JP3333133B2 - 光送信器及び光伝送システム - Google Patents

光送信器及び光伝送システム

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光変調器を用いた
光送信器及び光伝送システムに関し、特に、光信器から
の出力光の光周波数変動量を調整・制御可能にする光送
信器及び光伝送システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、データ量の大きい画像通信等の増
加に伴い、幹線系通信網には１０Ｇｂｉｔ／ｓ以上の伝
送容量が要求されるようになった。こうした大容量伝送
を実現するためには、高速で光を変調する必要があり、
その実現手段も種々提案されている。
【０００３】最も一般的な変調方法には、半導体レーザ
を直接変調する手段が採用されてきたが、１０Ｇｂｉｔ
／ｓ以上の速度で変調すると、その際発生する波長ゆら
ぎ（チャーピング）が問題となる。すなわち、伝送路と
しての光ファイバの波長分散の影響で伝送後の波形が歪
んでしまう。
【０００４】そこで最近、チャーピングの小さい光源と
して、ＬｉＮｂＯ3結晶を用いたマッハツェンダ型光変
調器（以下、ＬＮ変調器という）を用いた光送信器が実
用化されている。この種の光送信器としては、例えば特
開平４−１９２７２９号公報、「光送受信モジュール」
福川原他：FUJITSU.48,5,pp451-456（09,1997）に記載
されたものがある。
【０００５】しかし、４〜５Ｖｐｐの大きい駆動振幅が
要求されることと、ＤＣドリフトと呼ばれる入出力特性
の変動を補償するための制御回路が必要であり、光送信
器として小型化する場合のネックとなる。
【０００６】以上の問題を解決すべく、印加電圧に応じ
て入力光を吸収する電界吸収型光変調器（以下、ＥＡ
（Electro-Absorption）変調器という）が提案されてい
る（例えば、山田他：電子情報通信学会技術報告書LQE9
5-17（1995-06）、高島他：電子情報通信季会１９９７
年総合大会B-10-195）。特に、分布帰還型レーザダイオ
ード（ＤＦＢ−ＬＤ）とモノリシリックに集積化された
例が報告されており、光送信器の小型化、高出力化が期
待されている。
【０００７】また、最近では、チャープ係数αを任意に
設定可能とする駆動方法が提案されている（特開平９−
１７９０７９号公報参照）。
【０００８】ここで、αを最適値に設定する必要性につ
いて説明する。
【０００９】光ファイバの分散特性としては、大きく分
けて２種類のファイバが伝送路として使われている。１
つは、零分散波長が１．３μｍ帯のもの、もう１つは零
分散波長が１．５μｍ帯のもので、それぞれＩＴＵ−Τ
Ｇ．６５２とＧ．６５３で勧告されている。
【００１０】図１６はＧ．６５２を伝送した場合のペナ
ルティを、図１７はＧ．６５３を伝送した場合のペナル
ティを示す特性図であり、送信光源の波長が１．５μｍ
として、αをパラメータとしたときの受信感度のペナル
ティのファイバ分散値依存性を示す。
【００１１】図１６及び図１７に示すように、Ｇ．６５
２のファイバの場合は、α＝−０．５〜−１．０がペナ
ルティが少ないが、Ｇ．６５３のファイバの場合は逆
に、α＝＋０．５程度の方がペナルテイが少ない。つま
り、伝送路のファイバの種類によってαを調整しない
と、著しい波形劣化を生ずる、という問題がある。
【００１２】これは、以下に示すように、光送信器出力
での波長変動による伝送波形の劣化がファイバの波長分
散により異なることが原因である。
【００１３】図１８はファイバ伝送後の波形劣化を説明
するための概念図である。
【００１４】図１８に示すように、光源のスペクトラム
が、λ１、λ２、λ３の成分を持っている場合を考え
る。Ｇ．６５２ファイバのように、１．５μｍ帯で波長
分散が大きい場合は、ファイバ伝送による伝播遅延時間
の波長依存性が大きいため、伝送後の光波形は広がって
しまう（図１８破線部参照）。一方、Ｇ．６５３ファイ
バのように１．５μｍ帯で波長分散が小さい場合は、波
形に大きな変化は見られない。
【００１５】さらに、チャーピングが生じている場合の
波形劣化について、図１９〜図２１を参照して説明す
る。
【００１６】図１９は光パルス波形と光周波数変動の関
係を説明するための図、図２０及び図２１は波長チャー
プによるファイバ伝送後の波形劣化を説明するための概
念図である。
【００１７】ここでは便宜上、光波長変動を光周波数変
動に置き換えて説明する。光周波数変動量Δｆは、光パ
ルス波形の時間応答Ｓ（ｔ）とその微分値及びチャープ
係数αにより式（１）で表される。
【００１８】
【数１】
【００１９】式（１）から、例えばα＞０の場合、図１
９に示すように、光パルス波形の立ち上がりでΔｆ＞
０、立ち下がりでΔｆ＜０となり（レッドシフト）、α
＜０の場合、周波数変動の方向が逆になる（ブルーシフ
ト）。
【００２０】例えばα＞０の場合、図２０に示すよう
に、波形の立ち上がりで光周波数が大、すなわち光波長
が小に変動する。Ｇ．６５２ファイバのように波長分散
が大きい場合、短波長ほど遅延時間が小さいため、伝送
後の波形において、立ち上がりの遅延時間が小さく、逆
に立ち下がりの遅延時間が大きいため、バルス幅が広が
る方向に変化する。
【００２１】逆にα＜０の場合は、図２１に示すよう
に、波形の立ち上がりで光周波数が小、すなわち光波長
が大に変動するため、パルス幅が圧縮される方向に変化
する。
【００２２】以上の考察から、前記図１６及び図１７に
示すペナルティのファイバ分散値依存性の傾向は、以下
のように説明できる。
【００２３】Ｇ．６５２ファイバの場合は、波長分散の
影響が大きいため、図１８に示すように伝送後の波形は
広がる傾向にあるが、α＜０で変調すると、図２１に示
すようにパルス広がりを相殺するため、α＝−１でペナ
ルティが少ない。
【００２４】Ｇ．６５３ファイバの場合は、波長分散の
影響が小さいため、伝送後の波形広がりが少ないため、
α＜０で変調すると、パルス幅が圧縮されすぎて、逆に
ペナルティが大きくなる。したがって、α＝０〜＋０．
５で変調すると最適になる。
【００２５】図２２はチャープ係数αの印加電圧依存性
を示す特性図であり、ＥＡ変調器のαの実測例を示す。
