、無電解Ｃｕメッキ浴１２或いは無電解Ｃｕメ
ッキ液３９の底部側からのみ供給する場合には、混合ガ
スの酸素分圧を３０％以上にする必要がある。

【００５７】また、上記の各実施の形態においては、無
電解Ｃｕメッキ方法として説明しているが、無電解Ｃｕ
メッキに限られるものではなく、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｓ
ｎ，Ｐｂ，Ｆｅ，Ａｇ，Ａｕ等の他の各種金属及びその
合金の無電解メッキ方法にも適用されるものである。

【００５８】また、上記の各実施の形態の説明において
は、メッキ液中の溶存酸素濃度を精度良く制御するため
に、溶存酸素濃度計１６，４３を用いているが、定常状
態における混合ガスの混合比及び流量と、溶存酸素濃度
との関係が取得できる場合には、予め取得したデータに
基づいて、混合ガスの混合比及び流量を固定的に設定し
ても良いものである。

【００５９】また、上記の各実施の形態においては、メ
ッキ槽等を耐薬液性樹脂で構成しているが、耐薬液性樹
脂に限られるものではなく、表面を耐薬液処理した金属
製槽を用いても良いものである。

【００６０】

【発明の効果】本発明によれば、少なくともメッキ液を
収容したメッキ槽を覆うように雰囲気カバーを設け、雰
囲気カバー内に大気より高い酸素分圧の混合ガスを導入
しているので、メッキ液中の溶存酸素濃度を十分高く保
持することができ、それによって、良好な特性を有する
導電性皮膜を高速で成膜することが可能になり、ひいて
は、薄膜多層回路基板等の高性能化、低コスト化に寄与
するところが大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理的構成の説明図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態の無電解メッキ装置
の概略的構成図である。

【図３】本発明の第２の実施の形態の無電解メッキ装置
の概略的構成図である。

【図４】従来の無電解メッキ装置の概略的構成図であ
る。

【符号の説明】

１メッキ槽２メッキ液３雰囲気カバー４雰囲気ガス導入手段５雰囲気ガス導入管６酸素ガス７窒素ガス１１メッキ槽１２無電解Ｃｕメッキ浴１３エア攪拌用配管１４雰囲気カバー１５混合ガス供給管１６溶存酸素濃度計１７流量計１８酸素ボンベ１９窒素ボンベ２０制御用コンピュータ２１バルブ２２電動流量計２３流量計２４酸素ボンベ２５窒素ボンベ２６バルブ２７電動流量計３１メッキ槽３２無電解Ｃｕメッキ浴３３オーバーフロー部３４雰囲気カバー３５配管３６循環ポンプ３７配管３８メッキ液収容槽３９無電解Ｃｕメッキ液４０エア攪拌用配管４１雰囲気カバー４２混合ガス供給管４３溶存酸素濃度計４４流量計４５酸素ボンベ４６窒素ボンベ４７制御用コンピュータ４８バルブ４９電動流量計５０流量計５１酸素ボンベ５２窒素ボンベ５３バルブ５４電動流量計５５混合ガス供給管５６電動流量計６１主メッキ槽６２メッキ浴６３オーバーフロー部６４外部循環用流路６５エア攪拌用配管６６孔６７循環ポンプ６８フィルタ６９ミキサー７０エアポンプ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (73)特許権者 501080321 株式会社熊防メタル熊本県熊本市長峰西１丁目４番15号 (72)発明者新宮原正三広島県東広島市鏡山１−４−１広島大学内 (72)発明者王増林熊本県上益城町田原2081−10 財団法人熊本テクノポリス財団内 (72)発明者池田秀雄熊本県熊本市世安町335番地株式会社野田市電子内 (72)発明者古屋明彦東京都台東区１丁目５番１号凸版印刷株式会社内 (72)発明者安田敬一郎熊本県熊本市上熊本２−９−９緒方工業株式会社内 (72)発明者馬場知幸熊本県熊本市長峰西１丁目４番15号熊本防▲錆▼工業株式会社内 (72)発明者萩原宗明熊本県上益城町田原2081−10 財団法人熊本テクノポリス財団内 (56)参考文献特開平９−25580（ＪＰ，Ａ) 特開平２−290977（ＪＰ，Ａ) 特開平９−59781（ＪＰ，Ａ) 特開2000−169970（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C23C 18/40 C23C 18/31 H05K 3/18

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくともメッキ槽を含む系内の雰囲気
中の酸素分圧を大気の酸素分圧より高くし、前記雰囲気
中の酸素分圧との平衡状態を利用してメッキ液中の溶存
酸素濃度を制御することを特徴とする無電解メッキ方
法。
【請求項２】上記メッキ液中の溶存酸素濃度を計測
し、計測結果に基づいて溶存酸素濃度が予め設定した値
に保たれるように上記大気より酸素分圧の高い雰囲気ガ
スの導入量を制御することを特徴とする請求項１記載の
無電解メッキ方法。
【請求項３】上記メッキ槽の底部側に、大気の酸素分
圧以上の酸素分圧のガスを導入することを特徴とする請
求項１または２に記載の無電解メッキ方法。
【請求項４】少なくともメッキ槽中のメッキ液が直接
外部大気に触れることを防止し且つ雰囲気中の酸素分圧
とメッキ液中の溶存酸素濃度とを平衡状態にする雰囲気
カバーを設けるとともに、前記雰囲気カバー内に大気よ
り酸素分圧の高い雰囲気ガスを導入する雰囲気ガス導入
手段を設けたことを特徴とする無電解メッキ装置。