JP3336034B2 - スパッタリング・ターゲットの製造方法 - Google Patents
スパッタリング・ターゲットの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｔｅ合金を加圧焼結さ
せることによって光記録膜形成用のスパッタリング・タ
ーゲットとなる焼結体を形成するスパッタリング・ター
ゲットの製造方法に関するものである。
せることによって光記録膜形成用のスパッタリング・タ
ーゲットとなる焼結体を形成するスパッタリング・ター
ゲットの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光記録膜は、光ビームを用いて非接触に
情報の記録・消去を可能成らしめる記録媒体で、従来の
磁気記録媒体と比較すると数十倍から数百倍という大き
な記憶容量を得ることができるため、今後の情報化時代
を担う記録手段として、期待されている。
情報の記録・消去を可能成らしめる記録媒体で、従来の
磁気記録媒体と比較すると数十倍から数百倍という大き
な記憶容量を得ることができるため、今後の情報化時代
を担う記録手段として、期待されている。
【０００３】この光記録膜としては、Ｇｅa Ｓｂb Ｔｅ
c 合金やＩｎc Ｓｂd Ｔｅe 合金等で代表されるＴｅ
（テルル）合金によるものが著名であり（特開昭６３−
１００６３２号公報参照）、Ｔｅ合金による光記録膜
は、通常、Ｔｅ合金の焼結体をターゲットとして、スパ
ッタリング法によって形成されている。
c 合金やＩｎc Ｓｂd Ｔｅe 合金等で代表されるＴｅ
（テルル）合金によるものが著名であり（特開昭６３−
１００６３２号公報参照）、Ｔｅ合金による光記録膜
は、通常、Ｔｅ合金の焼結体をターゲットとして、スパ
ッタリング法によって形成されている。
【０００４】ところで、Ｔｅ合金による光記録膜形成用
のスパッタリング・ターゲットの製造方法としては、従
来より、溶解鋳造法や粉末焼結法が知られている（特開
昭６１−１２４５６５号公報参照）。しかし、Ｔｅ合金
は、鋳造性が悪く、また、脆くて加工が難しいことか
ら、溶解鋳造法よりも、粉末焼結法が好ましく、焼結温
度を原料の融点の０．７５〜０．９５倍とした固相焼結
法が開発されている。
のスパッタリング・ターゲットの製造方法としては、従
来より、溶解鋳造法や粉末焼結法が知られている（特開
昭６１−１２４５６５号公報参照）。しかし、Ｔｅ合金
は、鋳造性が悪く、また、脆くて加工が難しいことか
ら、溶解鋳造法よりも、粉末焼結法が好ましく、焼結温
度を原料の融点の０．７５〜０．９５倍とした固相焼結
法が開発されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、原料となるＴ
ｅ合金が、例えば、結晶化速度制御等を目的とした非化
学量論組成比であったり、さらに他の元素が添加される
ために、複数相の金属間化合物で構成される合金系とな
る場合には、従来の固相焼結法等では、焼結密度を高め
ることが難しく、焼結密度が低いことに起因して、例え
ば、強度が低下して加工中に破損し易いとか、スパッタ
リング・ターゲットとしての使用中に異常放電が発生し
易いとか、放出ガスが多くてスパッタリング雰囲気が悪
化するなどの種々の問題が発生する恐れがあった。
ｅ合金が、例えば、結晶化速度制御等を目的とした非化
学量論組成比であったり、さらに他の元素が添加される
ために、複数相の金属間化合物で構成される合金系とな
る場合には、従来の固相焼結法等では、焼結密度を高め
ることが難しく、焼結密度が低いことに起因して、例え
ば、強度が低下して加工中に破損し易いとか、スパッタ
リング・ターゲットとしての使用中に異常放電が発生し
易いとか、放出ガスが多くてスパッタリング雰囲気が悪
化するなどの種々の問題が発生する恐れがあった。
【０００６】本発明は、前記事情に鑑みてなされたもの
で、複数相の金属間化合物で構成されるＴｅ合金を原料
として光記録膜形成用のスパッタリング・ターゲットと
しての焼結体を形成する場合に、高密度で均一なスパッ
タリング・ターゲットを得ることのできるスパッタリン
グ・ターゲットの製造方法を提供することを目的とす
る。
で、複数相の金属間化合物で構成されるＴｅ合金を原料
として光記録膜形成用のスパッタリング・ターゲットと
しての焼結体を形成する場合に、高密度で均一なスパッ