図２２に示すように、デバイスにより異なるが、印加バ
イアスに依存し、印加バイアスの絶対値が大きくなるに
従って、αが小さくなる傾向を示す。
【００２６】図２３は消光比の印加電圧依存性を示す特
性図であり、ＥＡ変調器の消光特性の実測例を示す。図
２３に示すように、印加バイアスに対して線形ではな
く、指数関数的に下がる傾向を示す。
【００２７】図２４は従来のチャープ係数αを任意に設
定可能とした光送信器の構成を示すブロック図である。
【００２８】図２４において、１０は光信号を送信する
光送信器であり、光送信器１０は、半導体レーザを用い
た光源１１、電界吸収型光変調器（ＥＡ変調器）１２、
光変調器駆動回路１３、バイアス回路１４及び制御回路
１５から構成される。
【００２９】光源１１は、特定波長の光信号を出力する
半導体レーザからなり、例えばＤＦＢレーザ（Distribu
ted Feedback Laser）を用いる。
【００３０】ＥＡ変調器１２は、半導体レーザ１１から
の光出力光を強度変調するマッハツェンダ型の変調器で
ある。
【００３１】光変調器駆動回路１３は、ＥＡ変調器１２
のドライバ回路であり、入力電気信号から論理が互いに
反転した出力信号をＥＡ変調器１２の各々の電極に出力
する。
【００３２】バイアス回路１４は、ＥＡ変調器１２の各
々の電極に印加するバイアス電圧を制御する。
【００３３】制御回路１５は、ＥＡ変調器１２の各々の
電極に与える変調波形の振幅を各々独立に制御する。
【００３４】このように、光送信装置１０は、チャープ
係数αを外部から制御可能に構成される。
【００３５】以上の構成において、光源１１からの出力
光はＥＡ変調器１２に入力され、強度変調された後光送
信器出力として送出される。ＥＡ変調器１２は、駆動回
路１３で増幅された電気入力信号で変調される。バイア
ス回路１４からの電気信号は、ＥＡ変調器１２のチャー
プ係数αが最適になるようなバイアス値を与える。但し
以下に詳述するように、ＥＡ変調器１２のバイアスの変
化により、光出力パワー、波形、消光比等が変動しない
ように、制御回路１５により、光源１１と駆動回路１３
を制御する。
【００３６】図２５は上記ＥＡ変調器１２の動作を説明
するための図である。
【００３７】図２５に示すように、印加バイアスの絶対
値が大きくなるに従って出力光パワーが下がり、かつそ
の変化の仕方が指数関数的に急激である特性となる。そ
の度合いはデバイス毎に差異はあるが、少なくとも線形
よりは急激に変化するのがＥＡ変調器の一般的な特性で
ある。
【００３８】図２５から明らかなように、任意のチャー
プ係数αに設定するために印加バイアスを変化させる
と、光出力波形のＤｕｔｙ、消光比（発光時と非発光時
のパワーの比）、出力光パワーが変動してしまう。した
がって、各印加バイアス毎に、駆動波形の振幅及びＤｕ
ｔｙ、ＬＤのバイアス電流を調整する必要がある。
【００３９】従来例では、光送信器内にＲＯＭを内蔵
し、各印加バイアス毎の調整パラメータを記憶させるこ
とにより解決している。更に、受信側で誤り率、Ｑ値等
をモニタし、送信側に転送することにより、伝送路の波
長分散特性に応じて最適な伝送特性が得られる構成も提
案されている。
【００４０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な従来の光伝送システムにあっては、以下に述べるよう
な問題点があった。
【００４１】すなわち、チャープ係数αは小信号で変調
したときの光周波数変動量から求められ、前記図２２に
示すように、ＥＡ変調器の印加バイアスに依存する。実
際には、印加バイアスに対してダイナミックに駆動して
おり、チャープ係数αは平均値的な近似でしかない。
【００４２】例えば、特開平９−１７９０７９号公報に
記載の光伝送システムでは、伝送特性をモニタし、その
伝送特性が改善されるようにＥＡ変調器のチャープパラ
メータを最適に設定するようにしている。この場合のチ
ャープパラメータは小信号で変調した時の光周波数変動
量から求められ、ＥＡ変調器の印加バイアスに依存する
静的な係数である。実際の変調時には、印加バイアスを
中心に大振幅の駆動信号が印加されるのでチャープパラ
メータもダイナミックに変化しているので、この場合の
チャープパラメータは平均値的な近似としてのみ意味が
あることになる。したがって、静的なチャープパラメー
タであったため、波長分散のある光ファイバで伝送する
際に生じる波形劣化を十分に補償することはできないと
いう問題点があった。
【００４３】本発明は、光出力パワーや光出力波形の劣
化を生じることなく、光出力において、最適な光周波数
変動量を得ることができる光送信器及び光伝送システム
を提供することを目的とする。
【００４４】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光送信器
は、光源からの光を入力とし、印加電圧に応じて入力光
を吸収することにより強度変調を行う電界吸収型光変調
器と、光変調器にバイアス電圧を供給するバイアス回路
と、入力電気信号から光変調器を駆動するための信号を
生成する駆動回路と、光源の光出力パワー及び駆動回路
出力波形の駆動振幅を制御する制御手段とを備えた光送
信器において、出力光の光周波数変動量を検出する光周
波数変動量検出手段と、光周波数変動量が最適になるよ
うに光変調器の駆動条件を調整する手段とを備えてい
る。
【００４５】本発明に係る光送信器は、光源からの光を
入力とし、印加電圧に応じて入力光を吸収することによ
り強度変調を行う電界吸収型光変調器と、光変調器にバ
イアス電圧を供給するバイアス回路と、入力電気信号か
ら光変調器を駆動するための信号を生成する駆動回路
と、光源の光出力パワー及び駆動回路出力波形の駆動振
幅を制御する制御手段とを備えた光送信器において、出
力光の光周波数変動量を検出する光周波数変動量検出手
段を備え、制御手段は、光周波数変動量が最適になるよ
うにバイアス回路及び駆動回路を制御するように構成す
る。
【００４６】本発明に係る光送信器は、入力光を強度変
調するマッハツェンダ型変調器と、マッハツェンダ型光
変調器の第１の電極に変調信号を与える第１の駆動回路
と、マッハツェンダ型光変調器の第２の電極に変調信号
