JP3341708B2 - トランス - Google Patents

トランス

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JP3341708B2
JP3341708B2 JP11443999A JP11443999A JP3341708B2 JP 3341708 B2 JP3341708 B2 JP 3341708B2 JP 11443999 A JP11443999 A JP 11443999A JP 11443999 A JP11443999 A JP 11443999A JP 3341708 B2 JP3341708 B2 JP 3341708B2
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勝己 松村
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は各種民生機器等に使
用するトランスに関するものである。
【0002】
【従来の技術】以下、従来のトランスについて図面を参
照しながら説明する。
【0003】図5は従来のトランスの底面図、図6は同
トランスの上面図、図7は同トランスの正面図である。
【0004】図5〜図7において、従来のトランスは、
軸方向に貫通孔を有するとともに、下端に端子植設部2
1を有するボビン22と、このボビン22に巻回した絶
縁被覆を施した第1の巻線23および第2の巻線24
と、端子植設部25に植設するとともに、第1の巻線2
3および第2の巻線24と半田接続した端子25と、ボ
ビン22の貫通孔に脚部を挿入した閉磁路磁芯26とを
備えている。
【0005】第1の巻線23は絶縁被覆の層を三層施し
た三層絶縁被覆導線にしており、端子植設部25は、端
子25を植設した突出部27と、隣接する突出部27間
に形成した溝部28とを有し、突出部27の下面に、端
子25を植設するとともに、第1の巻線23を端子25
に巻き付け、溝部28に引き廻している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の構成では、
第1の巻線23を端子25に巻き付け、溝部28に引き
廻すと、第1の巻線23は、端子25の巻き付け部分よ
り、そのまま溝部28に引き廻される。
【0007】ここで、第1の巻線23と端子25とは半
田接続されるが、これは、第1の巻線23の三層の絶縁
被覆が半田の溶融熱で溶融されることになり、第1の巻
線23と端子25とが電気的に接続されることになる。
【0008】このとき、半田の溶融熱により、第1の巻
線23の絶縁被覆は、巻き付き部分から、溝部28に引
き廻した部分まで溶融され、第2の巻線24と短絡する
という問題点を有していた。
【0009】本発明は上記問題点を解決するものであ
り、半田の溶融熱により、第1の巻線23の絶縁被覆
が、巻き付け部から、溝部28に引き廻した部分まで溶
融されることがなく、第2の巻線24との短絡を防止し
たトランスを提供することを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、軸方向に貫通孔を有するとともに、下端に
端子植設部を有するボビンと、前記ボビンに巻回した絶
縁被覆を施した第1の巻線および第2の巻線と、前記端
子植設部に植設するとともに、前記第1の巻線および前
記第2の巻線と半田接続した端子と、前記ボビンの貫通
孔に脚部を挿入した閉磁路磁芯とを備え、前記第1の巻
線は絶縁被覆の層が三層からなる三層絶縁被覆導線にし
ており、前記端子植設部は、前記端子を植設した突出部
と、隣接する前記突出部間に形成した溝部とを有し、前
記突出部の下面に、前記端子を植設するとともに、前記
第1の巻線の位置決めをする切欠部を有した位置決め壁
を設け、前記第1の巻線は前記端子に巻き付けるととも
に、前記位置決め壁の切欠部により係止し、前記溝部に
引き廻した構成である。
【0011】上記構成により、突出部の下面に、端子を
植設するとともに、第1の巻線の位置決めをする切欠部
