JP2001054757A - Liquid treating device and method thereof - Google Patents

Liquid treating device and method thereof

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JP2001054757A
JP2001054757A JP23391399A JP23391399A JP2001054757A JP 2001054757 A JP2001054757 A JP 2001054757A JP 23391399 A JP23391399 A JP 23391399A JP 23391399 A JP23391399 A JP 23391399A JP 2001054757 A JP2001054757 A JP 2001054757A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To uniformly treat the surface of a substrate and to save space by moving one supply nozzle selected from plural nozzles positioned in a stand-by region on the substrate, supplying a treating liquid on the substrate and standing-by the other nozzles in the stand-by region. SOLUTION: Plural supply nozzles, for example, 2 nozzles 52, 62 are provided in accordance with the kinds of the treating liquids, for example, developers, applied on a wafer W used in each lot. That is, one supply nozzle 52 moves from one end side to another side of the wafer W and applies the developer to the wafer W. At this time, another supply nozzle 62 is on stand-by in the stand-by region outside the wafer W. After the supply nozzle 52 is returned to the stand-by region 7, the position of the supply nozzles 52 and the supply nozzle 62 are switched by the cooperation of a moving structure and an elevating structure. Thus, liquid sagging is not generated on the wafer W so that the wafer W is treated uniformly.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばレジストが
塗布され、露光処理がされた基板の表面に現像液を供給
して現像処理を行う、液処理装置及びその方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid processing apparatus and method for supplying a developing solution to a surface of a substrate on which, for example, a resist has been applied and which has been exposed to light, for performing a developing process.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウエハ(以下ウエハという)や液
晶ディスプレイのLCD基板の表面上に回路パターンを
形成するためのマスクは以下の工程により形成される。
即ち、先ずウエハ表面にフォトレジスト溶液(以下レジ
ストという)の塗布を行い、光等の照射を行う。前記レ
ジストが例えばネガ形ならば光の当った部分が硬化し、
硬化しない部分即ちレジストの溶けやすい部分を現像液
により溶解して目的とするマスクが形成される。
2. Description of the Related Art A mask for forming a circuit pattern on a surface of a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer) or an LCD substrate of a liquid crystal display is formed by the following steps.
That is, first, a photoresist solution (hereinafter referred to as “resist”) is applied to the wafer surface, and irradiation with light or the like is performed. If the resist is, for example, a negative type, the light hit portion is cured,
An uncured portion, that is, a portion in which the resist is easily dissolved is dissolved by a developer to form a target mask.

【0003】従来、上述のような現像工程は図12
(a),(b)に示す以下の方法により行われていた。被処
理基板であるウエハWは真空吸着機能を備えた図示しな
いスピンチャックに吸着保持されており、ウエハWの直
径に対応する長さに亘って多数の吐出孔11が配列され
た供給ノズル12をウエハWの中央部にて吐出孔11が
ウエハW表面から例えば1mm上方になるように位置さ
せる。そして吐出孔11から現像液10をウエハW表面
の中央部に供給して液盛りを行い、続いて吐出孔11か
ら現像液10の供給を行いながらウエハWを半回転(1
80度回転)させる。
Conventionally, the above-described developing process is performed by using the method shown in FIG.
This was performed by the following method shown in FIGS. A wafer W as a substrate to be processed is suction-held by a spin chuck (not shown) having a vacuum suction function, and a supply nozzle 12 in which a number of ejection holes 11 are arranged over a length corresponding to the diameter of the wafer W is used. At the center of the wafer W, the ejection hole 11 is positioned, for example, 1 mm above the surface of the wafer W. Then, the developer 10 is supplied to the center of the surface of the wafer W from the discharge hole 11 to perform liquid filling, and then the wafer W is rotated half a turn (1) while supplying the developer 10 from the discharge hole 11.
(Rotate 80 degrees).

【0004】こうすることによってウエハW中央部には
じめに液盛りされた現像液10が広げられると同時に現
像液10が新たに供給され、この結果ウエハW表面全体
に現像液の液膜が所定の厚さで形成されることになる。
[0004] By doing so, the developing solution 10 initially filled in the central portion of the wafer W is spread, and at the same time, the developing solution 10 is newly supplied. As a result, the liquid film of the developing solution has a predetermined thickness over the entire surface of the wafer W. It will be formed by the above.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の方
法を用いた液処理装置では以下のような問題が生じる。
即ちこの装置ではウエハWを半回転以上させず、初めに
供給した古い現像液と新たな現像液が混じり合うことを
避け、混じった部分と混じり合わない部分との不均一さ
をなくすようにしているが、実際には慣性力によりウエ
ハ上の現像液が動いてしまい、現像液の入れ替わりの激
しいところとそうでないところとが生じて現像の均一性
が悪化してしまうという問題が発生する。
However, the liquid processing apparatus using the above method has the following problems.
In other words, in this apparatus, the wafer W is not rotated more than half a turn, so that the initially supplied old developing solution and the new developing solution are not mixed, and the unevenness between the mixed portion and the unmixed portion is eliminated. However, in practice, the developer on the wafer moves due to the inertial force, and there are places where the replacement of the developer is intense and places where the replacement of the developer is not so severe that the uniformity of development is deteriorated.

【0006】このような問題を鑑み、図13に示す方法
により現像工程を行う方法が検討されている。この方法
は、真空吸着機能を有するスピンチャック1によりウエ
ハWを水平に吸着保持し、前述の図12(a),(b)に示
したものと同様の供給ノズル12を、ウエハW表面の上
方例えば1mmの位置でウエハWの一端側から他端側へ
とスキャンさせ、このスキャン時に現像液の供給を行う
ことでウエハW全面への現像液の塗布を行うものであ
る。
In view of such a problem, a method of performing a developing step by a method shown in FIG. 13 has been studied. In this method, a wafer W is horizontally held by a spin chuck 1 having a vacuum suction function, and a supply nozzle 12 similar to that shown in FIGS. For example, the scanning is performed from one end side to the other end side of the wafer W at a position of 1 mm, and the developing solution is supplied at the time of the scanning to apply the developing solution to the entire surface of the wafer W.

【0007】ここで現像液が互いに異なる複数種のウエ
ハに対して現像工程を行う装置としては、図14(a),
(b)に示す装置が検討されている。この装置は2種類の
ウエハに種類の異なる現像液の供給を行う場合を例にと
ったものであり、既述の供給ノズル12と同様の構成の
2種類の供給ノズル14aと14bとを、各々がY方向
に伸びるように、また独立に上下動できるように夫々上
下機構16を介して共通の移動体18に設け、この移動
体18をX方向に伸びるガイドレール19に沿って移動
可能に構成されている。従ってこの装置では、選択され
た供給ノズル13がウエハWの一端外側の待機位置20
から他端側へスキャンして、現像液の塗布が行われる。
As an apparatus for performing a developing process on a plurality of types of wafers having different developing solutions, FIG.
The device shown in (b) is under study. This apparatus exemplifies a case in which different kinds of developer are supplied to two kinds of wafers, and two kinds of supply nozzles 14a and 14b having the same configuration as the supply nozzle 12 described above are respectively provided. Are provided on a common moving body 18 via a vertical mechanism 16 so as to extend in the Y direction and be able to move up and down independently, and the moving body 18 can be moved along a guide rail 19 extending in the X direction. Have been. Therefore, in this apparatus, the selected supply nozzle 13 is moved to the standby position 20 outside one end of the wafer W.
And the other end is scanned to apply a developer.

