JP3335853B2 - 可変減衰器 - Google Patents

可変減衰器

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JP3335853B2
JP3335853B2 JP27642396A JP27642396A JP3335853B2 JP 3335853 B2 JP3335853 B2 JP 3335853B2 JP 27642396 A JP27642396 A JP 27642396A JP 27642396 A JP27642396 A JP 27642396A JP 3335853 B2 JP3335853 B2 JP 3335853B2
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G1/00Details of arrangements for controlling amplification
    • H03G1/0005Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
    • H03G1/0088Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using discontinuously variable devices, e.g. switch-operated
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/24Frequency-independent attenuators

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  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、利得制御信号に
応じて利得が可変設定される可変減衰器に関し、特に携
帯無線機等の無線機に使用して好適な可変減衰器に関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、情報のパーソナル化が進み、携帯
電話や自動車セルラーなどの無線機器の需要が増大して
いる。また、携帯電話等の加入者の増大に伴い、多くの
無線チャネル数を得るため無線機器が扱う周波数は高く
なってきている。たとえば、日本におけるPHS(パー
ソナルハンディホンシステム)では、搬送周波数として
1.9GHzが使われるようになってきている。一方、
デバイス開発、高速回路技術、実装技術の進歩により、
高速信号を扱える無線機器端末の小型化が実現できるよ
うになってきた。
【0003】しかし、携帯無線端末は電池駆動を必要と
するため、端末の低消費電力化に必須な送信電力の制御
を高精度に行なうことが要求される。その開発に要する
技術は、最近、益々高いものを必要とされるようになっ
てきた。
【0004】ここで述べる可変利得減衰器は、たとえ
ば、上述のような携帯型無線機の送信電力制御を行なう
部品として使用されるものであり、携帯型無線機の低消
費電力化のため、高精度の利得制御を行うことが望まれ
ている。
【0005】図13には、一般的な無線端末の送信系の
構成が示されている。この無線端末においては、ベース
バンド信号発生器1(baseband signal
generator )で信号処理された音声等のベ
ースバンド信号が変調器2(modulator)に入
力される。変調器2では、ベースバンド信号により、第
1のローカル信号発振器3からの第1のローカル信号f
1が変調される。この変調された信号は、次段にあるア
ップコンバータ4(up converter)にて、
第2のローカル信号発振器5からの周波数f2の信号に
よりRF信号に周波数変換される。このRF信号は、可
変利得減衰器6(variable ATT)により利
得制御された後、パワー増幅器7(PA)により所要の
送信レベルまで増幅され、アンテナ8から電波として出
力される。
【0006】ここで、可変利得減衰器6は送信電力を所
望の値とすることを目的としている。この可変利得減衰
器6による利得制御を高精度化することにより、送信電
力を最適化できるので、高精度な利得制御の実現は、送
信部、しいては無線機自体の消費電力の低減に寄与する
ことができる。このため、特に、電池を電源として使用
する携帯無線機器においては、高精度の利得制御が可能
な可変利得減衰器が重要な役割を果たす。
【0007】従来では、このような可変減衰器は、通
常、π型またはT型のラダー抵抗と、その抵抗間の解
放、短絡を行なうスイッチ用GaAs MESFETと
で構成される。しかしながら、一般に、GaAs ME
SFET技術は、ウエハ価格等がシリコンに比べ約10
倍程と高価であるので、低消費電力化と共に低価格化を
めざす携帯端末には不向きである。
【0008】一方、この可変減衰器と同様な機能を、安
価なシリコンバイポーラを用いて実現することも可能で
あり、その構成の一例を図14に示す。本回路では、入
力信号が差動電圧信号Vin+,Vin− として入力
され、トランジスタQ1000,Q1001、電流源I
1000,I1001、抵抗R1000からなる差動増
幅器により差動電流信号に変換される。トランジスタQ
1002,Q1003,Q1004,Q1005のベー
ス端子にはアナログ制御信号Vcon+,Vcon−が
