JP3376349B2 - フッ素含有置換体を有するトリアリ−ルホスフィンオキサイド誘導体 - Google Patents

フッ素含有置換体を有するトリアリ−ルホスフィンオキサイド誘導体

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はトリアリールホスフ
ィンオキサイド誘導体に関するものであって、より詳し
くは接着性、難燃性のみならず、耐薬品性および電気絶
縁性が優れた重合体の製造に単量体として有用に用いら
れるフッ素含有置換体が導入されたトリアリールホスフ
ィンオキサイド誘導体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】接着性、難燃性などの物性が優れた重合
体、例えば、ポリイミド樹脂の製造のために単量体とし
てジ(3―アミノフェニル)フェニルホスフィンオキサイ
ド(DAPPO)またはジアミノジフェニルスルホン(DDS)を用
いる方法が知られている。(例えば、文献M.F.Martinez
−Nuez et al., Polymer Prepint,35,p.709(1994)参
照).しかし、DDSの場合はホスフィンオキサイドが含有
されていないので接着力が低く、遺伝常数と複屈折率が
高いポリイミドが生成され、DAPPOを用いた場合は接着
力は良好であるが依然として遺伝常数と 複屈折率が高
いという短所がある。
【0003】一方、フッ素は最も高い電気陰性度、水素
に近いファンデルワールス(Van derwaals)半径、および
他の元素との高い結合エネルギー等の性質のために分子
間力を低下させ表面張力が低く揮発性が高いし、摩擦係
数が小さいという特異性が発現される。特にフッ素含有
化合物は分子の外側がフッ素原子により覆われた形態に
なり化学的反応性の低下により化合物の耐薬品性、不燃
性、耐熱性、電気絶縁性、耐候性などを向上させるた
め、原子力や太陽電池などのエネルギー関連分野、光通
信、光学材料に対する応用、さらには、だんだん高密度
化されて行く次世代半導体の製造のための材料などとし
て産業上重要な位置を占めている。しかしながら、フッ
素化合物はこのような優れた特性にも拘わらず、相対的
に他の物質との接着力が劣るという短所のためその使用
に難しさを伴う。
【0004】したがって、本発明では、接着力および難
燃性の向上に卓越な効果があるものと知られているホス
フィンオキサイド系化合物にフッ素置換体を導入させる
ことにより均衡された優れた物性を付与できる新たな物
質を提供しようとするものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は耐薬品性および電気絶縁性ばかりでなく接着性および
難燃性がすべて優れた重合体の製造に用いられるフッ素
とリンを同時に含有する新規のトリアリールホスフィン
オキサイド誘導体を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明の目的を達成するために、本発明では下記式1で表
されるフッ素置換体を有するトリアリールホスフィンオ
キサイド誘導体を提供する。
【0007】
【化8】 但し、上記式において、RおよびRは、それぞれ独立
的にフッ素置換されたアルキル基であり、Xは、水素、
ニトロまたはアミン基である。
【0008】本発明では、また、本発明による上記フッ
素置換体含有トリアリールホスフィンオキサイド誘導体
の製造方法及び同誘導体を利用してポリイミドを製造す
る方法を提供する。
【0009】以下、本発明をより詳しく説明する。
【0010】本発明の化合物は、例えば、下記反応式1
により製造することができる。
【0011】反応式1
【化9】 但し、上記反応式1において、RおよびRは、上記定
義したとおりである。
【0012】具体的に、テトラヒドロフランのような有
機溶媒およびマグネシウムのうちでフルオロアルキル基
で二置換されたブロモベンゼン(式2の化合物)を反応さ
せ化学式3の化合物を得た後、これをジフェニルホスフ
ィニッククロライド(式4の化合物)と反応させることに
よりグリニャ−ル(Grignard)反応により本発明による
(式1aで表される化合物(X=H)を得ることができる。こ
