JPS5884965A - ニツケルめつき法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は概括的にはめつき法、より詳細にはケイ素にニ
ッケルをめっきする方法に関する。

太陽電池および他の半導体装置の製造に際しては、ニッ
ケルをケイ素に直接にめっきして電極または半導体装置
を電気回路に接続するための接点を作成することがしば
しば好ましい。このようなめっきを得るための周知の有
効な方法の１つは無電解ニッケルめっきによるものであ
る。

この方法において第１工程は一般にニッケルが析出すべ
きケイ素支持体の外面を清浄にし、存在可能性のある汚
れまたは酸化物の粒子をすべて除去することである。ケ
イ素の光面にこのような物質が存在するとニッケル上へ
のケイ素の適切なめつきが妨げられやすいため、この清
浄が望ましい。

清浄は当業者に周知の各種の方法で、たとえば支持体を
順次熱有機溶媒および熱クロム硫酸の適宜な浴、続いて
フッ化水素酸の浴に浸漬し、脱イオン水ですすぐことに
より行なわれる。これを行なったのち、ニッケプレめっ
きすべきケイ素支持体の表面を触媒で前処理する。ケイ
素の表面自体は無電解めっき法を受けつけず、未処理の
ケイ素表面にめっきされたニッケルはケイ素に対する付
着力が乏しい傾向にあるため、前処理が必要である。

普通は触媒としてパラジウムが用いられる。当業者には
他の活性剤も周知である。米国特許第３．４８９．６０
３９明細にはこの種のパラジウム触媒に代わるものが示
されている。

ニッケルを受容するケイ素の表面が清浄および前処理さ
れると、ケイ素は無電解めっきしうる状態となる。めっ
きは適宜な条件下で適切な酸性またはアルカリ性の浴に
ケイ素支持体を浸漬することによって行なわれる。典型
的な酸性浴は塩化ニッケル（３０ｇ／７り、次亜リン酸
ナトリウム（１０ｇ／ｚ）、第３の塩である硝酸ナトリ
ウム（１０ｇ／１）ｐＨ４〜６、および温度約１９０°
Ｆよりなるものであろう。この種の浴において、塩化ニ
ッケルは還元されるべきニッケルイオンを供給し、次亜
リン酸ナトリウムは還元剤を供給し、第３の塩はニッケ
ルの緩衝剤および錯化剤として作用する。あるいはこの
代わりにアルカリ性浴を用いてもよい。

このような無電解ニッケルめっきは当技術分野において
周知であり、モーラ−著「めっき法および関連法」（ケ
ミカル・パブリッシング社、ニューヨーク、１９６９年
）、ジェームスＡ・マーフィー編［金属の表面調製およ
び仕上」　（マツフグローヒルブック社、ニューヨーク
、１９７１年）ならびにレオン■・マイセルおよびライ
ンノ＼ルト・ブラング編「薄膜技術ハンドブック」（マ
ツフグローヒルブック社、ニューヨーク、１９７０年）
などの刊行物に詳細て記載されている。

この種の無電解めっきには多数の難点がある。

まず、触媒によるケイ素の前処理が必要であることによ
り、めっき操作に付加的な工程が加わる。

さらに使用する触媒がパラジウムである場合、ノくラジ
ウムはケイ素の表面で不均一に作動する傾向をもつため
ニッケルが不均一なノ（ターンで析出しやすい。また前
処理操作中にかなりの量の）（ラジウムが失なわれるの
で、パラジウムが高価格であることも否定的な点である
。

さらに、上記の無電解めっき浴の化学作用により若干の
リン化ニッケルが生成する傾向があり、これがニッケル
と共にケイ素上に析出する可能性をもつ。このリン化ニ
ッケルがめつきされたニッケルに混入すると析出したニ
ッケルの特性が変わる傾向があり、意図する用途によっ
てはきわめて不都合な場合がある。析出するニッケル中
のリン含量は酸性浴ではなくアルカリ性浴を用いること
により抑えられるが、アルカリ性浴の使用により新たな
難点の生じる可能性がある。％にアルカリ性浴は浴に暴
露されたアルばニウムを腐食離脱させる傾向があり、こ
れによりケイ素にアルミニウム層を乗せた部分のめっき
を複雑にする。さらに、アルカリ性浴の使用によりケイ
素の表面における酸化物層の形成が促進され、ケイ素上
にニッケルが直接にめっきされるのケ妨げる傾向がある
。

