JP3357809B2 - ポリカーボネート組成物 - Google Patents
ポリカーボネート組成物Info
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- JP3357809B2 JP3357809B2 JP01367597A JP1367597A JP3357809B2 JP 3357809 B2 JP3357809 B2 JP 3357809B2 JP 01367597 A JP01367597 A JP 01367597A JP 1367597 A JP1367597 A JP 1367597A JP 3357809 B2 JP3357809 B2 JP 3357809B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は耐スチーム性、熱安
定性の改善された透明性、光拡散性、耐衝撃性ポリカー
ボネート組成物に関する。
定性の改善された透明性、光拡散性、耐衝撃性ポリカー
ボネート組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】透明性、耐熱性ならびに耐衝撃性に優れ
たポリカーボネートは、車両、弱電、家庭用品などの各
分野にて用いられているが、照明灯カバー材料として用
いられる場合には、優れた透明性（光の透過率）のみな
らず、光拡散性、即ち内部光源の透視防止が求められ
る。さらに、浴室灯の場合には、高温多湿といった使用
環境の面より、耐スチーム性が求められている。
たポリカーボネートは、車両、弱電、家庭用品などの各
分野にて用いられているが、照明灯カバー材料として用
いられる場合には、優れた透明性（光の透過率）のみな
らず、光拡散性、即ち内部光源の透視防止が求められ
る。さらに、浴室灯の場合には、高温多湿といった使用
環境の面より、耐スチーム性が求められている。
【０００３】すでに、乳白色で、かつ半透明性に優れた
照明灯カバー材料として炭酸カルシウムと酸化チタンを
併用してなるポリカーボネート組成物が提案（特公昭５
７―２４８１６号公報）されているが、耐スチーム性に
劣るため、浴室灯としては、不充分なものである。
照明灯カバー材料として炭酸カルシウムと酸化チタンを
併用してなるポリカーボネート組成物が提案（特公昭５
７―２４８１６号公報）されているが、耐スチーム性に
劣るため、浴室灯としては、不充分なものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ポリカーボ
ネート本来の特長である透明性、耐熱性、耐衝撃性を犠
牲にすることなく、耐スチーム性、光拡散性（内部光源
の透視防止）を有するポリカーボネート組成物を提供す
ることを目的とする。
ネート本来の特長である透明性、耐熱性、耐衝撃性を犠
牲にすることなく、耐スチーム性、光拡散性（内部光源
の透視防止）を有するポリカーボネート組成物を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、特定の化合
物と混合及び又は処理したフィラーを特定量配合してな
るポリカーボネート組成物が、かかる目的に適した材料
であることを見出し、本発明に到達したものである。
物と混合及び又は処理したフィラーを特定量配合してな
るポリカーボネート組成物が、かかる目的に適した材料
であることを見出し、本発明に到達したものである。
【０００６】すなわち、本発明は、ポリカーボネート１
００重量部当り、炭酸カルシウム０．１〜５重量部及び
／又は酸化チタン０．０５〜５重量部を配合してなるポ
リカーボネート組成物であって、該炭酸カルシウム及び
／又は酸化チタンがホスホニウム塩及び／又はアンモニ
ウム塩で処理されたものであることを特徴とするポリカ
ーボネート組成物である。
００重量部当り、炭酸カルシウム０．１〜５重量部及び
／又は酸化チタン０．０５〜５重量部を配合してなるポ
リカーボネート組成物であって、該炭酸カルシウム及び
／又は酸化チタンがホスホニウム塩及び／又はアンモニ
ウム塩で処理されたものであることを特徴とするポリカ
ーボネート組成物である。
【０００７】以下、本発明を具体的に説明する。本発明
