JP3356692B2 - ファイバレーザ - Google Patents
ファイバレーザInfo
- Publication number
- JP3356692B2 JP3356692B2 JP22142698A JP22142698A JP3356692B2 JP 3356692 B2 JP3356692 B2 JP 3356692B2 JP 22142698 A JP22142698 A JP 22142698A JP 22142698 A JP22142698 A JP 22142698A JP 3356692 B2 JP3356692 B2 JP 3356692B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core
- fiber
- cladding layer
- fiber laser
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C13/00—Fibre or filament compositions
- C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
- C03C13/045—Silica-containing oxide glass compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/06708—Constructional details of the fibre, e.g. compositions, cross-section, shape or tapering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2203/00—Fibre product details, e.g. structure, shape
- C03B2203/10—Internal structure or shape details
- C03B2203/22—Radial profile of refractive index, composition or softening point
- C03B2203/23—Double or multiple optical cladding profiles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2201/00—Glass compositions
- C03C2201/06—Doped silica-based glasses
- C03C2201/20—Doped silica-based glasses containing non-metals other than boron or halide
- C03C2201/28—Doped silica-based glasses containing non-metals other than boron or halide containing phosphorus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2201/00—Glass compositions
- C03C2201/06—Doped silica-based glasses
- C03C2201/30—Doped silica-based glasses containing metals
- C03C2201/31—Doped silica-based glasses containing metals containing germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2201/00—Glass compositions
- C03C2201/06—Doped silica-based glasses
- C03C2201/30—Doped silica-based glasses containing metals
- C03C2201/34—Doped silica-based glasses containing metals containing rare earth metals
- C03C2201/36—Doped silica-based glasses containing metals containing rare earth metals containing rare earth metals and aluminium, e.g. Er-Al co-doped
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/06708—Constructional details of the fibre, e.g. compositions, cross-section, shape or tapering
- H01S3/06729—Peculiar transverse fibre profile
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/094003—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light the pumped medium being a fibre
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/094003—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light the pumped medium being a fibre
- H01S3/094007—Cladding pumping, i.e. pump light propagating in a clad surrounding the active core
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザをクラッド
層を介してポンピングするファイバレーザ装置に関す
る。
層を介してポンピングするファイバレーザ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】希土類元素をドープしたファイバレーザ
は、ファイバリンクおよびエルビウムドープファイバ増
幅器のような活性ファイバデバイスでもって集積される
光通信システム内で様々に利用されている。ファイバレ
ーザは、ＧａＡｌＡｓ製で高パワーで、シングルモード
出力を有する安価なマルチモードレーザでもってポンピ
ングされるレーザである。ファイバレーザは、大きな活
性領域を有し、その結果、加熱の影響（他の半導体レー
ザ構造体の寿命に悪影響を与える）がほとんど存在しな
い。これに関しては、例えばＬ．Zenteno著の“High-Po
wer Double-CladFiber Lasers”、Journal of Lightwav
e Technolory,Vol.11,No.9,pp.1435-1446,Sept.1993.を
参照のこと。
は、ファイバリンクおよびエルビウムドープファイバ増
幅器のような活性ファイバデバイスでもって集積される
光通信システム内で様々に利用されている。ファイバレ
ーザは、ＧａＡｌＡｓ製で高パワーで、シングルモード
出力を有する安価なマルチモードレーザでもってポンピ
