JP3379490B2 - 電荷測定装置 - Google Patents
電荷測定装置Info
- Publication number
- JP3379490B2 JP3379490B2 JP29879899A JP29879899A JP3379490B2 JP 3379490 B2 JP3379490 B2 JP 3379490B2 JP 29879899 A JP29879899 A JP 29879899A JP 29879899 A JP29879899 A JP 29879899A JP 3379490 B2 JP3379490 B2 JP 3379490B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measured
- measuring device
- plate
- ground
- charge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/24—Arrangements for measuring quantities of charge
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
【従来技術】半導体装置は、シリコンやガリウム砒素等
からなる基板上に複数の半導体装置を形成後、基板をダ
イシング工程に各半導体装置（以下、ダイという。）に
分離し、ダイをパッケイジに搭載し金線等でダイ上に形
成された電極と外部リードとを接続した後、例えば樹脂
を封入することで完成する。 【０００２】半導体装置の不良は従来は基板上に半導体
装置を形成するプロセス中で例えばフォトリソグラフィ
が設計通りの寸法に形成できない、絶縁膜に下層配線と
上層配線とを接続させるためのコンタクト孔を形成した
際に、完全に孔が下層配線まで貫通していない等のプロ
セスに起因する原因でおこっていた。 【０００３】しかしながら、近年の素子寸法の微細化に
伴い半導体装置の静電気に対する耐性が小さくなりプロ
セスに起因する不良以外に静電気に起因する不良が増大
してきた。 【０００４】発明者等はこの原因を究明することを目的
として、特開平７―３２５１１９号公報にＥＳＤの測定
装置を発表している。 【０００５】この測定装置を図面を用いて説明する。 【０００６】図１０は特開平７−３２５１１９号公報の
測定器の概略図である、金属棒１４を容量値既知の誘電
体４で包み、その上から金属板１５で包んで、金属板１
５を接地電位にする。被測定物から誘電体４迄の配線と
誘電体４とを、相互間の相対位置が不変であるように一
体化する。金属板１５が外部からの電磁誘導を遮蔽する
ので、被測定物から誘電体４までの配線の変形や電磁誘
導による測定値の変動はない。又、誘電体４を、被測定
電荷の移動経路に沿って分布容量となるような構造に
し、誘電体４が被測定物に近い方から順次時間差をもっ
て充電されて行くようにして、被測定物１の高電圧が瞬
間的に電圧計５に加わのを防ぎ、被測定電荷が電圧計５
を通してグランドに漏れるのを防止する。 【０００７】図２は、上記の測定装置をＬＳＩの製造工
程に適用した例を示す図である。 【０００８】この例では、図２（ａ）に示すように、Ｌ
ＳＩ１６を斜めに設置した金属レール１７上を滑らせ、
上から下へ搬送した場合に発生するリード端子の過剰動
電荷を測定した。 【０００９】このような搬送方法は、ＬＳＩの製造工程
中ではよく用いられる方法である。先ず、図１に示すよ
うに、測定装置最外側の金属板１５をグランドに接続
し、内側の金属棒１４の末端とグランドとの間に電圧計
５を接続した上で、金属棒１４と金属板１５とを短絡さ
せ誘電体４を十分放電させる。 【００１０】次に、図２（ｂ）に示す部分拡大図のよう
に、金属棒１４の尖った先端をレール１７を滑り降りて
きたＬＳＩ１６のリード端子１８に接触させ、そのとき
の電圧計５の値を測定し、Ｑ＝ＣＶにより、過剰動電荷
量Ｑを算出する。 【００１１】近年半導体集積回路装置（ＤＲＡＭ、プロ
セッサ、ＣＣＤ等）やハードディスクの磁気データを読
みとるMRヘッド（magunetro-resisitive reading hea
d）等の微細化が急激に進行している。 【００１２】これらの寸法の微細化は製造時・組立時・
使用時にＥＳＤの影響を非寿にうけやすい状態になって
いるために今後ＥＳＤ傷害を防止するための、ＥＳＤの
測定等の技術の改善が急務となっている。 【００１３】 【発明が解決しようとする課題】従来のクーロンメータ
ーを用いた測定器は、被測定試料に直接静電気が蓄積さ
れた場合の測定には効果的であったが、誘起されて試料
に蓄積される静電気に対する測定は困難であった。 【００１４】しかしながら、ノズルによる吸着、基板へ
の半導体装置の実装等生産ラインには電荷が製品に誘起
