JP3652559B2

JP3652559B2 - Liquid processing apparatus and method

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Publication number: JP3652559B2
Application number: JP23391399A
Authority: JP
Inventors: 秀一長峰; 博一稲田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1999-08-20
Filing date: 1999-08-20
Publication date: 2005-05-25
Anticipated expiration: 2019-08-20
Also published as: JP2001054757A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばレジストが塗布され、露光処理がされた基板の表面に現像液を供給して現像処理を行う、液処理装置及びその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハ（以下ウエハという）や液晶ディスプレイのＬＣＤ基板の表面上に回路パターンを形成するためのマスクは以下の工程により形成される。即ち、先ずウエハ表面にフォトレジスト溶液（以下レジストという）の塗布を行い、光等の照射を行う。前記レジストが例えばネガ形ならば光の当った部分が硬化し、硬化しない部分即ちレジストの溶けやすい部分を現像液により溶解して目的とするマスクが形成される。
【０００３】
従来、上述のような現像工程は図１２(ａ)，(ｂ)に示す以下の方法により行われていた。被処理基板であるウエハＷは真空吸着機能を備えた図示しないスピンチャックに吸着保持されており、ウエハＷの直径に対応する長さに亘って多数の吐出孔１１が配列された供給ノズル１２をウエハＷの中央部にて吐出孔１１がウエハＷ表面から例えば１ｍｍ上方になるように位置させる。そして吐出孔１１から現像液１０をウエハＷ表面の中央部に供給して液盛りを行い、続いて吐出孔１１から現像液１０の供給を行いながらウエハＷを半回転（１８０度回転）させる。
【０００４】
こうすることによってウエハＷ中央部にはじめに液盛りされた現像液１０が広げられると同時に現像液１０が新たに供給され、この結果ウエハＷ表面全体に現像液の液膜が所定の厚さで形成されることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上述の方法を用いた液処理装置では以下のような問題が生じる。即ちこの装置ではウエハＷを半回転以上させず、初めに供給した古い現像液と新たな現像液が混じり合うことを避け、混じった部分と混じり合わない部分との不均一さをなくすようにしているが、実際には慣性力によりウエハ上の現像液が動いてしまい、現像液の入れ替わりの激しいところとそうでないところとが生じて現像の均一性が悪化してしまうという問題が発生する。
【０００６】
このような問題を鑑み、図１３に示す方法により現像工程を行う方法が検討されている。この方法は、真空吸着機能を有するスピンチャック１によりウエハＷを水平に吸着保持し、前述の図１２(ａ)，(ｂ)に示したものと同様の供給ノズル１２を、ウエハＷ表面の上方例えば１ｍｍの位置でウエハＷの一端側から他端側へとスキャンさせ、このスキャン時に現像液の供給を行うことでウエハＷ全面への現像液の塗布を行うものである。
【０００７】
ここで現像液が互いに異なる複数種のウエハに対して現像工程を行う装置としては、図１４(ａ)，(ｂ)に示す装置が検討されている。この装置は２種類のウエハに種類の異なる現像液の供給を行う場合を例にとったものであり、既述の供給ノズル１２と同様の構成の２種類の供給ノズル１４ａと１４ｂとを、各々がＹ方向に伸びるように、また独立に上下動できるように夫々上下機構１６を介して共通の移動体１８に設け、この移動体１８をＸ方向に伸びるガイドレール１９に沿って移動可能に構成されている。従ってこの装置では、選択された供給ノズル１３がウエハＷの一端外側の待機位置２０から他端側へスキャンして、現像液の塗布が行われる。
【０００８】
しかしながら上述の装置には以下のような欠点がある。供給ノズル１３は供給ノズル１４ａと供給ノズル１４ｂとが一体に移動する構成となっているため、一方の供給ノズルにより液盛りするときに使用しない他方の供給ノズルから液だれが生じ、意図しない現像液がウエハＷ上に供給されてしまうおそれがある。
【０００９】
また、供給ノズル１３のスキャン中には使用していない供給ノズルもウエハＷ上方を移動しているため、現像液の供給等で湿っている当該供給ノズルの吐出孔にウエハＷ上方に舞っているパーティクルが付着するおそれもある。
【００１０】
ところで、上述の装置では図１４(ａ)に示す待機位置２０の表面上に、供給ノズル１４ａ，１４ｂが嵌合する図示しないバスが設けられているが、このバス内は不活性ガス（Ｎ2）雰囲気に保たれ、供給ノズル１４ａ，１４ｂ内に貯溜されている現像液の劣化を抑えている。従って供給ノズル１３の移動時には使用しない他方の供給ノズル内の現像液が劣化してしまう。
【００１１】
なお、現像液ごとに現像ユニットを別にすることも考えられるが、この場合現像装置が大型化するし、コスト高である。
【００１２】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は基板表面に対して均一な処理を行うことができ、また省スペース化を図ることができる液処理装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る液処理装置は、基板を水平に保持するための基板保持部と、
基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘って処理液の吐出孔が配列された複数の供給ノズルと、
前記基板保持部に保持されている基板の一端の外側に割り当てられた待機領域と基板との間で前記複数の供給ノズルを夫々ガイドするための複数のガイド部と、
前記複数の供給ノズルを夫々保持して各ガイド部に沿って独立して移動する複数の移動部と、
前記供給ノズルを昇降させる昇降機構と、
基板保持部に保持されている基板の一端の外側に割り当てられた待機領域に位置している一の供給ノズルと他の供給ノズルとの間で位置を入れ替えるための位置替え機構と、を備え、
前記待機領域に位置している前記複数の供給ノズルから選択された一の供給ノズルを基板上に移動させて当該基板に処理液の供給を行い、このとき他の供給ノズルは前記待機領域に待機していることを特徴とする。
また上記液処理装置において、前記待機領域には、
上下可動な板部と、
この板部の表面に設けられ、前記複数の供給ノズルがそれぞれ嵌合するように構成された複数のバスと、が設けられ、
前記一の供給ノズルと他の供給ノズルとの間で位置を入れ替える際に前記板部が下降するように制御されるように構成してもよい。
また処理液の供給については、例えば供給ノズルを供給ノズルの長手方向に直交する方向に基板の一端側から他端側に移動させて当該基板に処理液の供給を行う。
従って一の供給ノズルによる処理液の供給時に他の供給ノズルが付随して移動することがなく、基板に対して供給しようとする目的とする処理液以外の液が他の供給ノズルから基板表面に落下するおそれがなくなる。また一の供給ノズルを使用した後、当該一の供給ノズルを基板に対して前記待機領域の反対側にて待機させることなく他の供給ノズルによる処理液の供給を行うことができ、余分なスペースを設ける必要がなくなる。
【００１４】
