JP3343503B2 - Cleaning equipment - Google Patents

Cleaning equipment

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JP3343503B2
JP3343503B2 JP36268897A JP36268897A JP3343503B2 JP 3343503 B2 JP3343503 B2 JP 3343503B2 JP 36268897 A JP36268897 A JP 36268897A JP 36268897 A JP36268897 A JP 36268897A JP 3343503 B2 JP3343503 B2 JP 3343503B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば成膜処理や
研磨処理を行った基板を洗浄するための洗浄装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning apparatus for cleaning a substrate which has been subjected to, for example, a film forming process or a polishing process.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスにおいて
は、半導体デバイスが形成される半導体ウエハ(以下
「ウエハ」という)の表面の清浄度を高く維持する必要
がある。このため各々の製造プロセスや処理プロセスの
前後には必要に応じてウエハ表面を洗浄しているが、例
えば成膜工程や研磨工程の後にも例えば図8に示す洗浄
装置を用いてウエハ表面の洗浄が行われている。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, it is necessary to maintain a high level of cleanliness on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as "wafer") on which semiconductor devices are formed. Therefore, before and after each manufacturing process and processing process, the wafer surface is cleaned as necessary. For example, after the film forming process and the polishing process, the wafer surface is cleaned using a cleaning device shown in FIG. Has been done.

【0003】前記洗浄装置について簡単に説明すると、
この装置はウエハWの外周全体を保持すると共に、回転
機構12により水平方向に回転可能なウエハ保持部11
と、ウエハWの上面に所定の圧力で接触されるブラシ1
3と、ウエハ保持部11とウエハWの周囲を包囲し、昇
降機構14により垂直方向に移動可能なカップ15とを
備えて構成されている。このような洗浄装置では、ウエ
ハWを水平な方向に回転させ、ウエハの上面にブラシ1
3を介して洗浄液を供給すると共に、当該ブラシ13を
ウエハWの上面に押し当ててウエハWとブラシ13とを
相対的に摺動させることにより、ウエハ上面の粒子汚染
物を除去している。
[0003] The cleaning device will be briefly described.
The apparatus holds the entire outer periphery of a wafer W and is rotatable in a horizontal direction by a rotation mechanism 12.
And a brush 1 contacting the upper surface of the wafer W with a predetermined pressure
3 and a cup 15 which surrounds the periphery of the wafer holding unit 11 and the wafer W and is vertically movable by an elevating mechanism 14. In such a cleaning apparatus, the wafer W is rotated in the horizontal direction, and the brush 1 is placed on the upper surface of the wafer.
The cleaning liquid is supplied via the nozzle 3 and the brush 13 is pressed against the upper surface of the wafer W to relatively slide the brush 13 with the wafer W, thereby removing particle contaminants on the upper surface of the wafer W.

【0004】ところで近年次のような不都合が起こるこ
とからウエハの裏面を洗浄する要請が高まっている。つ
まり裏面側にパ−ティクルが付着したまま露光工程を行
うと、ウエハを載置するためのステ−ジにパ−ティクル
が転写され、ステ−ジとウエハとの間にパ−ティクルが
入り込む。このため入り込んだパ−ティクルが原因とな
ってウエハに反りが生じ、これによりフォ−カスが崩れ
てしまうことがある。また裏面側にパ−ティクルが付着
したままアニ−ル工程を行うと、この工程中にパ−ティ
クルがウエハの裏面から入り込み、このパ−ティクルと
表面のトランジスタとの間に電流路が形成されてしまう
こともある。
[0004] In recent years, the following inconveniences have occurred, and there is an increasing demand for cleaning the back surface of a wafer. That is, if the exposure process is performed with the particles attached to the back surface, the particles are transferred to the stage for mounting the wafer, and the particles enter between the stage and the wafer. As a result, the wafers may be warped due to the particles that have entered, thereby causing the focus to collapse. If the annealing process is performed with the particles attached to the back surface, the particles enter from the back surface of the wafer during this process, and a current path is formed between the particles and the transistors on the front surface. It can happen.

【0005】このため従来では図9に示す洗浄装置によ
りウエハの表面と裏面とを洗浄するようにしている。こ
こで図8の洗浄装置ではウエハ保持部11によりウエハ
Wの外周全体を保持しており裏面側には作業エリアがな
いので、表面と裏面とを同時に洗浄することができな
い。このため表面洗浄と裏面洗浄とを別々に行うことが
必要となるが、ウエハの表面と裏面とは洗浄するときの
ブラシ13の押圧力が異なること及びスル−プット上の
問題から、図9の洗浄装置では裏面洗浄部17と表面洗
浄部18とを別個に設けるようにしている。
For this reason, conventionally, the front and back surfaces of a wafer are cleaned by a cleaning apparatus shown in FIG. Here, in the cleaning apparatus of FIG. 8, since the entire outer periphery of the wafer W is held by the wafer holding unit 11 and there is no work area on the back surface side, the front surface and the back surface cannot be cleaned at the same time. For this reason, it is necessary to perform the front surface cleaning and the back surface cleaning separately. However, the pressing force of the brush 13 at the time of cleaning the front surface and the back surface of the wafer is different, and the problem of the throughput is caused by the problem of the throughput. In the cleaning device, the back surface cleaning unit 17 and the front surface cleaning unit 18 are separately provided.

