JP3479602B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
Substrate processing apparatus and substrate processing methodInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやＬＣＤ基板等の基板に対して液体を供給して基板の
処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for supplying a liquid to a substrate such as a semiconductor wafer or an LCD substrate to process the substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理体としての半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）
にフォトレジストを塗布し、回路パターンに対応してフ
ォトレジストを露光し、これを現像処理するという、い
わゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンが
形成される。2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, a semiconductor wafer (hereinafter referred to as "wafer") as an object to be processed.
A circuit pattern is formed by a so-called photolithography technique in which a photoresist is applied to the substrate, the photoresist is exposed in accordance with the circuit pattern, and this is developed.
【０００３】これらの工程のうちフォトレジスト塗布工
程においては、ウエハをスピンチャック上に保持させて
回転させながら、その上方に設けられたノズルからその
表面中心部にレジスト液を供給し、遠心力によってレジ
スト液を拡散させる。これにより、ウエハの表面全体に
レジスト膜を塗布している。In the photoresist coating process among these processes, while the wafer is held on a spin chuck and rotated, a resist liquid is supplied to the center of the surface from a nozzle provided above the wafer, and centrifugal force is applied. Diffuse the resist solution. Thereby, the resist film is applied to the entire surface of the wafer.
【０００４】このような塗布工程においては、レジスト
液をウエハの表面に塗布した後、ウエハの裏面に、不要
なレジスト液が付着していることがある。そのため、ウ
エハの裏面側に、洗浄液（溶剤、例えばシンナー）を吐
出する洗浄液吐出ノズルを設け、レジスト液の塗布後、
この洗浄液吐出ノズルからウエハ裏面に洗浄液を吐出さ
せて、ウエハの裏面を洗浄し、不要なレジスト液を除去
している。In such a coating process, after the resist solution is coated on the front surface of the wafer, unnecessary resist solution may adhere to the back surface of the wafer. Therefore, a cleaning liquid discharge nozzle for discharging a cleaning liquid (solvent such as thinner) is provided on the back surface side of the wafer, and after applying the resist liquid,
The cleaning liquid is discharged from the cleaning liquid discharge nozzle to the back surface of the wafer to clean the back surface of the wafer and remove unnecessary resist liquid.
【０００５】また、レジスト液を塗布する際、レジスト
液の温度を調整し、ウエハ表面全体にレジスト液を均一
に塗布するようにコントロールしているが、その場合に
も、レジスト膜をウエハの表面全体に必ずしも均一に塗
布できるとは限らないことから、ウエハの裏面側に、所
定温度に調整した温調液（溶剤、例えばシンナー）を吐
出する温調液吐出ノズルを設け、これにより、レジスト
液の塗布中に、温調液をウエハ裏面に吐出し、これによ
り、ウエハの表面に塗布されるレジスト液の温度を調整
して、ウエハ表面の膜厚を調整することが行われてい
る。Further, when the resist solution is applied, the temperature of the resist solution is adjusted so that the resist solution is evenly applied over the entire surface of the wafer. In that case as well, the resist film is applied to the surface of the wafer. Since it is not always possible to apply it uniformly over the entire surface, a temperature control liquid ejection nozzle for ejecting a temperature control liquid (solvent, such as thinner) adjusted to a predetermined temperature is provided on the back surface side of the wafer, whereby the resist liquid During coating, the temperature control liquid is discharged to the back surface of the wafer, whereby the temperature of the resist liquid coated on the front surface of the wafer is adjusted to adjust the film thickness on the front surface of the wafer.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た塗布工程にあっては、洗浄液吐出ノズルから吐出した
洗浄液によりウエハの裏面を洗浄する際、この洗浄液吐
出ノズルは、ウエハの裏面側で所定位置に固定されてい
るため、ウエハ裏面の限られたエリアにしか洗浄液を吐
出することができず、ウエハ裏面の洗浄エリアが限定さ
れているといったことがある。そのため、例えば、ウエ
ハをチャック機構により真空吸着するウエハ裏面の中央
部には、不要なレジスト液が付着しやすいが、このよう
な箇所は、十分に洗浄できずにレジスト液が残存する虞
れがある。However, in the coating process described above, when cleaning the back surface of the wafer with the cleaning liquid discharged from the cleaning liquid discharge nozzle, the cleaning liquid discharge nozzle is located at a predetermined position on the back surface side of the wafer. Since it is fixed, the cleaning liquid can be discharged only to a limited area on the back surface of the wafer, which may limit the cleaning area on the back surface of the wafer. Therefore, for example, unnecessary resist liquid tends to adhere to the central portion of the back surface of the wafer where the wafer is vacuum-adsorbed by the chuck mechanism, but such a portion may not be sufficiently cleaned and the resist liquid may remain. is there.
【０００７】また、ノズルから温調液をウエハ裏面に吐
出してウエハ表面の膜厚を調整する場合にも、ノズルが
ウエハの裏面側で所定位置に固定されているため、温調
液をウエハ裏面に部分的にしか吐出することができず、
ウエハ表面の膜厚調整も部分的にしか行うことができな
い。そのため、温度調節が必要な部分に温調液を供給で
きない場合が生じる。Also, when the temperature control solution is discharged from the nozzle to the back surface of the wafer to adjust the film thickness on the front surface of the wafer, the temperature control solution is transferred to the wafer because the nozzle is fixed at a predetermined position on the back surface side of the wafer. Only partial discharge on the back side,
The film thickness on the wafer surface can be adjusted only partially. Therefore, the temperature control liquid may not be supplied to the part where the temperature control is required.
【０００８】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、基板裏面の不要な処理液を確実に除去する
ことができる基板処理装置および基板処理方法を提供す
ることを目的とする。また、温度調節が必要な部分に確
実に温調液を供給して基板の膜厚調整を行うことができ
る基板処理装置および基板処理方法を提供することを目
的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of surely removing an unnecessary processing liquid on the back surface of a substrate. Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of surely supplying a temperature adjusting liquid to a portion requiring temperature adjustment to adjust the film thickness of a substrate.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の観点によれば、基板に処理液を塗布
して、基板に処理を施す基板処理装置であって、基板の
表面に、処理液を吐出する処理液吐出ノズルと、この基
板の表面への処理液の吐出中または吐出後、基板の裏面
に、液体を吐出する液体吐出ノズルと、基板の裏面側
で、この液体吐出ノズルを移動する移動機構と、 基板を
保持しながら回転させる基板保持回転手段とを具備し、
前記移動機構は、この基板保持回転手段により回転され
る基板の速度に対応して、基板の回転速度の低速時に
は、前記液体吐出ノズルを基板の略中央に位置させ、基
板の回転速度が増大するにつれて、前記液体吐出ノズル
を基板の略中央から周辺に移動させることを特徴とする
基板処理装置が提供される。In order to solve the above problems, according to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for applying a processing liquid to a substrate and processing the substrate. A processing liquid discharge nozzle for discharging the processing liquid on the front surface of the substrate, a liquid discharge nozzle for discharging the liquid on the back surface of the substrate during or after discharging the processing liquid on the front surface of the substrate, and a back surface side of the substrate, The moving mechanism that moves this liquid discharge nozzle and the substrate
A substrate holding and rotating means for rotating while holding the substrate ,
The moving mechanism is rotated by the substrate holding and rotating means.
Corresponding to the speed of the substrate
Position the liquid discharge nozzle substantially at the center of the substrate,
As the rotation speed of the plate increases, the liquid discharge nozzle
There is provided a substrate processing apparatus, characterized in that the substrate is moved from substantially the center to the periphery .
【００１０】本発明の第２の観点によれば、基板に処理
液を塗布して、基板に処理を施す基板処理装置であっ
て、基板の表面に、処理液を吐出する処理液吐出ノズル
と、この基板の表面への処理液の吐出中または吐出後、
基板の裏面に、液体を吐出する液体吐出ノズルと、基板
の裏面側で、この液体吐出ノズルを移動する移動機構と
を具備し、前記移動機構は、前記液体吐出ノズルを基板
の略中央から周辺に向けて移動し、前記液体吐出ノズル
から吐出される液体の吐出量を基板の周辺部で基板の略
中央部よりも少なくなるようにすることを特徴とする基
板処理装置が提供される。 According to a second aspect of the present invention, the substrate is processed.
It is a substrate processing device that applies liquid and processes the substrate.
And discharge the processing liquid onto the surface of the substrate.
And during or after discharging the treatment liquid onto the surface of this substrate,
A liquid ejection nozzle for ejecting liquid on the back surface of the substrate and the substrate
On the back side of the moving mechanism that moves this liquid discharge nozzle
Comprising a, the moving mechanism, the liquid discharging nozzle moves toward the periphery from the approximate center of the substrate, the liquid ejection nozzle
The discharge amount of the liquid discharged from the
There is provided a substrate processing apparatus, which is characterized in that it is smaller than the central portion .