を有した位置決め壁を設け、第1の巻線は端子に巻き付
けるとともに、位置決め壁の切欠部により係止し、溝部
に引き廻しているので、第1の巻線は、端子に巻き付け
られた部分から位置決め壁の切欠部までの長さ部分を余
分に引き廻され、溝部に引き廻されることになる。
【0012】したがって、第1の巻線と端子との半田接
続における半田の溶融熱によっては、第1の巻線の絶縁
被覆は、巻き付け部分から位置決め壁の切欠部までの間
でしか溶融されることがなく、溝部に引き廻した部分ま
で溶融されることがほとんどなくなり、第2の巻線との
短絡を防止することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1記載の発明は、
軸方向に貫通孔を有するとともに、下端に端子植設部を
有するボビンと、前記ボビンに巻回した絶縁被覆を施し
た第1の巻線および第2の巻線と、前記端子植設部に植
設するとともに、前記第1の巻線および前記第2の巻線
と半田接続した端子と、前記ボビンの貫通孔に脚部を挿
入した閉磁路磁芯とを備え、前記第1の巻線は絶縁被覆
の層が三層からなる三層絶縁被覆導線にしており、前記
端子植設部は、前記端子を植設した突出部と、隣接する
前記突出部間に形成した溝部とを有し、前記突出部の下
面に、前記端子を植設するとともに、前記第1の巻線の
位置決めをする切欠部を有した位置決め壁を設け、前記
第1の巻線は前記端子に巻き付けるとともに、前記位置
決め壁の切欠部により係止し、前記溝部に引き廻した構
成である。
【0014】上記構成により、突出部の下面に、端子を
植設するとともに、第1の巻線の位置決めをする切欠部
を有した位置決め壁を設け、第1の巻線は端子に巻き付
けるとともに、位置決め壁の切欠部により係止し、溝部
に引き廻しているので、第1の巻線は、端子に巻き付け
られた部分から位置決め壁の切欠部までの長さ部分を余
分に引き廻され、溝部に引き廻されることになる。
【0015】したがって、第1の巻線と端子との半田接
続における半田の溶融熱によっては、第1の巻線の絶縁
被覆は、巻き付け部分から位置決め壁の切欠部までの間
でしか溶融されることがなく、溝部に引き廻した部分ま
で溶融されることがほとんどなくなり、第2の巻線との
短絡を防止することができる。
【0016】本発明の請求項2記載の発明は、請求項1
記載の発明において、突出部の下面に有した位置決め壁
の切欠部は、ボビン側面側に配置した構成である。
【0017】上記構成により、第1の巻線を端子に巻き
付けた巻き付け部分と切欠部との間の長さが長くなり、
第1の巻線の引き廻しの長さも長くなるので、半田の溶
融熱によって、溝部に引き廻した部分まで溶融されるこ
とがほとんどなくなり、より第2の巻線との短絡を防止
することができる。
【0018】本発明の請求項3記載の発明は、請求項1
記載の発明において、一つの突出部に位置決め壁を少な
くとも二つ設け、隣接する突出部において、対向する位
置決め壁の切欠部の位置を互いに異ならせた構成であ
る。
【0019】上記構成により、隣接する突出部との間に
形成された溝部に、隣接する突出部に植設した端子から
第1の巻線をそれぞれ引き廻す際に、対向する位置決め
壁の切欠部の位置を互いに異ならせているので、半田の
溶融熱により、それぞれの第1の巻線の絶縁被覆が、溝
部近傍まで溶融されたとしても、溶融部分が接触するの
を防げ、それぞれの第1の巻線間で短絡するということ
を抑制することができる。
【0020】本発明の請求項4記載の発明は、請求項1
記載の発明において、溝部の径を第1の巻線の径と略同
一にした構成である。
【0021】上記構成により、第1の巻線が全体的に溝
部に接触するので、半田の溶融熱が溝部に伝導、拡散さ
れ、第1の巻線の絶縁被覆の溶融を抑制することができ
る。
【0022】(実施の形態1)以下、本発明の一実施の
形態におけるトランスについて図面を参照しながら説明
する。
【0023】図1は本発明の一実施の形態におけるトラ
ンスの底面図、図2は同トランスの上面図、図3は同ト
ランスの正面図、図4は同トランスの端子植設部の拡大