【0006】この洗浄装置では、カセット室16内にお
いて表面が上を向いている状態で置かれているウエハは
先ず反転部19で裏面が上を向くように反転させられ、
この状態で裏面洗浄部17に搬送されて裏面が洗浄され
る。次いで再び反転部19で表面が上に向くように反転
させられて、表面洗浄部18で表面が洗浄される。ここ
で裏面から先に洗浄するのは洗浄している面の洗浄液が
他面側に回り込み、この洗浄液により他面側が汚染され
ることがあるからである。なお裏面洗浄部17と表面洗
浄部18は、図8の洗浄装置と同様に構成されている。
In this cleaning apparatus, the wafer placed in the cassette chamber 16 with the front surface facing upward is first reversed by the reversing portion 19 so that the back surface faces upward.
In this state, the sheet is transported to the back surface cleaning unit 17 and the back surface is cleaned. Next, the surface is again turned upside down by the inversion unit 19, and the surface is washed by the surface washing unit 18. Here, the back surface is cleaned first because the cleaning solution on the surface being cleaned is spilled to the other surface side, and this cleaning solution may contaminate the other surface side. The back surface cleaning unit 17 and the front surface cleaning unit 18 have the same configuration as the cleaning device in FIG.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の洗
浄プロセスでは、裏面洗浄部17と表面洗浄部18とが
別個に設けられていると共に、これら洗浄部17、18
の他に反転部19が必要となるのでかなり装置が大型化
してしまうという問題がある。またウエハを反転させて
から裏面を洗浄し、またウエハを反転させて表面を洗浄
するというように処理工程が多くなるので洗浄処理に要
する時間が長くなってしまうという問題がある。さらに
一面側を洗浄するときに、既に洗浄した他面側に洗浄液
が回り込み、当該他面側にパ−ティクルが付着してしま
うという問題もある。
However, in the above-described cleaning process, the back surface cleaning unit 17 and the front surface cleaning unit 18 are separately provided, and these cleaning units 17 and 18 are provided.
In addition, since the reversing unit 19 is required, there is a problem that the apparatus becomes considerably large. In addition, the number of processing steps is increased, such as cleaning the back surface after the wafer is inverted, and cleaning the front surface by reversing the wafer, so that the time required for the cleaning process becomes longer. Further, when one surface is cleaned, there is a problem that the cleaning liquid flows around the already cleaned other surface and particles adhere to the other surface.

【0008】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は装置全体の小型化及び処理時間の
短縮を図ることができる洗浄装置を提供することにあ
る。
The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a cleaning apparatus capable of reducing the size of the entire apparatus and reducing the processing time.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】このため本発明の洗浄装
置は、各々鉛直な軸の周りに回転自在に円形の基板の輪
郭に沿って間隔をおいて設けられ、下に行くほど径が拡
大するように周面が傾斜した傾斜面部を有し、前記基板
が水平となるようにこの傾斜面部により基板の外端縁
保持しかつガイドするための複数の回転ガイド部材と、
これら複数の回転ガイド部材のうち少なくとも一つを駆
動して回転させるための駆動部と、前記回転ガイド部材
に保持された基板の表面及び裏面に夫々接触して、基板
の回転時に基板上を移動して当該表面及び裏面を洗浄す
る第1及び第2の洗浄部材と、前記回転ガイド部材に保
持された基板の表面及び裏面に、前記第1及び第2の洗
浄部材と干渉しないように移動して夫々洗浄液を供給す
る第1及び第2の洗浄液供給部と、を備え、基板より幅
狭な板状の基板搬送手段の上面に基板を載置し、この基
板を保持する基板搬送手段を前記回転ガイド部材に囲ま
れた領域の上方から下降させることにより、前記基板を
回転ガイド部材に受け渡し、前記基板は、前記駆動部に
より回転する回転ガイド部材の外周面により外端縁が周
方向に送り出され、各回転ガイド部材にガイドされなが
ら水平方向に回転することを特徴とする。ここで本発明
における水平とはほぼ水平な状態も含むものとする。
第1及び第2の洗浄部材は、共通の支持部材に支持さ
れて基板を洗浄するときに、基板の一方の周縁部から他
方の周縁部まで移動するようにしてもよい。
For this reason, the cleaning apparatus of the present invention is provided at intervals along the contour of a circular substrate so as to be rotatable about a vertical axis, and the diameter increases as going downward.
An inclined surface portion which is circumferential face inclined to large, a plurality of rotation guide member for the substrate for the inclined surface by then <br/> holding an outer edge of the substrate and the guide so that the horizontal ,
A driving unit for driving and rotating at least one of the plurality of rotation guide members, and contacting the front and back surfaces of the substrate held by the rotation guide member, respectively, and moving on the substrate during rotation of the substrate Then, the first and second cleaning members for cleaning the front and back surfaces and the front and back surfaces of the substrate held by the rotation guide member are moved so as not to interfere with the first and second cleaning members. first and second cleaning liquid supply unit for supplying a respective cleaning liquid Te, with a width greater than the substrate
The substrate is placed on the upper surface of the narrow plate-shaped substrate transfer means, and
A substrate transfer means for holding a plate is surrounded by the rotation guide member.
The substrate by lowering it from above the
The substrate is delivered to a rotation guide member, and the substrate is rotated in the horizontal direction while the outer edge is sent out in a circumferential direction by an outer peripheral surface of the rotation guide member rotated by the driving unit, and guided by each rotation guide member. I do. Here, the horizontal in the present invention includes a substantially horizontal state. Ma
The first and second cleaning members are supported of the common support member
When the substrate is washed by cleaning, the substrate may move from one peripheral edge to the other peripheral edge.