酸化物層の存在は析出したニッケルｔオーム、接点とし
て用いることが望まれる部位でさらに複雑さを与える。

このような場合はニッケル層を焼結してケイ素支持体中
へ拡散させ、ニッケル／ケイ素界面でケイ化ニッケルを
形成させるべきである。

介在する酸化物層がある場合は、ニッケルが酸化物層を
透過し、ケイ素中へ拡散し、オーム接点を形成するよう
に比較的高い温度（６５０°Ｃ以上）でおよび／または
比較的長期間（４０分以上）焼結を行なわなければなら
ない。しかし支持体が太陽電池のような接点の浅い装置
であり、ニッケル層が接点近くの支持体表面上にある場
合、特［９化物層り玉きわめて薄いかまたは存在しない
場合に−は、ニッケルが装置に分路を与えるかないしは
短絡するのて十分なほど深く拡散しや丁い。これに関し
、接点の浅いケイ素装置はニッケルの析出した表面下約
１．０μ以下に接点が存在するものである。

従って本発明の目的の１つは、上記の無電解ニッケルめ
っき法を用いずにケイ素に直接にニッケルをめっきする
方法を開発することである。他の目的はニッケルでめっ
きする前に行なうケイ素表面の触媒前処理がすべて不必
要なめつき法を提供することである。その他の目的は、
ケイ素に対するニッケルの強固な付着性を得ることであ
る。さらに他の目的は、夾雑物であるリン化ニッケルの
生成なしにケイ素に直接にニッケルをめっきする方法を
提供することである。また他の目的は、浴に暴露された
アルミニウムを腐食離脱させない浴を用いるめっき法を
提供することである。他の目的は、高価なパラジウムを
用いる必要のないめっき法を提供することである。さら
に他の目的は、焼結を比較的低い温度（６５０℃以下）
で比較的短かい期間（４０分以内）に行ないうるケイ素
装置上のニッケルオーム接点を作成する方法を提供する
ことである。その他の目的は、高性能の接点の再現性が
良好かまたは比較的良好であるニッケルオーム接点を作
成する簡潔なかつ信頼性のある方法を提供することであ
る。

本発明のこれらの目的および他の目的は、本質的に塩化
ニッケルおよび水中でイオン化する選択されたフッ化化
合物の水性浴に支持体を浸漬することよりなる、ケイ素
支持体上にニッケルをめっきてる方法を提供するこ之に
より達成され、これにより洗浄以外のケイ素支持体前処
理なしに浴中のニッケルイオンがニッケルに還元され、
ケイ素上に直接に析出してケイ素上に付着層を形成する
。

オーム接点はニッケル層を焼成りることにより形成され
る。接点の浅い装置に関しては、焼結は３５０℃以下で
行なわれ、３０分以内に完了するであろう。接点の深い
装置に関しては、焼結は上記と等しいかまたはこれより
も高い温度で、および／または上記と等しいかまたはこ
れよりも長い時間で行なわれるであろう。

第１〜３図は本錨明を用いてケイ素支持体上にニッケル
をめっきするための好ましい方法における各工程を示す
横断面図である。

第４〜６図は本発明の好ましい実施態様を用いて太陽電
池を製造する方法における各工程を示す横断面図である
。

第７図は本発明の好ましい実施態様を用いて製造された
完成した太陽電池の透視図である。

まず第１図には本発明に従ってニッケルでめっきされる
べきケイ素支持体が示されている。支持体１は一般に実
質的ケイ素本体３よりなり、この上に汚れおよび酸化物
の種々の粒子よりなる外層５を有するかまたは有しない
。本体３がその外面に実際に層５を有するならば、ケイ
素上にニッケルをめっきすべき部位から層５Ｙ除去する
こと、が望ましい。この外層の選択的なまたは完全な除
去は当技術分野で周知の方法により行なうことができる
。たとえばこのような層の完全な除去は、支持体を順次
熱有機溶媒浴および熱クロム硫酸浴、次いでフッ化水累
酸浴に浸漬し、続いて脱イオン水ですすぐことにより行
なうことができる。

