JP3341401B2 - めっき法による配線金属膜形成方法 - Google Patents
めっき法による配線金属膜形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子や集積回路
形成に用いられる配線を形成する際に使用するめっき法
を用いた配線用のめっき法に関する。
形成に用いられる配線を形成する際に使用するめっき法
を用いた配線用のめっき法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子や集積回路の配線形成のため
の金属膜堆積には、アルミニウムのスパッタ法や、タン
グステンのＣＶＤ法が用いられてきた。しかし、スパッ
タ法では十分なカバーレッジがとれない。また、これら
の方法は、金属化合物に多大なエネルギーをかけ、金属
を遊離させたり、対応する金属化合物から分離させて半
導体素子形成表面に金属を堆積する方法をとっているた
め、膨大なコストがかかり、プロセス的にも複雑である
といった問題がある。それらの問題を解決する方法とし
て、最近、無電解めっき法による金属膜の堆積が注目さ
れている。
の金属膜堆積には、アルミニウムのスパッタ法や、タン
グステンのＣＶＤ法が用いられてきた。しかし、スパッ
タ法では十分なカバーレッジがとれない。また、これら
の方法は、金属化合物に多大なエネルギーをかけ、金属
を遊離させたり、対応する金属化合物から分離させて半
導体素子形成表面に金属を堆積する方法をとっているた
め、膨大なコストがかかり、プロセス的にも複雑である
といった問題がある。それらの問題を解決する方法とし
て、最近、無電解めっき法による金属膜の堆積が注目さ
れている。
【０００３】また無電解めっきにより堆積された配線金
属が下部層に拡散することを防止するために、バリアメ
タル（以後下地金属膜と言う）を設ける必要がある。
属が下部層に拡散することを防止するために、バリアメ
タル（以後下地金属膜と言う）を設ける必要がある。
【０００４】ところが、従来の無電解めっきにおいて
は、下地金属膜よりも析出させる金属（例えば、配線と
して抵抗の低い銀、銅、金等）の方が貴である場合が多
く、この場合には置換めっきとなる。
は、下地金属膜よりも析出させる金属（例えば、配線と
して抵抗の低い銀、銅、金等）の方が貴である場合が多
く、この場合には置換めっきとなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
金属膜としてめっき金属膜を利用する場合、最低でも１
ミクロン程度の膜厚が必要であるが、置換めっきが起こ
る従来の方法では、下地金属膜が析出した金属に覆われ
てしまうと、それ以上下地金属膜の溶解が不可能とな
り、反応が進行せず、厚膜化ができないといった問題が
ある。
金属膜としてめっき金属膜を利用する場合、最低でも１
ミクロン程度の膜厚が必要であるが、置換めっきが起こ
る従来の方法では、下地金属膜が析出した金属に覆われ
てしまうと、それ以上下地金属膜の溶解が不可能とな
り、反応が進行せず、厚膜化ができないといった問題が
ある。
【０００６】そこで、本発明が解決すべき点は、タング
ステンやニッケルなどの下地金属が形成された基板上に
これらの金属を密着性良く厚膜化し、配線金属膜として
利用することである。
ステンやニッケルなどの下地金属が形成された基板上に
これらの金属を密着性良く厚膜化し、配線金属膜として
利用することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、基板表面に第一の金属が形成された基板に
おいて、前記第一の金属上に置換めっき処理で第二の金
属膜を堆積する工程と、前記第二の金属膜上に無電解め
っき処理で、第三の金属膜を堆積する工程とを備えるこ
とを特徴としている。
に本発明は、基板表面に第一の金属が形成された基板に
おいて、前記第一の金属上に置換めっき処理で第二の金
属膜を堆積する工程と、前記第二の金属膜上に無電解め
っき処理で、第三の金属膜を堆積する工程とを備えるこ
とを特徴としている。
【０００８】