を与える第２の駆動回路と、第１の電極及び第２の電極
にバイアス電圧を供給するバイアス回路と、光源の光出
力パワー及び第１及び第２の駆動回路出力波形の駆動振
幅を制御する制御手段とを備えた光送信器において、出
力光の光周波数変動量を検出する光周波数変動量検出手
段を備え、制御手段は、光周波数変動量が最適になるよ
うに第１及び第２のバイアス回路の出力振幅、又は第１
の電極及び第２の電極に与えるバイアス電圧の少なくと
も何れか１つ以上を制御するように構成する。
【００４７】本発明に係る光送信器は、調整手段及び制
御手段が、光周波数変動量が最適になるようにバイアス
回路のバイアス電圧、駆動回路出力波形の駆動振幅、又
は該出力波形のデューティの少なくとも何れか１つ以上
のパラメータを制御するものであってもよい。
【００４８】本発明に係る光送信器は、制御手段が、光
周波数変動量が一定となるようにバイアス電圧を制御す
るものであってもよい。
【００４９】本発明に係る光送信器は、出力光パワーを
モニタする手段を備え、制御手段は、バイアス電圧の変
化に対して、光送信器出力が変動しないように制御する
ものであってもよい。
【００５０】本発明に係る光送信器は、光送信器の光出
力波形の消光比を検出する消光比検出手段を備え、制御
手段は、バイアス電圧の変化に対して、消光比が変動し
ないように制御するものであってもよい。
【００５１】本発明に係る光送信器は、制御手段が、バ
イアス電圧の変化に対して、光送信器出力波形のデュー
ティが変動しないように制御するものであってもよい。
【００５２】本発明に係る光送信器は、制御手段が、光
周波数変動量が一定となるように第１及び第２の駆動回
路の出力振幅、又は第１及び第２の電極に与えるバイア
ス電圧の少なくとも何れか１つ以上を制御するものであ
ってもよい。
【００５３】本発明に係る光送信器は、出力光パワーを
モニタする手段を備え、制御手段は、第１及び第２の駆
動回路の出力振幅、又はバイアス電圧の変化に対して、
光送信器出力が変動しないように制御するものであって
もよい。
【００５４】本発明に係る光送信器は、光送信器の光出
力波形の消光比を検出する消光比検出手段を備え、制御
手段は、第１及び第２の駆動回路の出力振幅、又はバイ
アス電圧の変化に対して、消光比が変動しないように制
御するものであってもよい。
【００５５】本発明に係る光伝送システムは、光送信器
を有する第１の端局装置と、光受信器を有する第２の端
局装置と、第１の端局装置と第２の端局装置を結ぶ光フ
ァイバ伝送路とを備えた光伝送システムにおいて、光送
信器として請求項１、２、３、４、５、６、７、８、
９、１０又は１１の何れかに記載の光送信器を用いたこ
とを特徴とする。
【００５６】本発明に係る光伝送システムは、光受信器
が、伝送品質をモニタする手段を備え、伝送品質に基づ
いて光周波数変動量を与えるものであってもよい。
【００５７】本発明に係る光伝送システムは、光伝送シ
ステムを監視制御する手段を備え、伝送品質に基づいて
光周波数変動量を制御するものであってもよい。
【００５８】本発明に係る光伝送システムは、光ファイ
バ伝送路の波長分散をモニタする手段を備え、波長分散
に基づいて光周波数変動量を与えるものであってもよ
い。
【００５９】本発明に係る光伝送システムは、光伝送シ
ステムを監視制御する手段を備え、光波長分散に基づい
て光周波数変動量を制御するものであってもよい。
【００６０】
【発明の実施形態】本発明に係る光送信器及び光伝送シ
ステムは、基幹伝送システムや光加入者ネットワークシ
ステム等に用いられる光伝送システムに適用することが
できる。
【００６１】第１の実施形態 図１は本発明の第１の実施形態に係るチャープ係数αを
任意に設定可能とした光送信器の構成を示すブロック図
である。本実施形態に係る光送信器及び光伝送システム
の説明にあたり前記図２４と同一構成部分には同一符号
を付している。
【００６２】図１において、２０は光信号を送信する光
送信器であり、光送信器２０は、半導体レーザを用いた
光源１１、印加電圧に応じて入力光を吸収する電界吸収
型光変調器（ＥＡ変調器）１２、光変調器駆動回路１
３、バイアス回路１４、光出力を分岐する光カプラ２
１、光周波数弁別器２２及びピーク検出器２３からなる
光周波数変動量モニタ２４（光周波数変動量検出手
段）、及び制御回路２５（制御手段）から構成される。
【００６３】光源１１は、特定波長の光信号を出力する
半導体レーザからなり、例えばＤＦＢレーザ（Distribu
ted Feedback Laser）を用いる。
【００６４】ＥＡ変調器１２は、半導体レーザ１１から
の光出力光を強度変調するマッハツェンダ型の変調器で
ある。
【００６５】光変調器駆動回路１３は、ＥＡ変調器１２
のドライバ回路であり、入力電気信号から論理が互いに
反転した出力信号をＥＡ変調器１２の各々の電極に出力
する。
【００６６】バイアス回路１４は、ＥＡ変調器１２の各
々の電極に印加するバイアス電圧を制御する。
【００６７】光カプラ２１は、ＥＡ変調器１２の光出力
を波長／方向別に分離し、光信号出力として伝送路ファ
イバ上に出力するとともに、光周波数弁別器２２に出力
する。
【００６８】周波数弁別器２２は、例えばマッハツェン
ダ型の干渉計等で構成され、図２に示すような弁別特性
を有する。図２に示すように、周波数弁別器２２は、光
周波数に対して出力電圧が変動する特性を有し、その出
力電圧のピークから光周波数を弁別することができる。
【００６９】ピーク検出器２３は、周波数弁別器２２出
力のピークから周波数変動量のピークを検出する。
【００７０】このように、ＥＡ変調器１２からの光信号
の一部を光カプラ２１により分岐して光周波数弁別器２
２に入力し、光周波数弁別器２２により光周波数変動量
を検出した後、ピーク検出器２３に入力する。これによ
り、光出力信号の光周波数変動量のピーク値を検出する
ことができる。
【００７１】制御回路２５は、ＥＡ変調器１２の各々の
電極に与える変調波形の振幅を各々独立に制御する。
【００７２】このように、光送信器２０は、ＥＡ変調器
１２の出力側に周波数変動量のピークを検出するための
光カプラ２１及び光周波数変動量モニタ２４を付加した
構成である。
【００７３】以下、上述のように構成された光送信器及