図示のように供給され、これにより、トランジスタQ1
000,Q1001のコレクタに流れる差動電流信号が
どのような割合で負荷抵抗R1001,R1002に分
流されるかが決定されるので、利得は抵抗R1000,
負荷抵抗R1001,R1002と、アナログ制御信号
Vcon+,Vcon−により決定される。つまり、以
下の式により、利得は決定される。
【0009】 Gain=(Vout+ − Vout−)/(Vin+ − Vin−) =2・ROUT10/RE10・f(Vcon+,Vcon−) ここで、ROUT10は、負荷抵抗値であり、ROUT
10=R1001の抵抗値=R1002の抵抗値であ
る。また、RE10は、R1000の抵抗値を表す。ま
た、f(Vcon+,Vcon−)は、Vcon+,V
con−の値により負荷抵抗R1001,R1002に
分流される差動電流信号分流比を決める関数である。
【0010】本回路は、電流源I1000,I1001
を構成するトランジスタも考慮すると、縦積み3段のト
ランジスタで構成できるため低電圧で動作するという利
点をもつ。しかしながら、利得はVcon+,Vcon
− の関数であるため、精度のよいアナログ信号をVc
on+,Vcon−に与えないと、精度の高い利得制御
を行うことができない。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、バイ
ポーラトランジスタを利用した従来の可変利得減衰器で
は、アナログ制御信号の関数にて利得が決定されるた
め、高精度の利得制御を行うことが困難であった。
【0012】この発明はこの様な点に鑑みてなされたも
のであり、アナログ信号で利得を制御する方式ではな
く、デジタル方式で利得制御を行えるようにして、安価
で且つ高精度の利得制御が可能な可変減衰器を提供する
ことを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、この発明に係る可変減衰器は、エミッタ縮退イン
ピーダンスが互いに異なる複数の増幅器と、これら複数
の増幅器に共通接続された負荷と、電流源と、この電流
源と前記複数の増幅器との間に接続され、制御信号に応
じて前記複数の増幅器を択一的に選択し、その選択した
増幅器に前記電流源からの電流を動作電流として入力す
る電流スイッチ手段とを具備し、前記各増幅器は、バイ
ポーラトランジスタを利用したエミッタ接地型の増幅回
路、またはMOSトランジスタを利用したソース接地型
の増幅回路から構成されており、前記バイポーラトラン
ジスタのエミッタ、または前記MOSトランジスタのソ
ースには、前記エミッタ縮退インピーダンスの値を決定
するインピーダンス回路が接続されていることを特徴と
する。
【0014】
【0015】この可変減衰器においては、上述したよう
エミッタ接地またはソース接地などの増幅回路から構
成される複数の増幅器が設けられており、これら増幅器
のエミッタ縮退インピーダンスは互いに異なる値に設定
されている。エミッタ縮退インピーダンス(emitt
er degeneration)は、エミッタ接地ま
たはソース接地回路の負帰還インピーダンスとして機能
するものであり、増幅回路の利得を減少させる働きを有
する。これら複数の増幅器は、電流スイッチ手段の制御
の下、利得制御信号に応じて択一的に選択される。選択
された増幅器は、電流源に接続されてそこから動作電流
が入力されるので、動作状態となるが、これ以外の他の
全ての増幅器には動作電流が入力されないため動作しな
い。この場合、可変減衰器の利得は、選択された増幅器
のエミッタ縮退インピーダンスと負荷インピーダンスと
の比によって決定され、利得制御信号は増幅器の選択の
みに利用されているので利得決定には何ら関与しない。
増幅器毎にエミッタ縮退インピーダンスが異なるため、
選択する増幅器を変えることにより、可変減衰器の利得
を変化させることができる。
【0016】このように、エミッタ接地またはソース接
地回路などの安価なトランジスタで実現し得る回路構成
を利用し、且つ複数の増幅回路の中の1つを択一的に選
択して動作させるというデジタル方式のスイッチ制御を
利用しているため、増幅回路分だけの多段階の利得制御
を高精度に行うことが可能となる。
【0017】また、各増幅器としては、バイポーラトラ
ンジスタを利用したエミッタ接地型の増幅回路、または
MOSトランジスタを利用したソース接地型の増幅回路
を利用しているため、バイポーラトランジスタのエミッ
タ、またはMOSトランジスタのソースに、エミッタ縮
退インピーダンスの値を決定するインピーダンス回路を
接続すれば良い。従って、増幅器毎に抵抗値の異なるイ
ンピーダンス回路を使用するだけで、エミッタ縮退イン
ピーダンスの値が互い異なる複数の増幅器を実現するこ
とができる。
【0018】この場合、インピーダンス回路は、抵抗と
キャパシタの直列回路から構成することが好ましい。こ
の構成により、インピーダンス回路を介した接地端など
からの動作電流の流入をキャパシタにより防ぐことがで
きるので、バイポーラトランジスタのエミッタ、または
MOSトランジスタのソースに電流源が接続された増幅
器のみを動作させることができる。
【0019】
【0020】
【0021】また、複数の可変減衰回路をカスケード接
続し、各段の可変減衰回路を、前述したように、エミッ
タ縮退インピーダンスの異なる複数の増幅器と、電流源
