JP2004150981A - 半導体装置の電気的特性測定装置及び電気的特性測定方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられたリード端子3を備えた半導体装置1の1つのリード端子3に対して、リード端子3の下面に接触される第1測定用接触子5と、リード端子3の垂直部の外側側面に接触される第2測定用接触子7を備えている。これにより、リード端子3の寸法バラツキに影響されることなく、2つの測定用接触子5,7をリード端子3に確実に接触させることができる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の電気的特性を測定するための半導体装置の電気的特性測定装置及び電気的特性測定方法に関し、特に、パッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられたリード端子を備えた半導体装置の電気的特性を測定するための電気的特性測定装置及び電気的特性試験に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の電気的特性の測定において、半導体装置の1つのリード端子に複数の測定用接触子を接触させて測定することは接触の信頼性を著しく向上させる効果がある。
また、1つのリード端子に対して2つの測定用接触子を用いることにで、ケルビンコンタクト(ケルビンクリップも呼ばれる)による測定方法を行なうことができる。ケルビンコンタクトによる測定では、電流を流す経路(フォースライン)と電圧を測定する経路(センスライン)を分離してリード端子に接触させることにより、電流による電圧降下の影響を受けずに測定することができ、測定結果の精度が向上することが知られている。
【0003】
従来、パッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられ、先端部が水平方向に折り曲げられたリード端子を備えた半導体装置に対してケルビンコンタクトを用いて電気的特性を測定する場合、図4に示すように、半導体装置1のリード端子3の先端部を2つの測定用接触子31,33で上下方向から挟み込むように接触していた。図4では、測定用接触子31をリード端子3の先端部の下面に接触させ、測定用接触子33をリード端子3の先端部の上面に接触させた例を示している。
【0004】
パッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられ、先端部が水平方向に折り曲げられたリード端子を備えた半導体装置としては、例えばQFP(quad flat package)、SOP(small out−line package)、SOT(small out−line transistor)などを挙げることができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、近年、半導体装置の小型化が進み、リード端子先端部の水平部分の寸法が短くなり、電気的特性の測定時においてリード端子の先端部の上面に接触させる測定用接触子の先端配置位置に高精度が要求されるようになった。
【0006】
さらに、半導体装置のリード端子の寸法精度バラツキ、特にリード端子先端部の水平部分の寸法バラツキによって、図5に示すように、先端部の水平部分の寸法が短いリード端子3aが往々にして発生する。このため測定用接触子33がリード端子3aに接触せず、測定用接触子31に直接接触してしまうことがあり、リード端子3aとの接触の信頼性を低下させると共に、測定精度を低下させることがあった。
【0007】
そこで本発明は、半導体装置のリード端子の寸法バラツキに影響されることなく、2つの測定用接触子をリード端子に確実に接触させることができる半導体装置の電気的特性測定装置及び測定方法を提供することを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる半導体装置の電気的特性測定装置は、パッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられたリード端子を備えた半導体装置の電気的特性を測定するための電気的特性測定装置であって、1つのリード端子に対して、リード端子の下面に接触される第1測定用接触子と、リード端子の垂直部の外側側面に接触される第2測定用接触子を備えているものである。
【0009】
本発明にかかる半導体装置の電気的特性測定方法は、パッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられたリード端子を備えた半導体装置の電気的特性を測定する電気的特性測定方法であって、1つのリード端子に対して、第1測定用接触子をリード端子の下面に接触させ、第2測定用接触子をリード端子の垂直部の外側側面に接触させて半導体装置の電気的特性を測定する。
【0010】
