JP2002275639A5

JP2002275639A5 -

Info

Publication number: JP2002275639A5
Application number: JP2001325754A
Authority: JP
Filing date: 2001-10-24
Publication date: 2005-06-30

Description

したがって、本発明は、半導体ウェファーを回転するポリッシングパッドと接触させこれにより過剰の物質を除去する化学機械的プラナリゼーションプロセスにより、１μｍ以下の開口部を有する半導体ウェファーから過剰の物質を除去する方法であって、該開口部は、導電層と１μｍ以下の開口部を有する基体を無電解銅メッキ浴と接触させる段階；導電層上に銅メッキを開始する時間低電流密度を基体に付す段階；電流を停止する段階；および無電解メッキを継続して、銅シード層を提供する段階から得られるシード層堆積物を有する方法を提供する。
本発明は以下の態様を包含する。
（１）導電層および１μｍ以下の開口部を有する有する基体を無電解銅メッキ浴と接触させる段階；導電層上に銅のメッキが開始される時間、基体に低電流密度を付す段階；電流を停止する段階；および無電解メッキを継続させて銅シード層を提供する段階を含むシード層を堆積させる方法。
（２）導電層がバリア層である前記（１）に記載の方法。
（３）バリア層が、コバルト、コバルト−タングステン−リン、タングステン、窒化タングステンまたは窒化チタンである前記（２）に記載の方法。
（４）電流密度が約１０ｍＡ／ｃｍ ^２までである前記（１）に記載の方法。
（５）電流密度が約５ｍＡ／ｃｍ ^２までである前記（４）に記載の方法。
（６）該時間が約３０秒までである前記（１）に記載の方法。
（７）該時間が約１０秒から約３０秒までである前記（６）に記載の方法。
（８）開口部が５μｍ以下である前記（１）に記載の方法。
（９）導電層および１μｍ以下の開口部を有する電子デバイス基体を無電解銅メッキ浴と接触させる段階；導電層上への銅のメッキが開始される時間、電子デバイス基体を低電流密度に付す段階；電流を停止する段階；および無電解メッキを継続して銅シード層を提供する段階を含む、銅シード層を提供する段階を含む電子デバイスの製造法。
（１０）導電層がバリア層である前記（９）に記載の方法。
（１１）バリア層が、コバルト、コバルト−タングステン−リン、タングステン、窒化タングステンまたは窒化チタンである前記（１０）に記載の方法。
（１２）電流密度が約１０ｍＡ／ｃｍ ^２までである前記（９）に記載の方法。
（１３）電流密度が約５ｍＡ／ｃｍ ^２までである前記（１２）に記載の方法。
（１４）該時間が約３０秒までである前記（９）に記載の方法。
（１５）該時間が約１０秒から約３０秒までである前記（１４）に記載の方法。
（１６）開口部が５μｍ以下である前記（９）に記載の方法。
（１７）電子デバイスが集積回路である前記（９）に記載の方法。
（１８）基体がウェファーである前記（９）に記載の方法。
（１９）不連続なシード層を有する基体を無電解銅メッキ浴と接触させる段階；導電層上への銅メッキが開始される時間、基体を低電流密度に付す段階；電流を停止する段階；および無電解メッキを継続して実質的に連続したシード層を提供する段階を含む、基体上に堆積された不連続なシード層をエンハーンスする方法。
（２０）不連続シード層が銅または銅合金である前記（１９）に記載の方法。
（２１）電流密度が約１０ｍＡ／ｃｍ ^２までである前記（１９）に記載の方法。
（２２）電流密度が約５ｍＡ／ｃｍ ^２までである前記（２１）に記載の方法。
（２３）該時間が約３０秒までである前記（１９）に記載の方法。
（２４）該時間が約１０秒から約３０秒である前記（２３）に記載の方法。
（２５）開口部が５μｍ以下である前記（１９）に記載の方法。
（２６）基体がウェファーである前記（１９）に記載の方法。

Claims

不連続な銅シード層、導電層および１μｍ以下の開口部を有する集積回路基体を提供する段階；集積回路基体を無電解銅メッキ浴と接触させる段階；導電層上への銅のメッキが開始される時間、集積回路基体を低電流密度に付す段階；電流を停止する段階；および無電解メッキを継続して実質的に連続した銅シード層を提供する段階を含む、集積回路の製造法であって、無電解銅メッキ浴が可溶性形態の銅イオン、１以上の還元剤、水、１以上の塩基、任意に１以上の錯生成剤、および任意に１以上の有機溶媒からなる方法。
導電層、不連続な銅シード層および１μｍ以下の開口部を有する基体を無電解銅メッキ浴と接触させる段階；導電層上への銅メッキが開始される時間、基体を低電流密度に付す段階；電流を停止する段階；および無電解メッキを継続して実質的に連続した銅シード層を提供する段階を含む、集積回路基体上に堆積された不連続なシード層をエンハーンスする方法であって、無電解銅メッキ浴が可溶性形態の銅イオン、１以上の還元剤、水、１以上の塩基、任意に１以上の錯生成剤、および任意に１以上の有機溶媒からなる方法。
導電層がバリア層である請求項１記載の方法。
バリア層が、コバルト、コバルト−タングステン−リン、タングステン、窒化タングステンまたは窒化チタンである請求項３記載の方法。
電流密度が約１０ｍＡ／ｃｍ^２までである請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
該時間が約３０秒までである請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
基体がウェファーである請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。