【0008】しかしながら上述の装置には以下のような
欠点がある。供給ノズル13は供給ノズル14aと供給
ノズル14bとが一体に移動する構成となっているた
め、一方の供給ノズルにより液盛りするときに使用しな
い他方の供給ノズルから液だれが生じ、意図しない現像
液がウエハW上に供給されてしまうおそれがある。
However, the above-described device has the following disadvantages. The supply nozzle 13 has a configuration in which the supply nozzle 14a and the supply nozzle 14b move integrally, so that when one of the supply nozzles is used for liquid filling, dripping occurs from the other supply nozzle, and an unintended developer May be supplied onto the wafer W.

【0009】また、供給ノズル13のスキャン中には使
用していない供給ノズルもウエハW上方を移動している
ため、現像液の供給等で湿っている当該供給ノズルの吐
出孔にウエハW上方に舞っているパーティクルが付着す
るおそれもある。
During the scanning of the supply nozzle 13, the supply nozzle that is not being used is also moving above the wafer W, so that the discharge nozzle of the supply nozzle that is wet due to the supply of the developing solution or the like is placed above the wafer W. There is also a risk that flying particles will adhere.

【0010】ところで、上述の装置では図14(a)に示
す待機位置20の表面上に、供給ノズル14a,14b
が嵌合する図示しないバスが設けられているが、このバ
ス内は不活性ガス(N2)雰囲気に保たれ、供給ノズル
14a,14b内に貯溜されている現像液の劣化を抑え
ている。従って供給ノズル13の移動時には使用しない
他方の供給ノズル内の現像液が劣化してしまう。
In the above-described apparatus, the supply nozzles 14a and 14b are provided on the surface of the standby position 20 shown in FIG.
Although a bus (not shown) is provided in which is fitted an inert gas (N2) atmosphere, the deterioration of the developer stored in the supply nozzles 14a and 14b is suppressed. Therefore, when the supply nozzle 13 moves, the developer in the other supply nozzle that is not used is deteriorated.

【0011】なお、現像液ごとに現像ユニットを別にす
ることも考えられるが、この場合現像装置が大型化する
し、コスト高である。
Incidentally, it is conceivable to use a separate developing unit for each developer, but in this case, the size of the developing device is increased and the cost is high.

【0012】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は基板表面に対して均一な処理を行
うことができ、また省スペース化を図ることができる液
処理装置を提供することにある。
The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a liquid processing apparatus capable of performing uniform processing on a substrate surface and saving space. Is to do.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明に係る液処理装置
は、基板を水平に保持するための基板保持部と、基板の
有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘って処理
液の吐出孔が配列された複数の供給ノズルと、前記基板
保持部に保持されている基板の一端の外側に割り当てら
れた待機領域と基板との間で前記複数の供給ノズルを夫
々ガイドするための複数のガイド部と、前記複数の供給
ノズルを夫々保持して各ガイド部に沿って独立して移動
する複数の移動部と、前記供給ノズルを昇降させる昇降
機構と、を備え、前記待機領域に位置している前記複数
の供給ノズルから選択された一の供給ノズルを基板上に
移動させて当該基板に処理液の供給を行い、このとき他
の供給ノズルは前記待機領域に待機していることを特徴
とする。処理液の供給については、例えば供給ノズルを
供給ノズルの長手方向に直交する方向に基板の一端側か
ら他端側に移動させて当該基板に処理液の供給を行う従
って一の供給ノズルによる処理液の供給時に他の供給ノ
ズルが付随して移動することがなく、基板に対して供給
しようとする目的とする処理液以外の液が他の供給ノズ
ルから基板表面に落下するおそれがなくなる。また一の
供給ノズルを使用した後、当該一の供給ノズルを基板に
対して前記待機領域の反対側にて待機させることなく他
の供給ノズルによる処理液の供給を行うことができ、余
分なスペースを設ける必要がなくなる。
According to the present invention, there is provided a liquid processing apparatus comprising: a substrate holding portion for holding a substrate horizontally; and a processing device having a length substantially equal to or greater than the width of an effective area of the substrate. To guide the plurality of supply nozzles between a plurality of supply nozzles in which liquid ejection holes are arranged, and a substrate and a standby area allocated outside one end of the substrate held by the substrate holding unit, respectively. A plurality of guide portions, a plurality of moving portions that respectively hold the plurality of supply nozzles and move independently along each guide portion, and an elevating mechanism that raises and lowers the supply nozzles, the standby area Moving one supply nozzle selected from the plurality of supply nozzles positioned on the substrate to supply the processing liquid to the substrate, and at this time, the other supply nozzles are waiting in the standby area It is characterized by the following. Regarding the supply of the processing liquid, for example, the supply nozzle is moved from one end to the other end of the substrate in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the supply nozzle to supply the processing liquid to the substrate. The other supply nozzles do not move accompanying the supply nozzle, and there is no possibility that a liquid other than the target processing liquid to be supplied to the substrate will fall from the other supply nozzle onto the substrate surface. In addition, after using one supply nozzle, the processing liquid can be supplied by another supply nozzle without making the one supply nozzle stand by on the opposite side of the standby region with respect to the substrate, and an extra space is provided. There is no need to provide

【0014】前記液処理装置は基板保持部に保持されて
いる基板の一端の外側に割り当てられた待機領域に位置
している一の供給ノズルと他の供給ノズルとの間で位置
を入れ替えるための位置替え機構を備えた構成としても
よい。例えば位置替え機構は、移動部及び昇降機構が兼
用するように構成することで装置の省スペース化が図れ
る。
The liquid processing apparatus is provided for exchanging a position between one supply nozzle and another supply nozzle located in a standby area allocated outside one end of a substrate held by a substrate holding unit. A configuration including a position changing mechanism may be employed. For example, by configuring the position changing mechanism so that the moving section and the elevating mechanism are shared, the space of the apparatus can be saved.

【0015】また本発明に係る液処理方法は、基板を基
板保持部に水平に保持する工程と、基板の有効領域の幅
とほぼ同じかそれ以上の長さに亘って処理液の吐出孔が
配列された複数の供給ノズルを、前記基板の一端の外側
に割り当てられた待機領域に平行に並べて待機させる工
程と、待機領域の一の供給ノズルを基板上に移動させて
当該基板に処理液の供給を行うと共に他の供給ノズルは
待機領域に待機させておき、次いで当該一の供給ノズル
を待機領域に戻す工程と、その後、基板保持部上の基板
を別の基板と交換した後、他の供給ノズルを基板上に移
動させて当該基板に処理液の供給を行う工程と、を含む
ことを特徴とする。
Further, in the liquid processing method according to the present invention, the step of horizontally holding the substrate on the substrate holding portion and the step of discharging the processing liquid over a length substantially equal to or longer than the width of the effective area of the substrate. Arranging a plurality of supply nozzles arranged in parallel to a standby area allocated outside one end of the substrate and waiting, and moving one supply nozzle of the standby area onto the substrate to apply the processing liquid to the substrate. Performing the supply and keeping the other supply nozzles in the standby area, and then returning the one supply nozzle to the standby area, and then replacing the substrate on the substrate holding unit with another substrate, Moving the supply nozzle onto the substrate to supply the processing liquid to the substrate.