【００１１】 本発明の第３の観点によれば、基板に処
理液を塗布して、基板に処理を施す基板処理装置であっ
て、基板の表面に、処理液を吐出する処理液吐出ノズル
と、この基板の表面への処理液の吐出中または吐出後、
基板の裏面に、液体を吐出する液体吐出ノズルと、基板
の裏面側で、基板の裏面に沿って前記液体吐出ノズルを
移動する移動機構と、前記移動機構の基板裏面に垂直な
方向の位置調整を行う位置調整機構とを具備し、前記位
置調整機構は、前記液体吐出ノズルからの前記液体の吐
出量が少ないときは前記液体吐出ノズルを上昇させ、前
記吐出量が多いときは前記液体吐出ノズルを下降させる
ように、前記移動機構の位置調整を行うことを特徴とす
る基板処理装置が提供される。According to a third aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for applying a processing liquid to a substrate to process the substrate, the processing liquid discharging nozzle discharging the processing liquid onto the surface of the substrate. , During or after the treatment liquid is discharged onto the surface of this substrate,
A liquid ejection nozzle that ejects liquid on the back surface of the substrate, a moving mechanism that moves the liquid ejection nozzle along the back surface of the substrate on the back surface side of the substrate, and a moving mechanism that is perpendicular to the substrate back surface of the moving mechanism.
Comprising a position adjusting mechanism for adjusting the position of the direction, the position
The placement adjusting mechanism is configured to discharge the liquid from the liquid discharge nozzle.
When the output is small, raise the liquid discharge nozzle and
When the discharge amount is large, the liquid discharge nozzle is lowered.
Thus, there is provided a substrate processing apparatus characterized in that the position of the moving mechanism is adjusted .
【００１２】本発明の第４の観点によれば、基板の表面
に塗布液を供給して処理する工程と、この工程中または
この工程の終了後に基板を回転させつつこの基板の回転
速度に対応して、基板の回転速度の低速時には、液体吐
出ノズルを基板の略中央に位置させ、基板の回転速度が
増大するにつれて、前記液体吐出ノズルを基板の略中央
から周辺に移動させながら前記液体吐出ノズルから基板
の裏面側に前記塗布液を溶解する溶剤を供給する工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法が提供され
る。 According to a fourth aspect of the present invention, the surface of the substrate
During the process of supplying the coating liquid to
After this process is completed, rotate the substrate while rotating the substrate.
Depending on the speed, when the rotation speed of the substrate is low, the liquid discharge
Position the outlet nozzle in the approximate center of the board so that the rotation speed of the board is
As the number of liquid ejection nozzles increases,
From the liquid discharge nozzle to the substrate while moving from the
A step of supplying a solvent that dissolves the coating liquid to the back surface of the
There is provided a substrate processing method comprising:
It
【００１３】本発明の第５の観点によれば、基板の表面
に塗布液を供給して処理する工程と、この工程中または
この工程の終了後に、液体吐出ノズルを基板の略中央か
ら周辺に向けて移動させながら前記液体吐出ノズルから
吐出される液体の吐出量が基板の周辺部で基板の略中央
部よりも少なくなるように前記液体吐出ノズルから基板
の裏面側に前記塗布液を溶解する溶剤を供給する工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法が提供され
る。 According to a fifth aspect of the present invention, the surface of the substrate
During the process of supplying the coating liquid to
After completing this step, place the liquid discharge nozzle in the approximate center of the substrate.
From the liquid discharge nozzle while moving toward the surroundings
The discharge amount of the discharged liquid is approximately the center of the substrate in the peripheral part of the substrate.
Substrate from the liquid discharge nozzle so as to be less than the substrate
A step of supplying a solvent that dissolves the coating liquid to the back surface of the
There is provided a substrate processing method comprising:
It
【００１４】 本発明の第６の観点によれば、基板の表
面に塗布液を供給して処理する工程と、この工程中また
はこの工程の終了後に、液体吐出ノズルを昇降してその
高さ位置を調節し、かつ基板の略中央から周辺に向けて
移動させながら前記液体吐出ノズルから基板の裏面側に
前記塗布液を溶解する溶剤を供給する工程とを具備し、
前記液体吐出ノズルの高さ位置を調節する際には、前記
液体吐出ノズルから吐出する前記溶剤の吐出量が少ない
ときは前記液体吐出ノズルを上昇させ、前記吐出量が多
いときは前記液体吐出ノズルを下降させることを特徴と
する基板処理方法が提供される。According to a sixth aspect of the present invention, the step of supplying the coating liquid to the surface of the substrate for processing, and moving the liquid discharge nozzle up and down during this step or after the end of this step Adjusting and, while moving from the approximate center of the substrate to the periphery, supplying a solvent that dissolves the coating liquid from the liquid discharge nozzle to the back surface side of the substrate ,
When adjusting the height position of the liquid discharge nozzle,
The discharge amount of the solvent discharged from the liquid discharge nozzle is small
When the liquid ejection nozzle is raised, the ejection amount is increased.
There is provided a substrate processing method, characterized in that the liquid discharge nozzle is lowered when it is not.
【００１５】本発明によれば、基板の裏面側に、基板表
面への処理液の吐出中または吐出後、基板裏面に液体を
吐出する液体吐出ノズルを移動する移動機構を設けてい
るため、例えば、基板裏面を洗浄する場合または基板表
面の膜厚を調整する場合のいずれの場合にも、液体吐出
ノズルを基板裏面に沿って移動させながら、基板裏面に
液体を吐出させることができる。そのため、基板裏面の
洗浄エリアを限定することなく、また基板の口径にかか
わらず、基板裏面の略全域を洗浄することができ、不要
な処理液を確実に除去することができる。また、基板表
面の膜厚に不均一が生じる場合に、膜厚を均一にするた
めに温度調節が必要な部分の裏面に確実に液体を吐出す
ることができる。According to the present invention, since the moving mechanism for moving the liquid discharge nozzle for discharging the liquid to the back surface of the substrate is provided on the back surface side of the substrate during or after the discharge of the processing liquid to the front surface of the substrate, for example, In any case of cleaning the back surface of the substrate or adjusting the film thickness of the front surface of the substrate, the liquid can be discharged onto the back surface of the substrate while moving the liquid discharge nozzle along the back surface of the substrate. Therefore, the cleaning area on the back surface of the substrate is not limited, and almost the entire back surface of the substrate can be cleaned regardless of the diameter of the substrate, and unnecessary processing liquid can be reliably removed. Further, when the film thickness on the front surface of the substrate becomes uneven, the liquid can be surely ejected to the back surface of the portion where the temperature control is required to make the film thickness uniform.
【００１６】そして、上記第１の観点のように、移動機
構を、基板保持回転手段により回転される基板の速度に
対応して、基板の回転速度の低速時には、前記液体吐出
ノズルを基板の略中央に位置させ、基板の回転速度が増
大するにつれて、前記液体吐出ノズルを基板の略中央か
ら周辺に移動させるようにすることにより、不要なレジ
スト液や洗浄液等の液体が遠心力により基板から径方向
外方向に振り切られるのに対応して液体吐出ノズルを移
動させることができるため、基板の裏面洗浄を効率的に
行うことができる。 Then, as in the first aspect,
To the speed of the substrate rotated by the substrate holding and rotating means.
Correspondingly, when the rotation speed of the substrate is low, the liquid ejection
Position the nozzle approximately in the center of the board to increase the rotation speed of the board.
As the size of the liquid discharge nozzle increases, the liquid discharge nozzle should be placed at the approximate center of the substrate.
By moving it to the surrounding area, unnecessary cash register
Liquids such as strike liquid and cleaning liquid are radial direction from the substrate due to centrifugal force.
Move the liquid discharge nozzle in response to being shaken off in the outward direction.
Can be moved, so the backside of the substrate can be cleaned efficiently.
It can be carried out.
【００１７】また、上記第２の観点のように、移動機構
を、前記液体吐出ノズルを基板の略中央から周辺に向け
て移動することにより、例えば、基板の口径に対応し
て、基板裏面を洗浄することができ、また基板表面の膜
厚を調整することができるし、さらに、前記液体吐出ノ
ズルから吐出される液体の吐出量を基板の周辺部で基板
の略中央部よりも少なくなるようにすることにより基板
の周辺における液体の飛散を有効に防止しつつ、基板の
裏面中央部を確実に洗浄することができる。 Further , as in the second aspect, the moving mechanism
The liquid ejection nozzle from the approximate center of the substrate to the periphery.
By moving the
The back surface of the substrate can be cleaned, and the film on the front surface of the substrate can be cleaned.
The thickness can be adjusted.
The amount of liquid discharged from the slu
Substrate by making it less than approximately the center of
While effectively preventing the liquid from splashing around the
The central part of the back surface can be reliably washed.
【００１８】さらに、上記第３の観点のように、基板に
対し前記移動機構の垂直方向の位置調整を行う位置調整
機構を設けることにより、例えば液体の吐出量を少なく
した いときに液体吐出ノズルを上昇させ、液体の吐出量
を多くしたいときには基板の押し上げる力を低下させる
ため液体吐出ノズルを下降させるといった調整が可能と
なる。 Further, as in the third aspect, the substrate is
Position adjustment for adjusting the position of the moving mechanism in the vertical direction
By providing a mechanism, for example, the discharge amount of liquid can be reduced
The liquid discharge nozzles is increased to Itoki discharge amount of the liquid
If you want to increase the
Therefore, adjustment such as lowering the liquid discharge nozzle is possible.
Become.
【００１９】この場合に、液体吐出ノズルを、基板の裏
面に付着した処理液を洗浄するように、液体として洗浄
液を基板の裏面に吐出するものとすることにより、レジ
スト液塗布処理装置や現像処理装置等において、基板裏
面の洗浄エリアを限定することなく、基板裏面の略全域
を洗浄でき、不要な処理液を確実に除去することができ
る。In this case, the liquid discharge nozzle discharges the cleaning liquid as a liquid to the back surface of the substrate so as to clean the processing liquid attached to the back surface of the substrate, whereby a resist liquid coating processing device and a developing process are performed. In an apparatus or the like, almost the entire back surface of the substrate can be cleaned without limiting the cleaning area on the back surface of the substrate, and unnecessary processing liquid can be reliably removed.