ングされるレーザである。ファイバレーザは、大きな活
性領域を有し、その結果、加熱の影響（他の半導体レー
ザ構造体の寿命に悪影響を与える）がほとんど存在しな
い。これに関しては、例えばＬ．Zenteno著の“High-Po
wer Double-CladFiber Lasers”、Journal of Lightwav
e Technolory,Vol.11,No.9,pp.1435-1446,Sept.1993.を
参照のこと。
【０００３】ファイバレーザのパワーはキャビティ長に
比例している。しかし、ファイバ材料内の主要な損失は
その長さに比例し、損失は長期にわたりシステム性能を
不安定にしながら増加していく。パワーを増加させる好
ましい別の方法はコアの直径を増加させることである。
即ちあるファイバ長にわたってポンプ吸収領域を増加さ
せることにより活性コア領域を増加させることである。
しかし、シングルモード出力においてはコアのΔを低く
する必要がある。Ｇｅドーパントのしきい値レベルを維
持することはファイバコアにブラググレーティングを書
き込みそれによりレーザキャビティを形成するために必
要である。同時にまた活性希土類イオンを溶融するため
に、Ａｌのようなドーパントの助けが必要であることも
知られている。このためにある有効量のＡｌが存在しな
いと希土類ドーパントは結晶化して過剰な散乱損失を引
き起こす。しかしこの両方の添加物（Ａｌ、Ｇｅ）はコ
アのΔを増加させてしまう。屈折率変更ドーパントの全
体的レベルを上記したコアのΔを満たすよう十分低く維
持するためのＧｅとＡｌの濃度は上記の目的（再結晶化
防止）を達成するためには低すぎる。
比例している。しかし、ファイバ材料内の主要な損失は
その長さに比例し、損失は長期にわたりシステム性能を
不安定にしながら増加していく。パワーを増加させる好
ましい別の方法はコアの直径を増加させることである。
即ちあるファイバ長にわたってポンプ吸収領域を増加さ
せることにより活性コア領域を増加させることである。
しかし、シングルモード出力においてはコアのΔを低く
する必要がある。Ｇｅドーパントのしきい値レベルを維
持することはファイバコアにブラググレーティングを書
き込みそれによりレーザキャビティを形成するために必
要である。同時にまた活性希土類イオンを溶融するため
に、Ａｌのようなドーパントの助けが必要であることも
知られている。このためにある有効量のＡｌが存在しな
いと希土類ドーパントは結晶化して過剰な散乱損失を引
き起こす。しかしこの両方の添加物（Ａｌ、Ｇｅ）はコ
アのΔを増加させてしまう。屈折率変更ドーパントの全
体的レベルを上記したコアのΔを満たすよう十分低く維
持するためのＧｅとＡｌの濃度は上記の目的（再結晶化
防止）を達成するためには低すぎる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、これ
らの相反する要件（コアのΔを低く維持することと希土
類ドーパントの再結晶化防止）を満たし、有効コアの直
径を増加させるようなアプローチを求めることである。
らの相反する要件（コアのΔを低く維持することと希土
類ドーパントの再結晶化防止）を満たし、有効コアの直
径を増加させるようなアプローチを求めることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の光ファイバレー
ザのコアの組成によれば、複数の屈折率変更ドーパント
をコア内に大量に含有させその結果コアの屈折率におよ
ぼすこれらの合算された影響を、個々の構成要素だけの
屈折率変更の影響よりも少なくさせるものである。本発
明の光ファイバのコアの組成により、ファイバレーザの
コアの直径が大幅に増加できる。このような合成的な効
果は、必須の構成材料（この場合、Ａｌ）の少なくとも
１つの屈折率変更の効果を相殺するような、逆効果ドー
パントとしてＰを用いることにより得られる。
ザのコアの組成によれば、複数の屈折率変更ドーパント
をコア内に大量に含有させその結果コアの屈折率におよ
ぼすこれらの合算された影響を、個々の構成要素だけの
屈折率変更の影響よりも少なくさせるものである。本発
明の光ファイバのコアの組成により、ファイバレーザの
コアの直径が大幅に増加できる。このような合成的な効
果は、必須の構成材料（この場合、Ａｌ）の少なくとも
１つの屈折率変更の効果を相殺するような、逆効果ドー
パントとしてＰを用いることにより得られる。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１には、光ファイバコイル１１
を有する一般的なファイバレーザ構造を示し、この光フ
ァイバコイル１１の一部がある長さを示すように切断さ
れている。この構造体におけるファイバの長さは、一般
的には数十メートルのオーダーであり、同図においては
ファイバは、複数回巻回された状態で示されている。こ
のファイバは、円形状または楕円状のような様々な形状
のマンドレル構造体に巻回されている。原理的にはこの
ファイバは、端部でポンピングしているよう図示してい
るがこのファイバの全長あるいはその一部でポンピング
してもよい。
を有する一般的なファイバレーザ構造を示し、この光フ
ァイバコイル１１の一部がある長さを示すように切断さ
れている。この構造体におけるファイバの長さは、一般
的には数十メートルのオーダーであり、同図においては
ファイバは、複数回巻回された状態で示されている。こ
のファイバは、円形状または楕円状のような様々な形状
のマンドレル構造体に巻回されている。原理的にはこの
ファイバは、端部でポンピングしているよう図示してい
るがこのファイバの全長あるいはその一部でポンピング
してもよい。
【０００７】レーザキャビティは、コイル状のファイバ
の両端に示されるプラグ反射器１２、１３により形成さ
れる。これらの反射器１２，１３即ちグレーティング
は、光ファイバのコアに屈折率変化を照射光で形成する
ことにより生成される。好ましくは、このコアはグレー
ティングを書き込む前に、例えば水素浸積（hydrogen s
oak)でもって適宜感光性を与える。所望のグレーティン
グパターンは、光ファイバの長さ方向に沿って明暗度を
変化させながら即ち周期的に変化させながら、化学線放
射（一般的にはエキシマレーザ−の波長２４０ｎｍ近傍
でポンプされる周波数二重色素レーザ）を用いて形成さ
れる。これはフォトマスクを用いて、あるいは生成され
たパターン化光ビームを用いた緩衝パターンを用いて形
成される。この屈折率変動は、Ｇｅのような吸収イオン
の欠陥サイトにおいてＵＶにより導入される屈折率変動
により生成される。Ｇｅをドープしたファイバは、公知
の水素あるいは重水素処理により感光性を帯びる。非常
に大きな（０．０１以上）の屈折率変動はこのようなプ
ロセスにより得られる。光学グレーティングを形成する
これらの技術は、例えば、米国特許４７２５１１０号、
米国特許５３２７５１５号に開示され、公知である。
の両端に示されるプラグ反射器１２、１３により形成さ
れる。これらの反射器１２，１３即ちグレーティング
は、光ファイバのコアに屈折率変化を照射光で形成する
ことにより生成される。好ましくは、このコアはグレー
ティングを書き込む前に、例えば水素浸積（hydrogen s
oak)でもって適宜感光性を与える。所望のグレーティン
グパターンは、光ファイバの長さ方向に沿って明暗度を
変化させながら即ち周期的に変化させながら、化学線放
射（一般的にはエキシマレーザ−の波長２４０ｎｍ近傍