び光伝送システムの動作を説明する。
【００７４】ＥＡ変調器１２の出力は光カプラ２１で分
岐され、一方は光出力信号として伝送路ファイバ上に出
力され、他方は光周波数変動量モニタ２４の光周波数弁
別器２２に出力される。光周波数弁別器２２では、図２
に示すような弁別特性により光周波数を弁別し、その光
出力信号の光周波数変動量のピーク値はピーク検出器２
２により検出される。
【００７５】制御回路２５では、バイアス電圧の変化に
応じて、光源１１の光出力パワーと駆動回路１３出力波
形の駆動振幅とＤｕｔｙの何れかのパラメータを制御す
る。以下、詳細に説明する。
【００７６】従来のチャープ係数の場合と同様に、光周
波数変動量も、ＥＡ変調器１２の印加バイアスに依存す
る。これは、前記式（１）から、チャープ係数αと光周
波数変動量が関係していることから容易に理解できる。
したがって、光周波数変動量を最適にしようとすると印
加バイアス、駆動振幅等のＥＡ変調器１２の駆動条件も
それに合わせて調整する。
【００７７】駆動条件としては、前記図２５において、
ＶHが決まれば、ある消光比をとろうとするとＶLが決ま
る。したがって、所望の光周波数変動量を得ようとする
と、ＶHとＶL、駆動振幅が一意に決まる。駆動波形のＤ
ｕｔｙも、光出力波形のＤｕｔｙを最適（１００％）に
しようとすると一意に決まる。
【００７８】図１の例では、制御回路２５により駆動条
件、光源１１のバイアス条件を制御しており、例えば、
光送信器２０内にＲＯＭを内蔵し、各光周波数変動量を
得るための駆動条件を記憶させておくようにする。この
ような場合のＲＯＭは、光周波数変動量が最適になるよ
うに光変調器２０の駆動条件を調整する調整手段を構成
する。
【００７９】光周波数変動量の極性（Δｆ＞０かΔｆ＜
０か）のモニタについては、無変調時の光周波数を基準
にして光周波数をモニタすることにより、容易に可能で
ある。
【００８０】また、光周波数弁別器２２とピーク検出器
２３から構成される光周波数変動量モニタ２４は、必ず
しも光送信器２０に内蔵される必要はなく、駆動条件を
求める際に用意されていればよい。
【００８１】以上説明したように、第１の実施形態に係
る光送信器２０は、光源１１、印加電圧に応じて入力光
を吸収する電界吸収型光変調器（ＥＡ変調器）１２、光
変調器駆動回路１３、バイアス回路１４、光出力を分岐
する光カプラ２１、光周波数弁別器２２及びピーク検出
器２３からなる光周波数変動量モニタ２４、及び制御回
路２５を備え、光周波数変動量が最適になるように光変
調器２０の駆動条件を調整したので、光出力パワーや光
出力波形の劣化を生じることなく、光出力において、最
適な光周波数変動量が得られる光送信器が実現可能とな
る。
【００８２】すなわち、従来の光伝送システムでは、伝
送特性をモニタし、その伝送特性が改善されるようにＥ
Ａ変調器のチャープパラメータを最適に設定する、ＥＡ
変調器の印加バイアスに依存する静的な係数であり、実
際の変調時のようにダイナミックに変化する場合には、
チャープパラメータは平均値的な近似としてのみ意味が
あった。このような静的なチャープパラメータを用いて
いたため、波長分散のある光ファイバで伝送する際に生
じる波形劣化を十分に補償することはできない場合があ
った。これに対して、本実施形態では、バイアス電圧の
変化に応じて、光周波数変動量が最適になるように制御
する動的な制御方法であるため、従来例に比べ、光出力
パワーや光出力波形の劣化を生じることなく、光出力に
おいて、最適な光周波数変動量を得ることができる。
【００８３】第２の実施形態 図３は本発明の第２の実施形態に係る光送信器の構成を
示すブロック図である。本実施形態に係る光送信器及び
光伝送システムの説明にあたり前記図１と同一構成部分
には同一符号を付している。
【００８４】図３において、３０は光信号を送信する光
送信器であり、光送信器３０は、半導体レーザを用いた
光源１１、電界吸収型光変調器（ＥＡ変調器）１２、光
変調器駆動回路１３、バイアス回路１４、光出力を分岐
する光カプラ２１、光周波数弁別器２２及びピーク検出
器２３からなる光周波数変動量モニタ２４、及び制御回
路２５（制御手段）から構成される。
【００８５】ピーク検出器２３は、周波数弁別器２２出
力のピークを検出し周波数変動量のピークとして制御回
路２５に出力する。
【００８６】制御回路２５は、光周波数変動量モニタ２
４からの信号に基づいてＥＡ変調器１２の電極に与える
変調波形の振幅を制御する。ここでは、光周波数変動量
が最適になるようにバイアス回路１４のバイアス電圧、
光変調器駆動回路１３出力波形の駆動振幅、又は出力波
形のデューティの何れかを制御する。
【００８７】このように、光送信器３０は、ＥＡ変調器
１２の出力側に周波数変動量のピークを検出するための
光カプラ２１と光周波数変動量モニタ２４を付加した構
成であり、光周波数変動量モニタ２４からの信号が制御
回路２５に入力されるように構成される。
【００８８】以下、上述のように構成された光送信器及
び光伝送システムの動作を説明する。
【００８９】光周波数変動量モニタ２４において、光信
号出力における光周波数変動量のピーク値が検出され、
制御回路２５に出力される。
【００９０】制御回路２５では、光信号出力における光
周波数変動量のピーク値が一定となるように駆動回路１
３を介してＥＡ変調器１２を制御する。
【００９１】ここで、駆動振幅及び駆動波形のＤｕｔｙ
等の制御は、第１の実施形態と同様、各バイアス毎に行
うようにする。この場合、予め各光周波数変動量を得る
ためのＥＡ変調器１２のバイアス電圧等の駆動条件が実
験などで把握できていれば、ＲＯＭ等の記憶媒体を備え
ることで、自動的に制御することができる。
【００９２】以上説明したように、第２の実施形態に係
る光送信器３０は、光周波数変動量モニタ２４からの信
号が制御回路２５に入力し、制御回路２５は光周波数変
動量のピーク値が一定となるように制御したので、ＥＡ
変調器１２のバイアス電圧等の駆動条件を調整すること
なく、最適な光周波数変動量が得られ、光出力パワーや
光出力波形の劣化を生じることがない、光送信器が実現
可能となる。
【００９３】第３の実施形態 図４は本発明の第３の実施形態に係る光送信器の構成を