の時、反応物のモル比は1:1ないし1:1.2範囲であり、
各反応は0ないし5℃の温度で3時間、室温で約24時間の
あいだ行うことができる。
【0013】次いで、上記式(1a)の化合物を塩化ナ
トリウムのような塩の存在下に硝酸化することにより本
発明による化学式(1b)の化合物(X=NO2 )を得ること
ができるし、この時の反応条件は、―10ないし−5℃の
温度で約3時間、室温で8時間であり、得られた式(1
b)で表される化合物をパラジウム触媒の存在下にアル
コールのような有機溶媒の中で水素化することにより本
発明による式(1c)の化合物(X=NH2)を得ることができ
る。
【0014】本発明の式(1)で表される化合物は通常
の方法によりジアンハイドライド(dianhydride)化合物
と縮重合してポリアミク酸を得た後、これを溶液―イミ
ド化することにより接着性、難燃性、耐薬品性および電
気絶縁性のすべてが均衡的に優れたポリイミド重合体を
製造することができる。
【0015】ポリイミド製造時に使用されるジアンハイ
ドライド化合物としてはピロメリテイックアンハイドラ
イド (PMDA),3,4,3’,4’-ベンゾフェノンテトラカルボ
キシリックジアンハイドライド (BTDA),4,,4’(ヘキ
サフルオロプロピリデン)ジフタリックアンハイドライ
ド (6FDA),4,,4’-(オキシジフタリックジアンハイド
ライド(ODPA)など当分野に公知されたすべての化合物な
どを挙げることができるし、式(1)の化合物とジアン
ハイドライド化合物との縮重合反応はN-メチルピロリド
ン(NMP)、N,N-ジメチルアセトアミド(DMAc)などのよう
な有機溶媒の中で行われることができるし、この時、分
子量調節のためフタル酸などのような一作用性化合物を
使用することもできる。 また、上記縮重合反応によって形成されたポリアミック
酸の溶液―イミド化に使用できる溶媒の例としては、NM
P、o-ジクロロベンゼン(DCB),トルエンおよびこれらの
混合物などを挙げることができるし、NMPとDCBの混合物
が好ましく使用され得る。 本発明の上記化学式1のトリアリールホスフィンオキサ
イド誘導体から得られる重合体としては、上記ポリイミ
ド以外にも、ポリアミド、そしてこれらの共重合体など
があり、これらも当分野に公知された通常の方法で得る
ことができる。
【0016】以下、実施例として本発明をより詳しく説
明するが、本発明がこれに局限されるものではない。
【0017】実施例1 3’、5’―ビス(トリフルオロメチル)フェニルジフ
ェニルホスフィンオキサイド(化学式1aの化合物;6FP
PO)の製造 磁石棒、添加用漏斗、凝縮器および窒素注入口のある25
0ml 3口丸底 (round bottom)フラスコにマグネシウムタ
ンニン(アルドリッチ (Aldrich) 社製品)4.5gと蒸留精
製されたテトラヒドロフラン(フィッシヤー(Fisher)社
製品)100mlを加えた。反応混合物の温度を氷水により
5℃以下に下げた後、3、5―ビス(トリフルオロメチル)
ブロモベンゼン(アルドリッチ社製品)23.5mlを漏斗を利
用して3時間に亙って添加した後、溶液を徐々に常温に到
達するようにした。反応物を常温で16時間のあいださら
に反応させて3、5-ビス(トリフルオロメチル)フェニ
ルマグネシウムブロマイドを濃い褐色の液体として得
た。
【0018】この反応生成物をさらに氷水により5℃以
下に冷却した後、ここにジフェニルホスピニッククロラ
イド(アルドリッチ社製品)を添加用漏斗を介して3時間
に亙って加えた後、反応物の温度が常温になるように放
置した。反応生成物は常温で24時間のあいだ追加して反
応させ黒色に近い褐色溶液を得た。 この反応生成物に10%の硫酸水溶液10mlを添加した後、
水1lに洗浄し、さらに重炭酸ナトリウム(NaHCO3 )に
中和させた後、クロロホルムおよび水を利用して抽出し
た。 抽出液を減圧蒸留して得た固相残査を沸騰ヘキサン
1lに溶かし再結晶して精製することにより目的化合物
45g(収率90%)を得た。
【0019】得られた化合物を60℃真空オーブンで6時
間のあいだ乾燥した後、その融点を測定し、FT-IR,1H-NM
R,31P-NMRおよび19F-NMRで分析した。融点は94.2ないし9
5.1℃範囲を示し、図1に示したようにFT-IR分析では136
3-1500cm-1において C-F結合ピークを示し、1186cm-1
においてP=Oのストレッチングピークを示した。また、
図2に示したように1H-NMR(溶媒:DMSO-d6)分析によれ
ば8.46, 8.23、8.20ppmにおいてピークが表れ、7.55-7.7
7ppmにおいてジフェニルの1Hピークが表れていることか
ら見て表題化合物が生成されていることを確かめること
ができた。また、図3および図4にそれぞれ示したよう
な、31P-NMR および 19F-NMR(溶媒:CDCl3)分析におい
ても27.282ppmおよび −39.663ppmにおいてそれぞれ単
一ピークを示し、目的とする表題化合物の生成を確かめ
た。 実施例2 ジ(3―ニトロフェニル) 3’、5’- ビス(トリフルオ
ロメチル)フェニルホスフィンオキサイド(化学式1bの
化合物;DN6FPPO)の製造 上記実施例1におけるように合成された6FPPOを硝酸およ
び硫酸によって硝酸化させることにより目的化合物を得
た。 具体的に、上記6FPPO 50gと硫酸 500mlを、磁石
棒、添加用漏斗および窒素注入口がある1L3口丸底フラ
スコに投入した後常温で溶かした。NaClと氷を利用して
反応物が-10ないし-5℃範囲の温度になるようにした後
硝酸25mlと硫酸75mlの混合溶液を添加用漏斗を介して3
時間に亙って添加した。 反応物を常温に放置して常温に
いたれば、8時間のあいだ追加して反応させた。反応が終
結された後、反応生成物を氷1Kgと混合した後、混合物が
常温にいたれば、クロロホルムおよび水を利用して抽出
した。 抽出物を沸騰エタノール1Lに溶かした後、再結晶して
精製することにより目的化合物55g(収率92%)を得た。
【0020】得られた化合物を100℃真空オーブンで6
時間のあいだ、乾燥した後その融点を測定し、FT−IR, 1
H−NMR, 31P-NMRおよび19F-NMRで分析することにより表
題化合物の生成を確かめた。融点は174.5ないし175.0℃
範囲を表わし、図1に示したように、FT-IR分析では実施
例1で合成された6FPPOでは表われなかった芳香族ニトロ
化合物の特性である非対称ストレッチングピーク(1534c
m-1)と対称ストレッチングピーク(1350cm-1)が表われ
た。また、図2に示したように、1H−NMR(溶媒:DMSO-d6 )
分析によれば7.89−8.57ppmにおいて大きく四つのピー
クが表われNO2が生成されたことを知ることができる
し、図3に示したように31P-NMR 分析(溶媒:CDCl3)で
はN02 の形成によりピークが27.282ppmから23.432ppmに
移動したことを知ることができるし、単一ピークを示す
ことにより純度が高いことを知ることができる。しかし
ながら、図4に示したように,19F-NMR(溶媒:CDCl3)分析
でフッ素ピークは硝酸化反応の影響が殆どないため6FPP
Oと大方似た39.715ppmにおいて単一ピークを示した。 実施例3 ジ(3―アミノフェニル) 3’、5’- ビス(トリフルオ
ロメチル)フェニルホスフェンオキサイド(化学式1cの
化合物;DN6FPPO)の製造 上記実施例2におけるように合成されたDN6FPPOを活性炭
上のパラジウム触媒の存在下にアルコールの中で水素と
反応させることにより目的化合物を得た。具体的に、上
記DN6FPPO5g,無水エタノール250mlおよび10重量%Pd/C
2スプン(10-15mg)を高圧反応器にいれた後、230rpm,100
psiの水素圧および50℃の温度条件下で24時間のあいだ
反応させた。反応生成物をセライト(cellite)を利用し
て活性炭を濾過した後,溶媒を蒸発させてからさらにエ
チルアセテートに溶かしてシリカが充填されたカラムに
通過させ精製した後,溶媒を蒸発させて白色の目的化合
物4.5g(収率90%)を得た。 得られた化合物を昇華法により精製した後,その融点を
測定し、FT-IR,1H−NMR,31P-NMR, 31P-NMR, 19F−NMR
および元素分析器で分析した。融点は225.5ないし22
6.5℃範囲を示し、図1に示したようにFT-IR分析では、
一次アミンストレッチングピークが3421cm-1と3349cm-1
で表われ、一次アミンのベンディングピーク(bending p
eak)は、1640-1560cm-1 で広く表われた。また、図2に示
したように、1H−NMR(溶媒:DMSO-d6)分析によれば、
8.44,8.14および8.10ppmにおいてピークが表われ、7.12
-7.28ppm、6.86-6.92ppm、6.34-6.81ppmおよび6.60-6.7
4ppmにおいて大きく4群のピークが表われ、また、5.50pp
mではアミン養成子ピークが単一ピークとして表われ
た。
【0021】また、図3に示した31P-NMR分析(溶媒:CDC
l3)ではPのピークが 23.432ppmにおいて再び 28.234ppm
に移動したことからみて、アミンが形成されたことを知
ることができるし、アミンの形成はFには影響が殆どない
ため図4に示した19F−NMR(溶媒: CDCl3 )分析ではフッ
素ピークが-39.594ppmにおいて単一ピークを示した。 一方、元素分析では、各元素の理論値と測定値が殆ど同
じことから見て、目的とする DN6FPPOが得られたものと
判断される。 理論値:C=54.06,N=6.30,H=3.40,測定値:
C=54.02, N=6.30, H=3.38. 実施例4 ポリイミドの製造 実施例3から得た DN6FPPOから次のような方法でポリイ
ミドを製造した。 先ず、逆デインースタークトラップ(reverse Dean-Star
k trap),乾燥用管、窒素注入口および温度計が装着され
た3口丸底フラスコ(水分を十分に除去するために反応
前に炎で加熱される)に窒素を注入しながら DN6FPPO 5g
とフタル酸0.008gをP205を利用して乾燥した後、蒸留し
た無水N-メチルピロリドン(NMP)に溶かした後、ジアン
ハイドライド化合物(ピロメリチックアンハイドライド
(PMDA)の場合2.4153g,3,4,3’,4’-ベンゾフェノンテト
ラカルボキシリックジアンハイドライド (BTDA)の場
合、3.5743g, 4,,4’-(ヘキサフルオロプロピリデン)ジ
フタリックアンハイドライド (6FDA)の場合、4.9g, 4,,
4’-オキシジフタリックジアンハイドライド (ODPA)の
場合、3.4593g)を徐々に添加した。最終的に15w%/v溶液
になるようにNMPを添加した。生成された溶液を24時間常
温で反応させることによりポリアミック酸を得た。 次いで、得られたポリアミック酸7.5gを8:2容積比のNMP
とo-ジクロロベンゼン(DCB)の混合物の中で窒素雰囲気
において180-190℃で24時間溶液-イミド化させた。反応
生成物を常温に至るようにした後、メタノールで沈殿さ
せることにより、粉末形態のポリイミド(数平均分子量
約20,000)を得た。 また、比較のために、実施例3から得た本発明によるDA6F
PPOの代わりに、従来のジ(3-アミノフェニル)フェニル
ホスフィンオキサイド(DAPPO)は文献M.F.Martinez-Nu
ez et al., Polymer Prepint, 35, p.709(1994)に発
表された方法で合成して使用し、ジアミノジフェニルス
ルホンDDS)はアルドリチ(Aldrich)社の製品を購入し
て使用し、上記と類似な方法でポリイミドを合成した。 実施例5 ポリイミドの物性測定 実施例4におけるように得られたポリイミド樹脂などを
常温で5時間、100℃で5時間、150℃で5時間、そして200
℃の真空オーブンで12時間乾燥させた後、次のような化
学的、熱的、および光学的特性を分析した。 (1)FT-IR 分析 FT-IR 分析機器(Perkin-Elmer, IR-2000)を利用して
分析し、得られた FT-IRスペクトルを図5に示した。 図5から、本發明により合成されたDA6FPPO-系 ポリイ
ミドは、イミドの特性ピ-クであるポリイミドの C=O は
1782、1726および715cm-1において、C-Nは、13
65cm-1、そしてP=O は1188cm-1において吸収ピークを見
せることによりイミド化が100%進行されたことを確かめ
ることができた。
【0022】(2)固有粘度 25℃で NMP溶媒を利用して 固有粘度測定器(Canon Ubb
elohde viscometer)を使用して行い、その結果を表1
に示した。表1に示された結果から本發明によるポリイ
ミドと比較用ポリイミドなどは類似な分子量を有するこ
とを知ることができる。
【0023】(3)示差走査熱分析(differential scanni
ng calorimetry(DSC)) 示差走査熱分析機器(TA-2910)を使用して(窒素の
うちで10℃/分)、遊離、転移温度(Tg)値を測定
し、その結果を表1に示す。
【0024】表1で分かるように、本発明により製造さ
れたDA6FPPO-系 ポリイミドの場合、Tgは 228-281
℃で示しており、ジアンハイドライドの鎖硬質度( chain
rigidity)がODPA, BTDA, 6FDA, そして、 PMDAに増加
するに従ってTg が増加するのを知ることができる。 本
発明による DA6FPPO-系 ポリイミドとの比較のための合
成した比較例 BTDA-DDSは、266℃, BTDA-DAPPOは273℃の
Tgをそれぞれ見せた。従来の BTDA-DAPPO や、BTDA-DDS
より本発明によるBTDA-DA6FPPOが低いTg を見せる理由
は、DA6FPPOのフッ素によりその自由容積(free volume)
が増加するからであると思われる。
【0025】(4)熱重量分析(thermogravimetric anal
ysis(TGA) Tg+50℃の温度で乾燥されたポリイミドをホットプレス
で5分間接着させた後、10分間300psi圧力を加えて厚さ
が0.1mmの柔軟性ポリイミドフィルムを得て(得られ
たポリイミドフィルムはフッ素含量が増加するほど透明
であったし、薄い褐色を呈していた)。これに対し熱重
量分析(空気中で10℃/分)を行った。熱重量分析の結
果は図6および図7と表 1(5重量%損失時の温度(Tg)
として)に示した。 図6および7と 表1 に 示した 熱重量分析の結果から分
かるように、本発明による DA6FPPO-系ポリイミドは400
℃まで重量損失がなかったし、熱的安定性はジアンハイ
ドライド化合物によって 6FDA, BTDA,PMDA,そして、OD
PA順に増加した。特に6FDA-DA6FPPOが他のDA6FPPO系ポ
リイミドに比べて低い熱的安定性を見せる理由は6FDAの
分子量が他のジアンハイドライドに比べて大きいため熱
的安定性が優れたものと知られているホスフィンオキサ
イドが相対的に少量含有されるからであると判断され
る。また、800℃においても本発明による DA6FPPO-系ポ
リイミドは重量が約5-15重量%残っているのを知ること
ができる。また、本発明によるDA6FPPO-系ポリイミドは
比較のために合成された従来のBTDA-DAPPOやBTDA-DDSに
比べて熱的安定性が優れていることを分かる。
【0026】
【表1】 (5)溶媒に対する溶解度測定 溶解度試験は、上記熱重量分析におけるように製作され
たポリイミドフィルム0.2gを10mlの有機溶媒に入れた
後、室温で24時間のあいだ観察することにより行われ、
使用した有機溶媒による試験結果を表2に示した。
【表2】 表 2から、本発明によるDA6FPPO-系ポリイミドはNMP,D
MAc(ジメチルアセトアミド), TCE(トリクロロエタン)、
クロロホルム(CHCl3 )に溶解され、THF(テトラヒドロフ
ラン)やトルエン(toluene)に全部または部分的に溶解さ
れた。特に6FDA−DA6FPPOの場合はアセトン(acetone)に
溶解されるのを確かめた。これに反し、比較用のDAPPO-
系ポリイミドはNMPとDMAcでは溶解されたがTCEやクロロ
ホルムでは全部または部分的に溶解され、DDS−系ポリ
イミドの場合はただNMPとDMAcにのみ溶解され、それ以
外のすべての溶媒では溶解されなかった。
【0027】本発明によるポリイミドのこのような優れ
た溶解性は、現在代表的なポリイミドであるKaptonR(PM
DA−ODA(オキシジアニリン)系)がいかなる有機溶媒にも
溶けないため加工性が非常に良くないという事実を鑑み
る時、大変大きいな長所であるといえる。
【0028】(6)光学的特性 Si ウエハー(wafer)にポリイミド溶液(TCE中の14重量
%)をスピンコーテイングして作った薄膜に対して屈折
指数(refractive index)(Metricon Model 2010 Prism C
ouplerを利用)を測定することにより行われ、その結果
を表3に示した。
【0029】
【表3】 上記表3から、本発明によりフッ素をたくさん含有して
いる6FDA-DA6FPPOの遺伝常数(ε)は2.355に、PMDA-OD
A(2.756)に比べて低い値を見せているが、ホスフィンオ
キサイドによっては遺伝常数が大きく影響を受けていな
いものと判断される。 光素子物質としてポリイミドを使用するために最も重要
視される物性中の一つである、複屈折率(birefringenc
e)は、フッ素とホスフィンオキサイドを同時に含有す
る本発明による6FDA-DA6FPPOが0.0011にPMDA−ODA(0.1
2)に比べて約100倍程度低い値を示しているのを知るこ
とができる。複屈折率はフッ素やホスフィンオキサイド
の量が多くなるほど低くなるのを知ることができるがホ
スフィンオキサイドがフッ素より大きい効果を見せてい
るのを知ることができる。これはトリフェニルホスフィ
ンオキサイドが同じ平面にないからであると判断され
る。 本発明によりフッ素とホスフィンオキサイドを同時に含
有したDA6FPPO-系ポリイミドは低い遺伝常数と非常に低
い複屈折率を見せることにより半導体パッケージングや
光素子の物質として大変有用に使用することができる。 (7)接着性 一進銅ホイル(株)(Iljin copper foil co.)で提供
した、厚さ0.035mmのCuホイルおよびCr/シランコーテ
イングされたCuホイル(UCF ICF−STD.IY)を利用し
てT-剥離試験をASTM D1876に基づいて実施し、その結
果は表4に示した。接着条件は、接着温度はポリイミド
のTg+50℃にし、圧力1000psi、時間30分、接着剤コーテ
イング厚さ0.02±0.002mmにした。
【表4】 表4から、CrとシランがコーテイングされたCuホイルの
場合、最も多くのホスフィンオキサイドを含有したBTDA
-DAPPOが108.45g/mm に、ホスフィンオキサイドを含有
していないBTDA-DDS(73g/mm)より約35g/mmさらに高い
接着力を示した。フッ素を含有したポリマーはフッ素の
影響で非常に低い接着力を見せるものに知られている
が、ホスフィンオキサイドとフッ素を同時に含有した本
発明によるBTDA-DA6FPPOの接着力は93.31g/mmでBTDA-DD
Sよりは20g/mmも高い接着力を見せた。 また、 コーテイングされていないCuホイルの場合におい
てもホスフィンオキサイドを含有するBTDA-DAPPO(51.3g
/mm)がBTDA-DDS(34.56g/mm)より高い接着力を示し、ホス
フィンオキサイドを含有するポリイミドが高い接着力を
示すのを確認し、甚だしくは、フッ素を含有したポリイ
ミドにホスフィンオキサイドを含有させることにより、
高い接着力を示すことを確認した。
【0030】
【発明の効果】本発明によるフッ素含有置換体を有する
トリアリールホスフィンオキサイド誘導体は、接着性、
難燃性のみならず耐薬品性および電気絶縁性が優れた重
合体の製造に有用に利用できるし、得られた重合体は半
導体パッケ−ジング材料、耐火材、光繊維および光学材
料の中間物質、金属の接着剤の中間物質として有用に使
用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1ないし3で合成した化合物のFT-IR分析
スペクトル
【図2】実施例1ないし3で合成した化合物の1H-NMR分析
スペクトル
【図3】実施例1ないし3で合成した化合物の31P-NMR分
析スペクトル
【図4】実施例1ないし3で合成した化合物の19F-NMR 分
析スペクトル
【図5】本発明の化合物から製造されたポリイミドのFT
-IR 分析スペクトル
【図6】本発明の化合物から製造されたポリイミドの熱
重量分析グラフ
【図7】本発明の化合物から製造されたポリイミドと従
来の化合物から製造されたポリイミドに対し比較実験し
た熱重量分析グラフ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クァン・ウン・ジョン 大韓民国、クァンジュ・クァンヨク− シ、ブク−ク、オリョン−ドン、1 ク ァンジュ インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー、ニ ュー・マテリアル・サイエンス・アン ド・エンジニアリング (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C08G 73/00 - 73/26 CAPLUS(STN) REGISTRY(STN)

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記式(1)で表されるフッ素置換され
    たトリアリールホスフィンオキサイド誘導体。 【化1】 但し、上記式(1)中、R1およびR2はそれぞれ独立的
    にフッ素置換されたアルキル基であり、Xは水素基であ
    る。
  2. 【請求項2】 下記式(1)で表されるフッ素置換され
    たトリアリールホスフィンオキサイド誘導体。 【化2】 但し、上記式(1)中、R1およびR2はそれぞれ独立的
    にフッ素置換されたアルキル基であり、Xはニトロ基で
    ある。
  3. 【請求項3】 下記式(1)で表されるフッ素置換され
    たトリアリールホスフィンオキサイド誘導体。 【化3】 但し、上記式(1)中、R1およびR2はそれぞれ独立的
    にフッ素置換されたアルキル基であり、Xはアミン基で
    ある。
  4. 【請求項4】 有機溶媒およびマグネシウムの中でフル
    オロアルキル−二置換されたブロモベンゼンとジフェニ
    ルホスフィニッククロライドを1:1ないし1:1.2
    の範囲の反応モル比で反応させることを含む下記式(1
    a)で表される化合物の製造方法。 【化4】 但し、上記式(1a)中、R1およびR2はそれぞれ独立
    的にフッ素置換されたアルキル基である。
  5. 【請求項5】 有機溶媒およびマグネシウムの中でフル
    オロアルキル-二置換されたブロモベンゼンとジフェニ
    ルホスフィニッククロライドを1:1ないし1:1.2
    の範囲の反応モル比で反応させて下記式(1a)で表さ
    れる化合物を得、これを塩の存在下で硝酸化することを
    含む下記式(1b)で表される化合物の製造方法: 【化5】 【化6】 但し、上記式(1b)中、R1およびR2はそれぞれ独立
    的にフッ素置換されたアルキル基である。
  6. 【請求項6】 有機溶媒およびマグネシウムの中でフル
    オロアルキル−二置換されたブロモベンゼンとジフェニ
    ルホスフィニッククロライドを1:1ないし1:1.2
    の範囲の反応モル比で反応させて下記式(1a)で表さ
    れる化合物を得、これを塩の存在下に 硝酸化して下記
    式(1b)で表される化合物を得た後、これをパラジウ
    ム触媒の存在下に有機溶媒の中で水素化することを含
    む、下記式(1c)で表される化合物の製造方法: 【化7】 【化8】 【化9】 但し、R1およびR2はそれぞれ独立的にフッ素置換され
    たアルキル基である。
  7. 【請求項7】 請求項1ないし3のいずれか1項に記載
    の式(1)のフッ素置換されたトリアリールホスフィン
    オキサイド誘導体をジアンハイドライド化合物と反応さ
    せた後溶液−イミド化してポリイミド重合体を製造する
    方法。
  8. 【請求項8】 ジアンハイドライド化合物が3,4,3'4'−
    ベンゾフェノンテトラカルボキシリックジアンハイド
    ライド(BTDA),4,4’−(ヘキサフルオロプロピリデ
    ン)ジフタリックアンハイドライド(6FDA),4,4’オ
    キシジフタリックジアンハイドライド(ODPA)またはこ
    れらの混合物であることを特徴とする請求項7に記載の
    方法。
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