される工程が多々あり、従来の帯電した人体等から直接
製品に電荷が充電された場合の電荷の測定しかできない
と、製品に誘起される電荷による製品の不良原因の調査
ができず、生産ラインの静電気による不良の撲滅ができ
ないという問題があった。 【００１５】このような問題は、１９９７年以降の先端
技術において、電子デバイスのみならず、記憶密度を高
めたハードディスク、ハイビジョン化による高精細な画
像を表示するための液晶表示装置、プラズマ表示装置等
の製品で静電気による傷害が生産ラインのみならずその
組立ラインで多発していることが背景にある。 【００１６】例えば、大規模半導体集積回路装置はその
配線ルールが０．２５μｍを切り２０００年には０．１
８μｍになろうとしている。さらに、画像ＣＣＤが画像
の細密性を向上させるために各画素面積を微細化してい
る。 【００１７】これに対し、ハードディスクも記憶密度が
５〜１５GＢｉｔ／ｉｎｃｈｉ2とますます高密度かの一
途をたどり、この結果読みとり・書き込みのためのヘッ
ドの寸法を微細化されている。 【００１８】さらに、液晶表示装置（以下、ＬＣＤと略
す）も画素寸法を微細化することで解像度等の向上に努
めている。今後、デジタル放送が本格化し、ハイビジョ
ンテレビが一般化するとプラズマ表示装置等の画像表示
装置も画素寸法が微細化され、当然静電気の影響を受け
るようになる。 【００１９】しかし、今後の微細化に対するＥＳＤ耐性
は従来技術で示した装置の精度を超え、さらなる装置の
改善が必要となってきた。 【００２０】一方、欧米のみならず日本においても生産
拠点が東南アジアにシフトし、生産ライン及び市場での
静電気による傷害が発生し、これらの撲滅を図ることが
急務となっているが、このためにはより改善された精度
良くしかも簡単に静電気の測定を行えるようにする必要
がある。 【００２１】 【発明の目的】本願発明の目的は、従来は試験素子に直
接帯電された電荷しか測定できず、試験素子に誘起され
る電荷の測定を可能とし、例えばノズルによる吸着等電
荷が誘起される工程での電荷が誘起される原因を追及す
ることで生産ラインの電荷の誘起による生産ラインの静
電気による不良を撲滅するものである。 【００２２】 【課題を解決するための手段】本発明は、導電板に接続
された高抵抗は、電源又は接地のいずれかとスイッチを
介し接続され、前記導電板上に絶縁体を介して載置され
た被測定物と前記被測定物上に配された探針と該探針と
は絶縁他を介し接続され前記導電板と略平行な接地板と
を有し、前記探針は前記接地板と接続されたクーロンメ
ータ又は前記接地板にスイッチを介して接続されること
を特徴とする電荷測定装置である。 【００２３】 【発明の実施の形態】本発明の１実施例である電界誘導
電荷計（以下、Ｆ−ＣＤＭと略す）を図１を用いて説明
する。 【００２４】Ｆ−ＣＤＭは、金属等の導電材料で作られ
た導電板１上に載置された絶縁フィルム４と、絶縁膜５
で作られた試料を固定する台とで構成され、探針７は、
絶縁体を介し金属等の導電材料で作られた表面接地板２
に固定されている。測定される試験素子８は絶縁膜５で
作られた台上に固定される。表面接地板３は導電板１と
略平行に形成されている。表面接地板３にはクロンメー
タ４と検流計が接続され探針７とはスイッチを介し接続
されるようになっている。検流計はオシロスコープ１が
接続されると共に接地されている。導電板１は電源１０
又はアースとスイッチを介して接続される。 【００２５】試験素子が半導体装置でる場合端子の直上
に探針７を配することで測定が行われる。表面接地板が
無いと試験素子に直接帯電した電荷の測定は可能である
が、摩擦等の原因で試験素子に誘起される電荷の測定が
できない。 【００２６】表面接地板３を設け試料を載置する導電板
１に電源１０が接続されることで表面接地板７と導電板
１との間で試験素子８に対し電荷を誘起させることが可
能となる。 【００２７】この装置で電荷をどのように測定するかは
いうまでもなく自明である。 【００２８】 【発明の効果】従来の電荷測定器では直接測定対象物に
蓄積される電荷しか測定できなかった、本願発明の測定
器を用いることで、試料に誘起される電荷の測定も可能
となり、生産ラインの静電不良の原因となる全ての要因
が測定可能となり、この結果、生産ラインの静電気に起
因する不良を完全に把握し、撲滅することができるよう
になった。 【００２９】ハードディスクの組立ラインで立ち上げ時
に６５〜７０％あった不良が、この測定器等を用いて原
因となる工程を同定し対策を施すことで静電気に起因す
る不良をほぼ０％にまで低減することができた。
からなる基板上に複数の半導体装置を形成後、基板をダ
イシング工程に各半導体装置（以下、ダイという。）に
分離し、ダイをパッケイジに搭載し金線等でダイ上に形
成された電極と外部リードとを接続した後、例えば樹脂