示すブロック図である。本実施形態に係る光送信器及び
光伝送システムの説明にあたり前記図３と同一構成部分
には同一符号を付している。
【００９４】図４において、４０は光信号を送信する光
送信器であり、光送信器４０は、半導体レーザを用いた
光源１１、電界吸収型光変調器（ＥＡ変調器）１２、光
変調器駆動回路１３、バイアス回路１４、光出力を分岐
する光カプラ２１，４１、光周波数弁別器２２及びピー
ク検出器２３からなる光周波数変動量モニタ２４、光出
力パワーモニタ４２、及び制御回路４３（制御手段）か
ら構成される。
【００９５】光出力パワーモニタ４２は、出力光パワー
をモニタする光パワーモニタであり、光パワーモニタ４
２出力は制御回路４３に出力される。
【００９６】制御回路４３は、光出力パワーモニタ４２
及び光周波数変動量モニタ２４からの信号に基づいてＥ
Ａ変調器１２の各々の電極に与える変調波形の振幅を各
々独立に制御する。
【００９７】このように、光送信器４０は、さらに出力
光パワーをモニタするための光カプラ４１と光パワーモ
ニタ４２を付加した構成であり、光周波数変動量モニタ
２４からの信号に加え、光出力パワーモニタ４２からの
出力パワーが制御回路４３に入力されるように構成され
る。
【００９８】以下、上述のように構成された光送信器及
び光伝送システムの動作を説明する。
【００９９】光出力パワーモニタ４２において、光送信
器の光出力パワーの平均値をモニタし、モニタ出力は制
御回路４３に出力される。
【０１００】制御回路４３では、光出力パワーの平均値
が一定になるように駆動回路１３を介して光源１１のバ
イアス電流を制御する。
【０１０１】また、第２の実施形態と同様に、光周波数
変動量モニタ２４において、光信号出力における光周波
数変動量のピーク値が検出され、制御回路４３に出力さ
れる。制御回路４３では、光信号出力における光周波数
変動量のピーク値が一定となるように駆動回路１３を介
してＥＡ変調器１２を制御する。
【０１０２】以上説明したように、第３の実施形態に係
る光送信器４０は、さらに出力光パワーをモニタするた
めの光カプラ４１と光パワーモニタ４２を付加し、光周
波数変動量モニタ２４からの信号に加え、光出力パワー
モニタ４２からの出力パワーが制御回路４３に入力され
るように構成したので、光出力パワーの劣化を生じるこ
となく、光出力において、最適な光周波数変動量が得ら
れる光送信器が実現可能となる。
【０１０３】第４の実施形態 図５は本発明の第４の実施形態に係る光送信器の構成を
示すブロック図である。本実施形態に係る光送信器及び
光伝送システムの説明にあたり前記図３と同一構成部分
には同一符号を付している。
【０１０４】図５において、５０は光信号を送信する光
送信器であり、光送信器５０は、半導体レーザを用いた
光源１１、電界吸収型光変調器（ＥＡ変調器）１２、光
変調器駆動回路１３、バイアス回路１４、光出力を分岐
する光カプラ２１，５１、光周波数弁別器２２及びピー
ク検出器２３からなる光周波数変動量モニタ２４、光出
力信号を電気信号に変換する光電変換器５２及びピーク
検出器５３からなる消光比検出部５４（消光比検出手
段）、及び制御回路５５（制御手段）から構成される。
【０１０５】ピーク検出部５３は、光電変換器５２出力
のピークを検出し周波数変動量のピークとして制御回路
５５に出力する。このピーク検出部５３は、光周波数変
動量モニタ２４のピーク検出器２３と同様なものが使用
できる。
【０１０６】消光比検出部５４は、上記光電変換器５２
及びピーク検出器５３からなり、光出力波形のＨｉｇｈ
レベルとＬｏｗレベルを検出するようにすれば、消光比
（非発光時の光レベルに対する発光時の光レベルの比）
の検出が可能である。
【０１０７】消光比検出部５４は、光出力波形の消光比
を検出してモニタし、消光比検出部５４出力は制御回路
５５に出力される。
【０１０８】制御回路５５は、消光比検出部５４及び光
周波数変動量モニタ２４からの信号に基づいてＥＡ変調
器１２の各々の電極に与える変調波形の振幅を各々独立
に制御する。
【０１０９】このように、光送信器５０は、消光比検出
部５４により光出力波形の消光比が検出されモニタされ
る構成であり、消光比検出部５４出力が制御回路５５に
入力されるように構成される。
【０１１０】以下、上述のように構成された光送信器及
び光伝送システムの動作を説明する。
【０１１１】ＥＡ変調器１２から出力された光出力信号
は、光電変換器５２で電気信号に変換され、光電変換さ
れた信号はピーク検出器５３において、光出力信号のΗ
ｉｇｈレベルとＬｏｗレベルが検出され、その信号が制
御回路５５に入力される。
【０１１２】一般に、光信号の消光比は式（２）で与え
られる。
【０１１３】
【数２】
【０１１４】制御回路５５では、光出力信号のΗｉｇｈ
レベルとＬｏｗレベルから上記式（２）により消光比を
計算し、消光比がある値以上になるように駆動回路１３
を介してＥＡ変調器１２のバイアス及び駆動振幅を制御
する。
【０１１５】また、第２、第３の実施形態と同様に、光
周波数変動量モニタ２４において、光信号出力における
光周波数変動量のピーク値が検出され、制御回路５５に
出力される。制御回路５５では、光信号出力における光
周波数変動量のピーク値が一定となるように駆動回路１
３を介してＥＡ変調器１２を制御する。
【０１１６】以上説明したように、第４の実施形態に係
る光送信器５０は、光出力波形の消光比を検出する消光
比検出部５４を備え、消光比検出部５４出力が制御回路
５５に入力されるように構成したので、消光比の劣化を
生じることなく、光出力において、最適な光周波数変動
量が得られる光送信器が実現可能となる。
【０１１７】第５の実施形態 図６は本発明の第５の実施形態に係る光送信器の構成を
示すブロック図である。本実施形態に係る光送信器及び
光伝送システムの説明にあたり前記図４及び図５と同一
構成部分には同一符号を付している。
【０１１８】図６において、６０は光信号を送信する光
送信器であり、光送信器６０は、半導体レーザを用いた
光源１１、電界吸収型光変調器（ＥＡ変調器）１２、光
変調器駆動回路１３、バイアス回路１４、光出力を分岐
する光カプラ２１，４１，５１、光周波数弁別器２２及
びピーク検出器２３からなる光周波数変動量モニタ２