【００２０】また、液体吐出ノズルを、基板の表面の膜
厚を調整するように、液体として、所定温度に調整した
温調液を基板の裏面に吐出するものとすることにより、
例えばレジスト液塗布処理装置において、基板表面の膜
厚が不均一になっている場合に、膜厚を均一にするため
に温度調節が必要な部分の裏面に確実に温調液を吐出す
ることができる。Further, the liquid discharge nozzle is configured to discharge a temperature control liquid, which is adjusted to a predetermined temperature, as liquid to the back surface of the substrate so as to adjust the film thickness on the surface of the substrate.
For example, in a resist solution coating apparatus, when the film thickness on the substrate surface is not uniform, it is possible to reliably discharge the temperature control solution to the back surface of the portion where temperature control is required to make the film thickness uniform. it can.
【００２１】[0021]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図に基
づいて説明する。図１ないし図３は、各々本発明の実施
の形態が採用された半導体ウエハ（以下、「ウエハ」と
いう）の塗布現像処理システム１の全体構成の図であっ
て、図１は平面、図２は正面、図３は背面を夫々示して
いる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 3 are views showing the overall configuration of a coating and developing treatment system 1 for a semiconductor wafer (hereinafter referred to as "wafer") to which an embodiment of the present invention is applied. FIG. Shows the front and FIG. 3 shows the back.
【００２２】この塗布・現像処理システム１は、図１に
示すように、ウエハＷをウエハカセットＣＲで例えば２
５枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるいはシ
ステムから搬出したり、ウエハカセットＣＲに対してウ
エハＷを搬入・搬出したりするためのカセットステーシ
ョン１０と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所
定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に
多段配置してなる処理ステーション１１と、この処理ス
テーション１１に隣接して設けられる露光装置（図示せ
ず）との間でウエハＷを受け渡しするためのインターフ
ェース部１２とを一体に接続した構成を有している。In this coating / developing processing system 1, as shown in FIG.
A cassette station 10 for loading and unloading wafers from / to the system in units of 5 sheets from the outside, and a cassette station 10 for loading / unloading the wafer W to / from the wafer cassette CR, and one at a time in the coating and developing process. Between a processing station 11 in which various single-wafer processing units that perform predetermined processing on the wafer W are arranged at predetermined positions in multiple stages, and an exposure apparatus (not shown) provided adjacent to the processing station 11. It has a configuration in which an interface section 12 for transferring the wafer W is integrally connected.
【００２３】前記カセットステーション１０では、図１
に示すように、カセット載置台２０上の位置決め突起２
０ａの位置に、複数個例えば４個までのウエハカセット
ＣＲが、夫々のウエハ出入口を処理ステーション１１側
に向けてＸ方向に一列に載置され、このカセット配列方
向（Ｘ方向）およびウエハカセットＣＲ内に収納された
ウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向：垂直方向）に移動可
能なウエハ搬送体２１が各ウエハカセットＣＲに選択的
にアクセスするようになっている。In the cassette station 10, as shown in FIG.
As shown in FIG.
At the position 0a, a plurality of wafer cassettes CR, for example, up to four wafer cassettes CR are mounted in a line in the X direction with the respective wafer entrances / outlets facing the processing station 11 side. A wafer transfer body 21 that is movable in the wafer arrangement direction (Z direction: vertical direction) of the wafers housed therein selectively accesses each wafer cassette CR.
【００２４】さらにこのウエハ搬送体２１は、θ方向に
回転自在に構成されており、後述するように処理ステー
ション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ３に属するアラ
イメントユニット（ＡＬＩＭ）およびイクステンション
ユニット（ＥＸＴ）にもアクセス可能となっている。Further, the wafer carrier 21 is configured to be rotatable in the θ direction, and as will be described later, an alignment unit (ALIM) and an extension unit belonging to the third processing unit group G 3 on the processing station 11 side. (EXT) is also accessible.
【００２５】前記処理ステーション１１には、図１に示
すように、ウエハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウエ
ハ搬送機構２２が設けられ、その周りに全ての処理ユニ
ットが複数毎に多段に配置されている。As shown in FIG. 1, the processing station 11 is provided with a vertical transfer type main wafer transfer mechanism 22 equipped with a wafer transfer device, and all the processing units are arranged in a plurality of stages around it. Has been done.
【００２６】主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すよう
に、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上
下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持
体４９はモータ（図示せず）の回転軸に接続されてお
り、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中
心としてウエハ搬送装置４６と一体に回転し、それによ
りこのウエハ搬送装置４６は、θ方向に回転自在となっ
ている。As shown in FIG. 3, the main wafer transfer mechanism 22 is equipped with a wafer transfer device 46 inside the cylindrical support 49 so as to be vertically movable (Z direction). The cylindrical support 49 is connected to a rotating shaft of a motor (not shown), and is rotated integrally with the wafer transfer device 46 about the rotating shaft by the rotational driving force of the motor, thereby transferring the wafer. The device 46 is rotatable in the θ direction.
【００２７】ウエハ搬送装置４６は、搬送基台４７の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これ
らの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハ
Ｗの受け渡しが行われる。The wafer transfer device 46 is provided with a plurality of holding members 48 that are movable in the front-rear direction of the transfer base 47, and the holding members 48 transfer the wafer W between the processing units.
【００２８】また、図１に示すように、この例では、処
理ユニットが多段に配置された５つの処理ユニット群Ｇ
１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５が配置可能となっており、
第１および第２の処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２は、システ
ム正面（図１において手前）側に配置され、第３の処理
ユニット群Ｇ３はカセットステーション１０に隣接して
配置され、第４の処理ユニット群Ｇ４はインターフェー
ス部１２に隣接して配置されている。また、第５の処理
ユニット群Ｇ５は背面側に配置可能となっている。Further, as shown in FIG. 1, in this example, five processing unit groups G in which the processing units are arranged in multiple stages are provided.
1 , G 2 , G 3 , G 4 , G 5 can be arranged,
The first and second processing unit groups G 1 and G 2 are arranged on the front side (front side in FIG. 1) of the system, the third processing unit group G 3 is arranged adjacent to the cassette station 10, and The processing unit group G 4 is disposed adjacent to the interface unit 12. The fifth processing unit group G 5 can be arranged on the back side.
【００２９】図２に示すように、第１の処理ユニット群
Ｇ１では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに
載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像
処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられて
いる。第２の処理ユニット群Ｇ２でも、２台のスピンナ
型処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯ
Ｔ）および現像処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２
段に重ねられている。As shown in FIG. 2, in the first processing unit group G 1 , two spinner type processing units, for example, a resist coating unit (wherein the wafer W is placed on the spin chuck in the cup CP to perform a predetermined process). The COT) and the development processing unit (DEV) are stacked in two stages in order from the bottom. Also in the second processing unit group G 2 , two spinner type processing units, for example, a resist coating unit (CO
T) and development processing unit (DEV) are 2 from the bottom
It is stacked in columns.
【００３０】図３に示すように、第３の処理ユニット群
Ｇ３では、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を
行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う
クーリングユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高
めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユ
ニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニッ
ト（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニ
ット（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処理後の加熱処理を
行うポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＯ
ＢＡＫＥ）が、下から順に例えば８段に重ねられてい
る。第４の処理ユニット群Ｇ４でも、オーブン型の処理
ユニット、例えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、イク
ステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、
イクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニ
ット（ＣＯＬ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）およびポストエクスポージャーベーキングユニッ
ト（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねら
れている。As shown in FIG. 3, in the third processing unit group G 3 , an oven type processing unit for carrying out a predetermined processing by placing the wafer W on the mounting table SP, for example, a cooling unit (COL) for carrying out cooling processing. , An adhesion unit (AD) that performs a so-called hydrophobic treatment for improving the fixability of the resist, an alignment unit (ALIM) that performs alignment, an extension unit (EX
T), a pre-baking unit (PREBAKE) that performs a heat treatment before the exposure treatment, and a post-exposure baking unit (PO that performs a heat treatment after the exposure treatment).
BAKE) are stacked in order from the bottom, for example, in eight stages. Also in the fourth processing unit group G 4 , an oven-type processing unit such as a cooling unit (COL), an extension cooling unit (EXTCOL),
Extension unit (EXT), cooling unit (COL), pre-baking unit (PREBA)
KE) and post-exposure baking units (POBAKE) are stacked in order from the bottom, for example, in eight stages.
【００３１】前記インターフェース部１２は、図１に示
すように、奥行方向（Ｘ方向）については、前記処理ス
テーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向について
はより小さなサイズに設定されている。そしてこのイン
ターフェース部１２の正面部には、可搬性のピックアッ
プカセットＣＲと、定置型のバッファカセットＢＲが２
段に配置され、他方、背面部には周辺露光装置２３が配
置され、さらに、中央部には、ウエハ搬送体２４が設け
られている。このウエハ搬送体２４は、Ｘ方向、Ｚ方向
に移動して両カセットＣＲ、ＢＲおよび周辺露光装置２
３にアクセスするようになっている。前記ウエハ搬送体
２４は、θ方向にも回転自在となるように構成されてお
り、前記処理ステーション１１側の第４の処理ユニット
群Ｇ４の多段ユニットに属するイクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装置側のウエハ
受け渡し台（図示せず）にもアクセスできるようになっ
ている。As shown in FIG. 1, the interface section 12 has the same size as the processing station 11 in the depth direction (X direction), but is set to have a smaller size in the width direction. A portable pickup cassette CR and a stationary buffer cassette BR are provided on the front of the interface unit 12.