望ましくない層５がケイ素本体から除去されると（図２
は外層５が全くないケイ素本体を示す）、ケイ素支持体
はニッケルめっきの準備ができた状態となる。このため
には、塩化ニッケルおよび水中でイオン化する選択され
たフッ化化合物よりなる浴に支持体を浸漬する。この浸
漬の結果、浴中のニッケルイオン（塩化ニッケルにより
供給される）が選択されたフッ化化合物の作用を受けて
置換反応により固体ニッケルを生成する。置換反応。　
＋４ ２Ｎｉ＋Ｓｉ　　、ケイ素はＨ２Ｓ１Ｆｓおよび／また
はＨ２Ｓ１Ｏａとして溶液中へ移行する。こうして生成
したニッケルはケイ素支持体上に外層７として析出する
（図３）。このイオン還元が起こる間Ｋ、浴の化学作用
により同時にケイ素支持体の表面が活性化されて、析出
したニッケルがケイ素に強固に付着し、ケイ素上に有効
な持続性のめっきを形成す、る。めっ）されたニッケル
がオーム接点となるべきものである場合、ニッケルがめ
つきされたのち適切なケイ化ニッケルを生成させるため
にこれを焼結させる。

選択されたフッ化化合物がフッ化アンモニウムであるこ
とが必要ではないが好ましい。塩化ニッケル１０〜６４
２ｇ／耐よびフッ化アンモニウム１０〜４０ｇ／ｌを含
有するｐＨ約２〜６の浴を用いると、満足すべきめっき
が得られる。好ましい実施態様においては、水性浴が塩
化ニッケル（約６４０ｇ／／）およびフッ化アンモニウ
ム（約４０ｇ／ｌ　）よりなり、ｐＨ水準約４を有する
。さらに好ましい浴態様を採用しためつきは１７〜１０
０°Ｃの温度において行なうことにより好結果が得られ
る。ただし２０〜３０℃の温度が好ましい。

これに代わるフッ化化合物たとえばフッ化水素酸および
ＮＨ４Ｆ：擾雫用いてめっきを行なった場合も好結果が
得られる。フッ化水素酸の場合は、適切な浴組成は塩化
ニッケル（２００〜６００　ｇ／ｌ）およびフッ化水素
酸（２５〜５［１ｍＪｓ／ｌ）　　よりなり、ｐＨ２，
６〜２．８および温度２３℃であろう。Ｎ）（４Ｆ　：
ＨＦの場合、適切な浴は塩化ニッケル（３００ｇ／ｊ　
）およびＮＨ４Ｆ：ＨＦ（２０ｇ／ｌχよりなり、ｐＨ
３，２および温度２３℃のものであろう。このような浴
には約１７〜１００℃の範囲内の他の温度を採用するこ
ともできる。

ニッケルの析出速度は一般に浴中の特定のフッ化化合物
、ｐＨ水準、浴中、およびケイ素中の不純物量に依存す
る。さらに浴成分の濃度、およびめっきされるべき支持
体の表面積も析出速度に影響を与えるであろう。一般に
析出速度はｐＨ水準が上昇するのに伴なって増大し、温
度の上昇に伴なって析出速度が増大する。めっきはＰ−
型およびＮ−型双万のケイ素を用いて好結果が得られる
′が、めっき速度は用いるドーノくント（ｄｏｐａｎｔ
　）の種類および濃度によって異なる。一般に析出速度
はケイ素中の不純物濃度が増大するのに伴なって増大す
る。たとえば上記の好ましい浴組成、ｐＨおよび温度を
用いると、ケイ素ケ浴中に２分間浸漬することによって
厚さ２１００Ａ’のニッケル層がＰ−型ケイ素上に析出
するであろう。接点の浅い装置の場合、ニッケル層が約
５００〜２５００Ａ”、の厚さで析出することが好まし
い。接点がないかまたは接点の深い（すなわち１ミクロ
ン以上）装置にはこれと等しいかまたはそれよりも大き
な厚さが朋いられるであろう。接点の浅い装置には約１
５００か厚さが最も好ましい。