と、複数の増幅器に共通接続された負荷と、単一の電流
源に複数の増幅器の1つを接続する電流スイッチ手段と
によって構成することにより、より利得制御幅の広い可
変減衰器を実現することができる。
【0022】また、この場合には、前段の可変減衰回路
の出力と次段の可変減衰回路の入力との間は直接接続す
ることが好ましい。なぜなら、もし可変減衰回路間にバ
ッファ回路として通常のようにエミッタフォロワまたは
ソースフォロワ回路を設けると、増幅器を構成するトラ
ンジスタに流れる電流が、エミッタフォロワまたはソー
スフォロワ回路に流れる電流分だけ減少してしまい、こ
れによって増幅器の入出力特性の線形性が損なわれてし
まうからである。
【0023】また、この発明で使用される電流スイッチ
手段は、一端が電流源に共通接続され、他端が複数の増
幅器に接続された複数のトランジスタを含み、デジタル
制御信号に基づいて選択されたトランジスタを介して、
そのトランジスタに接続された増幅器に前記電流源から
の電流が全て流れるように構成されたデジタルスイッチ
制御回路から構成することができる。
【0024】この場合、この電流スイッチ手段を構成す
る各トランジスタの寸法は、それが増幅器に接続される
ことによって生じる寄生インピーダンスの影響を抑制す
るために、電流源を構成するために使用されるトランジ
スタなどよりも、その寸法を小さく設定しておくことが
好ましい。
【0025】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
実施形態を説明する。図1には、この発明の第1実施形
態に係る可変減衰器の基本構成が示されている。この可
変減衰器は、例えば携帯型無線通信機のように高周波信
号を入力信号として扱い、且つ低消費電力が要求される
機器の電力利得制御用として使用される部品であり、I
C化されて実現されている。図中、#1から#Nはそれ
ぞれ異なるエミッタ縮退インピーダンス(emitte
r degeneration)を備えたN個の増幅器
を示している。これら増幅器#1〜#Nは、それぞれエ
ミッタ負帰還抵抗またはソース負帰還抵抗を有するエミ
ッタ接地またはソース接地回路から構成されている。
【0026】増幅器#1〜#Nそれぞれの信号入力端
は、図示のように、利得制御対象のRF入力信号INが
入力される可変利得減衰器の信号入力端1に接続されて
いる。また、増幅器#1〜#Nそれぞれのコレクタまた
はドレイン側の電流出力端は、一端が電源VCC端子1
0に接続されている負荷Z1の他端に共通接続されてい
る。増幅器#1〜#Nそれぞれと負荷Z1との接続点
は、可変利得減衰器の信号出力端6に接続されており、
可変減衰器で減衰された入力信号INが出力信号OUT
として信号出力端6から出力される。
【0027】さらに、増幅器#1〜#Nそれぞれのエミ
ッタまたはソース側の接地端11,12,…,1Nは、
電流スイッチ制御回路(SW−CONT)100の出力
端子a1,a2,…,aNにそれぞれ接続されている。
【0028】電流スイッチ制御回路(SW−CONT)
100は、制御信号入力端子7に入力されるMビットの
デジタル利得制御信号CONTに応じて増幅器#1〜#
Nの1つを択一的に選択し、その選択した増幅器に電流
源I1を接続するというデジタル制御の電流スイッチで
あり、端子5に入力される電流源I1からの電流Iを、
デジタル利得制御信号CONTによって指定された出力
端子a1,a2,…,aNのいずれか1つにのみ出力す
る。
【0029】ここで、Mは、M>log2(N)を満た
すものであれば良い。これにより、デジタル利得制御信
号CONTに応じて増幅器#1〜#Nの1つを択一的に
選択して、それに電流源I1からの電流Iを動作電流と
して与えることができる。選ばれた増幅器には、前述し
たように電流スイッチ制御回路(SW−CONT)10
0を介して電流源I1からの電流Iが動作電流として入
力されるので、動作モードとなる。一方、選ばれなかっ
た増幅器は動作しないので、基本的に可変減衰器の動作
に関与することはない。ただし、選ばれなかった増幅器
は選ばれた増幅器の容量性負荷となるため、実際の減衰
器の設計においては、この容量性負荷を考慮することが
好ましい。電流源I1は、定電流源であることが好まし
い。この場合、電流源I1は例えばカレントミラー型の
回路で構成することができる。また、電流源I1を、通
常の抵抗によって実現しても良い。
【0030】選ばれた増幅器の利得は、そのエミッタ縮
退インピーダンスと負荷Z1のインピーダンスとの比に
よって決定される。エミッタ縮退インピーダンスの値は
増幅器毎にそれぞれ異なる値に設定されており、またど
の増幅器を選択するかは利得制御信号CONTによって
決定されるため、選ばれた増幅器の利得は、利得制御信
号CONTに則った利得を有する。
【0031】次に、図1の各増幅器#1〜#Nと電流ス
イッチ制御回路100の具体的な構成例を説明する。図
2には、各増幅器の一例が示されている。
【0032】この増幅器は、1個のNPNバイポーラト
ランジスタを利用したエミッタ接地型増幅回路であり、
NPNバイポーラトランジスタQ10のベース端子20
は、図1の入力端子1に接続されており、またエミッタ
端子22は図1中の端子11,12,1Nに相当する端
子であり、この増幅器が#1であれば、エミッタ端子2
2は電流スイッチ制御回路100の出力端子a1に接続
