JP3479613B2 - Development processing method and development processing apparatus - Google Patents

Development processing method and development processing apparatus

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JP3479613B2 JP17378199A JP17378199A JP3479613B2 JP 3479613 B2 JP3479613 B2 JP 3479613B2 JP 17378199 A JP17378199 A JP 17378199A JP 17378199 A JP17378199 A JP 17378199A JP 3479613 B2 JP3479613 B2 JP 3479613B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光し
た後、露光パターンを現像する現像処理方法および現像
処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a developing processing method and a developing processing apparatus for exposing a resist film formed on a substrate such as a semiconductor wafer to a predetermined pattern and then developing the exposed pattern.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスのフォトリソグラフィー
工程においては、半導体ウエハにレジストを塗布し、こ
れにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに
応じて露光し、この露光パターンを現像処理することに
よりレジスト膜に回路パターンが形成される。
2. Description of the Related Art In a photolithography process of a semiconductor device, a resist is applied to a semiconductor wafer, a resist film formed thereby is exposed according to a predetermined circuit pattern, and the exposure pattern is developed to form a resist. A circuit pattern is formed on the film.

【0003】従来から、このような一連の工程を実施す
るために、レジスト塗布現像処理システムが用いられて
おり、現像処理はこのシステムに搭載された現像処理ユ
ニットにより行われる。
Conventionally, in order to carry out such a series of processes, a resist coating and developing treatment system has been used, and the developing treatment is carried out by a developing treatment unit mounted in this system.

【0004】この現像処理ユニットにおいては、所定の
パターンが露光されポストエクスポージャーベーク処理
および冷却処理されたウエハが現像処理ユニットに搬入
され、スピンチャックに装着される。現像液供給ノズル
から現像液が供給されて、ウエハの全面に例えば1mm
の厚みになるように塗布され、現像液パドルが形成され
る。この現像液パドルが形成された状態で所定時間静止
されて、自然対流により現像処理が進行される。その
後、ウエハがスピンチャックにより回転されて現像液が
振り切られ、次いで、洗浄液供給ノズルからリンス液が
吐出されてウエハ上に残存する現像液が洗い流される。
その後、スピンチャックが高速で回転され、ウエハ上に
残存する現像液およびリンス液が吹き飛ばされてウエハ
が乾燥される。これにより、一連の現像処理が終了す
る。
In this developing processing unit, a wafer having a predetermined pattern exposed, post-exposure bake processing and cooling processing is carried into the developing processing unit and mounted on a spin chuck. The developing solution is supplied from the developing solution supply nozzle, and the entire surface of the wafer is, for example, 1 mm.
Is applied to form a developer paddle. The developing solution paddle is kept stationary for a predetermined time, and the developing process proceeds by natural convection. Thereafter, the wafer is rotated by the spin chuck to shake off the developing solution, and then the rinse solution is discharged from the cleaning solution supply nozzle to wash away the developing solution remaining on the wafer.
After that, the spin chuck is rotated at a high speed, the developing solution and the rinse solution remaining on the wafer are blown off, and the wafer is dried. As a result, a series of development processing ends.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな現像処理において、現像処理終了後、レジストの種
類によっては、レジストの難溶化層(残渣)が発生しや
すい場合がある。そして、現像液を振り切った後、単に
リンス液としての純水を供給すると、このような難溶化
層が多く発生する。このような難溶化層が一旦形成され
るとリンス液では除去することができず歩留まり低下の
原因となる。
However, in such a developing process, a poorly soluble layer (residue) of the resist may be easily generated after completion of the developing process depending on the type of the resist. Then, if the pure water as the rinse liquid is simply supplied after the developing solution is shaken off, many such insoluble layers are generated. Once such a poorly soluble layer is formed, it cannot be removed by the rinse liquid, which causes a decrease in yield.

【0006】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、現像液を振り切った後、リンスの際にレジス
トの難溶化層の発生を抑制することができる現像処理方
法および現像処理装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a development processing method and a development processing apparatus capable of suppressing the formation of a hardly soluble layer of a resist at the time of rinsing after shaking off a developing solution. The purpose is to provide.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、基板上に形成されたレジスト膜を所定パ
ターンに露光した後、露光パターンを現像する現像処理
方法であって、基板上の露光後のレジスト膜に現像液供
給部に接続された現像液塗布用の現像液ノズルから現像
液を供給して現像液を塗布する工程と、塗布された現像
液を静止させて現像を進行させる工程と、現像処理終了
後、基板上にリンス液を供給してリンスする工程とを有
し、前記リンス工程は、前記現像液供給部に接続された
リンス用の現像液ノズルおよびリンス液供給部に接続さ
れたリンス液ノズルを有するリンス機構を用い、初期段
階において、前記リンス用の現像液ノズルから吐出され
現像液と、前記リンス液ノズルから吐出されるリンス
液とを基板上に供給してリンスを行い、現像液の割合を
徐々に減少させることを特徴とする現像処理方法を提供
する。
In order to solve the above problems, the present invention is a development processing method for exposing a resist film formed on a substrate to a predetermined pattern, and then developing the exposure pattern. developer subjected to the resist film after exposure of the upper
Develop from a developer nozzle connected to the supply section for developing solution application
A step of supplying a developing solution to apply the developing solution, a step of allowing the applied developing solution to stand still to proceed with development, and a step of supplying a rinsing solution onto the substrate and rinsing after completion of the developing treatment. , The rinsing step was connected to the developer supply section
Connect to the developer nozzle for rinsing and the rinsing liquid supply section.
The rinsing mechanism having the rinsed rinse nozzle is used to discharge the developer from the rinse developer nozzle in the initial stage.
That the developer had rows rinse is supplied onto the substrate and a rinsing liquid discharged from the rinse liquid nozzle, the ratio of developing solution
Provided is a development processing method characterized by gradually decreasing .

【0008】また、本発明は、基板上に形成されたレジ
スト膜を所定パターンに露光した後、露光パターンを現
像する現像処理方法であって、基板上の露光後のレジス
ト膜に現像液供給部に接続された現像液塗布用の現像液
ノズルから現像液を供給して現像液を塗布する工程と、
塗布された現像液を静止させて現像を進行させる工程
と、現像処理終了後、基板上にリンス液を供給してリン
スする工程とを有し、前記リンス工程は、前記現像液供
給部に接続されたリンス用の現像液ノズルおよびリンス
液供給部に接続されたリンス液ノズルを有するリンス機
構を用い、初期段階において、前記リンス用の現像液ノ
ズルから吐出される現像液と、前記リンス液ノズルから
吐出されるリンス液とを基板上に個別的に供給し、基板
上で混合することを特徴とする現像処理方法を提供す
る。
The present invention also provides a register formed on a substrate.
After exposing the strike film to a predetermined pattern, reveal the exposure pattern.
An image development method, wherein the resist after exposure on the substrate
Developer for application of developer connected to the developer supply part on the coating film
Supplying a developing solution from a nozzle to apply the developing solution,
Step of developing by stopping the applied developer
After the development process is completed, the rinse liquid is supplied onto the substrate to rinse the substrate.
And a rinsing step.
Rinse developer nozzle and rinse connected to supply
Rinse machine having rinse liquid nozzle connected to liquid supply unit
In the initial stage, the developer solution for rinsing is used.
From the developer discharged from the nozzle and the rinse liquid nozzle
The rinsing liquid to be discharged is supplied individually onto the substrate,
Provided is a development processing method characterized by mixing the above .

【0009】さらに、本発明は、基板上に形成されたレ
ジスト膜を所定パターンに露光した後、露光パターンを
現像する現像処理装置であって、現像液を供給する現像
液供給部および該現像液供給部に接続された現像液塗布
用の現像液ノズルを有し、基板上の露光後のレジスト膜
に現像液を塗布する現像液塗布機構と、現像処理終了
後、基板上をリンスするリンス機構と、前記リンス機構
を制御する制御手段とを具備し、前記リンス機構は、前
記現像液供給部に接続されたリンス用の現像液ノズル
と、リンス液供給部に接続されたリンス液ノズルとを有
し、前記制御手段は、リンスの初期段階において、前記
リンス用の現像液ノズルから吐出される現像液と、前記
リンス液ノズルから吐出されるリンス液とを基板上に供
給し、現像液の割合を徐々に減少させるようにリンス機
構を制御することを特徴とする現像処理装置を提供す
る。
Further, according to the present invention, a laser formed on a substrate is used.
After exposing the gist film to a predetermined pattern, the exposure pattern is
A developing processing device for developing, which supplies a developing solution
Liquid supply unit and developer application connected to the developer supply unit
Resist film after exposure on the substrate with a developing solution nozzle
A developer coating mechanism that coats the developing solution on the end of the development process
And a rinse mechanism for rinsing on the substrate afterwards
And a control means for controlling the rinsing mechanism,
A developer nozzle for rinsing connected to the developer supply section
And a rinse liquid nozzle connected to the rinse liquid supply unit.
However, in the initial stage of rinsing, the control means
A developing solution discharged from a developing solution nozzle for rinsing;
The rinse liquid discharged from the rinse liquid nozzle is provided on the substrate.
Rinse machine to gradually reduce the proportion of developer
(EN ) Provided is a development processing device characterized by controlling a composition .