例えば位置替え機構は、移動部及び昇降機構が兼用するように構成することで装置の省スペース化が図れる。
【００１５】
また本発明に係る液処理方法は、基板を基板保持部に水平に保持する工程と、基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘って処理液の吐出孔が配列された複数の供給ノズルを、前記基板の一端の外側に割り当てられた待機領域に平行に並べて待機させる工程と、待機領域の一の供給ノズルを基板上に移動させて当該基板に処理液の供給を行うと共に他の供給ノズルは待機領域に待機させておき、次いで当該一の供給ノズルを待機領域に戻す工程と、その後、一の供給ノズルと他の供給ノズルとの間で位置を入れ替える工程と、基板保持部上の基板を別の基板と交換した後、前記工程で位置が入れ替えられた他の供給ノズルを基板上に移動させて当該基板に処理液の供給を行う工程と、を含むことを特徴とする。
また上記液処理方法において、前記複数の供給ノズルを待機させる工程は、前記複数の供給ノズルをそれぞれ嵌合するように配置された複数のバスに前記複数の供給ノズルを待機させる工程であり、
前記位置を入れ替える工程は、前記複数のバスに嵌合される前記複数の供給ノズルの位置を入れ替える工程とすることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図１及び図２は本発明に係る液処理装置を現像処理装置に適用した実施の形態を示す図である。図中２は、基板をなすウエハＷの裏面中央部を真空吸着して水平に保持し、鉛直な軸のまわりに回転する基板保持部であるスピンチャックであり、このスピンチャック３は駆動部３１により回転及び昇降できるように構成されている。
【００１８】
このスピンチャック３に保持されているウエハＷの周囲には、ウエハＷを洗浄したときに洗浄液及び現像液が装置の外側に飛散しないように例えばウエハＷの側方及び下方側を囲むカップ３２が設けられている。カップ３２の下部側はスピンチャック３の周囲を囲む円板３３と、円板３３の周り全周に亘って凹部を形成し、底面に排液口３４が形成されている液受け部３５とにより構成されており、この液受け部３５の側面より僅かに内側に下部側が円筒状、上部側が四角筒状に形成されている外カップ３６が収まって、ウエハＷの上方レベル及び下方レベルに跨ってウエハＷの側方を囲っている。また、外カップ３６とウエハＷとの間には、上端がウエハＷ表面レベルとほぼ同じかそれ以下の高さに位置する円筒状の内カップ３７が設けられており、円板３３には上端がウエハＷ裏面に接近するリング体３８が設けられている。
【００１９】
カップ３２の外側には後述する現像液の供給部の本数と同じ数のガイド部であるガイドレール例えば第１のガイドレール４１、第２のガイドレール４２がＸ方向に沿って平行に延設されている。第１のガイドレール４１及び第２のガイドレール４２には、Ｙ方向に延びる第１の供給部５及び第２の供給部６が夫々ガイドされるように設けられている。また第１のガイドレール４１には第１の供給部５に加えて、洗浄ノズル４０が同じくＸ方向に移動自在に設けられている。
【００２０】
第１の供給部５、第２の供給部６について図３、図４を用いて説明するが、第１の供給部５と第２の供給部６とはほぼ同じ構造であるため、第１の供給部５を代表して説明すると、Ｙ方向に配列される多数の処理液の吐出孔５１を有する供給ノズル５２を吊下げ支持するアーム部５３が、移動部であるベース部５４を介して図示しない駆動部により第１のガイドレール４１に沿って移動できる構成となっている。前記供給ノズル５２は例えばウエハＷの有効領域（デバイスの形成領域）の幅と同じかそれ以上の長さに亘って吐出孔５１が配列されていることが必要であり、この例ではウエハＷの直径に亘って配列されている。ベース部５４は例えばボールネジ機構５５などにより構成される昇降機構５６を有しており、例えばモータなどの図示しない動力源からの駆動力によりアーム部５３をＺ方向へ移動（上下）させることができる。
【００２１】
図３で説明する第１の供給部５の５１〜５６を第２の供給部６では６１〜６６と置き換えて説明を続けると、ベース部６４の高さは例えばアーム部６３を最も高い位置に上昇させた際に、アーム部６３がベース部５４の頂部上方を通過できかつ供給ノズル６２の下端（吐出孔６１）がアーム部５３の頂部を通過できるように設定される。
【００２２】
両ベース部５４，６４の移動領域には当該領域下方側が汚染されることを防ぐために、各ベース部５４，６４の移動に応じて摺動するベルトカバー５１ａ，５２ａが設けられている。また、ベース部５４と昇降機構とにより、供給ノズル５２，６２の位置を入れ替えるための位置替え機構が構成される。
【００２３】
カップ３２の図中左側方（カップ３２の四角部の一辺の外側）には第１の供給部５、第２の供給部６の待機領域７が割り当てられ、カップ３２の図中右側方には、洗浄ノズル４０の待機領域７０が割り当てられている。待機領域７は上下可動な板部７１と、板部７１の表面に設けられ、第１及び第２の供給部５，６の各供給ノズル５２，６２が嵌合するように構成されたバス７２，７３とが設けられている。このバス７２，７３に供給ノズル５２，６２が嵌合する際には、図示しない不活性ガス供給源からバス７２及び７３内に夫々所定量の不活性ガス例えば窒素（Ｎ2）ガスが供給され、各バス内の不活性ガス雰囲気を保つことで供給ノズル５２，６２内に貯溜されている現像液の劣化を抑制するように構成されている。図２では板部７１が上昇位置にあり、バス７２，７３に第１及び第２の供給部の各供給ノズル５２，６２が嵌合している状態を示している。
【００２４】
これまで述べてきたスピンチャック３の駆動部３１、第１の供給部５、第２の供給部６及び昇降部７４は夫々制御部７５と接続されており、例えば駆動部３１によるウエハＷの昇降に応じて第２の供給部６による処理液の供給（スキャン）を行うように、各部を連動させたコントロールを可能としている。またカップ３２、供給部５，６及び洗浄ノズル４０は箱状の筐体７６により囲まれた一ユニットとして形成されており、図示しない搬送アームによりウエハＷの受け渡しがなされる。これについては後述する。
【００２５】
次に本実施の形態における作用について図５及び図６に基づいて説明する。本実施の形態に係る液処理装置では現像液の種類に応じ、二種類の供給部を使い分けて現像液の塗布を行うが、ここでは第１の供給部５でウエハＷへの現像液の塗布を行い、しかる後に待機領域７にて第１の供給部５と第２の供給部６との待機位置を入れ替えて次に搬入される例えば別のロットのウエハＷには第２の供給部６により現像液の塗布を行う場合を例に取り説明を進める。なお説明の便宜上、図５，６において第１及び第２の供給部５，６の供給ノズル５２，６２には夫々「１」「２」の文字が記入されている。
【００２６】
先ずこれから現像液の塗布を行う供給部即ち第１の供給部５は、図５の実線で示すようにウエハＷに近い側のバス７３に供給ノズル５２が嵌合した状態で待機しており、カップ３２の内側では図示しない搬送アームにより搬入されたウエハＷがスピンチャック３に吸着保持されている。第１の供給ノズル５２は外カップ３６を越えて外カップ３６とウエハＷの一端との間に移動する。このとき第１の供給ノズル５２の高さはウエハＷに対して現像液の供給を行う高さにセットされるため、吐出孔５１はウエハＷ表面レベルよりも例えば１ｍｍ程度高い位置に置かれる。
【００２７】
しかる後第１の供給ノズル５２はこの高さを維持したまま現像液の吐出を開始し、図５の点線で示すようにウエハＷの一端側から他端側へと移動してウエハＷの表面には例えば１．２ｍｍの高さの液膜が形成される。この第１の供給ノズル５２の移動は、当該供給ノズル５２の吐出孔５１が配列されている吐出領域の中心がウエハＷの中心上方を通過するように例えば１０ｃｍ／ｓｅｃのスキャンスピードで行われるため、前記液膜はウエハＷの表面全域に亘ってほぼ均一に形成される。