でポンプされる周波数二重色素レーザ）を用いて形成さ
れる。これはフォトマスクを用いて、あるいは生成され
たパターン化光ビームを用いた緩衝パターンを用いて形
成される。この屈折率変動は、Ｇｅのような吸収イオン
の欠陥サイトにおいてＵＶにより導入される屈折率変動
により生成される。Ｇｅをドープしたファイバは、公知
の水素あるいは重水素処理により感光性を帯びる。非常
に大きな（０．０１以上）の屈折率変動はこのようなプ
ロセスにより得られる。光学グレーティングを形成する
これらの技術は、例えば、米国特許４７２５１１０号、
米国特許５３２７５１５号に開示され、公知である。
【０００８】再び図１において、ファイバレーザはレー
ザダイオード１４により端部でポンピングされる。ファ
イバレーザの出力は１５で示される。図１は、実際の大
きさ通り示されていない。例えばレーザダイオードは、
光ファイバから離れた状態で示されているが適当なカプ
ラで光ファイバにレーザを接続してもよい。
ザダイオード１４により端部でポンピングされる。ファ
イバレーザの出力は１５で示される。図１は、実際の大
きさ通り示されていない。例えばレーザダイオードは、
光ファイバから離れた状態で示されているが適当なカプ
ラで光ファイバにレーザを接続してもよい。
【０００９】図２には光ファイバの端面図が示されてい
る。同図は光ファイバに沿ったどの位置の断面図でもあ
る。このファイバレーザは、コア２１と第１クラッド層
２２と第２クラッド層２３とを有する。このファイバレ
ーザは、断面が円形で示されているが、モード結合を可
能にするために若干楕円形でもよい。本発明によるファ
イバのコアの組成は以下に述べるとおりである。第１ク
ラッド層２２は、高純度のシリカ材料で好ましくは純正
のＳｉＯ2、あるいは少なくとも８５％のＳｉＯ2製であ
る。好ましくは、第１クラッド層２２は、例えばＧｅ、
Ａｌ、Ｐのようなドーパントを含み、クラッド層の屈折
率を増加させクラッド層とコアとの間のΔを減少させ
る。原理的にはこのことにより、前述した制約を緩和す
る。すなわちコアは、コア／クラッド層の導波特性全体
を所望に維持しながら高濃度にドーピングすることがで
きる。しかし、本発明の原理を用いてΔを低減させるの
が好ましい。その理由は十分な純度を有する適宜にドー
ピングされたクラッド材料は市販されていないからであ
る。
る。同図は光ファイバに沿ったどの位置の断面図でもあ
る。このファイバレーザは、コア２１と第１クラッド層
２２と第２クラッド層２３とを有する。このファイバレ
ーザは、断面が円形で示されているが、モード結合を可
能にするために若干楕円形でもよい。本発明によるファ
イバのコアの組成は以下に述べるとおりである。第１ク
ラッド層２２は、高純度のシリカ材料で好ましくは純正
のＳｉＯ2、あるいは少なくとも８５％のＳｉＯ2製であ
る。好ましくは、第１クラッド層２２は、例えばＧｅ、
Ａｌ、Ｐのようなドーパントを含み、クラッド層の屈折
率を増加させクラッド層とコアとの間のΔを減少させ
る。原理的にはこのことにより、前述した制約を緩和す
る。すなわちコアは、コア／クラッド層の導波特性全体
を所望に維持しながら高濃度にドーピングすることがで
きる。しかし、本発明の原理を用いてΔを低減させるの
が好ましい。その理由は十分な純度を有する適宜にドー
ピングされたクラッド材料は市販されていないからであ
る。
【００１０】第２クラッド層２３は、第１クラッド層２
２内にポンプ放射を閉じこめることのできる、すなわち
第１クラッド層２２に対し十分なΔを有するようないか
なるクラッド材料でもよい。本明細書においてΔは０．
０３以上である。好ましい第２クラッド層２３は、必要
なΔを生成するためにフッ素でドーピングした公知のポ
リマーコーティング材料の中の１つである。このような
材料を選択する利点は、第２クラッド層２３が主要なフ
ァイバコーティングとしても機能することができる点で
ある。このような適切な材料の例は、ＵＶ固化のフッ素
で処理されたアクリル酸塩（UV-curable fluorinated a
crylates）である。
２内にポンプ放射を閉じこめることのできる、すなわち
第１クラッド層２２に対し十分なΔを有するようないか
なるクラッド材料でもよい。本明細書においてΔは０．
０３以上である。好ましい第２クラッド層２３は、必要
なΔを生成するためにフッ素でドーピングした公知のポ
リマーコーティング材料の中の１つである。このような
材料を選択する利点は、第２クラッド層２３が主要なフ
ァイバコーティングとしても機能することができる点で
ある。このような適切な材料の例は、ＵＶ固化のフッ素
で処理されたアクリル酸塩（UV-curable fluorinated a
crylates）である。
【００１１】図２に示す構造体の寸法は大きく変更可能
である。第１クラッド層２２は通常５０〜４００μｍの
範囲内にあり好ましくは１００〜３００μｍの範囲内に
ある。第２クラッド層２３の厚さは１０μｍから数百μ
ｍの範囲にある。光導波目的のためにこの層は比較的薄
い。第２クラッド層２３が主要なあるいは唯一のコーテ
ィング層の場合にはこれ以上の厚さが望ましい。
である。第１クラッド層２２は通常５０〜４００μｍの
範囲内にあり好ましくは１００〜３００μｍの範囲内に
ある。第２クラッド層２３の厚さは１０μｍから数百μ
ｍの範囲にある。光導波目的のためにこの層は比較的薄
い。第２クラッド層２３が主要なあるいは唯一のコーテ
ィング層の場合にはこれ以上の厚さが望ましい。
【００１２】コアの寸法は本発明として重要な点であ
る。市場で一般的に用いられているコアのサイズは６μ
ｍのオーダーである。ファイバレーザを標準の入力／出
力ファイバリンクあるいは他のファイバデバイスとの接
続を容易にするためおよびその接続損失を低減するため
にコアの直径が近接して整合していることが重要であ
る。しかしグレーティングのＵＶ書き込みが可能となる
ようなコアの組成を有する一般的な光ファイバにおいて
はコアの径は６μｍ未満である。例えば、ファイバレー
ザのコアは、次のような組成を有する（その組成は屈折
率で表されている）。 Ｙｂ+3 ： Δｎ＝０．００１ Ａｌ ： Δｎ＝０．００４ Ｇｅ ： Δｎ＝０．００４ 全体 ： Δｎ＝０．００９
る。市場で一般的に用いられているコアのサイズは６μ
ｍのオーダーである。ファイバレーザを標準の入力／出
力ファイバリンクあるいは他のファイバデバイスとの接
続を容易にするためおよびその接続損失を低減するため
にコアの直径が近接して整合していることが重要であ
る。しかしグレーティングのＵＶ書き込みが可能となる
ようなコアの組成を有する一般的な光ファイバにおいて
はコアの径は６μｍ未満である。例えば、ファイバレー
ザのコアは、次のような組成を有する（その組成は屈折
率で表されている）。 Ｙｂ+3 ： Δｎ＝０．００１ Ａｌ ： Δｎ＝０．００４ Ｇｅ ： Δｎ＝０．００４ 全体 ： Δｎ＝０．００９
【００１３】Ｙｂは、所望の出力パワーレベルを与える
ために十分なポンプ放射を吸収できる十分な濃度で含ま
れる。この濃度は９１５ｎｍにおいて１５０ｄＢ／ｍの
吸収を示す。ＡｌはＹｂを溶解するために含有されてい
る。Ｇｅはブラググレーティングを書き込むのに十分な
量を含有されている。
ために十分なポンプ放射を吸収できる十分な濃度で含ま
れる。この濃度は９１５ｎｍにおいて１５０ｄＢ／ｍの
吸収を示す。ＡｌはＹｂを溶解するために含有されてい
る。Ｇｅはブラググレーティングを書き込むのに十分な
量を含有されている。