において使用されるポリカーボネートとは、種々のジヒ
ドロキシジアリール化合物とホスゲンとを反応させるホ
スゲン法、またはジヒドロキシジアリール化合物とジフ
ェニルカーボネートなどの炭酸エステルとを反応させる
エステル交換法によって得られる重合体であっり、代表
的なものとしては、２，２―ビス（４―ヒドロキシフェ
ニル）プロパン（ビスフェノールＡ）から製造された芳
香族ポリカーボネートが挙げられる。
において使用されるポリカーボネートとは、種々のジヒ
ドロキシジアリール化合物とホスゲンとを反応させるホ
スゲン法、またはジヒドロキシジアリール化合物とジフ
ェニルカーボネートなどの炭酸エステルとを反応させる
エステル交換法によって得られる重合体であっり、代表
的なものとしては、２，２―ビス（４―ヒドロキシフェ
ニル）プロパン（ビスフェノールＡ）から製造された芳
香族ポリカーボネートが挙げられる。
【０００８】上記ジヒドロキシジアリール化合物として
は、ビスフェノールＡの他に、ビス（４―ヒドロキシフ
ェニル）メタン、１，１―ビス（４―ヒドロキシフェニ
ル）エタン、２，２―ビス（４―ヒドロキシフェニル）
ブタン、２，２―ビス（４―ヒドロキシフェニル）オク
タン、ビス（４―ヒドロキシフェニル）フェニルメタ
ン、２，２―ビス（４―ヒドロキシフェニル―３―メチ
ルフェニル）プロパン、１，１―ビス（４―ヒドロキシ
―３―第三ブチルフェニル）プロパン、２，２―ビス
（４―ヒドロキシ―３―ブロモフェニル）プロパン、
２，２―ビス（４―ヒドロキシ―３，５―ジブロモフェ
ニル）プロパン、２，２―ビス（４―ヒドロキシ―３，
５―シクロロフェニル）プロパンのようなビス（ヒドロ
キシアリール）アルカン類、１，１―ビス（４―ヒドロ
キシフェニル）シクロペンタン、１，１―ビス（４―ヒ
ドロキシフェニル）シクロヘキサンのようなビス（ヒド
ロキシアリール）シクロアルカン類、４，４′―ジヒド
ロキシジフェニルエーテル、４，４′―ジヒドロキシ―
３，３′―ジメチルジフェニルエーテルのようなジヒド
ロキシアリールエーテル類、４，４′―ジヒドロキシジ
フェニルスルフィド、４，４′―ジヒドロキシ―３，
３′―ジメチルジフェニルスルフィドのようなジヒドロ
キシジアリールスルフィド類、４，４′―ジヒドロキシ
ジフェニルスルホキシド、４，４′―ジヒドロシキジフ
ェニルスルホキシド、４，４′―ジヒドロキシ―３，
３′―ジメチルジフェニルスルホキシドのようなジヒド
ロキシジアリールスルホキシド類、４，４′―ジヒドロ
キシジフェニルスルホン、４，４′―ジヒドロキシ―
３，３′―ジメチルジフェニルスルホンのようなジヒド
ロキシジアリールスルホン類等が挙げられる。
は、ビスフェノールＡの他に、ビス（４―ヒドロキシフ
ェニル）メタン、１，１―ビス（４―ヒドロキシフェニ
ル）エタン、２，２―ビス（４―ヒドロキシフェニル）
ブタン、２，２―ビス（４―ヒドロキシフェニル）オク
タン、ビス（４―ヒドロキシフェニル）フェニルメタ
ン、２，２―ビス（４―ヒドロキシフェニル―３―メチ
ルフェニル）プロパン、１，１―ビス（４―ヒドロキシ
―３―第三ブチルフェニル）プロパン、２，２―ビス
（４―ヒドロキシ―３―ブロモフェニル）プロパン、
２，２―ビス（４―ヒドロキシ―３，５―ジブロモフェ
ニル）プロパン、２，２―ビス（４―ヒドロキシ―３，
５―シクロロフェニル）プロパンのようなビス（ヒドロ
キシアリール）アルカン類、１，１―ビス（４―ヒドロ
キシフェニル）シクロペンタン、１，１―ビス（４―ヒ
ドロキシフェニル）シクロヘキサンのようなビス（ヒド
ロキシアリール）シクロアルカン類、４，４′―ジヒド
ロキシジフェニルエーテル、４，４′―ジヒドロキシ―
３，３′―ジメチルジフェニルエーテルのようなジヒド
ロキシアリールエーテル類、４，４′―ジヒドロキシジ
フェニルスルフィド、４，４′―ジヒドロキシ―３，
３′―ジメチルジフェニルスルフィドのようなジヒドロ
キシジアリールスルフィド類、４，４′―ジヒドロキシ
ジフェニルスルホキシド、４，４′―ジヒドロシキジフ
ェニルスルホキシド、４，４′―ジヒドロキシ―３，
３′―ジメチルジフェニルスルホキシドのようなジヒド
ロキシジアリールスルホキシド類、４，４′―ジヒドロ
キシジフェニルスルホン、４，４′―ジヒドロキシ―