本発明の半導体装置の電気的特性測定装置及び電気的特性測定方法では、パッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられたリード端子を備えた半導体装置の1つのリード端子に対して、第1測定用接触子をリード端子の下面に接触させ、第2測定用接触子をリード端子の垂直部の外側側面に接触させるようにしたので、リード端子の寸法バラツキに影響されることなく、2つの測定用接触子をリード端子に確実に接触させることができる。これにより、信頼性の高い接触が可能になる。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体装置の電気的特性測定装置において、上記第1測定用接触子は、測定時に少なくとも測定位置に配置された半導体装置の外周側面に対応する位置からリード端子の先端に対応する位置にわたって配置される例を挙げることができる。本発明の半導体装置の電気的特性測定方法において、測定時に、上記第1測定用接触子を少なくとも測定位置に配置された半導体装置の外周側面に対応する位置からリード端子の先端に対応する位置にわたって配置する例を挙げることができる。これにより、パッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられ、先端部が水平方向に折り曲げられたリード端子であって先端部の水平部分が非常に短いものや、DIP(dual in−line package)タイプのように先端部に水平部分がないリード端子にも、確実な接触を行なうことができる。
【0012】
本発明の半導体装置の電気的特性測定装置において、上記第1測定用接触子及び上記第2測定用接触子は、一方はケルビンコンタクトのセンスラインに接続され、他方はフォースラインに接続されるようにすることが好ましい。本発明の半導体装置の電気的特性測定方法において、上記第1測定用接触子及び上記第2測定用接触子をケルビンコンタクトとして用いて半導体装置の電気的特性を測定することが好ましい。その結果、測定電流の影響を受けない高精度の測定を行なうことができる。
【0013】
【実施例】
図1は電気的特性測定装置の一実施例を示す概略構成図であり、(A)は全体を示し、(B)は(A)の円で囲まれた部分を拡大して示す。
半導体装置1を支持するための半導体測定台9が設けられている。半導体測定台9の上方に、半導体測定台9の上面(測定位置)に配置された半導体装置1を固定するための押さえピン11が設けられている。押さえピン11は図示しない駆動機構により上下方向に移動される。半導体測定台9の上面には貫通孔(図示は省略)が設けられており、その貫通孔は図示しない吸引機構に接続され、半導体測定台9の上面に配置された半導体装置1を吸着するようになっている。
【0014】
半導体装置1の1つのリード端子3に対応して、2つの測定用接触子5,7が設けられている。半導体装置1には紙面垂直方向に複数のリード端子3が配列されており、電気的特性測定装置にはリード端子3ごとに測定用接触子5,7が設けられている。
【0015】
第1測定用接触子5は、シリンダ機構13の駆動により回転軸15を中心にして回転される接触子受け台17に支持されており、実線位置と一点鎖線位置の間で移動するように配置されている(矢印A参照)。第1測定用接触子5の先端部は、半導体装置1の電気的特性の測定時にリード端子3の先端部の水平部分の下面(リード端子の下面)に接触するように移動される((A)の実線位置及び(B)参照)。測定時における測定用接触子5の先端部の位置は半導体装置1の外周側面に対応する位置に配置される((B)の破線参照)。
【0016】
第2測定用接触子7は、シリンダ機構19の駆動により回転軸21を中心にして回転される接触子受け台23に支持されており、実線位置と一点鎖線位置の間で移動するように配置されている(矢印B参照)。測定用接触子7の先端部は、半導体装置1の電気的特性の測定時にリード端子3の垂直部の外側側面に接触するように移動される((A)の実線位置及び(B)参照)。
【0017】
第1測定用接触子5は配線25を介して測定部29に電気的に接続され、第2測定用接触子7は配線27を介して測定部29に電気的に接続されている。測定部29は半導体装置1の電気的特性測定時にリード端子3に電源及び信号の供給を行ない、半導体装置1の電気的特性を測定する。
【0018】
図1を参照して半導体装置の電気的特性測定方法の一実施例を説明する。
半導体装置1を半導体測定台9に搭載する場合、又は測定後に取り外す場合は、シリンダ機構13,19の駆動により第1測定用接触子5及び第2測定用接触子7をリード端子3から離れる方向に移動させ(一点鎖線位置参照)、押さえピン11を上方向に移動した状態で、半導体装置1の搭載又は取外しを行なう。
【0019】
半導体装置1の電気的特性の測定時は、半導体測定台9に半導体装置1が搭載された状態で押さえピン11を下げて半導体装置1を半導体測定台9とで挟んで測定位置に固定し、シリンダ機構13,19の駆動により第1測定用接触子5及び第2測定用接触子7をリード端子3に接触する方向に移動させ、第1測定用接触子5及び第2測定用接触子7をリード端子3に接触させた状態で行なう(実線参照)。
【0020】
電気的特性の測定時において、第1測定用接触子5の先端部は、半導体装置1の外周側面に対応する位置からリード端子3の先端位置に対応する位置にわたって配置されているので、リード端子3の寸法バラツキに影響されることなく、第1測定用接触子5をリード端子3の下面に接触することができる。例えば図2に示すように、先端部の水平部分が非常の短いリード端子3aであっても、第1測定用接触子5を確実に接触させることができる。
【0021】