される。コレクタ端子21は図1中の端子6に相当する
端子である。
【0033】トランジスタQ10のエミッタ端子20に
は、さらに、抵抗R10とキャパシタC10の直列回路
の一端が接続されており、その直列回路の他端は接地ま
たは仮想接地端子に接続されている。この直列回路の両
端の電圧は増幅回路の出力電流に比例し、ベースに供給
される入力信号を打ち消すように働くため、負帰還がか
けられる。したがって、この直列回路は、エミッタ縮退
インピーダンスとして機能する。
【0034】この増幅回路の利得Gは以下で近似でき
る。 G= −Z1/Z2 ただし、Z1は負荷インピーダンスZ1のインピーダン
ス値であり、Z2は抵抗R10とキャパシタC10の直
列回路のインピーダンス値を示すものである。例えば、
Z1を抵抗RZ1とし、Z2は使用周波数では抵抗R1
0の値に近似できる場合、利得は以下で近似できる。
【0035】G= −RZ1/R10 したがって、利得は抵抗比のみで決定されることにな
る。このようにすれば、各増幅器の利得を決める場合、
各増幅器におけるR10の値を所定の値とすることのみ
で、簡単に利得設定が行なえる。
【0036】また、各増幅器の直列回路にキャパシタC
10を設けることにより、直列回路を介した動作電流の
流入を防止することができるので、電流スイッチ制御回
路100によって選択された増幅器のみを動作させるこ
とができる。
【0037】図3には、電流スイッチ制御回路100の
一例が示されている。この回路構成は、M=Nの場合に
相当するものであり、N個のトランジスタQ31,Q3
2,…,Q3Nから構成されている。端子30,31,
32はトランジスタQ31,Q32,Q3Nのベースに
接続され、端子33,34,35はそれぞれトランジス
タQ31,Q32,Q3Nのコレクタ端子とされ、トラ
ンジスタQ31,Q32,Q3Nのエミッタは端子36
に共通接続されている。端子36は図1で示される端子
5に相当し、端子33,34,35は端子11,12,
1Nに相当するものである。
【0038】以下、端子33に電流源I1からの電流I
を入力することを指示する利得制御信号CONTが与え
られた場合を例にとって、具体的な動作を説明する。こ
の場合、端子30に対して、他の端子31,32に比
べ、例えば3・VT=75mV程度以上の電位が与えら
れるように設定すると、バイポーラトランジスタの特性
により、端子36に入力された電流Iはほとんど全てト
ランジスタQ31に流れる。ここで、VTはバイポーラ
トランジスタの熱電圧である。
【0039】したがって、図1で示した電流Iは、本回
路を介してほとんど全て端子33に出力される。つまり
図1で示す端子11に電流Iが流れるように電流スイッ
チ制御回路100が動作する。
【0040】以上のように、第1実施形態の可変減衰器
においては、エミッタ接地増幅回路から構成される複数
の増幅器#1〜#Nそれぞれのエミッタ縮退インピーダ
ンスが互いに異なる値に設定されており、これら複数の
増幅器#1〜#Nは、デジタル信号制御される電流スイ
ッチ制御回路100により、利得制御信号CONTに応
じて択一的に選択される。選択された増幅器は、電流源
I1に接続されてそこから動作電流が入力されるので、
動作状態となるが、これ以外の他の全ての増幅器には動
作電流が入力されないため動作しない。この場合、可変
減衰器の利得は、選択された増幅器のエミッタ縮退抵抗
と負荷Z1の抵抗との比によって決定される。したがっ
て、希望する利得に応じて選択する増幅器を変えること
により、可変減衰器の利得を精度良く変化させることが
できる。
【0041】また、各増幅器は、MOSトランジスタを
利用したソース接地回路から構成することもでき、エミ
ッタ縮退抵抗は、ソースと接地間に前述のC、R直列回
路を接続することによって実現される。さらに、各増幅
器を、一対のバイポーラトランジスタを利用したエミッ
タ結合型の差動増幅回路、または一対のMOSトランジ
スタを利用したソース結合型の差動増幅回路から構成す
ることもでき、この場合には、エミッタ結合型差動増幅
回路を構成するバイポーラトランジスタのエミッタ、ま
たはソース結合型差動増幅回路を構成するMOSトラン
ジスタのソースには、前述のC、R直列回路のようにエ
ミッタ縮退インピーダンスの値を決定するインピーダン
ス回路を接続すればよい。
【0042】次に、この発明の第2実施形態を説明す
る。図4には、この発明の第2実施形態に係る可変減衰
器の基本構成が示されている。この可変減衰器は、第1
実施形態と同様に、エミッタ縮退インピーダンスの異な
る複数の増幅器を電流スイッチ制御回路によって択一的
に動作させる構成であるが、差動信号の形式で入出力が
行われるように構成されている。
【0043】すなわち、図4において、端子50,51
は差動化されたRF入力信号IN+,IN−が入力され
る入力端子であり、異なるエミッタ縮退抵抗を備えた差
動増幅器#1〜#Nそれぞれの差動入力端に接続されて
いる。#1から#Nの差動増幅器の電流出力は差動出力
とされ、それぞれ出力端子は2つある。
【0044】差動化された出力端子は、各差動増幅器ご
とに図に示すように共通接続され、負荷インピーダンス
Z50,Z51を介して、電源VCC端子に接続されて
いる。一方、電流スイッチ制御回路(SW−CONT)
100は、2つの電流源I51,I52からそれぞれ電
流Iを入力すると共に、Mビットの利得制御信号CON