を封入することで完成する。 【０００２】半導体装置の不良は従来は基板上に半導体
装置を形成するプロセス中で例えばフォトリソグラフィ
が設計通りの寸法に形成できない、絶縁膜に下層配線と
上層配線とを接続させるためのコンタクト孔を形成した
際に、完全に孔が下層配線まで貫通していない等のプロ
セスに起因する原因でおこっていた。 【０００３】しかしながら、近年の素子寸法の微細化に
伴い半導体装置の静電気に対する耐性が小さくなりプロ
セスに起因する不良以外に静電気に起因する不良が増大
してきた。 【０００４】発明者等はこの原因を究明することを目的
として、特開平７―３２５１１９号公報にＥＳＤの測定
装置を発表している。 【０００５】この測定装置を図面を用いて説明する。 【０００６】図１０は特開平７−３２５１１９号公報の
測定器の概略図である、金属棒１４を容量値既知の誘電
体４で包み、その上から金属板１５で包んで、金属板１
５を接地電位にする。被測定物から誘電体４迄の配線と
誘電体４とを、相互間の相対位置が不変であるように一
体化する。金属板１５が外部からの電磁誘導を遮蔽する
ので、被測定物から誘電体４までの配線の変形や電磁誘
導による測定値の変動はない。又、誘電体４を、被測定
電荷の移動経路に沿って分布容量となるような構造に
し、誘電体４が被測定物に近い方から順次時間差をもっ
て充電されて行くようにして、被測定物１の高電圧が瞬
間的に電圧計５に加わのを防ぎ、被測定電荷が電圧計５
を通してグランドに漏れるのを防止する。 【０００７】図２は、上記の測定装置をＬＳＩの製造工
程に適用した例を示す図である。 【０００８】この例では、図２（ａ）に示すように、Ｌ
ＳＩ１６を斜めに設置した金属レール１７上を滑らせ、
上から下へ搬送した場合に発生するリード端子の過剰動
電荷を測定した。 【０００９】このような搬送方法は、ＬＳＩの製造工程
中ではよく用いられる方法である。先ず、図１に示すよ
うに、測定装置最外側の金属板１５をグランドに接続
し、内側の金属棒１４の末端とグランドとの間に電圧計
５を接続した上で、金属棒１４と金属板１５とを短絡さ
せ誘電体４を十分放電させる。 【００１０】次に、図２（ｂ）に示す部分拡大図のよう
に、金属棒１４の尖った先端をレール１７を滑り降りて
きたＬＳＩ１６のリード端子１８に接触させ、そのとき
の電圧計５の値を測定し、Ｑ＝ＣＶにより、過剰動電荷
量Ｑを算出する。 【００１１】近年半導体集積回路装置（ＤＲＡＭ、プロ
セッサ、ＣＣＤ等）やハードディスクの磁気データを読
みとるMRヘッド（magunetro-resisitive reading hea
d）等の微細化が急激に進行している。 【００１２】これらの寸法の微細化は製造時・組立時・
使用時にＥＳＤの影響を非寿にうけやすい状態になって
いるために今後ＥＳＤ傷害を防止するための、ＥＳＤの
測定等の技術の改善が急務となっている。 【００１３】 【発明が解決しようとする課題】従来のクーロンメータ
ーを用いた測定器は、被測定試料に直接静電気が蓄積さ
れた場合の測定には効果的であったが、誘起されて試料
に蓄積される静電気に対する測定は困難であった。 【００１４】しかしながら、ノズルによる吸着、基板へ
の半導体装置の実装等生産ラインには電荷が製品に誘起
される工程が多々あり、従来の帯電した人体等から直接
製品に電荷が充電された場合の電荷の測定しかできない
と、製品に誘起される電荷による製品の不良原因の調査
ができず、生産ラインの静電気による不良の撲滅ができ
ないという問題があった。 【００１５】このような問題は、１９９７年以降の先端
技術において、電子デバイスのみならず、記憶密度を高
めたハードディスク、ハイビジョン化による高精細な画
像を表示するための液晶表示装置、プラズマ表示装置等
の製品で静電気による傷害が生産ラインのみならずその
組立ラインで多発していることが背景にある。 【００１６】例えば、大規模半導体集積回路装置はその
配線ルールが０．２５μｍを切り２０００年には０．１
８μｍになろうとしている。さらに、画像ＣＣＤが画像
の細密性を向上させるために各画素面積を微細化してい
る。 【００１７】これに対し、ハードディスクも記憶密度が
５〜１５GＢｉｔ／ｉｎｃｈｉ2とますます高密度かの一
途をたどり、この結果読みとり・書き込みのためのヘッ
ドの寸法を微細化されている。 【００１８】さらに、液晶表示装置（以下、ＬＣＤと略
す）も画素寸法を微細化することで解像度等の向上に努
めている。今後、デジタル放送が本格化し、ハイビジョ
ンテレビが一般化するとプラズマ表示装置等の画像表示
装置も画素寸法が微細化され、当然静電気の影響を受け
るようになる。 【００１９】しかし、今後の微細化に対するＥＳＤ耐性
は従来技術で示した装置の精度を超え、さらなる装置の
