JP3353411B2 - 芳香族ポリカーボネートの製造方法 - Google Patents
芳香族ポリカーボネートの製造方法Info
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Description
ポリカーボネートの製造法に関する。さらに詳しくは、
芳香族ジオール化合物と炭酸ジエステル化合物とから耐
熱性の改善された芳香族ポリカーボネートを溶融重縮合
反応で製造する方法に関するものである。
性などの機械的特性に優れ、しかも耐熱性、透明性など
にも優れたエンジニアリングプラスチックスとして、炭
酸飲料ボトル、電子基板(CD基板)、転写ベルト等、
多くの分野において幅広く用いられている。
しては、ビスフェノールなどの芳香族ジオールとホスゲ
ンとを界面重縮合法により反応させる、いわゆるホスゲ
ン法が工業化されている。しかし、このホスゲン法は、
人体に有毒なホスゲンを用いなければならないこと、多
量に副生する塩化ナトリウムの生成ポリマー中への混入
及び廃液処理問題、反応溶媒として通常用いられている
塩化メチレンの衛生、大気環境問題への懸念等、多くの
問題点が指摘されている。
テルとのエステル交換反応により芳香族ポリカーボネー
トを得る方法も、いわゆる溶融法あるいはノンホスゲン
法として古くから知られている。ノンホスゲン法は上記
の如きホスゲン法のいろいろな問題点もなく、又、より
安価に芳香族ポリカーボネートが製造できるという利点
を有しているとされている。しかし、ビスフェノールA
とジフェニルカーボネートとを反応させるノンホスゲン
法による芳香族ポリカーボネートの製法においては、一
般に、ポリマー末端水酸基含有量が(ビスフェノールA
/ホスゲン/末端封止剤)等を用いるホスゲン法により
得られる芳香族ポリカーボネートと比較して多く、ま
た、ノンホスゲン法において使用される触媒残渣の影響
等もあって、ノンホスゲン法により得られる芳香族ポリ
カーボネートの耐熱性はホスゲン法芳香族ポリカーボネ
ートと比べて一般的に劣る。
ポリカーボネートの耐熱性は、後述する5%重量減加熱
温度(Td5%)を尺度とすると約500℃であるが、
ノンホスゲン法による芳香族ポリカーボネートの耐熱性
は高々450℃程度と低い。芳香族ポリカーボネートの
成型は320℃前後の高い温度で行う必要があり、ポリ
カーボネートの耐熱性が低いとポリマー主鎖の切断、着
色そして機械的強度の低下といった問題が生じる。特に
中空容器等の薄肉成形(0.3〜0.6mm)や複雑な
形状の成型の際には、溶融粘度を下げるためにとくに高
温が必要となるので、ノンホスゲン法により得られるポ
リカーボネートの耐熱性の向上が実用化の上で問題とな
っている。
のエステル交換重縮合法(ノンホスゲン法)であっても
重縮合反応時にゲル状ポリマーの生成もなく、また熱分
解温度が高く、加熱溶融時の分子量変化がほとんどない
耐熱性の高い芳香族ポリカーボネートの製造方法を提供
することにある。
反応触媒としてセシウム塩を用いて芳香族ジオール化合
物と炭酸ジエステル化合物とを溶融重縮合反応させて芳
香族ポリカーボネートを製造する方法において、該エス
テル交換反応触媒のセシウム塩が水溶液として反応系に
導入されることを特徴とするポリカーボネートの製造方
法を提供するものである。
が使用される。具体的には、水酸化セシウム、炭酸セシ
ウム、炭酸水素セシウム、水素化ホウ素セシウム、硝酸
セシウム、硫酸セシウムなどの無機セシウム塩;ステア
リン酸セシウム、安息香酸セシウム等の有機酸セシウム
塩;セシウムメチレート、セシウムエチレート等のアル
コールセシウム塩;セシウムフェノレート、ビスフェノ
ールAのジセシウム塩などのフェノール類セシウム塩等
が挙げられる。