【0016】なお前記液処理方法において、他の供給ノ
ズルを例えば基板の一端側から他端側に移動させる前に
一の供給ノズルと他の供給ノズルとの間で位置を入れ替
える工程を加えるようにしてもよい。
In the above-mentioned liquid processing method, a step of changing the position between one supply nozzle and another supply nozzle before moving the other supply nozzle from one end to the other end of the substrate is added. You may.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】図1及び図2は本発明に係る液処
理装置を現像処理装置に適用した実施の形態を示す図で
ある。図中2は、基板をなすウエハWの裏面中央部を真
空吸着して水平に保持し、鉛直な軸のまわりに回転する
基板保持部であるスピンチャックであり、このスピンチ
ャック3は駆動部31により回転及び昇降できるように
構成されている。
1 and 2 are views showing an embodiment in which a liquid processing apparatus according to the present invention is applied to a developing processing apparatus. In the figure, reference numeral 2 denotes a spin chuck which is a substrate holding unit which rotates horizontally around a vertical axis by vacuum-sucking the center of the back surface of the wafer W forming the substrate and holds it horizontally. It is configured to be able to rotate and move up and down.

【0018】このスピンチャック3に保持されているウ
エハWの周囲には、ウエハWを洗浄したときに洗浄液及
び現像液が装置の外側に飛散しないように例えばウエハ
Wの側方及び下方側を囲むカップ32が設けられてい
る。カップ32の下部側はスピンチャック3の周囲を囲
む円板33と、円板33の周り全周に亘って凹部を形成
し、底面に排液口34が形成されている液受け部35と
により構成されており、この液受け部35の側面より僅
かに内側に下部側が円筒状、上部側が四角筒状に形成さ
れている外カップ36が収まって、ウエハWの上方レベ
ル及び下方レベルに跨ってウエハWの側方を囲ってい
る。また、外カップ36とウエハWとの間には、上端が
ウエハW表面レベルとほぼ同じかそれ以下の高さに位置
する円筒状の内カップ37が設けられており、円板33
には上端がウエハW裏面に接近するリング体38が設け
られている。
Around the wafer W held by the spin chuck 3, for example, the sides and the lower side of the wafer W are surrounded so that the cleaning liquid and the developing solution do not scatter outside the apparatus when the wafer W is cleaned. A cup 32 is provided. A lower portion of the cup 32 is formed by a disk 33 surrounding the periphery of the spin chuck 3 and a liquid receiving portion 35 having a recess formed around the entire circumference of the disk 33 and having a drain port 34 formed on the bottom surface. An outer cup 36 whose lower side is formed in a cylindrical shape and whose upper side is formed in a rectangular cylindrical shape is fitted slightly inside the side surface of the liquid receiving portion 35 and straddles the upper level and the lower level of the wafer W. It surrounds the side of the wafer W. Further, between the outer cup 36 and the wafer W, there is provided a cylindrical inner cup 37 whose upper end is located at a height substantially equal to or lower than the surface level of the wafer W.
Is provided with a ring body 38 whose upper end approaches the back surface of the wafer W.

【0019】カップ32の外側には後述する現像液の供
給部の本数と同じ数のガイド部であるガイドレール例え
ば第1のガイドレール41、第2のガイドレール42が
X方向に沿って平行に延設されている。第1のガイドレ
ール41及び第2のガイドレール42には、Y方向に延
びる第1の供給部5及び第2の供給部6が夫々ガイドさ
れるように設けられている。また第1のガイドレール4
1には第1の供給部5に加えて、洗浄ノズル40が同じ
くX方向に移動自在に設けられている。
On the outside of the cup 32, guide rails, for example, a first guide rail 41 and a second guide rail 42, which are the same number of guide portions as the number of developer supply portions described later, are arranged in parallel along the X direction. It has been extended. The first guide rail 41 and the second guide rail 42 are provided with a first supply unit 5 and a second supply unit 6 extending in the Y direction so as to be guided respectively. Also, the first guide rail 4
In addition to the first supply unit 5, a cleaning nozzle 40 is also provided in 1 so as to be movable in the X direction.

【0020】第1の供給部5、第2の供給部6について
図3、図4を用いて説明するが、第1の供給部5と第2
の供給部6とはほぼ同じ構造であるため、第1の供給部
5を代表して説明すると、Y方向に配列される多数の処
理液の吐出孔51を有する供給ノズル52を吊下げ支持
するアーム部53が、移動部であるベース部54を介し
て図示しない駆動部により第1のガイドレール41に沿
って移動できる構成となっている。前記供給ノズル52
は例えばウエハWの有効領域(デバイスの形成領域)の
幅と同じかそれ以上の長さに亘って吐出孔51が配列さ
れていることが必要であり、この例ではウエハWの直径
に亘って配列されている。ベース部54は例えばボール
ネジ機構55などにより構成される昇降機構56を有し
ており、例えばモータなどの図示しない動力源からの駆
動力によりアーム部53をZ方向へ移動(上下)させる
ことができる。
The first supply unit 5 and the second supply unit 6 will be described with reference to FIGS. 3 and 4, but the first supply unit 5 and the second
Since the supply unit 6 has substantially the same structure as that of the first supply unit 5, the supply nozzle 52 having a large number of processing liquid discharge holes 51 arranged in the Y direction is suspended and supported. The arm unit 53 is configured to be movable along the first guide rail 41 by a driving unit (not shown) via a base unit 54 that is a moving unit. The supply nozzle 52
For example, it is necessary that the ejection holes 51 are arranged over a length equal to or longer than the width of the effective area (device formation area) of the wafer W. In this example, the ejection holes 51 are arranged over the diameter of the wafer W. Are arranged. The base section 54 has an elevating mechanism 56 constituted by, for example, a ball screw mechanism 55 and the like. The arm section 53 can be moved (up and down) in the Z direction by a driving force from a power source (not shown) such as a motor. .

【0021】図3で説明する第1の供給部5の51〜5
6を第2の供給部6では61〜66と置き換えて説明を
続けると、ベース部64の高さは例えばアーム部63を
最も高い位置に上昇させた際に、アーム部63がベース
部54の頂部上方を通過できかつ供給ノズル62の下端
(吐出孔61)がアーム部53の頂部を通過できるよう
に設定される。
The first supply unit 5 explained with reference to FIG.
6 is replaced with 61 to 66 in the second supply section 6. The height of the base section 64 is, for example, when the arm section 63 is raised to the highest position, It is set so that it can pass above the top and the lower end (discharge hole 61) of the supply nozzle 62 can pass through the top of the arm 53.