On the other hand, a peripheral exposure device 23 is arranged on the back side, and a wafer carrier 24 is provided on the central part. The wafer carrier 24 moves in the X and Z directions to move both cassettes CR, BR and the peripheral exposure apparatus 2.
It is designed to access 3. The wafer carrier 24 is configured to be rotatable in the θ direction as well, and an extension unit (EXT) belonging to the multi-stage unit of the fourth processing unit group G4 on the processing station 11 side, and further, A wafer transfer table (not shown) on the adjacent exposure apparatus side can also be accessed.
【００３２】また前記塗布・現像処理システム１では、
図１に示すように、記述の如く主ウエハ搬送機構２２の
背面側にも破線で示した第５の処理ユニット群Ｇ５の多
段ユニットが配置できるようになっているが、この第５
の処理ユニット群Ｇ５の多段ユニットは、案内レール２
５に沿って主ウエハ搬送機構２２からみて、側方へシフ
トできるように構成されている。したがって、この第５
の処理ユニット群Ｇ５の多段ユニットを図示の如く設け
た場合でも、前記案内レール２５に沿ってスライドする
ことにより、空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機
構２２に対して背後からメンテナンス作業が容易に行え
るようになっている。Further, in the coating / developing processing system 1,
As shown in FIG. 1, the multi-stage unit of the fifth processing unit group G 5 indicated by the broken line can be arranged on the back side of the main wafer transfer mechanism 22 as described above.
The multi-stage unit of the processing unit group G 5 is a guide rail 2
5 is configured so that it can be shifted laterally when viewed from the main wafer transfer mechanism 22. Therefore, this fifth
Even when the multi-stage unit of the processing unit group G 5 is provided as shown in the drawing, the space is secured by sliding along the guide rail 25, so that maintenance work can be performed from the rear side with respect to the main wafer transfer mechanism 22. Can be done easily.
【００３３】次に、本実施の形態に係る塗布・現像処理
システムに装着されるレジスト液塗布処理ユニット（Ｃ
ＯＴ）について説明する。図４および図５は、レジスト
液塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の全体構成を示す略断面
図および略平面図である。Next, a resist solution coating unit (C) mounted in the coating / developing system according to the present embodiment.
OT) will be described. 4 and 5 are a schematic cross-sectional view and a schematic plan view showing the overall structure of the resist solution coating unit (COT).
【００３４】このレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）
の中央部には環状のカップＣＰが配置され、カップＣＰ
の内側にはスピンチャック５１（基板保持回転手段）が
配置されている。スピンチャック５１は、真空吸着によ
ってウエハＷを保持しながら駆動モータ５２によって回
転され、この駆動モータ５２は、エアシリンダ５４によ
って昇降されるフランジ５３に固定されている。This resist coating unit (COT)
An annular cup CP is placed in the center of the
A spin chuck 51 (substrate holding / rotating means) is arranged inside. The spin chuck 51 is rotated by a drive motor 52 while holding the wafer W by vacuum suction, and the drive motor 52 is fixed to a flange 53 that is raised and lowered by an air cylinder 54.
【００３５】ウエハＷの表面にレジスト液を供給するた
めのレジスト液吐出ノズル５５は、レジスト供給管５６
を介してレジスト供給部（図示略）に接続されている。
このレジスト液吐出ノズル５５は、レジスト液吐出ノズ
ルスキャンアーム５７の先端部にノズル保持体５８を介
して着脱可能に取り付けられている。このレジスト液吐
出ノズルスキャンアーム５７は、一方向（Ｙ方向）に敷
設されたガイドレール５９上で水平移動可能な垂直支持
部材６０の上端部に取り付けられており、図示しないＹ
方向駆動機構によって垂直支持部材６０と一体にＹ方向
に移動するようになっている。The resist solution discharge nozzle 55 for supplying the resist solution onto the surface of the wafer W is provided with a resist supply pipe 56.
It is connected to a resist supply unit (not shown) via.
The resist solution discharge nozzle 55 is detachably attached to the tip of a resist solution discharge nozzle scan arm 57 via a nozzle holder 58. The resist solution discharge nozzle scan arm 57 is attached to the upper end of a vertical support member 60 that is horizontally movable on a guide rail 59 laid in one direction (Y direction), and is not shown in the figure.
The direction drive mechanism moves in the Y direction integrally with the vertical support member 60.
【００３６】また、レジスト液吐出ノズルスキャンアー
ム５７は、レジスト液吐出ノズル待機部６６でレジスト
液吐出ノズル５５を選択的に取り付けるためにＹ方向と
直角なＸ方向にも移動可能であり、図示しないＸ方向駆
動機構によってＸ方向にも移動するようになっている。The resist solution discharge nozzle scan arm 57 is also movable in the X direction perpendicular to the Y direction in order to selectively attach the resist solution discharge nozzle 55 in the resist solution discharge nozzle standby portion 66, and is not shown. It also moves in the X direction by the X-direction drive mechanism.
【００３７】さらに、レジスト液吐出ノズルスキャンア
ーム２７の先端部には、ウエハ表面へのレジスト液の供
給に先立ってウエハ表面にウエハ表面を濡らすための液
剤例えばシンナーを供給するシンナーノズル６２が取り
付けられている。Further, a thinner nozzle 62 for supplying a liquid agent such as a thinner for wetting the wafer surface to the wafer surface prior to supplying the resist solution to the wafer surface is attached to the tip of the resist solution discharge nozzle scan arm 27. ing.
【００３８】さらに、ガイドレール５９上には、リンス
ノズルスキャンアーム６３を支持しＹ方向に移動可能な
垂直支持部材６４も設けられている。このリンスノズル
スキャンアーム６３の先端部にはサイドリンス用のリン
スノズル６５が取り付けられている。リンスノズルスキ
ャンアーム６３およびリンスノズル６５は、リンスノズ
ル待機位置（実線の位置）とウエハＷの周辺部の真上に
設定されたリンス液吐出位置（点線の位置）との間で並
進または直線移動するようになっている。なお、参照符
号７０は洗浄・温調液吐出ノズルであり、６１はその移
動機構等を覆うカバーである。これらの詳細は後述す
る。Further, a vertical support member 64 that supports the rinse nozzle scan arm 63 and is movable in the Y direction is also provided on the guide rail 59. A rinse nozzle 65 for side rinse is attached to the tip of the rinse nozzle scan arm 63. The rinse nozzle scan arm 63 and the rinse nozzle 65 are translated or linearly moved between a rinse nozzle standby position (position indicated by a solid line) and a rinse liquid discharge position (position indicated by a dotted line) set right above the peripheral portion of the wafer W. It is supposed to do. Reference numeral 70 is a cleaning / temperature control liquid discharge nozzle, and 61 is a cover for covering its moving mechanism and the like. Details of these will be described later.
【００３９】このように構成されたレジスト液塗布装置
ユニット（ＣＯＴ）においては、まず、主ウエハ搬送機
構２２の保持部材４８によってレジスト塗布装置ユニッ
ト（ＣＯＴ）内のカップＣＰの真上までウエハＷが搬送
され、例えばエアシリンダ５４によって上昇してきたス
ピンチャック５１によってウエハＷが真空吸着される。
主ウエハ搬送機構２２はウエハＷをスピンチャック５１
に真空吸着せしめた後、保持部材４８をレジスト塗布装
置ユニット（ＣＯＴ）内から引き戻し、レジスト塗布装
置ユニット（ＣＯＴ）へのウエハＷの受け渡しを終え
る。In the resist liquid coating device unit (COT) thus constructed, first, the wafer W is held by the holding member 48 of the main wafer transfer mechanism 22 right above the cup CP in the resist coating device unit (COT). The wafer W is vacuum-sucked by the spin chuck 51 that has been transported and moved up by, for example, the air cylinder 54.
The main wafer transfer mechanism 22 spins the wafer W onto the spin chuck 51.
Then, the holding member 48 is pulled back from the resist coating apparatus unit (COT), and the transfer of the wafer W to the resist coating apparatus unit (COT) is completed.
【００４０】次いで、スピンチャック５１はウエハＷが
カップＣＰ内の定位置まで下降し、駆動モータ５２によ
ってスピンチャック５１の回転駆動が開始される。その
後、レジスト液吐出ノズル待機部６１からのノズル保持
体５８の移動が開始される。このノズル保持体５８の移
動はＹ方向に沿って行われる。シンナーノズル３２の吐
出口がスピンチャック５１の中心（ウエハＷの中心）上
に到達したところでシンナーを回転するウエハＷの表面
に供給する。ウエハ表面に供給された溶剤は遠心力によ
ってウエハ中心からその周囲全域にむらなく広がる。Next, in the spin chuck 51, the wafer W is lowered to a fixed position in the cup CP, and the drive motor 52 starts the rotational driving of the spin chuck 51. After that, the movement of the nozzle holder 58 from the resist liquid discharge nozzle standby unit 61 is started. The movement of the nozzle holder 58 is performed along the Y direction. When the discharge port of the thinner nozzle 32 reaches the center of the spin chuck 51 (the center of the wafer W), the thinner is supplied to the surface of the rotating wafer W. The solvent supplied to the surface of the wafer uniformly spreads from the center of the wafer to the entire periphery thereof due to the centrifugal force.
