JP3351334B2 - 発光素子モジュール及び発光素子モジュールの実装方法 - Google Patents
発光素子モジュール及び発光素子モジュールの実装方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ギガビット帯の
高速光通信等に用いられている発光素子モジュール及
び、発光素子モジュールの実装方法に関するものであ
る。
高速光通信等に用いられている発光素子モジュール及
び、発光素子モジュールの実装方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図７（ａ）は例えばメガビット帯の以上
の光通信に適用されている従来の発光素子モジュールの
実装方法の構成図であり、図７（ｂ）は発光素子モジュ
ールの構造図、図７（ｃ）は発光素子モジュールの底面
図である。図において、１は半導体レ−ザ等の発光素
子、２は発光素子１を搭載したステム、３は発光素子モ
ジュールを外部の筐体に接続するための取付け穴を備え
たフランジ、４はステム２と接続され発光素子１を気密
封止するためのキャップ、５はワイヤ、６はワイヤ５に
より発光素子１のカソードと電気的に接続されたカソー
ドピン、７は発光素子１のアノードと電気的に接続され
たアノードピン、８は外部の回路基板、９は回路基板８
上に形成されたカソード用パターン、１０は回路基板８
上に形成されたアノード用パターン、１１は外部の筐
体、１２はステム２と筐体１１を接続するためのネジで
ある。また、発光素子１のアノードはステム２に電気的
に接続されており、ステム２、フランジ３、筐体１１及
びアノードピン７は発光素子１のアノードと同電位であ
る。さらに、アノード用パターン１０はスルーホール等
により筐体１１と電気的に接続されている。また、カソ
ードピン６及びアノードピン７を回路基板８のカソード
用パターン９及びアノード用パターン１０に接続する際
にステム２とカソードピン６及びアノードピン７との接
続部にかかるストレスを開放するために、ステム２とカ
ソード用パターン９及びアノード用パターン１０との間
に隙間を設けている。
の光通信に適用されている従来の発光素子モジュールの
実装方法の構成図であり、図７（ｂ）は発光素子モジュ
ールの構造図、図７（ｃ）は発光素子モジュールの底面
図である。図において、１は半導体レ−ザ等の発光素
子、２は発光素子１を搭載したステム、３は発光素子モ
ジュールを外部の筐体に接続するための取付け穴を備え
たフランジ、４はステム２と接続され発光素子１を気密
封止するためのキャップ、５はワイヤ、６はワイヤ５に
より発光素子１のカソードと電気的に接続されたカソー
ドピン、７は発光素子１のアノードと電気的に接続され
たアノードピン、８は外部の回路基板、９は回路基板８
上に形成されたカソード用パターン、１０は回路基板８
上に形成されたアノード用パターン、１１は外部の筐
体、１２はステム２と筐体１１を接続するためのネジで
ある。また、発光素子１のアノードはステム２に電気的
に接続されており、ステム２、フランジ３、筐体１１及
びアノードピン７は発光素子１のアノードと同電位であ
る。さらに、アノード用パターン１０はスルーホール等
により筐体１１と電気的に接続されている。また、カソ
ードピン６及びアノードピン７を回路基板８のカソード
用パターン９及びアノード用パターン１０に接続する際
にステム２とカソードピン６及びアノードピン７との接
続部にかかるストレスを開放するために、ステム２とカ
ソード用パターン９及びアノード用パターン１０との間
に隙間を設けている。
【０００３】次に動作について説明する。カソード用パ
ターン９より給電される電気信号は、カソードピン６、
ワイヤ５を経て発光素子１のカソードに入力される。ま
た、発光素子１のアノードはステム２とフランジ３を介
して筐体１１に接地されている。よって、発光素子１は
給電された電気信号に応じて強度変調された光を放出す
る。
ターン９より給電される電気信号は、カソードピン６、
ワイヤ５を経て発光素子１のカソードに入力される。ま
た、発光素子１のアノードはステム２とフランジ３を介
して筐体１１に接地されている。よって、発光素子１は
給電された電気信号に応じて強度変調された光を放出す
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の発光素子モジュ
ールの実装方法は以上のように構成されているので、ス
テムと外部の回路との間に空中配線されるリードピンの
インダクタンス成分により高周波応答特性が劣化する。
よって、特にギガビット帯においては帯域が不足し、強
度変調された光波形が歪むという課題があった。ここで
は、カソードピンのインダクタンス成分の影響が支配的
であり、アノードピンのインダクタンス成分の影響はス
テムと筐体が強く接続されているため無視できる。
ールの実装方法は以上のように構成されているので、ス
テムと外部の回路との間に空中配線されるリードピンの
インダクタンス成分により高周波応答特性が劣化する。
よって、特にギガビット帯においては帯域が不足し、強
度変調された光波形が歪むという課題があった。ここで
は、カソードピンのインダクタンス成分の影響が支配的
であり、アノードピンのインダクタンス成分の影響はス
テムと筐体が強く接続されているため無視できる。
【０００５】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、カソードピンのインダクタンス成
分の影響を排除することにより、ギガビット帯の電気信
号に対して歪みのない光強度変調波形を得ることを目的
とする。
めになされたもので、カソードピンのインダクタンス成
分の影響を排除することにより、ギガビット帯の電気信
号に対して歪みのない光強度変調波形を得ることを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明、第２の発
明、第３の発明及び第４の発明に係る発光素子モジュー
ルの実装方法は、円筒の穴を施した導体を外部の筐体に
電気的に接続し、導体の円筒の穴にカソードピンを挿入
し、カソードピンと円筒の穴とで構成される部位で同軸
線路を構成したものである。
明、第３の発明及び第４の発明に係る発光素子モジュー
ルの実装方法は、円筒の穴を施した導体を外部の筐体に
電気的に接続し、導体の円筒の穴にカソードピンを挿入
し、カソードピンと円筒の穴とで構成される部位で同軸
線路を構成したものである。
【０００７】また、第５の発明、第６の発明及び第７の
発明に係る発光素子モジュール及びその実装方法は、カ
ソードピンを同軸線路としたものである。
発明に係る発光素子モジュール及びその実装方法は、カ
ソードピンを同軸線路としたものである。
【０００８】また、第８の発明、第９の発明、第１０の
発明及び第１１の発明に係る発光素子モジュールの実装
方法は、筐体と同電位の回路基板のパターン上にカソー
ドピンを空中配線し、カソードピンとパターンとで構成
される部位でストリップ線路に相当する伝送線路を構成
したものである。
発明及び第１１の発明に係る発光素子モジュールの実装
方法は、筐体と同電位の回路基板のパターン上にカソー
ドピンを空中配線し、カソードピンとパターンとで構成
される部位でストリップ線路に相当する伝送線路を構成
したものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１（ａ）はこの
発明の実施の形態１を示す発光素子モジュールの実装方
法の構成図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’
線断面図である。図において１３は筐体１１に電気的に
接続された導体に円筒の穴を施したスリーブであり、カ
ソードピン６はスリーブ１３の円筒の穴を貫通しカソー
ド用パターン９と電気的に接続されている。スリーブ１
３の断面図を図２に示した。図においては、直方体の形
状のものを示したが、筐体１１への電気的接続が可能で
あればどのような形状でも構わない。
発明の実施の形態１を示す発光素子モジュールの実装方
法の構成図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’
線断面図である。図において１３は筐体１１に電気的に
接続された導体に円筒の穴を施したスリーブであり、カ
ソードピン６はスリーブ１３の円筒の穴を貫通しカソー
ド用パターン９と電気的に接続されている。スリーブ１
３の断面図を図２に示した。図においては、直方体の形
状のものを示したが、筐体１１への電気的接続が可能で
あればどのような形状でも構わない。
【００１０】また、スリーブ１３の円筒の穴径を同軸線
路の特性インピーダンスを与える数１により得られる値
とすることにより、外部の回路の特性インピーダンスと
の整合を取ることができる。
路の特性インピーダンスを与える数１により得られる値
とすることにより、外部の回路の特性インピーダンスと
の整合を取ることができる。
【００１１】
【数１】
【００１２】このように構成された発光素子モジュール
の実装方法においては、スリーブ１３及びスリーブ１３
の円筒の穴に挿入されたカソードピン６で構成される部
位は同軸線路となり、広帯域で一定のインピーダンス特
性が得られるため、外部の回路の特性インピーダンスと
の整合を容易に取ることができる。よって、ギガビット
帯の電気信号に対して歪みのない光強度変調波形を得る
ことができる。
の実装方法においては、スリーブ１３及びスリーブ１３
の円筒の穴に挿入されたカソードピン６で構成される部
位は同軸線路となり、広帯域で一定のインピーダンス特
性が得られるため、外部の回路の特性インピーダンスと
の整合を容易に取ることができる。よって、ギガビット
帯の電気信号に対して歪みのない光強度変調波形を得る
ことができる。
【００１３】実施の形態２．図３はこの発明の実施の形
態２を示す発光素子モジュールの実装方法の構成図であ