【0010】[0010]

【0011】[0011]

【0012】このような構成では、回転ガイド部材に回
転力を与える駆動部が回転ガイド部材の外側に設けられ
ているので、基板の両側にはスペ−スがある。このため
第1及び第2の洗浄部材を基板の両側に設けることがで
き、これにより基板の両面を同時に洗浄することができ
るので、従来のように2つの洗浄部と反転部とが設けら
れていた装置に比べて装置全体が小型化する。また両面
を同時に洗浄できるので洗浄処理に要する時間が短縮さ
れる。
[0012] In such a configuration, since the driving section for applying a rotational force to the rotation guide member is provided outside the rotation guide member, there are spaces on both sides of the substrate. For this reason, the first and second cleaning members can be provided on both sides of the substrate, whereby both surfaces of the substrate can be cleaned at the same time. Therefore, two cleaning units and a reversing unit are provided as in the related art. The entire device is smaller than the conventional device. Further, since both surfaces can be washed at the same time, the time required for the washing process is reduced.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下に本発明の洗浄装置の実施の
形態の一例について説明するが、図1は洗浄装置の概略
斜視図であり、図2は平面図である。図中2(2a〜2
e)は回転ガイド部材であり、これらは基板例えばウエ
ハWが洗浄位置にあるときに、当該ウエハWのノッチ
(V字型切り込み)以外の輪郭に沿って間隔をおいて設
けられている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a cleaning apparatus according to the present invention will be described below. FIG. 1 is a schematic perspective view of the cleaning apparatus, and FIG. 2 is a plan view. 2 in the figure (2a-2
Reference numeral e) denotes a rotation guide member, which is provided at intervals along a contour other than the notch (V-shaped cut) of the wafer W when the substrate, for example, the wafer W is at the cleaning position.

【0014】前記回転ガイド部材2は回転軸21の上端
部に回転ガイド体22を備えて構成されている。回転ガ
イド体22は、図1及び図5に示すように筒状体と円錐
体とを組み合わせた形状であって、下に行くほど径が拡
大するように周面が傾斜した傾斜面部23を有してい
る。この傾斜面部23の上部側は洗浄位置(回転ガイド
部材2による保持位置)にあるウエハWの周縁部の外側
に位置し、下部側はウエハWの周縁部の内側に位置して
いて、この傾斜面部23によりウエハWが水平(ほぼ水
平な状態も含む)になるように当該ウエハWの周縁部が
保持されるようになっている。
The rotation guide member 2 is provided with a rotation guide body 22 at the upper end of a rotation shaft 21. The rotation guide body 22 has a shape formed by combining a cylindrical body and a conical body as shown in FIGS. 1 and 5, and has an inclined surface portion 23 whose peripheral surface is inclined so that the diameter increases as going downward. are doing. The upper side of the inclined surface portion 23 is located outside the peripheral edge of the wafer W at the cleaning position (the holding position by the rotation guide member 2), and the lower side is located inside the peripheral edge of the wafer W. The peripheral portion of the wafer W is held by the surface portion 23 so that the wafer W is horizontal (including a substantially horizontal state).

【0015】このような回転ガイド部材2の内の例えば
2つの回転ガイド部材2a,2cは、回転軸21の下端
側に、当該回転軸21を回転させるための駆動部24例
えばモ−タを備えており、また残りの回転ガイド部材2
b,2d,2eの回転軸21の下端側は図5に示すよう
に軸受け25に支持されている。
For example, two of the rotary guide members 2a and 2c of the rotary guide member 2 have a drive unit 24 for rotating the rotary shaft 21 at the lower end of the rotary shaft 21, for example, a motor. And the remaining rotation guide member 2
The lower ends of the rotating shafts 21 of b, 2d and 2e are supported by bearings 25 as shown in FIG.

【0016】こうして回転ガイド部材2a,2cはモ−
タ24の駆動により鉛直な軸の周りに回転され、この回
転によって残りの回転ガイド部材2b,2d,2eも鉛
直な軸の周りに回転されることになる。そしてこの回転
ガイド部材2の回転により、ウエハWの周縁部が回転ガ
イド体22の傾斜面23によって周方向に送り出され、
こうしてウエハWは回転ガイド体22によりガイドされ
ながら水平方向に回転される。
Thus, the rotation guide members 2a and 2c are
The rotation of the rotation guide member 24 causes the rotation guide members 2b, 2d, and 2e to rotate about the vertical axis. Then, by the rotation of the rotation guide member 2, the peripheral portion of the wafer W is sent out in the circumferential direction by the inclined surface 23 of the rotation guide body 22,
Thus, the wafer W is rotated in the horizontal direction while being guided by the rotation guide body 22.

【0017】前記回転ガイド部材2には基板搬送手段を
なす搬送ア−ム3(31,32)によりウエハWが受け
渡されるようになっている。この搬送ア−ム3は、例え
ば図3及び図4に示すようにウエハWの直径よりも幅狭
な略長方形状を成していて、その上面には段部30が形
成されており、この段部30の上面にウエハWの周縁部
を載置することにより当該ウエハWの周縁部の一部を保
持するように構成されている。また洗浄前と洗浄後とは
別々の搬送ア−ム3が用られるように、第1の搬送ア−
ム31と第2の搬送ア−ム32との2枚の搬送ア−ムを
例えば上下に備えている。
The wafer W is transferred to the rotation guide member 2 by a transfer arm 3 (31, 32) serving as a substrate transfer means. The transfer arm 3 has a substantially rectangular shape narrower than the diameter of the wafer W as shown in FIGS. 3 and 4, for example, and a step portion 30 is formed on the upper surface thereof. The peripheral portion of the wafer W is placed on the upper surface of the step portion 30 to hold a part of the peripheral portion of the wafer W. Also, the first transport arm is used so that separate transport arms 3 are used before and after cleaning.
For example, two transport arms, that is, a transport arm 31 and a second transport arm 32, are provided vertically, for example.

【0018】これら搬送ア−ム3は水平方向駆動部33
により水平方向に進退可能、及び垂直方向駆動部34に
より昇降可能に構成されている。これにより搬送ア−ム
3はウエハWの周縁部を保持して、この例では回転ガイ
ド部材2c,2dの間から前記回転ガイド部材2に囲ま
れた領域の上方に進入し、この位置から下降して当該ウ
エハWを回転ガイド部材2に受け渡すようになってい
る。
The transport arm 3 is provided with a horizontal drive unit 33.
, And can be moved up and down by the vertical drive unit 34. As a result, the transfer arm 3 holds the peripheral portion of the wafer W, and in this example, enters between the rotation guide members 2c and 2d above the region surrounded by the rotation guide member 2, and descends from this position. Then, the wafer W is transferred to the rotation guide member 2.