改善が必要となってきた。 【００２０】一方、欧米のみならず日本においても生産
拠点が東南アジアにシフトし、生産ライン及び市場での
静電気による傷害が発生し、これらの撲滅を図ることが
急務となっているが、このためにはより改善された精度
良くしかも簡単に静電気の測定を行えるようにする必要
がある。 【００２１】 【発明の目的】本願発明の目的は、従来は試験素子に直
接帯電された電荷しか測定できず、試験素子に誘起され
る電荷の測定を可能とし、例えばノズルによる吸着等電
荷が誘起される工程での電荷が誘起される原因を追及す
ることで生産ラインの電荷の誘起による生産ラインの静
電気による不良を撲滅するものである。 【００２２】 【課題を解決するための手段】本発明は、導電板に接続
された高抵抗は、電源又は接地のいずれかとスイッチを
介し接続され、前記導電板上に絶縁体を介して載置され
た被測定物と前記被測定物上に配された探針と該探針と
は絶縁他を介し接続され前記導電板と略平行な接地板と
を有し、前記探針は前記接地板と接続されたクーロンメ
ータ又は前記接地板にスイッチを介して接続されること
を特徴とする電荷測定装置である。 【００２３】 【発明の実施の形態】本発明の１実施例である電界誘導
電荷計（以下、Ｆ−ＣＤＭと略す）を図１を用いて説明
する。 【００２４】Ｆ−ＣＤＭは、金属等の導電材料で作られ
た導電板１上に載置された絶縁フィルム４と、絶縁膜５
で作られた試料を固定する台とで構成され、探針７は、
絶縁体を介し金属等の導電材料で作られた表面接地板２
に固定されている。測定される試験素子８は絶縁膜５で
作られた台上に固定される。表面接地板３は導電板１と
略平行に形成されている。表面接地板３にはクロンメー
タ４と検流計が接続され探針７とはスイッチを介し接続
されるようになっている。検流計はオシロスコープ１が
接続されると共に接地されている。導電板１は電源１０
又はアースとスイッチを介して接続される。 【００２５】試験素子が半導体装置でる場合端子の直上
に探針７を配することで測定が行われる。表面接地板が
無いと試験素子に直接帯電した電荷の測定は可能である
が、摩擦等の原因で試験素子に誘起される電荷の測定が
できない。 【００２６】表面接地板３を設け試料を載置する導電板
１に電源１０が接続されることで表面接地板７と導電板
１との間で試験素子８に対し電荷を誘起させることが可
能となる。 【００２７】この装置で電荷をどのように測定するかは
いうまでもなく自明である。 【００２８】 【発明の効果】従来の電荷測定器では直接測定対象物に
蓄積される電荷しか測定できなかった、本願発明の測定
器を用いることで、試料に誘起される電荷の測定も可能
となり、生産ラインの静電不良の原因となる全ての要因
が測定可能となり、この結果、生産ラインの静電気に起
因する不良を完全に把握し、撲滅することができるよう
になった。 【００２９】ハードディスクの組立ラインで立ち上げ時
に６５〜７０％あった不良が、この測定器等を用いて原
因となる工程を同定し対策を施すことで静電気に起因す
る不良をほぼ０％にまで低減することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ｆ−ＣＤＭ試験装置の概略図
【図２】従来のクローンメータを用いた正電荷測定器
【図３】図３の測定器を半導体製造ラインに適用した例
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 導電板に接続された高抵抗は、電源又は
接地のいずれかとスイッチを介し接続され、前記導電板
上に絶縁体を介して載置された被測定物と前記被測定物
上に配された探針と該探針とは絶縁他を介し接続され前
記導電板と略平行な接地板とを有し、前記探針は前記接
地板と接続されたクーロンメータ又は前記接地板にスイ
ッチを介して接続されることを特徴とする電荷測定装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29879899A JP3379490B2 (ja) | 1999-10-20 | 1999-10-20 | 電荷測定装置 |
| MYPI20004907A MY126057A (en) | 1999-10-20 | 2000-10-18 | Apparatus for measuring electric charge |
| US09/691,588 US6466027B1 (en) | 1999-10-20 | 2000-10-18 | Apparatus for measuring electric charge |