３，３′―ジメチルジフェニルスルホンのようなジヒド
ロキシジアリールスルホン類等が挙げられる。
【０００９】これらは単独または２種類以上混合して使
用されるが、これらの他に、ピペラジン、ジピペリジル
ハイドロキノン、レゾルシン、４，４′―ジヒドロキシ
ジフェニル等を混合して使用してもよい。
用されるが、これらの他に、ピペラジン、ジピペリジル
ハイドロキノン、レゾルシン、４，４′―ジヒドロキシ
ジフェニル等を混合して使用してもよい。
【００１０】さらに、上記のジヒドロキシアリール化合
物と以下に示すような３価以上のフェノール化合物を混
合使用してもよい。
物と以下に示すような３価以上のフェノール化合物を混
合使用してもよい。
【００１１】３価以上のフェノールとしてはフロログル
シン、４，６―ジメチル―２，４，６―トリ―（４―ヒ
ドロキシフェニル）―ヘプテン―２，４，６―ジメチル
―２，４，６―トリ―（４―ヒドロキシフェニル）―ヘ
プタン、１，３，５―トリ―（４―ヒドロキシフェニ
ル）―ベンゾール、１，１，１―トリ―（４―ヒドロキ
シフェニル）―エタンおよび２，２―ビス―［４，４―
（４，４′―ジヒドロキシジフェニル）―シクロヘキシ
ル］―プロパンなどがあげられる。
シン、４，６―ジメチル―２，４，６―トリ―（４―ヒ
ドロキシフェニル）―ヘプテン―２，４，６―ジメチル
―２，４，６―トリ―（４―ヒドロキシフェニル）―ヘ
プタン、１，３，５―トリ―（４―ヒドロキシフェニ
ル）―ベンゾール、１，１，１―トリ―（４―ヒドロキ
シフェニル）―エタンおよび２，２―ビス―［４，４―
（４，４′―ジヒドロキシジフェニル）―シクロヘキシ
ル］―プロパンなどがあげられる。
【００１２】ポリカーボネートの粘度平均分子量は通常
１０，０００〜１００，０００、好ましくは１５，００
０〜５０，０００である。かかるポリカーボネートを製
造するに際し、分子量調節剤、触媒等を必要に応じて使
用することができる。
１０，０００〜１００，０００、好ましくは１５，００
０〜５０，０００である。かかるポリカーボネートを製
造するに際し、分子量調節剤、触媒等を必要に応じて使
用することができる。
【００１３】本発明で用いられる炭酸カルシウムの粒子
径には特に制限はないが、最終組成物の耐衝撃性、透明
性、光拡散性の面より０．１〜３０μ、特に０．５〜１
０μのものが好ましい。
径には特に制限はないが、最終組成物の耐衝撃性、透明
性、光拡散性の面より０．１〜３０μ、特に０．５〜１
０μのものが好ましい。
【００１４】また、本発明で用いられる酸化チタンの粒
子径にも制限はないが、最終組成物の耐衝撃性、透明
性、光拡散性の面より０．０５〜５μが好ましい。
子径にも制限はないが、最終組成物の耐衝撃性、透明
性、光拡散性の面より０．０５〜５μが好ましい。
【００１５】上述の炭酸カルシウム、酸化チタンの配合
量は、ポリカーボネート１００重量部当り、炭酸カルシ
ウム０．１〜５重量部、酸化チタン０．０５〜５重量部
である。
量は、ポリカーボネート１００重量部当り、炭酸カルシ
ウム０．１〜５重量部、酸化チタン０．０５〜５重量部
である。
【００１６】炭酸カルシウムまたは酸化チタンが規定量
未満では、組成物の光拡散性に劣り、又規定量を超すと
耐スチーム性、熱安定性、透明性さらに耐衝撃性に劣
る。
未満では、組成物の光拡散性に劣り、又規定量を超すと
耐スチーム性、熱安定性、透明性さらに耐衝撃性に劣
る。
【００１７】最終組成物の物理的、熱的、ならびに光学
的特性のバランス面より、炭酸カルシウムは０．５〜３
重量部、酸化チタンは０．０７〜３重量部の範囲が好ま
しい。
的特性のバランス面より、炭酸カルシウムは０．５〜３
重量部、酸化チタンは０．０７〜３重量部の範囲が好ま
しい。
【００１８】本発明で使用するホスホニウム塩、アンモ
ニウム塩としては下記式（Ｉ）〜（III ）で示されるも
のを挙げることができる。
ニウム塩としては下記式（Ｉ）〜（III ）で示されるも
のを挙げることができる。
【００１９】炭酸カルシウム及び／又は酸化チタンの、
ホスホニウム塩及び／又はアンモニウム塩による処理
は、アセトン等の溶媒に溶解又は分散せしめたホスホニ
ウム塩及び／又はアンモニウム塩中に炭酸カルシウム及