【0022】両ベース部54,64の移動領域には当該
領域下方側が汚染されることを防ぐために、各ベース部
54,64の移動に応じて摺動するベルトカバー51
a,52aが設けられている。また、ベース部54と昇
降機構とにより、供給ノズル52,62の位置を入れ替
えるための位置替え機構が構成される。
The belt cover 51 which slides in accordance with the movement of the base portions 54 and 64 is provided in the movement region of the base portions 54 and 64 in order to prevent the lower side of the region from being contaminated.
a, 52a are provided. The base 54 and the elevating mechanism constitute a position changing mechanism for changing the positions of the supply nozzles 52 and 62.

【0023】カップ32の図中左側方(カップ32の四
角部の一辺の外側)には第1の供給部5、第2の供給部
6の待機領域7が割り当てられ、カップ32の図中右側
方には、洗浄ノズル40の待機領域70が割り当てられ
ている。待機領域7は上下可動な板部71と、板部71
の表面に設けられ、第1及び第2の供給部5,6の各供
給ノズル52,62が嵌合するように構成されたバス7
2,73とが設けられている。このバス72,73に供
給ノズル52,62が嵌合する際には、図示しない不活
性ガス供給源からバス72及び73内に夫々所定量の不
活性ガス例えば窒素(N2)ガスが供給され、各バス内
の不活性ガス雰囲気を保つことで供給ノズル52,62
内に貯溜されている現像液の劣化を抑制するように構成
されている。図2では板部71が上昇位置にあり、バス
72,73に第1及び第2の供給部の各供給ノズル5
2,62が嵌合している状態を示している。
On the left side of the cup 32 in the drawing (outside one side of the square portion of the cup 32), the waiting area 7 of the first supply unit 5 and the second supply unit 6 is allocated. The waiting area 70 of the cleaning nozzle 40 is allocated to the side. The standby area 7 includes a vertically movable plate 71 and a plate 71.
The bus 7 is provided on the surface of the bus 7 and is configured such that the supply nozzles 52 and 62 of the first and second supply units 5 and 6 are fitted.
2, 73 are provided. When the supply nozzles 52 and 62 are fitted to the buses 72 and 73, a predetermined amount of an inert gas, for example, a nitrogen (N2) gas is supplied into the buses 72 and 73 from an inert gas supply source (not shown). By maintaining the inert gas atmosphere in each bath, the supply nozzles 52, 62
It is configured to suppress the deterioration of the developer stored in the inside. In FIG. 2, the plate 71 is in the raised position, and the buses 72 and 73 have the supply nozzles 5 of the first and second supply units.
2 and 62 show a state where they are fitted.

【0024】これまで述べてきたスピンチャック3の駆
動部31、第1の供給部5、第2の供給部6及び昇降部
74は夫々制御部75と接続されており、例えば駆動部
31によるウエハWの昇降に応じて第2の供給部6によ
る処理液の供給(スキャン)を行うように、各部を連動
させたコントロールを可能としている。またカップ3
2、供給部5,6及び洗浄ノズル40は箱状の筐体76
により囲まれた一ユニットとして形成されており、図示
しない搬送アームによりウエハWの受け渡しがなされ
る。これについては後述する。
The driving unit 31, the first supply unit 5, the second supply unit 6, and the elevating unit 74 of the spin chuck 3 described above are connected to a control unit 75, respectively. It is possible to control each unit in cooperation so that the processing liquid is supplied (scanned) by the second supply unit 6 in accordance with the elevation of W. Also cup 3
2. The supply units 5, 6 and the cleaning nozzle 40 are box-shaped casings 76.
Are formed as one unit surrounded by the transfer arm, and the transfer of the wafer W is performed by a transfer arm (not shown). This will be described later.

【0025】次に本実施の形態における作用について図
5及び図6に基づいて説明する。本実施の形態に係る液
処理装置では現像液の種類に応じ、二種類の供給部を使
い分けて現像液の塗布を行うが、ここでは第1の供給部
5でウエハWへの現像液の塗布を行い、しかる後に待機
領域7にて第1の供給部5と第2の供給部6との待機位
置を入れ替えて次に搬入される例えば別のロットのウエ
ハWには第2の供給部6により現像液の塗布を行う場合
を例に取り説明を進める。なお説明の便宜上、図5,6
において第1及び第2の供給部5,6の供給ノズル5
2,62には夫々「1」「2」の文字が記入されてい
る。
Next, the operation of the present embodiment will be described with reference to FIGS. In the liquid processing apparatus according to the present embodiment, two types of supply units are selectively used to apply the developer according to the type of the developer. Here, the first supply unit 5 applies the developer to the wafer W. After that, the standby positions of the first supply unit 5 and the second supply unit 6 are switched in the standby area 7, and the second supply unit 6 is transferred to the next wafer W to be loaded next, for example. The description will be made by taking as an example the case where the developer is applied. For convenience of explanation, FIGS.
The supply nozzles 5 of the first and second supply units 5 and 6
The characters "1" and "2" are written in 2, 62, respectively.

【0026】先ずこれから現像液の塗布を行う供給部即
ち第1の供給部5は、図5の実線で示すようにウエハW
に近い側のバス73に供給ノズル52が嵌合した状態で
待機しており、カップ32の内側では図示しない搬送ア
ームにより搬入されたウエハWがスピンチャック3に吸
着保持されている。第1の供給ノズル52は外カップ3
6を越えて外カップ36とウエハWの一端との間に移動
する。このとき第1の供給ノズル52の高さはウエハW
に対して現像液の供給を行う高さにセットされるため、
吐出孔51はウエハW表面レベルよりも例えば1mm程
度高い位置に置かれる。
First, the supply unit for applying the developing solution, that is, the first supply unit 5 is connected to the wafer W as shown by the solid line in FIG.
The supply nozzle 52 is fitted on the bus 73 on the side closer to the side, and the wafer W loaded by a transfer arm (not shown) is suction-held by the spin chuck 3 inside the cup 32. The first supply nozzle 52 is connected to the outer cup 3
6 and moves between the outer cup 36 and one end of the wafer W. At this time, the height of the first supply nozzle 52 is
Is set at the level where the developer is supplied to
The discharge hole 51 is placed at a position higher than the surface level of the wafer W by, for example, about 1 mm.

【0027】しかる後第1の供給ノズル52はこの高さ
を維持したまま現像液の吐出を開始し、図5の点線で示
すようにウエハWの一端側から他端側へと移動してウエ
ハWの表面には例えば1.2mmの高さの液膜が形成さ
れる。この第1の供給ノズル52の移動は、当該供給ノ
ズル52の吐出孔51が配列されている吐出領域の中心
がウエハWの中心上方を通過するように例えば10cm
/secのスキャンスピードで行われるため、前記液膜
はウエハWの表面全域に亘ってほぼ均一に形成される。
Thereafter, the first supply nozzle 52 starts discharging the developing solution while maintaining this height, and moves from one end of the wafer W to the other end as shown by the dotted line in FIG. A liquid film having a height of, for example, 1.2 mm is formed on the surface of W. The first supply nozzle 52 is moved by, for example, 10 cm so that the center of the discharge area where the discharge holes 51 of the supply nozzle 52 are arranged passes above the center of the wafer W.
/ Sec, the liquid film is formed almost uniformly over the entire surface of the wafer W.