斜視図である。
【0024】図1〜図4において、本発明の一実施の形
態におけるトランスは、上下の軸方向に貫通孔を有する
とともに、下端に2つの端子植設部1を有するボビン2
と、ボビン2に巻回した絶縁被覆を施した第1の巻線3
および第2の巻線4と、端子植設部1に植設するととも
に、第1の巻線3および第2の巻線4と半田接続した端
子5と、ボビン2の貫通孔に脚部を挿入した閉磁路磁芯
6とを備えている。
【0025】また、第1の巻線3は絶縁被覆の層が三層
からなる三層絶縁被覆導線にしており、一方の端子植設
部1は、端子5を植設した突出部7と、隣接する突出部
7間に形成した溝部8とを有し、突出部7の下面に、端
子5を植設するとともに、第1の巻線3の位置決めをす
る切欠部9を有した位置決め壁10を設け、第1の巻線
3は端子5を巻き付けるとともに、位置決め壁10の切
欠部9により係止し、溝部8に引き廻している。
【0026】さらに、突出部7の下面に有した位置決め
壁10の切欠部9は、ボビン2の側面11に連接するよ
うボビン2の側面11側に配置しており、一つの突出部
7には突出部7の外周面12に沿うように位置決め壁1
0を二つ設け、隣接する突出部7において、対向する位
置決め壁10の切欠部9の位置を互いに異ならせてい
る。
【0027】そして、溝部8の径13を第1の巻線3の
線径と略同一にしている。
【0028】上記構成のトランスについて、以下その動
作を説明する。
【0029】上記構成により、突出部7の下面に、端子
5を植設するとともに、第1の巻線3の位置決めをする
切欠部9を有した位置決め壁10を設け、第1の巻線3
は端子5に巻き付けるとともに、位置決め壁10の切欠
部9により係止し、溝部8に引き廻しているので、第1
の巻線3は、端子5に巻き付けられた部分から位置決め
壁10の切欠部9までの長さ部分を余分に引き廻され、
溝部8に引き廻されることになる。
【0030】したがって、第1の巻線3と端子5との半
田接続における半田の溶融熱によっては、第1の巻線3
の絶縁被覆は、巻き付け部分から位置決め壁10の切欠
部9までの間でしか溶融されることがなく、溝部8に引
き廻した部分まで溶融されることがほとんどなくなり、
第2の巻線4との短絡を防止することができる。
【0031】また、突出部7の下面に有した位置決め壁
10の切欠部9は、ボビン2の側面11側に配置してい
るので、第1の巻線3の端子5に巻き付けた巻き付け部
分と切欠部9との間の長さが長くなり、第1の巻線3の
引き廻しの長さも長くなるので、半田の溶融熱によっ
て、溝部8に引き廻した部分まで溶融されることがはほ
とんどなくなり、より第2の巻線4との短絡を防止する
ことができる。
【0032】さらに、隣接する突出部7との間に形成さ
れた溝部8に、隣接する突出部7に植設した端子5から
第1の巻線3をそれぞれ引き廻す際に、対向する位置決
め壁10の切欠部9の位置を互いに異ならせているの
で、半田の溶融熱により、それぞれの第1の巻線3の絶
縁被覆が、溝部8近傍まで溶融されたとしても、溶融部
分が接触するのを防げ、それぞれの第1の巻線3間で短
絡するということを抑制することができる。
【0033】そして、溝部8の径を第1の巻線3の径と
略同一にしているので、第1の巻線3が全体的に溝部8
に接触し、半田の溶融熱が溝部8に伝導、拡散され、第
1の巻線3の絶縁被覆の溶融を抑制することができる。
【0034】このように本発明の一実施の形態によれ
ば、第1の巻線3と端子5との半田接続において、第1
の巻線3の絶縁被覆は、巻き付け部分から位置決め壁1
0の切欠部9までの間でしか溶融されることがなく、溝
部8に引き廻した部分まで溶融されることがほとんどな
くなり、第2の巻線4との短絡を防止することができ
る。
【0035】また、第1の巻線3を端子5に巻き付けた
巻き付け部分と切欠部9との間の長さが長くなり、第1
の巻線3の引き廻しの長さも長くなるので、半田の溶融
熱によって、溝部8に引き廻した部分まで溶融されるこ
とがほとんどなくなり、より第2の巻線4との短絡を防
止することができる。