浴の寿命は析出速度に逆の関°係がある。浴のめつき能
は浴中の化学物質の濃度水準に関係がある。

塩化ニッケル（６４０ｇ／ｚ）おヨヒフツ化アンモニウ
ム（４０ｇ／ｌ　）よりなる浴１１７は、浴を再生する
必要なしに７，０００　ｃｍ以上のケイ素を平均厚さ２
０００Ａ”　ｖｃめっきした。再生すなわちもとの濃度
の再現は、浴に塩化ニッケルおよびフッ化アンモニウム
な追加することＫよって簡単に達成するととができる。

本発明のめつき法があらゆる領域の半導体装置、特に太
陽電池、および多量の出力を伴ないかっばんだ付けしう
るパッドを必要とする半導体装置だとえばＳＣＲのもの
に有用であることは当業者には容易に認められるであろ
う。この点で、本発明を用いた太陽電池の製造につき以
下に記載するが製造された製品として太陽電池を選択し
たのは単に例示にすぎず限定ではない。

図４〜７は上記のニッケルめっき法を用いた太陽電池の
製造につき示す。まず図４に関しては、米国特許第４，
１５２，８２４号明細薔に述べられかつ示された技術に
より製造された半導体本体が示されている。本体８は一
般に厚さ”’５２．５ｘ１ｏ　　鋼を有するＰ−型ケイ
素から作成されたケイ素支持体よりなる。領域１１は支
持体の背面に形成され、高導電率Ｐ十領域をなすように
Ｐ−型ドーパントを追加塗被されたＰ−型ケイ素よりな
る。領域１３は高導電率Ｎ十領域をなすように十分な量
のＮ−型ドーパントを塗被した支持体の前面に設けられ
る。二酸化ケイ素より形成される最上層１５が狽域１３
をおおう。′層１５は定められた部位において穿孔され
、図のように層１６を露出させる。層１３はこれらの部
分では開口１７の直下の深さに広がる。層１５は約５０
０ＯＡ’の深さに形成されてイルコトカ好マシ（、一方
層１１＆ｆ〉１０ＤＯｏＡ０）深さをもつ。さらに層１
６は開口１７の直下の部分でホ下５０００八〇の深さを
もち、他の部分では２３５００°八〇の深さをもつこと
が好ましい。

次いで半導体８を塩化ニッケルＣ６４０ｇ／ｌ）および
フッ化アンモニウム（４０ｇ／ｌりｖ金含有る温度２５
℃およびｐＨ４，６の浴に約１分間浸漬する。

その結果ニッケル層１９が開口１７に近接したケイ素表
面１６上に析出付着し、ニッケル層２１がケイ素支持体
の背面に析出付着てる。図５を参照されたい。しかし同
時に二酸化ケイ素上にはニッケルはほとんど析出付着し
ない。ニッケル層１９および２１は実質的に純粋なニッ
ケルよりなり、約８５ＯＡ”の深さをもつ。さらに安イ
素本体の側端面（図示されていない）上の二酸化ケイ素
は層１９のいずれかの部分が層２１に直接に接触するの
を防ぎ、これにより出来上った太陽電池の短絡を避ける
。図７では層１９が格子状であり、２５に示されるよう
に太陽電池領域１ろの一部を残す。