【００１４】１０６０ｎｍのシングルモード動作用に
は、このファイバレーザのコアのサイズは４．７μｍで
ある。２００μｍの全体直径のファイバにおいてはこの
ファイバレーザの長さは１００ｍ以上である。
は、このファイバレーザのコアのサイズは４．７μｍで
ある。２００μｍの全体直径のファイバにおいてはこの
ファイバレーザの長さは１００ｍ以上である。
【００１５】本発明により、ファイバレーザのコアはＰ
がドーピングされている。ＰはＡｌの屈折率変更効果に
対抗して、コア内にコアのΔを増加させることなく希土
類イオンを溶融するのに十分なレベルで含入される。こ
の一般的な目的は、コアのΔを上記の屈折率補償技術を
用いて、０．００７以下（第１クラッド層２２として、
純粋のシリカをベースにした場合）にすることである。
以下のコアの組成を、本発明の例としてあげる。各場合
においてホスト材料はシリカであり、コアのΔはシリカ
を第１クラッド層２２として計算されている。
がドーピングされている。ＰはＡｌの屈折率変更効果に
対抗して、コア内にコアのΔを増加させることなく希土
類イオンを溶融するのに十分なレベルで含入される。こ
の一般的な目的は、コアのΔを上記の屈折率補償技術を
用いて、０．００７以下（第１クラッド層２２として、
純粋のシリカをベースにした場合）にすることである。
以下のコアの組成を、本発明の例としてあげる。各場合
においてホスト材料はシリカであり、コアのΔはシリカ
を第１クラッド層２２として計算されている。
【００１６】実験例１ 組成 モル％ Δｎ Ｙｂ+3 ０．５ ０．００２ Ａｌ ５．７ ０．００５４ Ｐ １．４ ０．００１４ Ｇｅ ０．４ ０．０００６ Δｎ＝０．００６６
【００１７】ＡｌとＰの組み合わせ成分からのΔｎに対
する実寄与分は０．００４である。その理由は、これら
互いに相殺するからである。このファイバのコアの直径
は５．０μｍで、カットオフ波長は、９５０ｎｍ以下で
ある。内側クラッド層の直径は２００μｍで、９１５ｎ
ｍにおいて０．１８ｄＢ／ｍの吸収率を示した。このデ
バイスの長さは、約７０ｍであった。これらの特性は、
この実施例においてデバイスのＧｅ濃度が頑強なグレー
ティングを書き込むには低すぎる点を除いては好ましい
ものであった。グレーティングを書き込むためにＧｅの
濃度を１．５％に増加させ他の組成の濃度を同一に維持
するとこのデバイスの長さは１１０ｍとなる。
する実寄与分は０．００４である。その理由は、これら
互いに相殺するからである。このファイバのコアの直径
は５．０μｍで、カットオフ波長は、９５０ｎｍ以下で
ある。内側クラッド層の直径は２００μｍで、９１５ｎ
ｍにおいて０．１８ｄＢ／ｍの吸収率を示した。このデ
バイスの長さは、約７０ｍであった。これらの特性は、
この実施例においてデバイスのＧｅ濃度が頑強なグレー
ティングを書き込むには低すぎる点を除いては好ましい
ものであった。グレーティングを書き込むためにＧｅの
濃度を１．５％に増加させ他の組成の濃度を同一に維持
するとこのデバイスの長さは１１０ｍとなる。
【００１８】以下の実験例は、Ｇｅの濃度を増加してデ
バイスへのグレーティングの書き込みを容易にし、かつ
ＡｌとＰの濃度はバランスさせてΔｎへの寄与分を相殺
させるようにしたものである。
バイスへのグレーティングの書き込みを容易にし、かつ
ＡｌとＰの濃度はバランスさせてΔｎへの寄与分を相殺
させるようにしたものである。
【００１９】実験例２ 組成 モル％ Δｎ Ｙｂ+3 ０．５ ０．００２ Ａｌ ４．３ ０．００４ Ｐ ４．３ ０．００４ Ｇｅ １．５ ０．００２２ Δｎ＝０．００４２
【００２０】このファイバのコアの直径は６．２μｍ
で、波長は９５０ｎｍ以下である。２００μｍのクラッ
ド層の吸収率は０．２８ｄＢ／ｍであり、このデバイス
の長さは４５ｍで、実験例１のデバイスと比較して大幅
に短くなっている。グレーティングはこのファイバに容
易に書き込むことができる。しかし、この組成のファイ
バにグレーティングを書き込む際には、その書き込み条
件は結晶化を回避するために注意深く制御しなければな
らない。
で、波長は９５０ｎｍ以下である。２００μｍのクラッ
ド層の吸収率は０．２８ｄＢ／ｍであり、このデバイス
の長さは４５ｍで、実験例１のデバイスと比較して大幅
に短くなっている。グレーティングはこのファイバに容
易に書き込むことができる。しかし、この組成のファイ
バにグレーティングを書き込む際には、その書き込み条
件は結晶化を回避するために注意深く制御しなければな
らない。
【００２１】実験例３ 組成 モル％ Δｎ Ｙｂ+3 ０．５ ０．００２ Ａｌ ５．７ ０．００５４ Ｐ ８．６ ０．００８１ Ｇｅ １．５ ０．００２２ Δｎ＝０．００６９
【００２２】このファイバのコアの直径は５．１２μｍ
で、波長は９５０ｎｍ以下である。２００μｍのクラッ
ド層の吸収率は０．２８ｄＢ／ｍであり、このデバイス
の長さは６６ｍで、実験例２のデバイスと比較して大幅
に短くなっている。このファイバの構造体は、強いグレ
ーティングの書き込みが可能であり結晶化することなく
容易に書き込むことができる。
で、波長は９５０ｎｍ以下である。２００μｍのクラッ
ド層の吸収率は０．２８ｄＢ／ｍであり、このデバイス
の長さは６６ｍで、実験例２のデバイスと比較して大幅
に短くなっている。このファイバの構造体は、強いグレ
ーティングの書き込みが可能であり結晶化することなく
容易に書き込むことができる。
【００２３】本発明のこれらの実験例の大部分に用いら
れる希土類はＹｂであり、出力波長は１０６０ｎｍであ
る。他の希土類例えば、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｄｙ
も全部あるいはその一部で置換することができる。イオ
ン濃度は使用されるポンプ放射の吸収レベルに依存して
変化するが、通常、０．１〜３．０モル％で、一般的に
は、０．１〜２．０モル％である。これらの組成におけ
る希土類元素を、溶融するに必要なＡｌの量は０．５〜
８．０モル％の範囲内であり、Ａｌの屈折率変動の効果
をうち消すために添加されるＰの量は、０．５〜８．０
モル％である。ブラググレーティングを効率よく書き込
むためには、必要とされるＧｅの量は、０．２〜３．０
モル％である。これらのコアのドーパントを有するファ
イバは、ファイバプリフォームの製造中に、構成組成を
その酸化物の形態で混合することにより形成できる。
れる希土類はＹｂであり、出力波長は１０６０ｎｍであ
る。他の希土類例えば、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｄｙ
も全部あるいはその一部で置換することができる。イオ
ン濃度は使用されるポンプ放射の吸収レベルに依存して
変化するが、通常、０．１〜３．０モル％で、一般的に
は、０．１〜２．０モル％である。これらの組成におけ
る希土類元素を、溶融するに必要なＡｌの量は０．５〜
８．０モル％の範囲内であり、Ａｌの屈折率変動の効果
をうち消すために添加されるＰの量は、０．５〜８．０
モル％である。ブラググレーティングを効率よく書き込
むためには、必要とされるＧｅの量は、０．２〜３．０
モル％である。これらのコアのドーパントを有するファ
イバは、ファイバプリフォームの製造中に、構成組成を
その酸化物の形態で混合することにより形成できる。
【００２４】構成組成の範囲に対する上記の制約事項に
加えて全体の屈折率変動すなわちコアのΔは本発明の目
的を達成するために、最小でなければならない。複数の