タリング・ターゲットを得ることのできるスパッタリン
グ・ターゲットの製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るスパッタリ
ング・ターゲットの製造方法は、複数相の金属間化合物
で構成されるＴｅ合金粉体を加圧焼結させることによっ
て光記録膜形成用のスパッタリング・ターゲットとなる
焼結体を形成するもので、焼結温度を、前記Ｔｅ合金を
構成する各相の内で融点が一番高い最高温相の融点より
も５〜２０℃だけ低い温度範囲で、かつ、前記最高温相
以外のすべての相が溶融する温度に設定する。
ング・ターゲットの製造方法は、複数相の金属間化合物
で構成されるＴｅ合金粉体を加圧焼結させることによっ
て光記録膜形成用のスパッタリング・ターゲットとなる
焼結体を形成するもので、焼結温度を、前記Ｔｅ合金を
構成する各相の内で融点が一番高い最高温相の融点より
も５〜２０℃だけ低い温度範囲で、かつ、前記最高温相
以外のすべての相が溶融する温度に設定する。
【０００８】
【作用】本発明に係るスパッタリング・ターゲットの製
造方法では、材料のＴｅ合金を構成する各相の内で融点
が一番高い最高温相以外の相は焼結温度で溶解し、液相
存在化で焼結がなされることになり、これによって、相
対密度が９０％以上の高密度で均一化された焼結体を得
ることが可能になる。そして、この高密度化および均一
化によって、機械的強度が改善されて機械加工中におけ
る脆性による破損が減少すると同時に、スパッタリング
時の異常放電を防止し、また放出ガスによるスパッタリ
ング雰囲気の悪化を防止することが可能になり、高品位
の光記録膜の形成が可能になる。
造方法では、材料のＴｅ合金を構成する各相の内で融点
が一番高い最高温相以外の相は焼結温度で溶解し、液相
存在化で焼結がなされることになり、これによって、相
対密度が９０％以上の高密度で均一化された焼結体を得
ることが可能になる。そして、この高密度化および均一
化によって、機械的強度が改善されて機械加工中におけ
る脆性による破損が減少すると同時に、スパッタリング
時の異常放電を防止し、また放出ガスによるスパッタリ
ング雰囲気の悪化を防止することが可能になり、高品位
の光記録膜の形成が可能になる。
【０００９】
［第１実施例］図１は、本発明に係るスパッタリング・
ターゲットの製造方法の第１実施例としての製造手順を
示したものである。この第１実施例は、Ｇｅ1 Ｓｂ2 Ｔ
ｅ4 （at％）を基本にＳｂを付加した合金組成のスパッ
タリング・ターゲットを得るものである。
ターゲットの製造方法の第１実施例としての製造手順を
示したものである。この第１実施例は、Ｇｅ1 Ｓｂ2 Ｔ
ｅ4 （at％）を基本にＳｂを付加した合金組成のスパッ
タリング・ターゲットを得るものである。
【００１０】まず、Ｇｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ4 （at％）を基本
にＳｂを付加した合金組成のスパッタリング・ターゲッ
トを得ることを前提として、Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅの各元素
を所定の割合で配合する（ステップ１１）。
にＳｂを付加した合金組成のスパッタリング・ターゲッ
トを得ることを前提として、Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅの各元素
を所定の割合で配合する（ステップ１１）。
【００１１】次いで、配合が終了した原料（Ｇｅ，Ｓ
ｂ，Ｔｅの混合材料）を、Ａｒガス雰囲気下９００℃で
溶解し、カーボン鋳型で鋳造する（ステップ１２）。次
いで、その鋳造品をスタンプミルにより粉砕して、２０
０メッシュ（mesh）に分級する（ステップ１３）。
ｂ，Ｔｅの混合材料）を、Ａｒガス雰囲気下９００℃で
溶解し、カーボン鋳型で鋳造する（ステップ１２）。次
いで、その鋳造品をスタンプミルにより粉砕して、２０
０メッシュ（mesh）に分級する（ステップ１３）。
【００１２】前記ステップ１３の分級によって得た合金
粉の熱分析結果を図２に示す。図２のグラフでは、左側
の縦軸に重量減少率を目盛り、横軸には時間を目盛り、
右側の縦軸には、熱量変化および温度を目盛っている。
図２に表されるように、この第１実施例で原料としたＴ
ｅ合金は、５３８．２℃および５７４．２℃に融点を持
つ二相分離型となる。