さらに、図3に示すように、例えばDIPタイプのように先端部に水平部分がないリード端子3bにも、第1測定用接触子5を確実に接触させることができる。図3において、DIPのリード端子3bの下面は第1測定用接触子5と接触している面である。
【0022】
また、第2測定用接触子7の先端部は、リード端子3の垂直部の外側側面と接触するように配置されているので、リード端子3の寸法バラツキに影響されることなく、第2測定用接触子7を確実にリード端子3と接触させることができる。
【0023】
このような接触状態で、測定部29によって配線25,29、測定用接触子5,7及びリード端子3を介して半導体装置1に電源及び信号を供給することにより、リード端子3と測定用接触子5,7の間に確実な接触状態をもって電気的特性の測定を行なうことができる。
【0024】
このように、第1測定用接触子5と第2測定用接触子7がリード端子3に接触する位置をリード端子3の垂直部の外側側面と先端部の下面に分けるようにしたので、リード端子3の寸法バラツキに影響されることなく、確実な接触が可能になる。これにより、第1測定用接触子5及び第2測定用接触子7の位置精度は従来に比べ粗雑でよく、測定用接触子の部品コストや、組み立てコストを下げることができる。
【0025】
さらに、ケルビンコンタクトを用いて測定を行なう場合は、例えば配線25をフォースラインとして用いて第1測定用接触子5に電流を流し、配線27をセンスラインとして用いて第2測定用接触子7には電流を流さないようにして電圧のみを測定することで、電流による電圧降下の影響を除くことができ、高精度な測定が可能になる。なお、配線25をセンスラインとして用い、配線27をフォースラインとして用いてもよい。
【0026】
ケルビンコンタクトによる測定の際、第1測定用接触子5をリード端子3の下面に接触させ、第2測定用接触子7をリード端子3の垂直部の外側側面に接触させるようにしたので、リード端子3の寸法バラツキに影響されることなく、第1測定用接触子5と第2測定用接触子7をそれぞれリード端子3に接触することができ、第1測定用接触子5と第2測定用接触子7が直接接触されることによる測定精度の低下を防止することができる。
【0027】
例えば図2に示すように、先端部の水平部分が非常の短いリード端子3aであっても、第1測定用接触子5と第2測定用接触子7が直接接触されることなく、第1測定用接触子5と第2測定用接触子7をそれぞれリード端子3に接触することができる。
【0028】
さらに、図3に示すように、例えばDIPタイプのように先端部に水平部分がないリード端子3bであっても、第1測定用接触子5と第2測定用接触子7が直接接触されることなく、第1測定用接触子5と第2測定用接触子7をそれぞれリード端子3に接触することができる。
【0029】
上記の実施例では、第1測定用接触子5の一部分が半導体装置1の外周側面に対応する位置からリード端子3の先端位置に対応する位置にわたって配置されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、測定時に第1測定用接触子がリード端子の下面と接触できる位置に配置されていればよい。
【0030】
また、第1測定用接触子5及び第2測定用接触子7をリード端子3に接触させるための機構はシリンダ機構13,19などを用いた上記の実施例に限定されるものではなく、測定時に第1測定用接触子をリード端子の下面に接触させ、第2測定用接触子をリード端子の垂直部の外側側面に接触させることができる機構であればどのようなものであってもよい。
【0031】
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。
【0032】
【発明の効果】
請求項1に記載された半導体装置の電気的特性測定装置では、1つのリード端子に対して、リード端子の下面に接触される第1測定用接触子と、リード端子の垂直部の外側側面に接触される第2測定用接触子を備えているようにしたので、リード端子の寸法バラツキに影響されることなく、2つの測定用接触子をリード端子に確実に接触させることができ、信頼性の高い接触が可能になる。
【0033】
請求項2に記載された半導体装置の電気的特性測定装置では、第1測定用接触子は、測定時に少なくとも測定位置に配置された半導体装置の外周側面に対応する位置からリード端子の先端に対応する位置にわたって配置されるようにしたので、パッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられ、先端部が水平方向に折り曲げられたリード端子であって先端部の水平部分が非常に短いものや、先端部に水平部分がないリード端子にも、確実な接触を行なうことができる。
【0034】
請求項3に記載された半導体装置の電気的特性測定装置では、第1測定用接触子及び第2測定用接触子は、一方はケルビンコンタクトのセンスラインに接続され、他方はフォースラインに接続されるようにしたので、ケルビンコンタクトにより、測定電流の影響を受けない高精度の測定を行なうことができる。
【0035】
請求項4に記載された半導体装置の電気的特性測定方法では、1つのリード端子に対して、第1測定用接触子をリード端子の下面に接触させ、第2測定用接触子をリード端子の垂直部の外側側面に接触させて半導体装置の電気的特性を測定するようにしたので、リード端子の寸法バラツキに影響されることなく、2つの測定用接触子をリード端子に確実に接触させることができ、信頼性の高い接触が可能になる。