ム、炭酸セシウム、炭酸水素セシウムが好ましい。これ
らのエステル交換反応触媒は二種以上組み合せて使用す
ることもできる。ノンホスゲン法におけるエステル交換
反応触媒としては、水素化リチウム、水素化ホウ素リチ
ウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウ
ム、水素化ホウ素ルビジウム、水素化ホウ素セシウム、
水素化ホウ素バリウム、水素化ホウ素アルミニウム、フ
ェノキシリチウム、フェノキシナトリウム、フェノキシ
カリウム、フェノキシルビジウム、フェノキシセシウ
ム、チオ硫酸ナトリウム、酸化ベリリウム、酸化マグネ
シウム、酸化スズ(IV)、ジブチルスズオキシド、ジブ
チル錫ラウレート、水酸化ベリリウム、水酸化マグネシ
ウム、水酸化ゲルマニウム、酢酸ベリリウム、酢酸マグ
ネシウム、酢酸カルシウム、酢酸スズ(IV)、酢酸ゲル
マニウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム、炭酸ベリリウム、炭酸マグネシウム、炭酸スズ(I
V)、炭酸ゲルマニウム、硝酸スズ(IV)、硝酸ゲルマ
ニウム、三酸化アンチモン、ビスマストリメチルカルボ
キシレート等が知られており〔Groggin著,「U
nit Process in Organic Sy
nthesis」第4版,McGraw−Hill B
ook社 1952年刊の第612〜620頁;H.S
chnell著「Chemistry and Phy
sics of Polycarbonates」イン
ターサイエンス社 1964年刊;特開昭63−926
43号、USP 3275601,特開平3−2656
25号,EP−A−534189号,特開平4−122
727号公報等、〕、好適にはスズ系化合物の使用が指
摘されている。
ても得られる芳香族ポリカーボネートの5%重量減加熱
温度(Td5%)は前述のように高々450℃であり、
ホスゲン法により得られるポリカーボネートのその値T
d5%=約500℃と比較して低い。このエステル交換
反応において、反応系に水を存在させるとこの耐熱性が
向上することを本発明者等は見い出した。中でもエステ
ル交換反応触媒としてセシウム塩を用いたときは、押出
成形、射出成形、造粒等の溶融混練によっても芳香族ポ
リカーボネートの分子量、メルトフローレート等の物性
の変化が小さく、芳香族ポリカーボネートを再利用(リ
サイクル使用)して得られる成形体の耐衝撃性、曲げ強
度、引張強度等の機械的強度の変化が、バージンの芳香
族ポリカーボネートより得られた成形体のそれらと比較
して小さい利点を有する。
原料として用いられる芳香族ジオール化合物1モルに対
して10-8〜10-3モル、好ましくは、10-7〜10-4
モルの量で用いられる。使用量が多すぎるとゲル状のポ
リマーが生成したり、ポリマーの耐熱性が低下したりす
ることがあり、逆に少なすぎると高分子量の芳香族ポリ
カーボネートが得られない。
塩を水に溶解させて水溶液として添加する。水の使用量
は原料の芳香族ジオール化合物1モルに対し、1×10
-6〜1モルの量、好ましくは1×10-5〜1×10-1モ
ルの量、より好ましくは1×10-4〜0.3×10-1モ
ルの量である。必要によりセシウム塩を溶解する溶媒と
して水とともにアルコールを併用してもよい。
一般式〔I〕で示される化合物である。
換又は未置換の直鎖状、分岐状又は環状の2価の炭化水
素基、及び−O−,−S−,−CO−,−SO−,−S
O2 −で示される2価の基からなる群から選ばれるもの
であり、XおよびYは同一又は相互に異なるものであっ
て、水素又はハロゲン又は炭素数1〜6の炭化水素基か
ら選ばれるものであり、pおよびqは0〜2の整数であ
る。)
(4−ヒドロキシジフェニル)メタン、2,2−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス
(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−t−ブチルフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5
−ジメチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒ
ドロキシ−3,5−ジブロモ)プロパン、4,4−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)ヘプタン、1,1−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン等のビスフ
ェノール;4,4′−ジヒドロキシビフェニル、3,
3′,5,5′−テトラメチル−4,4′−ビフェニル
等のビフェノール;ビス(4−ヒドロキシフェニル)ス
ルホン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルフィド、
ビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(4−
ヒドロキシフェニル)ケトンなどである。
キシフェニル)プロパンが好ましい。これらの化合物を
2種以上併用すること(共重合体)もできるし、又、分
岐状芳香族ポリカーボネートを製造しようとするとき
は、少量の3価以上の多価フェノールを共重合させるこ
ともできる。又、製造される芳香族ポリカーボネートの
熱安定性や耐加水分解性をさらに向上させることを目的
として、水酸基末端の封止のために、p−t−ブチルフ
ェノールやp−クミルフェノールなどの一価フェノール
類を使用することもできる。
ジメチルカーボネート、ジフェニルカーボネート、ジト
リルカーボネート、ビス(4−クロルフェニル)カーボ
ネート、ビス(2,4,6−トリクロルフェニル)カー
ボネートなどがある。
オール化合物1モルに対して過剰に用いられるのが一般
的であり、1.01〜1.30モル、好ましくは1.0
2〜1.20モルの量で用いることが望ましい。本発明
におけるエステル交換法溶融重縮合方法は、エステル交
換反応触媒のセシウム塩が水溶液として反応系に導入さ
れる以外は前述の公知の芳香族ポリカーボネートの溶融
重縮合法により行うことができる。
圧又は減圧下にエステル交換反応により副生物を除去し
ながら溶融重縮合を行う。反応は一般には二段階以上の
多段工程で実施される。第1段階の反応は、原料と触媒
を不活性ガス雰囲気下、常圧もしくは加圧下に100℃
〜200℃の温度に加熱して実施され、この間にエステ
ル交換反応および低分子量オリゴマー(数平均分子量4
00〜1,000)の形成反応が起こる。第2段階の反
応では、系をさらに昇温(200℃〜250℃)し、減
圧状態(20Torr.以下)にすることにより発生す
るアルコールもしくはフェノールを反応系から除去する
ことによりエステル交換反応、低分子量オリゴマーの形
成およびその鎖長延長反応を進行せしめる(数平均分子
量1,000〜7,000)。そしてさらに、オリゴマ
ーの鎖長を伸長せしめるために高温(250℃〜330
℃)、高真空下(1Torr.以下)の条件で主として
アルコール類もしくはフェノール類および炭酸ジエステ
ル類を反応系より除去することにより高分子量の芳香族
ポリカーボネートが得られる。
応じて適宜定めることができるが、得られるポリマーの
色相の観点より、200℃程度の温度条件下では反応時
間は多少長くても色相にあまり悪影響を及ぼさないが一
般に0.5〜5時間、200〜250℃の温度では0.
1〜3時間、250℃を越える反応温度では長時間反応
は色相に顕著な悪影響を及ぼす。このため、最終工程の
反応時間は1時間以内、好ましくは0.1〜1時間であ
ることが好ましい。
とができ、各種の装置を使用することができる。通常各
反応段階毎に異なるタイプの反応装置が使用される。反
応装置の構造は、特に限定はされないが、反応後段にお
いては粘度が著しく上昇するので、高粘度型の攪拌機能
を有するものが好ましい。本発明の方法により得られる
芳香族ポリカーボネートの数平均分子量(Mn)は、約
1,000〜15,000程度であり、重量平均分子量
(Mw)は、2,500〜40,000程度と高い分子
量を有しており、Mw/Mn値は2〜4が好ましい。
mgを精量し、セイコー電子工業(株)社製の熱重量分
析装置200−TG/DTA220(商品名)を用いて
窒素気流中で昇温速度20℃/分の条件で昇温した場合
に、この芳香族ポリカーボネートの重量が元の重量の5
%減に達したときの温度を耐熱温度(Td5%)とした
とき、この温度が460℃以上、好ましくは480〜5
20℃である。
0.2重量%以下が好ましい。本発明の実施により得ら
れた芳香族ポリカーボネートは、触媒安定化剤、耐熱安
定剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、着色剤、流動性改良
剤、離型剤、強化充填剤などの添加剤を配合して使用す
ることができる。また、他の樹脂、例えばエチレン・酢
酸ビニル共重合体、ポリアミド、ポリスチレン、ポリプ
ロピレン等とブレンドして使用される。
説明する。本発明により得られた芳香族ポリカーボネー
トの分析は下記の測定方法により行った。 (i)ポリカーボネート中の水酸基濃度 J.E.McGrathらの方法(Polymer.p
reprints,19(1),494(1978))
に従いUVスペクトル分析を行って、重合体試料中の水
酸基濃度を重量%として求めた。
製HLC−8020)ポリカーボネート換算分子量であ
る。 (iii) Td5%(5%重量減少温度) セイコー電子工業社製の熱重量分析装置(200−TG
/DTA200)を用いて窒素気流中20℃/分の昇温
速度で測定し、芳香族ポリカーボネートの重量減少が5
重量%に達した時の温度を求めた。
0分間加圧溶融状態に保持して処理した。 (v)色相 300℃で15分間加熱溶融処理したサンプルの4%塩
化メチレン溶液を調製し、UVスペクトルで345nm
の波長の吸光度を測定した。この値が大きいほど着色し
ていることを示す。
ルカーボネート0.107モル(23.1g)および触
媒として炭酸セシウム3.1×10-7モル(0.10m
g)と水4.8mg(2.7×10-4モル)との割合で
溶解した2%炭酸セシウム水溶液5μlを内容積300
mlの攪拌機および溜出装置付きのSUS−306製反
応容器内に入れ、窒素ガス雰囲気下、150℃にて1時
間溶融状態を保った。
rr.にまで下げ、その状態を1時間保持してフェノー
ルを溜出させた。次いで、反応温度を250℃に昇温
し、同温度で系内の圧力を0.5Torr.まで下げて
1時間重縮合反応を行い、ポリマー(芳香族ポリカーボ
ネート)約25gを得た。図1にこのポリマーを320
℃で30分間加熱溶融処理したときの処理前と処理後の
GPCによるポリカーボネートの分子量分布図を示す。
酸塩を同一量(3.1×10-7モル、2%水溶液濃度で
使用)使用する以外はすべて実施例1と同一の条件、方
法によりポリカーボネートを製造した。以上の実施例
1,比較例1〜4の触媒の使用条件を表1に、得た芳香
族ポリカーボネートの分析結果を表2に示す。又、比較
例1〜4で得た芳香族ポリカーボネートの320℃で3
0分間加熱溶融処理する前と後の分子量分布を図2〜図
4に示す。
ーボネート1.08モル(231g)、および触媒とし
て炭酸セシウム0.2ミリモル( mg)を内容積3
リットルの攪拌機および溜出装置付きのSUS製反応機
に入れ、窒素雰囲気下150℃にて1時間溶融状態を保
った。
rr.にまで下げてさらにその状態を1時間保持してフ
ェノールを溜出させた。その後、250℃に昇温し、同
温度で系内の圧力を0.5Torr.まで下げて1時間
重縮合反応を行い、ポリマー約250gを得た。得たポ
リマーの分析結果を表3に記す。
2ミリモルのジブチルスズオキサイド、酢酸カルシウ
ム、水素化リチウムを用いる(水溶液でなく、固体で反