粉の熱分析結果を図２に示す。図２のグラフでは、左側
の縦軸に重量減少率を目盛り、横軸には時間を目盛り、
右側の縦軸には、熱量変化および温度を目盛っている。
図２に表されるように、この第１実施例で原料としたＴ
ｅ合金は、５３８．２℃および５７４．２℃に融点を持
つ二相分離型となる。
【００１３】次いで、ステップ１３によって得た粉末を
黒鉛型に充填し、Ｈ2 ガスを４％含むＡｒガス雰囲気下
で、加圧・焼成を行って、光記録膜形成用のスパッタリ
ング・ターゲットとなる焼結体とした。その時の加圧力
は１００ｋｇ／ｃｍ2 、焼結温度は５６０℃（図２に示
した低温相の融点５３８．２℃よりも高く、高温相の融
点５７４．２℃よりも１４．２℃だけ低い温度である）
とした（ステップ１４）。
黒鉛型に充填し、Ｈ2 ガスを４％含むＡｒガス雰囲気下
で、加圧・焼成を行って、光記録膜形成用のスパッタリ
ング・ターゲットとなる焼結体とした。その時の加圧力
は１００ｋｇ／ｃｍ2 、焼結温度は５６０℃（図２に示
した低温相の融点５３８．２℃よりも高く、高温相の融
点５７４．２℃よりも１４．２℃だけ低い温度である）
とした（ステップ１４）。
【００１４】この第１実施例で製造した焼結体につい
て、密度を測定した。次の表１は、従来の固相焼結法で
形成した焼結体と比較して、前記第１実施例の密度を示
したものである。なお、固相焼結法で形成する焼結体で
は、その製造法の違いから、加圧力や焼結温度が第１実
施例の場合と異なっているが、原料となるＴｅ合金の粉
末は第１実施例と共通にした。
て、密度を測定した。次の表１は、従来の固相焼結法で
形成した焼結体と比較して、前記第１実施例の密度を示
したものである。なお、固相焼結法で形成する焼結体で
は、その製造法の違いから、加圧力や焼結温度が第１実
施例の場合と異なっているが、原料となるＴｅ合金の粉
末は第１実施例と共通にした。
【００１５】
【表１】 表１から明らかなように、従来の固相焼結法による焼結
体では相対密度（実測密度と理論密度との比）が約６０
％程度と低いのに対して、第１実施例による焼結体で
は、相対密度が約９５．２％という高密度であることが
確認された。
体では相対密度（実測密度と理論密度との比）が約６０
％程度と低いのに対して、第１実施例による焼結体で
は、相対密度が約９５．２％という高密度であることが
確認された。
【００１６】また、この焼結体の組成の均一性を調べる
ために、第１実施例による焼結体を上部，中部，下部の
３つの部位に分けてＩＣＰ分析を行ったが、組成のずれ
は検出できず、焼結体全体にわたって均一であることが
確認された。
ために、第１実施例による焼結体を上部，中部，下部の
３つの部位に分けてＩＣＰ分析を行ったが、組成のずれ
は検出できず、焼結体全体にわたって均一であることが
確認された。
【００１７】そして、この第１実施例で製造した焼結体
をターゲットとしてスパッタリングを行ったところ、異
常放電もなく、また放出ガスによってスパッタリング雰
囲気が悪化することもなく、良好にスパッタリングが行
え、高品位の光記録膜を形成することができた。
をターゲットとしてスパッタリングを行ったところ、異
常放電もなく、また放出ガスによってスパッタリング雰
囲気が悪化することもなく、良好にスパッタリングが行
え、高品位の光記録膜を形成することができた。
【００１８】また、従来の場合と比較して加工中の破損
が起りにくく、上述の高密度化によって強度が改善され
ていることも確認された。
が起りにくく、上述の高密度化によって強度が改善され
ていることも確認された。
【００１９】『実施例に対する補足１』なお、本願発明
者等は、多数の実験を繰り返し、鋭意考究した結果、前
述の高密度化や均一化といった効果を得るには、液相存
在下で焼結させることが不可欠となるが、さらに、焼結
温度をＴｅ合金の高温相の融点下の特定の範囲に設定す
ることで、著しい効果が得られることを突き止めた。
者等は、多数の実験を繰り返し、鋭意考究した結果、前
述の高密度化や均一化といった効果を得るには、液相存
在下で焼結させることが不可欠となるが、さらに、焼結
温度をＴｅ合金の高温相の融点下の特定の範囲に設定す
ることで、著しい効果が得られることを突き止めた。
【００２０】この点について詳述すると次の如くであ
る。
る。
【００２１】まず、具体的な実験例で説明すると、前述
の第１実施例において、焼結温度のみを変更して、焼結