【0019】回転ガイド部材2に保持されたウエハWの
表面側及び裏面側には、図1、図2、図5及び図6に示
すように、当該ウエハWの表面を洗浄するための第1の
洗浄部材をなす第1の洗浄ブラシ41と、ウエハWの裏
面を洗浄するための第2の洗浄部材をなす第2の洗浄ブ
ラシ42とが設けられている。
As shown in FIGS. 1, 2, 5 and 6, a first surface for cleaning the surface of the wafer W is provided on the front side and the back side of the wafer W held by the rotation guide member 2. A first cleaning brush 41 as a cleaning member, and a second cleaning brush 42 as a second cleaning member for cleaning the back surface of the wafer W.

【0020】これら第1及び第2の洗浄ブラシ41,4
2は、図1及び図2に示すように例えばウエハWの半径
よりも長い円筒体のスポンジよりなり、例えばブラシ内
から後述する洗浄液が供給されるようになっている。ま
たこれら洗浄ブラシ41,42は、図2及び図6に示す
ように共通の支持部材5に支持されてウエハWを洗浄す
る洗浄位置(図2中実線で示す位置)とウエハWの外側
の待機位置(図2中一点鎖線で示す位置)との間を移動
するように構成されている。そして洗浄位置にあるとき
には、この例では回転ガイド部材2b,2cの間に洗浄
ブラシ41,42の基端側が位置し、ウエハWの周縁部
が当該基端部の内側近傍に位置するように配置される。
The first and second cleaning brushes 41, 4
Reference numeral 2 denotes a cylindrical sponge longer than the radius of the wafer W, as shown in FIGS. 1 and 2, for example, and a cleaning liquid described later is supplied from inside the brush. The cleaning brushes 41 and 42 are supported by a common support member 5 to clean the wafer W as shown in FIGS. 2 and 6 (a position indicated by a solid line in FIG. 2) and a standby position outside the wafer W. It is configured to move between a position (a position indicated by a chain line in FIG. 2). In the cleaning position, in this example, the base ends of the cleaning brushes 41 and 42 are located between the rotation guide members 2b and 2c, and the peripheral edge of the wafer W is positioned near the inside of the base end. Is done.

【0021】前記支持部材5は例えば図6に示すように
加圧調整部51を備えており、この加圧調整部51には
水平な第1及び第2の支持プレ−トP1,P2の基端側
が夫々後述のように取り付けられている。これら支持プ
レ−トP1,P2の上面には夫々第1及び第2のモ−タ
M1,M2が設けられており、前記第1及び第2の洗浄
ブラシ41,42の基端側がこれらモ−タM1,M2に
取り付けられている。これにより洗浄ブラシ41,42
は水平な軸の周りに回転されるようになっている。
The support member 5 is provided with a pressure adjusting portion 51 as shown in FIG. 6, for example, and the pressure adjusting portion 51 has a horizontal base plate P1 and a base plate P2. The ends are each mounted as described below. First and second motors M1 and M2 are provided on the upper surfaces of the support plates P1 and P2, respectively, and the base end sides of the first and second cleaning brushes 41 and 42 are connected to these motors. It is attached to the terminals M1 and M2. Thereby, the cleaning brushes 41, 42
Is adapted to be rotated about a horizontal axis.

【0022】加圧調整部51は例えば図6に支持プレ−
トP1を代表して示すように支柱52を備えており、こ
の支柱52の前面には支持プレ−トP1,P2の基端側
が夫々上下にスライドできるように取り付けられている
と共に、水平な固定台53の基端側が取り付けられてい
て、この固定台53の上面には支持プレ−トP1,P2
を下側から押圧するための加圧シリンダ54が設けられ
ている。
The pressure adjusting section 51 is, for example, shown in FIG.
A support 52 is provided as a representative of the support P1, and the base ends of the support plates P1 and P2 are attached to the front surface of the support 52 so as to be slidable up and down, respectively, and are horizontally fixed. A base end of the base 53 is attached, and support plates P1 and P2 are provided on the upper surface of the fixed base 53.
A pressurizing cylinder 54 for pressing the pressure from below is provided.

【0023】また支柱52の背面には各支持プレ−トP
1,P2毎に滑車55を介して重錘56が吊り下げられ
ており、これら支持プレ−トP1,P2の荷重を各重錘
56でバランスさせ、その状態で支持プレ−トP1を加
圧シリンダ54により押圧して、これにより洗浄ブラシ
41,42の間の間隔を調整すると共に、ウエハWに対
する洗浄ブラシ41,42の押圧力を夫々所定の圧力に
調整するように構成されている。
Each support plate P is provided on the back of the support post 52.
A weight 56 is suspended via a pulley 55 for each of the weights 1 and P2. The weights of the support plates P1 and P2 are balanced by the weights 56, and the support plate P1 is pressurized in that state. The cleaning brushes 41 and 42 are pressed by a cylinder 54, thereby adjusting the interval between the cleaning brushes 41 and 42 and adjusting the pressing force of the cleaning brushes 41 and 42 against the wafer W to a predetermined pressure.