【作用】本発明の如き、置換めっき後に無電解めっきを
行うことにより、従来の課題であった厚膜不可の点が解
決できる。また、我々は、この方法によれば、第二の金
属膜と第三の金属膜の密着性が高い配線金属膜がめっき
法により形成されることを見い出した。これは無電解め
っき法で第三の金属膜が第二の金属膜上に堆積している
からである。
行うことにより、従来の課題であった厚膜不可の点が解
決できる。また、我々は、この方法によれば、第二の金
属膜と第三の金属膜の密着性が高い配線金属膜がめっき
法により形成されることを見い出した。これは無電解め
っき法で第三の金属膜が第二の金属膜上に堆積している
からである。
【０００９】なお、置換めっきは、反応が途中であると
第一金属の作用で、再び置換めっきが起こって膜形状が
悪くなるという問題があるため、反応が完了しているこ
とが望ましい。
第一金属の作用で、再び置換めっきが起こって膜形状が
悪くなるという問題があるため、反応が完了しているこ
とが望ましい。
【００１０】また、第二の金属は、第一の金属の標準電
位よりも貴な金属で且つ、第三の金属の無電解めっきに
際して活性化触媒となるものを使用することが挙げられ
る。置換めっきを起こさせないため、さらに、第三の金
属は第二の金属の標準電位と同等あるいは、卑でかつ自
己触媒型無電解めっきを可能とする金属であり、また第
三の金属は自己触媒的であってもよい。この様な第三の
金属としては、例えば、銀、銅、金等であってもよい
が、これらに限定されない。（表１）に第一、第二、第
三の金属に対する望ましい必要条件をまとめて記した。
位よりも貴な金属で且つ、第三の金属の無電解めっきに
際して活性化触媒となるものを使用することが挙げられ
る。置換めっきを起こさせないため、さらに、第三の金
属は第二の金属の標準電位と同等あるいは、卑でかつ自
己触媒型無電解めっきを可能とする金属であり、また第
三の金属は自己触媒的であってもよい。この様な第三の
金属としては、例えば、銀、銅、金等であってもよい
が、これらに限定されない。（表１）に第一、第二、第
三の金属に対する望ましい必要条件をまとめて記した。
【００１１】
【表１】
【００１２】またさらに、第二の金属と、第三の金属は
同一の金属であってもよい。密着性を向上させるために
第一の金属膜、第二の金属膜、第三の金属膜を堆積した
半導体基板を、熱処理してもよい。また、前記熱処理が
金属膜間の合金化を促進してもよい。
同一の金属であってもよい。密着性を向上させるために
第一の金属膜、第二の金属膜、第三の金属膜を堆積した
半導体基板を、熱処理してもよい。また、前記熱処理が
金属膜間の合金化を促進してもよい。
【００１３】なお、第一の金属膜の下に、配線金属の基
板側への拡散を防止するバリヤメタルが存在していても
よく、また、第一の金属膜が、バリヤメタルであっても
よい。バリヤメタルが配線金属膜の下に存在していれ
ば、配線金属の基板側への拡散の心配もない。
板側への拡散を防止するバリヤメタルが存在していても
よく、また、第一の金属膜が、バリヤメタルであっても
よい。バリヤメタルが配線金属膜の下に存在していれ
ば、配線金属の基板側への拡散の心配もない。
【００１４】従って、本発明を用いることにより、プロ
セス的にも簡単で、安価で、さらに低抵抗の配線形成に
有効に作用する。
セス的にも簡単で、安価で、さらに低抵抗の配線形成に
有効に作用する。
【００１５】
【実施例】（実施例１）以下本発明の一実施例について
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
【００１６】図１は第一の実施例のめっき法による配線
金属膜形成方法を示す図である。まず図１（ａ）では、
シリコン基板１０上に絶縁膜１１を堆積し、この絶縁膜
１１にシリコン基板１０に至るコンタクトホールや、ヴ
ィアアホールを形成する。その後、バリヤメタルとして
窒化チタン１２を堆積し、半導体素子形成用ウエハー１
１上に第一の金属としてタングステン１３を全面にＣＶ
Ｄ法により堆積させ、コンタクトホールを埋め込み、溝
表面を覆う。
金属膜形成方法を示す図である。まず図１（ａ）では、