これらは露出して太陽エネルギーな受容する。

めっきが行なわれたのち、半導体８を脱イオン水中でｆ
ｊぎ、乾燥させる。これは半導体本体上に存在する可能
性のある遊離したニッケルまたは塩類を除去する作用を
する。次いで本体８を窒素または水素の雰囲気中で焼結
し、ニッケル領域とケイ素領域の接点におけるケイ化ニ
ッケル層２３（図６）の生成を促進する。実質的に純粋
なニッケルが実質的に純粋なケイ素に直接に接触してい
る場合にしばしば得られる整流接点よりもむしろオーム
接点をニッケルとケイ轡の接点が形成することがケイ化
ニッケル層によって保証されるので、ケイ化ニッケル層
２３の生成が望ましい。ニッケルが電極または接点とし
て用いられる場合、オーム接点が必要である。２５０〜
５５０℃の温度における焼結はＮｉ２Ｓｉの生成を促進
し、−万６５０〜７６０℃の温度における焼結はＮｉＳ
ｉ　の生成を促進するであろう。７６０℃を越える温度
における焼結はＮｉ８ｉ２の生成を促゛進するであろう
。接点の浅い装置には実際に用いられる最低のケイ化ニ
ッケル生成温度を採用することが望ましい。なぜならば
ケイ素中へのニッケルの拡散は温度の低下に伴なって減
少するからである。さらにケイ化ニッケル化合物Ｎｉ　
２Ｓｉが他の２種のケイ化物よりも好ましい。Ｎｉ２Ｓ
ｉは１分子につき他の２種のケイ化物よりも少量のケイ
素を消費する傾向ケもち、このためケイ化ニッケル層２
３がＮ＋ケイ累領領域１３完通することにより太陽電池
が作動不能となる可能性が少なくなるからである。接点
の浅い装置に関しては、焼結を２５０〜３５０℃で約１
５〜４０分間行なう。太陽電池など接点の浅い装置にと
って好ましい約３０　ＯＡ’の深さをもつＮｉ　２８ｉ
のケイ化ニッケル層を得るだ′めＫは２５０−３５０℃
の範囲の温度および約３０分間が必要である。接点の深
い装置または接点のない装置に関しては、接点の浅い装
置、と同じ温度で同じ期間あるいはこれよりも実質的に
高い温度および／またはこれよりも実質的に長い期間焼
結を行ない、ケイ化物Ｎｉ８ｉおよびＮｉＳｉ２の１種
以上（若干のＮｉ２Ｓｉの生成を含むかまたは含まない
）を生成させることができる。

焼結がなされた時点で半導体βを希（１０％）フッ化水
素酸浴に浸漬して酸化ケイ素層１５を腐食除去し、これ
により図７に示す出来上がった太陽電池が得られる。そ
こでこの太陽電池を当業者に周知の方法で用いて電気を
起こすことができる。

本発明の本質を変えることな（上記方法の各種変法およ
び追加ケ行ないうろことは容易に認められるであろう。

たとえば図６（焼結直後であってただし酸化ケイ素層１
５の除去前の半導体８を示す）に示された半導体をニッ
ケルめっき浴に再浸漬してニッケル層１９および２１上
に追加量のニッケルをめっきすることができる。焼結処
理によりしばしばニッケル層１９および２１がより多孔
性となりこのため接点としての適性が低下する傾向があ
るので、これが望ましい場合がある。この追加量のニッ
ケル析出は接点の性能を改善し、ニッケル層１９および
２１なはんだその他の接着材料に対しより受理しやすく
するのに役立つ。

他の予期される変法は、太陽電池の背面にアルミニウム
裏打ちを付加することよりなる。このアルミニウム層は
（真空蒸着その他の周知の技術により）層１１の形成前
にケイ素支持体９上にまたは層１１の形成後に施すこと
ができる。アルミニウム裏打ちが層１１の形成前に施さ
れる場合、アルミメラムはＰ−型ドーパントであるので
アルミニウム析出により層１１を形成することもできる
。

アル＜　ニウムが施されたのちめっきが普通に行なわれ
ニッケルは簡単にアルミニウムに付着する。

ニッケルがアルミニウム上に析出した部位では良好なオ
ーム接点を形成させるためにアルばニウム−ニッケル接
点を焼結する必要はない点に注目すべきである。従って
、アルミニウム裏打ちが採用された場合には焼結は太陽
電池前部のみに施すことができる。