【００４１】続いて、ノズル保持体５８は、レジスト液
吐出ノズル５５の吐出口がスピンチャック５１の中心
（ウエハＷの中心）上に到達するまでＹ方向に移動さ
れ、レジスト液吐出ノズル５５の吐出口からレジスト液
が、回転するウエハＷの表面の中心に滴下されてウエハ
表面へのレジスト液塗布が行われる。Subsequently, the nozzle holder 58 is moved in the Y direction until the discharge port of the resist solution discharge nozzle 55 reaches the center of the spin chuck 51 (center of the wafer W), and the resist solution discharge nozzle 55 discharges. The resist solution is dropped from the outlet to the center of the surface of the rotating wafer W, and the resist solution is applied to the wafer surface.
【００４２】次に、図６を参照して、ウエハＷの裏面洗
浄（バックリンス）および膜厚調整について説明する。
図６は、洗浄・温調液吐出ノズルが装着されたレジスト
液塗布処理ユニットの模式図およびブロック図である。Next, with reference to FIG. 6, back surface cleaning (back rinse) of the wafer W and film thickness adjustment will be described.
FIG. 6 is a schematic diagram and a block diagram of a resist liquid coating processing unit equipped with a cleaning / temperature control liquid discharge nozzle.
【００４３】図６に示すように、ウエハＷの裏面側に
は、シンナー等の溶剤を洗浄液または温調液として吐出
する洗浄・温調液吐出ノズル７０が設けられている。こ
の洗浄・温調液吐出ノズル７０の下部には、このノズル
を昇降するための昇降機構７１が設けられ、この昇降機
構７１の下側には、洗浄・温調液吐出ノズル７０を水平
方向に移動させるためのノズル移動機構７２が設けられ
ている。これにより、ウエハＷの裏面洗浄および膜厚調
整時には、洗浄・温調液吐出ノズル７０をウエハＷの裏
面側で移動させながら、シンナー等の溶剤をウエハＷの
裏面に吐出することができる。ノズル移動機構７２は可
変取り付け機構７５に取り付けられており、ノズル移動
機構７２自体の垂直方向の位置調整が可能となってい
る。この場合に昇降シリンダー等により自動的に位置合
わせするようにすれば位置合わせを簡単に行うことがで
きる。昇降機構７１および可変取り付け機構７５により
ノズル７０を垂直方向の移動を可能にすることにより、
例えば洗浄液の吐出量を少なくしたいときにノズル７０
を上昇させ、洗浄液の吐出量を多くし、洗浄効果を挙げ
たい時には、ウエハＷを押し上げる力を低下させるた
め、ノズル７０を下降させるといった調整が可能とな
る。なお、洗浄・温調液吐出ノズル７０の下側には、ノ
ズル移動機構７２等の駆動系を覆うカバー６１が設けら
れており、ウエハＷに当たって飛散した液がこれら駆動
系に付着することを防止するようになっている。カバー
６１は、ノズル７０の移動に追従可能なように伸縮可能
に構成されている。As shown in FIG. 6, a cleaning / temperature adjusting liquid discharge nozzle 70 for discharging a solvent such as thinner as a cleaning liquid or a temperature adjusting liquid is provided on the back surface side of the wafer W. An elevating mechanism 71 for raising and lowering the cleaning / temperature control liquid discharge nozzle 70 is provided below the cleaning / temperature control liquid discharge nozzle 70. A nozzle moving mechanism 72 for moving the nozzle is provided. Thus, when cleaning the back surface of the wafer W and adjusting the film thickness, a solvent such as thinner can be discharged onto the back surface of the wafer W while moving the cleaning / temperature adjusting liquid discharge nozzle 70 on the back surface side of the wafer W. The nozzle moving mechanism 72 is attached to the variable attachment mechanism 75, and the position of the nozzle moving mechanism 72 itself in the vertical direction can be adjusted. In this case, if the position is automatically adjusted by a lifting cylinder or the like, the position can be easily adjusted. By allowing the nozzle 70 to move in the vertical direction by the lifting mechanism 71 and the variable mounting mechanism 75,
For example, when it is desired to reduce the discharge amount of the cleaning liquid, the nozzle 70
Is increased to increase the discharge amount of the cleaning liquid and to enhance the cleaning effect, the force for pushing up the wafer W is decreased, and therefore the nozzle 70 can be lowered. A cover 61 for covering the drive system such as the nozzle moving mechanism 72 is provided below the cleaning / temperature control liquid discharge nozzle 70 to prevent the liquid scattered upon hitting the wafer W from adhering to the drive system. It is supposed to do. The cover 61 is configured to be expandable and contractable so as to follow the movement of the nozzle 70.
【００４４】また、洗浄・温調液吐出ノズル７０には、
シンナー等の溶剤を洗浄液または温調液として供給する
洗浄・温調液供給機構７３が接続されている。これによ
り、ウエハＷの裏面洗浄時には、シンナー等の溶剤が洗
浄液として洗浄・温調液供給機構７３から洗浄・温調液
吐出ノズル７０に供給され、ウエハＷの裏面に吐出され
るようになっており、また、ウエハＷの表面の膜厚調整
の際には、所定温度に調整されたシンナー等の溶剤が温
調液として洗浄・温調液供給機構７３から洗浄・温調液
吐出ノズル７０に供給され、ウエハＷの裏面に吐出され
るようになっている。Further, the cleaning / temperature control liquid discharge nozzle 70 has
A cleaning / temperature control liquid supply mechanism 73 for supplying a solvent such as thinner as a cleaning liquid or a temperature control liquid is connected. As a result, at the time of cleaning the back surface of the wafer W, a solvent such as thinner is supplied as a cleaning liquid from the cleaning / temperature control liquid supply mechanism 73 to the cleaning / temperature control liquid discharge nozzle 70 and is discharged to the back surface of the wafer W. In addition, when adjusting the film thickness of the surface of the wafer W, a solvent such as thinner adjusted to a predetermined temperature is supplied as a temperature control liquid from the cleaning / temperature control liquid supply mechanism 73 to the cleaning / temperature control liquid discharge nozzle 70. It is supplied and discharged onto the back surface of the wafer W.
【００４５】さらに、ノズル移動機構７２および洗浄・
温調液供給機構７３は、塗布処理ユニットコントローラ
７４により制御されるようになっている。この塗布処理
ユニットコントローラ７４からノズル移動機構７２に
は、洗浄・温調液吐出ノズル７０を移動させる時期、移
動時間、移動経路等の制御信号が送信される。また、洗
浄・温調液吐出ノズル７０は、所定のレシピに従ったシ
ーケンスに基づいて移動されるように構成されていても
よい。Furthermore, the nozzle moving mechanism 72 and the cleaning /
The temperature control liquid supply mechanism 73 is controlled by the coating processing unit controller 74. The coating processing unit controller 74 sends control signals to the nozzle moving mechanism 72, such as the timing of moving the cleaning / temperature adjusting liquid discharge nozzle 70, the moving time, and the moving path. Further, the cleaning / temperature adjusting liquid discharge nozzle 70 may be configured to be moved based on a sequence according to a predetermined recipe.
【００４６】例えば、ウエハＷがスピンチャック５１に
より真空吸着されたウエハＷの略中央から周辺に向け
て、洗浄・温調液吐出ノズル７０を移動させてもよく、
これにより、ウエハＷの種々の口径に対応して、洗浄・
温調液吐出ノズル７０を移動させることができる。ま
た、スピンチャック５１により回転されるウエハＷの回
転速度に対応して、洗浄・温調液吐出ノズル７０を移動
させてもよく、ウエハＷの回転速度が低速の場合には、
洗浄・温調液吐出ノズル７０をウエハＷの略中央に位置
させ、ウエハＷの回転速度が増大するにつれて、洗浄・
温調液吐出ノズル７０をウエハＷの略中央から周辺に移
動させることができる。For example, the cleaning / temperature adjusting liquid discharge nozzle 70 may be moved from the approximate center of the wafer W, which is vacuum-adsorbed by the spin chuck 51, to the periphery of the wafer W.
As a result, cleaning / cleaning is performed for various diameters of the wafer W.
The temperature control liquid discharge nozzle 70 can be moved. Further, the cleaning / temperature adjusting liquid discharge nozzle 70 may be moved according to the rotation speed of the wafer W rotated by the spin chuck 51. When the rotation speed of the wafer W is low,
The cleaning / temperature control liquid discharge nozzle 70 is positioned substantially in the center of the wafer W, and cleaning / cleaning is performed as the rotation speed of the wafer W increases.
The temperature adjusting liquid discharge nozzle 70 can be moved from the substantially center of the wafer W to the periphery.
【００４７】また、塗布処理ユニットコントローラ７４
から洗浄・温調液供給機構７３には、例えば、シンナー
等の溶剤を洗浄液または温調液として供給する時期、供
給時間、供給量、温度調整等の制御信号が送信される。
これにより、例えば、ウエハＷの表面の膜厚調整時、洗
浄・温調液供給機構７３は、レジスト膜の膜厚の調整量
に対応した温度に、シンナー等の温調液の温度を調整す
るように、塗布処理ユニット７４から指示され、このよ
うな温度に調整したシンナー等の温調液を洗浄・温調液
吐出ノズル７０に供給するようになっている。Further, the coating processing unit controller 74
From the cleaning / temperature control liquid supply mechanism 73, control signals such as timing, supply time, supply amount, and temperature adjustment of a solvent such as thinner as a cleaning liquid or a temperature control liquid are transmitted.