シリコン基板１０上に絶縁膜１１を堆積し、この絶縁膜
１１にシリコン基板１０に至るコンタクトホールや、ヴ
ィアアホールを形成する。その後、バリヤメタルとして
窒化チタン１２を堆積し、半導体素子形成用ウエハー１
１上に第一の金属としてタングステン１３を全面にＣＶ
Ｄ法により堆積させ、コンタクトホールを埋め込み、溝
表面を覆う。
【００１７】そして図１（ｂ）では、タングステン１３
表面をＢＨＦ（弗酸：弗化アンモニウム＝１：２０）の
溶液に２０秒間浸漬し、タングステン上の自然酸化膜の
エッチングを行ない表面を清浄化し水洗する。その後、
ウエハー１１を硝酸銀４．４＊１０-2ｍｏｌ／Ｌ、エチ
レンジアミン２．７＊１０-2ｍｏｌ／Ｌ、ロッセル塩
３．５＊１０-2ｍｏｌ／Ｌからなる銀めっき浴に１０分
間、３５℃で浸漬させ、置換めっきを行い水洗する。こ
の時形成される銀薄膜１４の膜厚は、約２５０ｎｍであ
る。
表面をＢＨＦ（弗酸：弗化アンモニウム＝１：２０）の
溶液に２０秒間浸漬し、タングステン上の自然酸化膜の
エッチングを行ない表面を清浄化し水洗する。その後、
ウエハー１１を硝酸銀４．４＊１０-2ｍｏｌ／Ｌ、エチ
レンジアミン２．７＊１０-2ｍｏｌ／Ｌ、ロッセル塩
３．５＊１０-2ｍｏｌ／Ｌからなる銀めっき浴に１０分
間、３５℃で浸漬させ、置換めっきを行い水洗する。こ
の時形成される銀薄膜１４の膜厚は、約２５０ｎｍであ
る。
【００１８】さらに図１（ｃ）では、この銀薄膜１４を
ＢＨＦ（弗酸：弗化アンモニウム＝１：２０）の溶液で
清浄化し、水洗を行った後、硝酸銀４．４＊１０-2ｍｏ
ｌ／Ｌ、エチレンジアミン２．７＊１０-2ｍｏｌ／Ｌ、
ロッセル塩３．５＊１０-2ｍｏｌ／Ｌ、安定剤であるヨ
ウ化カリウム４．０＊１０-5ｍｏｌ／Ｌからなる無電解
銀めっき浴に３５℃で１時間浸漬させると、合計約１μ
ｍの銀膜１５が堆積した。
ＢＨＦ（弗酸：弗化アンモニウム＝１：２０）の溶液で
清浄化し、水洗を行った後、硝酸銀４．４＊１０-2ｍｏ
ｌ／Ｌ、エチレンジアミン２．７＊１０-2ｍｏｌ／Ｌ、
ロッセル塩３．５＊１０-2ｍｏｌ／Ｌ、安定剤であるヨ
ウ化カリウム４．０＊１０-5ｍｏｌ／Ｌからなる無電解
銀めっき浴に３５℃で１時間浸漬させると、合計約１μ
ｍの銀膜１５が堆積した。
【００１９】図１（ｄ）ではこれを４００℃で熱処理す
ると、タングステン１３と銀薄膜１４が合金化し、密着
性をより向上させた。さらに化学機械的研磨（ＣＭＰ）
で余分な部分の銀を除去することで、銀の埋め込み配線
１６を形成できた。
ると、タングステン１３と銀薄膜１４が合金化し、密着
性をより向上させた。さらに化学機械的研磨（ＣＭＰ）
で余分な部分の銀を除去することで、銀の埋め込み配線
１６を形成できた。
【００２０】（実施例２）図２は第二の実施例の無電解
めっき法による配線金属膜形成方法を示す図である。
めっき法による配線金属膜形成方法を示す図である。
【００２１】まず図１（ａ）では、シリコン基板１０上
に絶縁膜１１を堆積し、この絶縁膜１１にシリコン基板
１０に至るコンタクトホールや、ヴィアアホールを形成
する。その後、バリヤメタルとして窒化チタン１２を堆
積する。その後、半導体素子形成用ウエハー１０の半導
体素子形成表面を表にし、スピンコータ上にセットし
た。そして、２００回転／ｍｉｎの速度でウエハー１０
を回転させながら、ウエハー１０表面の脱脂を行うため
に、ノズルからアセトンを１分間ウエハー２１上に接触
させ、その後３０００回転／ｍｉｎにし、アセトンを乾
燥させた。その後、回転を停止させ、窒化チタン表面の
自然酸化膜を除去するために、ノズルからＢＨＦ（弗
酸：弗化アンモニウム＝１：２０）溶液をウエハー１０
上に塗布し、２０秒間浸漬した。２０秒後、１０００回
転／ｍｉｎでウエハー１０を回転させ、ＢＨＦを完全に
除去してから、水洗を１分間行った。水洗後、２００回
転／ｍｉｎの速度でウエハー１０を回転させながら１０
％塩化すず溶液をノズルから５分間放出してセンシタイ
ジングを行なった後、そのままの速度で水洗を３０秒行
った。
に絶縁膜１１を堆積し、この絶縁膜１１にシリコン基板
１０に至るコンタクトホールや、ヴィアアホールを形成