| KR1020000061899A KR100351693B1 (ko) | 1999-10-20 | 2000-10-20 | 전하측정장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29879899A JP3379490B2 (ja) | 1999-10-20 | 1999-10-20 | 電荷測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001116788A JP2001116788A (ja) | 2001-04-27 |
| JP3379490B2 true JP3379490B2 (ja) | 2003-02-24 |
Family
ID=17864369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29879899A Expired - Fee Related JP3379490B2 (ja) | 1999-10-20 | 1999-10-20 | 電荷測定装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6466027B1 (ja) |
| JP (1) | JP3379490B2 (ja) |
| KR (1) | KR100351693B1 (ja) |
| MY (1) | MY126057A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100825762B1 (ko) | 2006-08-07 | 2008-04-29 | 한국전자통신연구원 | 금속-절연체 전이(ｍｉｔ) 소자의 불연속 ｍｉｔ를연속적으로 측정하는 회로 및 그 회로를 이용한 ｍｉｔ센서 |
| JP5276921B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2013-08-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置 |
| CN102385006A (zh) * | 2011-09-13 | 2012-03-21 | 沈阳化工大学 | 一种能测量斯诺克比赛白球所带静电大小的装置 |
| JP6607420B2 (ja) * | 2017-03-23 | 2019-11-20 | Ｄｉｃ株式会社 | 帯電インジケータ |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2859044B2 (ja) * | 1992-08-10 | 1999-02-17 | 山形日本電気株式会社 | 静電気破壊耐量試験装置 |
| JP2908240B2 (ja) | 1994-05-31 | 1999-06-21 | 山形日本電気株式会社 | 電荷量の測定方法、静電エネルギーの測定方法及び電荷量測定装置 |
| JPH0875807A (ja) * | 1994-09-01 | 1996-03-22 | Fujitsu Ltd | 静電気測定方法 |
| JPH08313486A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Advanced Display:Kk | 絶縁性基板の静電気電荷量の検出方法およびその検出装置 |
| US5703487A (en) * | 1996-01-11 | 1997-12-30 | Xerox Corporation | Detection of charge deficient spot susceptibility |
| JP2000046885A (ja) * | 1998-07-30 | 2000-02-18 | Canon Inc | 静電気破壊耐量試験装置 |
-
1999
- 1999-10-20 JP JP29879899A patent/JP3379490B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-10-18 US US09/691,588 patent/US6466027B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-18 MY MYPI20004907A patent/MY126057A/en unknown
- 2000-10-20 KR KR1020000061899A patent/KR100351693B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100351693B1 (ko) | 2002-09-11 |
| JP2001116788A (ja) | 2001-04-27 |
| US6466027B1 (en) | 2002-10-15 |
| KR20010040144A (ko) | 2001-05-15 |