ドーパントを組み合わせたモル％はコア２１と第１クラ
ッド層２２の間の全体の屈折率差を０．００８以下好ま
しくは０．００７２以下にするようにしなければならな
い。
加えて全体の屈折率変動すなわちコアのΔは本発明の目
的を達成するために、最小でなければならない。複数の
ドーパントを組み合わせたモル％はコア２１と第１クラ
ッド層２２の間の全体の屈折率差を０．００８以下好ま
しくは０．００７２以下にするようにしなければならな
い。
【００２５】これらの実験例に用いられたポンプダイオ
ードは、ブロードバンドのＧａＡｌＡｓデバイスであ
る。しかし、他の半導体レーザポンプソース、例えば、
ＩｎＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰも使用可能である。
半導体ポンプレーザが好ましいが、他のポンプソース、
例えば、Ｎｄ−ガラス、Ｔｉ−サファイアも使用するこ
とができる。
ードは、ブロードバンドのＧａＡｌＡｓデバイスであ
る。しかし、他の半導体レーザポンプソース、例えば、
ＩｎＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰも使用可能である。
半導体ポンプレーザが好ましいが、他のポンプソース、
例えば、Ｎｄ−ガラス、Ｔｉ−サファイアも使用するこ
とができる。
【００２６】これらの実験例に使用されたファイバレー
ザデバイスのファイバのコアの直径は約６μｍである。
これは、従来構造のコアの直径よりも約３０％大きい
が、この差はポンプ放射にさらされるコアの有効面積か
らすると６０％以上である。そのため、ある出力パワー
に対してはこのファイバレーザの長さは、従来技術のフ
ァイバレーザの長さの半分以下となる。さらに、ブラッ
ググレーティング上のフラッグスは、同一の面積比率で
減少する。かくして、デバイスの寿命中、反射器の損傷
の可能性を低減できる。本発明の教示を用いて、共通の
ファイバのコアの直径（すなわち５．５μｍ〜７．５μ
ｍ）にほぼ適合するコアを有するファイバレーザを容易
に製造可能である。
ザデバイスのファイバのコアの直径は約６μｍである。
これは、従来構造のコアの直径よりも約３０％大きい
が、この差はポンプ放射にさらされるコアの有効面積か
らすると６０％以上である。そのため、ある出力パワー
に対してはこのファイバレーザの長さは、従来技術のフ
ァイバレーザの長さの半分以下となる。さらに、ブラッ
ググレーティング上のフラッグスは、同一の面積比率で
減少する。かくして、デバイスの寿命中、反射器の損傷
の可能性を低減できる。本発明の教示を用いて、共通の
ファイバのコアの直径（すなわち５．５μｍ〜７．５μ
ｍ）にほぼ適合するコアを有するファイバレーザを容易
に製造可能である。
【００２７】実験例２では、ＡｌとＰの組成は同一量が
使用されている。すなわち各イオンの屈折率変化効果を
大幅に相殺して、コアのΔを最低にする量が用いられて
いる。本発明においては、等量のＡｌとＰを用いた場合
には、コアのΔを最小にする最も有効なアプローチであ
るが、希土類元素の組成が結晶化しやすいことが見いだ
された。調査した結果希土類元素の溶融度は、Ａｌまた
はＰのいずれかを過剰に使用された場合により効果的で
あることが判明した。さらにまた、実験例１と３に示さ
れるように、ＡｌとＰのモル量は等しくはない。一方
（ＡｌまたはＰ）が、他方（ＰまたはＡｌ）よりの過剰
量は５〜７５％で好ましくは５〜５０％の範囲内であ
る。
使用されている。すなわち各イオンの屈折率変化効果を
大幅に相殺して、コアのΔを最低にする量が用いられて
いる。本発明においては、等量のＡｌとＰを用いた場合
には、コアのΔを最小にする最も有効なアプローチであ
るが、希土類元素の組成が結晶化しやすいことが見いだ
された。調査した結果希土類元素の溶融度は、Ａｌまた
はＰのいずれかを過剰に使用された場合により効果的で
あることが判明した。さらにまた、実験例１と３に示さ
れるように、ＡｌとＰのモル量は等しくはない。一方
（ＡｌまたはＰ）が、他方（ＰまたはＡｌ）よりの過剰
量は５〜７５％で好ましくは５〜５０％の範囲内であ
る。
【００２８】さらに、本発明の実験中により、Ａｌは希
土類元素を溶融するのに幾分より有効であるということ
が判明した。従って、好ましい組成におけるＡｌのモル
量は、Ｐのモル量よりも７〜７５％さらに好ましくは５
〜５０％大きいものが好ましい。一方高レベルのイオン
化放射と高レベルの光学パワーのアプリケーションにお
いては、高いＰのレベルを有するのが好ましくＰリッチ
の組成が好ましい。
土類元素を溶融するのに幾分より有効であるということ
が判明した。従って、好ましい組成におけるＡｌのモル
量は、Ｐのモル量よりも７〜７５％さらに好ましくは５
〜５０％大きいものが好ましい。一方高レベルのイオン
化放射と高レベルの光学パワーのアプリケーションにお
いては、高いＰのレベルを有するのが好ましくＰリッチ
の組成が好ましい。
【００２９】本発明におけるファイバレーザの構造は、
エンドポンピングあるいはクラッド層ポンピングを容易
にするために、二重のクラッド層構造である。単一のク
ラッド層構造（同じくサイドポンピングされる）も、本
発明を適応できる。本発明において、クラッド層とは、
光ガイド機能を一部実行する層を意味する。二重のクラ
ッド層構造においては、第２のクラッド層は保護層とし
ても機能し、この機能を行う際にはファイバコーティン
グとも称する。しかし二重のクラッド層構造のファイバ
レーザは、第２クラッド層以外にコーティング層を有し
てもよい。
エンドポンピングあるいはクラッド層ポンピングを容易
にするために、二重のクラッド層構造である。単一のク
ラッド層構造（同じくサイドポンピングされる）も、本
発明を適応できる。本発明において、クラッド層とは、
光ガイド機能を一部実行する層を意味する。二重のクラ
ッド層構造においては、第２のクラッド層は保護層とし
ても機能し、この機能を行う際にはファイバコーティン
グとも称する。しかし二重のクラッド層構造のファイバ
レーザは、第２クラッド層以外にコーティング層を有し
てもよい。
【図１】ファイバレーザ装置を表す図。
【図２】図１のファイバレーザ装置内のファイバの断面
図。
図。
１１ 光ファイバコイル １２、１３ プラグ反射器 １４ レーザダイオード １５ 出力 ２１ コア ２２ 第１クラッド層 ２３ 第２クラッド層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デヴィッド ジョン ディジョヴァンニ アメリカ合衆国，07042 ニュージャー ジー，モントクレア，モントクレア ア ヴェニュー 126 (56)参考文献 特開 平７−15059（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−205239（ＪＰ，Ａ) 米国特許4830463（ＵＳ，Ａ) Ｄ．Ｐｕｒｅｕｒ ｅｔ ａｌ．，Ｊ ｏｕｒｎａｌ ｄｅ Ｐｈｙｓｉｑｕｅ （ＩＩＩ），フランス，Ｖｏｌ．５，Ｎ ｏ．３，ｐｐ．237−249 Ｋ．Ａｒａｉ ｅｔ ａｌ．，Ｊｏｕ ｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ ｙｓｉｃｓ，1986年５月15日，Ｖｏｌ. 59，Ｎｏ．10，ｐｐ．3430−3436 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 3/00 - 3/30