する。その後、バリヤメタルとして窒化チタン１２を堆
積する。その後、半導体素子形成用ウエハー１０の半導
体素子形成表面を表にし、スピンコータ上にセットし
た。そして、２００回転／ｍｉｎの速度でウエハー１０
を回転させながら、ウエハー１０表面の脱脂を行うため
に、ノズルからアセトンを１分間ウエハー２１上に接触
させ、その後３０００回転／ｍｉｎにし、アセトンを乾
燥させた。その後、回転を停止させ、窒化チタン表面の
自然酸化膜を除去するために、ノズルからＢＨＦ（弗
酸：弗化アンモニウム＝１：２０）溶液をウエハー１０
上に塗布し、２０秒間浸漬した。２０秒後、１０００回
転／ｍｉｎでウエハー１０を回転させ、ＢＨＦを完全に
除去してから、水洗を１分間行った。水洗後、２００回
転／ｍｉｎの速度でウエハー１０を回転させながら１０
％塩化すず溶液をノズルから５分間放出してセンシタイ
ジングを行なった後、そのままの速度で水洗を３０秒行
った。
【００２２】次に１０％塩化パラジウム溶液をノズルか
ら５分間同様の速度でウエハー１０を回転させながらア
クチベーテイングを行った後、同様に３０秒間水洗を行
った。このように前処理したウエハー１０を次亜燐酸ナ
トリウム２６．４ｇ／Ｌ、ほう酸１２ｇ／Ｌ、硫酸アン
モニウム２．６ｇ／Ｌ、酢酸ナトリウム４．９ｇ／Ｌの
割合で調合した無電解ニッケルめっき浴中に静かに揺動
させながら５分間浸漬させると、約２００ｎｍの膜厚で
半導体素子形成表面全面にニッケル膜１７を堆積するこ
とができた。
ら５分間同様の速度でウエハー１０を回転させながらア
クチベーテイングを行った後、同様に３０秒間水洗を行
った。このように前処理したウエハー１０を次亜燐酸ナ
トリウム２６．４ｇ／Ｌ、ほう酸１２ｇ／Ｌ、硫酸アン
モニウム２．６ｇ／Ｌ、酢酸ナトリウム４．９ｇ／Ｌの
割合で調合した無電解ニッケルめっき浴中に静かに揺動
させながら５分間浸漬させると、約２００ｎｍの膜厚で
半導体素子形成表面全面にニッケル膜１７を堆積するこ
とができた。
【００２３】そして図２（ｂ）では、ニッケル表面をＢ
ＨＦ（弗酸：弗化アンモニウム＝１：２０）の溶液に２
０秒間浸漬し、ニッケル表面の自然酸化膜のエッチング
を行ないニッケル表面を清浄化し水洗する。その後、ウ
エハー２１を、硝酸銀４．４＊１０-2ｍｏｌ／Ｌ、エチ
レンジアミン２．７＊１０-2ｍｏｌ／Ｌ、ロッセル塩
３．５＊１０-2ｍｏｌ／Ｌからなる銀めっき浴に１０分
間、３５℃で浸漬させ、水洗を行うと、置換めっきによ
り約２５０ｎｍの銀薄膜１４が形成された。
ＨＦ（弗酸：弗化アンモニウム＝１：２０）の溶液に２
０秒間浸漬し、ニッケル表面の自然酸化膜のエッチング
を行ないニッケル表面を清浄化し水洗する。その後、ウ
エハー２１を、硝酸銀４．４＊１０-2ｍｏｌ／Ｌ、エチ
レンジアミン２．７＊１０-2ｍｏｌ／Ｌ、ロッセル塩
３．５＊１０-2ｍｏｌ／Ｌからなる銀めっき浴に１０分
間、３５℃で浸漬させ、水洗を行うと、置換めっきによ
り約２５０ｎｍの銀薄膜１４が形成された。
【００２４】さらに図２（ｃ）では、この銀薄膜１４表
面をＢＨＦ（弗酸：弗化アンモニウム＝１：２０）の溶
液に２０秒間浸漬し銀表面を清浄化し水洗を行った後、
硝酸銀４．４＊１０-2ｍｏｌ／Ｌ、エチレンジアミン
２．７＊１０-2ｍｏｌ／Ｌ、ロッセル塩３．５＊１０-2
ｍｏｌ／Ｌ、安定剤であるヨウ化カリウム４．０＊１０
-5ｍｏｌ／Ｌからなる無電解銀めっき浴に３５℃で１時
間浸漬させると、合計約１μｍの銀膜１５が堆積した。
面をＢＨＦ（弗酸：弗化アンモニウム＝１：２０）の溶
液に２０秒間浸漬し銀表面を清浄化し水洗を行った後、
硝酸銀４．４＊１０-2ｍｏｌ／Ｌ、エチレンジアミン
２．７＊１０-2ｍｏｌ／Ｌ、ロッセル塩３．５＊１０-2
ｍｏｌ／Ｌ、安定剤であるヨウ化カリウム４．０＊１０
-5ｍｏｌ／Ｌからなる無電解銀めっき浴に３５℃で１時
間浸漬させると、合計約１μｍの銀膜１５が堆積した。
【００２５】図２（ｄ）ではこれを、４５０℃で熱処理
し、ニッケル膜１７と銀膜１５をその界面において合金
化させることで、密着性をより向上させた。さらに化学