Tが入力される。電流スイッチ制御回路100の出力
は、端子a1,b1,a2,b2,…,aN,bNとさ
れ、その出力端子はそれぞれ、#1,#2,…,#Nの
差動回路に入力される。
【0045】制御入力端子52に入力されるMビット電
力制御信号CONTにより、電流スイッチ制御回路10
0は、端子a1,b1からaN,bNまでの複数対の出
力端の中から一つのペアを選び、電流源I50,I51
からの電流Iを選ばれた端子ペアに出力する。ここで、
Mは、M>log2(N)を満たすものであれば、上記
の選定は可能である。
【0046】選ばれた差動増幅器は、動作電流が入力さ
れるので、動作モードとなり、選ばれなかった差動増幅
器は基本的に動作に関与することはない。ただし、選ば
れなかった差動増幅器は選ばれた差動増幅器の容量性負
荷となるため、増幅器の設計においては、この容量性負
荷を考慮することは必要である。選ばれた差動増幅器の
利得は、利得制御信号CONTに則った利得を有するも
のであるから、出力端子OUT+,OUT−には所定の
振幅が出力される。
【0047】次に、差動増幅器#1〜#Nと電流スイッ
チ制御回路100の一例を説明する。図5には、差動増
幅器の一例が示されている。
【0048】この差動増幅器は、一対のNPNバイポー
ラトランジスタQ70,Q71のエミッタ間を結合した
エミッタ結合差動増幅器であり、ベース端子70,71
は、図4の入力端子50,51にそれぞれ接続される。
また、エミッタ端子72,73は図4中の端子55,5
6,端子57,58,端子59,60に相当する端子で
あり、この差動増幅器が#1であれば、エミッタ端子7
2,73は電流スイッチ制御回路100の出力端子a
1,b1に接続される。
【0049】コレクタ端子74,75は図4中の端子6
1,62にそれぞれ相当する端子である。トランジスタ
Q70とQ71のエミッタ端子間にはインピーダンスZ
70がエミッタ縮退インピーダンスとして接続されてい
る。この場合、利得Gは以下で近似できる。
【0050】G= −Z50/Z70 ×2 ただし、Z50は負荷インピーダンスZ50,Z51各
々の値であり、Z70はインピーダンスZ70の値であ
る。例えば、Z50,Z51を抵抗値R50とし、Z7
0を抵抗値R70とすると、利得は以下で近似できる。
【0051】G= −R50/R70 ×2 したがって、利得は抵抗比で決定されることになる。こ
のようにすれば、各差動増幅器の利得を決める場合、各
差動増幅器におけるR70の値を所定の値とすること
で、簡単に利得設定が行なえる。また、多少複雑にはな
るが、インピーダンスZ70を図6で示すように、抵抗
またはキャパシタ、またはそれらの直列回路、あるいは
並列回路で構成することも可能である。同様にZ50,
51を図7に示した抵抗Rまたは抵抗とキャパシタの並
列回路により構成することも可能である。
【0052】インピーダンスZ70をキャパシタを使用
せずに構成できるのは、インピーダンスZ70がエミッ
タ間に接続されており、接地端には接続されてないから
である。このため、接地端子からの電流流入をキャパシ
タで防止しなくても、電流スイッチ制御回路100で選
択された差動増幅器のみを動作させることができる。
【0053】図8は、M=Nの場合における電流スイッ
チ制御回路100の構成例を示している。この電流スイ
ッチ制御回路100は、N対のNPNバイポーラトラン
ジスタから構成されている。端子100、101、10
2は、図示のように、それぞれ異なる一対のトランジス
タQ100,Q101、Q102,Q103、Q10
4,Q105のベースに接続され、端子105,10
6,107,108,109,110はそれぞれトラン
ジスタQ100,Q101,Q102,Q103,Q1
04,Q105 のコレクタ端子とされる。トランジス
タQ100,Q102,Ql04のエミッタは端子10
3に共通接続されており、トランジスタQ101,Q1
03,Q105のエミッタは端子104に共通接続され
ている。端子103,104は図4で示される端子5
3,54にそれぞれ相相当し、端子105,107,1
09は端子55,57,59に相当し、端子106,1
08,110は端子56,58,60に相当するもので
ある。
【0054】以下、端子105,106に電流源I5
0,I51からの電流Iが流れるように、利得制御信号
CONTが与えられた場合の動作を説明する。端子10
0に他の端子101,102に比べ3・VT=75mV
程度以上の電位が与えられるように設定すると、バイポ
ーラトランジスタの特性により、端子103,104に
入力された電流IはほとんどすべてトランジスタQ10
0,Q101に流れるようになる。したがって、図4で
示した電流Iは、本回路を介してほとんど全て端子10
5,106にそれぞれ出力される。つまり図4で示す端
子55,56にそれぞれ電流Iが流れるように電流スイ
ッチ制御回路100は動作する。
【0055】また、この電流スイッチ制御回路100を
構成する各NPNバイポーラトランジスタQ100〜Q
105の寸法、例えばコレクタ面積は、図4の電流源I
50,I51を構成するカレントミラー回路などに使用
されているNPNバイポーラトランジスタよりも、小さ
く設定することが好ましい。これは、選択された差動増
幅器を構成する差動トランジスタ対のエミッタ間に接続
されているインピーダンスZ70と並列に接続される寄