【0010】さらにまた、本発明は、基板上に形成され
たレジスト膜を所定パターンに露光した後、露光パター
ンを現像する現像処理方法であって、基板上の露光後の
レジスト膜に現像液供給部に接続された現像液塗布用の
現像液ノズルから現像液を供給して現像液を塗布する工
程と、現像処理終了後、基板を回転させつつ基板上をリ
ンスする工程とを有し、前記リンス工程は、前記現像液
供給部に接続されたリンス用の現像液ノズルおよびリン
ス液供給部に接続されたリンス液ノズルを有するリンス
機構を用い、最初に、前記リンス用の現像液ノズルから
吐出される現像液のみを供給してリンスを行い、その後
前記現像液ノズルから吐出される現像液と前記リンス液
ノズルから吐出されるリンス液とを基板に供給しつつリ
ンスすることを特徴とする現像処理方法を提供する。
Furthermore, the present invention is formed on a substrate.
After exposing the resist film in a specified pattern,
A development processing method for developing
For developing solution application, which is connected to the developing solution supply section on the resist film
A process of supplying the developer from the developer nozzle to apply the developer.
After finishing the development process, rotate the substrate and re-position it on the substrate.
And a rinsing step, the rinsing step comprising:
Rinse developer nozzle and phosphorus connected to supply
Rinse having a rinse liquid nozzle connected to the rinse liquid supply unit
First, from the developer nozzle for the rinse,
Rinse by supplying only the discharged developer, then
The developer and the rinse liquid discharged from the developer nozzle
While supplying the rinse liquid discharged from the nozzle to the substrate,
Provided is a development processing method characterized by the following.

【0011】さらにまた、本発明は、基板上に形成され
たレジスト膜を所定パターンに露光した後、露光パター
ンを現像する現像処理装置であって、現像液を供給する
現像液供給部および該現像液供給部に接続された現像液
塗布用の現像液ノズルを有し、基板上の露光後のレジス
ト膜に現像液を塗布する現像液塗布機構と、現像処理終
了後、基板上をリンスするリンス機構と、前記リンス機
構を制御する制御手段とを具備し、前記リンス機構は、
前記現像液供給部に接続されたリンス用の現像液ノズル
と、リンス液供給部に接続されたリンス液ノズルとを有
し、前記制御手段は、リンス初期段階において、前記リ
ンス用の現像液ノズルから吐出される現像液のみを基板
上に供給し、その後、前記リンス用の現像液ノズルから
吐出される現像液と前記リンス液ノズルから吐出される
リンス液とを基板上に供給するようにリンス機構を制御
することを特徴とする現像処理装置を提供する。
Furthermore, the present invention is formed on a substrate.
After exposing the resist film in a specified pattern,
A developing processing device for developing a developer and supplying a developing solution.
Developer supply unit and developer connected to the developer supply unit
Post-exposure resist on substrate with developer nozzle for coating
The developing solution application mechanism that applies the developing solution to the coating film and the end of the development process.
After completion, the rinse mechanism for rinsing on the substrate, and the rinse machine
A rinsing mechanism comprising:
Rinse developer nozzle connected to the developer supply section
And a rinse liquid nozzle connected to the rinse liquid supply unit.
However, in the initial stage of rinsing, the control means
Substrate only the developer discharged from the developer nozzle for
Supply from above and then from the developer nozzle for the rinse
The developer to be discharged and the rinse liquid are discharged from the nozzle.
Provided is a development processing apparatus which controls a rinsing mechanism so as to supply a rinsing liquid onto a substrate .

【0012】さらにまた、本発明は、基板上に形成され
たレジスト膜を所定パターンに露光した後、露光パター
ンを現像する現像処理装置であって、基板を保持し回転
可能に構成された保持手段と、現像液を供給する現像液
供給部および該現像液供給部に接続された現像液塗布用
の現像液ノズルを有し、基板上の露光後のレジスト膜に
現像液を塗布する現像液塗布機構と、基板上方に移動可
能に構成され、現像処理終了後に基板面をリンスするリ
ンス機構と、前記保持手段の回転速度と前記リンス機構
とを制御する制御手段とを具備し、前記リンス機構は、
前記現像液供給部に接続されたリンス用の現像液ノズル
と、リンス液供給部に接続されたリンス液ノズルとを有
し、前記制御手段は、前記リンス液のズルから供給され
る前記リンス液と前記現像液ノズルから供給される前記
現像液との供給割合と、前記リンス液と前記現像液とが
供給される時の回転速度とを制御することを特徴とする
現像処理装置を提供する。
Furthermore, the present invention is formed on a substrate.
After exposing the resist film in a specified pattern,
It is a development processing device that develops a substrate and holds and rotates the substrate.
Holding means configured to be capable and a developer for supplying the developer
Supply section and developer application connected to the developer supply section
It has a developer nozzle of
A developer coating mechanism that coats the developer and can be moved above the substrate
Function to rinse the substrate surface after the development process.
And a rotation mechanism of the holding means and the rinse mechanism.
And a rinsing mechanism,
Rinse developer nozzle connected to the developer supply section
And a rinse liquid nozzle connected to the rinse liquid supply unit.
However, the control means is supplied from the rinse liquid.
The rinse liquid and the developer supplied from the developer nozzle.
The supply ratio of the developer and the rinse liquid and the developer are
Characterized by controlling the rotation speed when supplied
A development processing apparatus is provided.

【0013】本発明によれば、基板上の露光後のレジス
ト膜に現像液供給部に接続された現像液塗布用の現像液
ノズルから現像液を供給して現像液を塗布し、現像液を
静止させて現像を進行させた後、リンスするに際し、前
記現像液供給部に接続されたリンス用の現像液ノズルお
よびリンス液供給部に接続されたリンス液ノズルを有す
るリンス機構を用い、初期段階において、前記リンス用
の現像液ノズルから吐出される現像液と、前記リンス液
ノズルから吐出されるリンス液とを基板上に供給してリ
ンスを行うので、現像液の存在によりレジストの難溶化
層の発生を抑制しつつリンスを行うことができる。ま
た、現像液とリンス液とを基板上に供給してリンスを行
う際に、現像液の割合を徐々に減少させるので、最初リ
ンス液が少ないのでレジストの難溶化層の発生を効果的
に抑制することができ、また、リンス液が徐々に増加す
ることになり、リンス液による難溶化層の発生を抑制し
つつ迅速にリンスを行うことができる。特に、最初にほ
ぼ現像液のみでリンスを行い、現像液を0まで徐々に減
少させることにより、このような効果を一層確実なもの
とすることができる。
According to the present invention, a post-exposure resist on a substrate
Developer for application of developer connected to the developer supply part on the coating film
Supply the developing solution from the nozzle, apply the developing solution, and
After allowing to stand still to proceed with development, before rinsing
The developer nozzle for rinsing connected to the developer supply section and
And a rinse liquid nozzle connected to the rinse liquid supply section
Using the rinsing mechanism,
Developing solution discharged from the developing solution nozzle, and the rinse solution
The rinse liquid discharged from the nozzle is supplied onto the substrate and
Resists insoluble due to the presence of a developing solution.
Rinsing can be performed while suppressing the generation of layers. Well
In addition, the developer and rinse liquid are supplied onto the substrate to perform the rinse.
The developer solution is gradually reduced during
It is effective to generate the insolubilized layer of the resist because there is little
Can be suppressed and the rinse liquid gradually increases.
Therefore, the generation of the hardly soluble layer due to the rinse liquid is suppressed.
While rinsing can be performed quickly. In particular,
Rinse with developer only and gradually reduce developer to 0
By reducing the amount, this effect can be more certain.
Can be

【0014】さらに、上記のようにリンスの初期段階に
おいて、前記リンス用の現像液ノズルから吐出される現
像液と、前記リンス液ノズルから吐出されるリンス液と
を基板上に供給してリンスを行ってレジストの難溶化層
の発生を抑制しつつリンスを行う際に、現像液とリンス
液とを個別的に供給し、これらを基板上で混合するよう
にすることができる。
Further, as described above, in the initial stage of rinsing
At this time, the current discharged from the rinse developing solution nozzle is
Image liquid, and rinse liquid discharged from the rinse liquid nozzle
Is applied to the substrate and rinsed to make the resist insoluble layer
When the rinse is performed while suppressing the generation of
It is necessary to supply the liquid separately and mix them on the substrate.
Can be

【0015】この場合に、現像液とリンス液とを基板上
に供給してリンスを行った後、リンス液のみに切り換え
てリンスを行えば、レジスト成分はある程度洗い流され
ていることからレジストの難溶化層の発生を少なくする
ことができる。
In this case, the developing solution and the rinsing solution are placed on the substrate.
After rinsing it by supplying it to the
Rinsing will wash away the resist components to some extent.
Therefore, the generation of the insolubilized layer of the resist is reduced.
be able to.

【0016】さらに、前記リンス工程において、基板上
に界面活性剤を供給することにより、レジストの難溶化
層を一層有効に除去することができる。
Further, in the rinsing step, by supplying a surfactant onto the substrate, the hardly soluble layer of the resist can be removed more effectively.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図1は本発明
の液処理装置の一実施形態に係る現像処理ユニットが搭
載されたレジスト塗布現像処理システムを示す概略平面
図、図2はその正面図、図3はその背面図である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic plan view showing a resist coating and developing treatment system equipped with a developing treatment unit according to an embodiment of the liquid treatment apparatus of the present invention, FIG. 2 is a front view thereof, and FIG. 3 is a rear view thereof.