Claims (6)
- 【請求項１】（ａ） コア（２１）とこのコアを包囲す
る第１クラッド層（２２）と、該第１クラッド層を包囲
する第２クラッド層（２３）を有する所定長のガラス製
ファイバ（１１）と、 （ｂ） 前記ガラス製ファイバ（１１）の両端に前記ガ
ラス製ファイバに沿ってレーザキャビティを形成する反
射手段（１２，１３）と、 （ｃ） 前記ガラス製ファイバの一端に、その出力が前
記ガラス製ファイバのコアに整合するよう配置されたレ
ーザ手段（１４）と、 からなり、 前記ガラス製ファイバ（１１）のコアの組成は、 ０．１〜２．０モル％の希土類元素と ０．２〜３．０モル％のＧｅと ０．５〜８．０モル％のＡｌと ０．５〜８．０モル％のＰと 残りがＳｉＯ2であり、 前記コア（２１）の屈折率と前記第１クラッド層（２
２）の屈折率の差が、０．００８以下であり、 ＡｌとＰのそれぞれのモル％は、一方が他方よりも５〜
７５％だけ大きいことを特徴とするファイバレーザ。 - 【請求項２】 前記第１クラッド層（２２）は、少なく
とも８５％以上のＳｉＯ2からなることを特徴とする請
求項１記載のファイバレーザ。 - 【請求項３】 前記コア（２１）の直径は５．５μｍ以
上であることを特徴とする請求項１記載のファイバレー
ザ。 - 【請求項４】 前記希土類元素は、Ｙｂ、Ｎｄ、Ｈｏ、
Ｄｙ、Ｔｍ、Ｅｒからなるグループから選択されたもの
であることを特徴とする請求項１記載のファイバレー
ザ。 - 【請求項５】 前記希土類元素は、Ｙｂであることを特
徴とする請求項３記載のファイバレーザ。 - 【請求項６】 前記コア（２１）の屈折率と、第１クラ
ッド層（２２）の屈折率との差は、０．０７２以下であ
ることを特徴とする請求項１記載のファイバレーザ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/908,258 US5937134A (en) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | Cladding pumped fiber lasers |
| US08/908258 | 1997-08-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11112070A JPH11112070A (ja) | 1999-04-23 |
| JP3356692B2 true JP3356692B2 (ja) | 2002-12-16 |
Family
ID=25425462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22142698A Expired - Lifetime JP3356692B2 (ja) | 1997-08-07 | 1998-08-05 | ファイバレーザ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5937134A (ja) |
| EP (1) | EP0896404B1 (ja) |
| JP (1) | JP3356692B2 (ja) |
| DE (1) | DE69801405T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011060854A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Fujikura Ltd | 増幅用光ファイバ、及び、それを用いたファイバレーザ装置 |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000252558A (ja) | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光増幅用光ファイバおよびその製造方法 |
| JP4369576B2 (ja) * | 1999-11-25 | 2009-11-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ装置の製造方法およびレーザ加工装置の製造方法ならびに光増幅器の製造方法 |
| JP2001267665A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光増幅用光ファイバ、光ファイバ増幅器および光ファイバレーザ発振器 |
| US6487006B1 (en) * | 2000-05-12 | 2002-11-26 | Jds Uniphase Inc. | Simultaneous single mode and multi-mode propagation of signals in a double clad optical fiber |
| US6931032B2 (en) * | 2000-12-07 | 2005-08-16 | Kigre, Inc. | Method of transferring energy in an optical fiber laser structure using energy migration |
| EP1280247B1 (en) | 2001-07-23 | 2003-10-01 | Alcatel | Optical fiber amplifier device and communications system using the optical fiber amplifier device |
| US6560009B1 (en) * | 2001-08-21 | 2003-05-06 | Lucent Technologies Inc. | Erbium doped fibers for extended L-band amplification |
| EP1696251A3 (en) | 2001-08-30 | 2013-10-30 | Crystal Fibre A/S | Opticial fibre with high numerical aperture, method of its production and use thereof |
| US7590323B2 (en) * | 2001-08-30 | 2009-09-15 | Crystal Fibre A/S | Optical fibre with high numerical aperture, method of its production, and use thereof |
| AU2002342664A1 (en) * | 2001-09-10 | 2003-03-24 | Schott Glas | Glass fibre with at least two glass layers |
| JP2003142759A (ja) * | 2001-11-06 | 2003-05-16 | Toshiba Corp | ファイバレーザ装置およびそれを用いた映像表示装置 |
| US6970624B2 (en) | 2003-06-13 | 2005-11-29 | Furukawa Electric North America | Cladding pumped optical fiber gain devices |
| ATE400075T1 (de) * | 2003-06-16 | 2008-07-15 | Soreq Nuclear Res Ct | Optische vorrichtung |