生インピーダンスの値を小さくして、寄生インピーダン
スによる利得の変動を抑制するためである。
【0056】例えば、図8の端子105,106に電流
源I50,I51からの電流Iを流して差動増幅器#1
を選択する場合を考えると、図8のトランジスタQ10
0,Q101のコレクタが、それぞれ差動増幅器#1を
構成する図5のトランジスタQ70,Q71のエミッタ
に接続されることになる。この場合、トランジスタQ1
00のコレクタとトランジスタQ70のエミッタとの接
続点にはトランジスタQ100のコレクタと基板間に存
在する寄生容量Ccsが接続され、またトランジスタQ
101のコレクタとトランジスタQ71のエミッタとの
接続点にはトランジスタQ101のコレクタと基板間に
存在する寄生容量Ccsが接続されることになる。これ
ら寄生容量Ccsは基板抵抗を介して互いに接続される
ため、図5のトランジスタQ70,Q71のエミッタ間
には、負荷インピーダンスZ70と並列に、寄生インピ
ーダンスが接続されることになる。この寄生インピーダ
ンスは、差動増幅器の利得を設定値と異なる値に変動さ
せる要因となる。
【0057】電流スイッチ制御回路100を構成する各
NPNバイポーラトランジスタQ100〜Q105のコ
レクタ面積を小さくすれば、寄生容量Ccsの値を小さ
くでき、前述の寄生インピーダンスによる利得変動を抑
制することができる。電流スイッチ制御回路100を構
成する各NPNバイポーラトランジスタQ100〜Q1
05は、デジタルスイッチとして利用されるものである
ため、このような寸法設定を行っても、可変減衰器全体
の動作には何ら支障はない。
【0058】また、電流スイッチ制御回路100をMO
Sトランジスタを用いて構成した場合にも、同様の理由
により、そのMOSトランジスタの寸法を小さくするこ
とが好ましい。
【0059】次に、図1に示した第1実施形態の可変減
衰器の拡張として、多段縦列接続した可変減衰器の構成
例を図9を参照して説明する。ただし、説明を簡単にす
るため、ここでは、1段の可変減衰器は図1で示す#
1,#2の2段の増幅器により構成されるものと仮定す
る。
【0060】図中、CONT1,C0NT2,CONT
3はそれぞれ対応する可変減衰器ATT1,ATT2,
ATT3において#1または#2のどちらかの増幅器を
選択するために使用される。利得制御対象の入力信号は
初段減衰器ATT1の入力端子120に入力され、そこ
でCONT1により設定される減衰量だけ減衰され、出
力端子121から出力される。本端子121は、2段目
のATT2の入力端子とされ、ATT2により、CON
T2で設定される減衰量だけ減衰された後、最終段のA
TT3に入力される。ATT3では、CONT3により
設定された減衰量だけ減衰されて出力端子123から出
力される。
【0061】本回路において、ATT1では#1または
#2のどちらの増幅器を選択するかによって0dBまた
は−4dBの利得を得ることができ、同様にして、AT
T2では0dBまたは−8dB、ATT3では0dBま
たは−16dBの利得を得ることができるように設定す
れば、利得制御信号CONT1,C0NT2,CONT
3の組み合わせにより、0dBから−28dBまで4d
Bステップで減衰量を可変的に設定することが可能とな
る。
【0062】図10には、図9で用いられる電流スイッ
チ制御回路の一例が示されている。この電流スイッチ制
御回路は、図9の可変減衰器ATT1,ATT2,AT
T3の各々に設けられており、対応する可変減衰器入力
される利得制御信号CONTに応じて、端子Xの電流源
を端子a1,a2の一方に接続する。ここでは、1ビッ
トの利得制御信号CONTによって、各段の可変減衰器
に設けられている#1,#2の2つの増幅器の一方を選
択する構成である。
【0063】すなわち、トランジスタQ140,Q14
1は差動ぺアトランジスタを構成し、共通エミッタ端子
は電流源I140を介して接地される。Q140,Q1
41のコレクタ端子はそれぞれ抵抗R140,R141
を介して電源VCCに接続されると共に、Q142,Q
143のベース端子に入力される。Q140のベース端
子には制御信号CONTが入力され、その入力レベル
は、たとえばVCCまたはGNDの電位のどちらかが入
力されるデジタル信号である。Q141のベース端子は
たとえば(VCC−GND)/2の電位に設定された基
準電圧源VREFに接続される。
【0064】Q142,Q143は差動ペアトランジス
タを構成し、共通エミッタ端子は端子145とされる。
本端子145は図1における端子5に相当するものであ
る。Q142,Q143のコレクタ端子146,147
は共通エミッタ端子から入力された電流Iの出力端子で
あり、図1における端子11,12に相当する端子であ
る。ただし、Q142,Q143の差動ぺアによる電流
スイッチを完全にするため、R140,R141の抵抗
値をRとし、電流源I140の電流値をIとすると、I
・R>75mVの条件が満足されるように回路を構成す
る必要がある。このように、電流スイッチ回路を構成す
ることで、簡単に電流スイッチ制御回路が実現できる。
【0065】次に、図4に示した第2実施形態の差動回
路構成の可変減衰器の拡張として、多段縦列接続した差
動型可変減衰器の構成例を図11を参照して説明する。
ただし、説明を簡単にするため、ここでは、1段の差動
型可変減衰器は図4で示す#1,#2の2段の差動増幅