び／又は酸化チタンを浸漬したのち乾燥させることによ
って行うことができる。
ホスホニウム塩及び／又はアンモニウム塩による処理
は、アセトン等の溶媒に溶解又は分散せしめたホスホニ
ウム塩及び／又はアンモニウム塩中に炭酸カルシウム及
び／又は酸化チタンを浸漬したのち乾燥させることによ
って行うことができる。
【００２０】上記ホスホニウム塩及び／又はアンモニウ
ム塩と炭酸カルシウム及び／又は酸化チタンとの量比
は、上記炭酸カルシウム及び／又は酸化チタン１００重
量部当り、ホスホニウム塩及び／又はアンモニウム塩を
０．０１〜２０重量部、好ましくは０．０５〜１０重量
部の量比で使用される。
ム塩と炭酸カルシウム及び／又は酸化チタンとの量比
は、上記炭酸カルシウム及び／又は酸化チタン１００重
量部当り、ホスホニウム塩及び／又はアンモニウム塩を
０．０１〜２０重量部、好ましくは０．０５〜１０重量
部の量比で使用される。
【００２１】ホスホニウム塩及び／又はアンモニウム塩
がこれらの量比より少ないと目的とする耐スチーム性の
向上は、実用的ではない。多すぎると耐衝撃性等の物性
が低下し、好ましくない。
がこれらの量比より少ないと目的とする耐スチーム性の
向上は、実用的ではない。多すぎると耐衝撃性等の物性
が低下し、好ましくない。
【００２２】
【化１】
【００２３】ここで、Ａ1 は置換基を有していてもよい
ｍ価の炭化水素基であり、Ｙ1 は単結合又は酸素原子で
あり、Ｘ1 は、アンモニウムカチオンまたはホスホニウ
ムカチオンであり、ｍは１〜４の整数である。Ａ1 の炭
化水素基としては、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素
数６〜１０のアリール基、炭素数７〜１０のアラルキル
基が挙げられる。
ｍ価の炭化水素基であり、Ｙ1 は単結合又は酸素原子で
あり、Ｘ1 は、アンモニウムカチオンまたはホスホニウ
ムカチオンであり、ｍは１〜４の整数である。Ａ1 の炭
化水素基としては、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素
数６〜１０のアリール基、炭素数７〜１０のアラルキル
基が挙げられる。
【００２４】アンモニウムカチオンとしては、例えば下
記式（Ｉ）―ａ
記式（Ｉ）―ａ
【００２５】
【化２】
【００２６】で表わされるカチオンを挙げることができ
る。ここで、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は、互いに独
立して水素原子または１価の炭化水素基である。
る。ここで、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は、互いに独
立して水素原子または１価の炭化水素基である。
【００２７】式（Ｉ）―ａにおいて、Ｒ1 〜Ｒ4 等が表
わす１価の炭化水素基としては、例えば炭素数１〜２０
のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数７
〜１０のアラルキル基等が好ましい。
わす１価の炭化水素基としては、例えば炭素数１〜２０
のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数７
〜１０のアラルキル基等が好ましい。
【００２８】また、ホスホニウムカチオンとしては、例
えば下記式（Ｉ）―ｂ
えば下記式（Ｉ）―ｂ
【００２９】
【化３】
【００３０】で表わされるカチオンを挙げることができ
る。
る。
【００３１】ここで、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 およびＲ8 は、
互いに独立に水素原子または１価の炭化水素基である。
Ｒ5 〜Ｒ8 の炭化水素基としては、メチル基、エチル基
等の炭素数１〜２０のアルキル基、フェニル基等の炭素
数６〜１０のアリール基、炭素数７〜１０のアラルキル
基が挙げられる。
互いに独立に水素原子または１価の炭化水素基である。
Ｒ5 〜Ｒ8 の炭化水素基としては、メチル基、エチル基
等の炭素数１〜２０のアルキル基、フェニル基等の炭素
数６〜１０のアリール基、炭素数７〜１０のアラルキル