| US7046902B2 (en) * | 2003-09-30 | 2006-05-16 | Coractive High-Tech Inc. | Large mode field diameter optical fiber |
| EP1708971B1 (en) | 2004-01-20 | 2015-06-10 | Corning Incorporated | Double clad optical fiber with rare earth metal doped glass core |
| WO2005082801A2 (en) | 2004-02-20 | 2005-09-09 | Corning Incorporated | Optical fiber and method for making such fiber |
| US7050686B2 (en) * | 2004-08-05 | 2006-05-23 | Nufern | Fiber optic article with inner region |
| US7062137B2 (en) * | 2004-08-05 | 2006-06-13 | Nufern | Fiber optic article including fluorine |
| NL1028153C2 (nl) * | 2005-01-28 | 2006-07-31 | Draka Comteq Bv | Transmissievezel met optische versterking en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
| JP4910328B2 (ja) * | 2005-08-03 | 2012-04-04 | 住友電気工業株式会社 | 光増幅装置およびレーザ光源装置 |
| JP5259923B2 (ja) * | 2006-01-20 | 2013-08-07 | 株式会社メガオプト | 光増幅モジュールおよびレーザ光源 |
| KR101383197B1 (ko) * | 2006-05-11 | 2014-04-09 | 에스피아이 레이저스 유케이 리미티드 | 광방사선 제공 장치 |
| JP2008078629A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Imra America Inc | ファイバ・レーザおよびファイバ増幅器用の希土類がドープされ有効区域が大きい光ファイバ |
| WO2008061530A1 (en) * | 2006-11-20 | 2008-05-29 | Crystal Fibre A/S | Optical fibre material comprising silica-based glass with reduced photo darkening |
| JP2008209603A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 光ファイバ |
| US20100316070A1 (en) | 2007-09-25 | 2010-12-16 | Mikhail Sumetsky | Asymmetrically perturbed optical fibers for mode transformers |
| JP5018492B2 (ja) * | 2008-01-15 | 2012-09-05 | 住友電気工業株式会社 | プリフォーム製造方法 |
| JP5018491B2 (ja) * | 2008-01-15 | 2012-09-05 | 住友電気工業株式会社 | プリフォーム製造方法 |
| US7848014B2 (en) * | 2008-04-09 | 2010-12-07 | Cisco Technology, Inc. | Erbium and Erbium/Ytterbium cladding pumped hybrid optical amplifier |
| WO2010016245A1 (ja) * | 2008-08-04 | 2010-02-11 | 株式会社フジクラ | イッテルビウム添加光ファイバ、ファイバレーザ及びファイバアンプ |
| WO2010016287A1 (ja) * | 2008-08-04 | 2010-02-11 | 株式会社フジクラ | イッテルビウム添加光ファイバ、ファイバレーザ及びファイバアンプ |
| WO2010052907A1 (ja) | 2008-11-04 | 2010-05-14 | 株式会社フジクラ | イッテルビウム添加光ファイバ |
| WO2010052940A1 (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-14 | 株式会社フジクラ | イッテルビウム添加光ファイバ |
| WO2010055696A1 (ja) | 2008-11-14 | 2010-05-20 | 株式会社フジクラ | イッテルビウム添加光ファイバ、ファイバレーザ及びファイバアンプ |
| WO2010055700A1 (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-20 | 株式会社フジクラ | イッテルビウム添加光ファイバ、ファイバレーザ及びファイバアンプ |
| US8494013B2 (en) | 2010-09-17 | 2013-07-23 | Corning Incorporated | Photodarkening resistant optical fibers and fiber lasers incorporating the same |
| FR2971245A1 (fr) * | 2011-02-04 | 2012-08-10 | Commissariat Energie Atomique | Dissolution des clusters d'ions terres rares dans les fibres optiques a base de silice |
| JP2012044224A (ja) * | 2011-11-28 | 2012-03-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光増幅装置およびレーザ光源装置 |
| US9366806B2 (en) | 2012-08-29 | 2016-06-14 | Ofs Fitel, Llc | Gain-producing fibers with increased cladding absorption while maintaining single-mode operation |
| US9366810B2 (en) | 2012-08-29 | 2016-06-14 | Ofs Fitel, Llc | Double-clad, gain-producing fibers with increased cladding absoroption while maintaining single-mode operation |
| CN112094052B (zh) * | 2019-09-16 | 2022-01-28 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 一种耐辐射石英光纤预制棒芯棒及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62111208A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光フアイバ |