４、光出力パワーモニタ４２、光出力信号を電気信号に
変換する光電変換器５２及びピーク検出器５３からなる
消光比検出部５４、及び制御回路６１（制御手段）から
構成される。
【０１１９】制御回路６１は、光出力パワーモニタ４
２、消光比検出部５４及び光周波数変動量モニタ２４か
らの信号に基づいてＥＡ変調器１２の各々の電極に与え
る変調波形の振幅を各々独立に制御する。
【０１２０】このように、光送信器６０は、光周波数変
動量モニタ２４と、光出力波形の消光比モニタするため
の消光比検出部５４と、出力光パワーをモニタする光パ
ワーモニタ４２とを備えた構成であり、消光比検出部５
４出力及び光パワーモニタ４２出力が制御回路６１に入
力されるように構成される。
【０１２１】以下、上述のように構成された光送信器及
び光伝送システムの動作を説明する。
【０１２２】ＥＡ変調器１２から出力された光出力信号
は、光電変換器５２で電気信号に変換され、光電変換さ
れた信号はピーク検出器５３において、光出力信号のΗ
ｉｇｈレベルとＬｏｗレベルが検出され、その信号が制
御回路６１に入力される。また、光出力パワーモニタ４
２により、光信号出力の平均値が検出され、その信号が
制御回路６１に入力される。
【０１２３】制御回路６１では、光出力信号のΗｉｇｈ
レベルとＬｏｗレベルから消光比を計算し、消光比があ
る値以上になるようにＥＡ変調器１２のバイアス及び駆
動振幅を制御するとともに、光出力パワーの平均値が一
定になるように光源１１のバイアス電流を制御する。具
体的には、制御回路６１では、以下のような制御を行
う。
【０１２４】Ｄｕｔｙが１００％であれば、光出力信号
のＨｉｇｈレベルとＬｏｗレベルの平均値は、光信号出
力の平均値に等しくなる。逆に言えば、光出力信号のＨ
ｉｇｈレベルとＬｏｗレベルの平均値に対する光信号出
力の平均値の比はＤｕｔｙに等しくなる。したがって、
光出力信号のΗｉｇｈレベルとＬｏｗレベルの平均値に
対する光信号出力の平均値の比を制御回路６１において
計算し、それが一定になるようにＥＡ変調器１２のバイ
アスを制御する。これにより、Ｄｕｔｙは安定化され
る。
【０１２５】以上説明したように、第５の実施形態に係
る光送信器６０は、光周波数変動量モニタ２４と、光出
力波形の消光比モニタするための消光比検出部５４と、
出力光パワーをモニタする光パワーモニタ４２とを備
え、消光比検出部５４出力及び光パワーモニタ４２出力
が制御回路６１に入力されるように構成したので、光出
力信号のＤｕｔｙ劣化を生じることなく、光出力におい
て、最適な光周波数変動量が得られる光送信器が実現可
能となる。
【０１２６】上述した各実施形態に係る光送信器は、基
幹伝送システムや光加入者ネットワークシステム等に用
いられる光伝送システムに適用することができる。以
下、この例について各実施形態により説明する。
【０１２７】第６の実施形態 図７は本発明の第６の実施形態に係る光伝送シミュレー
タを用いた光伝送システムの概要を示す図である。光フ
ァイバ増幅器として、ＥＤＦＡ（Erbium-DopedFiber Am
plifier：エルビウム−ドープ光ファイバ増幅器）を用
いている。
【０１２８】図７において、７０は上記各実施形態で詳
述した光送信器２０，３０，４０，５０，６０のうちの
何れかの光送信器（ＴＸ）、７１は光ファイバからなる
光伝送路、７２は光信号を増幅する光アンプを備えた中
継器、７３は光信号を受信する光受信器（ＲＸ）、７４
は伝送特性をモニタする伝送特性モニタである。
【０１２９】上記光送信器（ＴＸ）７０は、電気光変換
を行い、特定の波長の光信号として送信する光送信器で
あり、例えば第１の実施形態に係る光送信器２０（図
１）を用いる。また、信頼性を高めるため、例えば予備
系を含めた２重構成となっており、同一の装置０系、１
系を装備し、通常は片方の系を使用し、異常時に他方の
系に切替えて使用する。
【０１３０】上記中継器７２は、光信号を増幅する光ア
ンプを備え、受信する光信号をアナログ的に増幅し送信
する。
【０１３１】以下、上述のように構成された光伝送シス
テムの動作を説明する。
【０１３２】光送信器７０（例えば、第１の実施形態の
光送信器２０）から送出された光信号は、伝送路光ファ
イバ７１と光中継器７２を伝送後、光受信器７３で電気
信号に復調される。光受信器７３において、受信波形の
Ｑ値、誤り率、パリティビットのチェック結果等が検出
され、伝送特性モニタ７４においてモニタされる。
【０１３３】従来例で説明したように、光ファイバ伝送
後の波形は、光ファイバの分散特性によって変化する。
また、図７のように、光増幅器で中継して光ファイバ内
の光レベルが高くなる場合は、光ファイバ中での非線形
効果により、伝送後の波形が変化する。そこで、伝送後
の特性である、受信波形のＱ値や誤り率等をモニタし、
それが最適（Ｑ値であれば最大値、符号誤り率ＢＥＲ
（Bit-Error Rate）であれば最小値）になるように、光
送信器７０において、光周波数変動量を調整する。
【０１３４】以上説明したように、第６の実施形態に係
る光伝送システムは、光送信器を有する第１の端局装置
が、上記各実施形態に述べた光送信器７０（例えば、第
１の実施形態の光送信器２０）を備えるとともに、光受
信器７３を有する第２の端局装置が、伝送特性をモニタ
する伝送特性モニタ７４を備えて構成したので、最適な
伝送特性が得られるような光伝送システムが実現可能と
なる。この場合、光中継器で中継しない場合も同様な効
果が得られることは明らかである。
【０１３５】第７の実施形態 図８は本発明の第７の実施形態に係る光送信器を用いた
光伝送システムの概要を示す図である。本実施形態に係
る光送信器及び光伝送システムの説明にあたり前記図７
と同一構成部分には同一符号を付している。
【０１３６】図８において、７０は上記各実施形態で詳
述した光送信器２０，３０，４０，５０，６０のうちの
何れかの光送信器（ＴＸ）、７１は光ファイバからなる
光伝送路、７２は光信号を増幅する光アンプを備えた中
継器、７３は光信号を受信する光受信器（ＲＸ）、７４
は伝送特性をモニタする伝送特性モニタ、７５は伝送特
性モニタ７４からの信号を基に光伝送システムを監視制
御するスーパヴァイザリ（ＳＶ）である。