体の相対密度を比較した場合、焼結温度が５５０℃（高
温相の融点よりも２４．２℃だけ低い）のときは相対密
度が８５％程度、５６０℃（高温相の融点よりも１４．
２℃だけ低い）のときは相対密度が９５％程度、５６４
〜５６９℃の範囲では相対密度が９８〜１００％になっ
た。
の第１実施例において、焼結温度のみを変更して、焼結
体の相対密度を比較した場合、焼結温度が５５０℃（高
温相の融点よりも２４．２℃だけ低い）のときは相対密
度が８５％程度、５６０℃（高温相の融点よりも１４．
２℃だけ低い）のときは相対密度が９５％程度、５６４
〜５６９℃の範囲では相対密度が９８〜１００％になっ
た。
【００２２】前述の第１実施例におけるＴｅ合金では、
焼結温度を５４０〜５７０℃の範囲に設定すれば、いず
れも液相存在下で焼結させることができるが、焼結温度
によって相対密度に差異が生じる。さらに、種々の焼結
温度について実験した結果、第１実施例の合金組成の場
合は、５５４．２〜５６９．２℃の範囲内に設定した場
合には、いずれも、相対密度が９０％以上になるという
好結果が得られた。そして、この相対密度が９０％以上
の焼結体では、いずれも、スパッタリング時に異常放電
も発生せず、また放出ガスによってスパッタリング雰囲
気が悪化することもなく、良好にスパッタリングが行
え、高品位の光記録膜を形成できることが確認でき、さ
らに、高密度化によって強度が改善されていることも確
認することができた。
焼結温度を５４０〜５７０℃の範囲に設定すれば、いず
れも液相存在下で焼結させることができるが、焼結温度
によって相対密度に差異が生じる。さらに、種々の焼結
温度について実験した結果、第１実施例の合金組成の場
合は、５５４．２〜５６９．２℃の範囲内に設定した場
合には、いずれも、相対密度が９０％以上になるという
好結果が得られた。そして、この相対密度が９０％以上
の焼結体では、いずれも、スパッタリング時に異常放電
も発生せず、また放出ガスによってスパッタリング雰囲
気が悪化することもなく、良好にスパッタリングが行
え、高品位の光記録膜を形成できることが確認でき、さ
らに、高密度化によって強度が改善されていることも確
認することができた。
【００２３】第１実施例の合金組成において、５５４．
２〜５６９．２℃という温度範囲は、Ｔｅ合金を構成す
る各相の内の高温相の融点（第１実施例の場合、５７
４．２℃）よりも５〜２０℃だけ低い温度範囲である。
２〜５６９．２℃という温度範囲は、Ｔｅ合金を構成す
る各相の内の高温相の融点（第１実施例の場合、５７
４．２℃）よりも５〜２０℃だけ低い温度範囲である。
【００２４】［第２実施例］図３は、本発明に係るスパ
ッタリング・ターゲットの製造方法の第２実施例として
の製造手順を示したものである。この第２実施例は、Ｇ
ｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 （at％）を基本にＳｂを付加した合金
組成のスパッタリング・ターゲットを得るものである。
合金組成が第１実施例とは異なるため、焼結温度が第１
実施例の場合と違っているが、基本的な製造手順は、第
１実施例と同様である。
ッタリング・ターゲットの製造方法の第２実施例として
の製造手順を示したものである。この第２実施例は、Ｇ
ｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 （at％）を基本にＳｂを付加した合金
組成のスパッタリング・ターゲットを得るものである。
合金組成が第１実施例とは異なるため、焼結温度が第１
実施例の場合と違っているが、基本的な製造手順は、第
１実施例と同様である。
【００２５】即ち、まず、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 （at％）
を基本にＳｂを付加した合金組成のスパッタリング・タ
ーゲットを得ることを前提として、Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅの
各元素を所定の割合で配合する（ステップ２１）。
を基本にＳｂを付加した合金組成のスパッタリング・タ
ーゲットを得ることを前提として、Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅの
各元素を所定の割合で配合する（ステップ２１）。