Thus, for example, when adjusting the film thickness of the surface of the wafer W, the cleaning / temperature adjusting liquid supply mechanism 73 adjusts the temperature of the temperature adjusting liquid such as thinner to a temperature corresponding to the adjustment amount of the film thickness of the resist film. As described above, the temperature control solution such as thinner adjusted to such a temperature by the coating processing unit 74 is supplied to the cleaning / temperature control solution discharge nozzle 70.
【００４８】さらに洗浄・温調液供給機構７３から洗浄
・温調液吐出ノズル７０に至る配管には電磁バルブ７６
が設けられており、この電磁バルブ７６の開度は塗布処
理ユニットコントローラ７４により制御されるようにな
っている。このように電磁バルブ７６の開度を制御する
ことにより、吐出する液の吐出量を制御することが可能
となっている。Further, an electromagnetic valve 76 is provided in the pipe extending from the cleaning / temperature control liquid supply mechanism 73 to the cleaning / temperature control liquid discharge nozzle 70.
The opening degree of the electromagnetic valve 76 is controlled by the coating processing unit controller 74. By controlling the opening degree of the electromagnetic valve 76 in this manner, it is possible to control the discharge amount of the liquid to be discharged.
【００４９】このような機構によりウエハＷの裏面を洗
浄する場合、レジスト液の塗布後または塗布中に、ノズ
ル移動機構７２により洗浄・温調液吐出ノズル７０をウ
エハＷの裏面側で移動させながら、洗浄・温調液吐出ノ
ズル７０からシンナー等の溶剤を洗浄液としてウエハＷ
の裏面に吐出させる。When the back surface of the wafer W is cleaned by such a mechanism, the cleaning / temperature adjusting liquid discharge nozzle 70 is moved on the back surface side of the wafer W by the nozzle moving mechanism 72 after or during the application of the resist solution. Wafer W using a solvent such as thinner as a cleaning liquid from cleaning / temperature control liquid discharge nozzle 70
On the back side of the.
【００５０】この際、移動経路としては、ウエハＷがス
ピンチャック５１により真空吸着されたウエハＷの略中
央から周辺に向けて、洗浄・温調液吐出ノズル７０を移
動させる。この場合、ウエハＷをスピンチャック５１に
より真空吸着したウエハ裏面の略中央には、不要なレジ
スト液が付着し易いが、このような箇所に付着したレジ
スト液を十分に洗浄することができる。また、ウエハＷ
の口径が種々に変化しても、洗浄・温調液吐出ノズル７
０を上記のように径方向に移動させれば、ウエハＷの種
々の口径に対応して、ウエハＷ裏面の洗浄を行うことが
できる。At this time, as the movement path, the cleaning / temperature adjusting liquid discharge nozzle 70 is moved from the approximate center of the wafer W, which is vacuum-adsorbed by the spin chuck 51, to the periphery. In this case, unnecessary resist solution is likely to adhere to the approximate center of the back surface of the wafer on which the wafer W is vacuum-adsorbed by the spin chuck 51, but the resist solution adhered to such a place can be sufficiently washed. Also, the wafer W
Nozzle cleaning / temperature control liquid discharge nozzle 7
By moving 0 in the radial direction as described above, the back surface of the wafer W can be cleaned in accordance with various diameters of the wafer W.
【００５１】また、他の移動経路としては、スピンチャ
ック５１により回転されるウエハＷの回転速度に対応し
て、洗浄・温調液吐出ノズル７０を移動させ、例えば、
ウエハＷの回転速度の低速時には、洗浄・温調液吐出ノ
ズル７０をウエハＷの略中央に位置させ、ウエハＷの回
転速度が増大するにつれて、洗浄・温調液吐出ノズル７
０をウエハＷの略中央から周辺に移動させる。この場合
には、不要なレジスト液や洗浄液が回転するウエハＷか
ら遠心力により径方向外方に振り切られるのに対応し
て、洗浄・温調吐出ノズル７０を移動させることができ
るため、ウエハＷ裏面の洗浄を効率的に行うことができ
る。As another moving path, the cleaning / temperature adjusting liquid discharge nozzle 70 is moved in accordance with the rotation speed of the wafer W rotated by the spin chuck 51, and, for example,
When the rotation speed of the wafer W is low, the cleaning / temperature control liquid discharge nozzle 70 is positioned substantially in the center of the wafer W, and as the rotation speed of the wafer W increases, the cleaning / temperature control liquid discharge nozzle 7
0 is moved from substantially the center of the wafer W to the periphery. In this case, the cleaning / temperature adjusting discharge nozzle 70 can be moved in response to the unnecessary resist liquid or cleaning liquid being shaken off from the rotating wafer W radially outward by the centrifugal force. The back surface can be efficiently washed.
【００５２】洗浄・温調液ノズル７０の移動経路として
は、上記経路の他、目的に応じて種々の経路を採用する
ことができる。As the movement path of the cleaning / temperature control liquid nozzle 70, various paths other than the above-mentioned paths can be adopted according to the purpose.
【００５３】また、電磁バルブ７６により、洗浄液吐出
量を制御することにより、より適切な洗浄を行うことが
できる。例えばノズル７０の洗浄液吐出量をウエハＷの
周辺部でウエハＷの中央部よりも少なくなるように制御
することにより、ウエハＷの周辺における洗浄液の飛散
を有効に防止しつつ、裏面中央部を確実に洗浄すること
ができる。裏面中央部は洗浄液はウエハＷ裏面に沿った
方向に飛散し上側には飛散しないので、洗浄液飛散防止
の観点からは吐出量を少なくする必要はない。Further, by controlling the amount of cleaning liquid discharged by the electromagnetic valve 76, more appropriate cleaning can be performed. For example, by controlling the amount of the cleaning liquid discharged from the nozzle 70 to be smaller in the peripheral portion of the wafer W than in the central portion of the wafer W, the scattering of the cleaning liquid in the peripheral portion of the wafer W can be effectively prevented, and the central portion of the back surface can be reliably formed. Can be washed. Since the cleaning liquid scatters in the direction along the back surface of the wafer W and does not scatter upward in the central portion of the back surface, it is not necessary to reduce the discharge amount from the viewpoint of preventing the scattering of the cleaning liquid.
【００５４】このように、本実施の形態では、レジスト
液塗布処理ユニット（ＣＯＴ）において、ウエハＷ裏面
の洗浄エリアを限定することなく、ウエハＷ裏面の略全
域を洗浄することができ、不要なレジスト液を確実に除
去することができる。また、このように、ウエハＷの裏
面から不要なレジスト液を除去できるため、後工程の周
辺露光工程において、周辺露光時間を短縮することも可
能となる。As described above, in the present embodiment, the resist liquid coating processing unit (COT) can clean almost the entire back surface of the wafer W without limiting the cleaning area on the back surface of the wafer W, which is unnecessary. The resist solution can be reliably removed. Further, since the unnecessary resist solution can be removed from the back surface of the wafer W in this manner, the peripheral exposure time can be shortened in the peripheral exposure step as a post process.
【００５５】ウエハＷ表面の膜厚調整を行う場合には、
レジスト液の塗布中に、洗浄・温調液供給機構７３か
ら、レジスト膜の膜厚の調整量に対応した温度に調整さ
れたシンナー等の温調液を洗浄・温調液吐出ノズル７０
に供給し、ノズル移動機構７２により洗浄・温調液吐出
ノズル７０をウエハＷの裏面側で移動させながら、洗浄
・温調液吐出ノズル７０からシンナー等の溶剤を温調液
としてウエハＷの裏面に吐出させる。When the film thickness on the surface of the wafer W is adjusted,
During the application of the resist solution, the cleaning / temperature adjusting solution supply mechanism 73 cleans the temperature adjusting solution such as thinner adjusted to a temperature corresponding to the adjustment amount of the thickness of the resist film, and the temperature adjusting solution discharge nozzle 70.
And a solvent such as thinner is used as the temperature control liquid from the cleaning / temperature control liquid discharge nozzle 70 while the cleaning / temperature control liquid discharge nozzle 70 is moved on the back surface side of the wafer W by the nozzle moving mechanism 72. To discharge.
【００５６】この膜厚調整の場合の移動経路も、洗浄の
場合と同様に、ウエハＷの略中央から周辺に向けて洗浄
・温調液吐出ノズル７０を移動させてもよく、また、回
転されるウエハＷの回転速度に対応して、洗浄・温調液
吐出ノズル７０を移動させてもよい。ウエハＷの径方向
に洗浄・温調液吐出ノズル７０を移動させる場合には、
膜厚が特に不均一になりやすいウエハＷの略中央部の膜
厚を調整することができる。Similarly to the case of cleaning, the cleaning / temperature adjusting liquid discharge nozzle 70 may be moved from the approximate center of the wafer W toward the periphery, and the path of movement for adjusting the film thickness may be rotated. The cleaning / temperature adjusting liquid discharge nozzle 70 may be moved according to the rotation speed of the wafer W to be moved. When moving the cleaning / temperature adjusting liquid discharge nozzle 70 in the radial direction of the wafer W,
It is possible to adjust the film thickness at the substantially central portion of the wafer W where the film thickness is likely to be uneven.