【0036】さらに、対向する位置決め壁10の切欠部
9の位置を互いに異ならせているので、半田の溶融熱に
より、それぞれの第1の巻線3の絶縁被覆が、溝部8近
傍まで溶融されたとしても、溶融部分が接触するのを防
げ、それぞれの第1の巻線3間で短絡するということを
抑制することができる。
【0037】そして、溝部8の径を第1の巻線3の径と
略同一にしているので、第1の巻線3が全体的に溝部8
に接触し、半田の溶融熱が溝部8に伝導、拡散され、第
1の巻線3の絶縁被覆の溶融を抑制することができる。
【0038】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、突出部の
下面に、端子を植設するとともに、第1の巻線の位置決
めをする切欠部を有した位置決め壁を設け、第1の巻線
は端子に巻き付けるとともに、位置決め壁の切欠部によ
り係止し、溝部に引き廻しているので、第1の巻線は、
端子に巻き付けられた部分から位置決め壁の切欠部まで
の長さ部分を余分に引き廻され、溝部に引き廻されるこ
とになる。
【0039】したがって、第1の巻線と端子との半田接
続における半田の溶融熱によっては、第1の巻線の絶縁
被覆は、巻き付け部分から位置決め壁の切欠部までの間
でしか溶融されることがなく、溝部に引き廻した部分ま
で溶融されることがほとんどなくなり、第2の巻線との
短絡を防止したトランスを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態におけるトランスの底面
【図2】同トランスの上面図
【図3】同トランスの正面図
【図4】同トランスの端子植設部の拡大斜視図
【図5】従来のトランスの底面図
【図6】同トランスの上面図
【図7】同トランスの正面図
【符号の説明】
1 端子植設部 2 ボビン 3 第1の巻線 4 第2の巻線 5 端子 6 閉磁路磁芯 7 突出部 8 溝部 9 切欠部 10 位置決め壁 11 側面 12 外周面 13 径
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−241959(JP,A) 特開 平8−162336(JP,A) 特開 平8−162338(JP,A) 実開 昭59−23707(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01F 27/28 - 27/29 H01F 30/00

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 軸方向に貫通孔を有するとともに、下端
    に端子植設部を有するボビンと、前記ボビンに巻回した
    絶縁被覆を施した第1の巻線および第2の巻線と、前記
    端子植設部に植設するとともに、前記第1の巻線および
    前記第2の巻線と半田接続した端子と、前記ボビンの貫
    通孔に脚部を挿入した閉磁路磁芯とを備え、前記第1の
    巻線は絶縁被覆の層が三層からなる三層絶縁被覆導線に
    しており、前記端子植設部は、前記端子を植設した突出
    部と、隣接する前記突出部間に形成した溝部とを有し、
    前記突出部の下面に、前記端子を植設するとともに、前
    記第1の巻線の位置決めをする切欠部を有した位置決め
    壁を設け、前記第1の巻線は前記端子に巻き付けるとと
    もに、前記位置決め壁の切欠部により係止し、前記溝部
    に引き廻したトランス。
  2. 【請求項2】 突出部の下面に有した位置決め壁の切欠
    部は、ボビン側面側に配置した請求項1記載のトラン
    ス。
  3. 【請求項3】 一つの突出部に位置決め壁を少なくとも
    二つ設け、隣接する突出部において、対向する位置決め
    壁の切欠部の位置を互いに異ならせた請求項1記載のト
    ランス。
  4. 【請求項4】 溝部の径を第1の巻線の径と略同一にし
    た請求項1記載のトランス。
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