【0018】このレジスト塗布現像処理システム1は、
搬送ステーションであるカセットステーション10と、
複数の処理ユニットを有する処理ステーション11と、
処理ステーション11と隣接して設けられる露光装置
(図示せず)との間で半導体ウエハ(以下、単にウエハ
と記す)Wを受け渡すためのインターフェイス部12と
を具備している。
The resist coating and developing system 1 is
A cassette station 10, which is a transfer station,
A processing station 11 having a plurality of processing units;
A semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as a wafer ) between the processing station 11 and an exposure device (not shown) provided adjacent to the processing station 11.
And referred to) are provided with an interface unit 12 for passing W.

【0019】上記カセットステーション10は、被処理
体としてのウエハWを複数枚例えば25枚単位でウエハ
カセットCRに搭載された状態で他のシステムからこの
システムへ搬入またはこのシステムから他のシステムへ
搬出したり、ウエハカセットCRと処理ステーション1
1との間でウエハWの搬送を行うためのものである。
In the cassette station 10, a plurality of wafers W to be processed are loaded into the wafer cassette CR in units of, for example, 25 wafers, and loaded into or unloaded from another system. Wafer cassette CR and processing station 1
This is for carrying the wafer W to and from 1.

【0020】このカセットステーション10において
は、図1に示すように、カセット載置台20上に図中X
方向に沿って複数(図では4個)の位置決め突起20a
が形成されており、この突起20aの位置にウエハカセ
ットCRがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション
11側に向けて一列に載置可能となっている。ウエハカ
セットCRにおいてはウエハWが垂直方向(Z方向)に
配列されている。また、カセットステーション10は、
カセット載置台20と処理ステーション11との間に位
置するウエハ搬送機構21を有している。このウエハ搬
送機構21は、カセット配列方向(X方向)およびその
中のウエハ配列方向(Z方向)に移動可能なウエハ搬送
用アーム21aを有しており、この搬送アーム21aに
よりいずれかのウエハカセットCRに対して選択的にア
クセス可能となっている。また、ウエハ搬送用アーム2
1aは、θ方向に回転可能に構成されており、後述する
処理ステーション11側の第3の処理ユニット群G
属するアライメントユニット(ALIM)およびエクス
テンションユニット(EXT)にもアクセスできるよう
になっている。
In this cassette station 10, as shown in FIG.
A plurality of (four in the figure) positioning protrusions 20a along the direction
Is formed, and the wafer cassettes CR can be placed in line at the positions of the protrusions 20a with the respective wafer entrances and exits facing the processing station 11 side. In the wafer cassette CR, the wafers W are arranged in the vertical direction (Z direction). Also, the cassette station 10
It has a wafer transfer mechanism 21 located between the cassette mounting table 20 and the processing station 11. The wafer transfer mechanism 21 has a wafer transfer arm 21a that is movable in the cassette arrangement direction (X direction) and in the wafer arrangement direction (Z direction), and any one of the wafer cassettes can be moved by the transfer arm 21a. The CR can be selectively accessed. In addition, the wafer transfer arm 2
1a is configured to be rotatable in the θ direction, and can access an alignment unit (ALIM) and an extension unit (EXT) belonging to a third processing unit group G 3 on the processing station 11 side described later. There is.

【0021】上記処理ステーション11は、ウエハWへ
対して塗布・現象を行う際の一連の工程を実施するため
の複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多段
に配置されており、これらによりウエハWが一枚ずつ処
理される。この処理ステーション11は、図1に示すよ
うに、中心部に搬送路22aを有し、この中に主ウエハ
搬送機構22が設けられ、ウエハ搬送路22aの周りに
全ての処理ユニットが配置されている。これら複数の処
理ユニットは、複数の処理ユニット群に分かれており、
各処理ユニット群は複数の処理ユニットが鉛直方向に沿
って多段に配置されている。
The processing station 11 is provided with a plurality of processing units for carrying out a series of steps for performing coating / phenomenon on the wafer W, and these processing units are arranged in multiple stages at predetermined positions. The wafers W are processed one by one. As shown in FIG. 1, the processing station 11 has a transfer path 22a in the center thereof, a main wafer transfer mechanism 22 is provided in the transfer path 22a, and all the processing units are arranged around the wafer transfer path 22a. There is. The plurality of processing units are divided into a plurality of processing unit groups,
In each processing unit group, a plurality of processing units are arranged in multiple stages along the vertical direction.

【0022】主ウエハ搬送機構22は、図3に示すよう
に、筒状支持体49の内側に、ウエハ搬送装置46を上
下方向(Z方向)に昇降自在に装備している。筒状支持
体49はモータ(図示せず)の回転駆動力によって回転
可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置4
6も一体的に回転可能となっている。
As shown in FIG. 3, the main wafer transfer mechanism 22 is equipped with a wafer transfer device 46 inside the cylindrical support 49 so as to be vertically movable (Z direction). The cylindrical support 49 is rotatable by a rotational driving force of a motor (not shown), and the wafer transfer device 4 is accordingly rotated.
6 is also rotatable integrally.

【0023】ウエハ搬送装置46は、搬送基台47の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材(ピンセット)4
8を備え、これらの保持部材48によって各処理ユニッ
ト間でのウエハWの受け渡しを実現している。
The wafer transfer device 46 includes a plurality of holding members (tweezers) 4 which are movable in the front-back direction of the transfer base 47.
8, and the holding member 48 realizes the delivery of the wafer W between the processing units.

【0024】また、図1に示すように、この実施の形態
においては、4個の処理ユニット群G,G,G
がウエハ搬送路22aの周囲に実際に配置されてお
り、処理ユニット群Gは必要に応じて配置可能となっ
ている。
Further, as shown in FIG. 1, in this embodiment, four processing unit groups G 1 , G 2 , G 3 ,
G 4 is actually arranged around the wafer transfer path 22a, and the processing unit group G 5 can be arranged as needed.

【0025】これらのうち、第1および第2の処理ユニ
ット群G,Gはシステム正面(図1において手前)
側に並列に配置され、第3の処理ユニット群Gはカセ
ットステーション10に隣接して配置され、第4の処理
ユニット群Gはインターフェイス部12に隣接して配
置されている。また、第5の処理ユニット群Gは背面
部に配置可能となっている。
Of these, the first and second processing unit groups G 1 and G 2 are in front of the system (front side in FIG. 1).
The third processing unit group G 3 is arranged in parallel on the side, the third processing unit group G 3 is arranged adjacent to the cassette station 10, and the fourth processing unit group G 4 is arranged adjacent to the interface section 12. Further, the fifth processing unit group G 5 can be arranged on the back surface.

【0026】この場合、図2に示すように、第1の処理
ユニット群Gでは、カップCP内でウエハWをスピン
チャック(図示せず)に載置して所定の処理を行う2台
のスピナ型処理ユニットが上下2段に配置されており、
この実施形態においては、ウエハWにレジストを塗布す
るレジスト塗布ユニット(COT)およびレジストのパ
ターンを現像する現像ユニット(DEV)が下から順に
2段に重ねられている。第2の処理ユニット群Gも同
様に、2台のスピナ型処理ユニットとしてレジスト塗布
ユニット(COT)および現像ユニット(DEV)が下
から順に2段に重ねられている。
In this case, as shown in FIG. 2, in the first processing unit group G 1 , two wafers are mounted on the spin chuck (not shown) in the cup CP to perform a predetermined processing. Spinner type processing units are arranged in two stages,
In this embodiment, a resist coating unit (COT) for coating a resist on the wafer W and a developing unit (DEV) for developing a resist pattern are stacked in two stages from the bottom. Similarly, in the second processing unit group G 2 , as two spinner type processing units, a resist coating unit (COT) and a developing unit (DEV) are stacked in two stages in order from the bottom.

【0027】このようにレジスト塗布ユニット(CO
T)を下段側に配置する理由は、レジスト液の廃液が機
構的にもメンテナンスの上でも現像液の廃液よりも本質
的に複雑であり、このようにレジスト塗布ユニット(C
OT)を下段に配置することによりその複雑さが緩和さ
れるからである。しかし、必要に応じてレジスト塗布ユ
ニット(COT)を上段に配置することも可能である。
In this way, the resist coating unit (CO
The reason for arranging T) on the lower side is that the waste liquid of the resist solution is essentially more complicated than the waste liquid of the developer in terms of mechanism and maintenance.
This is because the OT) is arranged in the lower stage to reduce its complexity. However, it is also possible to arrange the resist coating unit (COT) on the upper stage if necessary.

【0028】第3の処理ユニット群Gにおいては、図
3に示すように、ウエハWを載置台SPに載せて所定の
処理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられ
ている。すなわち冷却処理を行うクーリングユニット
(COL)、レジストの定着性を高めるためのいわゆる
疎水化処理を行うアドヒージョンユニット(AD)、位
置合わせを行うアライメントユニット(ALIM)、ウ
エハWの搬入出を行うエクステンションユニット(EX
T)、露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後に
ウエハWに対して加熱処理を行う4つのホットプレート
ユニット(HP)が下から順に8段に重ねられている。
なお、アライメントユニット(ALIM)の代わりにク
ーリングユニット(COL)を設け、クーリングユニッ
ト(COL)にアライメント機能を持たせてもよい。
In the third processing unit group G 3 , as shown in FIG. 3, a plurality of oven-type processing units for stacking the wafer W on the mounting table SP and performing predetermined processing are stacked. That is, a cooling unit (COL) that performs a cooling process, an adhesion unit (AD) that performs a so-called hydrophobic process for improving the fixability of the resist, an alignment unit (ALIM) that performs alignment, and a wafer W are loaded and unloaded. Extension unit (EX
T), four hot plate units (HP) for heating the wafer W before or after the exposure processing, and further after the development processing are stacked in eight stages in order from the bottom.
A cooling unit (COL) may be provided instead of the alignment unit (ALIM) and the cooling unit (COL) may have an alignment function.