応系に添加)他は同様にして表3に示す物性の芳香族ポ
リカーボネートを得た。
水素セシウム3.1×10-7モル(0.060mg)を
用い、これを水1.7×10-4モル(3.0mg)の割
合に溶解した2%水溶液3μlにしてSUS製容器内に
添加する他はすべて実施例1と同一の条件、方法により
芳香族ポリカーボネートを製造した。このポリマーの分
析結果を表4に示す。
び炭酸水素カリウムをそれぞれ3.1×10-7モル用
い、かつ、これらアルカリ金属塩を水に溶解して2%水
溶液として容器内に添加した他は実施例1と同一の条
件、方法によりポリカーボネートを製造した。これらの
ポリマーの分析結果を表4に示す。
0-7モル(0.046mg、2%水溶液2.3μl)を
使用する以外はすべて実施例1と同一の条件、方法によ
りポリカーボネートを製造した。このポリマーの分析結
果を表4に示す。
1×10-7モル(2%水溶液濃度で使用)使用する以外
は全て実施例1と同一の条件、方法によりポリカーボネ
ートを製造した。このポリマーの分析結果を表4に示
す。
0-7モル(0.059mg、2%水溶液2.9μl)を
使用する以外はすべて実施例1と同一の条件、方法によ
りポリカーボネートを製造した。このポリマーの分析結
果を表4に示す。
10-7モル(2%水溶液濃度で使用)使用する以外は全
て実施例1と同一の条件、方法によりポリカーボネート
を製造した。このポリマーの分析結果を表4に示す。
れを表5に示す濃度の水溶液として用いた以外はすべて
実施例1と同一の条件、方法によりポリカーボネートを
製造した。このポリマーの分析結果を表5に示す。
シウム塩を用い、芳香族ジオール化合物と炭酸ジエステ
ル化合物とを溶融重縮合反応させて芳香族ポリカーボネ
ートを製造する方法において、セシウム塩が水溶液とし
て反応系に導入する芳香族ポリカーボネートの製造方法
は、耐熱性の優れる芳香族ポリカーボネートを与える。
処理前の分子量分布と加熱後の分子量分布を示す。
処理前の分子量分布と加熱後の分子量分布を示す。
処理前の分子量分布と加熱後の分子量分布を示す。
処理前の分子量分布と加熱後の分子量分布を示す。
処理前の分子量分布と加熱後の分子量分布を示す。
Claims (5)
- 【請求項1】 芳香族ジオール化合物と炭酸ジエステル
化合物とをエステル交換反応触媒としてセシウム塩(但
し、酢酸セシウムを除く)を用いて溶融重縮合反応させ
て芳香族ポリカーボネートを製造する方法において、セ
シウム塩が水溶液として反応系に導入されることを特徴
とする芳香族ポリカーボネートの製造方法。 - 【請求項2】 芳香族ジオール化合物と炭酸ジエステル
化合物とをエステル交換反応触媒としてセシウム塩を用
いて溶融重縮合反応させて芳香族ポリカーボネートを製
造する方法において、セシウム塩が炭酸セシウム、炭酸
水素セシウム、水酸化セシウム、有機酸セシウム塩(但
し、酢酸セシウムを除く)及びアルコール類のセシウム
塩から選ばれた化合物であり、セシウム塩が水溶液とし
て反応系に導入されることを特徴とする芳香族ポリカー
ボネートの製造方法。 - 【請求項3】 セシウム塩が炭酸セシウム、炭酸水素セ
シウム、水酸化セシウム及びアルコール類のセシウム塩
から選ばれた化合物である請求項2に記載の芳香族族ポ
リカーボネートの製造方法。 - 【請求項4】 セシウム塩が炭酸セシウム、炭酸水素セ
シウム、及び水酸化セシウムから選ばれた化合物である
請求項3に記載の芳香族ポリカーボネートの製造方法。 - 【請求項5】 反応系における水の量が、芳香族ジオー
ル化合物1モルに対し、1×10-6〜1モルの量の割合
である請求項1乃至4のいずれかに記載の芳香族ポリカ
ーボネートの製造方法。
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JP22989093A JP3353411B2 (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 芳香族ポリカーボネートの製造方法 |
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JPH0782366A JPH0782366A (ja) | 1995-03-28 |
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