【０１３７】スーパヴァイザリ（ＳＶ）７５は、入出力
装置の制御、割り込み処理、パラメータ計測及び制御等
を行うもので、監視ネットワーク等の伝送手段により他
のスーパヴァイザリ（ＳＶ）と通信可能である。図中破
線矢印に示すＳＶ間の伝送手段としては、伝送路ファイ
バ７１に波長多重する方法や、別のファイバによるいわ
ゆる監視網を経由して伝送する等で実現できる。また、
例えば電話、監視ネットワーク等を用いることもでき
る。
【０１３８】以下、上述のように構成された光伝送シス
テム及びその監視制御方法の動作を説明する。
【０１３９】伝送特性モニタ７４からの信号を、光伝送
システムを監視制御するＳＶ７５経由で光送信器７０に
転送する。ＳＶ間の伝送手段としては、伝送路ファイバ
７１に波長多重か、または別のファイバによるいわゆる
監視網を経由して伝送する。
【０１４０】受信波形のＱ値や誤り率等をモニタし、Ｓ
Ｖ経由で光送信器７０にフィードバックし、最適（Ｑ値
であれば最大値、誤り率であれば最小値）になるよう
に、光送信器７０において、光周波数変動量を自動制御
する。
【０１４１】以上説明したように、第７の実施形態に係
る光伝送システムは、伝送特性モニタ７４からの信号を
基に光伝送システムを監視制御するスーパヴァイザリ
（ＳＶ）７５を備えて構成したので、光送信器７０を調
整することなく、最適な伝送特性が得られるような光伝
送システムが実現可能となる。この場合、光中継器で中
継しない場合も同様な効果が得られる。
【０１４２】第８の実施形態 本発明の第８の実施形態に係る光送信器を用いた光伝送
システムの構成は、第７の実施形態と同一である。
【０１４３】本実施形態に係る光送信器及び光伝送シス
テムでは、光送信器７０（例えば、第１の実施形態の光
送信器２０）において、伝送路光ファイバの波長分散値
に応じて、光周波数変動量を調整する。例えば、ファイ
バ長が短く、細かい調整無しでも伝送可能な場合は、ス
イッチ切り替えなどでＥＡ変調器１２のバイアスを選択
し、光周波数変動量を設定するように構成する。
【０１４４】以下、上述のように構成された光伝送シス
テム及びその監視制御方法の動作を説明する。
【０１４５】前記図１６及び図１７に示すペナルテイの
分散量依存性は、１００ｋｍ程度のファイバ伝送であれ
ば、チャープ係数αまたは光周波数変動量を切り替える
ことで、異なる種類のファイバ（Ｇ．６５２とＧ．６５
３）に対応できることを示している。したがって、予め
伝送路ファイバの分散量が分かっていれば、それに応じ
て光周波数変動量を与えることで対応できる。勿論、光
中継器を多段接続して伝送距離を１００ｋｍ以上に延ば
す場合でも、分散補償ファイバを光中継器に内蔵させる
等の方法を用いることで同様に行える。
【０１４６】したがって、第８の実施形態に係る光伝送
システムでは、伝送路光ファイバの分散量に応じて、最
適な光周波数変動量を与える光送信器が実現可能とな
る。
【０１４７】第９の実施形態 図９は本発明の第９の実施形態に係る光送信器を用いた
光伝送システムの構成を示す図である。本実施形態に係
る光送信器及び光伝送システムの説明にあたり前記図８
と同一構成部分には同一符号を付している。
【０１４８】本実施形態は、前記図９に示す第９の実施
形態に係る光伝送システムにおいて、伝送路ファイバの
波長分散量を監視制御するようにしたものである。
【０１４９】図９において、光送信装置８０（第１の端
局装置）は、光送信器（ＴＸ）７０（波長λ０）、発振
器８１、波長可変光源８２（波長λ１）、参照光源８３
（波長λ２）、及び３つの光源の波長λ０，λ１，λ２
を波長多重して伝送路ファイバ７１に送出する送信側Ｗ
ＤＭ８４から構成される。
【０１５０】また、光受信装置９０（第２の端局装置）
は、伝送された光信号を３波長λ０，λ１，λ２に分離
する受信側ＷＤＭ９１、波長λ０成分を受光する光受信
器７３、波長λ１成分を光／電気（Ｏ／Ｅ）変換して受
光する第１の受光素子９２、波長λ２成分を光／電気変
換して受光する第２の受光素子９３、第１の受光素子９
２の信号と第２の受光素子９３の信号の位相差を比較す
る位相比較器９４、及び位相差のデータから波長分散を
モニタする波長分散量モニタ９５から構成される。
【０１５１】以下、上述のように構成された光送信器及
び光伝送システムの動作を説明する。
【０１５２】光送信装置８０は、光送信器７０、波長可
変光源８２及び参照光源８３を有し、波長可変光源８２
及び参照光源８３は発振器８１により変調される。
【０１５３】送信側ＷＤＭ８４では、光送信器７０、波
長可変光源８２及び参照光源８３からの３つの光源の波
長λ０，λ１，λ２を波長多重して伝送路ファイバ７１
に送出する。
【０１５４】光受信装置９０の受信側ＷＤＭ９１では、
伝送された光信号を３波長λ１，λ２，λ３に分離し、
波長λ０成分を光受信器７３に、波長λ１成分を第１の
受光素子９２に、波長λ２成分を第２の受光素子９３に
それぞれ入力する。
【０１５５】第１の受光素子９２の受光信号と第２の受
光素子９３の受光信号は、位相比較器９４に入力され、
位相比較器９４では第１の受光素子９２の信号と第２の
受光素子９３の信号の位相差を検出する。
【０１５６】光送信装置８０側で波長可変光源８２の波
長を変えていき、光受信装置９０側でλ２成分の信号に
対するλ１成分の位相差を測定する。なお、同等な伝送
路が施設されていれば、上記ＷＤＭを用いなくても同様
な測定が可能である。
【０１５７】上記位相差の波長依存データを波長分散量
モニタ９５に転送し、波長で微分することによりλ０付
近の波長分散を算出する。
【０１５８】図１０は光ファイバの波長分散の測定原理
を説明するための図であり、光の群遅延と波長分散の関
係を示す。
【０１５９】図１０において、前記λ２成分の信号に対
するλ１成分の信号の位相差は、光ファイバの群遅延の
相対値に相当する。一方、一般に光ファイバの波長分散
は、群遅延の波長微分から得られるので、前記位相差の
データを波長で微分することにより、各波長での波長分
散値が得られる。この波長分散データは、市販の測定器
（例えば、ＨＰ社製、型名：８３４６７Ａ）を用いても
容易に取得することができる。
【０１６０】このようにしてモニタされた波長分散量に
応じて、最適な光周波数変動量が得られるように、ＥＡ