【0028】そして第1の供給ノズル52はウエハWの
他端と外カップ36との間の位置にて現像液の供給を停
止し、そのまま外カップ36の上方まで上昇してガイド
レール41にガイドされて当初の待機位置まで戻り、バ
ス73に嵌合する。そしてウエハWの静止現像時間が終
了すると、第1の供給ノズル52と洗浄ノズル40とが
入れ替わり、ウエハWの中央上方にこの洗浄ノズル40
の吐出部が位置するように移動すると共にスピンチャッ
ク3が回転し、洗浄ノズル40から洗浄液例えば純水が
ウエハW中心部に供給されてウエハWの遠心力によりウ
エハWの中心部から周縁部へ広がり、現像液が洗い流さ
れる。その後このウエハWは裏面の洗浄やスピン乾燥な
どの工程を経て現像処理が終了する。しかる後、例えば
異なる現像液により現像処理される別ロットのウエハと
入れ替えが行われる。
Then, the first supply nozzle 52 stops supplying the developing solution at a position between the other end of the wafer W and the outer cup 36, and rises above the outer cup 36 to guide the guide to the guide rail 41. Then, it returns to the initial standby position and fits in the bus 73. When the static development time of the wafer W ends, the first supply nozzle 52 and the cleaning nozzle 40 are switched, and the cleaning nozzle 40 is positioned above the center of the wafer W.
And the spin chuck 3 rotates, and a cleaning liquid, for example, pure water is supplied from the cleaning nozzle 40 to the center of the wafer W, and the centrifugal force of the wafer W moves from the center to the periphery of the wafer W. Spreads out and the developer is washed away. Thereafter, the development process of the wafer W is completed through processes such as back surface cleaning and spin drying. Thereafter, for example, the wafer is replaced with another lot of wafers developed with a different developing solution.

【0029】一方、カップ32の外側の待機領域7では
第2の供給部6によるスキャンを行うため、第1の供給
ノズル52と第2の供給ノズル62との位置の入れ替え
作業を行って第2の供給部6をウエハWに近い位置へ移
動させる。
On the other hand, in the standby area 7 outside the cup 32, the scanning by the second supply unit 6 is performed, so that the positions of the first supply nozzle 52 and the second supply nozzle 62 are exchanged to perform the second operation. Is moved to a position close to the wafer W.

【0030】以下第1の供給ノズル52及び第2の供給
ノズル62の移動について供給ノズル52,62の位置
に着目して説明する。先ず、板部71が下降してバス7
3,72が接触しない高さに置かれる(図6(a))。
Hereinafter, the movement of the first supply nozzle 52 and the second supply nozzle 62 will be described focusing on the positions of the supply nozzles 52 and 62. First, the plate portion 71 descends and the bus 7
3 and 72 are placed at a height where they do not touch (FIG. 6 (a)).

【0031】次に前述したベース部54,64の昇降機
構56により第1の供給ノズル52は下降、第2の供給
ノズル62は上昇し、そのままの高さで互いのX方向の
位置を入れ替え(図6(b))、この位置にて当初の高さ
まで戻り(図6(c))、供給ノズル52と62との位置
が入れ替わる。その後板部71が元の位置まで上昇し、
供給ノズル52及び62が夫々バス72,73へ嵌合す
る。既述の図1及び図2は、図5(a)に示す状態から第
1の供給部5と第2の供給部6との位置が入れ替わった
状態を示している。その後ウエハWに近い側にある第2
の供給ノズル62によるスキャンが同様にして行われ
る。再度供給ノズル52と供給ノズル62とを入れかえ
る際には、第1の供給ノズル52(アーム部53の頂
部)が第2の供給ノズル62下端の下方側を潜り抜けて
移動するため、図6(c)→(b)→(a)と逆に動作を行っ
て位置の入れ替えをする。
Next, the first supply nozzle 52 is lowered and the second supply nozzle 62 is raised by the elevating mechanism 56 of the base portions 54 and 64, and the positions in the X direction are interchanged at the same height ( In FIG. 6B, the position returns to the initial height at this position (FIG. 6C), and the positions of the supply nozzles 52 and 62 are switched. After that, the plate 71 rises to the original position,
Supply nozzles 52 and 62 fit into buses 72 and 73, respectively. FIGS. 1 and 2 described above show a state where the positions of the first supply unit 5 and the second supply unit 6 have been switched from the state shown in FIG. 5A. After that, the second
The scanning by the supply nozzle 62 is performed in the same manner. When the supply nozzle 52 and the supply nozzle 62 are switched again, the first supply nozzle 52 (the top of the arm portion 53) moves below the lower end of the second supply nozzle 62 and moves. The operation is performed in the reverse order of (c) → (b) → (a) to exchange the positions.

【0032】このように本発明に係る実施の形態では、
各ロットで用いられるウエハに塗布する処理液例えば現
像液の種類に応じて複数の供給ノズル例えば二つの供給
ノズル52,62を設け、例えば目的とする現像液を供
給する一の供給ノズル52のみがウエハ上方をスキャン
し、他の供給ノズル62はウエハ外側の待機領域にて待
機しているので、従来のように一の供給ノズルがウエハ
上をスキャンしている際に他の供給ノズルから不要な現
像液がウエハ上に落下するおそれがなくなり、処理の均
一性が確保できる。
As described above, in the embodiment according to the present invention,
A plurality of supply nozzles, for example, two supply nozzles 52 and 62 are provided in accordance with the type of the processing liquid applied to the wafer used in each lot, for example, the developer. For example, only one supply nozzle 52 for supplying the target developer is provided. Since the upper part of the wafer is scanned and the other supply nozzles 62 are standing by in a standby area outside the wafer, when one supply nozzle scans over the wafer as in the related art, unnecessary supply There is no danger of the developer dropping onto the wafer, and uniformity of processing can be ensured.

【0033】また現像液の供給を行わない前記他の供給
ノズル62は、ウエハ外側に設けられている待機領域7
にて待機しているため、ウエハ上方にて飛散しているパ
ーティクルが当該供給ノズル62の湿った吐出孔61に
付着する懸念が軽減され、同時にこの供給ノズル62は
不活性ガス雰囲気にて保護されており、供給ノズル62
内の吐出孔61付近に貯溜された現像液の劣化を抑えら
れる。
The other supply nozzle 62 which does not supply the developing solution is provided in the standby area 7 provided outside the wafer.
, The concern that particles scattered above the wafer adhere to the wet discharge holes 61 of the supply nozzle 62 is reduced, and at the same time, the supply nozzle 62 is protected in an inert gas atmosphere. Supply nozzle 62
The deterioration of the developer stored in the vicinity of the discharge hole 61 can be suppressed.

【0034】従って待機中の前記他の供給ノズル62の
吐出孔61はバス73で保護されているので、吐出孔6
1へのパーティクルの付着防止及び洗浄を同時に行うこ
とができる。
Therefore, the discharge hole 61 of the other supply nozzle 62 in the standby state is protected by the bus 73, so that the discharge hole 6
It is possible to simultaneously prevent the particles from adhering to the substrate 1 and perform cleaning.