基が挙げられる。
【００３２】また上記式（Ｉ）において、ｍは１〜４の
整数であり、好ましくは１または２である。
整数であり、好ましくは１または２である。
【００３３】上記式（Ｉ）で表わされる化合物の具体例
としては、例えば下記の化合物を挙げることができる。
としては、例えば下記の化合物を挙げることができる。
【００３４】すなわち、オクチルスルホン酸テトラブチ
ルホスホニウム塩、デシルスルホン酸テトラブチルホス
ホニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニ
ウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラエチルホス
ホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチル
ホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラヘ
キシルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テ
トラオクチルホスホニウム塩、デシルアンモニウムブチ
ルサルフェート、デシルアンモニウムデシルサルフェー
ト、ドデシルアンモニウムメチルサルフェート、ドデシ
ルアンモニウムエチルサルフェート、ドデシルメチルア
ンモニウムメチルサルフェート、ドデシルジメチルアン
モニウムテトラデシルサルフェート、テトラデシルジメ
チルアンモニウムメチルサルフェート、テトラメチルア
ンモニウムヘキシルサルフェート、デシルトリメチルア
ンモニウムヘキサデシルサルフェート、テトラブチルア
ンモニウムドデシルベンジルサルフェート、テトラエチ
ルアンモニウムドデシルベンジルサルフェート、テトラ
メチルアンモニウムドデシルベンジルサルフェートなど
が挙げられる。
ルホスホニウム塩、デシルスルホン酸テトラブチルホス
ホニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニ
ウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラエチルホス
ホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチル
ホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラヘ
キシルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テ
トラオクチルホスホニウム塩、デシルアンモニウムブチ
ルサルフェート、デシルアンモニウムデシルサルフェー
ト、ドデシルアンモニウムメチルサルフェート、ドデシ
ルアンモニウムエチルサルフェート、ドデシルメチルア
ンモニウムメチルサルフェート、ドデシルジメチルアン
モニウムテトラデシルサルフェート、テトラデシルジメ
チルアンモニウムメチルサルフェート、テトラメチルア
ンモニウムヘキシルサルフェート、デシルトリメチルア
ンモニウムヘキサデシルサルフェート、テトラブチルア
ンモニウムドデシルベンジルサルフェート、テトラエチ
ルアンモニウムドデシルベンジルサルフェート、テトラ
メチルアンモニウムドデシルベンジルサルフェートなど
が挙げられる。
【００３５】
【化４】+ Ｘ2 ―Ａ2 ―Ｙ1 ―ＳＯ3 - …（II）
【００３６】ここで、Ａ2 は２価の炭化水素基であり、
+Ｘ2 は２〜４級のアンモニウムカチオンまたはホスホ
ニウムカチオンであり、そしてＹ1 の定義は式（Ｉ）と
同じである。上記式（II）中、Ａ2 の２価の炭化水素基
としてはアルキレン基等の２価の飽和脂肪族炭化水素基
が好ましい。この飽和脂肪族炭化水素基としては炭素数
１〜２０のものがより好ましい。
+Ｘ2 は２〜４級のアンモニウムカチオンまたはホスホ
ニウムカチオンであり、そしてＹ1 の定義は式（Ｉ）と
同じである。上記式（II）中、Ａ2 の２価の炭化水素基
としてはアルキレン基等の２価の飽和脂肪族炭化水素基
が好ましい。この飽和脂肪族炭化水素基としては炭素数
１〜２０のものがより好ましい。
【００３７】+Ｘ2 はアンモニウムカチオンもしくはホ