【0036】
請求項5に記載された半導体装置の電気的特性測定方法では、測定時に、第1測定用接触子を少なくとも測定位置に配置された半導体装置の外周側面に対応する位置からリード端子の先端に対応する位置にわたって配置するようにしたので、パッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられ、先端部が水平方向に折り曲げられたリード端子であって先端部の水平部分が非常に短いものや、先端部に水平部分がないリード端子にも、確実な接触を行なうことができる。
【0037】
請求項6に記載された半導体装置の電気的特性測定方法では、第1測定用接触子及び第2測定用接触子をケルビンコンタクトとして用いて半導体装置の電気的特性を測定するようにしたので、測定電流の影響を受けない高精度の測定を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】電気的特性測定装置の一実施例を示す概略構成図であり、(A)は全体を示し、(B)は(A)の円で囲まれた部分を拡大して示す。
【図2】同実施例における、先端部の水平部分が短いリード端子に対する測定用接触子の接触状態を示す概略構成図である。
【図3】同実施例における、先端部の水平部分がないリード端子に対する測定用接触子の接触状態を示す概略構成図である。
【図4】従来の電気的特性測定装置における測定用接触子とリード端子の接触状態を示す概略構成図である。
【図5】従来の電気的特性測定装置における測定用接触子とリード端子の接触状態の不具合を示す概略構成図である。
【符号の説明】
1 半導体装置
3,3a,3b リード端子
5 第1測定用接触子
7 第2測定用接触子
9 半導体測定台
11 押さえピン
13,19 シリンダ機構
15,21 回転軸
17,23 接触子受け台
25,27 配線
29 測定部
Claims (6)
- 半導体装置のパッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられたリード端子を備えた半導体装置の電気的特性を測定するための半導体装置の電気的特性測定装置において、
1つのリード端子に対して、リード端子の下面に接触される第1測定用接触子と、リード端子の垂直部の外側側面に接触される第2測定用接触子を備えていることを特徴とする半導体装置の電気的特性測定装置。 - 前記第1測定用接触子は、測定時に少なくとも測定位置に配置された半導体装置の外周側面に対応する位置からリード端子の先端に対応する位置にわたって配置される請求項1に記載の半導体装置の電気的特性測定装置。
- 前記第1測定用接触子及び前記第2測定用接触子は、一方はケルビンコンタクトのセンスラインに接続され、他方はフォースラインに接続される請求項1又は2に記載の半導体装置の電気的特性測定装置。
- パッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられたリード端子を備えた半導体装置の電気的特性を測定する半導体装置の電気的特性測定方法において、
1つのリード端子に対して、第1測定用接触子をリード端子の下面に接触させ、第2測定用接触子をリード端子の垂直部の外側側面に接触させて半導体装置の電気的特性を測定することを特徴とする半導体装置の電気的特性測定方法。 - 測定時に、前記第1測定用接触子を少なくとも測定位置に配置された半導体装置の外周側面に対応する位置からリード端子の先端に対応する位置にわたって配置する請求項4に記載の半導体装置の電気的特性測定方法。
- 前記第1測定用接触子及び前記第2測定用接触子をケルビンコンタクトとして用いて半導体装置の電気的特性を測定する請求項4又は5に記載の半導体装置の電気的特性測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002317409A JP2004150981A (ja) | 2002-10-31 | 2002-10-31 | 半導体装置の電気的特性測定装置及び電気的特性測定方法 |
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
JP2009250788A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-29 | Nec Electronics Corp | 電子部品測定装置の測子の接触機構及びそれを用いた電子部品測定装置 |
JP2010019855A (ja) * | 2004-06-16 | 2010-01-28 | Ueno Seiki Kk | 電子部品測定装置及び電子部品測定方法 |
JP2012173003A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | Ueno Seiki Kk | 電子部品測定装置 |
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2002
- 2002-10-31 JP JP2002317409A patent/JP2004150981A/ja active Pending
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