【0024】さらに支持部材5は洗浄ブラシ41,42
に夫々洗浄液を供給するための供給ノズルN1,N2を
備えると共に、加圧調整部51をガイドレ−ル57aに
沿ってx軸方向に進退させるためのx方向駆動部57
と、加圧調整部51をz軸周りに回転させるためのθ方
向駆動部58とを備えている。こうして洗浄ブラシ4
1,42は前記洗浄位置と待機位置との間で移動される
と共に、ウエハWを洗浄するときには、ウエハWの一方
の周縁部から中心部を通り、他方の周縁部に至るように
水平方向に移動される。なお前記洗浄ブラシ41,42
の待機位置には、図示しないブラシ洗浄機構が設けられ
ている。
Further, the supporting member 5 includes cleaning brushes 41 and 42.
Supply nozzles N1 and N2 for supplying a cleaning liquid to the x-direction drive unit 57 for moving the pressure adjustment unit 51 in the x-axis direction along the guide rail 57a.
And a θ-direction drive unit 58 for rotating the pressure adjustment unit 51 about the z-axis. Thus cleaning brush 4
1 and 42 are moved between the cleaning position and the standby position, and when cleaning the wafer W, the wafer W is moved in a horizontal direction from one peripheral portion of the wafer W to the central portion and to the other peripheral portion. Be moved. The cleaning brushes 41, 42
A brush cleaning mechanism (not shown) is provided at the standby position.

【0025】また回転ガイド部材2に保持されたウエハ
Wの表面側及び裏面側には、図1、図2及び図5に示す
ように、当該ウエハWの表面及び裏面に洗浄液を供給す
るための第1の洗浄液供給部をなす第1のノズル61と
第2の洗浄液供給部をなす第2のノズル62とが、夫々
第1及び第2の洗浄ブラシ41,42の上方側と下方側
に洗浄ブラシ41,42と緩衝しないように設けられて
いる。
On the front side and back side of the wafer W held by the rotation guide member 2, as shown in FIGS. 1, 2 and 5, for supplying a cleaning liquid to the front side and back side of the wafer W. A first nozzle 61 serving as a first cleaning liquid supply unit and a second nozzle 62 serving as a second cleaning liquid supply unit wash the upper and lower sides of the first and second cleaning brushes 41 and 42, respectively. The brushes 41 and 42 are provided so as not to be buffered.

【0026】これらノズル61,62は、夫々第1及び
第2の支持ア−ム63,64により支持されて、ウエハ
上に洗浄液を供給するウエハ上方側の供給位置(図2中
実線で示す位置)とウエハWの外側の待機位置(図2中
一点鎖線で示す位置)との間を移動すると共に、ウエハ
上に洗浄液を供給するときにはウエハWのほぼ回転中心
と周縁部との間を移動するように構成されている。ここ
で洗浄液としては、例えば成膜処理の後の洗浄では純水
が用いられ、研磨処理の後の洗浄では例えばフッ酸およ
びアンモニア水等の薬液が用いられるが、例えば前記ノ
ズル61,62は洗浄液の種類毎に複数用意される。
The nozzles 61 and 62 are supported by first and second support arms 63 and 64, respectively, and are provided at a supply position above the wafer (a position indicated by a solid line in FIG. 2) for supplying a cleaning liquid onto the wafer. ) And a standby position outside the wafer W (a position indicated by a dashed line in FIG. 2), and at the time of supplying the cleaning liquid onto the wafer, it moves substantially between the center of rotation and the peripheral edge of the wafer W. It is configured as follows. Here, as the cleaning liquid, for example, pure water is used in the cleaning after the film forming process, and in the cleaning after the polishing process, a chemical solution such as hydrofluoric acid and ammonia water is used. A plurality is prepared for each type.

【0027】続いて上述の処理装置の作用について説明
する。先ず第1及び第2の洗浄ブラシ41,42及び第
1及び第2のノズル61,62を待機位置に位置させた
状態で、ノッチの位置合わせがされたウエハWを例えば
第1の搬送ア−ム31に保持させて既述のように当該ウ
エハWを回転ガイド部材2に受け渡し、その傾斜面部2
3に保持させる。
Next, the operation of the above-described processing apparatus will be described. First, in a state where the first and second cleaning brushes 41 and 42 and the first and second nozzles 61 and 62 are located at the standby positions, the notch-aligned wafer W is transferred to, for example, the first transfer arm. The wafer W is transferred to the rotation guide member 2 as described above while being held by the
3 is held.

【0028】次いでウエハWを既述のように回転ガイド
部材2により水平方向に回転させる一方、洗浄ブラシ4
1,42を支持部材5により洗浄位置に移動させると共
に、ノズル61,62を供給位置に移動させる。このと
き洗浄ブラシ41,42は、予め両者の間隔を加圧調整
部51によりウエハWの厚さよりも大きくなるように設
定しておき、この状態で洗浄位置まで移動させてから、
これら洗浄ブラシ41,42を夫々所定の押圧力でウエ
ハWの表面及び裏面に夫々接触させる。
Next, the wafer W is rotated horizontally by the rotation guide member 2 as described above, while the cleaning brush 4 is rotated.
The support members 5 move the nozzles 1 and 42 to the cleaning position, and move the nozzles 61 and 62 to the supply position. At this time, the distance between the cleaning brushes 41 and 42 is set in advance by the pressure adjusting unit 51 so as to be larger than the thickness of the wafer W, and after moving to the cleaning position in this state,
The cleaning brushes 41 and 42 are respectively brought into contact with the front and back surfaces of the wafer W with a predetermined pressing force.

【0029】そして洗浄液を、ノズル61,62により
夫々ウエハWの表面及び裏面に供給すると共に、供給ノ
ズルN1,N2により洗浄ブラシ41,42を介して供
給し、これら洗浄ブラシ41,42をモ−タM1,M2
により回転させながら洗浄処理を行う。この際洗浄ブラ
シ41,42を支持部材5によりウエハWの一方の周縁
部から他方の周縁部まで移動させる共に、ノズル61,
62をウエハWのほぼ回転中心と周縁部との間で洗浄ブ
ラシ41,42と干渉しないように移動させて洗浄処理
を行う。
The cleaning liquid is supplied to the front surface and the back surface of the wafer W by the nozzles 61 and 62, respectively, and supplied through the cleaning brushes 41 and 42 by the supply nozzles N1 and N2. M1, M2
The cleaning process is performed while rotating by. At this time, the cleaning brushes 41 and 42 are moved by the support member 5 from one peripheral edge of the wafer W to the other peripheral edge, and the nozzles 61 and 42 are moved.
The cleaning process is performed by moving the wafer 62 between the rotation center of the wafer W and the peripheral edge so as not to interfere with the cleaning brushes 41 and 42.

【0030】このようにするとウエハWの回転中心に供
給された洗浄液は、回転の遠心力により周縁部に向けて
拡散しながら流れて行き、ウエハWの表面及び裏面全体
に行き渡る。そしてウエハWの半径よりも長い洗浄ブラ
シ41,42を移動させながら当該洗浄ブラシ41,4
2とウエハWとを摺動させることによって、ウエハWは
中心部から周縁部まで満遍なく洗浄される。この際洗浄
ウエハWは、ブラシ41,42のウエハWに対する押圧
力が夫々適切な値に調整された状態で、2つの洗浄ブラ
シ41,42の間に挟み込まれた形で洗浄が行われるの
で、ウエハWの表面及び裏面は所定の清浄度に洗浄され
る。
In this way, the cleaning liquid supplied to the center of rotation of the wafer W flows while diffusing toward the peripheral edge by the centrifugal force of rotation, and spreads over the entire front and back surfaces of the wafer W. Then, while moving the cleaning brushes 41 and 42 longer than the radius of the wafer W, the cleaning brushes 41 and 4 are moved.
By sliding the wafer 2 and the wafer W, the wafer W is thoroughly washed from the center to the periphery. At this time, the cleaning wafer W is cleaned while being sandwiched between the two cleaning brushes 41 and 42 in a state where the pressing forces of the brushes 41 and 42 on the wafer W are adjusted to appropriate values. The front and back surfaces of the wafer W are cleaned to a predetermined degree of cleanliness.

【0031】こうしてウエハWを洗浄した後、ノズル6
1,62を待機位置に移動させると共に、洗浄ブラシ4
1,42を、両者の間隔をウエハWの厚さより大きくし
てから待機位置に移動させる。そしてウエハWを回転ガ
イド部材2の回転により高速で回転させ、この回転の遠
心力により洗浄液を飛散させて乾燥させる一方、このウ
エハWの乾燥に並行して洗浄ブラシ41,42を待機位
置に設けられた図示しない洗浄機構により洗浄する。次
いで第2の搬送ア−ム32を回転ガイド部材2c,2d
の間からウエハWの下方側に進入させて上昇させること
により、ウエハWを回転ガイド部材2から当該搬送ア−
ム32に受け渡し、洗浄後のウエハWを次の工程に搬送
する。なお乾燥工程は本装置とは別個に設けられた乾燥
ユニットにおいて行うようにしてもよい。
After cleaning the wafer W in this manner, the nozzle 6
1, 62 to the standby position and the cleaning brush 4
1 and 42 are moved to the standby position after the interval between them is larger than the thickness of the wafer W. The wafer W is rotated at a high speed by the rotation of the rotation guide member 2, and the cleaning liquid is scattered and dried by the centrifugal force of the rotation, while the cleaning brushes 41 and 42 are provided at the standby position in parallel with the drying of the wafer W. The cleaning is performed by a cleaning mechanism (not shown). Next, the second transport arm 32 is moved to the rotation guide members 2c and 2d.
The wafer W is moved from the rotation guide member 2 to the transfer arm
The wafer W is transferred to the system 32 and transported to the next step after the cleaning. The drying step may be performed in a drying unit provided separately from the present apparatus.

【0032】このような洗浄装置では、ウエハは回転ガ
イド部材2により保持されながら、当該ウエハの周縁部
を周方向に送り出すことにより回転されるので、ウエハ
の裏面側にもスペ−スができる。このためウエハの裏面
側に当該裏面洗浄用の洗浄ブラシ42やノズル62を設
けることができ、これによってウエハの表面と共に裏面
も同時に洗浄することができる。従って従来の装置に設
けられていた表面洗浄部(裏面洗浄部)や反転部が不要
となるので、従来装置に比べて洗浄装置全体が大幅に小
型化する。またウエハの表面及び裏面の洗浄処理を同時
にできるので、従来必要であった別々の洗浄工程や反転
工程、また夫々の工程への搬送が不要となり、洗浄処理
時間が大幅に短縮され、スル−プットが向上する。
In such a cleaning apparatus, the wafer is rotated by feeding the peripheral edge of the wafer in the circumferential direction while being held by the rotation guide member 2, so that the space can be formed on the back side of the wafer. For this reason, the cleaning brush 42 and the nozzle 62 for cleaning the back surface can be provided on the back surface side of the wafer, whereby the back surface as well as the front surface of the wafer can be cleaned at the same time. Therefore, since the front surface cleaning unit (back surface cleaning unit) and the reversing unit provided in the conventional apparatus are not required, the entire cleaning apparatus is significantly reduced in size as compared with the conventional apparatus. In addition, since the cleaning process for the front and back surfaces of the wafer can be performed at the same time, there is no need for a separate cleaning process, a reversing process, and a transfer to each process, which have been required in the past. Is improved.

【0033】さらにウエハ自体が回転するため、ウエハ
の周縁部も満遍なく洗浄ブラシ41,42に接触され、
しかもウエハは2つの洗浄ブラシに挟み込まれた状態で
洗浄されるので、従来のようにウエハの外周全体を保持
するタイプのウエハ保持部を用い、ウエハが保持部材と
共に回転する場合には困難であったウエハ周縁部やウエ
ハ端面の洗浄も行うことができる。
Further, since the wafer itself rotates, the periphery of the wafer is evenly contacted with the cleaning brushes 41 and 42,
Moreover, since the wafer is cleaned while being sandwiched between the two cleaning brushes, it is difficult to use a conventional wafer holding portion that holds the entire outer periphery of the wafer and rotate the wafer together with the holding member. In addition, cleaning of the peripheral portion of the wafer and the end face of the wafer can be performed.

【0034】さらにまた洗浄液は回転の遠心力により飛
散して行くので、他面側への洗浄液の回り込みが防止で
きると共に、仮に回り込んだとしても他面側も洗浄して
いるので、回り込んだ洗浄液により他面側が汚染される
おそれはない。また搬送ア−ム3はウエハの周縁の一部
のみを保持していて、ウエハとの接触面積が小さいと共
に、洗浄前と洗浄後に別々の搬送ア−ム3を用意してい
る。このため例えば1本の洗浄ア−ムを洗浄前と洗浄後
に用いる場合のように、洗浄前のウエハを保持すること
によってウエハから搬送ア−ム3に転写されたパ−ティ
クルが洗浄後のウエハに付着することが防止できると共
に、搬送ア−ム3とウエハとの接触面積が小さいので、
仮に搬送ア−ム3にパ−ティクルが付着していたとして
も、搬送ア−ム3からウエハに転写されるパ−ティクル
数は少なくなる。
Further, since the washing liquid is scattered by the centrifugal force of rotation, it is possible to prevent the washing liquid from flowing to the other surface side, and even if the washing liquid is swirled, the other surface side is also washed. There is no possibility that the other side is contaminated by the cleaning liquid. The transfer arm 3 holds only a part of the peripheral edge of the wafer, has a small contact area with the wafer, and has separate transfer arms 3 before and after cleaning. Therefore, for example, when a single cleaning arm is used before and after cleaning, the particles transferred from the wafer to the transfer arm 3 by holding the wafer before cleaning can be used as the cleaning wafer. Can be prevented, and the contact area between the transfer arm 3 and the wafer is small.
Even if particles are attached to the transfer arm 3, the number of particles transferred from the transfer arm 3 to the wafer is reduced.

【0035】続いて本発明の他の例について図7により
説明する。この例においても回転ガイド部材7(7a〜
7e)は既述の例と同様に回転軸71と回転ガイド体7
2により構成されているが、回転ガイド体72は長さ方
向のほぼ中央部分で最も径が縮小し、この位置から上下
に行くほど径が拡大するように周面が傾斜した傾斜面部
を有するように構成されており、この傾斜面部の最も径
が縮小した位置でウエハWの周縁を保持するようになっ
ている。
Next, another example of the present invention will be described with reference to FIG. Also in this example, the rotation guide member 7 (7a-
7e) is the rotating shaft 71 and the rotating guide body 7 as in the above-described example.
2, the rotation guide body 72 has an inclined surface portion whose peripheral surface is inclined so that the diameter is reduced most at a substantially central portion in the length direction, and the diameter is increased as going upward and downward from this position. And the peripheral edge of the wafer W is held at a position where the diameter of the inclined surface portion is the smallest.

【0036】そして回転ガイド部材7の内の例えば2つ
の回転ガイド部材7a,7cは、既述の例と同様に駆動
部73により鉛直な軸の周りに回転可能に構成されてい
ると共に、さらに水平方向駆動部74によりウエハWの
保持位置からウエハWの輪郭の外側に移動できるように
構成されている。これによりこれら回転ガイド部材7
a,7cが外側に移動して隣同士の回転ガイド部材7
b,7dの間隔が広がったところを通って、ウエハWが
搬送ア−ム3により残りの回転ガイド部材7b,7d,
7eに受け渡され、この後回転ガイド部材7a,7cが
保持位置に移動するようになっている。他の構成は上述
の例と同様である。
The two rotation guide members 7a and 7c of the rotation guide member 7 are configured to be rotatable about a vertical axis by the driving unit 73, as in the above-described example, and are further horizontally moved. The direction drive unit 74 is configured to be able to move from the holding position of the wafer W to the outside of the contour of the wafer W. Thereby, these rotation guide members 7
a, 7c move outward to rotate guide members 7 adjacent to each other.
The wafer W is transported by the transfer arm 3 through the place where the distance between b and 7d is widened, and the remaining rotation guide members 7b, 7d,
7e, and thereafter, the rotation guide members 7a and 7c are moved to the holding position. Other configurations are the same as those in the above-described example.

【0037】以上において本発明では、基板としてはオ
リフラ(オリエンテ−ションフラット)が形成されてい
るウエハを用いることもでき、この場合回転ガイド部材
2はオリフラ以外のウエハの輪郭に沿って配置される。
また洗浄ブラシ41,42のウエハに対する押圧力の調
整はバネを利用して行うようにしてもよいし、ノズル6
1,62は本実施の形態のようにピンポイント型ではな
く、スリット状の洗浄液供給部を備えたものであっても
よい。
In the above, in the present invention, a wafer on which an orientation flat (orientation flat) is formed can be used as the substrate. In this case, the rotation guide member 2 is arranged along the contour of the wafer other than the orientation flat. .
The adjustment of the pressing force of the cleaning brushes 41 and 42 on the wafer may be performed using a spring, or the nozzle 6 may be adjusted.
The reference numerals 1 and 62 do not have the pinpoint type as in the present embodiment, and may include a slit-like cleaning liquid supply unit.

【0038】さらに搬送ア−ム3は例えば図示しない突
出ピンと搬送ア−ム3との協動作用で回転ガイド部材2
にウエハを受け渡すように構成してもよく、この場合に
は突出ピンと搬送ア−ム3とで基板搬送手段が構成され
る。この際搬送ア−ム3は洗浄前と洗浄後用に2本の搬
送ア−ム3を用意する代わりに、一本の搬送ア−ム3で
洗浄前と洗浄後のウエハの保持位置を変えるように構成
してもよい。
Further, the transport arm 3 is provided, for example, for cooperating with a projecting pin (not shown) and the transport arm 3 so that the rotary guide member 2 is provided.
In this case, the projecting pins and the transfer arm 3 constitute a substrate transfer means. At this time, the transfer arm 3 changes the holding position of the wafer before and after cleaning with one transfer arm 3 instead of preparing two transfer arms 3 before and after cleaning. It may be configured as follows.