太陽電池の製造に際して、浴中のフッ化アンモニウムの
代わりにフッ化水素酸を用いるかも知れない。この場合
、浴は塩化ニッケル（６４０ｇ／Ａ’）およびフッ化水
素酸（２５ｍｌ／ｌ）よりなり、ｐｔ−ｉ２．９および
２３℃であろう。この代替浴によれば前記と実質的に同
じ様式でケイ素上にニッケルめっきが得られる。しかし
、フッ化水素酸はニッケル析出な゛遮蔽するために用い
られる酸化ケイ素層１５を腐食離脱させる傾向をもつの
で上記の浴組成は太陽電池の製造に際し好ましいもので
はない点を留意すべきである。このような腐食の結果望
ましくない析出が起こる場合があり、これが短絡により
電池を不活化し、または電池の集光部の大部分をおおう
ことにより電池の効率を低下させる可能性がある。ニッ
ケル沈着のために酸化ケイ素の遮蔽を用いる可能性のあ
る他の半導体装置の製造て際しても、同様な問題が起こ
るであろう。さらに、フッ化水素酸を浴中に用いるとｐ
Ｈ制御に際して問題を生じる傾向がある。これらの理由
から、フッ化アンモニウムの代わりにフッ化水素酸を用
いることは好ましくない。装置の１面またはそれ以上の
面の特定部分に保護用の酸化ケイ素ケ有する装置をめっ
きするためにこの代替薬品を採用する必要があるならば
、保護されていない表面領域上にめっきが起こるのに十
分な期間であって保護用の酸化物層を腐食離脱させるほ
ど長くはない期間だけ浴に装置を浸漬する。

無電解めっきの代わりに本発明を用いることには多くの
利点がある。まずケイ素上にニッケルをめっきするため
に触媒前処理ケ行なう必要がない。

また、ニッケルと共にリン化ニッケルが産生じて沈着し
た金属を汚染することがない。さらに、アルミニウムを
浴中で用いても広範な腐食が起こることもない。さらに
またこのめっき法は優れた結果を与える一万、さほど複
雑ではない浴配合を使用する。

さらに本発明の利点は、ニッケルが接点を通過拡散し、
短絡を形成する危険性が少ないため太陽電池Ｉ／Ｃ２重
接点な作る必要性が少なくなることである。他の利へお
よび可能な改変は当業者には明らかであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は本発明な用いてケイ素支持体上にニ
ッケルをめつきてるための好ましい方法における各工程
を示す横断面図である。 第４図乃至第６図は本発明の好ましい実施態様を用いて
太陽電池ケ製造する方法における各工程を示す横断面図
である。 第７図は本発明の好ましい実施態様を用いて製造された
完成された太陽電池の透視図である。 １：支　持　体　　　３：ケイ素本体 ５：外　　層　　７：外　　層 ８：半導体本体　　１１：Ｐ−型ケイ素領域１３：Ｎ＋
領域　　　１５：最　上　層１７：開　　口　　　　１
９：ニツケル層２１：ニッケル層　　　２３：ケイ化ニ
ッケル層４ｔＬＱ出願人　　モービル・タイコ・ソラー
・エネルギーｅヲーポンーション