【００２６】次いで、配合が終了した原料（Ｇｅ，Ｓ
ｂ，Ｔｅの混合材料）を、Ａｒガス雰囲気下９００℃で
溶解し、カーボン鋳型で鋳造する（ステップ２２）。次
いで、その鋳造品をスタンプミルにより粉砕して、２０
０メッシュ（mesh）に分級する（ステップ２３）。
ｂ，Ｔｅの混合材料）を、Ａｒガス雰囲気下９００℃で
溶解し、カーボン鋳型で鋳造する（ステップ２２）。次
いで、その鋳造品をスタンプミルにより粉砕して、２０
０メッシュ（mesh）に分級する（ステップ２３）。
【００２７】前記ステップ２３の分級によって得た合金
粉の熱分析結果を図４に示す。図４のグラフでは、左側
の縦軸に重量減少率を目盛り、横軸には時間を目盛り、
右側の縦軸には、熱量変化および温度を目盛っている。
図４に表されるように、この第２実施例で原料としたＴ
ｅ合金は、３９８．４℃および５８９．１℃に融点を持
つ二相分離型となる。
粉の熱分析結果を図４に示す。図４のグラフでは、左側
の縦軸に重量減少率を目盛り、横軸には時間を目盛り、
右側の縦軸には、熱量変化および温度を目盛っている。
図４に表されるように、この第２実施例で原料としたＴ
ｅ合金は、３９８．４℃および５８９．１℃に融点を持
つ二相分離型となる。
【００２８】次いで、ステップ２３によって得た粉末を
黒鉛型に充填し、Ｈ2 ガスを４％含むＡｒガス雰囲気下
で、加圧・焼成を行って、光記録膜形成用のスパッタリ
ング・ターゲットとなる焼結体とした。その時の加圧力
は１００ｋｇ／ｃｍ2 、焼結温度は５８０℃（図４に示
した高温相の融点５８９．１℃と比較すると、９．１℃
だけ低い）とした（ステップ２４）。
黒鉛型に充填し、Ｈ2 ガスを４％含むＡｒガス雰囲気下
で、加圧・焼成を行って、光記録膜形成用のスパッタリ
ング・ターゲットとなる焼結体とした。その時の加圧力
は１００ｋｇ／ｃｍ2 、焼結温度は５８０℃（図４に示
した高温相の融点５８９．１℃と比較すると、９．１℃
だけ低い）とした（ステップ２４）。
【００２９】この第２実施例で製造した焼結体につい
て、密度を測定した。次の表２は、従来の固相焼結法で
形成した焼結体と比較して、前記第２実施例の密度を示
したものである。なお、固相焼結法で形成する焼結体で
は、その製造法の違いから、加圧力や焼結温度が第２実
施例の場合と異なっているが、原料となるＴｅ合金の粉
末は第２実施例と共通にした。
て、密度を測定した。次の表２は、従来の固相焼結法で
形成した焼結体と比較して、前記第２実施例の密度を示
したものである。なお、固相焼結法で形成する焼結体で
は、その製造法の違いから、加圧力や焼結温度が第２実
施例の場合と異なっているが、原料となるＴｅ合金の粉
末は第２実施例と共通にした。
【００３０】
【表２】 表２から明らかなように、従来の固相焼結法による焼結
体では相対密度（実測密度と理論密度との比）が約６
６．７％程度と低いのに対して、第２実施例による焼結
体では、相対密度が約９８．３％という高密度であるこ
とが確認された。また、この焼結体の組成の均一性を調
べるために、第２実施例による焼結体を上部，中部，下
部の３つの部位に分けてＩＣＰ分析を行ったが、組成の
ずれは検出できず、焼結体全体にわたって均一であるこ
とが確認された。
体では相対密度（実測密度と理論密度との比）が約６
６．７％程度と低いのに対して、第２実施例による焼結
体では、相対密度が約９８．３％という高密度であるこ
とが確認された。また、この焼結体の組成の均一性を調
べるために、第２実施例による焼結体を上部，中部，下
部の３つの部位に分けてＩＣＰ分析を行ったが、組成の
ずれは検出できず、焼結体全体にわたって均一であるこ
とが確認された。
【００３１】そして、この第２実施例で製造した焼結体
をターゲットとしてスパッタリングを行ったところ、異
常放電もなく、また放出ガスによってスパッタリング雰
囲気が悪化することもなく、良好にスパッタリングが行
え、高品位の光記録膜を形成することができた。
をターゲットとしてスパッタリングを行ったところ、異
常放電もなく、また放出ガスによってスパッタリング雰
囲気が悪化することもなく、良好にスパッタリングが行
え、高品位の光記録膜を形成することができた。
【００３２】また、従来の場合と比較して加工中の破損
が起りにくく、上述の高密度化によって強度が改善され
ていることも確認された。
が起りにくく、上述の高密度化によって強度が改善され
ていることも確認された。