器により構成されるものと仮定する。
【0066】図中、CONT1,C0NT2,CONT
3は、それぞれ対応する差動型可変減衰器ATT1,A
TT2,ATT3において#1または#2のどちらかの
差動増幅器を選択するために使用される。利得制御対象
の入力信号IN1,IN2は初段減衰器ATT1の差動
入力端子150,151に入力され、そこでCONT1
により設定される減衰量だけ減衰され、差動出力端子1
52,153から出力される。本端子152,153
は、2段目のATT2の差動入力端子とされ、ATT2
により、CONT2で設定される減衰量だけ減衰された
後、最終段のATT3に入力される。ATT3では、C
ONT3により設定された減衰量だけ減衰されて差動出
力端子156,157から出力される。
【0067】本回路において、ATT1では#1または
#2のどちらの増幅器を選択するかによって0dBまた
は−4dBの利得を得ることができ、同様にして、AT
T2では0dBまたは−8dB、ATT3では0dBま
たは−16dBの利得を得ることができるように設定す
れば、利得制御信号CONT1,C0NT2,CONT
3の組み合わせにより、0dBから−28dBまで4d
Bステップで減衰量を可変的に設定することが可能とな
る。
【0068】また、一般に、ATT1とATT2間、ま
たはATT2とATT3間にはバッファ回路として、エ
ミッタフォロワまたはソースフォロワ回路が設けられる
のが通常であるが、本実施形態では、エミッタフォロワ
またはソースフォロワ回路を用いず、ATT1の出力と
ATT2の入力との間、およびATT2の出力とATT
3の入力との間をそれぞれ直接接続しており、このこと
も本発明の重要な特徴の1つである。
【0069】なぜなら、各ATTに流れる電流を一定に
した場合、エミッタフォロワまたはソースフォロワ回路
が接続されたATTにおいては、そのATTの差動ペア
トランジスタに流れる電流がある一定の所望値よりもエ
ミッタフォロワまたはソースフォロワ回路に流れる電流
値分だけ減少してしまうため、差動増幅回路の入出力特
性の線形性が損なわれる(ダイナミックレンジが低下す
る)からである。このことは、図11の構成だけでな
く、図9の構成についても同様である。
【0070】図12には、図11で用いられる電流スイ
ッチ制御回路の一例が示されている。この電流スイッチ
制御回路は、図11の可変減衰器ATT1,ATT2,
ATT3の各々に設けられており、対応する可変減衰器
入力される利得制御信号CONTに応じて、端子X,Y
に接続されている2つの電流源を端子a1,b1、また
は端子a2,b2の一方にペアに接続する。ここでは、
1ビットの利得制御信号CONTによって、各段の可変
減衰器に設けられている#1,#2の2つの差動増幅器
の一方を選択する構成である。
【0071】すなわち、トランジスタQ170,Q17
1は差動ぺアトランジスタを構成し、共通エミッタ端子
は電流源I170を介して接地される。Q170,Q1
71のコレクタ端子はそれぞれ抵抗R170,R171
を介して電源VCCに接続されると共に、Q172,Q
173、さらにはQ174,Q175のベース端子に入
力される。Q170のベース端子には制御信号CONT
が入力され、その入力レベルは、たとえばVCCまたは
GNDの電位のどちらかが入力されるデジタル信号であ
る。Q171のベース端子はたとえば(VCC−GN
D)/2の電位に設定された基準電圧源VREFに接続
される。
【0072】Q172,Q173は差動ペアトランジス
タを構成し、共通エミッタ端子は端子175とされる。
本端子175は図4における端子53に相当するもので
ある。Q174,Q175も差動ペアトランジスタを構
成し、共通エミッタ端子は端子176とされる。本端子
176は図4における端子54に相当するものである。
Q172,Q174のコレクタ端子177,178は共
通エミッタ端子175,176からそれぞれ入力された
電流Iの出力端子であり、図4における端子55,56
に相当する端子である。同様に、Q173,Q175の
コレクタ端子179,180は共通エミッタ端子17
5,176からそれぞれ入力された電流Iの出力端子で
あり、図4における端子57,58に相当する端子であ
る。
【0073】ただし、Q172,Q173の差動ぺアに
よる電流スイッチ、およびQ174,Q175の差動ぺ
アによる電流スイッチを完全にするため、R170,R
171の抵抗値をRとし、電流源I170の電流値をI
とすると、I・R>75mVの条件が満足されるように
回路を構成する必要がある。このように、電流スイッチ
回路を構成することで、簡単に電流スイッチ制御回路が
実現できる。
【0074】なお、これまで、バイポーラトランジスタ
を例として、説明を行なってきたが、本回路構成は前述
したようにMOSトランジスタを用いても、同様に動作
する。ただし、スイッチ制御回路においては、バイポー
ラトランジスタの説明では、電流スイッチを完全とする
ため75mV以上としたが、この値はMOSトランジス
タの寸法比により決定されるものとなる。
【0075】また、この発明の構成は利得を多段階にわ
たって高精度に可変設定できるので、図13で説明した
携帯型無線器の送信電力低減に特に有効であるが、これ
に限らず、高精度の可変利得を必要とする全ての機器に
適用することができる。