スホニウムカチオンである。アンモニウムカチオンとし
ては、下記式（II）―ａ
スホニウムカチオンである。アンモニウムカチオンとし
ては、下記式（II）―ａ
【００３８】
【化５】
【００３９】で表わされるカチオンが好ましい。ここ
で、Ｒ9 、Ｒ10およびＲ11は、互いに独立に水素原子ま
たは１価の炭化水素基である。Ｒ9 〜Ｒ11等の１価の炭
化水素基としては上記式（Ｉ）―ａのＲ1 〜Ｒ4 につい
て例示したものと同じものをここでも例示できる。
で、Ｒ9 、Ｒ10およびＲ11は、互いに独立に水素原子ま
たは１価の炭化水素基である。Ｒ9 〜Ｒ11等の１価の炭
化水素基としては上記式（Ｉ）―ａのＲ1 〜Ｒ4 につい
て例示したものと同じものをここでも例示できる。
【００４０】ホスホニウムカチオンとしては、下記式
（II）―ｂ
（II）―ｂ
【００４１】
【化６】
【００４２】［ここで、Ｒ12、Ｒ13およびＲ14は、互い
に独立に水素原子または１価の炭化水素基である。］で
表わされるカチオンが好ましい。Ｒ12〜Ｒ14が表わす１
価の炭化水素基としては、上記（Ｉ）―ｂのＲ5 〜Ｒ8
について例示したものと同じものを例示できる。
に独立に水素原子または１価の炭化水素基である。］で
表わされるカチオンが好ましい。Ｒ12〜Ｒ14が表わす１
価の炭化水素基としては、上記（Ｉ）―ｂのＲ5 〜Ｒ8
について例示したものと同じものを例示できる。
【００４３】上記式（II）で表わされる化合物の具体例
としては下記の化合物を例示することができる。すなわ
ち、
としては下記の化合物を例示することができる。すなわ
ち、
【００４４】
【化７】
【００４５】等を挙げることができる。
【００４６】
【化８】
【００４７】ここで、Ａ3 はｎ価の炭化水素基であり、
+Ｘ3 はアンモニウムカチオンもしくはホスホニウムカ
チオンであり、Ｒは１価の炭化水素基でありｎは２〜４
の整数でありそしてＹ1 の定義は上記に同じである。
+Ｘ3 はアンモニウムカチオンもしくはホスホニウムカ
チオンであり、Ｒは１価の炭化水素基でありｎは２〜４
の整数でありそしてＹ1 の定義は上記に同じである。
【００４８】Ａ3 のｎ価の炭化水素基としては、アルキ
レン基等のｎ価の飽和脂肪族炭化水素基、アリーレン基
等の芳香族炭化水素基またはアラルキル基等の飽和脂肪
族―芳香族炭化水素基が好ましい。
レン基等のｎ価の飽和脂肪族炭化水素基、アリーレン基
等の芳香族炭化水素基またはアラルキル基等の飽和脂肪
族―芳香族炭化水素基が好ましい。
【００４９】また、 +Ｘ3 のアンモニウムカチオンおよ
びホスホニウムカチオンとしてはそれぞれ例えば前記式
（II）―ａおよび（II）―ｂで表わされるものを挙げる
ことができる。
びホスホニウムカチオンとしてはそれぞれ例えば前記式
（II）―ａおよび（II）―ｂで表わされるものを挙げる
ことができる。
【００５０】Ｒは１価の炭化水素基であり、その例とし
てはアルキル基、アリール基およびアラルキル基が好ま
しい。アルキル基としては炭素数１〜２０のものが好ま
しく、アリール基としては炭素数６〜２０のものが好ま
しく、アラルキル基とは炭素数７〜２０のものが好まし
い。
てはアルキル基、アリール基およびアラルキル基が好ま
しい。アルキル基としては炭素数１〜２０のものが好ま
しく、アリール基としては炭素数６〜２０のものが好ま
しく、アラルキル基とは炭素数７〜２０のものが好まし
い。
【００５１】ｎは２、３または４であり、Ｙ1 の定義は
前記と同じく、単結合もしくは酸素原子である。
前記と同じく、単結合もしくは酸素原子である。
【００５２】上記式（III ）で表わされる化合物の具体
例としては下記の化合物を例示することができる。
例としては下記の化合物を例示することができる。
【００５３】
【化９】
【００５４】
【化１０】
【００５５】ポリカーボネートとホスホニウム塩及び／
又はアンモニウム塩で処理された炭酸カルシウム及び／
又は酸化チタンとの混合方法ならびに混合順序には特に
制限はなく、公知の混合機、例えばタンブラー、リボン
ブレンダー、高速ミキサー等で混合し、溶融混練して行
うことができる。さらに、ポリカーボネートと化合物と
を一括混合することも、また特定成分のみを混合した