【００３３】『実施例に対する補足２』なお、本願発明
者等は、第２実施例のＴｅ合金についても、焼結温度の
みを変更し、それ以外の条件は第２実施例に示したまま
で焼結体の製造を行い、焼結温度と相対密度との関係を
調べた。
者等は、第２実施例のＴｅ合金についても、焼結温度の
みを変更し、それ以外の条件は第２実施例に示したまま
で焼結体の製造を行い、焼結温度と相対密度との関係を
調べた。
【００３４】前述の第２実施例において、焼結温度が５
６０℃（高温相の融点よりも２９．１℃だけ低い）のと
きは相対密度が８５％程度、５７０℃（高温相の融点よ
りも１９．１℃だけ低い）のときは相対密度が９５％程
度、５８０〜５８４℃の範囲では相対密度がほぼ１００
％になった。
６０℃（高温相の融点よりも２９．１℃だけ低い）のと
きは相対密度が８５％程度、５７０℃（高温相の融点よ
りも１９．１℃だけ低い）のときは相対密度が９５％程
度、５８０〜５８４℃の範囲では相対密度がほぼ１００
％になった。
【００３５】前述の第２実施例におけるＴｅ合金では、
焼結温度を４００〜５８４℃の範囲に設定すれば、いず
れも液相存在下で焼結させることができるが、焼結温度
によって相対密度に差異が生じる。さらに、種々の焼結
温度について実験した結果、第２実施例の合金組成の場
合は、５６９．１〜５８４．１℃の範囲内に設定した場
合には、いずれも、相対密度が９０％以上になるという
好結果が得られた。そして、この相対密度が９０％以上
の焼結体では、いずれも、スパッタリング時に異常放電
も発生せず、また放出ガスによってスパッタリング雰囲
気が悪化することもなく、良好にスパッタリングが行
え、高品位の光記録膜を形成できることが確認でき、さ
らに、高密度化によって強度が改善されていることも確
認することができた。
焼結温度を４００〜５８４℃の範囲に設定すれば、いず
れも液相存在下で焼結させることができるが、焼結温度
によって相対密度に差異が生じる。さらに、種々の焼結
温度について実験した結果、第２実施例の合金組成の場
合は、５６９．１〜５８４．１℃の範囲内に設定した場
合には、いずれも、相対密度が９０％以上になるという
好結果が得られた。そして、この相対密度が９０％以上
の焼結体では、いずれも、スパッタリング時に異常放電
も発生せず、また放出ガスによってスパッタリング雰囲
気が悪化することもなく、良好にスパッタリングが行
え、高品位の光記録膜を形成できることが確認でき、さ
らに、高密度化によって強度が改善されていることも確
認することができた。
【００３６】第２実施例の合金組成において、５６９．
１〜５８４．１℃という温度範囲は、Ｔｅ合金を構成す
る各相の内の高温相の融点（第２実施例の場合、５８
９．１℃）よりも５〜２０℃だけ低い温度範囲である。
１〜５８４．１℃という温度範囲は、Ｔｅ合金を構成す
る各相の内の高温相の融点（第２実施例の場合、５８
９．１℃）よりも５〜２０℃だけ低い温度範囲である。
【００３７】本願発明者等は、更に実験を重ねた結果、
前述の二つの実施例に示した金属組成以外でも、２相構
造のＴｅ合金の場合は、焼結温度を、低温相の融点温度
以上で、かつ高温相の融点温度よりも５〜２０℃だけ低
い温度範囲に設定することによって、相対密度を９０％
以上に高密度化し、均一化できることを確認した。そし
て、この高密度化や均一化によって、機械的強度が改善
されて機械加工中における脆性による破損が減少すると
同時に、スパッタリング時に異常放電も発生せず、また
放出ガスによってスパッタリング雰囲気が悪化すること
もなく、良好にスパッタリングが行え、高品位の光記録
膜を形成できることを確認した。
前述の二つの実施例に示した金属組成以外でも、２相構
造のＴｅ合金の場合は、焼結温度を、低温相の融点温度
以上で、かつ高温相の融点温度よりも５〜２０℃だけ低
い温度範囲に設定することによって、相対密度を９０％
以上に高密度化し、均一化できることを確認した。そし
て、この高密度化や均一化によって、機械的強度が改善
されて機械加工中における脆性による破損が減少すると
同時に、スパッタリング時に異常放電も発生せず、また
放出ガスによってスパッタリング雰囲気が悪化すること
もなく、良好にスパッタリングが行え、高品位の光記録
膜を形成できることを確認した。
【００３８】なお、前述の２つの実施例では、Ｔｅ合金
として２相構造のものを示したが、３相以上の金属間化