【００５７】特に、膜厚調整の場合には、洗浄・温調液
吐出ノズル７０をウエハＷの裏面側で移動させるように
しているため、ウエハＷ表面でレジスト膜の膜厚に不均
一が生じるような場合でも、膜厚を均一にするために温
度調節が必要な部分の裏面に局部的に、シンナー等の温
調液を吐出することができる。そのため、膜厚に不均一
が生じるような場合に、臨機応変に膜厚調整を行うこと
ができる。このように、本実施の形態では、温調液をウ
エハＷ裏面の略全域に吐出することができ、ウエハＷ表
面の任意の箇所でレジスト膜の膜厚調整を行うことがで
きる。In particular, in the case of adjusting the film thickness, the cleaning / temperature adjusting liquid discharge nozzle 70 is moved on the back surface side of the wafer W, so that the film thickness of the resist film becomes uneven on the front surface of the wafer W. Even in such a case, a temperature adjusting liquid such as thinner can be locally discharged on the back surface of the portion where the temperature control is required to make the film thickness uniform. Therefore, when the film thickness becomes uneven, the film thickness can be adjusted flexibly. As described above, in the present embodiment, the temperature adjusting liquid can be discharged to almost the entire area of the back surface of the wafer W, and the film thickness of the resist film can be adjusted at any position on the front surface of the wafer W.
【００５８】膜厚調整の場合にも、洗浄・温調液ノズル
７０の移動経路としては、上記経路の他、目的に応じて
種々の経路を採用することができる。また、洗浄時に、
温度調整したシンナー等の溶剤をウエハＷの裏面に吐出
することにより、洗浄と膜厚調整とを同時に行ってもよ
い。Also in the case of adjusting the film thickness, as the moving path of the cleaning / temperature adjusting liquid nozzle 70, various paths other than the above-mentioned paths can be adopted according to the purpose. Also, when cleaning
Cleaning and film thickness adjustment may be performed at the same time by discharging a temperature-adjusted solvent such as thinner onto the back surface of the wafer W.
【００５９】また、電磁バルブ７６により、温調液吐出
量を制御することにより、ウエハＷの温度調節をより適
切に行うことができる。例えば、ウエハＷの裏面中央部
のほうが周辺部よりも温調液に接する機会が多いため、
ウエハＷの裏面中央部よりも裏面周辺部の温調液吐出量
を多くすることにより、ウエハＷの温度がより均一にな
ることが期待される。Further, the temperature of the wafer W can be adjusted more appropriately by controlling the discharge amount of the temperature adjustment liquid by the electromagnetic valve 76. For example, since the central portion of the back surface of the wafer W has more opportunities to come into contact with the temperature control liquid than the peripheral portion,
It is expected that the temperature of the wafer W becomes more uniform by increasing the discharge amount of the temperature control liquid in the peripheral portion of the rear surface of the wafer W than in the central portion of the rear surface.
【００６０】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施
形態では、本発明をレジスト液塗布処理ユニットに適用
した場合について説明したが、これに限定されるもので
はない。例えば、洗浄に関しては、現像処理ユニットに
おいて、現像液が塗布された基板の裏面を洗浄液を吐出
して不要な現像液を除去する場合にも適用することがで
きる。さらに、基板として半導体ウエハを用いたが、こ
れに限らず、例えばＬＣＤ用ガラス基板であってもよ
い。The present invention is not limited to the above embodiment, but various modifications can be made. For example, although the case where the present invention is applied to the resist liquid coating processing unit has been described in the above embodiment, the present invention is not limited to this. For example, the cleaning can be applied to the case where the developing solution is discharged from the back surface of the substrate coated with the developing solution to remove the unnecessary developing solution in the development processing unit. Further, although the semiconductor wafer is used as the substrate, it is not limited to this, and may be, for example, a glass substrate for LCD.
【００６１】[0061]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板の裏面側に、基板表面への処理液の吐出中または吐
出後、基板裏面に液体を吐出する液体吐出ノズルを移動
する移動機構を設けているため、例えば、基板裏面を洗
浄する場合または基板表面の膜厚を調整する場合のいず
れの場合にも、液体吐出ノズルを基板裏面に沿って移動
させながら、基板裏面に液体を吐出させることができ
る。そのため、基板裏面の洗浄エリアを限定することな
く、また基板の口径にかかわらず、基板裏面の略全域を
洗浄することができ、不要な処理液を確実に除去するこ
とができる。また、基板表面の膜厚に不均一が生じる場
合に、膜厚を均一にするために温度調節が必要な部分の
裏面に確実に液体を吐出することができる。As described above, according to the present invention,
On the back surface side of the substrate, a moving mechanism for moving a liquid discharge nozzle that discharges the liquid to the back surface of the substrate is provided during or after the processing liquid is discharged onto the front surface of the substrate. In any case of adjusting the film thickness of the front surface, the liquid can be ejected onto the back surface of the substrate while moving the liquid ejection nozzle along the back surface of the substrate. Therefore, the cleaning area on the back surface of the substrate is not limited, and almost the entire back surface of the substrate can be cleaned regardless of the diameter of the substrate, and unnecessary processing liquid can be reliably removed. Further, when the film thickness on the front surface of the substrate becomes uneven, the liquid can be surely ejected to the back surface of the portion where the temperature control is required to make the film thickness uniform.
【００６２】そして、移動機構を、基板保持回転手段に
より回転される基板の速度に対応して、基板の回転速度
の低速時には、前記液体吐出ノズルを基板の略中央に位
置させ、基板の回転速度が増大するにつれて、前記液体
吐出ノズルを基板の略中央から周辺に移動させるように
することにより、不要なレジスト液や洗浄液等の液体が
遠心力により基板から径方向外方向に振り切られるのに
対応して液体吐出ノズルを移動させることができるた
め、基板の裏面洗浄を効率的に行うことができる。 Then, the moving mechanism is used as the substrate holding and rotating means.
The rotation speed of the substrate corresponding to the speed of the substrate rotated more
At low speed, place the liquid discharge nozzle at the approximate center of the substrate.
The liquid, as the rotation speed of the substrate increases, the liquid
Move the discharge nozzle from the center of the board to the periphery
By doing so, unnecessary resist liquid, cleaning liquid, etc.
Although it is shaken off from the substrate radially outward by centrifugal force
The liquid discharge nozzle can be moved correspondingly.
Therefore, the back surface of the substrate can be efficiently cleaned.
【００６３】また、移動機構を、前記液体吐出ノズルを
基板の略中央から周辺に向けて移動することにより、例
えば、基板の口径に対応して、基板裏面を洗浄すること
ができ、また基板表面の膜厚を調整することができる
し、さらに、前記液体吐出ノズルから吐出される液体の
吐出量を基板の周辺部で基板の略中央部よりも少なくな
るようにすることにより基板の周辺における液体の飛散
を有効に防止しつつ、基板の裏面中央部を確実に洗浄す
ることができる。 Further , a moving mechanism is provided for the liquid discharge nozzle.
By moving from the center of the board toward the periphery,
For example, cleaning the backside of the board in accordance with the diameter of the board.
And the thickness of the substrate surface can be adjusted.
Of the liquid ejected from the liquid ejection nozzle.
The discharge rate is smaller in the peripheral area of the board than in the central area of the board.
By doing so, liquid scattering around the substrate
The central part of the back surface of the substrate is securely cleaned while effectively preventing
You can
【００６４】さらに、基板に対し前記移動機構の垂直方
向の位置調整を行う位置調整機構を設けることにより、
例えば液体の吐出量を少なくしたいときに液体吐出ノズ
ルを上昇させ、液体の吐出量を多くしたいときには基板
の押し上げる力を低下させるため液体吐出ノズルを下降
させるといった調整が可能となる。 Further, the vertical direction of the moving mechanism with respect to the substrate
By providing a position adjustment mechanism that adjusts the position of the
For example, when you want to reduce the discharge amount of liquid,
Substrate to increase the amount of liquid discharged.
Lowers the liquid discharge nozzle to reduce the pushing force of
It is possible to make adjustments.
【図１】本発明が適用される半導体ウエハの塗布現像処
理システムの全体構成を示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a semiconductor wafer coating and developing treatment system to which the present invention is applied.
【図２】図１に示す塗布現像処理システムの正面図。FIG. 2 is a front view of the coating and developing treatment system shown in FIG.
【図３】図１に示す塗布現像処理システムの背面図。FIG. 3 is a rear view of the coating and developing treatment system shown in FIG.
【図４】図１に示した塗布現像処理システムに装着した
レジスト塗布装置の全体構成を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing the overall configuration of a resist coating apparatus mounted on the coating and developing treatment system shown in FIG.
【図５】図４に示したレジスト塗布装置の平面図。5 is a plan view of the resist coating apparatus shown in FIG.
【図６】洗浄・温調液吐出ノズルが装着されたレジスト
液塗布処理ユニットの模式図およびブロック図。6A and 6B are a schematic diagram and a block diagram of a resist liquid coating processing unit equipped with a cleaning / temperature control liquid discharge nozzle.