【0039】[0039]

【発明の効果】本発明によれば、基板の表面と裏面とを
洗浄する場合に、洗浄装置全体の小型化及び洗浄処理時
間の短縮を図ることができる。
According to the present invention, when cleaning the front and back surfaces of a substrate, it is possible to reduce the size of the entire cleaning apparatus and shorten the cleaning processing time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の洗浄装置の一実施の形態を示す概略斜
視図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing one embodiment of a cleaning device of the present invention.

【図2】前記洗浄装置を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing the cleaning device.

【図3】前記洗浄装置に用いられる搬送ア−ムを示す側
面図である。
FIG. 3 is a side view showing a transfer arm used in the cleaning device.

【図4】前記洗浄装置に用いられる搬送ア−ムを示す平
面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a transfer arm used in the cleaning device.

【図5】前記洗浄装置の主要部を示す側面図である。FIG. 5 is a side view showing a main part of the cleaning device.

【図6】前記洗浄装置に設けられる支持部材を示す側面
図である。
FIG. 6 is a side view showing a support member provided in the cleaning device.

【図7】本発明の洗浄装置の他の例を示す概略斜視図で
ある。
FIG. 7 is a schematic perspective view showing another example of the cleaning device of the present invention.

【図8】従来の洗浄装置を示す側面図である。FIG. 8 is a side view showing a conventional cleaning device.

【図9】従来の洗浄装置を示す説明図である。FIG. 9 is an explanatory view showing a conventional cleaning device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 回転ガイド部材 24 駆動部 3 搬送ア−ム 41 第1の洗浄ブラシ 42 第2の洗浄ブラシ 5 支持部材 51 加圧調整部 61 第1のノズル 62 第2のノズル W 半導体ウエハ Reference Signs List 2 rotation guide member 24 drive unit 3 transport arm 41 first cleaning brush 42 second cleaning brush 5 support member 51 pressure adjusting unit 61 first nozzle 62 second nozzle W semiconductor wafer

フロントページの続き (72)発明者 廣瀬 圭蔵 山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650 東京エ レクトロン九州株式会社 プロセス開発 センタ−内 (56)参考文献 特開 平9−69502(JP,A) 特開 平1−105376(JP,A) 特開 昭60−143634(JP,A) 特開 平1−184831(JP,A) 特開 平8−241851(JP,A) 特開 平1−179422(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 Continuation of front page (72) Inventor Keizo Hirose 650 Mitsuzawa, Hosaka-cho, Nirasaki-shi, Yamanashi Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Process Development Center (56) References JP-A-9-69502 (JP, A) JP-A Heihei JP-A-1-105376 (JP, A) JP-A-60-143634 (JP, A) JP-A-1-184831 (JP, A) JP-A-8-241851 (JP, A) JP-A-1-179422 (JP, A) A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/304

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 各々鉛直な軸の周りに回転自在に円形の
基板の輪郭に沿って間隔をおいて設けられ、下に行くほ
ど径が拡大するように周面が傾斜した傾斜面部を有し、
前記基板が水平となるようにこの傾斜面部により基板の
外端縁保持しかつガイドするための複数の回転ガイド
部材と、 これら複数の回転ガイド部材のうち少なくとも一つを駆
動して回転させるための駆動部と、 前記回転ガイド部材に保持された基板の表面及び裏面に
夫々接触して、基板の回転時に基板上を移動して当該表
面及び裏面を洗浄する第1及び第2の洗浄部材と、 前記回転ガイド部材に保持された基板の表面及び裏面
に、前記第1及び第2の洗浄部材と干渉しないように移
動して夫々洗浄液を供給する第1及び第2の洗浄液供給
部と、を備え、基板より幅狭な板状の基板搬送手段の上面に基板を載置
し、この基板を保持する基板搬送手段を前記回転ガイド
部材に囲まれた領域の上方から下降させることにより、
前記基板を回転ガイド部材に受け渡し、 前記基板は、前
記駆動部により回転する回転ガイド部材の外周面により
外端縁が周方向に送り出され、各回転ガイド部材にガイ
ドされながら水平方向に回転することを特徴とする洗浄
装置。
1. A spaced along the rotatably circular board outline around each vertical axis, ho go down
It has an inclined surface part whose peripheral surface is inclined so that the throat diameter increases,
A plurality of rotation guide member for holding and guiding the outer edges of the substrate by the inclined surface portion so that the substrate is horizontal, for rotating to drive at least one of the plurality of rotating guide member And a first and second cleaning member that respectively contact the front and back surfaces of the substrate held by the rotation guide member, move on the substrate when the substrate rotates, and clean the front and back surfaces. A first and a second cleaning liquid supply unit that supplies a cleaning liquid by moving the front and back surfaces of the substrate held by the rotation guide member so as not to interfere with the first and second cleaning members, respectively; The substrate is placed on the upper surface of a plate-like substrate transfer means that is narrower than the substrate
And the substrate transfer means for holding the substrate
By lowering from above the area surrounded by the members,
The substrate is delivered to a rotation guide member, and the substrate is rotated in the horizontal direction while an outer edge is sent out in a circumferential direction by an outer peripheral surface of the rotation guide member rotated by the driving unit, and guided by each rotation guide member. A cleaning device characterized by the above-mentioned.
【請求項2】 第1及び第2の洗浄部材は、共通の支持
部材に支持されて基板を洗浄するときに、基板の一方の
周縁部から他方の周縁部まで移動することを特徴とする
請求項1記載の洗浄装置。
2. The cleaning device according to claim 1, wherein the first and second cleaning members move from one peripheral edge to the other peripheral edge of the substrate when the substrate is cleaned by being supported by a common support member. Item 7. The cleaning device according to Item 1.
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