【００２８】
そして第１の供給ノズル５２はウエハＷの他端と外カップ３６との間の位置にて現像液の供給を停止し、そのまま外カップ３６の上方まで上昇してガイドレール４１にガイドされて当初の待機位置まで戻り、バス７３に嵌合する。そしてウエハＷの静止現像時間が終了すると、第１の供給ノズル５２と洗浄ノズル４０とが入れ替わり、ウエハＷの中央上方にこの洗浄ノズル４０の吐出部が位置するように移動すると共にスピンチャック３が回転し、洗浄ノズル４０から洗浄液例えば純水がウエハＷ中心部に供給されてウエハＷの遠心力によりウエハＷの中心部から周縁部へ広がり、現像液が洗い流される。その後このウエハＷは裏面の洗浄やスピン乾燥などの工程を経て現像処理が終了する。しかる後、例えば異なる現像液により現像処理される別ロットのウエハと入れ替えが行われる。
【００２９】
一方、カップ３２の外側の待機領域７では第２の供給部６によるスキャンを行うため、第１の供給ノズル５２と第２の供給ノズル６２との位置の入れ替え作業を行って第２の供給部６をウエハＷに近い位置へ移動させる。
【００３０】
以下第１の供給ノズル５２及び第２の供給ノズル６２の移動について供給ノズル５２，６２の位置に着目して説明する。先ず、板部７１が下降してバス７３，７２が接触しない高さに置かれる（図６(ａ)）。
【００３１】
次に前述したベース部５４，６４の昇降機構５６により第１の供給ノズル５２は下降、第２の供給ノズル６２は上昇し、そのままの高さで互いのＸ方向の位置を入れ替え（図６(ｂ)）、この位置にて当初の高さまで戻り（図６(ｃ)）、供給ノズル５２と６２との位置が入れ替わる。その後板部７１が元の位置まで上昇し、供給ノズル５２及び６２が夫々バス７２，７３へ嵌合する。既述の図１及び図２は、図５(ａ)に示す状態から第１の供給部５と第２の供給部６との位置が入れ替わった状態を示している。その後ウエハＷに近い側にある第２の供給ノズル６２によるスキャンが同様にして行われる。再度供給ノズル５２と供給ノズル６２とを入れかえる際には、第１の供給ノズル５２（アーム部５３の頂部）が第２の供給ノズル６２下端の下方側を潜り抜けて移動するため、図６(ｃ)→(ｂ)→(ａ)と逆に動作を行って位置の入れ替えをする。
【００３２】
このように本発明に係る実施の形態では、各ロットで用いられるウエハに塗布する処理液例えば現像液の種類に応じて複数の供給ノズル例えば二つの供給ノズル５２，６２を設け、例えば目的とする現像液を供給する一の供給ノズル５２のみがウエハ上方をスキャンし、他の供給ノズル６２はウエハ外側の待機領域にて待機しているので、従来のように一の供給ノズルがウエハ上をスキャンしている際に他の供給ノズルから不要な現像液がウエハ上に落下するおそれがなくなり、処理の均一性が確保できる。
【００３３】
また現像液の供給を行わない前記他の供給ノズル６２は、ウエハ外側に設けられている待機領域７にて待機しているため、ウエハ上方にて飛散しているパーティクルが当該供給ノズル６２の湿った吐出孔６１に付着する懸念が軽減され、同時にこの供給ノズル６２は不活性ガス雰囲気にて保護されており、供給ノズル６２内の吐出孔６１付近に貯溜された現像液の劣化を抑えられる。
【００３４】
従って待機中の前記他の供給ノズル６２の吐出孔６１はバス７３で保護されているので、吐出孔６１へのパーティクルの付着防止及び洗浄を同時に行うことができる。
【００３５】
ところで本発明は、各供給ノズル５２，６２が別個独立に移動可能な複数の供給ノズルを設けた液処理装置として、図７(ａ)に示す構成であってもよい。即ち、この装置は本実施の形態で説明した第１の供給ノズル５２と第２の供給ノズル６２とが共通のガイドレール４３に設けられている。この構成においては、第１の供給ノズル５２による現像液の供給が終了し、次のロットのウエハに対して第２の供給ノズル６２を用いて現像液の供給を行うときには、図７(ａ)において第２の供給ノズル６２の終点位置の更に右側に第１の供給ノズル５２を位置させる領域Ｓが必要になり、この領域Ｓの分だけ既述の実施の形態よりも装置のサイズが大きくなってしまう。
【００３６】
これに対し図７(ｂ)に示すように上述実施の形態によれば、待機領域における各供給ノズル５２，６２の位置の入れ替えが可能であるため、前記領域Ｓの分だけ装置の小型化が図れる。
【００３７】
また、本実施の形態では３以上の供給部を設けることも可能である。これを図８を用いて説明すると、例えば本実施の形態に示した装置においてカップ３２から最も離れた位置に他のガイドレール４１，４２と平行してガイドレール４４を設け、これに接続する第３の供給部８を第１の供給部５及び第２の供給部６と平行に配置する。この実施の形態における第３の供給部８はおおよそ第１の供給部５、第２の供給部６と同様の構造であり、第３の供給ノズル８２を備えている。この場合第３の供給ノズル８２は、例えばウエハＷへのプリウェット用の水を供給するために用いられる。
【００３８】
現像液が直接ウエハＷ表面に供給されると、その衝突時の衝撃によりマイクロバブルが発生しこれが液膜上に浮き上がることがあり、これは現像の不均一性の原因となる。上述のプリウェット用の水を供給する方法は例えば第１の供給ノズル５２からウエハＷへ現像液の供給を行う際に、前もってウエハＷの表面全面に水を供給して水膜を形成し、これにより現像液がウエハＷ表面へ供給されるときに生じる衝撃を和らげ前記マイクロバブルの発生を抑えようとするものである。
【００３９】
このように供給部の数を３以上設けたとしても、本実施の形態では各供給ノズルの位置を例えば待機領域上方で入れ替えられるので、例えば第３の供給ノズル８２のスキャン時に第１の供給ノズル５２と第２の供給ノズル６２とを待機領域７からウエハＷを見た際の他端側に供給ノズル二つ分の待機位置を確保する必要もない。なお本実施の形態に示すようにウエハＷから遠い位置にガイドレールを増やしてこれに供給部を設ける場合、各供給部の位置を入れ替えるには例えばウエハＷから見て手前側の供給部のベース部頂部が、同奥側の供給部の供給ノズル下端（吐出孔）の下方側を通過できるように、奥側の供給部ほど高く設定する。
【００４０】
また本実施の形態は以上のような構成に限定されるものではなく、例えば図９(ａ),(ｂ)に示す装置によることも可能である。この装置は第１のガイドレール４１と第２のガイドレール４２とをウエハＷを挟んで対向するように設け、夫々のガイドレール４１，４２に沿って第１の供給部５，第２の供給部６がウエハＷに供給する現像液の種類に応じて別個に動くように構成したものである。
【００４１】
このような実施の形態によれば、待機領域７上における各供給部５，６の入れ替え工程を行わなくても、選択された供給ノズル（５２，６２）を用いて現像処理を行うことができる。なお、この場合供給ノズル５２，６２の位置を入れ替えるようにしてもよい。
【００４２】
なお本実施の形態に係る液処理装置は、現像処理に限らずレジストの塗布処理に適用してもよい。
【００４３】
次に上述の現像装置をユニットに組み込んだ塗布・現像装置の一例の概略について図１０及び図１１を参照しながら説明する。図１０及び図１１中、９はウエハカセットを搬入出するための搬入出ステ−ジであり、例えば２５枚収納されたカセットＣが例えば自動搬送ロボットにより載置される。搬入出ステ−ジ９に臨む領域にはウエハＷの受け渡しア−ム９０がＸ，Ｙ方向およびθ回転（鉛直軸回りの回転）自在に設けられている。更にこの受け渡しア−ム９０の奥側には、例えば搬入出ステ−ジ９から奥を見て例えば右側には塗布・現像系のユニットｕ１が、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系のユニットｕ２，ｕ３，ｕ４が夫々配置されていると共に、塗布・現像系ユニットと加熱・冷却系ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うための、例えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成されたウエハ搬送ア−ムＭＡが設けられている。但し図１０では便宜上ユニットｕ２及びウエハ搬送ア−ムＭＡは描いていない。