合物で構成されるＴｅ合金を原料とする場合には、Ｔｅ
合金を構成する各相の内で融点が一番高い最高温相の融
点よりも５〜２０℃だけ低い温度範囲で、かつ、前記最
高温相以外のすべての相が溶融する温度を焼結温度とし
て設定すると、前述の実施例と同様に液相存在化で焼結
体を形成することができ、相対密度を９０％以上に高密
度化すると同時に均一化することが可能になる。
として２相構造のものを示したが、３相以上の金属間化
合物で構成されるＴｅ合金を原料とする場合には、Ｔｅ
合金を構成する各相の内で融点が一番高い最高温相の融
点よりも５〜２０℃だけ低い温度範囲で、かつ、前記最
高温相以外のすべての相が溶融する温度を焼結温度とし
て設定すると、前述の実施例と同様に液相存在化で焼結
体を形成することができ、相対密度を９０％以上に高密
度化すると同時に均一化することが可能になる。
【００３９】
【発明の効果】本発明に係るスパッタリング・ターゲッ
トの製造方法では、材料のＴｅ合金を構成する各相の内
で融点が一番高い最高温相以外の相は焼結温度で溶解
し、液相存在化で焼結がなされることになり、これによ
って、相対密度が９０％以上の高密度で均一化された焼
結体を得ることが可能になる。そして、この高密度化お
よび均一化によって、機械的強度が改善されて機械加工
中における脆性による破損が減少すると同時に、スパッ
タリング時の異常放電を防止し、また放出ガスによるス
パッタリング雰囲気の悪化を防止することが可能にな
り、高品位の光記録膜の形成が可能になる。
トの製造方法では、材料のＴｅ合金を構成する各相の内
で融点が一番高い最高温相以外の相は焼結温度で溶解
し、液相存在化で焼結がなされることになり、これによ
って、相対密度が９０％以上の高密度で均一化された焼
結体を得ることが可能になる。そして、この高密度化お
よび均一化によって、機械的強度が改善されて機械加工
中における脆性による破損が減少すると同時に、スパッ
タリング時の異常放電を防止し、また放出ガスによるス
パッタリング雰囲気の悪化を防止することが可能にな
り、高品位の光記録膜の形成が可能になる。
【図１】本発明の第１実施例の手順を示したフローチャ
ートである。
ートである。
【図２】本発明の第１実施例のＴｅ合金の熱分析結果の
説明図である。
説明図である。
【図３】本発明の第２実施例の手順を示したフローチャ
ートである。
ートである。
【図４】本発明の第２実施例のＴｅ合金の熱分析結果の
説明図である。
説明図である。
１１〜１４ 第１実施例の製造ステップ ２１〜２２ 第２実施例の製造ステップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永田 長寿 東京都千代田区丸の内一丁目８番２号 同和鉱業 株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−1146（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−114132（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−122027（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−185805（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−113350（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−132772（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 B22F 3/14 C22C 1/05
Claims (1)
- 【請求項１】複数相の金属間化合物で構成されるＴｅ合
金を加圧焼結させることによって光記録膜形成用のスパ
ッタリング・ターゲットとなる焼結体を形成するスパッ
タリング・ターゲットの製造方法であって、前記Ｔｅ合金を鋳造した後、粉砕してＴｅ合金粉体と
し、 前記Ｔｅ合金を構成する各相の内で融点が一番高い最高
温相の融点よりも５〜２０℃だけ低い温度範囲で、か
つ、前記最高温相以外のすべての相が溶融する温度を焼
結温度として、前記Ｔｅ合金粉体を焼結させることを特