【0029】第4の処理ユニット群Gも、オーブン型
の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、ク
ーリングユニット(COL)、クーリングプレートを備
えたウエハ搬入出部であるエクステンション・クーリン
グユニット(EXTCOL)、エクステンションユニッ
ト(EXT)、クーリングユニット(COL)、および
4つのホットプレートユニット(HP)が下から順に8
段に重ねられている。
Also in the fourth processing unit group G 4 , oven-type processing units are stacked in multiple stages. That is, a cooling unit (COL), an extension / cooling unit (EXTCOL) that is a wafer loading / unloading unit equipped with a cooling plate, an extension unit (EXT), a cooling unit (COL), and four hot plate units (HP) are located below. In order from 8
It is stacked in columns.

【0030】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット(COL)、エクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高いホ
ットプレートユニット(HP)を上段に配置すること
で、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることがで
きる。もちろん、ランダムな多段配置としてもよい。
As described above, the cooling unit (COL) and the extension cooling unit (EXTCOL) having a low processing temperature are arranged in the lower stage, and the hot plate unit (HP) having a high processing temperature is arranged in the upper stage. Thermal mutual interference can be reduced. Of course, a random multi-stage arrangement may be used.

【0031】上述したように、主ウエハ搬送機構22の
背部側に第5の処理ユニット群Gを設けることができ
るが、第5の処理ユニット群Gを設ける場合には、案
内レール25に沿って主ウエハ搬送機構21から見て側
方へ移動できるようになっている。したがって、第5の
処理ユニット群Gを設けた場合でも、これを案内レー
ル25に沿ってスライドすることにより空間部が確保さ
れるので、主ウエハ搬送機構21に対して背後からメン
テナンス作業を容易に行うことができる。この場合に、
このような直線状の移動に限らず、回動させるようにし
ても同様にスペースの確保を図ることができる。なお、
この第5の処理ユニット群Gとしては、基本的に第3
および第4の処理ユニット群G,Gと同様、オープ
ン型の処理ユニットが多段に積層された構造を有してい
るものを用いることができる。
As described above, the fifth processing unit group G 5 can be provided on the back side of the main wafer transfer mechanism 22, but when the fifth processing unit group G 5 is provided, the guide rail 25 is provided. Along the main wafer transfer mechanism 21, it can be moved laterally. Therefore, even when the fifth processing unit group G 5 is provided, the space is secured by sliding the fifth processing unit group G 5 along the guide rail 25, so that the maintenance work can be easily performed from the rear side with respect to the main wafer transfer mechanism 21. Can be done. In this case,
The space can be similarly secured not only by such linear movement but also by rotating. In addition,
The fifth processing unit group G 5 is basically the third processing unit group G 5 .
Similarly to the fourth processing unit groups G 3 and G 4 , an open type processing unit having a multi-layered structure can be used.

【0032】上記インターフェイス部12は、奥行方向
(X方向)については、処理ステーション11と同じ長
さを有している。図1、図2に示すように、このインタ
ーフェイス部12の正面部には、可搬性のピックアップ
カセットCRと定置型のバッファカセットBRが2段に
配置され、背面部には周辺露光装置23が配設され、中
央部には、ウエハ搬送機構24が配設されている。この
ウエハ搬送機構24はウエハ搬送用アーム24aを有し
ており、このウエハ搬送用アーム24aはX方向、Z方
向に移動して両カセットCR,BRおよび周辺露光装置
23にアクセス可能となっている。また、このウエハ搬
送用アーム24aは、θ方向に回転可能であり、処理ス
テーション11の第4の処理ユニット群Gに属するエ
クステンションユニット(EXT)や、さらには隣接す
る露光装置側のウエハ受け渡し台(図示せず)にもアク
セス可能となっている。
The interface section 12 has the same length as the processing station 11 in the depth direction (X direction). As shown in FIGS. 1 and 2, a portable pickup cassette CR and a stationary buffer cassette BR are arranged in two stages on the front surface of the interface unit 12, and a peripheral exposure device 23 is arranged on the rear surface. A wafer transfer mechanism 24 is provided at the center. The wafer transfer mechanism 24 has a wafer transfer arm 24a, and the wafer transfer arm 24a can move in the X and Z directions to access both cassettes CR, BR and the peripheral exposure device 23. . Further, the wafer transfer arm 24a is rotatable in the θ direction, and an extension unit (EXT) belonging to the fourth processing unit group G 4 of the processing station 11 or a wafer transfer table of the adjacent exposure apparatus side. It is also accessible (not shown).

【0033】このように構成されるレジスト塗布現像処
理システム1においては、まず、カセットステーション
10において、ウエハ搬送機構21のウエハ搬送用アー
ム21aがカセット載置台20上の未処理のウエハWを
収容しているウエハカセットCRにアクセスして、その
カセットCRから一枚のウエハWを取り出し、第3の処
理ユニット群Gのエクステンションユニット(EX
T)に搬送する。
In the resist coating / developing processing system 1 configured as described above, first, in the cassette station 10, the wafer transfer arm 21a of the wafer transfer mechanism 21 accommodates an unprocessed wafer W on the cassette mounting table 20. access the wafer cassettes CR and have, taken out one wafer W from the cassette CR, the third processing unit group G 3 of the extension unit (EX
Transport to T).

【0034】ウエハWは、このエクステンションユニッ
ト(EXT)から、主ウエハ搬送機構22のウエハ搬送
装置46により、処理ステーション11に搬入される。
そして、第3の処理ユニット群Gのアライメントユニ
ット(ALIM)によりアライメントされた後、アドヒ
ージョン処理ユニット(AD)に搬送され、そこでレジ
ストの定着性を高めるための疎水化処理(HMDS処
理)が施される。この処理は加熱を伴うため、その後ウ
エハWは、ウエハ搬送装置46により、クーリングユニ
ット(COL)に搬送されて冷却される。
The wafer W is carried into the processing station 11 from the extension unit (EXT) by the wafer carrying device 46 of the main wafer carrying mechanism 22.
Then, after being aligned by the alignment unit (ALIM) of the third processing unit group G 3 , it is conveyed to the adhesion processing unit (AD), where a hydrophobic treatment (HMDS treatment) for improving the fixability of the resist is performed. To be done. Since this process involves heating, the wafer W is then transferred to the cooling unit (COL) by the wafer transfer device 46 and cooled.

【0035】アドヒージョン処理が終了し、クーリング
ユニット(COL)で冷却さたウエハWは、引き続き、
ウエハ搬送装置46によりレジスト塗布ユニット(CO
T)に搬送され、そこで塗布膜が形成される。塗布処理
終了後、ウエハWは処理ユニット群G,Gのいずれ
かのホットプレートユニット(HP)内でプリベーク処
理され、その後いずれかのクーリングユニット(CO
L)にて冷却される。
The wafer W which has been cooled by the cooling unit (COL) after the adhesion process is completed is continuously processed.
A resist coating unit (CO
It is conveyed to T), and a coating film is formed there. After the coating process is completed, the wafer W is pre-baked in the hot plate unit (HP) of any one of the processing unit groups G 3 and G 4 , and then the cooling unit (CO
It is cooled in L).

【0036】冷却されたウエハWは、第3の処理ユニッ
ト群Gのアライメントユニット(ALIM)に搬送さ
れ、そこでアライメントされた後、第4の処理ユニット
群Gのエクステンションユニット(EXT)を介して
インターフェイス部12に搬送される。
The cooled wafer W is transferred to the alignment unit (ALIM) of the third processing unit group G 3 , is aligned there, and then passes through the extension unit (EXT) of the fourth processing unit group G 4. And is conveyed to the interface unit 12.

【0037】インターフェイス部12では、周辺露光装
置23により周辺露光されて余分なレジストが除去さ
れ、その後ウエハWはインターフェイス部12に隣接し
て設けられた露光装置(図示せず)に搬送され、そこで
所定のパターンに従ってウエハWのレジスト膜に露光処
理が施される。
In the interface section 12, the peripheral exposure is performed by the peripheral exposure apparatus 23 to remove excess resist, and then the wafer W is transferred to an exposure apparatus (not shown) provided adjacent to the interface section 12, where it is transferred. An exposure process is performed on the resist film of the wafer W according to a predetermined pattern.

【0038】露光後のウエハWは、再びインターフェイ
ス部12に戻され、ウエハ搬送体24により、第4の処
理ユニット群Gに属するエクステンションユニット
(EXT)に搬送される。そして、ウエハWは、ウエハ
搬送装置46により、いずれかのホットプレートユニッ
ト(HP)に搬送されてポストエクスポージャーベーク
処理が施され、次いで、クーリングユニット(COL)
により冷却される。
The exposed wafer W is returned to the interface section 12 again, and is transferred by the wafer transfer body 24 to the extension unit (EXT) belonging to the fourth processing unit group G 4 . Then, the wafer W is transferred to one of the hot plate units (HP) by the wafer transfer device 46 to be subjected to post-exposure bake processing, and then the cooling unit (COL).
Is cooled by.