【００４４】
塗布・現像系のユニットにおいては、例えば上段に２個の上述の現像装置を備えた供えた現像ユニット９１が、下段に２個の塗布ユニット９２が設けられている。加熱・冷却系のユニットにおいては、加熱ユニットや冷却ユニット、疎水化処理ユニット等が上下にある。
【００４５】
塗布・現像系ユニットや加熱・冷却系ユニットを含む上述の部分をクリ−ントラックと呼ぶことにすると、このクリ−ントラックの奥側にはインタ−フェイスユニット１００を介して露光装置１０１が接続されている。インタ−フェイスユニット１００は例えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成されたウエハ搬送ア−ム１０２によりクリ−ントラックと露光装置１０１の間でウエハＷの受け渡しを行うものである。
【００４６】
この装置のウエハの流れについて説明すると、先ず外部からウエハＷが収納されたウエハカセットＣが前記搬入出ステ−ジ９に搬入され、ウエハ搬送ア−ム９０によりカセットＣ内からウエハＷが取り出され、既述の加熱・冷却ユニットｕ３の棚の一つである受け渡し台を介してウエハ搬送ア−ムＭＡに受け渡される。次いでユニットｕ３の一の棚の処理部内にて疎水化処理が行われた後、塗布ユニット９２にてレジスト液が塗布され、レジスト膜が形成される。レジスト膜が塗布されたウエハＷは加熱ユニットで加熱された後インタ−フェイスユニット１００を介して露光装置１０１に送られ、ここでパタ−ンに対応するマスクを介して露光が行われる。
【００４７】
その後ウエハＷは加熱ユニットで加熱された後、冷却ユニットで冷却され、続いて現像ユニット９１に送られて現像処理され、レジストマスクが形成される。しかる後ウエハＷは搬入出ステ−ジ９上のカセットＣ内に戻される。
【００４８】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば基板表面に対して不要な液だれが生じるおそれがないので、処理液により均一性の高い処理を行うことができる。また一の供給ノズルを待機領域に戻した後、他の供給ノズルをウエハ側に移動できるようにすることにより装置の小型化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る液処理装置の一の実施の形態を示す平面図である。
【図２】前記液処理装置の一の実施の形態を示す断面図である。
【図３】前記液処理装置の供給部を示す側面図である。
【図４】前記液処理装置の供給部及びガイドレールの配置について示す斜視図である。
【図５】前記液処理装置の作用について示した説明図である。
【図６】前記液処理装置の作用について示した説明図である。
【図７】本発明に係る一の実施の形態と他の実施の形態とを比較して示した平面図である。
【図８】前記液処理装置の更に他の実施の形態を示す平面図である。
【図９】前記液処理装置の更にまた他の実施の形態を示す説明図である。
【図１０】前記液処理装置を組み込んだ塗布・現像装置の一例を示す斜視図である。
【図１１】前記液処理装置を組み込んだ塗布・現像装置の一例を示す平面図である。
【図１２】従来の液処理装置の一例を示す説明図である。
【図１３】従来の液処理装置の他の一例を示す説明図である。
【図１４】従来の液処理装置の更に他の一例を示す説明図である。
【符号の説明】
Ｗウエハ
３スピンチャック
３２カップ
４０洗浄ノズル
４１第１のガイドレール
４２第２のガイドレール
５第１の供給部
６第２の供給部
７，７０待機領域
７１板部
７２，７３バス
７４昇降部
７５制御部
７６筐体
８第３の供給部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a liquid processing apparatus and a method for performing a developing process by supplying a developing solution to a surface of a substrate on which a resist is applied and subjected to an exposure process, for example.
[0002]
[Prior art]
A mask for forming a circuit pattern on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) or an LCD substrate of a liquid crystal display is formed by the following steps. That is, first, a photoresist solution (hereinafter referred to as a resist) is applied to the wafer surface, and irradiation with light or the like is performed. If the resist is, for example, a negative type, a portion exposed to light is cured, and an uncured portion, that is, a portion where the resist is easily dissolved is dissolved with a developer to form a target mask.
[0003]
Conventionally, the development process as described above has been performed by the following method shown in FIGS. A wafer W as a substrate to be processed is sucked and held by a spin chuck (not shown) having a vacuum suction function, and a supply nozzle 12 in which a large number of discharge holes 11 are arranged over a length corresponding to the diameter of the wafer W is provided. At the center of the wafer W, the discharge hole 11 is positioned so as to be 1 mm above the surface of the wafer W, for example. Then, the developer 10 is supplied from the discharge hole 11 to the central portion of the surface of the wafer W to form a liquid, and then the wafer W is rotated half a turn (180 degrees) while the developer 10 is supplied from the discharge hole 11.