| MY126057A (en) | 2006-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3466518B2 (ja) | 電荷測定装置 | |
| US8174283B2 (en) | Calibration technique for measuring gate resistance of power MOS gate device at wafer level | |
| US8618827B2 (en) | Measurement of electrical and mechanical characteristics of low-K dielectric in a semiconductor device | |
| US9121891B2 (en) | Apparatus and methods for de-embedding through substrate vias | |
| JP2908240B2 (ja) | 電荷量の測定方法、静電エネルギーの測定方法及び電荷量測定装置 | |
| JP2019060768A (ja) | 抵抗測定装置、基板検査装置、及び抵抗測定方法 | |
| JP3379490B2 (ja) | 電荷測定装置 | |
| US9034667B2 (en) | Apparatus and method for endpoint detection during electronic sample preparation | |
| JP4784158B2 (ja) | プローブカード、およびこれを用いた直流特性測定方法 | |
| EP0980004B1 (en) | Microscopic capacitance measurement system and probing system | |
| US7173440B2 (en) | Probing apparatus and test method including electrical shielding | |
| KR102195561B1 (ko) | 전기적 접속 장치 | |
| JP4290316B2 (ja) | 配線ショート箇所の検査方法及び検査装置 | |
| JP3333155B2 (ja) | プラズマダメージ評価用ｔｅｇパターンおよびそれを用いた評価方法 | |
| JP3276389B2 (ja) | 電圧測定装置 | |
| JPH08330368A (ja) | 半導体回路装置群及びそのプローブ試験方法 | |
| US20040008037A1 (en) | Capacity measuring device and capacity measuring method | |
| JP2008205282A (ja) | プローブカード | |
| Chiu et al. | IPD robustness test methodology for InFO | |
| JP3132400B2 (ja) | Ｉｃテスタ用プローブカード | |
| JP2004150981A (ja) | 半導体装置の電気的特性測定装置及び電気的特性測定方法 | |
| JP4966564B2 (ja) | 半導体素子の検査システム及び検査方法 | |
| JPH05215776A (ja) | 半導体集積回路装置の検査装置およびそのプローブカードならびに半導体集積回路装置の検査方法 | |
| JPH09232390A (ja) | 半導体測定装置 | |
| JPH04217337A (ja) | 半導体集積回路試験装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021112 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071213 Year of fee payment: 5 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071213 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071213 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081213 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091213 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091213 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101213 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |