JP3373884B2 - 電解コンデンサ駆動用電解液およびそれを用いた電解コンデンサ - Google Patents
電解コンデンサ駆動用電解液およびそれを用いた電解コンデンサInfo
- Publication number
- JP3373884B2 JP3373884B2 JP08558393A JP8558393A JP3373884B2 JP 3373884 B2 JP3373884 B2 JP 3373884B2 JP 08558393 A JP08558393 A JP 08558393A JP 8558393 A JP8558393 A JP 8558393A JP 3373884 B2 JP3373884 B2 JP 3373884B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- general formula
- carboxylic acid
- tertiary
- electrolytic solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電解コンデンサ駆動用
電解液およびそれを用いた電解コンデンサに関するもの
である。
電解液およびそれを用いた電解コンデンサに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、特に中高圧級の電解液としてはエ
チレングリコール−ほう酸系のものが用いられている
が、この種の電解液はエチレングリコールとほう酸のエ
ステル化により水が生成するため１００゜Ｃ以上では蒸
気圧が高く、また電極であるアルミニウムと反応しやす
く高温での使用に適さなかった。このような欠点を改良
するため溶質として、アゼライン酸、１，６−デカンジ
カルボン酸（特開昭５６−１０８２２９号公報）、側鎖
を有する第２級モノカルボン酸（特公平４−１９６９１
号公報）、５，６−デカンジカルボン酸（特公昭６３−
１５７３８号公報）、第３級モノカルボン酸（特開昭６
１−１１６８１５号公報）、第２級および／または第３
級のカルボキシル基を合計で２個以上有する分子量２６
０以上のポリカルボン酸の塩（特開平１−１０３８２１
号公報）、第３級ジカルボン酸（特開平４−２７３４２
１号公報）等を用いる電解液が知られている。
チレングリコール−ほう酸系のものが用いられている
が、この種の電解液はエチレングリコールとほう酸のエ
ステル化により水が生成するため１００゜Ｃ以上では蒸
気圧が高く、また電極であるアルミニウムと反応しやす
く高温での使用に適さなかった。このような欠点を改良
するため溶質として、アゼライン酸、１，６−デカンジ
カルボン酸（特開昭５６−１０８２２９号公報）、側鎖
を有する第２級モノカルボン酸（特公平４−１９６９１
号公報）、５，６−デカンジカルボン酸（特公昭６３−
１５７３８号公報）、第３級モノカルボン酸（特開昭６
１−１１６８１５号公報）、第２級および／または第３
級のカルボキシル基を合計で２個以上有する分子量２６
０以上のポリカルボン酸の塩（特開平１−１０３８２１
号公報）、第３級ジカルボン酸（特開平４−２７３４２
１号公報）等を用いる電解液が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アゼラ
イン酸や１，６−デカンジカルボン酸等の１級カルボキ
シル基を有するカルボン酸を用いた電解液では、１級カ
ルボン酸が高温でエチレングリコールとエステル化反応
しやすく、高温での比電導度低下が大きい。この欠点を
改良するためエステル化しにくい２級カルボン酸や３級
カルボン酸を用いる試みがなされている。しかしなが
ら、２級カルボン酸では比電導度低下の改善が不十分で
ある。また３級モノカルボン酸を使用した電解液は比電
導度低下は十分な改善がなされるものの化成性が悪く、
エージングに長時間を要する欠点や、アルミ酸化皮膜が
破損した際の修復性が悪いため、コンデンサの信頼性を
落とす欠点がある。この欠点は、特に高圧級コンデンサ
用に火花電圧が４００Ｖ以上を得ようとして、分子量の
大きな酸を使用した電解液で顕著である。さらに３級ジ
カルボン酸では、比電導度の高い低分子量のもので火花
電圧が低くなる欠点があり、比電導度と火花電圧のとも
に高い電解液を得ることが困難である。また、単一のカ
ルボン酸を使用して高火花電圧を得るための方法（分子
量の大きなカルボン酸の使用、カルボン酸濃度の希薄
化、高粘度溶媒（グリセリン等）の使用等では、火花電
圧と相反して比電導度が低くなるため、比電導度と火花
電圧をともに高めることができない。
イン酸や１，６−デカンジカルボン酸等の１級カルボキ
シル基を有するカルボン酸を用いた電解液では、１級カ
ルボン酸が高温でエチレングリコールとエステル化反応
しやすく、高温での比電導度低下が大きい。この欠点を
改良するためエステル化しにくい２級カルボン酸や３級
カルボン酸を用いる試みがなされている。しかしなが
ら、２級カルボン酸では比電導度低下の改善が不十分で
ある。また３級モノカルボン酸を使用した電解液は比電
導度低下は十分な改善がなされるものの化成性が悪く、
エージングに長時間を要する欠点や、アルミ酸化皮膜が
破損した際の修復性が悪いため、コンデンサの信頼性を
落とす欠点がある。この欠点は、特に高圧級コンデンサ
用に火花電圧が４００Ｖ以上を得ようとして、分子量の
大きな酸を使用した電解液で顕著である。さらに３級ジ
カルボン酸では、比電導度の高い低分子量のもので火花
電圧が低くなる欠点があり、比電導度と火花電圧のとも
に高い電解液を得ることが困難である。また、単一のカ
ルボン酸を使用して高火花電圧を得るための方法（分子
量の大きなカルボン酸の使用、カルボン酸濃度の希薄
化、高粘度溶媒（グリセリン等）の使用等では、火花電
圧と相反して比電導度が低くなるため、比電導度と火花
電圧をともに高めることができない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため、高温での比電導度低下が小さく、かつ
化成性も良好な電解液を得るため鋭意検討した結果、３
級カルボン酸と２級カルボン酸を一定範囲の混合比で混
合した電解液が化成性に優れ、かつ比電導度低下も小さ
いこと、および比電導度と火花電圧がともに高いことを
見いだして本発明に到達した。すなわち本発明は、エチ
レングリコールを含む溶媒に、３級カルボキシル基を有
するカルボン酸（Ａ）および／またはその塩と、２級カ
ルボキシル基を有するカルボン酸（Ｂ）および／または
その塩とを溶解させたことを特徴とする電解コンデンサ
駆動用電解液およびそれを用いた電解コンデンサであ
る。
を解決するため、高温での比電導度低下が小さく、かつ
化成性も良好な電解液を得るため鋭意検討した結果、３
級カルボン酸と２級カルボン酸を一定範囲の混合比で混
合した電解液が化成性に優れ、かつ比電導度低下も小さ
いこと、および比電導度と火花電圧がともに高いことを
見いだして本発明に到達した。すなわち本発明は、エチ
レングリコールを含む溶媒に、３級カルボキシル基を有
するカルボン酸（Ａ）および／またはその塩と、２級カ
ルボキシル基を有するカルボン酸（Ｂ）および／または
その塩とを溶解させたことを特徴とする電解コンデンサ
駆動用電解液およびそれを用いた電解コンデンサであ
る。
【０００５】
【作用】本発明の電解液はエチレングリコールを含む溶
媒に、３級カルボキシル基を有するカルボン酸（Ａ）と
２級カルボキシル基を有するカルボン酸（Ｂ）の２種類
を溶解させたことを特徴とする。カルボン酸（Ａ）はエ
チレングリコールとのエステル化が非常に起こりにく
く、電解液の高温での比電導度の低下を小さく保つ機能
を持つ。しかしカルボン酸（Ａ）のみでは、化成性が非
常に悪くなる。また、カルボン酸（Ｂ）は化成性が良
く、かつ良好な化成性を維持させる機能を持つが、高温
放置時にエステル化する傾向があるため、高温での比電
導度低下が不十分である。この様な、機能の異なる２種
類のカルボン酸を混合して用いることにより、比電導度
低下が小さく、化成性も良好で、かつ化成性の良好さの
持続する電解液を得ることができる。
媒に、３級カルボキシル基を有するカルボン酸（Ａ）と
２級カルボキシル基を有するカルボン酸（Ｂ）の２種類
を溶解させたことを特徴とする。カルボン酸（Ａ）はエ
チレングリコールとのエステル化が非常に起こりにく
く、電解液の高温での比電導度の低下を小さく保つ機能
を持つ。しかしカルボン酸（Ａ）のみでは、化成性が非
常に悪くなる。また、カルボン酸（Ｂ）は化成性が良
く、かつ良好な化成性を維持させる機能を持つが、高温
放置時にエステル化する傾向があるため、高温での比電
導度低下が不十分である。この様な、機能の異なる２種
類のカルボン酸を混合して用いることにより、比電導度
低下が小さく、化成性も良好で、かつ化成性の良好さの
持続する電解液を得ることができる。
【０００６】また、カルボン酸（Ａ）とカルボン酸
（Ｂ）を一定範囲の混合比、すなわち３級カルボキシル
基のモル濃度と２級カルボキシル基のモル濃度の比が
（９０：１０）〜（４０：６０）の範囲で混合して用い
ることで、比電導度と火花電圧がともに高い電解液を得
られる。これにより、高温での比電導度低下が小さく、
エージング時間が短縮され、アルミ酸化皮膜破損時の修
復性も良くなり、比電導度、火花電圧ともに高いため、
本発明の電解液を用いた電解コンデンサは、従来のもの
と比較して高温長寿命かつ信頼性の高いものとなる。
（Ｂ）を一定範囲の混合比、すなわち３級カルボキシル
基のモル濃度と２級カルボキシル基のモル濃度の比が
（９０：１０）〜（４０：６０）の範囲で混合して用い
ることで、比電導度と火花電圧がともに高い電解液を得
られる。これにより、高温での比電導度低下が小さく、
エージング時間が短縮され、アルミ酸化皮膜破損時の修
復性も良くなり、比電導度、火花電圧ともに高いため、
本発明の電解液を用いた電解コンデンサは、従来のもの
と比較して高温長寿命かつ信頼性の高いものとなる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。本
発明において使用するカルボン酸（Ａ）としては３級モ
ノカルボン酸、３級ジカルボン酸、３価以上の３級ポリ
カルボン酸およびそれらの混合物が挙げられる。３級モ
ノカルボン酸としては一般式（１）で表される総炭素数
５〜２０の３級モノカルボン酸が挙げられる。一般式 （式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は直鎖または分枝の炭化水素基
を表し、これらのうちいずれか２つ以上が結合して環状
構造を形成してもよい。）
発明において使用するカルボン酸（Ａ）としては３級モ
ノカルボン酸、３級ジカルボン酸、３価以上の３級ポリ
カルボン酸およびそれらの混合物が挙げられる。３級モ
ノカルボン酸としては一般式（１）で表される総炭素数
５〜２０の３級モノカルボン酸が挙げられる。一般式 （式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は直鎖または分枝の炭化水素基
を表し、これらのうちいずれか２つ以上が結合して環状
構造を形成してもよい。）
【０００８】一般式（１）におけるＲ１、Ｒ２、Ｒ３と
しては、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘ
キシル、オクチル、デシル等のアルキル基、シクロペン
チル、シクロヘキシル等のシクロアルキル基、フェニ
ル、ベンジル等のアリール基等が挙げられる。また、不
飽和結合やヘテロ原子を含む置換基またはＲ１、Ｒ２お
よびＲ３がそれぞれ結合して環状構造を形成しているも
のが挙げられる。
しては、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘ
キシル、オクチル、デシル等のアルキル基、シクロペン
チル、シクロヘキシル等のシクロアルキル基、フェニ
ル、ベンジル等のアリール基等が挙げられる。また、不
飽和結合やヘテロ原子を含む置換基またはＲ１、Ｒ２お
よびＲ３がそれぞれ結合して環状構造を形成しているも
のが挙げられる。
【０００９】一般式（１）で表される３級モノカルボン
酸の具体例としては２，２−ジメチルプロパン酸、２，
２−ジメチルブタン酸、２，２−ジメチルペンタン酸、
２，２−ジメチルヘキサン酸、２，２−ジメチルヘプタ
ン酸、２，２−ジメチルオクタン酸、２，２−ジメチル
ノナン酸、２，２−ジメチルデカン酸、２，２−ジメチ
ルウンデカン酸、２，２−ジメチルドデカン酸、２−メ
チル−２−エチルブタン酸、２−メチル−２−エチルペ
ンタン酸、２−メチル−２−エチルヘキサン酸、２−メ
チル−２−エチルヘプタン酸、２−メチル−２−エチル
オクタン酸、２−メチル−２−エチルノナン酸、２−メ
チル−２−エチルデカン酸、２−メチル−２−エチルウ
ンデカン酸、２−メチル−２−プロピルペンタン酸、２
−メチル−２−プロピルヘキサン酸、２−メチル−２−
プロピルヘプタン酸、２−メチル−２−プロピルオクタ
ン酸、２−メチル−２−プロピルノナン酸、２−メチル
−２−プロピルデカン酸、２，２−ジイソプロピルプロ
パン酸、２−メチル−２−ブチルヘキサン酸、２−メチ
ル−２−ブチルヘプタン酸、２−メチル−２−ブチルオ
クタン酸、２−メチル−２−ブチルノナン酸、２，２−
ジメチルシクロペンチル酢酸、２−メチル−２−エチル
シクロペンチル酢酸、２，２−ジメチルシクロヘキシル
酢酸、２，２，３，３−テトラメチルブタン酸、２，
２，４，４−テトラメチルペンタン酸、１−メチルシク
ロブタンカルボン酸、１−メチルシクロペンタンカルボ
ン酸、１−メチルシクロヘキサンカルボン酸、１−メチ
ルシクロヘプタンカルボン酸、１−メチルシクロオクタ
ンカルボン酸、１−メチルシクロノナンカルボン酸、１
−メチルシクロデカンカルボン酸、１−メチルシクロウ
ンデカンカルボン酸、１−メチルシクロドデカンカルボ
ン酸、１−エチルシクロヘキサンカルボン酸、１−エチ
ルシクロヘプタンカルボン酸、１−エチルシクロオクタ
ンカルボン酸、１−プロピルシクロヘキサンカルボン
酸、１−プロピルシクロヘプタンカルボン酸、１−プロ
ピルシクロオクタンカルボン酸、１−ブチルシクロヘキ
サンカルボン酸、１−ブチルシクロヘプタンカルボン
酸、１−ブチルシクロオクタンカルボン酸、１−ペンチ
ルシクロヘキサンカルボン酸、１−ペンチルシクロヘプ
タンカルボン酸、１−ペンチルシクロオクタンカルボン
酸、１，４−ジメチルシクロヘキサンカルボン酸、１−
ベンジルシクロヘキサンカルボン酸等が挙げられる。こ
れらのうち総炭素数５〜９のものが比電導度が高い点で
好ましい。
酸の具体例としては２，２−ジメチルプロパン酸、２，
２−ジメチルブタン酸、２，２−ジメチルペンタン酸、
２，２−ジメチルヘキサン酸、２，２−ジメチルヘプタ
ン酸、２，２−ジメチルオクタン酸、２，２−ジメチル
ノナン酸、２，２−ジメチルデカン酸、２，２−ジメチ
ルウンデカン酸、２，２−ジメチルドデカン酸、２−メ
チル−２−エチルブタン酸、２−メチル−２−エチルペ
ンタン酸、２−メチル−２−エチルヘキサン酸、２−メ
チル−２−エチルヘプタン酸、２−メチル−２−エチル
オクタン酸、２−メチル−２−エチルノナン酸、２−メ
チル−２−エチルデカン酸、２−メチル−２−エチルウ
ンデカン酸、２−メチル−２−プロピルペンタン酸、２
−メチル−２−プロピルヘキサン酸、２−メチル−２−
プロピルヘプタン酸、２−メチル−２−プロピルオクタ
ン酸、２−メチル−２−プロピルノナン酸、２−メチル
−２−プロピルデカン酸、２，２−ジイソプロピルプロ
パン酸、２−メチル−２−ブチルヘキサン酸、２−メチ
ル−２−ブチルヘプタン酸、２−メチル−２−ブチルオ
クタン酸、２−メチル−２−ブチルノナン酸、２，２−
ジメチルシクロペンチル酢酸、２−メチル−２−エチル
シクロペンチル酢酸、２，２−ジメチルシクロヘキシル
酢酸、２，２，３，３−テトラメチルブタン酸、２，
２，４，４−テトラメチルペンタン酸、１−メチルシク
ロブタンカルボン酸、１−メチルシクロペンタンカルボ
ン酸、１−メチルシクロヘキサンカルボン酸、１−メチ
ルシクロヘプタンカルボン酸、１−メチルシクロオクタ
ンカルボン酸、１−メチルシクロノナンカルボン酸、１
−メチルシクロデカンカルボン酸、１−メチルシクロウ
ンデカンカルボン酸、１−メチルシクロドデカンカルボ
ン酸、１−エチルシクロヘキサンカルボン酸、１−エチ
ルシクロヘプタンカルボン酸、１−エチルシクロオクタ
ンカルボン酸、１−プロピルシクロヘキサンカルボン
酸、１−プロピルシクロヘプタンカルボン酸、１−プロ
ピルシクロオクタンカルボン酸、１−ブチルシクロヘキ
サンカルボン酸、１−ブチルシクロヘプタンカルボン
酸、１−ブチルシクロオクタンカルボン酸、１−ペンチ
ルシクロヘキサンカルボン酸、１−ペンチルシクロヘプ
タンカルボン酸、１−ペンチルシクロオクタンカルボン
酸、１，４−ジメチルシクロヘキサンカルボン酸、１−
ベンジルシクロヘキサンカルボン酸等が挙げられる。こ
れらのうち総炭素数５〜９のものが比電導度が高い点で
好ましい。
【００１０】３級ジカルボン酸としては一般式（２）お
よび一般式（３）で表される総炭素数６〜３０の３級ジ
カルボン酸が挙げられる。一般式 一般式 （両式中Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｘは直鎖または分枝
の炭化水素基を表し、これらのうちいずれか２つ以上が
結合して環状構造を形成してもよい。）
よび一般式（３）で表される総炭素数６〜３０の３級ジ
カルボン酸が挙げられる。一般式 一般式 （両式中Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｘは直鎖または分枝
の炭化水素基を表し、これらのうちいずれか２つ以上が
結合して環状構造を形成してもよい。）
【００１１】一般式（２）および一般式（３）における
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７としては、例えばメチル、エチ
ル、プロピル、ブチル、ヘキシル、オクチル、デシル等
のアルキル基、シクロペンチル、シクロヘキシル等のシ
クロアルキル基、フェニル、ベンジル等のアリール基等
が挙げられる。また、不飽和結合やヘテロ原子を含む置
換基またはＲ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７のいずれか２つ以上
が結合して環状構造を形成しているものが挙げられる。
Ｘとしてはメチレン、エチレン、プロピレン、ブチレ
ン、イソブチレン等のアルキレン基、（置換）シクロヘ
キシレン基、（置換）フェニレン基等が挙げられる。
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７としては、例えばメチル、エチ
ル、プロピル、ブチル、ヘキシル、オクチル、デシル等
のアルキル基、シクロペンチル、シクロヘキシル等のシ
クロアルキル基、フェニル、ベンジル等のアリール基等
が挙げられる。また、不飽和結合やヘテロ原子を含む置
換基またはＲ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７のいずれか２つ以上
が結合して環状構造を形成しているものが挙げられる。
Ｘとしてはメチレン、エチレン、プロピレン、ブチレ