徴とするスパッタリング・ターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11895292A JP3336034B2 (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | スパッタリング・ターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11895292A JP3336034B2 (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | スパッタリング・ターゲットの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05311423A JPH05311423A (ja) | 1993-11-22 |
| JP3336034B2 true JP3336034B2 (ja) | 2002-10-21 |
Family
ID=14749324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11895292A Expired - Fee Related JP3336034B2 (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | スパッタリング・ターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3336034B2 (ja) |
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| KR101097112B1 (ko) | 2006-11-02 | 2011-12-22 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 금속 박막의 ｃｖｄ/ａｌｄ용으로 유용한 안티몬 및 게르마늄 착체 |
| WO2009034775A1 (ja) * | 2007-09-13 | 2009-03-19 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 焼結体の製造方法、焼結体、当該焼結体からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲット－バッキングプレート組立体 |
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| US8674127B2 (en) | 2008-05-02 | 2014-03-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Antimony compounds useful for deposition of antimony-containing materials |
| KR101329449B1 (ko) | 2009-05-22 | 2013-11-14 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 저온 ｇｓｔ 방법 |
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| US8410468B2 (en) | 2009-07-02 | 2013-04-02 | Advanced Technology Materials, Inc. | Hollow GST structure with dielectric fill |
| TW201132787A (en) | 2010-03-26 | 2011-10-01 | Advanced Tech Materials | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
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-
1992
- 1992-05-12 JP JP11895292A patent/JP3336034B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05311423A (ja) | 1993-11-22 |
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