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）ケイ素本体にニッケルをめっきする方法であって
   、 （ａ）　　塩化ニッケルおよび水中でイオン化する選択
   されたフッ化化合物の水性浴中にケイ素本体を浸漬し、
   （ｂ）浴中のニッケルイオンが固体ニッケルに変化し、
   ケイ素本体上にその付着層として沈着するようにケイ素
   本体を浴中に保持し、（Ｃ）浴からケイ素本体を取り出
   すことよりなる方法。 （２）選択されたフッ化化合物がフッ化アンモニウムで
   ある、特許請求の範囲第１項記載の方法。 （３）浴が約６４．０ｇ／ｌの濃度の塩化ニッケルおよ
   び約４０ｇ／ｚの濃度のフッ化アンモニウムよりなる、
   特許請求の範囲第２項記載の方法。 （４）浴が約４のＰＨ−ｉ有する、特許請求の範囲第３
   項記載の方法。 （５）浴が約２０〜３０℃の温度ン有する、特許請求の
   範囲第３項記載の方法。 （６）ケイ素本体が酸化ケイ素で被覆された表面領域お
   よび酸化ケイ素を含まない表面領域を有し、これによっ
   て固体ニッケルが酸化ケイ素を含まない表面領域上にの
   み析出付着することよりなる、特許請求の範囲第２項記
   載の方法。 Ｖ）ケイ素本体と付着ニッケル層との間にケイ化ニッケ
   ル接点を形成させるべく付着ニッゲ茅層を焼結させる後
   続工程を含む、特許請求の範囲第１項記載の方法。 （８）焼結を窒素または水素の雰囲気中で行なうことよ
   りなる、特許請求の範囲第７項記載の方法。 （９１Ｎ１２Ｓｉ）形成ヲ促進−ｔ　ヘ＜　２５０−３
   ５０℃（１）温度で焼結を行なうことよりなる、特許請
   求の範囲第７項記載の方法。 （１０）　　ＮｉＳｉノ形成を促進すべく　３５０〜７
   ６０’Ｃ１７）温度で焼結を行なうことよりなる、特許
   請求の範囲第７項記較の方法。 （１１）　ＮｉＳｉ　２ノ形成ヲ促進すべく７６０℃を
   越える温度で焼結を行なうことよりなる、特許請求の範
   囲第７項記載の方法。 （１２）ケイ素本体上のニッケル層に追加のニッケルを
   析出付着させるために、焼結終了後にケイ素本体を浴に
   再浸漬することよりなる、特許請求の範囲第７項記載の
   方法。 （１３）フッ化化合物がフッ化水素酸である、特許請求
   の範囲第７項記載の方法。 （１４）浴が約３ｏｏｇ／ｊの濃度の塩化ニッケルおよ
   び約２５ｍ１ｓ／ｌの濃度のフッ化水素酸よりなる、特
   許請求の範囲第１６項記載の方法。 （１５）浴が約２．８のｐＨな有する、特許請求の範囲
   第１４項記載の方法。 （１６）浴が約２３℃の温度を有する、特許請求の範囲
   第１４項記載の方法。 （１７）ケイ素本体が浸漬前に酸化ケイ素で被覆された
   表面領域および酸化ケイ素ｌ含まない表面領域を有し、
   さらに酸化ケ゛イ素を含まずに浴中に入る領域でめっき
   が起こるのに十分な期間であって酸化ケイ素被膜を腐食
   離脱させるほど長（はない期間浸漬を継続することより
   なる、特許請求の範囲第１３項記載の方法。 （１８）光起電力半導体太陽電池を製造する方法であっ
   て、 １）第２の型の導電率をもつ領域を部分的に有し他は第
   １の型の導電率をもつケイ素半導体本体（ただし、第１
   の表面領域は酸化ケイ素で被覆され、第２の表面領域は
   酸化ケイ素を含まず、この第２の表面領域は上記最上領
   域上で格子型を形成している。）を作成し、 ２）塩化ニッケルおよび水中でイオン化する選択された
   フッー化化合物の水性浴中に上記半導体本体を浸漬し、 ３）ニッケル層が上記第２表面領域上に析出付着するの
   に十分な期間半導体本体を浴中に保持し、４）半導体本
   体を浴から取り出し、 ５）遊離したいかなる粒子ケも半導体本体から除去すべ
   （脱イオン水で半導体本体を洗浄し、６）ケイ素本体と
   付着ニッケル層との間にケイ化ニッケル接点を形成すべ
   く付着ニッケル層を焼結し、そして ７）半導体本体の第１の表面領域から酸化ケイ素を除去
   する ことよりなる方法。 （１９）選択されたフッ化化合物がフッ化アンモニウム
   である、特許請求の範囲第１９項記載の方法。 （２０）浴が約５００ｇ／Ｊの濃度の塩化ニッケルおよ
   び約４ｏｇ／ｌの濃度のフッ化アンモニウムよりなる、
   特許請求の範囲第１９項記載の方法。 （２１）浴が約４．５のｐＨを有する、特許請求の範囲
   第１９項記載の方法。 （２２）浴が約２３℃の温度を有する、特許請求の範囲
   第１９項記載の方法。 （２３）最上領域が約５０００Ａｏの深さを有する、特
   許請求の範囲第１８項記載の方法。 （２４）　厚さ約１５００Ａ０のニッケル層が形成され
   るのに十分な期間浴中に半導体本体を浸漬することより
   なる、特許請求の範囲第１８項記載の″方法。 （２５）焼結を約２５０〜６５０℃の温度で、ケイ化ニ
   ッケル接点が形成されるのに十分な期間であって最上領
   域からケイ素支持体に及ぶまで透過するほど長くはない
   期間行なうことよりなる、特許請求の範囲第１８項記載
   の方法。 （２６）焼結後に半導体本体上のニッケル層に追加のニ
   ッケルを析出させるべく浴中に半導体本体を再浸漬する
   ことより成る、特許請求の範囲第１８項記載の方法。