| US5027079A (en) * | 1990-01-19 | 1991-06-25 | At&T Bell Laboratories | Erbium-doped fiber amplifier |
| GB9010943D0 (en) * | 1990-05-16 | 1990-07-04 | British Telecomm | Wave-guiding structure with lasing properties |
| WO1995022847A1 (en) * | 1994-02-18 | 1995-08-24 | British Telecommunications Public Limited Company | Gain controlled optical fibre amplifier |
| JP3670434B2 (ja) * | 1996-04-22 | 2005-07-13 | ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド | 多段光ファイバ増幅器を有するシステム |
-
1997
- 1997-08-07 US US08/908,258 patent/US5937134A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-07-28 EP EP98306019A patent/EP0896404B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-28 DE DE69801405T patent/DE69801405T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-05 JP JP22142698A patent/JP3356692B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Ｄ．Ｐｕｒｅｕｒ ｅｔ ａｌ．，Ｊｏｕｒｎａｌ ｄｅ Ｐｈｙｓｉｑｕｅ（ＩＩＩ），フランス，Ｖｏｌ．５，Ｎｏ．３，ｐｐ．２３７−２４９ |
| Ｋ．Ａｒａｉ ｅｔ ａｌ．，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，１９８６年５月１５日，Ｖｏｌ．５９，Ｎｏ．１０，ｐｐ．３４３０−３４３６ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011060854A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Fujikura Ltd | 増幅用光ファイバ、及び、それを用いたファイバレーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0896404A1 (en) | 1999-02-10 |
| DE69801405T2 (de) | 2002-05-29 |
| DE69801405D1 (de) | 2001-09-27 |
| EP0896404B1 (en) | 2001-08-22 |
| JPH11112070A (ja) | 1999-04-23 |
| US5937134A (en) | 1999-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3356692B2 (ja) | ファイバレーザ | |
| JP6306624B2 (ja) | シングルモード動作を維持したままクラッド吸収を増加させたダブルクラッドの利得をもたらすファイバ | |
| JP5436426B2 (ja) | イッテルビウム添加光ファイバ、ファイバレーザ及びファイバアンプ | |
| JP5436226B2 (ja) | イッテルビウム添加光ファイバ、ファイバレーザ及びファイバアンプ | |
| US5473622A (en) | Cladding-pumped MOPA structure | |
| US6751241B2 (en) | Multimode fiber laser gratings | |
| US6944192B2 (en) | Planar laser | |
| US5881197A (en) | Optical fibre and optical fibre device | |
| JP5470266B2 (ja) | イッテルビウム添加光ファイバ | |
| WO2010016245A1 (ja) | イッテルビウム添加光ファイバ、ファイバレーザ及びファイバアンプ | |
| JP2008535248A (ja) | 大パワー信号伝送光ファイバを利用する光学系及びそのような光学系の動作方法 | |
| WO2010055696A1 (ja) | イッテルビウム添加光ファイバ、ファイバレーザ及びファイバアンプ | |
| EP0723715A1 (en) | A diode pumped, cw operating, single-mode optical fiber laser emitting at 976 nm | |
| JP6306636B2 (ja) | シングルモード動作を維持したままクラッド吸収を増加させた利得をもたらすファイバ | |
| US7046902B2 (en) | Large mode field diameter optical fiber | |
| WO2010052907A1 (ja) | イッテルビウム添加光ファイバ | |
| RU203256U1 (ru) | Одномодовое эрбиевое радиационно-стойкое оптическое волокно с сохранением состояния поляризации | |
| Paye et al. | Gratings and fibers for high-power fiber lasers and amplifiers | |
| JPS63137492A (ja) | 光フアイバ | |
| JPH05343786A (ja) | 光導波路型レーザ | |
| JPH0715059A (ja) | 光増幅器用ファイバ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081004 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091004 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101004 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111004 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121004 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131004 Year of fee payment: 11 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |