JP3350828B2 - 容量性溶着スイッチ及びそれを用いた半導体集積回路装置 - Google Patents
容量性溶着スイッチ及びそれを用いた半導体集積回路装置Info
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Description
関し、特に、冗長性を与えて高い耐欠陥性を持つように
した半導体メモリ装置に関する。
速に進み、数メガビットもの大きな容量の半導体メモリ
装置が製品化されている。このように半導体メモリ装置
が大容量化されると、その中の一部に欠陥があった場合
に、そのチップを不良品とすると、生産性が非常に悪化
する。そこで、このような場合の救済手段として、欠陥
部分が選択されたときに、代替用のメモリ、つまり冗長
メモリセルが選択されるようにし、半導体メモリ装置に
冗長性を与えて、生産性の向上を計ることが行なわれて
いる。
冗長構成について説明する。図3は冗長構成の概略を示
すブロック図である。図3において、1a,1b,1
c,1dは冗長選択回路、2a,2b,2c,2dはメ
モリセルアレーで、1〜512は行(以下ワードライン
という。)を示している。SX1,SX2は冗長メモリ
セルアレーの行(以下ダミーワードラインという。)を
示している。3a,3b,3c,3dは冗長デコーダ、
4a,4b,4c,4dはデコーダである。図4〜図7
はブロック図の内部回路を示す回路図で、図4は冗長デ
コーダ選択回路を示す回路図、図5は冗長デコーダ回路
(1)を示す回路図、図6は冗長デコーダ回路(2)を
示す回路図、図7はデコーダ回路を示す回路図である。
なお、ブロック図において、1a,1b,1c,1d及
び3a,3b,3c,3dは、それぞれ冗長デコーダ選
択回路、冗長デコーダ回路(1),(2)を簡略化して
示している。3a,3b,3c,3dに関しては、ブロ
ック選択信号Bを入力すると言うことで、別に表記して
いる。同様にして、4a,4b,4c,4dをデコーダ
回路として、簡略化して示してある。
デコーダ選択回路は、冗長を使用しない冗長非選択時、
つまり溶断スイッチ素子である冗長フューズ素子(以
下、単にフューズ素子と記す)Fを切断していない時に
出力信号Rxとしてハイレベル(以下、Hという)の信
号を出力し、また、冗長を使用する冗長選択時、つまり
フューズ素子Fを切断した時に出力信号Rxとしてロウ
レベル(以下、Lという)の信号を出力する。なお、フ
ューズ素子の切断は例えばレーザビームの照射によって
行なう。冗長デコーダ回路(1)は欠陥のある番地の記
憶回路である。冗長非選択時には、冗長デコーダ選択回
路の出力信号RxがHとなるので、アドレスの信号Aに
H,Lどちらかが入力されていても出力信号RmにはH
を出力する。冗長選択時には冗長デコーダ選択回路の出
力信号RxがLとなり、アドレスの信号Aで指定されて
いる番地が選択されて出力信号RmにLを出力する。冗
長デコーダ回路(2)は、冗長非選択時は冗長デコーダ
選択回路の出力信号RxがHである為、冗長デコーダ回
路(1)の出力RmもHとなるので、冗長デコーダ3a
〜3dの出力はLとなる。従って、冗長メモリセルアレ
ーのダミーワードラインは選択されない。冗長選択時は
冗長デコーダ選択回路の出力信号RxがLとなり、ま
た、冗長デコーダ回路(1)の出力信号RmにLが出力
されるので、3a〜3dのうち選択された冗長デコーダ
の出力はHとなり冗長メモリセルアレーのダミーワード
ラインが選択される。通常のデコーダ回路は、アドレス
信号Aとコントロール信号Dで選択された場所とブロッ
ク選択信号Bで選択された場所の一致によりメモリセル
アレーのワードラインを決定している。
導体集積回路装置では、半導体メモリ装置がアクティブ
の時、つまりチップセレクト信号CSがLの時で、冗長
非選択時に、冗長デコーダ選択回路1a,1b,1c,
1dそれぞれのフューズ素子Fを通して電源Vccと接地
GNDとの間に貫通電流が流れる。即ち、スイッチング
素子Q1 とフューズ素子Fとが直列に接続されたフュー
ズ回路に貫通電流が流れる。それにともなって消費電流
がふえ、特に大容量化したRAM等においてはフューズ
素子Fの数も多大化し、平均動作時電源電流も大きくな
ってきている為、貫通電流が無視できなくなってきてい
るという問題があった。
なされたもので、Vcc−GND間に流れる貫通電流をな
くし、消費電流を少なくした半導体集積回路装置を得る
ことを目的とする。
回路装置は、記憶素子の製造過程で発生したチップ上の
欠陥部分を救済するための冗長メモリセル群と、記憶素
子がアクティブ状態のとき導通するスイッチング素子と
フューズ素子とが直列に接続されて電源と接地との間に
設けられたフューズ回路とを備え、フューズ素子を予め
切断しておくことにより、欠陥部分のメモリセルの選択
信号が出力された場合は代替用の冗長メモリセルが選択
されるようにした半導体集積回路装置において、フュー
ズ回路は、フューズ素子と容量性溶着スイッチ素子とを
直列に接続してなり、フューズ素子を予め切断しておく
と共に容量性溶着スイッチ素子を短絡しておくことによ
り、代替用の冗長メモリセルを選択するものである。
スイッチ素子とが直列に接続されたフューズ回路を電源
と接地との間に設け、冗長選択時はフューズ素子を溶断
すると共に上記スイッチ素子を短絡するようにしたか
ら、冗長非選択時は容量性溶着スイッチ素子がコンデン
サとして作用し、電源から接地へ貫通電流が流れない。
ダ選択回路を示す回路図である。CFは通常はコンデン
サとして作用し、二つの電極の一方にレーザビームを照
射して二つの電極間に物理的損傷を与えて短絡させるこ
とにより導通が得られるスイッチ素子である。この明細
書ではこの素子CFを容量性溶着スイッチ素子と称する
ことにする。図2は容量性溶着スイッチ素子(以下、ス
イッチ素子と略記する)CFを説明する説明図で、
(a)は平面図、(b)は側面図である。スイッチ素子
CFは、図2に示すように所定の配線材、例えばアルミ
ニウムやポリシリコン10a,10bによりチップ上に
形成する。11は層間膜である。矢印12はレーザビー
ムの照射方向及び位置を示している。なお、冗長構成は
図3のブロック図に示す構成と同じである。また、冗長
デコーダ回路(1)、冗長デコーダ回路(2)及びデコ
ーダ回路の回路構成は図5、図6及び図7に示す回路図
と同じである。
回路は、冗長非選択時、つまり溶断スイッチ素子である
フューズ素子Fを切断していない時に、出力信号Rxと
してHの信号を出力する。また、冗長選択時は、フュー
ズ素子Fを切断すると共にスイッチ素子CFを短絡させ
ると出力信号RxとしてLの信号が出力される。冗長デ
コーダ回路(1)、冗長デコーダ回路(2)及びデコー
ダ回路の動作は前述の従来例と同じである。
素子CFとが直列に接続されたフューズ回路を電源と接
地との間に設け、冗長選択時はフューズ素子Fを溶断す
ると共にスイッチ素子CFを短絡するようにしたから、
冗長非選択時はスイッチ素子がコンデンサとして作用
し、電源Vcc−接地GND間に貫通電流が流れない。従
って、消費電流が従来例のものより少なくなる。
路、つまり図1のものと図4に示す従来例とを比べる
と、トランジスタQ1 がスイッチ素子CFと置き換えら
れている。また、図4に示すトランジスタQ2 はノード
Eのデータを保持しておくために必要なものであるが、
図1ではスイッチ素子CFによってノードEがコントロ
ールできる。従って、トランジスタQ2 は不要となる。
また、上記実施例ではチップセレクト信号CSが不要で
あるから回路構成が簡単になる。
素子と容量性溶着スイッチ素子とが直列に接続されたフ
ューズ回路を電源と接地との間に設け、冗長選択時はフ
ューズ素子を溶断すると共にスイッチ素子を短絡するよ
うにしたから、冗長非選択時は容量性用着スイッチ素子
がコンデンサとして作用し、電源と接地との間に貫通電
流が流れない。従って、半導体メモリの容量が大きくな
っても、その消費電流を少なくできる。
路図である。
る。
Claims (1)
- 【請求項1】 記憶素子の製造過程で発生したチップ上
の欠陥部分を救済するための冗長メモリセル群と、 記憶素子がアクティブ状態のとき導通するスイッチング
素子とフューズ素子とが直列に接続されて電源と接地と
の間に設けられたフューズ回路とを備え、 前記フューズ素子を予め切断しておくことにより、前記
欠陥部分のメモリセルの選択信号が出力された場合は代
替用の冗長メモリセルが選択されるようにした半導体集
積回路装置において、 前記フューズ回路は、前記フューズ素子と容量性溶着ス
イッチ素子とを直列に接続してなり、 前記フューズ素子を予め切断しておくと共に前記容量性
溶着スイッチ素子を短絡しておくことにより、代替用の
冗長メモリセルを選択することを特徴とする半導体集積
回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31383193A JP3350828B2 (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 容量性溶着スイッチ及びそれを用いた半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP31383193A JP3350828B2 (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 容量性溶着スイッチ及びそれを用いた半導体集積回路装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002193281A Division JP2003124322A (ja) | 2002-07-02 | 2002-07-02 | 容量性溶着スイッチ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH07169294A JPH07169294A (ja) | 1995-07-04 |
JP3350828B2 true JP3350828B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=18046038
Family Applications (1)
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JP31383193A Expired - Fee Related JP3350828B2 (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 容量性溶着スイッチ及びそれを用いた半導体集積回路装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP3350828B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
KR100408418B1 (ko) * | 2001-11-22 | 2003-12-06 | 삼성전자주식회사 | 상부 크랙을 방지하고 레이저 빔의 에너지 윈도우를 넓힐수 있는 레이저 링크 구조 및 이를 이용하는 퓨즈박스 |
-
1993
- 1993-12-14 JP JP31383193A patent/JP3350828B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
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JPH07169294A (ja) | 1995-07-04 |
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