【0035】ところで本発明は、各供給ノズル52,6
2が別個独立に移動可能な複数の供給ノズルを設けた液
処理装置として、図7(a)に示す構成であってもよい。
即ち、この装置は本実施の形態で説明した第1の供給ノ
ズル52と第2の供給ノズル62とが共通のガイドレー
ル43に設けられている。この構成においては、第1の
供給ノズル52による現像液の供給が終了し、次のロッ
トのウエハに対して第2の供給ノズル62を用いて現像
液の供給を行うときには、図7(a)において第2の供給
ノズル62の終点位置の更に右側に第1の供給ノズル5
2を位置させる領域Sが必要になり、この領域Sの分だ
け既述の実施の形態よりも装置のサイズが大きくなって
しまう。
By the way, according to the present invention, each of the supply nozzles 52, 6
2A may be a liquid processing apparatus provided with a plurality of supply nozzles that can move independently and independently.
That is, in this device, the first supply nozzle 52 and the second supply nozzle 62 described in the present embodiment are provided on the common guide rail 43. In this configuration, when the supply of the developing solution by the first supply nozzle 52 is completed and the developing solution is supplied to the wafers of the next lot by using the second supply nozzle 62, FIG. At the right side of the end position of the second supply nozzle 62, the first supply nozzle 5
2 is required, and the size of the apparatus is larger than that of the above-described embodiment by the area S.

【0036】これに対し図7(b)に示すように上述実施
の形態によれば、待機領域における各供給ノズル52,
62の位置の入れ替えが可能であるため、前記領域Sの
分だけ装置の小型化が図れる。
On the other hand, as shown in FIG. 7B, according to the above embodiment, each supply nozzle 52,
Since the positions 62 can be interchanged, the size of the device can be reduced by the area S.

【0037】また、本実施の形態では3以上の供給部を
設けることも可能である。これを図8を用いて説明する
と、例えば本実施の形態に示した装置においてカップ3
2から最も離れた位置に他のガイドレール41,42と
平行してガイドレール44を設け、これに接続する第3
の供給部8を第1の供給部5及び第2の供給部6と平行
に配置する。この実施の形態における第3の供給部8は
おおよそ第1の供給部5、第2の供給部6と同様の構造
であり、第3の供給ノズル82を備えている。この場合
第3の供給ノズル82は、例えばウエハWへのプリウェ
ット用の水を供給するために用いられる。
In this embodiment, three or more supply units can be provided. This will be described with reference to FIG. 8, for example, in the apparatus shown in the present embodiment, the cup 3
A guide rail 44 is provided parallel to the other guide rails 41 and 42 at a position farthest from the second and the third guide rail 44 is connected thereto.
Are arranged in parallel with the first supply unit 5 and the second supply unit 6. The third supply unit 8 in this embodiment has a structure similar to that of the first supply unit 5 and the second supply unit 6, and includes a third supply nozzle 82. In this case, the third supply nozzle 82 is used to supply, for example, pre-wet water to the wafer W.

【0038】現像液が直接ウエハW表面に供給される
と、その衝突時の衝撃によりマイクロバブルが発生しこ
れが液膜上に浮き上がることがあり、これは現像の不均
一性の原因となる。上述のプリウェット用の水を供給す
る方法は例えば第1の供給ノズル52からウエハWへ現
像液の供給を行う際に、前もってウエハWの表面全面に
水を供給して水膜を形成し、これにより現像液がウエハ
W表面へ供給されるときに生じる衝撃を和らげ前記マイ
クロバブルの発生を抑えようとするものである。
When the developing solution is directly supplied to the surface of the wafer W, the impact at the time of the collision generates microbubbles, which may float on the liquid film, which causes uneven development. The method of supplying the pre-wet water described above is, for example, when supplying the developing solution to the wafer W from the first supply nozzle 52, water is supplied in advance to the entire surface of the wafer W to form a water film, Thereby, the impact generated when the developer is supplied to the surface of the wafer W is reduced, and the generation of the microbubbles is suppressed.

【0039】このように供給部の数を3以上設けたとし
ても、本実施の形態では各供給ノズルの位置を例えば待
機領域上方で入れ替えられるので、例えば第3の供給ノ
ズル82のスキャン時に第1の供給ノズル52と第2の
供給ノズル62とを待機領域7からウエハWを見た際の
他端側に供給ノズル二つ分の待機位置を確保する必要も
ない。なお本実施の形態に示すようにウエハWから遠い
位置にガイドレールを増やしてこれに供給部を設ける場
合、各供給部の位置を入れ替えるには例えばウエハWか
ら見て手前側の供給部のベース部頂部が、同奥側の供給
部の供給ノズル下端(吐出孔)の下方側を通過できるよ
うに、奥側の供給部ほど高く設定する。
In this embodiment, even if the number of supply units is three or more, the positions of the supply nozzles can be changed, for example, above the standby area. It is not necessary to secure a standby position for two supply nozzles at the other end of the supply nozzle 52 and the second supply nozzle 62 when the wafer W is viewed from the standby area 7. As shown in the present embodiment, in the case where the supply rails are provided by increasing the number of guide rails at positions far from the wafer W, the positions of the respective supply parts may be interchanged by, for example, the base of the supply part on the near side as viewed from the wafer W. The supply section on the back side is set higher so that the top can pass below the lower end (discharge hole) of the supply nozzle of the supply section on the back side.

【0040】また本実施の形態は以上のような構成に限
定されるものではなく、例えば図9(a),(b)に示す装
置によることも可能である。この装置は第1のガイドレ
ール41と第2のガイドレール42とをウエハWを挟ん
で対向するように設け、夫々のガイドレール41,42
に沿って第1の供給部5,第2の供給部6がウエハWに
供給する現像液の種類に応じて別個に動くように構成し
たものである。
Further, the present embodiment is not limited to the above-described configuration, and for example, it is possible to use the apparatus shown in FIGS. 9 (a) and 9 (b). In this apparatus, a first guide rail 41 and a second guide rail 42 are provided so as to oppose each other with a wafer W interposed therebetween.
, The first supply unit 5 and the second supply unit 6 move separately according to the type of the developer supplied to the wafer W.

【0041】このような実施の形態によれば、待機領域
7上における各供給部5,6の入れ替え工程を行わなく
ても、選択された供給ノズル(52,62)を用いて現
像処理を行うことができる。なお、この場合供給ノズル
52,62の位置を入れ替えるようにしてもよい。
According to such an embodiment, the developing process is performed using the selected supply nozzles (52, 62) without performing the step of replacing the supply units 5 and 6 on the standby area 7. be able to. In this case, the positions of the supply nozzles 52 and 62 may be switched.

【0042】なお本実施の形態に係る液処理装置は、現
像処理に限らずレジストの塗布処理に適用してもよい。
The liquid processing apparatus according to the present embodiment may be applied not only to the developing process but also to the resist coating process.