【0076】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、アナログ信号で利得を制御する方式ではなく、デジ
タル方式で利得制御を行えるようになり、安価で且つ高
精度の利得制御が可能な可変減衰器を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1実施形態に係る可変減衰器の基
本構成を示すブロック図。
【図2】同第1実施形態の可変減衰器に用いられる増幅
器の具体的な構成の一例を示す回路図。
【図3】同第1実施形態に係る可変減衰器に用いられる
電流スイッチ制御回路の具体的な構成の一例を示す回路
図。
【図4】この発明の第2実施形態に係る可変減衰器の基
本構成を示すブロック図。
【図5】同第2実施形態の可変減衰器に用いられる差動
増幅器の具体的な構成の一例を示す回路図。
【図6】同第2実施形態の可変減衰器に用いられるエミ
ッタ縮退インピーダンス回路の一例を示す回路図。
【図7】同第2実施形態の可変減衰器に用いられる負荷
回路の一例を示す回路図。
【図8】同第2実施形態の可変減衰器に用いられる電流
スイッチ制御回路の具体的な構成の一例を示す回路図。
【図9】同第1実施形態の可変減衰器を複数段接続して
構成した多段型可変減衰器の構成例を示すブロック図。
【図10】図9の多段型可変減衰器に用いられる電流ス
イッチ制御回路の一例を示す回路図。
【図11】同第2実施形態の可変減衰器を複数段接続し
て構成した多段型可変減衰器の構成例を示すブロック
図。
【図12】図11の多段型可変減衰器に用いられる電流
スイッチ制御回路の一例を示す回路図。
【図13】従来の無線端末の送信系の構成を示すブロッ
ク図。
【図14】従来の可変減衰器の構成を示す回路図。
【符号の説明】 #1〜#N…増幅器、100…電流スイッチ回路、Rn
(n=整数)…抵抗、Cn(n=整数)…キャパシタ、
Qn(n=整数)…トランジスタ、In(n=整数)…
電流源、VCC…電源、VREF…基準電圧源、IN…
入力端子、OUT…出力端子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03H 11/24

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】エミッタ縮退インピーダンスが互いに異な
    る複数の増幅器と、これら複数の増幅器に共通接続され
    た負荷と、電流源と、この電流源と前記複数の増幅器と
    の間に接続され、制御信号に応じて前記複数の増幅器を
    択一的に選択し、その選択した増幅器に前記電流源から
    の電流を動作電流として入力する電流スイッチ手段とを
    具備し、 前記各増幅器は、バイポーラトランジスタを利用したエ
    ミッタ接地型の増幅回路、またはMOSトランジスタを
    利用したソース接地型の増幅回路から構成されており、
    前記バイポーラトランジスタのエミッタ、または前記M
    OSトランジスタのソースには、前記エミッタ縮退イン
    ピーダンスの値を決定するインピーダンス回路が接続さ
    れている ことを特徴とする可変減衰器。
  2. 【請求項2】前記インピーダンス回路は、抵抗とキャパ
    シタの直列回路から構成されていることを特徴とする請
    求項記載の可変減衰器。
  3. 【請求項3】前記電流スイッチ手段は、一端が電流源に
    共通接続され、他端が前記複数の増幅器に接続された複
    数のトランジスタを含み、デジタル制御信号に基づいて
    選択されたトランジスタを介して、そのトランジスタに
    接続された増幅器に前記電流源からの電流が全て流れる
    ように構成されていることを特徴とする請求項1記載の
    可変減衰器。
  4. 【請求項4】前記電流スイッチ手段を構成する各トラン
    ジスタの寸法は、前記電流源を構成するための回路で使
    用されるトランジスタの寸法よりも小さいことを特徴と
    する請求項記載の可変減衰器。
  5. 【請求項5】カスケード接続された複数の可変減衰回路
    から構成され、利得制御信号に応じて利得が可変設定さ
    れる可変減衰器であって、 前記各可変減衰回路は、エミッタ縮退インピーダンスが
    互いに異なる複数の増幅器と、これら複数の増幅器に共
    通接続された負荷と、電流源と、この電流源と前記複数
    の増幅器との間に接続され、利得制御信号に応じて前記
    複数の増幅器を択一的に選択し、その選択した増幅器に
    前記電流源からの電流を動作電流として入力する電流ス
    イッチ手段とを具備し、前記各増幅器は、バイポーラトランジスタを利用したエ
    ミッタ接地型の増幅回路、またはMOSトランジスタを
    利用したソース接地型の増幅回路から構成されており、
    前記バイポーラトランジスタのエミッタ、または前記M
    OSトランジスタのソースには、前記エミッタ縮退イン
    ピーダンスの値を決定するインピーダンス回路が接続さ
    れている ことを特徴とする可変減衰器。
  6. 【請求項6】前段の可変減衰回路の出力がその次段の可
    変減衰回路の入力に直接的に接続されていることを特徴
    とする請求項5記載の可変減衰器。
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