[0004]
As a result, the developer 10 first deposited in the central portion of the wafer W is spread and simultaneously the developer 10 is newly supplied. As a result, a liquid film of the developer is formed on the entire surface of the wafer W with a predetermined thickness. Will be.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, the following problems occur in the liquid processing apparatus using the above-described method. That is, in this apparatus, the wafer W is not rotated more than half a turn, so that the old developer supplied first and the new developer are not mixed and the non-uniformity between the mixed portion and the non-mixed portion is eliminated. However, in practice, the developing solution on the wafer moves due to inertial force, and there arises a problem that the development uniformity is deteriorated due to a place where the change of the developing solution is intense and a place where it is not.
[0006]
In view of such a problem, a method of performing the developing process by the method shown in FIG. 13 has been studied. In this method, the wafer W is suctioned and held horizontally by the spin chuck 1 having a vacuum suction function, and the supply nozzle 12 similar to that shown in FIGS. 12 (a) and 12 (b) is placed above the surface of the wafer W. For example, scanning is performed from one end side to the other end side of the wafer W at a position of 1 mm, and the developing solution is applied to the entire surface of the wafer W by supplying the developing solution during the scanning.
[0007]
Here, as an apparatus for performing a developing process on a plurality of types of wafers having different developing solutions, apparatuses shown in FIGS. 14A and 14B have been studied. This apparatus is an example in which different types of developing solutions are supplied to two types of wafers, and two types of supply nozzles 14a and 14b having the same configuration as the supply nozzle 12 described above are provided. Are provided on a common moving body 18 via an up-and-down mechanism 16 so that each of the moving bodies 18 can move up and down independently, and the moving body 18 can be moved along a guide rail 19 extending in the X direction. Has been. Therefore, in this apparatus, the selected supply nozzle 13 scans from the standby position 20 outside one end of the wafer W to the other end side, and the developer is applied.
[0008]
However, the above apparatus has the following drawbacks. Since the supply nozzle 13 has a structure in which the supply nozzle 14a and the supply nozzle 14b move integrally, liquid dripping occurs from the other supply nozzle that is not used when liquid is accumulated by one supply nozzle, and an unintended developer. May be supplied onto the wafer W.
[0009]
Further, since the supply nozzles that are not used during the scanning of the supply nozzle 13 are also moved above the wafer W, the discharge nozzles of the supply nozzle that are moistened by the supply of the developer etc. are floating above the wafer W. There is also a risk of particles adhering.
[0010]
By the way, in the above-described apparatus, a bus (not shown) into which the supply nozzles 14a and 14b are fitted is provided on the surface of the standby position 20 shown in FIG. 14 (a). The inside of this bus is an inert gas (N2). The atmosphere is maintained, and deterioration of the developer stored in the supply nozzles 14a and 14b is suppressed. Therefore, the developer in the other supply nozzle that is not used when the supply nozzle 13 is moved deteriorates.
[0011]
In addition, although it is conceivable that a developing unit is separately provided for each developing solution, in this case, the developing device is increased in size and cost.
[0012]
The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a liquid processing apparatus capable of performing uniform processing on the substrate surface and saving space. is there.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
The liquid processing apparatus according to the present invention includes a substrate holding unit for holding the substrate horizontally,
A plurality of supply nozzles in which discharge holes for processing liquid are arranged over a length substantially equal to or longer than the width of the effective area of the substrate;
A plurality of guide portions for respectively guiding the plurality of supply nozzles between a standby region assigned to the outside of one end of the substrate held by the substrate holding portion and the substrate;
A plurality of moving parts that respectively hold the plurality of supply nozzles and move independently along each guide part; and
An elevating mechanism for elevating the supply nozzle;
A position changing mechanism for changing the position between one supply nozzle and another supply nozzle located in a standby area assigned to the outside of one end of the substrate held by the substrate holding unit ;
One supply nozzle selected from the plurality of supply nozzles located in the standby area is moved onto the substrate to supply the processing liquid to the substrate, and at this time, the other supply nozzles are in standby in the standby area It is characterized by that.
In the liquid processing apparatus, the standby area includes
A vertically movable plate part,
A plurality of baths provided on the surface of the plate portion and configured to fit the plurality of supply nozzles, respectively;
You may comprise so that the said board part may be controlled to fall, when changing a position between the said 1 supply nozzle and another supply nozzle.
As for the supply of the processing liquid, for example, the supply nozzle is moved from one end side of the substrate to the other end side in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the supply nozzle to supply the processing liquid to the substrate.
Therefore, when the processing liquid is supplied by one supply nozzle, the other supply nozzles do not move accompanyingly, and liquid other than the target processing liquid to be supplied to the substrate is transferred from the other supply nozzle to the substrate surface. There is no risk of falling. Further, after using one supply nozzle, the processing liquid can be supplied by another supply nozzle without causing the one supply nozzle to stand by on the opposite side of the standby region with respect to the substrate, and an extra space is provided. Need not be provided.
[0014]
For example, the position changing mechanism can be configured so that the moving unit and the lifting mechanism are combined, thereby saving the space of the apparatus.
[0015]
Further, in the liquid processing method according to the present invention, the discharge holes for the processing liquid are arranged over the step of holding the substrate horizontally on the substrate holding portion and the length approximately equal to or longer than the width of the effective area of the substrate. A step of arranging a plurality of supply nozzles in parallel in a standby area assigned to the outside of one end of the substrate and waiting, and a supply nozzle in one of the standby areas is moved onto the substrate to supply the processing liquid to the substrate. In addition, the other supply nozzle is made to wait in the standby area, and then the one supply nozzle is returned to the standby area, and then the position is switched between the one supply nozzle and the other supply nozzle, and the substrate. After replacing the substrate on the holding unit with another substrate, moving the other supply nozzle whose position has been switched in the above-described step onto the substrate and supplying the processing liquid to the substrate. And
Further, in the liquid processing method, the step of waiting the plurality of supply nozzles is a step of waiting the plurality of supply nozzles in a plurality of buses arranged to fit the plurality of supply nozzles, respectively.
The step of exchanging the positions may be a step of exchanging positions of the plurality of supply nozzles fitted into the plurality of buses.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
1 and 2 are views showing an embodiment in which a liquid processing apparatus according to the present invention is applied to a development processing apparatus. In the figure, reference numeral 2 denotes a spin chuck which is a substrate holding unit that vacuum-sucks and holds the central portion of the back surface of the wafer W forming the substrate and rotates about a vertical axis. It can be rotated and moved up and down.
[0018]
Around the wafer W held by the spin chuck 3, for example, a cup 32 surrounding the side and the lower side of the wafer W is provided so that the cleaning liquid and the developer are not scattered outside the apparatus when the wafer W is cleaned. Is provided. The lower side of the cup 32 includes a disc 33 surrounding the periphery of the spin chuck 3 and a liquid receiving portion 35 in which a recess is formed around the entire circumference of the disc 33 and a drainage port 34 is formed on the bottom surface. An outer cup 36 having a cylindrical shape on the lower side and a square tube shape on the upper side is accommodated slightly inside the side surface of the liquid receiving portion 35 and extends over the upper level and the lower level of the wafer W. The side of the wafer W is enclosed. In addition, a cylindrical inner cup 37 is provided between the outer cup 36 and the wafer W, the upper end of which is positioned at a height substantially equal to or lower than the wafer W surface level. Is provided with a ring body 38 that approaches the back surface of the wafer W.
[0019]
On the outside of the cup 32, guide rails, for example, first guide rails 41 and second guide rails 42, which are the same number of guide portions as the number of developer supply portions described later, extend in parallel along the X direction. ing. The first guide rail 41 and the second guide rail 42 are provided so that the first supply unit 5 and the second supply unit 6 extending in the Y direction are respectively guided. In addition to the first supply unit 5, the cleaning nozzle 40 is also provided on the first guide rail 41 so as to be movable in the X direction.
[0020]
The first supply unit 5 and the second supply unit 6 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. However, since the first supply unit 5 and the second supply unit 6 have substantially the same structure, the first supply unit 5 and the second supply unit 6 have the same structure. The supply unit 5 will be described as a representative. An arm unit 53 that suspends and supports a supply nozzle 52 having a large number of treatment liquid discharge holes 51 arranged in the Y direction is provided via a base unit 54 that is a moving unit. The driving unit (not shown) can move along the first guide rail 41. For example, the supply nozzle 52 needs to have the discharge holes 51 arranged over a length equal to or greater than the width of the effective area (device formation area) of the wafer W. It is arranged over the diameter. The base portion 54 includes an elevating mechanism 56 constituted by, for example, a ball screw mechanism 55, and the arm portion 53 can be moved (up and down) in the Z direction by a driving force from a power source (not shown) such as a motor. .
[0021]
When the description is continued by replacing 51 to 56 of the first supply unit 5 described in FIG. 3 with 61 to 66 in the second supply unit 6, the height of the base unit 64 is, for example, the arm unit 63 at the highest position. When raised, the arm 63 is set so that it can pass over the top of the base 54 and the lower end (discharge hole 61) of the supply nozzle 62 can pass through the top of the arm 53.
[0022]
Belt covers 51 a and 52 a that slide in accordance with the movement of the base portions 54 and 64 are provided in the moving regions of the base portions 54 and 64 in order to prevent the lower side of the region from being contaminated. Further, the base portion 54 and the lifting mechanism constitute a position changing mechanism for changing the positions of the supply nozzles 52 and 62.
[0023]
The first supply unit 5 and the standby region 7 of the second supply unit 6 are assigned to the left side of the cup 32 in the drawing (outside one side of the square portion of the cup 32). The standby area 70 of the cleaning nozzle 40 is assigned. The standby area 7 is provided on the surface of the plate portion 71 that is movable up and down, and a bus 72 that is configured so that the supply nozzles 52 and 62 of the first and second supply portions 5 and 6 are fitted to each other. , 73 are provided. When the supply nozzles 52 and 62 are fitted to the buses 72 and 73, a predetermined amount of an inert gas such as nitrogen (N2) gas is supplied into the buses 72 and 73 from an inert gas supply source (not shown), By maintaining an inert gas atmosphere in each bath, deterioration of the developer stored in the supply nozzles 52 and 62 is suppressed. FIG. 2 shows a state where the plate portion 71 is in the raised position and the supply nozzles 52 and 62 of the first and second supply portions are fitted to the buses 72 and 73.
[0024]
The drive unit 31, the first supply unit 5, the second supply unit 6, and the elevating unit 74 of the spin chuck 3 described so far are connected to the control unit 75, for example, the elevating / lowering of the wafer W by the drive unit 31. In response to this, the control of interlocking the respective units is made possible so that the processing solution is supplied (scanned) by the second supply unit 6. The cup 32, the supply units 5 and 6, and the cleaning nozzle 40 are formed as a unit surrounded by a box-shaped casing 76, and the wafer W is transferred by a transfer arm (not shown). This will be described later.
[0025]
Next, the effect | action in this Embodiment is demonstrated based on FIG.5 and FIG.6. In the liquid processing apparatus according to the present embodiment, the developer is applied by using two types of supply units according to the type of the developer. Here, the first supply unit 5 applies the developer to the wafer W. Thereafter, the standby positions of the first supply unit 5 and the second supply unit 6 are switched in the standby region 7, and the second supply unit 6 is loaded on, for example, another lot of wafers W to be loaded next. The explanation will be made by taking the case of applying the developing solution as an example. For convenience of explanation, in FIGS. 5 and 6, the characters “1” and “2” are entered in the supply nozzles 52 and 62 of the first and second supply units 5 and 6, respectively.
[0026]
First, the supply unit for applying the developer, that is, the first supply unit 5 is waiting in a state where the supply nozzle 52 is fitted to the bus 73 on the side close to the wafer W as shown by the solid line in FIG. Inside the cup 32, the wafer W carried by a transfer arm (not shown) is sucked and held by the spin chuck 3. The first supply nozzle 52 moves over the outer cup 36 and between the outer cup 36 and one end of the wafer W. At this time, since the height of the first supply nozzle 52 is set to a height at which the developer is supplied to the wafer W, the discharge hole 51 is placed at a position higher by, for example, about 1 mm than the wafer W surface level.
[0027]
Thereafter, the first supply nozzle 52 starts discharging the developer while maintaining this height, and moves from one end side to the other end side of the wafer W as indicated by the dotted line in FIG. For example, a liquid film having a height of 1.2 mm is formed. The movement of the first supply nozzle 52 is performed at a scanning speed of, for example, 10 cm / sec so that the center of the discharge region where the discharge holes 51 of the supply nozzle 52 are arranged passes above the center of the wafer W. The liquid film is formed almost uniformly over the entire surface of the wafer W.
[0028]
The first supply nozzle 52 stops the supply of the developer at a position between the other end of the wafer W and the outer cup 36, and ascends as it is above the outer cup 36 and is guided by the guide rail 41. Return to the standby position of FIG. When the stationary development time of the wafer W is completed, the first supply nozzle 52 and the cleaning nozzle 40 are switched, and the spin chuck 3 is moved so that the discharge portion of the cleaning nozzle 40 is positioned above the center of the wafer W. Rotating, a cleaning liquid such as pure water is supplied from the cleaning nozzle 40 to the center of the wafer W, spreads from the center of the wafer W to the peripheral edge by the centrifugal force of the wafer W, and the developer is washed away. Thereafter, the development processing of the wafer W is completed through processes such as cleaning of the back surface and spin drying. Thereafter, for example, the wafer is replaced with a wafer of another lot to be developed with a different developer.
[0029]
On the other hand, in the standby area 7 outside the cup 32, the second supply unit 6 performs scanning, so that the position of the first supply nozzle 52 and the second supply nozzle 62 is switched to perform the second supply unit. 6 is moved to a position close to the wafer W.
[0030]
Hereinafter, the movement of the first supply nozzle 52 and the second supply nozzle 62 will be described focusing on the positions of the supply nozzles 52 and 62. First, the plate portion 71 is lowered and placed at a height at which the buses 73 and 72 do not contact (FIG. 6A).
[0031]
Next, the first supply nozzle 52 is lowered and the second supply nozzle 62 is raised by the elevating mechanism 56 of the base portions 54 and 64 described above, and the positions in the X direction are exchanged at the same height (FIG. 6 ( b)) Return to the initial height at this position (FIG. 6C), and the positions of the supply nozzles 52 and 62 are switched. Thereafter, the plate portion 71 is raised to the original position, and the supply nozzles 52 and 62 are fitted into the buses 72 and 73, respectively. 1 and 2 described above show a state in which the positions of the first supply unit 5 and the second supply unit 6 are switched from the state shown in FIG. Thereafter, scanning by the second supply nozzle 62 on the side close to the wafer W is performed in the same manner. When the supply nozzle 52 and the supply nozzle 62 are exchanged again, the first supply nozzle 52 (the top of the arm portion 53) moves under the lower end of the second supply nozzle 62, and thus moves as shown in FIG. c) The position is changed by performing the operation opposite to (b) → (a).
[0032]
As described above, in the embodiment according to the present invention, a plurality of supply nozzles, for example, two supply nozzles 52 and 62 are provided in accordance with the type of processing liquid to be applied to the wafer used in each lot, for example, the developing liquid. Since only one supply nozzle 52 that supplies the developer scans the upper portion of the wafer, and the other supply nozzle 62 waits in a standby area outside the wafer, one supply nozzle scans the wafer as in the past. In this case, there is no possibility that unnecessary developer from the other supply nozzles falls on the wafer, and the uniformity of processing can be ensured.
[0033]
Further, the other supply nozzles 62 that do not supply the developer are waiting in a standby area 7 provided outside the wafer, so that particles scattered above the wafer are wetted by the supply nozzle 62. At this time, the supply nozzle 62 is protected in an inert gas atmosphere, and the deterioration of the developer stored near the discharge hole 61 in the supply nozzle 62 can be suppressed.
[0034]
Accordingly, since the discharge holes 61 of the other supply nozzles 62 in standby are protected by the bus 73, it is possible to simultaneously prevent the particles from adhering to the discharge holes 61 and to perform cleaning.
[0035]
By the way, the present invention may have a configuration shown in FIG. 7A as a liquid processing apparatus provided with a plurality of supply nozzles in which each of the supply nozzles 52 and 62 can move independently. That is, in this apparatus, the first supply nozzle 52 and the second supply nozzle 62 described in the present embodiment are provided on a common guide rail 43. In this configuration, when the supply of the developer by the first supply nozzle 52 is completed and the developer is supplied to the wafer of the next lot using the second supply nozzle 62, FIG. , An area S where the first supply nozzle 52 is located further to the right of the end point position of the second supply nozzle 62 is required, and the size of the apparatus is larger than that of the above-described embodiment by this area S. End up.
[0036]
On the other hand, as shown in FIG. 7B, according to the above-described embodiment, the positions of the supply nozzles 52 and 62 in the standby area can be interchanged, so that the apparatus can be reduced in size by the area S. I can plan.
[0037]
In the present embodiment, three or more supply units can be provided. This will be described with reference to FIG. 8. For example, in the apparatus shown in the present embodiment, a guide rail 44 is provided at the position farthest from the cup 32 in parallel with the other guide rails 41 and 42, and is connected to this guide rail 44. Three supply units 8 are arranged in parallel with the first supply unit 5 and the second supply unit 6. The third supply unit 8 in this embodiment has a structure substantially similar to that of the first supply unit 5 and the second supply unit 6 and includes a third supply nozzle 82. In this case, the third supply nozzle 82 is used to supply prewetting water to the wafer W, for example.
[0038]
When the developer is directly supplied to the surface of the wafer W, microbubbles may be generated due to the impact at the time of collision, and this may float on the liquid film, which causes development non-uniformity. For example, when the developer is supplied from the first supply nozzle 52 to the wafer W, water is supplied to the entire surface of the wafer W in advance to form a water film. As a result, the impact generated when the developer is supplied to the surface of the wafer W is alleviated and the generation of the microbubbles is suppressed.
[0039]
Even when the number of supply units is three or more in this way, in this embodiment, the position of each supply nozzle can be changed, for example, above the standby region, so that the first supply nozzle is scanned, for example, when the third supply nozzle 82 is scanned. It is not necessary to secure a standby position for two supply nozzles on the other end side when the wafer W is viewed from the standby region 7 with respect to the 52 and the second supply nozzle 62. As shown in the present embodiment, when the guide rail is increased at a position far from the wafer W and the supply section is provided in the guide rail, the position of each supply section can be changed by, for example, the base of the supply section on the near side as viewed from the wafer W. The upper part of the supply unit is set higher so that the top of the part can pass the lower side of the lower end (discharge hole) of the supply nozzle of the supply unit on the inner side.
[0040]
Further, the present embodiment is not limited to the above-described configuration, and for example, the apparatus shown in FIGS. 9A and 9B can be used. In this apparatus, a first guide rail 41 and a second guide rail 42 are provided so as to face each other with the wafer W interposed therebetween, and the first supply unit 5 and the second supply are provided along the respective guide rails 41 and 42. The unit 6 is configured to move separately according to the type of developer supplied to the wafer W.
[0041]
According to such an embodiment, development processing can be performed using the selected supply nozzles (52, 62) without performing the replacement process of the supply units 5 and 6 on the standby area 7. . In this case, the positions of the supply nozzles 52 and 62 may be switched.
[0042]
The liquid processing apparatus according to this embodiment may be applied not only to development processing but also to resist coating processing.
[0043]
Next, an outline of an example of a coating / developing apparatus in which the above-described developing apparatus is incorporated in a unit will be described with reference to FIGS. 10 and 11, reference numeral 9 denotes a loading / unloading stage for loading / unloading wafer cassettes. For example, 25 cassettes C are loaded by an automatic transfer robot, for example. In a region facing the loading / unloading stage 9, a transfer arm 90 for the wafer W is provided so as to be freely rotatable in the X and Y directions and θ (rotation about the vertical axis). Further, on the back side of the delivery arm 90, for example, when viewed from the loading / unloading stage 9, the coating / developing unit u1 is on the right side, and the heating / cooling is on the left side, near side, and back side. System units u2, u3, u4 are arranged, respectively, and for transferring wafer W between the coating / developing system unit and the heating / cooling system unit, for example, can be moved up and down, and can be moved left and right, and back and forth. A wafer transfer arm MA configured to be rotatable about a vertical axis is provided. However, in FIG. 10, the unit u2 and the wafer transfer arm MA are not drawn for convenience.
[0044]
In the coating / developing system unit, for example, a developing unit 91 provided with the above-described two developing devices is provided in the upper stage, and two coating units 92 are provided in the lower stage. In the heating / cooling system unit, there are a heating unit, a cooling unit, a hydrophobic treatment unit, and the like.
[0045]
The above-mentioned portion including the coating / developing system unit and the heating / cooling system unit is referred to as a clean track. The exposure apparatus 101 is connected to the back side of the clean track via the interface unit 100. Has been. The interface unit 100 transfers the wafer W between the clean track and the exposure apparatus 101 by a wafer transfer arm 102 configured to be movable up and down, to the left and to the right and to the rear, and to be rotatable about a vertical axis. Is what you do.
[0046]
The flow of wafers in this apparatus will be described. First, the wafer cassette C in which the wafers W are stored from outside is loaded into the loading / unloading stage 9, and the wafers W are taken out from the cassette C by the wafer transfer arm 90. Then, the wafer is transferred to the wafer transfer arm MA via the transfer table which is one of the shelves of the heating / cooling unit u3. Next, after the hydrophobic treatment is performed in the processing section of one shelf of the unit u3, a resist solution is applied by the coating unit 92 to form a resist film. The wafer W coated with the resist film is heated by the heating unit and then sent to the exposure apparatus 101 via the interface unit 100, where exposure is performed via a mask corresponding to the pattern.
[0047]
Thereafter, the wafer W is heated by the heating unit, then cooled by the cooling unit, and then sent to the developing unit 91 for development processing to form a resist mask. Thereafter, the wafer W is returned to the cassette C on the carry-in / out stage 9.
[0048]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, since there is no possibility that unnecessary liquid dripping occurs on the substrate surface, highly uniform processing can be performed with the processing liquid. In addition, after returning one supply nozzle to the standby area, the other supply nozzle can be moved to the wafer side, thereby reducing the size of the apparatus.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a liquid processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an embodiment of the liquid processing apparatus.
FIG. 3 is a side view showing a supply unit of the liquid processing apparatus.
FIG. 4 is a perspective view showing an arrangement of a supply unit and guide rails of the liquid processing apparatus.
FIG. 5 is an explanatory view showing the operation of the liquid processing apparatus.
FIG. 6 is an explanatory view showing the operation of the liquid processing apparatus.
FIG. 7 is a plan view showing a comparison between one embodiment according to the present invention and another embodiment.
FIG. 8 is a plan view showing still another embodiment of the liquid processing apparatus.
FIG. 9 is an explanatory view showing still another embodiment of the liquid processing apparatus.
FIG. 10 is a perspective view showing an example of a coating / developing apparatus incorporating the liquid processing apparatus.
FIG. 11 is a plan view showing an example of a coating / developing apparatus incorporating the liquid processing apparatus.
FIG. 12 is an explanatory view showing an example of a conventional liquid processing apparatus.
FIG. 13 is an explanatory view showing another example of a conventional liquid processing apparatus.
FIG. 14 is an explanatory view showing still another example of a conventional liquid processing apparatus.
[Explanation of symbols]
W Wafer 3 Spin chuck 32 Cup 40 Cleaning nozzle 41 First guide rail 42 Second guide rail 5 First supply unit 6 Second supply unit 7, 70 Standby region 71 Plate unit 72, 73 Bus 74 Lifting unit 75 Control unit 76 housing 8 third supply unit

Claims

A substrate holder for holding the substrate horizontally;
A plurality of supply nozzles in which discharge holes for processing liquid are arranged over a length substantially equal to or longer than the width of the effective area of the substrate;
A plurality of guide portions for respectively guiding the plurality of supply nozzles between a standby region assigned to the outside of one end of the substrate held by the substrate holding portion and the substrate;
A plurality of moving parts that respectively hold the plurality of supply nozzles and move independently along each guide part; and
An elevating mechanism for elevating the supply nozzle;
A position changing mechanism for changing the position between one supply nozzle and another supply nozzle located in a standby area assigned to the outside of one end of the substrate held by the substrate holding unit ;
One supply nozzle selected from the plurality of supply nozzles located in the standby area is moved onto the substrate to supply the processing liquid to the substrate, and at this time, the other supply nozzles are in standby in the standby area The liquid processing apparatus characterized by the above-mentioned.

In the waiting area,
A vertically movable plate part,
A plurality of baths provided on the surface of the plate portion and configured to fit the plurality of supply nozzles, respectively;
The liquid processing apparatus according to claim 1 , wherein the plate portion is controlled to descend when the position is switched between the one supply nozzle and another supply nozzle.

The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the elevating mechanism is provided in the moving unit.

The liquid processing apparatus according to claim 1 , wherein the position changing mechanism is shared by a moving unit and an elevating mechanism.

Supply nozzle according to one or the claims 1, characterized in that to supply the processing solution is moved from one end to the other end of the substrate in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the supply nozzle to the substrate 4 Liquid processing equipment.

6. The cup according to claim 5 , wherein the cup is disposed around the substrate holding portion, and has a cylindrical cup having two sides opposite to each other, the lower side being cylindrical and the upper side being longer than the length of the supply nozzle in the longitudinal direction. The liquid processing apparatus as described.

Holding the substrate horizontally on the substrate holder;
A plurality of supply nozzles in which discharge holes for processing liquid are arranged over a length approximately equal to or longer than the width of the effective area of the substrate are arranged in parallel in a standby area assigned to the outside of one end of the substrate and wait. A process of
A step of moving one supply nozzle of the standby area onto the substrate to supply the processing liquid to the substrate, keeping the other supply nozzles waiting in the standby area, and then returning the one supply nozzle to the standby area; ,
Thereafter, the step of switching the position between one supply nozzle and another supply nozzle;
After replacing the substrate on the substrate holding part with another substrate, the step of moving the other supply nozzle whose position has been replaced in the above-described step onto the substrate and supplying the processing liquid to the substrate;
The liquid processing method characterized by including.

8. The liquid processing method according to claim 7, wherein the supply nozzle is moved from one end side to the other end side of the substrate in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the supply nozzle to supply the processing liquid to the substrate.

The step of waiting the plurality of supply nozzles is a step of waiting the plurality of supply nozzles in a plurality of buses arranged to fit the plurality of supply nozzles, respectively.
The liquid processing method according to claim 7 or 8, wherein the step of exchanging the positions is a step of exchanging positions of the plurality of supply nozzles fitted in the plurality of buses.