機械的研磨（ＣＭＰ）で余分な部分の銀を除去すること
で、銀の埋め込み配線１６を形成できた。
し、ニッケル膜１７と銀膜１５をその界面において合金
化させることで、密着性をより向上させた。さらに化学
機械的研磨（ＣＭＰ）で余分な部分の銀を除去すること
で、銀の埋め込み配線１６を形成できた。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、厚膜化
しなかった従来のめっき法の問題を解決し、比抵抗の低
い配線を簡易的に形成できることから、工業的価値が極
めて大きい。これまで、無電解めっき法では、標準電位
が貴なために、置換めっきを起こし膜質が悪く、厚膜化
しなかったり、さらに浴寿命が短かかった金属を、置換
めっきと無電解めっきを併用することにより堆積するこ
とができる。さらに、置換めっきで堆積した金属膜上に
は、無電解めっき法により金属膜を堆積することができ
るため、この方法を使用することによって、良好な膜質
で厚膜化が可能となり、比抵抗が低い配線形成のための
金属膜を形成することができる。
しなかった従来のめっき法の問題を解決し、比抵抗の低
い配線を簡易的に形成できることから、工業的価値が極
めて大きい。これまで、無電解めっき法では、標準電位
が貴なために、置換めっきを起こし膜質が悪く、厚膜化
しなかったり、さらに浴寿命が短かかった金属を、置換
めっきと無電解めっきを併用することにより堆積するこ
とができる。さらに、置換めっきで堆積した金属膜上に
は、無電解めっき法により金属膜を堆積することができ
るため、この方法を使用することによって、良好な膜質
で厚膜化が可能となり、比抵抗が低い配線形成のための
金属膜を形成することができる。
【００２７】さらに、配線金属の下には窒化チタン等の
バリヤメタルを堆積させておくことで、配線金属の下層
への拡散を防止することも可能である。
バリヤメタルを堆積させておくことで、配線金属の下層
への拡散を防止することも可能である。
【００２８】またさらに、置換めっきで堆積した金属膜
は、密着性が悪い場合、熱処理を加えることにより下地
金属と一部合金化し、密着性の良い膜が形成される。ま
た、これまで行ってきた第二の金属堆積時のセンシタイ
ジング、アクチベーテイング処理が不要となり、プロセ
スの簡素化のみならず、安価プロセスを提供することが
可能となる。さらに、センシタイジング、アクチベーテ
イング処理を省略することにより、下地金属の存在する
表面のみ金属が堆積し、裏面への金属堆積が起こらな
い。
は、密着性が悪い場合、熱処理を加えることにより下地
金属と一部合金化し、密着性の良い膜が形成される。ま
た、これまで行ってきた第二の金属堆積時のセンシタイ
ジング、アクチベーテイング処理が不要となり、プロセ
スの簡素化のみならず、安価プロセスを提供することが
可能となる。さらに、センシタイジング、アクチベーテ
イング処理を省略することにより、下地金属の存在する
表面のみ金属が堆積し、裏面への金属堆積が起こらな
い。
【図１】本発明の第１の実施例における無電解金属めっ
き法による配線金属膜の形成方法を説明するための工程
図
き法による配線金属膜の形成方法を説明するための工程
図
【図２】本発明の第２の実施例における無電解金属めっ
き法による配線金属膜の形成方法を説明するための工程
図
き法による配線金属膜の形成方法を説明するための工程
図
１０ 半導体素子形成用ウエハー １１ 絶縁膜 １２ 窒化チタン １３ タングステン １４ 銀薄膜 １５ 銀膜 １６ 銀の埋め込み配線 １７ ニッケル膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/24 Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｒ (72)発明者 橋本 伸 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−125552（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−16961（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−94523（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3205 C23C 18/52 H01L 21/28 301 H01L 21/288 H05K 3/18 H05K 3/24