【0043】次に上述の現像装置をユニットに組み込ん
だ塗布・現像装置の一例の概略について図10及び図1
1を参照しながら説明する。図10及び図11中、9は
ウエハカセットを搬入出するための搬入出ステ−ジであ
り、例えば25枚収納されたカセットCが例えば自動搬
送ロボットにより載置される。搬入出ステ−ジ9に臨む
領域にはウエハWの受け渡しア−ム90がX,Y方向お
よびθ回転(鉛直軸回りの回転)自在に設けられてい
る。更にこの受け渡しア−ム90の奥側には、例えば搬
入出ステ−ジ9から奥を見て例えば右側には塗布・現像
系のユニットu1が、左側、手前側、奥側には加熱・冷
却系のユニットu2,u3,u4が夫々配置されている
と共に、塗布・現像系ユニットと加熱・冷却系ユニット
との間でウエハWの受け渡しを行うための、例えば昇降
自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自
在に構成されたウエハ搬送ア−ムMAが設けられてい
る。但し図10では便宜上ユニットu2及びウエハ搬送
ア−ムMAは描いていない。
Next, an example of a coating / developing apparatus in which the above-described developing apparatus is incorporated in a unit will be described with reference to FIGS.
1 will be described. 10 and 11, reference numeral 9 denotes a loading / unloading stage for loading / unloading a wafer cassette. For example, a cassette C containing 25 sheets is placed by an automatic transfer robot, for example. A transfer arm 90 for the wafer W is provided in a region facing the loading / unloading stage 9 so as to be freely rotatable in X, Y directions and θ (rotation about a vertical axis). Further, behind the transfer arm 90, a coating / developing unit u1 is located on the right side, for example, as viewed from the loading / unloading stage 9, and heating / cooling is located on the left, front and rear sides. System units u2, u3, and u4 are arranged, respectively, and for transferring a wafer W between a coating / developing system unit and a heating / cooling system unit, for example, can be moved up and down, left and right, and can move back and forth. A wafer transfer arm MA rotatably arranged about a vertical axis is provided. However, in FIG. 10, the unit u2 and the wafer transfer arm MA are not drawn for convenience.

【0044】塗布・現像系のユニットにおいては、例え
ば上段に2個の上述の現像装置を備えた供えた現像ユニ
ット91が、下段に2個の塗布ユニット92が設けられ
ている。加熱・冷却系のユニットにおいては、加熱ユニ
ットや冷却ユニット、疎水化処理ユニット等が上下にあ
る。
In the unit of the coating / developing system, for example, a developing unit 91 provided with the above-described two developing devices is provided in an upper stage, and two coating units 92 are provided in a lower stage. In a heating / cooling system unit, a heating unit, a cooling unit, a hydrophobizing unit, and the like are provided above and below.

【0045】塗布・現像系ユニットや加熱・冷却系ユニ
ットを含む上述の部分をクリ−ントラックと呼ぶことに
すると、このクリ−ントラックの奥側にはインタ−フェ
イスユニット100を介して露光装置101が接続され
ている。インタ−フェイスユニット100は例えば昇降
自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自
在に構成されたウエハ搬送ア−ム102によりクリ−ン
トラックと露光装置101の間でウエハWの受け渡しを
行うものである。
If the above-mentioned portion including the coating / developing system unit and the heating / cooling system unit is called a clean track, an exposure apparatus is provided through the interface unit 100 on the back side of the clean track. 101 is connected. The interface unit 100 transfers a wafer W between a clean track and the exposure apparatus 101 by a wafer transfer arm 102 configured to be movable up and down, movable left and right, back and forth, and rotatable about a vertical axis. Is what you do.

【0046】この装置のウエハの流れについて説明する
と、先ず外部からウエハWが収納されたウエハカセット
Cが前記搬入出ステ−ジ9に搬入され、ウエハ搬送ア−
ム90によりカセットC内からウエハWが取り出され、
既述の加熱・冷却ユニットu3の棚の一つである受け渡
し台を介してウエハ搬送ア−ムMAに受け渡される。次
いでユニットu3の一の棚の処理部内にて疎水化処理が
行われた後、塗布ユニット92にてレジスト液が塗布さ
れ、レジスト膜が形成される。レジスト膜が塗布された
ウエハWは加熱ユニットで加熱された後インタ−フェイ
スユニット100を介して露光装置101に送られ、こ
こでパタ−ンに対応するマスクを介して露光が行われ
る。
The wafer flow of this apparatus will be described. First, a wafer cassette C containing a wafer W is loaded into the loading / unloading stage 9 from the outside, and the wafer transfer arm is moved.
The wafer W is taken out of the cassette C by the
The wafer is transferred to the wafer transfer arm MA via a transfer table which is one of the shelves of the heating / cooling unit u3. Next, after a hydrophobic treatment is performed in the processing section of one shelf of the unit u3, a resist liquid is applied by the coating unit 92 to form a resist film. After being heated by the heating unit, the wafer W coated with the resist film is sent to the exposure apparatus 101 via the interface unit 100, where exposure is performed via a mask corresponding to the pattern.

【0047】その後ウエハWは加熱ユニットで加熱され
た後、冷却ユニットで冷却され、続いて現像ユニット9
1に送られて現像処理され、レジストマスクが形成され
る。しかる後ウエハWは搬入出ステ−ジ9上のカセット
C内に戻される。
Thereafter, the wafer W is heated by the heating unit and then cooled by the cooling unit.
The resist film is sent to the developing device 1 and subjected to a development process, thereby forming a resist mask. Thereafter, the wafer W is returned to the cassette C on the loading / unloading stage 9.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上のように本発明によれば基板表面に
対して不要な液だれが生じるおそれがないので、処理液
により均一性の高い処理を行うことができる。また一の
供給ノズルを待機領域に戻した後、他の供給ノズルをウ
エハ側に移動できるようにすることにより装置の小型化
が図れる。
As described above, according to the present invention, since there is no possibility that unnecessary dripping will occur on the substrate surface, a highly uniform treatment can be performed with the treatment liquid. Further, after returning one supply nozzle to the standby area, the other supply nozzle can be moved to the wafer side, so that the apparatus can be downsized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る液処理装置の一の実施の形態を示
す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing one embodiment of a liquid processing apparatus according to the present invention.

【図2】前記液処理装置の一の実施の形態を示す断面図
である。
FIG. 2 is a sectional view showing one embodiment of the liquid processing apparatus.

【図3】前記液処理装置の供給部を示す側面図である。FIG. 3 is a side view showing a supply unit of the liquid processing apparatus.

【図4】前記液処理装置の供給部及びガイドレールの配
置について示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing an arrangement of a supply unit and a guide rail of the liquid processing apparatus.

【図5】前記液処理装置の作用について示した説明図で
ある。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing an operation of the liquid processing apparatus.

【図6】前記液処理装置の作用について示した説明図で
ある。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing an operation of the liquid processing apparatus.

【図7】本発明に係る一の実施の形態と他の実施の形態
とを比較して示した平面図である。
FIG. 7 is a plan view showing a comparison between one embodiment of the present invention and another embodiment.

【図8】前記液処理装置の更に他の実施の形態を示す平
面図である。
FIG. 8 is a plan view showing still another embodiment of the liquid processing apparatus.