後、残る成分を添加混合することも可能である。
又はアンモニウム塩で処理された炭酸カルシウム及び／
又は酸化チタンとの混合方法ならびに混合順序には特に
制限はなく、公知の混合機、例えばタンブラー、リボン
ブレンダー、高速ミキサー等で混合し、溶融混練して行
うことができる。さらに、ポリカーボネートと化合物と
を一括混合することも、また特定成分のみを混合した
後、残る成分を添加混合することも可能である。
【００５６】なお、混合時、必要に応じて公知の添加剤
や他の熱可塑性樹脂、例えば離型剤、帯電防止剤、酸化
防止剤、紫外線吸収剤、難燃剤、染顔料、ゴム強化スチ
レン系樹脂、ポリオレフィン、ポリアミド、飽和ポリエ
ステル、アクリル系樹脂等を配合することができる。
や他の熱可塑性樹脂、例えば離型剤、帯電防止剤、酸化
防止剤、紫外線吸収剤、難燃剤、染顔料、ゴム強化スチ
レン系樹脂、ポリオレフィン、ポリアミド、飽和ポリエ
ステル、アクリル系樹脂等を配合することができる。
【００５７】
【実施例】以下に本発明を実施例により具体的に説明す
るが、それら実施例に限定されるものではない。また
“部”は重量基準に基づく。
るが、それら実施例に限定されるものではない。また
“部”は重量基準に基づく。
【００５８】［参考例］ （ホスホニウム塩及び／又はアンモニウム塩と混合した
炭酸カルシウム及び／又は酸化チタンの調整）１重量部
の表１に示す種類ホスホニウム塩及び／又はアンモニウ
ム塩を１００重量部のアセトンに溶解又は分散せしめ
た。
炭酸カルシウム及び／又は酸化チタンの調整）１重量部
の表１に示す種類ホスホニウム塩及び／又はアンモニウ
ム塩を１００重量部のアセトンに溶解又は分散せしめ
た。
【００５９】該溶液中に表１に示す割合となるように所
定量の酸化チタン及び／又は炭酸カルシウムを浸漬し、
真空下（２０ｔｏｒ）６０℃で加熱、乾燥しアセトンを
蒸発させた。
定量の酸化チタン及び／又は炭酸カルシウムを浸漬し、
真空下（２０ｔｏｒ）６０℃で加熱、乾燥しアセトンを
蒸発させた。
【００６０】［実施例１〜８及び比較例１〜３］ポリカ
ーボネート、参考例で調整した炭酸カルシウム及び／又
は酸化チタンを表１に示す配合比率に基づき、タンブラ
ーで混合した後、押出機にて造粒した。なお、造粒時、
リン系安定剤を０．１部添加した。得られたペレットよ
り各種試験共を作成し、試験に供した。試験結果を表１
に示す。
ーボネート、参考例で調整した炭酸カルシウム及び／又
は酸化チタンを表１に示す配合比率に基づき、タンブラ
ーで混合した後、押出機にて造粒した。なお、造粒時、
リン系安定剤を０．１部添加した。得られたペレットよ
り各種試験共を作成し、試験に供した。試験結果を表１
に示す。
【００６１】本実施例で用いられた材料は以下のとおり
である。 ＰＣ―１：ビスフェノールＡとホスゲンから製造された
粘度平均分子量２２０００の芳香族ポリカーボネート。 ＰＣ―２：ビスフェノールＡとジフェニルカーボネート
から製造された粘度平均分子量２５０００の芳香族ポリ
カーボネート。 炭酸カルシウム：平均粒径 ４．５μｍ 酸化チタン：平均粒径 ０．１９μｍ
である。 ＰＣ―１：ビスフェノールＡとホスゲンから製造された
粘度平均分子量２２０００の芳香族ポリカーボネート。 ＰＣ―２：ビスフェノールＡとジフェニルカーボネート
から製造された粘度平均分子量２５０００の芳香族ポリ
カーボネート。 炭酸カルシウム：平均粒径 ４．５μｍ 酸化チタン：平均粒径 ０．１９μｍ
【００６２】尚、本発明で示した特性は以下の測定法に
よって行った。 耐スチーム性 射出成形（シリンダー設定温度：２８０℃）した平板
（４５×５５×３ｍｍ）を相対湿度９８％、温度１４０
℃の加圧型恒温恒湿槽中で４８時間状態調整し、処理前
後の分子量を測定し、その変化率で表わした。
よって行った。 耐スチーム性 射出成形（シリンダー設定温度：２８０℃）した平板
（４５×５５×３ｍｍ）を相対湿度９８％、温度１４０
℃の加圧型恒温恒湿槽中で４８時間状態調整し、処理前
後の分子量を測定し、その変化率で表わした。
【００６３】熱安定性 下記の射出成形条件Ａ、Ｂで成形した平板（４５×５５
×３ｍｍ）のイエローネスインデックス（ＹＩ）を測定
し、その差で表わした。 条件Ａ：シリンダー設定温度 ３００℃ 成形サイクル ３０分 条件Ｂ：シリンダー設定温度 ２８０℃ 成形サイクル ３５秒
×３ｍｍ）のイエローネスインデックス（ＹＩ）を測定
し、その差で表わした。 条件Ａ：シリンダー設定温度 ３００℃ 成形サイクル ３０分 条件Ｂ：シリンダー設定温度 ２８０℃ 成形サイクル ３５秒
【００６４】全光線透過率 射出成形（シリンダー設定温度：２８０℃）した平板
（４５×５５×３ｍｍ）を用いてＡＳＴＭＤ―１００３
０に準じて測定した。
（４５×５５×３ｍｍ）を用いてＡＳＴＭＤ―１００３
０に準じて測定した。
【００６５】光拡散性 透明グローブ電球の前方４ｍの所に、射出成形（シリン
ダー設定温度：２８０℃）した平板（４５×５５×３ｍ
ｍ）を置き、その後方５ｃｍの所より肉眼で、平板を通
して電球を注視し、フィラメントの透視度合を５段階評
価した。数値の大きい方が透視度合が低く好ましい。
ダー設定温度：２８０℃）した平板（４５×５５×３ｍ
ｍ）を置き、その後方５ｃｍの所より肉眼で、平板を通
して電球を注視し、フィラメントの透視度合を５段階評
価した。数値の大きい方が透視度合が低く好ましい。
【００６６】耐衝撃性 ＡＳＴＭＤ―２５６に準じて測定した。１／８インチ
厚。
厚。
【００６７】
【表１】
【００６８】
【発明の効果】本発明によれば、耐スチーム性、熱安定
性に優れたポリカーボネート組成物が提供される。
性に優れたポリカーボネート組成物が提供される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08L 69/00
Claims (1)
- 【請求項１】 ポリカーボネート１００重量部当り、炭
酸カルシウム０．１〜５重量部及び／又は酸化チタン
０．０５〜５重量部を配合してなるポリカーボネート組
成物であって、該炭酸カルシウム及び／又は酸化チタン
がホスホニウム塩及び／又はアンモニウム塩で処理され
たものであることを特徴とするポリカーボネート組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01367597A JP3357809B2 (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | ポリカーボネート組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01367597A JP3357809B2 (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | ポリカーボネート組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10204280A JPH10204280A (ja) | 1998-08-04 |
| JP3357809B2 true JP3357809B2 (ja) | 2002-12-16 |
Family
ID=11839772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01367597A Expired - Fee Related JP3357809B2 (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | ポリカーボネート組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3357809B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3447848B2 (ja) * | 1995-06-19 | 2003-09-16 | 帝人化成株式会社 | 光拡散透過用成形品 |
-
1997
- 1997-01-28 JP JP01367597A patent/JP3357809B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10204280A (ja) | 1998-08-04 |
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