り、図１（ａ）のＡ−Ａ’線断面図に相当し、スリーブ
１３の円筒の穴に誘電体１４を挿入した点が実施の形態
１と異なる。
態２を示す発光素子モジュールの実装方法の構成図であ
り、図１（ａ）のＡ−Ａ’線断面図に相当し、スリーブ
１３の円筒の穴に誘電体１４を挿入した点が実施の形態
１と異なる。
【００１４】また、実施の形態１と同様に、スリーブ１
３の円筒の穴径を数１により得られる値とすることによ
り、外部の回路の特性インピーダンスとの整合を取るこ
とができる。
３の円筒の穴径を数１により得られる値とすることによ
り、外部の回路の特性インピーダンスとの整合を取るこ
とができる。
【００１５】この形態においても、実施の形態１と同等
の効果が得られる。
の効果が得られる。
【００１６】実施の形態３．図４（ａ）はこの発明の実
施の形態３を示す発光素子モジュールの実装方法の構成
図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ’線断面図
である。図において、１５は発光素子１のカソードピン
の機能をもつ同軸線路、１６は同軸線路１５の内導体で
ある。また、１７は回路基板、１８は回路基板１７上に
形成されたカソード用パターン、１９は回路基板１７上
に形成されたアノード用パターンであり、同軸線路１５
の外導体はアノード用パターン１９に、内導体１６はカ
ソード用パターン１８に電気的に接続されている。さら
にアノード用パターン１９はスルーホール等により筐体
１１と電気的に接続されている。
施の形態３を示す発光素子モジュールの実装方法の構成
図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ’線断面図
である。図において、１５は発光素子１のカソードピン
の機能をもつ同軸線路、１６は同軸線路１５の内導体で
ある。また、１７は回路基板、１８は回路基板１７上に
形成されたカソード用パターン、１９は回路基板１７上
に形成されたアノード用パターンであり、同軸線路１５
の外導体はアノード用パターン１９に、内導体１６はカ
ソード用パターン１８に電気的に接続されている。さら
にアノード用パターン１９はスルーホール等により筐体
１１と電気的に接続されている。
【００１７】また、同軸線路１５及び内導体１６の各寸
法を同軸線路の特性インピーダンスを与える数２により
得られる値とすることにより、外部の回路の特性インピ
ーダンスとの整合を取ることができる。
法を同軸線路の特性インピーダンスを与える数２により
得られる値とすることにより、外部の回路の特性インピ
ーダンスとの整合を取ることができる。
【００１８】
【数２】
【００１９】この形態においても、実施の形態１と同等
の効果が得られる。
の効果が得られる。
【００２０】実施の形態４．図５（ａ）はこの発明の実
施の形態４を示す発光素子モジュールの実装方法の構成
図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ’線断面図
である。図において、１７〜１９は実施の形態３と同様
であり、２０は先端を階段状に整形した発光素子１のカ
ソードピンである。カソードピン２０の先端はカソード
用パターン１８に電気的に接続されている。
施の形態４を示す発光素子モジュールの実装方法の構成
図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ’線断面図
である。図において、１７〜１９は実施の形態３と同様
であり、２０は先端を階段状に整形した発光素子１のカ
ソードピンである。カソードピン２０の先端はカソード
用パターン１８に電気的に接続されている。
【００２１】また、マイクロ波解析シミュレータ等を用
いカソードピン２０とアノード用パターン１９との距離
を最適化することにより、外部の回路の特性インピーダ
ンスとの整合を取ることができる。
いカソードピン２０とアノード用パターン１９との距離
を最適化することにより、外部の回路の特性インピーダ
ンスとの整合を取ることができる。
【００２２】このように構成された発光素子モジュール
の実装方法においては、カソードピン２０とアノード用
パターン１９で構成される部位はストリップ線路に相当
する伝送線路となるため、実施の形態１と同等の効果が
得られる。
の実装方法においては、カソードピン２０とアノード用
パターン１９で構成される部位はストリップ線路に相当
する伝送線路となるため、実施の形態１と同等の効果が
得られる。
【００２３】実施の形態５．図６はこの発明の実施の形
態５を示す発光素子モジュールの実装方法の構成図であ
り、図５（ａ）のＡ−Ａ’線断面図に相当し、カソード
ピン２０とアノード用パターン１９の間に誘電体２１を
挿入した点が実施の形態４と異なる。
態５を示す発光素子モジュールの実装方法の構成図であ
り、図５（ａ）のＡ−Ａ’線断面図に相当し、カソード
ピン２０とアノード用パターン１９の間に誘電体２１を
挿入した点が実施の形態４と異なる。
【００２４】また、実施の形態４と同様に、カソードピ
ン２０とアノード用パターン１９との距離を数３により
得られる値とすることにより、外部の回路の特性インピ
ーダンスとの整合を取ることができる。
ン２０とアノード用パターン１９との距離を数３により
得られる値とすることにより、外部の回路の特性インピ
ーダンスとの整合を取ることができる。
【００２５】この形態においても、実施の形態１と同等
の効果が得られる。
の効果が得られる。
【００２６】ところで、上記説明では発光素子モジュー
ル及び発光素子モジュールの実装方法について述べた
が、受光素子モジュール及び受光素子モジュールの実装
方法へも転用できる。
ル及び発光素子モジュールの実装方法について述べた
が、受光素子モジュール及び受光素子モジュールの実装
方法へも転用できる。
【００２７】
【発明の効果】第１の発明、第２の発明、第３の発明及
び第４の発明によれば、導体に円筒の穴を施したスリー
ブ及びスリーブの円筒の穴に挿入されたカソードピンで
構成される部位は同軸線路となり、広帯域で一定のイン
ピーダンス特性が得られるため、外部の回路の特性イン
ピーダンスとの整合を容易に取ることができる。よっ
て、ギガビット帯の電気信号に対して歪みのない光強度
変調波形を得ることができる。
び第４の発明によれば、導体に円筒の穴を施したスリー
ブ及びスリーブの円筒の穴に挿入されたカソードピンで
構成される部位は同軸線路となり、広帯域で一定のイン
ピーダンス特性が得られるため、外部の回路の特性イン
ピーダンスとの整合を容易に取ることができる。よっ
て、ギガビット帯の電気信号に対して歪みのない光強度
変調波形を得ることができる。
【００２８】また、第５の発明、第６の発明及び第７の
発明によれば、カソードピンを同軸線路としたため、広
帯域で一定のインピーダンス特性が得られ、外部の回路
の特性インピーダンスとの整合を容易に取ることができ
る。よって、ギガビット帯の電気信号に対して歪みのな
い光強度変調波形を得ることができる。
発明によれば、カソードピンを同軸線路としたため、広
帯域で一定のインピーダンス特性が得られ、外部の回路
の特性インピーダンスとの整合を容易に取ることができ
る。よって、ギガビット帯の電気信号に対して歪みのな
い光強度変調波形を得ることができる。
【００２９】また、第８の発明、第９の発明、第１０の
発明及び第１１の発明によれば、筐体と同電位の回路基
板のパターンとそのパターン上に空中配線したカソード
ピンとで構成される部位はストリップ線路に相当する伝
送線路となり、広帯域で一定のインピーダンス特性が得
られるため、外部の回路の特性インピーダンスとの整合
を容易に取ることができる。よって、ギガビット帯の電
気信号に対して歪みのない光強度変調波形を得ることが
できる。
発明及び第１１の発明によれば、筐体と同電位の回路基
板のパターンとそのパターン上に空中配線したカソード
ピンとで構成される部位はストリップ線路に相当する伝
送線路となり、広帯域で一定のインピーダンス特性が得
られるため、外部の回路の特性インピーダンスとの整合
を容易に取ることができる。よって、ギガビット帯の電
気信号に対して歪みのない光強度変調波形を得ることが
できる。
【図１】 この発明による発光素子モジュールの実装方
法の実施の形態１を示す構成図及びＡ−Ａ’線断面図で
ある。
法の実施の形態１を示す構成図及びＡ−Ａ’線断面図で
ある。
【図２】 この発明による発光素子モジュールの実装方
法の実施の形態１のスリーブ１３の断面図である。
法の実施の形態１のスリーブ１３の断面図である。
【図３】 この発明による発光素子モジュールの実装方
法の実施の形態２を示す構成図である。
法の実施の形態２を示す構成図である。
【図４】 この発明による発光素子モジュールの実装方
法の実施の形態３を示す構成図及びＡ−Ａ’線断面図で
ある。
法の実施の形態３を示す構成図及びＡ−Ａ’線断面図で
ある。
【図５】 この発明による発光素子モジュールの実装方
法の実施の形態４を示す構成図及びＡ−Ａ’線断面図で
ある。
法の実施の形態４を示す構成図及びＡ−Ａ’線断面図で
ある。
【図６】 この発明による発光素子モジュールの実装方
法の実施の形態５を示す構成図である。
法の実施の形態５を示す構成図である。
【図７】 従来の発光素子モジュールの実装方法を示す
構成図、発光素子モジュールの構造図及び発光素子モジ
ュールの底面図である。
構成図、発光素子モジュールの構造図及び発光素子モジ
ュールの底面図である。
１ 発光素子、２ ステム、３ フランジ、４ キャッ
プ、５ ワイヤ、６カソードピン、７ アノードピン、
８ 回路基板、９ カソード用パターン、１０ アノー
ド用パターン、１１ 筐体、１２ ネジ、１３ スリー
ブ、１４ 誘電体、１５ 同軸線路、１６ 同軸線路の
内導体、１７ 回路基板、１８ カソード用パターン、
１９ アノード用パターン、２０ カソードピン、２１
誘電体。
プ、５ ワイヤ、６カソードピン、７ アノードピン、
８ 回路基板、９ カソード用パターン、１０ アノー
ド用パターン、１１ 筐体、１２ ネジ、１３ スリー
ブ、１４ 誘電体、１５ 同軸線路、１６ 同軸線路の
内導体、１７ 回路基板、１８ カソード用パターン、
１９ アノード用パターン、２０ カソードピン、２１
誘電体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０４Ｂ 10/28 (56)参考文献 特開 平３−1576（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−99367（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−154483（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−148675（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−222185（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−66077（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−235376（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−87559（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−186570（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−256650（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−136469（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−36061（ＪＰ，Ｕ) 実開 平２−3580（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 33/00 H04B 10/04 H04B 10/06 H04B 10/14 H04B 10/26 H04B 10/28 H01S 5/00 - 5/50 H01L 31/00 - 31/18
Claims (11)
- 【請求項１】 気密封止された発光素子と前記発光素子
を外部の回路と電気的に接続するためのリードピンと外
部の筐体に機械的及び電気的に接続する部位とを備えた
発光素子モジュールにおいて、円筒の穴を施した導体を
備え、前記導体を外部の筐体に電気的に接続し、前記導
体の円筒の穴の中に前記発光素子モジュールの駆動信号
入力用のリードピンを設け、前記駆動信号入力用のリー
ドピンを外部の回路に接続したことを特徴とする発光素
子モジュールの実装方法。 - 【請求項２】 導体の円筒の穴の中に設けられた駆動信
号入力用のリードピンと前記導体の円筒の穴とで構成さ
れる部位の特性インピーダンスが外部の回路の特性イン
ピーダンスと整合されていることを特徴とする請求項１
記載の発光素子モジュールの実装方法。 - 【請求項３】 気密封止された発光素子と前記発光素子
を外部の回路と電気的に接続するためのリードピンと外
部の筐体に機械的及び電気的に接続する部位とを備えた
発光素子モジュールにおいて、円筒の穴を施した導体を
備え、前記導体を外部の筐体に電気的に接続し、前記導
体の円筒の穴の中に前記発光素子モジュールの駆動信号
入力用のリードピンを設け、前記導体の円筒の穴と前記
駆動信号入力用のリードピンとの間の空間に誘電体を設
け、前記駆動信号入力用のリードピンを外部の回路に接
続したことを特徴とする発光素子モジュールの実装方
法。 - 【請求項４】 導体の円筒の穴の中に設けられた駆動信
号入力用のリードピンと前記導体の円筒の穴とで構成さ
れる部位の特性インピーダンスが外部の回路の特性イン
ピーダンスと整合されていることを特徴とする請求項３
記載の発光素子モジュールの実装方法。 - 【請求項５】 気密封止された発光素子と前記発光素子
を外部の回路と電気的に接続するためのリードピンと外
部の筐体に機械的及び電気的に接続する部位とを備えた
発光素子モジュールにおいて、駆動信号入力用のリード
ピンを同軸線路としたことを特徴とする発光素子モジュ
ール。 - 【請求項６】 気密封止された発光素子と前記発光素子
を外部の回路と電気的に接続するためのリードピンと外
部の筐体に機械的及び電気的に接続する部位とを備え、
駆動信号入力用のリードピンを同軸線路とした発光素子
モジュールにおいて、前記発光素子モジュールから前記
同軸線路の外導体の先端までの距離以上かつ内導体の先
端までの距離以下のスペースを設けた駆動信号給電用の
パターンと前記駆動信号給電用のパターンと前記発光素
子モジュールとの間に筐体と電気的に接続されたパター
ンとを形成した基板を備え、前記駆動信号給電用のパタ
ーンと前記同軸線路の内導体とを電気的に接続し、前記
筐体と電気的に接続されたパターンと、前記同軸線路の
外導体とを電気的に接続したことを特徴とする発光素子
モジュールの実装方法。 - 【請求項７】 同軸線路をなす駆動信号入力用のリード
ピンの特性インピーダンスが外部の回路の特性インピー
ダンスと整合されている発光素子モジュールを備えたこ
とを特徴とする請求項６記載の発光素子モジュールの実
装方法。 - 【請求項８】 気密封止された発光素子と前記発光素子
を外部の回路と電気的に接続するためのリードピンと外
部の筐体に機械的及び電気的に接続する部位とを備えた
発光素子モジュールにおいて、駆動信号入力用のリード
ピンに先端から外部の回路との接続しろ分の段差を施
し、前記発光素子モジュールから前記駆動信号入力用の
リードピンの段差までの距離以上かつ前記信号ピンの先
端までの距離以下のスペースを設けた駆動信号給電用の
パターンと前記駆動信号給電用のパターンと前記発光素
子モジュールとの間に筐体と電気的に接続されたパター
ンとを形成した基板を備え、前記駆動信号給電用のパタ
ーンと前記駆動信号入力用のリードピンの先端とを電気
的に接続したことを特徴とする発光素子モジュールの実
装方法。 - 【請求項９】 駆動信号入力用のリードピンと、筐体と
電気的に接続されたパターンとで構成される部位の特性
インピーダンスが外部の回路の特性インピーダンスと整
合されていることを特徴とする請求項８記載の発光素子
モジュールの実装方法。 - 【請求項１０】 気密封止された発光素子と前記発光素
子を外部の回路と電気的に接続するためのリードピンと
外部の筐体に機械的及び電気的に接続する部位とを備え
た発光素子モジュールにおいて、駆動信号入力用のリー
ドピンに先端から外部の回路との接続しろ分の段差を施
し、前記発光素子モジュールから前記信号ピンの段差ま
での距離以上かつ前記信号ピンの先端までの距離以下の
スペースを設けた駆動信号給電用のパターンと前記駆動
信号給電用のパターンと前記発光素子モジュールとの間
に筐体と電気的に接続されたパターンとを形成した基板
を備え、前記駆動信号給電用のパターンと前記駆動信号
入力用のリードピンの先端とを電気的に接続し、前記駆
動信号入力用のリードピンと前記筐体と電気的に接続さ
れたパターンとの間の空間に誘電体を設けたことを特徴
とする発光素子モジュールの実装方法。 - 【請求項１１】 駆動信号入力用のリードピンと、筐体
と電気的に接続されたパターンとで構成される部位の特
性インピーダンスが外部の回路の特性インピーダンスと
整合されていることを特徴とする請求項１０記載の発光
素子モジュールの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04020498A JP3351334B2 (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | 発光素子モジュール及び発光素子モジュールの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04020498A JP3351334B2 (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | 発光素子モジュール及び発光素子モジュールの実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11238916A JPH11238916A (ja) | 1999-08-31 |
| JP3351334B2 true JP3351334B2 (ja) | 2002-11-25 |
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ID=12574262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04020498A Expired - Fee Related JP3351334B2 (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | 発光素子モジュール及び発光素子モジュールの実装方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3351334B2 (ja) |
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-
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- 1998-02-23 JP JP04020498A patent/JP3351334B2/ja not_active Expired - Fee Related
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