【図9】前記液処理装置の更にまた他の実施の形態を示
す説明図である。
FIG. 9 is an explanatory view showing still another embodiment of the liquid processing apparatus.

【図10】前記液処理装置を組み込んだ塗布・現像装置
の一例を示す斜視図である。
FIG. 10 is a perspective view showing an example of a coating / developing apparatus incorporating the liquid processing apparatus.

【図11】前記液処理装置を組み込んだ塗布・現像装置
の一例を示す平面図である。
FIG. 11 is a plan view showing an example of a coating / developing apparatus incorporating the liquid processing apparatus.

【図12】従来の液処理装置の一例を示す説明図であ
る。
FIG. 12 is an explanatory diagram illustrating an example of a conventional liquid processing apparatus.

【図13】従来の液処理装置の他の一例を示す説明図で
ある。
FIG. 13 is an explanatory view showing another example of the conventional liquid processing apparatus.

【図14】従来の液処理装置の更に他の一例を示す説明
図である。
FIG. 14 is an explanatory view showing still another example of the conventional liquid processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W ウエハ 3 スピンチャック 32 カップ 40 洗浄ノズル 41 第1のガイドレール 42 第2のガイドレール 5 第1の供給部 6 第2の供給部 7,70 待機領域 71 板部 72,73 バス 74 昇降部 75 制御部 76 筐体 8 第3の供給部 W Wafer 3 Spin chuck 32 Cup 40 Cleaning nozzle 41 First guide rail 42 Second guide rail 5 First supply section 6 Second supply section 7, 70 Standby area 71 Plate section 72, 73 Bus 74 Elevating section 75 Control unit 76 Housing 8 Third supply unit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H096 AA25 AA27 GA02 GA29 GA30 GA31 4D075 AC64 AC79 AC84 DA08 DC22 EA45 4F041 AA06 AB01 BA05 BA13 BA22 BA34 4F042 AA07 EB18 5F046 LA03 LA04  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H096 AA25 AA27 GA02 GA29 GA30 GA31 4D075 AC64 AC79 AC84 DA08 DC22 EA45 4F041 AA06 AB01 BA05 BA13 BA22 BA34 4F042 AA07 EB18 5F046 LA03 LA04

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を水平に保持するための基板保持部
と、 基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘っ
て処理液の吐出孔が配列された複数の供給ノズルと、 前記基板保持部に保持されている基板の一端の外側に割
り当てられた待機領域と基板との間で前記複数の供給ノ
ズルを夫々ガイドするための複数のガイド部と、 前記複数の供給ノズルを夫々保持して各ガイド部に沿っ
て独立して移動する複数の移動部と、 前記供給ノズルを昇降させる昇降機構と、を備え、 前記待機領域に位置している前記複数の供給ノズルから
選択された一の供給ノズルを基板上に移動させて当該基
板に処理液の供給を行い、このとき他の供給ノズルは前
記待機領域に待機していることを特徴とする液処理装
置。
A substrate holding portion for holding a substrate horizontally; and a plurality of supply nozzles having processing liquid discharge holes arranged over a length substantially equal to or longer than an effective area of the substrate. A plurality of guide portions for respectively guiding the plurality of supply nozzles between a substrate and a standby area allocated outside one end of the substrate held by the substrate holding portion; and the plurality of supply nozzles. A plurality of moving parts that are respectively held and independently moved along each guide part, and an elevating mechanism that elevates the supply nozzle, and are selected from the plurality of supply nozzles located in the standby area. A liquid processing apparatus, wherein one supply nozzle is moved onto a substrate to supply a processing liquid to the substrate, and at this time, another supply nozzle stands by in the standby area.
【請求項2】 基板保持部に保持されている基板の一端
の外側に割り当てられた待機領域に位置している一の供
給ノズルと他の供給ノズルとの間で位置を入れ替えるた
めの位置替え機構を備えたことを特徴とする請求項1記
載の液処理装置。
2. A position change mechanism for changing the position between one supply nozzle and another supply nozzle located in a standby area allocated outside one end of a substrate held by a substrate holding unit. The liquid processing apparatus according to claim 1, further comprising:
【請求項3】 昇降機構は移動部に設けられていること
を特徴とする請求項1または2記載の液処理装置。
3. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the lifting mechanism is provided in the moving unit.
【請求項4】 位置替え機構は、移動部及び昇降機構が
兼用していることを特徴とする請求項2または3記載の
液処理装置。
4. The liquid processing apparatus according to claim 2, wherein the position changing mechanism is used by both the moving part and the elevating mechanism.
【請求項5】 供給ノズルは供給ノズルの長手方向に直
交する方向に基板の一端側から他端側に移動させて当該
基板に処理液の供給を行うことを特徴とする請求項1な
いし4にいずれか記載の液処理装置。
5. The method according to claim 1, wherein the supply nozzle is moved from one end to the other end of the substrate in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the supply nozzle to supply the processing liquid to the substrate. The liquid processing apparatus according to any one of the above.
【請求項6】 基板を基板保持部に水平に保持する工程
と、 基板の有効領域の幅とほぼ同じかそれ以上の長さに亘っ
て処理液の吐出孔が配列された複数の供給ノズルを、前
記基板の一端の外側に割り当てられた待機領域に平行に
並べて待機させる工程と、 待機領域の一の供給ノズルを基板上に移動させて当該基
板に処理液の供給を行うと共に他の供給ノズルは待機領
域に待機させておき、次いで当該一の供給ノズルを待機
領域に戻す工程と、 その後、基板保持部上の基板を別の基板と交換した後、
他の供給ノズルを基板上に移動させて当該基板に処理液
の供給を行う工程と、を含むことを特徴とする液処理方
法。
6. A step of horizontally holding a substrate on a substrate holding part, and a step of forming a plurality of supply nozzles having processing liquid ejection holes arranged over a length substantially equal to or longer than an effective area of the substrate. A step of arranging in parallel with a standby area allocated outside one end of the substrate and waiting, and moving one supply nozzle of the standby area onto the substrate to supply a processing liquid to the substrate and another supply nozzle Is a process in which a standby area is kept in a standby area, and then the one supply nozzle is returned to the standby area, and thereafter, after replacing the substrate on the substrate holding unit with another substrate,
Moving the other supply nozzle over the substrate to supply the processing liquid to the substrate.
【請求項7】 他の供給ノズルを基板上に移動させる前
に一の供給ノズルと他の供給ノズルとの間で位置を入れ
替える工程を行うことを特徴とする請求項6記載の液処
理方法。
7. The liquid processing method according to claim 6, wherein a step of exchanging a position between one supply nozzle and another supply nozzle is performed before moving another supply nozzle onto the substrate.
【請求項8】供給ノズルは供給ノズルの長手方向に直交
する方向に基板の一端側から他端側に移動させて当該基
板に処理液の供給を行うことを特徴とする請求項6また
は7記載の液処理方法。
8. The processing liquid is supplied to the substrate by moving the supply nozzle from one end to the other end of the substrate in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the supply nozzle. Liquid treatment method.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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