５１；スピンチャック（基板保持回転手段） ５５；レジスト液吐出ノズル（処理液吐出ノズル） ７０；洗浄・温調液吐出ノズル（液体吐出ノズル） ７２；ノズル移動機構（移動機構） ７３；洗浄・温調液供給機構 ７４；塗布処理ユニットコントローラ ＣＯＴ；レジスト液塗布処理ユニット Ｗ；半導体ウエハ（基板） 51; Spin chuck (substrate holding and rotating means) 55; resist liquid discharge nozzle (treatment liquid discharge nozzle) 70: Cleaning / temperature control liquid discharge nozzle (liquid discharge nozzle) 72; Nozzle moving mechanism (moving mechanism) 73; Cleaning / temperature control liquid supply mechanism 74; Coating processing unit controller COT; resist solution coating unit W: Semiconductor wafer (substrate)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平11−162816（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−281184（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−139007（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−176464（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−234868（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−62831（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−100435（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-11-162816 (JP, A) JP-A-8-281184 (JP, A) JP-A-8-139007 (JP, A) JP-A-7- 176464 (JP, A) JP-A-5-234868 (JP, A) JP-A-4-62831 (JP, A) Actual development 1-100435 (JP, U) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/027
Claims (11)
施す基板処理装置であって、 基板の表面に、処理液を吐出する処理液吐出ノズルと、 この基板の表面への処理液の吐出中または吐出後、基板
の裏面に、液体を吐出する液体吐出ノズルと、 基板の裏面側で、この液体吐出ノズルを移動する移動機
構と、 基板を保持しながら回転させる基板保持回転手段と を具備し、 前記移動機構は、この基板保持回転手段により回転され
る基板の速度に対応して、基板の回転速度の低速時に
は、前記液体吐出ノズルを基板の略中央に位置させ、基
板の回転速度が増大するにつれて、前記液体吐出ノズル
を基板の略中央から周辺に移動させることを特徴とする
基板処理装置。1. A substrate processing apparatus for applying a processing liquid to a substrate to process the substrate, comprising a processing liquid discharge nozzle for discharging the processing liquid onto the surface of the substrate, and the processing liquid to the surface of the substrate. Liquid ejection nozzles for ejecting liquid onto the back surface of the substrate during or after the ejection, a moving mechanism for moving the liquid ejection nozzles on the back surface side of the substrate, and a substrate holding / rotating means for rotating while holding the substrate. The moving mechanism positions the liquid discharge nozzle substantially at the center of the substrate when the substrate rotation speed is low corresponding to the speed of the substrate rotated by the substrate holding / rotating means, and rotates the substrate. A substrate processing apparatus, wherein the liquid discharge nozzle is moved from substantially the center of the substrate to the periphery as the speed increases.
施す基板処理装置であって、 基板の表面に、処理液を吐出する処理液吐出ノズルと、 この基板の表面への処理液の吐出中または吐出後、基板
の裏面に、液体を吐出する液体吐出ノズルと、 基板の裏面側で、この液体吐出ノズルを移動する移動機
構と を具備し、 前記移動機構は、前記液体吐出ノズルを基板の略中央か
ら周辺に向けて移動し、 前記液体吐出ノズルから吐出される液体の吐出量を基板
の周辺部で基板の略中央部よりも少なくなるようにする
ことを特徴とする基板処理装置。2. A substrate processing apparatus for applying a processing liquid to a substrate to process the substrate, wherein the processing liquid discharge nozzle discharges the processing liquid onto the surface of the substrate, and the processing liquid to the surface of the substrate. During or after the ejection of the liquid ejection nozzle, a liquid ejection nozzle for ejecting a liquid is provided on the back surface of the substrate, and a moving mechanism for moving the liquid ejection nozzle on the back surface side of the substrate, wherein the movement mechanism is the liquid ejection nozzle. Substrate is moved from substantially the center of the substrate toward the periphery, and the discharge amount of the liquid discharged from the liquid discharge nozzle is smaller in the peripheral portion of the substrate than in the substantially central portion of the substrate. apparatus.
置調整を行う位置調整機構をさらに具備することを特徴
とする請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。3. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a position adjusting mechanism that adjusts a position of the moving mechanism in a vertical direction with respect to the substrate.
施す基板処理装置であって、 基板の表面に、処理液を吐出する処理液吐出ノズルと、 この基板の表面への処理液の吐出中または吐出後、基板
の裏面に、液体を吐出する液体吐出ノズルと、 基板の裏面側で、基板の裏面に沿って前記液体吐出ノズ
ルを移動する移動機構と、前記移動機構の基板裏面に垂直な方向の 位置調整を行う
位置調整機構と を具備し、 前記位置調整機構は、前記液体吐出ノズルからの前記液
体の吐出量が少ないときは前記液体吐出ノズルを上昇さ
せ、前記吐出量が多いときは前記液体吐出ノズルを下降
させるように、前記移動機構の位置調整を行う ことを特
徴とする基板処理装置。4. A substrate processing apparatus for applying a processing liquid to a substrate to process the substrate, comprising a processing liquid discharge nozzle for discharging the processing liquid onto the surface of the substrate, and the processing liquid to the surface of the substrate. During or after ejection of liquid, a liquid ejection nozzle that ejects liquid on the back surface of the substrate, a moving mechanism that moves the liquid ejection nozzle along the back surface of the substrate on the back surface side of the substrate, and a substrate back surface of the moving mechanism. comprising a position adjusting mechanism for adjusting the position of a direction perpendicular to, the position adjusting mechanism, the liquid from the liquid ejection nozzle
When the body discharge is low, raise the liquid discharge nozzle.
When the discharge amount is large, the liquid discharge nozzle is lowered.
The substrate processing apparatus is characterized in that the position of the moving mechanism is adjusted so as to allow the movement .
着した処理液を洗浄するように、液体として洗浄液を基
板の裏面に吐出することを特徴とする請求項１ないし請
求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。5. The liquid ejecting nozzle ejects a cleaning liquid as a liquid onto the back surface of the substrate so as to clean the processing liquid attached to the back surface of the substrate. The substrate processing apparatus according to item 1.
厚を調整するように、液体として、所定温度に調整した
温調液を基板の裏面に吐出することを特徴とする請求項
１ないし請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装
置。6. The liquid ejection nozzle ejects a temperature adjusting liquid, which is adjusted to a predetermined temperature, as a liquid onto the back surface of the substrate so as to adjust the film thickness on the front surface of the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 4.
することを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれ
か１項に記載の基板処理装置。7. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a cover that covers the moving mechanism.
に追従可能であることを特徴とする請求項７に記載の基
板処理装置。8. The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the cover can follow the movement of the liquid ejection nozzle.
工程と、 この工程中またはこの工程の終了後に基板を回転させつ
つこの基板の回転速度に対応して、基板の回転速度の低
速時には、液体吐出ノズルを基板の略中央に位置させ、
基板の回転速度が増大するにつれて、前記液体吐出ノズ
ルを基板の略中央から周辺に移動させながら前記液体吐
出ノズルから基板の裏面側に前記塗布液を溶解する溶剤
を供給する工程と を具備することを特徴とする基板処理方法。9. A step of supplying a coating liquid to the surface of a substrate for processing, and a low rotation speed of the substrate corresponding to the rotation speed of the substrate while rotating the substrate during this step or after the completion of this step. Occasionally, the liquid discharge nozzle should be located approximately in the center of the substrate,
Supplying a solvent that dissolves the coating liquid from the liquid discharge nozzle to the back side of the substrate while moving the liquid discharge nozzle from substantially the center of the substrate to the periphery as the rotation speed of the substrate increases. A substrate processing method, comprising:
る工程と、 この工程中またはこの工程の終了後に、液体吐出ノズル
を基板の略中央から周辺に向けて移動させながら前記液
体吐出ノズルから吐出される液体の吐出量が基板の周辺
部で基板の略中央部よりも少なくなるように前記液体吐
出ノズルから基板の裏面側に前記塗布液を溶解する溶剤
を供給する工程と を具備することを特徴とする基板処理方法。10. A step of supplying a coating liquid to the surface of a substrate for processing, and the liquid discharge nozzle while moving the liquid discharge nozzle from substantially the center of the substrate to the periphery during or after this step. And a step of supplying a solvent that dissolves the coating liquid from the liquid discharge nozzle to the back surface side of the substrate so that the amount of the liquid discharged from the substrate is smaller in the peripheral portion of the substrate than in the substantially central portion of the substrate. A substrate processing method characterized by the above.
る工程と、 この工程中またはこの工程の終了後に、液体吐出ノズル
を昇降してその高さ位置を調節し、かつ基板の略中央か
ら周辺に向けて移動させながら前記液体吐出ノズルから
基板の裏面側に前記塗布液を溶解する溶剤を供給する工
程と を具備し、 前記液体吐出ノズルの高さ位置を調整する際には、前記
液体吐出ノズルから吐出する前記溶剤の吐出量が少ない
ときは前記液体吐出ノズルを上昇させ、前記吐出量が多
いときは前記液体吐出ノズルを下降させる ことを特徴と
する基板処理方法。11. A step of supplying a coating liquid to the surface of a substrate for processing, and a liquid discharge nozzle is moved up and down to adjust its height position during this step or after the end of this step, and at the substantially center of the substrate. when comprising a step of supplying a solvent for dissolving the coating liquid from the liquid ejection nozzle on the back side of the substrate while moving toward the periphery to adjust the height position of the liquid ejection nozzle from the
The discharge amount of the solvent discharged from the liquid discharge nozzle is small
When the liquid ejection nozzle is raised, the ejection amount is increased.
The substrate processing method is characterized in that the liquid discharge nozzle is lowered when it is not.
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