ン、イソブチレン等のアルキレン基、（置換）シクロヘ
キシレン基、（置換）フェニレン基等が挙げられる。
【００１２】一般式（２）および一般式（３）で表され
る３級ジカルボン酸の具体例としては２，２，３，３−
テトラメチルコハク酸、２，２，４，４−テトラメチル
グルタル酸、２，２，５，５−テトラメチルアジピン
酸、２，２，６，６−テトラメチルピメリン酸、２，
２，７，７−テトラメチルスベリン酸、２，２，８，８
−テトラメチルアゼライン酸、２，２，９，９−テトラ
メチルセバシン酸，２，２，３，３−テトラエチルコハ
ク酸、２，２，５，５−テトラエチルアジピン酸、２，
２，９，９−テトラエチルセバシン酸、２，２，５，５
−テトラプロピルアジピン酸、２，２，９，９−テトラ
ブチルセバシン酸、２，２，５−トリメチル−５−エチ
ルアジピン酸、２，２，８−トリエチル−８−ブチルア
ゼライン酸、２，８−ジメチル−２，８−ジエチルアゼ
ライン酸、２−メチル−２−エチル−５−プロピル−５
−ブチルアジピン酸、２，２−テトラメチレン−４，４
−テトラメチレングルタル酸、２，２−テトラメチレン
−５，５−テトラメチレンアジピン酸、２，２−テトラ
メチレン−９，９−テトラメチレンセバシン酸、２，２
−テトラメチレン−４，４−ペンタメチレングルタル
酸、２，２−テトラメチレン−６，６−テトラメチレン
ピメリン酸、２，２−テトラメチレン−７，７−ペンタ
メチレンスベリン酸、２，２−テトラメチレン−８，８
−ペンタメチレンアゼライン酸、２，２−テトラメチレ
ン−９，９−ペンタメチレンセバシン酸、２，２−ペン
タメチレン−４，４−ペンタメチレングルタル酸、２，
２−ペンタメチレン−９，９−ペンタメチレンセバシン
酸等が挙げられる。これらのうち総炭素数１０〜２０の
ものが比電導度と火花電圧のバランスが良い点で好まし
い。
る３級ジカルボン酸の具体例としては２，２，３，３−
テトラメチルコハク酸、２，２，４，４−テトラメチル
グルタル酸、２，２，５，５−テトラメチルアジピン
酸、２，２，６，６−テトラメチルピメリン酸、２，
２，７，７−テトラメチルスベリン酸、２，２，８，８
−テトラメチルアゼライン酸、２，２，９，９−テトラ
メチルセバシン酸，２，２，３，３−テトラエチルコハ
ク酸、２，２，５，５−テトラエチルアジピン酸、２，
２，９，９−テトラエチルセバシン酸、２，２，５，５
−テトラプロピルアジピン酸、２，２，９，９−テトラ
ブチルセバシン酸、２，２，５−トリメチル−５−エチ
ルアジピン酸、２，２，８−トリエチル−８−ブチルア
ゼライン酸、２，８−ジメチル−２，８−ジエチルアゼ
ライン酸、２−メチル−２−エチル−５−プロピル−５
−ブチルアジピン酸、２，２−テトラメチレン−４，４
−テトラメチレングルタル酸、２，２−テトラメチレン
−５，５−テトラメチレンアジピン酸、２，２−テトラ
メチレン−９，９−テトラメチレンセバシン酸、２，２
−テトラメチレン−４，４−ペンタメチレングルタル
酸、２，２−テトラメチレン−６，６−テトラメチレン
ピメリン酸、２，２−テトラメチレン−７，７−ペンタ
メチレンスベリン酸、２，２−テトラメチレン−８，８
−ペンタメチレンアゼライン酸、２，２−テトラメチレ
ン−９，９−ペンタメチレンセバシン酸、２，２−ペン
タメチレン−４，４−ペンタメチレングルタル酸、２，
２−ペンタメチレン−９，９−ペンタメチレンセバシン
酸等が挙げられる。これらのうち総炭素数１０〜２０の
ものが比電導度と火花電圧のバランスが良い点で好まし
い。
【００１３】これらのカルボン酸（Ａ）のうち比電導度
を高くできる点で３級モノカルボン酸、３級ジカルボン
酸が好ましく、より比電導度を高くできる点で３級モノ
カルボン酸がさらに好ましい。
を高くできる点で３級モノカルボン酸、３級ジカルボン
酸が好ましく、より比電導度を高くできる点で３級モノ
カルボン酸がさらに好ましい。
【００１４】本発明において使用するカルボン酸（Ｂ）
としては２級モノカルボン酸、２級ジカルボン酸、３価
以上の２級ポリカルボン酸およびこれらの混合物が挙げ
られる。２級モノカルボン酸としては、一般式（４）で
表される総炭素数４〜１５の２級モノカルボン酸が挙げ
られる。一般式 （式中Ｒ８は直鎖または分枝の鎖状炭化水素基を表
す。）
としては２級モノカルボン酸、２級ジカルボン酸、３価
以上の２級ポリカルボン酸およびこれらの混合物が挙げ
られる。２級モノカルボン酸としては、一般式（４）で
表される総炭素数４〜１５の２級モノカルボン酸が挙げ
られる。一般式 （式中Ｒ８は直鎖または分枝の鎖状炭化水素基を表
す。）
【００１５】一般式（４）におけるＲ８としては、例え
ばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル、オク
チル、デシル等のアルキル基、シクロペンチル、シクロ
ヘキシル等のシクロアルキル基、フェニル、ベンジル等
のアリール基等が挙げられる。
ばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル、オク
チル、デシル等のアルキル基、シクロペンチル、シクロ
ヘキシル等のシクロアルキル基、フェニル、ベンジル等
のアリール基等が挙げられる。
【００１６】一般式（４）で表される２級モノカルボン
酸の具体例としては２−メチルプロパン酸、２−メチル
ブタン酸、２−メチルペンタン酸、２−メチルヘキサン
酸、２−メチルヘプタン酸、２−メチルオクタン酸、２
−シクロヘキシルプロパン酸、２−フェニルプロパン酸
等が挙げられる。これらのうちアルキル基のみを有する
ものが好ましく、総炭素数４〜６のものがさらに好まし
い。
酸の具体例としては２−メチルプロパン酸、２−メチル
ブタン酸、２−メチルペンタン酸、２−メチルヘキサン
酸、２−メチルヘプタン酸、２−メチルオクタン酸、２
−シクロヘキシルプロパン酸、２−フェニルプロパン酸
等が挙げられる。これらのうちアルキル基のみを有する
ものが好ましく、総炭素数４〜６のものがさらに好まし
い。
【００１７】２級ジカルボン酸としては、一般式（５）
または一般式（６）で表される総炭素数６〜３０の２級
ジカルボン酸が挙げられる。一般式 一般式 （両式中Ｒ９、Ｒ１０、Ｙは直鎖または分枝の炭化水素
基を表す。）
または一般式（６）で表される総炭素数６〜３０の２級
ジカルボン酸が挙げられる。一般式 一般式 （両式中Ｒ９、Ｒ１０、Ｙは直鎖または分枝の炭化水素
基を表す。）
【００１８】一般式（５）および一般式（６）における
Ｒ９、Ｒ１０としては、例えばメチル、エチル、プロピ
ル、ブチル、ヘキシル、オクチル、デシル等のアルキル
基、シクロペンチル、シクロヘキシル等のシクロアルキ
ル基、フェニル、ベンジル等のアリール基等が挙げられ
る。また、不飽和結合やヘテロ原子を含む置換基または
Ｒ９、Ｒ１０が結合して環状構造を形成しているものが
挙げられる。Ｙとしてはメチレン、エチレン、プロピレ
ン、ブチレン、イソブチレン、ペンタメチレン、ヘキサ
メチレン、デカメチレン等のアルキレン基、（置換）シ
クロヘキシレン基、（置換）フェニレン基等が挙げられ
る。
Ｒ９、Ｒ１０としては、例えばメチル、エチル、プロピ
ル、ブチル、ヘキシル、オクチル、デシル等のアルキル
基、シクロペンチル、シクロヘキシル等のシクロアルキ
ル基、フェニル、ベンジル等のアリール基等が挙げられ
る。また、不飽和結合やヘテロ原子を含む置換基または
Ｒ９、Ｒ１０が結合して環状構造を形成しているものが
挙げられる。Ｙとしてはメチレン、エチレン、プロピレ
ン、ブチレン、イソブチレン、ペンタメチレン、ヘキサ
メチレン、デカメチレン等のアルキレン基、（置換）シ
クロヘキシレン基、（置換）フェニレン基等が挙げられ
る。
【００１９】一般式（５）および一般式（６）で表され
る２級ジカルボン酸の具体例としては、２，３−ジメチ
ルコハク酸、２，５−ジメチルアジピン酸、２，８−ジ
メチルアゼライン酸、２，９−ジメチルセバシン酸、２
−メチル−５−エチルアジピン酸、２−メチル−９−エ
チルセバシン酸、２，３−ジエチルコハク酸、２，５−
ジエチルアジピン酸、２，９−ジエチルセバシン酸、２
−エチル−８−ブチルアゼライン酸、５，６−デカンジ
カルボン酸、１，２−または１，４−シクロヘキサンジ
カルボン酸等が挙げられる。これらのうちカルボキシル
基のα位の炭素上の置換基としてメチル基を１つ以上有
するもの、およびコハク酸のアルキル置換体が好まし
い。
る２級ジカルボン酸の具体例としては、２，３−ジメチ
ルコハク酸、２，５−ジメチルアジピン酸、２，８−ジ
メチルアゼライン酸、２，９−ジメチルセバシン酸、２
−メチル−５−エチルアジピン酸、２−メチル−９−エ
チルセバシン酸、２，３−ジエチルコハク酸、２，５−
ジエチルアジピン酸、２，９−ジエチルセバシン酸、２
−エチル−８−ブチルアゼライン酸、５，６−デカンジ
カルボン酸、１，２−または１，４−シクロヘキサンジ
カルボン酸等が挙げられる。これらのうちカルボキシル
基のα位の炭素上の置換基としてメチル基を１つ以上有
するもの、およびコハク酸のアルキル置換体が好まし
い。
【００２０】これらのカルボン酸（Ｂ）のうち比電導度
が高い点で２級モノカルボン酸、２級ジカルボン酸が好
ましく、化成性の向上効果が高い点で２級ジカルボン酸
がさらに好ましい。
が高い点で２級モノカルボン酸、２級ジカルボン酸が好
ましく、化成性の向上効果が高い点で２級ジカルボン酸
がさらに好ましい。
【００２１】カルボン酸（Ａ）とカルボン酸（Ｂ）の組
合せの中で好ましいものは、３級モノカルボン酸と２級
ジカルボン酸、３級モノカルボン酸と２級モノカルボン
酸の組合せであり、耐熱性の不十分な２級カルボン酸の
混合比を小さく抑えられ、比電導度も高くできる点で３
級モノカルボン酸と２級ジカルボン酸の混合物がさらに
好ましい。
合せの中で好ましいものは、３級モノカルボン酸と２級
ジカルボン酸、３級モノカルボン酸と２級モノカルボン
酸の組合せであり、耐熱性の不十分な２級カルボン酸の
混合比を小さく抑えられ、比電導度も高くできる点で３
級モノカルボン酸と２級ジカルボン酸の混合物がさらに
好ましい。
【００２２】なお、３級カルボキシル基と２級カルボキ
シル基を同一分子内に有する化合物（２，２−ジメチル
−５−メチルアジピン酸、２，２−ジメチル−９−メチ
ルセバシン酸等。）も本発明に含まれる。
シル基を同一分子内に有する化合物（２，２−ジメチル
−５−メチルアジピン酸、２，２−ジメチル−９−メチ
ルセバシン酸等。）も本発明に含まれる。
【００２３】カルボン酸（Ａ）とカルボン酸（Ｂ）の混
合比は、３級カルボキシル基のモル濃度と２級カルボキ
シル基のモル濃度の比が、通常（９０：１０）〜（４
０：６０）、好ましくは（８０：２０）〜（５０：５
０）である。２級カルボキシル基のモル濃度の比が１０
未満では化成性の向上効果が不十分であり、６０を超え
る場合は高温での比電導度低下が大きくなる。化成性の
良好さが持続し、かつ高温での比電導度低下も小さい範
囲として２０〜５０が好ましい。
合比は、３級カルボキシル基のモル濃度と２級カルボキ
シル基のモル濃度の比が、通常（９０：１０）〜（４
０：６０）、好ましくは（８０：２０）〜（５０：５
０）である。２級カルボキシル基のモル濃度の比が１０
未満では化成性の向上効果が不十分であり、６０を超え
る場合は高温での比電導度低下が大きくなる。化成性の
良好さが持続し、かつ高温での比電導度低下も小さい範
囲として２０〜５０が好ましい。
【００２４】カルボン酸（Ａ）、カルボン酸（Ｂ）の分
子量は希望の火花電圧、比電導度に対応して適切な範囲
のものを使用することが出来るが、比電導度が高く、か
つ火花電圧も４００Ｖ以上となる中高圧級に適した電解
液を得る上で、カルボン酸（Ａ）、カルボン酸（Ｂ）と
もに分子量８８〜５００のものが好ましい。分子量が５
００を越えるものは、比電導度が低くなる。比電導度と
火花電圧のバランスがよい点で、分子量８８から３００
の範囲のものがさらに好ましい。
子量は希望の火花電圧、比電導度に対応して適切な範囲
のものを使用することが出来るが、比電導度が高く、か
つ火花電圧も４００Ｖ以上となる中高圧級に適した電解
液を得る上で、カルボン酸（Ａ）、カルボン酸（Ｂ）と
もに分子量８８〜５００のものが好ましい。分子量が５
００を越えるものは、比電導度が低くなる。比電導度と
火花電圧のバランスがよい点で、分子量８８から３００
の範囲のものがさらに好ましい。
【００２５】カルボン酸（Ａ）およびカルボン酸（Ｂ）
の塩としてはアンモニウム塩、アミン塩および４級アン
モニウム塩が挙げられる。アミン塩を構成するアミンと
しては１級アミン（メチルアミン、エチルアミン、エチ
レンジアミン等）、２級アミン（ジメチルアミン、ジエ
チルアミン等）、３級アミン（トリメチルアミン、トリ
エチルアミン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）
−ウンデセン−７等）が挙げられる。これらのうちで好
ましいものはアンモニウム塩およびアミン塩であり、特
に好ましいものはアンモニウム塩である。
の塩としてはアンモニウム塩、アミン塩および４級アン
モニウム塩が挙げられる。アミン塩を構成するアミンと
しては１級アミン（メチルアミン、エチルアミン、エチ
レンジアミン等）、２級アミン（ジメチルアミン、ジエ
チルアミン等）、３級アミン（トリメチルアミン、トリ
エチルアミン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）
−ウンデセン−７等）が挙げられる。これらのうちで好
ましいものはアンモニウム塩およびアミン塩であり、特
に好ましいものはアンモニウム塩である。
【００２６】塩を形成するカルボキシル基と塩基のモル
比は通常（１：２）〜（１：０．５）、好ましくは
（１：１．２）〜（１：０．８）である。
比は通常（１：２）〜（１：０．５）、好ましくは
（１：１．２）〜（１：０．８）である。
【００２７】本発明の電解液は溶媒としてエチレングリ
コールとともに他の溶媒を併用できる。併用できる溶媒
としては多価アルコール系溶剤（プロピレングリコー
ル、ジエチレングリコール、１,４-ブタンジオール、グ
リセリン、ポリオキシアルキレンポリオール等）、ラク
トン系溶剤（γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、
δ-バレロラクトン、３-メチル-１,３-オキサゾリジン-
２-オン、３-エチル-１,３-オキサゾリジン-２-オン
等）、アミド系溶剤（Ｎ-メチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ-
ジメチルホルムアミド、Ｎ-メチルアセトアミド、Ｎ-メ
チルピロジリノン等）、エーテル系溶剤（メチラール、
１,２-ジメトキシエタン、１-エトキシ-２-メトキシエ
タン、１,２-ジエトキシエタン等）、ニトリル系溶剤
（アセトニトリル、３-メトキシプロピオニトリル
等）、フラン系溶剤（２,５-ジメトキシテトラヒドロフ
ラン等）、２-イミダゾリジノン類（１,３-ジメチル-２
-イミダゾリジノン等）、ピロリドン類およびこれらの
混合物等が挙げられる。溶媒中におけるエチレングリコ
ールの含有量は溶媒の重量に基づいて、通常６０重量％
以上、好ましくは８０重量％以上である。
コールとともに他の溶媒を併用できる。併用できる溶媒
としては多価アルコール系溶剤（プロピレングリコー
ル、ジエチレングリコール、１,４-ブタンジオール、グ
リセリン、ポリオキシアルキレンポリオール等）、ラク
トン系溶剤（γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、
δ-バレロラクトン、３-メチル-１,３-オキサゾリジン-
２-オン、３-エチル-１,３-オキサゾリジン-２-オン
等）、アミド系溶剤（Ｎ-メチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ-
ジメチルホルムアミド、Ｎ-メチルアセトアミド、Ｎ-メ
チルピロジリノン等）、エーテル系溶剤（メチラール、
１,２-ジメトキシエタン、１-エトキシ-２-メトキシエ
タン、１,２-ジエトキシエタン等）、ニトリル系溶剤
（アセトニトリル、３-メトキシプロピオニトリル
等）、フラン系溶剤（２,５-ジメトキシテトラヒドロフ
ラン等）、２-イミダゾリジノン類（１,３-ジメチル-２
-イミダゾリジノン等）、ピロリドン類およびこれらの
混合物等が挙げられる。溶媒中におけるエチレングリコ
ールの含有量は溶媒の重量に基づいて、通常６０重量％
以上、好ましくは８０重量％以上である。
【００２８】本発明の電解液は必要により、水を含有さ
せることができる。その含有量は電解液の重量に基づい
て通常５重量％以下、好ましくは３重量％以下、特に好
ましくは１重量％以下である。
せることができる。その含有量は電解液の重量に基づい
て通常５重量％以下、好ましくは３重量％以下、特に好
ましくは１重量％以下である。
【００２９】本発明の電解液におけるカルボン酸とカル
ボン酸塩の合計含有量は、電解液の重量に基づいて通常
１〜７０重量％、好ましくは５〜４０重量％である。
ボン酸塩の合計含有量は、電解液の重量に基づいて通常
１〜７０重量％、好ましくは５〜４０重量％である。
【００３０】本発明の電解コンデンサ駆動用電解液に
は、漏れ電流の低減や水素ガス吸収等の目的で種々の添
加剤を添加することができる。添加剤としては、リン酸
誘導体、ホウ酸誘導体およびニトロ化合物等を挙げるこ
とができる。また、必要に応じ、化成性のさらなる向上
や、比電導度の向上の目的で１級カルボキシル基を有す
るカルボン酸や、芳香族カルボキシル基を有するカルボ
ン酸等を必要量混合したり、またカルボン酸（Ａ）やカ
ルボン酸（Ｂ）に１級カルボキシル基や芳香族カルボキ
シル基を有させることもできる。混合できるものとして
はアジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、１，６−デ
カンジカルボン酸、安息香酸等が挙げられる。電解液中
におけるこれらの含有量はカルボン酸（Ａ）およびカル
ボン酸（Ｂ）の合計量に基づいて、通常１０重量％以下
である。
は、漏れ電流の低減や水素ガス吸収等の目的で種々の添
加剤を添加することができる。添加剤としては、リン酸
誘導体、ホウ酸誘導体およびニトロ化合物等を挙げるこ
とができる。また、必要に応じ、化成性のさらなる向上
や、比電導度の向上の目的で１級カルボキシル基を有す
るカルボン酸や、芳香族カルボキシル基を有するカルボ
ン酸等を必要量混合したり、またカルボン酸（Ａ）やカ
ルボン酸（Ｂ）に１級カルボキシル基や芳香族カルボキ
シル基を有させることもできる。混合できるものとして
はアジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、１，６−デ
カンジカルボン酸、安息香酸等が挙げられる。電解液中
におけるこれらの含有量はカルボン酸（Ａ）およびカル
ボン酸（Ｂ）の合計量に基づいて、通常１０重量％以下
である。
【００３１】次に、本発明の具体的な実施例について説
明するが、本発明はこれに限定されるものではない。表
１は本発明の実施例１〜６の電解液のカルボン酸（Ａ）
とカルボン酸（Ｂ）の名称および混合比（３級カルボキ
シル基のモル濃度と２級カルボキシル基のモル濃度の
比）、および従来例１〜６の電解液のカルボン酸の名称
を示したものであり、塩はアンモニウム塩でアンモニア
／カルボキシル基のモル比が０．９のもの、溶媒はエチ
レングリコール、濃度はカルボキシル基のモル濃度で
１．１ｍｏｌ／ｋｇである。表２は、実施例１〜６およ
び従来例１〜６の電解液の３０℃における比電導度、ア
ルミ化成箔を用い２ｍＡ／１０ｃｍ2の電流密度で定電
流再化成した際の火花電圧と電圧４００Ｖまでの到達時
間、および１５０℃で１０時間保持後の比電導度低下率
を示したものである。
明するが、本発明はこれに限定されるものではない。表
１は本発明の実施例１〜６の電解液のカルボン酸（Ａ）
とカルボン酸（Ｂ）の名称および混合比（３級カルボキ
シル基のモル濃度と２級カルボキシル基のモル濃度の
比）、および従来例１〜６の電解液のカルボン酸の名称
を示したものであり、塩はアンモニウム塩でアンモニア
／カルボキシル基のモル比が０．９のもの、溶媒はエチ
レングリコール、濃度はカルボキシル基のモル濃度で
１．１ｍｏｌ／ｋｇである。表２は、実施例１〜６およ
び従来例１〜６の電解液の３０℃における比電導度、ア
ルミ化成箔を用い２ｍＡ／１０ｃｍ2の電流密度で定電
流再化成した際の火花電圧と電圧４００Ｖまでの到達時
間、および１５０℃で１０時間保持後の比電導度低下率
を示したものである。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【表２】
【００３４】表２から明らかなように本発明の実施例１
〜６の電解液は、従来例１〜３の１級、２級のカルボン
酸を用いた電解液と比較して比電導度低下率が約１／２
に改善されるとともに、比電導度を同レベルに維持した
まま火花電圧を高めている。また従来例４〜５の３級カ
ルボン酸を用いた電解液との比較では比電導度低下率を
同レベルに小さく維持したまま電圧４００Ｖまでの到達
時間を短縮し化成性、酸化皮膜修復能力を向上させてい
る。さらに比電導度を同レベルに維持したまま火花電圧
を高めている。また従来例１〜６の電解液は比電導度低
下率、化成性（４００Ｖまでの到達時間）、火花電圧の
いずれかに欠点を有するが、実施例１〜６の電解液はこ
れといった欠点を有さず、非常に性能のバランスが良好
な電解液である。
〜６の電解液は、従来例１〜３の１級、２級のカルボン
酸を用いた電解液と比較して比電導度低下率が約１／２
に改善されるとともに、比電導度を同レベルに維持した
まま火花電圧を高めている。また従来例４〜５の３級カ
ルボン酸を用いた電解液との比較では比電導度低下率を
同レベルに小さく維持したまま電圧４００Ｖまでの到達
時間を短縮し化成性、酸化皮膜修復能力を向上させてい
る。さらに比電導度を同レベルに維持したまま火花電圧
を高めている。また従来例１〜６の電解液は比電導度低
下率、化成性（４００Ｖまでの到達時間）、火花電圧の
いずれかに欠点を有するが、実施例１〜６の電解液はこ
れといった欠点を有さず、非常に性能のバランスが良好
な電解液である。
【００３５】
【発明の効果】以上のように本発明の電解コンデンサ駆
動用電解液は、高温での比電導度低下が小さく、かつ化
成性も良く、比電導度、火花電圧がともに高い。この電
解液を中高圧級電解コンデンサに用いれば、その電解コ
ンデンサの長寿命化、高信頼化が可能となるもので、工
業的価値の大なるものである。
動用電解液は、高温での比電導度低下が小さく、かつ化
成性も良く、比電導度、火花電圧がともに高い。この電
解液を中高圧級電解コンデンサに用いれば、その電解コ
ンデンサの長寿命化、高信頼化が可能となるもので、工
業的価値の大なるものである。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 紀氏 隆明
京都市東山区一橋野本町11番地の１ 三
洋化成工業株式会社内
(72)発明者 塩野 和司
京都市東山区一橋野本町11番地の１ 三
洋化成工業株式会社内
(56)参考文献 特開 昭60−124814（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−44418（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−273421（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−116815（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01G 9/035
Claims (7)
- 【請求項１】 エチレングリコールを含む溶媒に、３級
カルボキシル基を有するカルボン酸（Ａ）および／また
はその塩と、２級カルボキシル基を有するカルボン酸
（Ｂ）および／またはその塩とを溶解させたことを特徴
とする電解コンデンサ駆動用電解液。 - 【請求項２】 カルボン酸（Ａ）が、３級モノカルボン
酸および／または３級ジカルボン酸である請求項１記載
の電解液。 - 【請求項３】 カルボン酸（Ａ）が、一般式（１）で表
される総炭素数５〜２０の３級モノカルボン酸、一般式
（２）または一般式（３）で表される総炭素数８〜３０
の３級ジカルボン酸である請求項１または２に記載の電
解液。一般式 （式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は直鎖または分枝の炭化水素基
を表し、これらのうちいずれか２つ以上が結合して環状
構造を形成してもよい。） 一般式 一般式 （両式中Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｘは直鎖または分枝
の炭化水素基を表し、これらのうちいずれか２つ以上が
結合して環状構造を形成してもよい。） - 【請求項４】 カルボン酸（Ｂ）が、２級モノカルボン
酸および／または２級ジカルボン酸である請求項１〜３
いずれか記載の電解液。 - 【請求項５】 カルボン酸（Ｂ）が、一般式（４）で表
される総炭素数４〜１５の２級モノカルボン酸、一般式
（５）または一般式（６）で表される総炭素数６〜３０
の２級ジカルボン酸である請求項１〜４いずれか記載の
電解液。一般式 （式中Ｒ８は直鎖または分枝の鎖状炭化水素基を表
す。） 一般式 一般式 （両式中Ｒ９、Ｒ１０、Ｙは直鎖または分枝の炭化水素
基を表す。） - 【請求項６】 ３級カルボキシル基のモル濃度と２級カ
ルボキシル基のモル濃度の比が（９０：１０）〜（４
０：６０）の範囲である請求項１〜５いずれか記載の電
解液。 - 【請求項７】 請求項１〜６いずれか記載の電解液を用
いた電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08558393A JP3373884B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 電解コンデンサ駆動用電解液およびそれを用いた電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08558393A JP3373884B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 電解コンデンサ駆動用電解液およびそれを用いた電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275472A JPH06275472A (ja) | 1994-09-30 |
| JP3373884B2 true JP3373884B2 (ja) | 2003-02-04 |
Family
ID=13862840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08558393A Expired - Lifetime JP3373884B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 電解コンデンサ駆動用電解液およびそれを用いた電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3373884B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4019230B2 (ja) * | 1997-05-19 | 2007-12-12 | 日本ケミコン株式会社 | 電解コンデンサ用電解液 |
| BRPI0214846B1 (pt) | 2001-12-11 | 2016-01-26 | Okamura Oil Mill Ltd | composição para solução eletrolítica e processo para a produção da mesma |
| JP4619820B2 (ja) * | 2004-02-26 | 2011-01-26 | 三洋化成工業株式会社 | 電解液 |
| CN101572186B (zh) * | 2008-04-30 | 2011-09-21 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种铝电解电容器的电解液及其溶质的制备方法 |
| CN101521117B (zh) * | 2009-03-27 | 2011-06-29 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种铝电解电容器电解液用α位含支链的二元羧酸的制备方法 |
-
1993
- 1993-03-19 JP JP08558393A patent/JP3373884B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06275472A (ja) | 1994-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3373884B2 (ja) | 電解コンデンサ駆動用電解液およびそれを用いた電解コンデンサ | |
| JP2018191007A (ja) | 電解コンデンサ駆動用電解液 | |
| JP3373889B2 (ja) | 電解コンデンサ駆動用電解液およびそれを用いた電解コンデンサ | |
| JPH06302475A (ja) | 電解コンデンサ駆動用電解液 | |
| KR100922706B1 (ko) | 전해액용 조성물 및 이의 제조방법 | |
| JP6131136B2 (ja) | 電解コンデンサの駆動用電解液およびそれを用いた電解コンデンサ | |
| JP4637685B2 (ja) | 電解コンデンサの駆動用電解液 | |
| JP2921363B2 (ja) | 電解コンデンサ用電解液 | |
| JP2998850B2 (ja) | 電解コンデンサ駆動用電解液 | |
| JP2998849B2 (ja) | 電解コンデンサ駆動用電解液 | |
| JPH0770444B2 (ja) | 電解コンデンサ駆動用電解液 | |
| JP4307093B2 (ja) | 電解コンデンサの駆動用電解液 | |
| JP3172204B2 (ja) | 電解コンデンサの駆動用電解液 | |
| JPS62254415A (ja) | 電解コンデンサ用電解液 | |
| JP3175330B2 (ja) | 電解コンデンサ駆動用電解液 | |
| JPH0684705A (ja) | 電解コンデンサ駆動用電解液およびそれを用いた電解コンデンサ | |
| JP2002270472A (ja) | 電解コンデンサ用電解液及び電解コンデンサ | |
| JP2004128275A (ja) | 電解コンデンサの駆動用電解液及び電解コンデンサ | |
| JP4404761B2 (ja) | 電解コンデンサの駆動用電解液 | |
| JP2015117193A (ja) | 環状アルキレン基を有するジカルボン酸 | |
| JP4641458B2 (ja) | 電解コンデンサの駆動用電解液 | |
| JP4612430B2 (ja) | 電解コンデンサ駆動用電解液 | |
| JP4555158B2 (ja) | 電解コンデンサの駆動用電解液および電解コンデンサ | |
| JP2021086870A (ja) | 電解コンデンサの駆動用電解液およびそれを用いた電解コンデンサ | |
| JP2012009653A (ja) | 電解コンデンサの駆動用電解液及びそれを用いた電解コンデンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071122 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121122 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131122 Year of fee payment: 11 |