【0039】その後、ウエハWは現像ユニット(DE
V)に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われ
る。現像終了後、ウエハWはいずれかのホットプレート
ユニット(HP)に搬送されてポストベーク処理が施さ
れ、次いで、クーリングユニット(COL)により冷却
される。このような一連の処理が終了した後、第3処理
ユニット群Gのエクステンションユニット(EXT)
を介してカセットステーション10に戻され、いずれか
のウエハカセットCRに収容される。
Thereafter, the wafer W is transferred to the developing unit (DE
V), where the exposure pattern is developed. After the development is completed, the wafer W is transferred to one of the hot plate units (HP), subjected to the post-baking process, and then cooled by the cooling unit (COL). After such a series of processing is completed, the extension unit (EXT) of the third processing unit group G 3
It is returned to the cassette station 10 via the and is accommodated in one of the wafer cassettes CR.

【0040】次に、本実施の形態に係る現像処理ユニッ
ト(DEV)について説明する。図4および図5は、現
像処理ユニット(DEV)の全体構成を示す略断面図お
よび略平面図である。
Next, the development processing unit (DEV) according to this embodiment will be described. 4 and 5 are a schematic cross-sectional view and a schematic plan view showing the overall configuration of the development processing unit (DEV).

【0041】この現像処理ユニット(DEV)の中央部
には環状のカップCPが配置され、カップCPの内側に
はスピンチャック52が配置されている。スピンチャッ
ク52は真空吸着によってウエハWを固定保持した状態
で駆動モータ54によって回転駆動される。駆動モータ
54は、ユニット底板50の開口に昇降移動可能に配置
され、たとえばアルミニウムからなるキャップ状のフラ
ンジ部材58を介してたとえばエアシリンダからなる昇
降駆動手段60および昇降ガイド手段62と結合されて
いる。駆動モータ54の側面にはたとえばステンレス鋼
(SUS)からなる筒状の冷却ジャケット64が取り付
けられ、フランジ部材58は、この冷却ジャケット64
の上半部を覆うように取り付けられている。
An annular cup CP is arranged at the center of the development processing unit (DEV), and a spin chuck 52 is arranged inside the cup CP. The spin chuck 52 is rotationally driven by a drive motor 54 while holding the wafer W fixed by vacuum suction. The drive motor 54 is disposed in the opening of the unit bottom plate 50 so as to be able to move up and down, and is connected to the up-and-down drive means 60 and an up-and-down guide means 62, which are air cylinders, for example, via a cap-shaped flange member 58 made of aluminum. . A cylindrical cooling jacket 64 made of, for example, stainless steel (SUS) is attached to the side surface of the drive motor 54, and the flange member 58 includes the cooling jacket 64.
It is attached to cover the upper half of the.

【0042】現像液塗布時、フランジ部材58の下端
は、ユニット底板50の開口の外周付近でユニット底板
50に密着し、これによりユニット内部が密閉される。
スピンチャック52と主ウエハ搬送機構22との間でウ
エハWの受け渡しが行われる時は、昇降駆動機構60が
駆動モータ54ないしスピンチャック52を上方へ持ち
上げることでフランジ部材58の下端がユニット底板5
0から浮くようになっている。なお、現像処理ユニット
(DEV)の筐体には、ウエハ保持部材48が侵入する
ための窓70が形成されている。
When the developing solution is applied, the lower end of the flange member 58 is in close contact with the unit bottom plate 50 near the outer periphery of the opening of the unit bottom plate 50, thereby sealing the inside of the unit.
When the wafer W is transferred between the spin chuck 52 and the main wafer transfer mechanism 22, the lift drive mechanism 60 lifts the drive motor 54 or the spin chuck 52 upward so that the lower end of the flange member 58 causes the unit bottom plate 5 to move.
It starts to float from 0. A window 70 for the wafer holding member 48 to enter is formed in the housing of the development processing unit (DEV).

【0043】ウエハWの表面に現像液を供給するための
現像液供給ノズル86は、長尺状をなしその長手方向を
水平にして配置され、現像液供給管88を介して現像液
供給部89に接続されている。この現像液供給ノズル8
6はノズルスキャンアーム92の先端部に着脱可能に取
り付けられている。このノズルスキャンアーム92は、
ユニット底板50の上に一方向(Y方向)に敷設された
ガイドレール94上で水平移動可能な垂直支持部材96
の上端部に取り付けられており、Y軸駆動機構111に
よって垂直支持部材96と一体的にY方向に移動するよ
うになっている。また、現像液供給ノズル86は、Z軸
駆動機構112によって上下方向(Z方向)に移動可能
となっている。現像処理ユニット(DEV)の駆動機
構、すなわち、駆動モータ54、ならびに、Y軸駆動機
構111およびZ軸駆動機構112は、制御部110に
よって制御されるようになっている。
The developing solution supply nozzle 86 for supplying the developing solution to the surface of the wafer W is elongated and is arranged with its longitudinal direction horizontal, and a developing solution supply section 89 is provided via a developing solution supply pipe 88. It is connected to the. This developer supply nozzle 8
Reference numeral 6 is detachably attached to the tip of the nozzle scan arm 92. This nozzle scan arm 92
A vertical support member 96 horizontally movable on a guide rail 94 laid in one direction (Y direction) on the unit bottom plate 50.
Is attached to the upper end of the vertical support member 96 and is moved integrally with the vertical support member 96 in the Y direction by the Y-axis drive mechanism 111. Further, the developer supply nozzle 86 can be moved in the vertical direction (Z direction) by the Z-axis drive mechanism 112. The drive mechanism of the development processing unit (DEV), that is, the drive motor 54, and the Y-axis drive mechanism 111 and the Z-axis drive mechanism 112 are controlled by the controller 110.

【0044】現像液供給ノズル86は、Z軸駆動機構1
12によって上下方向(Z方向)に移動可能となってい
る。現像液供給ノズル86は、図6に示すように、その
下面に複数の吐出口87を有しており、吐出された現像
液が全体として帯状になるようになっている。そして、
現像液の塗布の際には、ウエハWの上方に位置する現像
液供給ノズル86から現像液を帯状に吐出させながら、
ウエハWを1/2回転以上、例えば1回転させることに
より、現像液がウエハW全面に塗布される。また、現像
液吐出の際には、ウエハWを回転させずに現像液供給ノ
ズル86をガイドレール94に沿ってスキャンさせても
よい。
The developing solution supply nozzle 86 is the Z-axis drive mechanism 1.
It is possible to move up and down (Z direction) by 12. As shown in FIG. 6, the developing solution supply nozzle 86 has a plurality of ejection openings 87 on the lower surface thereof, and the ejected developing solution is formed into a band shape as a whole. And
At the time of applying the developing solution, while the developing solution is discharged in a band shape from the developing solution supply nozzle 86 located above the wafer W,
The developing solution is applied to the entire surface of the wafer W by rotating the wafer W by 1/2 rotation or more, for example, once. Further, when the developing solution is discharged, the developing solution supply nozzle 86 may be scanned along the guide rail 94 without rotating the wafer W.

【0045】また、現像処理ユニット(DEV)は、図
5に示すように、現像後のリンスのためのリンス機構1
20を有している、リンス機構120は、リンス用ノズ
ルアーム121を有しており、このリンス用ノズルアー
ム121の先端部は二股に分かれており、それぞれの先
端には、例えば純水等のリンス液を吐出するリンス液吐
出ノズル122および現像液を吐出する現像液吐出ノズ
ル123を有している。リンス液吐出ノズル122は、
リンス液供給管125を介してリンス液供給部124に
接続されている。また、現像液吐出ノズル123は、現
像液供給管126を介して上述の現像液供給部89に接
続されている。リンス用ノズルアーム121は、ガイド
レール94上をY方向に移動可能に設けられており、現
像液による現像処理の終了後、ウエハW上に移動して、
ウエハW上に現像液およびリンス液を吐出してリンス処
理を行うようになっている。リンス用ノズルアーム12
1に取り付けられたリンス液吐出ノズル122および現
像液を吐出する現像液吐出ノズル123は、図7に示す
ように、いずれも内側に向いており、ウエハW上で現像
液とリンス液とを混合することが可能となっている。
The development processing unit (DEV), as shown in FIG. 5, has a rinsing mechanism 1 for rinsing after development.
The rinsing mechanism 120 having 20 has a rinsing nozzle arm 121, and a tip portion of the rinsing nozzle arm 121 is bifurcated, and each tip has, for example, pure water or the like. It has a rinse liquid discharge nozzle 122 for discharging a rinse liquid and a developing liquid discharge nozzle 123 for discharging a developing liquid. The rinse liquid discharge nozzle 122 is
It is connected to the rinse liquid supply unit 124 via the rinse liquid supply pipe 125. Further, the developing solution discharge nozzle 123 is connected to the above-described developing solution supply section 89 via a developing solution supply pipe 126. The rinse nozzle arm 121 is provided so as to be movable in the Y direction on the guide rail 94, and is moved onto the wafer W after the development processing with the developing solution is completed.
A rinsing process is performed by ejecting a developing solution and a rinsing solution onto the wafer W. Nozzle arm 12 for rinse
As shown in FIG. 7, the rinsing liquid discharge nozzle 122 and the developing liquid discharge nozzle 123 that discharge the developing liquid are attached to the inner surface of the wafer 1, and mix the developing liquid and the rinsing liquid on the wafer W. It is possible to do.

【0046】現像液供給部89およびリンス液供給部1
24からの現像液およびリンス液の供給は、駆動系と同
様に、上述した制御部110により制御されるようにな
っている。
Developer supply section 89 and rinse solution supply section 1
The supply of the developing solution and the rinsing solution from 24 is controlled by the above-mentioned control unit 110, similarly to the drive system.

【0047】なお、現像液供給ノズル86は、ノズル待
機部115(図5)に待機されるようになっており、こ
の待機部115にはノズル86を洗浄するノズル洗浄機
構130が設けられている。
The developing solution supply nozzle 86 is placed in a standby state in the nozzle standby section 115 (FIG. 5), and the standby section 115 is provided with a nozzle cleaning mechanism 130 for cleaning the nozzle 86. .

【0048】次に、このように構成された現像処理ユニ
ット(DEV)における現像処理の動作を図8の工程図
を参照しながら説明する。所定のパターンが露光されポ
ストエクスポージャーベーク処理および冷却処理された
ウエハWが、主ウエハ搬送機構22によってカップCP
の真上まで搬送され、昇降駆動機構60によって上昇さ
れたスピンチャック52に真空吸着される(STEP
1)。
Next, the operation of the developing processing in the developing processing unit (DEV) thus constructed will be described with reference to the process chart of FIG. The wafer W having a predetermined pattern exposed and subjected to post-exposure bake processing and cooling processing is transferred to the cup CP by the main wafer transfer mechanism 22.
Of the spin chuck 52 that has been lifted by the elevating and lowering drive mechanism 60 and is vacuum-adsorbed (STEP
1).

【0049】次いで、現像液供給ノズル86がウエハW
の上方に移動し、この現像液供給ノズル86から現像液
が帯状に吐出されながら、ウエハWが1/2回転以上、
例えば1回転されることにより、現像液がウエハW全面
に例えば1.2mmの厚みになるように塗布される(S
TEP2)。また、現像液供給ノズル86をガイドレー
ル94に沿ってスキャンしながら吐出してもよい。
Next, the developing solution supply nozzle 86 changes the wafer W.
Of the wafer W, while the developing solution is discharged from the developing solution supply nozzle 86 in a strip shape,
For example, by rotating once, the developing solution is applied to the entire surface of the wafer W so as to have a thickness of, for example, 1.2 mm (S
TEP2). Further, the developer may be discharged while scanning the developer supply nozzle 86 along the guide rail 94.

【0050】このようにして現像液をウエハW上に塗布
した状態で静止させることにより現像を進行させる(S
TEP3)。この際に、リンス機構120のリンス用ノ
ズルアーム121が移動されて、リンス液吐出ノズル1
22および現像液吐出ノズル123がウエハWの上方に
位置される(STEP4)。
In this way, the developing solution is applied on the wafer W and kept stationary to advance the development (S).
TEP3). At this time, the rinse nozzle arm 121 of the rinse mechanism 120 is moved to move the rinse liquid discharge nozzle 1
22 and the developer discharge nozzle 123 are positioned above the wafer W (STEP 4).

【0051】所定時間経過後、ウエハWがスピンチャッ
ク52により回転されて現像液が振り切られ(STEP
5)、それとほぼ同時に、ウエハWを所定の回転数で回
転させながらリンス工程が実施されるのであるが、その
初期段階においては、リンス液吐出ノズル122および
現像液吐出ノズル123から、それぞれリンス液および
現像液が所定の流量で吐出される(STEP6)。この
場合に、図7に示すように、ウエハW上で現像液とリン
ス液とが混合される。所定時間経過後、現像液の供給が
停止され、リンス液のみのリンスが行われる(STEP
7)。STEP6およびSTEP7における、リンス液
および現像液の供給・停止、その供給割合、ならびにウ
エハWの回転数はは制御部110により制御される。
After the lapse of a predetermined time, the wafer W is rotated by the spin chuck 52 to shake off the developing solution (STEP).
5) At about the same time, the rinsing process is performed while rotating the wafer W at a predetermined rotation speed. In the initial stage, the rinsing liquid is discharged from the rinsing liquid discharging nozzle 122 and the developing liquid discharging nozzle 123, respectively. And the developing solution is discharged at a predetermined flow rate (STEP 6). In this case, as shown in FIG. 7, the developing solution and the rinsing solution are mixed on the wafer W. After the elapse of a predetermined time, the supply of the developing solution is stopped and the rinse solution only is rinsed (STEP
7). In STEP 6 and STEP 7, the supply / stop of the rinse liquid and the developing liquid, the supply ratio thereof, and the rotation speed of the wafer W are controlled by the controller 110.

【0052】このようにしてリンス液によりウエハW上
に残存する現像液が洗い流された後、スピンチャック5
2が高速で回転され、ウエハW上に残存する洗浄液が吹
き飛ばされてウエハWが乾燥される(STEP8)。こ
れにより、一連の現像処理が終了する。
After the developing solution remaining on the wafer W is washed away by the rinse solution in this way, the spin chuck 5
2 is rotated at a high speed, the cleaning liquid remaining on the wafer W is blown off, and the wafer W is dried (STEP 8). As a result, a series of development processing ends.

【0053】このように、本実施形態においては、リン
ス工程の初期段階のSTEP6において現像液とリンス
液とがウエハW上に供給されるので、現像液の存在によ
りレジストの難溶化層の発生を抑制しつつリンスを行う
ことができる。そして、STEP7において、リンス液
のみに切り換えてリンスを行う際には、レジスト成分は
ある程度洗い流されていることからレジストの難溶化層
の発生を少なくすることができる。
As described above, in this embodiment, since the developing solution and the rinsing solution are supplied onto the wafer W in STEP6 in the initial stage of the rinsing step, the formation of the hardly soluble layer of the resist is caused by the presence of the developing solution. Rinsing can be performed while suppressing. Then, in STEP 7, when the rinsing liquid is switched to the rinsing liquid and the rinsing is performed, the resist components are washed away to some extent, so that the generation of the hardly soluble layer of the resist can be reduced.

【0054】また、STEP6において、制御部110
により、現像液の割合を徐々に減少させるようにすれ
ば、初期段階でリンス液が少ないのでレジストの難溶化
層の発生を効果的に抑制することができ、また、リンス
液が徐々に増加することになり、リンス液による難溶化
層の発生を抑制しつつ迅速にリンスを行うことができ
る。特に、最初にほぼ現像液のみでリンスを行い、現像
液を0まで徐々に減少させることにより、このような効
果を一層確実なものとすることができる。
In STEP 6, the controller 110
Thus, if the ratio of the developing solution is gradually decreased, the amount of the rinse solution is small in the initial stage, so that the generation of the hardly soluble layer of the resist can be effectively suppressed, and the rinse solution is gradually increased. Therefore, it is possible to quickly perform the rinse while suppressing the generation of the hardly soluble layer due to the rinse liquid. In particular, such an effect can be further ensured by first rinsing with almost only the developing solution and gradually reducing the developing solution to zero.

【0055】次に、現像処理ユニット(DEV)の他の
実施形態について説明する。図9は他の実施形態に係る
現像処理ユニットを示す平面図である。この実施形態で
は、リンス機構120’は、リンス液吐出ノズル122
および現像液吐出ノズル123の他に界面活性剤吐出ノ
ズル128を有するリンス用ノズルアーム121’を有
しており、界面活性剤供給部127から界面活性剤供給
管129を介して界面活性剤がノズル128から吐出さ
れるようになっている。界面活性剤供給部127からの
界面活性剤の供給も制御部110により制御されるよう
になっている。
Next, another embodiment of the development processing unit (DEV) will be described. FIG. 9 is a plan view showing a development processing unit according to another embodiment. In this embodiment, the rinse mechanism 120 ′ includes a rinse liquid discharge nozzle 122.
And a nozzle nozzle arm 121 ′ for rinsing having a surfactant discharge nozzle 128 in addition to the developer discharge nozzle 123, and the surfactant is supplied to the nozzle through the surfactant supply pipe 129 from the surfactant supply unit 127. It is designed to be discharged from 128. The supply of the surfactant from the surfactant supply unit 127 is also controlled by the control unit 110.

【0056】このようなリンス機構120’により現像
後のリンスを行う際には、リンス液および現像液の他に
適宜の時期に界面活性剤をウエハW上に供給することに
より、レジストの難溶化層の形成を一層効果的に防止す
ることができる。
When rinsing after development by such a rinsing mechanism 120 ', in addition to the rinsing solution and the developing solution, a surfactant is supplied onto the wafer W at an appropriate time to make the resist insoluble. The formation of layers can be prevented more effectively.

【0057】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、本発明を半導体ウエハの現像処理に適用したが、
これに限らず、液晶表示装置(LCD)用基板等、他の
基板の現像処理にも適用することができる。
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made. For example, although the present invention is applied to the development processing of the semiconductor wafer in the above embodiment,
Not limited to this, the present invention can be applied to development processing of other substrates such as a liquid crystal display (LCD) substrate.

【0058】[0058]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板上の露光後のレジスト膜に現像液供給部に接続され
た現像液塗布用の現像液ノズルから現像液を供給して現
像液を塗布し、現像液を静止させて現像を進行させた
後、リンスするに際し、前記現像液供給部に接続された
リンス用の現像液ノズルおよびリンス液供給部に接続さ
れたリンス液ノズルを有するリンス機構を用い、初期段
階において、前記リンス用の現像液ノズルから吐出され
現像液と、前記リンス液ノズルから吐出されるリンス
液とを基板上に供給してリンスを行うので、現像液の存
在によりレジストの難溶化層の発生を抑制しつつリンス
を行うことができる。また、現像液とリンス液とを基板
上に供給してリンスを行う際に、現像液の割合を徐々に
減少させるので、最初リンス液が少ないのでレジストの
難溶化層の発生を効果的に抑制することができ、また、
リンス液が徐々に増加することになり、リンス液による
難溶化層の発生を抑制しつつ迅速にリンスを行うことが
できる。特に、最初にほぼ現像液のみでリンスを行い、
現像液を0まで徐々に減少させることにより、このよう
な効果を一層確実なものとすることができる。
As described above, according to the present invention,
Connected to the developer supply part on the resist film after exposure on the substrate
The developer is supplied from the developer nozzle for applying the developer.
The image solution was applied, and the developing solution was stopped to proceed with the development.
After that, at the time of rinsing, it was connected to the developer supply section.
Connect to the developer nozzle for rinsing and the rinsing liquid supply section.
The rinsing mechanism having the rinsed rinse nozzle is used to discharge the developer from the rinse developer nozzle in the initial stage.
Since the developing solution and the rinsing solution discharged from the rinsing solution nozzle are supplied onto the substrate to perform the rinsing, the rinsing can be performed while suppressing the generation of the hardly soluble layer of the resist due to the presence of the developing solution. . In addition, the developer and rinse solution
When supplying and rinsing on top, gradually increase the proportion of developer.
Since the amount of rinsing liquid is reduced,
It is possible to effectively suppress the formation of the hardly soluble layer, and
Rinse solution will gradually increase,
Rinsing can be performed quickly while suppressing the formation of a poorly soluble layer.
it can. In particular, first rinse with almost only the developer,
By gradually decreasing the developer to 0,
Such an effect can be further ensured.

【0059】さらに、上記のようにリンスの初期段階に
おいて、前記リンス用の現像液ノズルから吐出される現
像液と、前記リンス液ノズルから吐出されるリンス液と
を基板上に供給してリンスを行ってレジストの難溶化層
の発生を抑制しつつリンスを行う際に、現像液とリンス
液とを個別的に供給し、これらを基板上で混合するよう
にすることができる。
Further, as described above, in the initial stage of rinsing
At this time, the current discharged from the rinse developing solution nozzle is
Image liquid, and rinse liquid discharged from the rinse liquid nozzle
Is applied to the substrate and rinsed to make the resist insoluble layer
When the rinse is performed while suppressing the generation of
It is necessary to supply the liquid separately and mix them on the substrate.
Can be

【0060】この場合に、現像液とリンス液とを基板上
に供給してリンスを行った後、リンス液のみに切り換え
てリンスを行えば、レジスト成分はある程度洗い流され
ていることからレジストの難溶化層の発生を少なくする
ことができる。
In this case, the developing solution and the rinsing solution are placed on the substrate.
After rinsing it by supplying it to the
Rinsing will wash away the resist components to some extent.
Therefore, the generation of the insolubilized layer of the resist is reduced.
be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明が適用される現像処理ユニットを備えた
半導体ウエハのレジスト塗布現像処理システムの全体構
成を示す平面図。
FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a resist coating and developing treatment system for a semiconductor wafer including a developing treatment unit to which the present invention is applied.

【図2】本発明が適用される現像処理ユニットを備えた
半導体ウエハのレジスト塗布現像処理システムの全体構
成を示す正面図。
FIG. 2 is a front view showing the overall configuration of a resist coating and developing treatment system for a semiconductor wafer including a developing treatment unit to which the present invention is applied.

【図3】本発明が適用される現像処理ユニットを備えた
半導体ウエハのレジスト塗布現像処理システムの全体構
成を示す背面図。
FIG. 3 is a rear view showing the overall configuration of a resist coating and developing treatment system for a semiconductor wafer including a developing treatment unit to which the present invention is applied.

【図4】本発明が適用される現像処理ユニットの全体構
成を示す断面図。
FIG. 4 is a sectional view showing the overall configuration of a development processing unit to which the present invention is applied.

【図5】本発明が適用される現像処理ユニットを示す平
面図。
FIG. 5 is a plan view showing a development processing unit to which the present invention is applied.

【図6】上記現像処理ユニットに用いられる現像液供給
ノズルを示す斜視図。
FIG. 6 is a perspective view showing a developing solution supply nozzle used in the developing processing unit.

【図7】上記現像処理ユニットに用いられるリンス機構
によるリンス動作を示す模式図。
FIG. 7 is a schematic diagram showing a rinsing operation by a rinsing mechanism used in the developing processing unit.

【図8】本発明に係る現像処理方法の一実施形態を説明
する工程図。
FIG. 8 is a process diagram illustrating an embodiment of a development processing method according to the present invention.

【図9】他の実施形態に係る現像処理ユニットを示す平
面図。
FIG. 9 is a plan view showing a development processing unit according to another embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

52……スピンチャック 54……駆動モータ 86……現像液供給ノズル 89……現像液供給部 110……制御部 120……リンス機構 121……リンス用ノズルアーム 122……リンス液吐出ノズル 123……現像液吐出ノズル 124……リンス液供給部 DEV……現像処理ユニット W……半導体ウエハ(基板) 52 ... Spin chuck 54 ... Drive motor 86 ... Developer supply nozzle 89 ... Developer supply unit 110 ... Control unit 120 ... Rinse mechanism 121 …… Rinse nozzle arm 122 ... Rinse liquid discharge nozzle 123 ... Developer discharge nozzle 124 ... Rinse liquid supply section DEV ... Development processing unit W: Semiconductor wafer (substrate)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−177727(JP,A) 特開 平7−273015(JP,A) 特開 昭61−279858(JP,A) 特開 平2−46464(JP,A) 特開 平9−326361(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03F 7/30 G03F 7/32 H01L 21/027 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A 61-177727 (JP, A) JP-A 7-273015 (JP, A) JP-A 61-279858 (JP, A) JP-A 2- 46464 (JP, A) JP-A-9-326361 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G03F 7/30 G03F 7/32 H01L 21/027

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板上に形成されたレジスト膜を所定パ
ターンに露光した後、露光パターンを現像する現像処理
方法であって、 基板上の露光後のレジスト膜に現像液供給部に接続され
た現像液塗布用の現像液ノズルから現像液を供給して
像液を塗布する工程と、 塗布された現像液を静止させて現像を進行させる工程
と、 現像処理終了後、基板上にリンス液を供給してリンスす
る工程とを有し、 前記リンス工程は、前記現像液供給部に接続されたリン
ス用の現像液ノズルおよびリンス液供給部に接続された
リンス液ノズルを有するリンス機構を用い、初期段階に
おいて、前記リンス用の現像液ノズルから吐出される
像液と、前記リンス液ノズルから吐出されるリンス液と
を基板上に供給してリンスを行い、現像液の割合を徐々
に減少させることを特徴とする現像処理方法。
1. A development processing method comprising exposing a resist film formed on a substrate to a predetermined pattern and then developing the exposed pattern, wherein the exposed resist film on the substrate is connected to a developing solution supply section.
A step of supplying a developing solution from the developing solution nozzle for applying the developing solution to apply the developing solution; a step of allowing the applied developing solution to stand still to proceed with the development; and A step of supplying a rinse liquid onto the substrate to rinse the substrate, the rinse step comprising:
Connected to the developer nozzle and rinse solution supply section
A rinse mechanism having a rinse liquid nozzle is used to supply an image liquid discharged from the rinse developer nozzle and a rinse liquid discharged from the rinse liquid nozzle onto a substrate in an initial stage. There line rinse and, gradually the proportion of the developer
A developing method characterized by reducing the amount of
【請求項2】 前記リンス工程において、現像液とリン2. The developing solution and phosphorus in the rinsing step.
ス液とは個別的に供給され、基板上で混合されることをLiquid is supplied separately and mixed on the substrate.
特徴とする請求項1に記載の現像処理方法。The development processing method according to claim 1, which is characterized in that.
【請求項3】 基板上に形成されたレジスト膜を所定パ3. A resist film formed on a substrate is applied with a predetermined pattern.
ターンに露光した後、露光パターンを現像する現像処理Development process that develops the exposure pattern after exposing the turn
方法であって、Method, 基板上の露光後のレジスト膜に現像液供給部に接続されConnected to the developer supply part on the resist film after exposure on the substrate
た現像液塗布用の現像液ノズルから現像液を供給して現The developer is supplied from the developer nozzle for applying the developer.
像液を塗布する工程と、A step of applying an image liquid, 塗布された現像液を静止させて現像を進行させる工程Step of developing by stopping the applied developer
と、When, 現像処理終了後、基板上にリンス液を供給してリンスすAfter the development process is completed, rinse liquid is supplied to the substrate to rinse it.
る工程とを有し、And the process of 前記リンス工程は、前記現像液供給部に接続されたリンThe rinsing process includes a rinsing process connected to the developing solution supply unit.
ス用の現像液ノズルおよびリンス液供給部に接続されたConnected to the developer nozzle and rinse solution supply section
リンス液ノズルを有するリンス機構を用い、初期段階にUsing a rinse mechanism with a rinse liquid nozzle, in the initial stage
おいて、前記リンス用の現像液ノズルから吐出される現At this time, the current discharged from the rinse developing solution nozzle is
像液と、前記リンス液ノズルから吐出されるリンス液とImage liquid, and rinse liquid discharged from the rinse liquid nozzle
を基板上に個別的に供給し、基板上で混合することを特Is individually supplied onto the substrate and mixed on the substrate.
徴とする現像処理方法。Development processing method to be considered.
【請求項4】 前記リンス工程は、現像液とリンス液と
を基板上に供給してリンスを行った後、リンス液のみに
切り換えてリンスを行うことを特徴とする請求項1ない
請求項3のいずれか1項に記載の現像処理方法。
Wherein said rinsing step, a developing solution and after the rinsing solution was rinsed by supplying onto a substrate, according to claim 1 to claim 3, characterized in that performing the rinsing switching only the rinsing liquid The development processing method according to any one of 1 .
【請求項5】 前記リンス工程において、基板上に界面
活性剤を供給することを特徴とする請求項1ないし請求
項4のいずれか1項に記載の現像処理方法。
5. The development processing method according to claim 1, wherein a surfactant is supplied onto the substrate in the rinsing step.
【請求項6】 基板上に形成されたレジスト膜を所定パ
ターンに露光した後、露光パターンを現像する現像処理
装置であって、 現像液を供給する現像液供給部および該現像液供給部に
接続された現像液塗布用の現像液ノズルを有し、基板上
の露光後のレジスト膜に現像液を塗布する現像液塗布機
構と、 現像処理終了後、基板上をリンスするリンス機構と、 前記リンス機構を制御する制御手段とを具備し、 前記リンス機構は、前記現像液供給部に接続されたリン
ス用の現像液ノズルと、リンス液供給部に接続された
ンス液ノズルとを有し、 前記制御手段、リンスの初期段階において、前記リン
ス用の現像液ノズルから吐出される現像液と、前記リン
ス液ノズルから吐出されるリンス液とを基板上に供給
、現像液の割合を徐々に減少させるようにリンス機構
を制御することを特徴とする現像処理装置。
6. A development processing device for exposing a resist film formed on a substrate to a predetermined pattern and then developing the exposed pattern, comprising: a developing solution supply section for supplying a developing solution; and a developing solution supply section.
A developing solution coating mechanism having a connected developing solution nozzle for coating a developing solution and applying the developing solution to the exposed resist film on the substrate; and a rinsing mechanism for rinsing the substrate after completion of the development process, And a rinsing mechanism connected to the developing solution supply unit.
A developer nozzle for scan, and a re <br/> Nsu liquid nozzle connected to the rinsing liquid supply section, wherein, in the initial stage of rinsing, the phosphorus
And the developer ejected from the developer nozzle for scan, the phosphorus
A rinsing mechanism is controlled so as to supply a rinsing liquid discharged from a rinsing liquid nozzle onto a substrate, and to control a rinsing mechanism so as to gradually reduce the ratio of the developing liquid .
【請求項7】 前記制御手段は、現像液とリンス液とを
基板上に供給してリンスを行った後、リンス液のみに切
り換えることを特徴とする請求項6に記載の現像処理装
置。
7. The development processing apparatus according to claim 6, wherein the control unit supplies the developing solution and the rinsing solution onto the substrate to perform rinsing, and then switches to only the rinsing solution.
【請求項8】 前記リンス機構は、基板上に界面活性剤
を供給する界面活性剤供給機構を有し、基板上をリンス
する際に界面活性剤を供給することを特徴とする請求項
または請求項7に記載の現像処理装置。
Wherein said rinse mechanism includes a surfactant supply mechanism for supplying a surface active agent onto a substrate, according to claim 6 or and supplying a surface active agent when rinsing the upper substrate The development processing apparatus according to claim 7 .
【請求項9】 基板上に形成されたレジスト膜を所定パ
ターンに露光した後、露光パターンを現像する現像処理
方法であって、 基板上の露光後のレジスト膜に現像液供給部に接続され
た現像液塗布用の現像液ノズルから現像液を供給して
像液を塗布する工程と、 現像処理終了後、基板を回転させつつ基板上をリンスす
る工程とを有し、前記リンス工程は、前記現像液供給部に接続されたリン
ス用の現像液ノズルお よびリンス液供給部に接続された
リンス液ノズルを有するリンス機構を用い、最初に、前
記リンス用の現像液ノズルから吐出される現像液のみを
供給してリンスを行い、その後前記現像液ノズルから吐
出される現像液と前記リンス液ノズルから吐出される
ンス液とを基板に供給しつつリンスすることを特徴とす
る現像処理方法。
9. A development processing method, comprising exposing a resist film formed on a substrate to a predetermined pattern and then developing the exposed pattern, wherein the exposed resist film on the substrate is connected to a developing solution supply section.
And a step of supplying a developing solution from a developing solution nozzle for applying the developing solution to apply the developing solution , and a step of rinsing the substrate while rotating the substrate after completion of the developing treatment. The rinsing process includes a rinsing process connected to the developing solution supply unit.
Connected to the developer nozzle Contact and rinse liquid supply portion for scan
Using a rinse mechanism with a rinse nozzle, first
Only the developer discharged from the developer nozzle for rinsing
Supply and rinse, then discharge from the developer nozzle.
A developing treatment method, characterized in that the developing solution discharged and the rinse solution discharged from the rinse solution nozzle are rinsed while being supplied to the substrate.
【請求項10】 基板上に形成されたレジスト膜を所定
パターンに露光した後、露光パターンを現像する現像処
理装置であって、現像液を供給する現像液供給部および該現像液供給部に
接続された現像液塗布用の現像液ノズルを有し、 基板上
の露光後のレジスト膜に現像液を塗布する現像液塗布機
構と、 現像処理終了後、基板上をリンスするリンス機構と、 前記リンス機構を制御する制御手段とを具備し、 前記リンス機構は、前記現像液供給部に接続されたリン
ス用の現像液ノズルと、リンス液供給部に接続された
ンス液ノズルとを有し、 前記制御手段、リンス初期段階において、前記リンス
用の現像液ノズルから吐出される現像液のみを基板上に
供給し、その後、前記リンス用の現像液ノズルから吐出
される現像液と前記リンス液ノズルから吐出されるリン
ス液とを基板上に供給するようにリンス機構を制御する
ことを特徴とする現像処理装置。
10. A development processing device for exposing a resist film formed on a substrate to a predetermined pattern and then developing the exposed pattern, comprising: a developing solution supply section for supplying a developing solution; and a developing solution supply section.
A developing solution coating mechanism having a connected developing solution nozzle for coating a developing solution and applying the developing solution to the exposed resist film on the substrate; and a rinsing mechanism for rinsing the substrate after completion of the development process, And a rinsing mechanism connected to the developing solution supply unit.
A developing solution nozzle for rinsing and a rinsing solution nozzle connected to the rinsing solution supply unit , wherein the control unit is configured to perform the rinsing at an initial stage of rinsing.
Only the developer discharged from the developer nozzle for cleaning is supplied onto the substrate, and then discharged from the developer nozzle for rinse.
A rinsing mechanism is controlled so as to supply the developing solution and the rinsing solution discharged from the rinsing solution nozzle onto the substrate.
【請求項11】 基板上に形成されたレジスト膜を所定
パターンに露光した後、露光パターンを現像する現像処
理装置であって、 基板を保持し回転可能に構成された保持手段と、現像液を供給する現像液供給部および該現像液供給部に
接続された現像液塗布用の現像液ノズルを有し、基板上
の露光後のレジスト膜 に現像液を塗布する現像液塗布機
構と、 基板上方に移動可能に構成され、現像処理終了後に基板
面をリンスするリンス機構と、 前記保持手段の回転速度と前記リンス機構とを制御する
制御手段とを具備し、 前記リンス機構は、前記現像液供給部に接続されたリン
ス用の現像液ノズルと、リンス液供給部に接続された
ンス液ノズルとを有し、 前記制御手段は、前記リンス液のズルから供給される前
記リンス液と前記現像液ノズルから供給される前記現像
液との供給割合と、前記リンス液と前記現像液とが供給
される時の回転速度とを制御することを特徴とする現像
処理装置。
11. A development processing device for exposing a resist film formed on a substrate to a predetermined pattern, and then developing the exposure pattern, comprising: a holding unit configured to hold the substrate and rotate; and a developing solution. To supply the developing solution supply section and the developing solution supply section
On the substrate with the connected developer nozzle for applying the developer
Developing solution applying mechanism for applying a developing solution to the resist film after exposure, a rinsing mechanism configured to be movable above the substrate and rinsing the substrate surface after completion of the developing process, a rotation speed of the holding means, and the rinsing mechanism. And a rinsing mechanism connected to the developing solution supply section.
A developing solution nozzle for rinsing and a rinsing solution nozzle connected to a rinsing solution supply section , wherein the control unit supplies the rinsing solution and the developing solution supplied from the rinsing solution nozzle. A development processing apparatus, which controls a supply ratio of the developing solution supplied from a nozzle and a rotation speed when the rinse solution and the developing solution are supplied.
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