Claims (5)
- 【請求項１】 基板表面に第一の金属が形成された半導
体基板において、前記第一の金属上に置換めっき処理で
第二の金属膜を堆積する工程（ａ）と、 前記第二の金属膜上に自己触媒型無電解めっき処理で第
三の金属膜を堆積する工程（ｂ）と、 前記第一の金属膜、第二の金属膜、第三の金属膜を堆積
した前記半導体基板を、熱処理する工程（ｃ）と備え、 前記熱処理が、金属膜間での合金化を促進することを特
徴とする めっき法による配線金属膜形成方法。 - 【請求項２】 前記第二の金属は、前記第一の金属の標
準電位よりも貴な金属を使用することを特徴とする請求
項１記載のめっき法による配線金属膜形成方法。 - 【請求項３】 前記第三の金属は、銀、銅、金のいずれ
かであることを特徴とする請求項１記載のめっき法によ
る配線金属膜形成方法。 - 【請求項４】 前記第二の金属と、前記第三の金属は同
一の金属であることを特徴とする請求項１記載のめっき
法による配線金属膜形成方法。 - 【請求項５】 前記第二の金属は、前記第三の金属に対
して触媒活性を示すものであることを特徴とする請求項
１記載のめっき法による配線金属膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26458693A JP3341401B2 (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | めっき法による配線金属膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26458693A JP3341401B2 (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | めっき法による配線金属膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122556A JPH07122556A (ja) | 1995-05-12 |
| JP3341401B2 true JP3341401B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=17405358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26458693A Expired - Fee Related JP3341401B2 (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | めっき法による配線金属膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3341401B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1065315A (ja) * | 1996-08-21 | 1998-03-06 | Totoku Electric Co Ltd | フレキシブルプリント回路の製造方法および該方法により得られたフレキシブルプリント回路 |
| US6130161A (en) | 1997-05-30 | 2000-10-10 | International Business Machines Corporation | Method of forming copper interconnections with enhanced electromigration resistance and reduced defect sensitivity |
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