変調器のバイアスを調整する。予め、各波長分散量毎に
最適な光周波数変動量またはＥＡ変調器のバイアスが実
験などで把握できていれば、ＲＯＭ等の記憶媒体を備え
ることで、調整が容易になる。
【０１６１】以上説明したように、第９の実施形態に係
る光伝送システムは、光送信装置８０が、上記各実施形
態に述べた光送信器７０を備えるとともに、光受信装置
９０が、光受信器７３と波長分散をモニタする波長分散
量モニタ９５を備えて構成したので、既に施設された伝
送路に対しても、予め伝送路光ファイバの波長分散量を
把握しておく必要がなく、伝送路光ファイバの分散量に
応じて、最適な光周波数変動量を与える光伝送システム
が実現可能となる。
【０１６２】第１０の実施形態 図１１は本発明の第１０の実施形態に係る光送信器を用
いた光伝送システムの構成を示す図である。本実施形態
に係る光送信器及び光伝送システムの説明にあたり前記
図９と同一構成部分には同一符号を付している。
【０１６３】本実施形態は、前記図８に示す第７の実施
形態に係る光伝送システムにおいて、伝送路ファイバの
波長分散モニタを行うようにしたものである。
【０１６４】図１１において、光送信装置８０は、光送
信器（ＴＸ）７０（波長λ０）、発振器８１、波長可変
光源８２（波長λ１）、参照光源８３（波長λ２）、及
び３つの光源の波長λ０，λ１，λ２を波長多重して伝
送路ファイバ７１に送出する送信側ＷＤＭ８４から構成
される。
【０１６５】また、光受信装置９０は、伝送された光信
号を３波長λ０，λ１，λ２に分離する受信側ＷＤＭ９
１、波長λ０成分を受光する光受信器７３、波長λ１成
分を光／電気（Ｏ／Ｅ）変換して受光する第１の受光素
子９２、波長λ２成分を光／電気変換して受光する第２
の受光素子９３、第１の受光素子９２の信号と第２の受
光素子９３の信号の位相差を比較する位相比較器９４、
及び位相差のデータから波長分散をモニタする波長分散
量モニタ９５から構成される。
【０１６６】また、１００は波長分散量モニタ９５から
の信号を基に光伝送システムを監視制御するスーパヴァ
イザリ（ＳＶ）である。
【０１６７】スーパヴァイザリ（ＳＶ）１００は、入出
力装置の制御、割り込み処理、パラメータ計測及び制御
等を行うもので、監視ネットワーク等の伝送手段により
他のスーパヴァイザリ（ＳＶ）と通信可能である。図中
破線矢印に示すＳＶ間の伝送手段としては、伝送路ファ
イバ７１に波長多重する方法や、別のファイバによるい
わゆる監視網を経由して伝送する等で実現できる。ま
た、例えば電話、監視ネットワーク等を用いることもで
きる。
【０１６８】以下、上述のように構成された光送信器及
び光伝送システムの動作を説明する。
【０１６９】波長分散量モニタ９５からの信号を、光伝
送システムを監視制御するＳＶ１００経由で光送信器７
０に転送する。ＳＶ１００間の伝送手段としては、伝送
路ファイバ７１に波長多重か、または別のファイバによ
るいわゆる監視網を経由して伝送する。
【０１７０】受信側でモニタされた波長分散量を、ＳＶ
１００経由で光送信器７０にフィードバックし、モニタ
された波長分散量に応じて、最適な光周波数変動量が得
られるように、ＥＡ変調器のバイアスを自動制御する。
第９の実施形態で示したように、各波長分散量に対して
最適な光周波数変動量またはＥＡ変調器のバイアス電圧
及び駆動条件を、ＲＯＭ等の記憶媒体に保存しておくこ
とで、自動制御は可能である。
【０１７１】以上説明したように、第１０の実施形態に
係る光伝送システムは、波長分散量モニタ９５からの信
号を基に光伝送システムを監視制御するスーパヴァイザ
リ（ＳＶ）１００を備えているので、既に施設された伝
送路に対しても、予め伝送路光ファイバの波長分散量を
把握しておく必要がなく、伝送路光ファイバの分散量に
応じて、光送信器を調整することなく自動的に最適な光
周波数変動量を与える光伝送システムが実現可能とな
る。
【０１７２】第１１の実施形態 図１２は本発明の第１１の実施形態に係る光送信器を用
いた光伝送システムの構成を示す図である。本実施形態
に係る光送信器及び光伝送システムの説明にあたり前記
図１と同一構成部分には同一符号を付している。
【０１７３】本実施形態は、前記図１に示す第１の実施
形態に係る光伝送システム、又は前記図９に示す第９の
実施形態に係る波長多重伝送システムにおいて、光送信
装置のチャープ係数（光源の波長変動量を表す係数）を
制御するようにしたものである。
【０１７４】図１２において、１１０は光信号を送信す
る光送信器であり、光送信器１１０は、半導体レーザを
用いた光源１１、マッハツェンダ型光変調器１１１、入
力バッファ（光変調器駆動回路）１１２、第１のＡＧＣ
（Automatic Gain Control）アンプ１１３（第１のバイ
アス回路）及び第２のＡＧＣアンプ１１４（第２のバイ
アス回路）からなるＡＧＣアンプ（可変利得増幅器）１
１５、バイアス回路１４、光出力を分岐する光カプラ２
１、光周波数弁別器２２及びピーク検出器２３からなる
光周波数変動量モニタ２４、及び制御回路１１６（制御
手段）から構成される。
【０１７５】光源１１は、特定波長の光信号を出力する
半導体レーザからなり、例えばＤＦＢレーザ（Distribu
ted Feedback Laser）を用いる。
【０１７６】マッハツェンダ型光変調器１１１は、半導
体レーザからなる光源１１からの光出力光を強度変調す
るマッハツェンダ型の変調器である。
【０１７７】入力バッファ１１２は、マッハツェンダ型
光変調器１１１のドライバ回路であり、入力電気信号か
ら論理が互いに反転した出力信号をＡＧＣアンプ１１３
を通してマッハツェンダ型光変調器１１１の各々の電極
に出力する。
【０１７８】ＡＧＣアンプ１１５は、入力バッファ１１
２の非反転信号を増幅してマッハツェンダ型光変調器１
１１の一方の変調端子（Ｃｈ２）に出力する第１のＡＧ
Ｃアンプ１１３と、入力バッファ１１２の反転信号を増
幅してマッハツェンダ型光変調器１１１の他方の変調端
子（Ｃｈ１）に出力する第２のＡＧＣアンプ１１４とか
ら構成される。
【０１７９】バイアス回路１４は、マッハツェンダ型光
変調器１１１の各々の電極に印加するバイアス電圧を制
御する。
【０１８０】制御回路１１６は、マッハツェンダ型光変
調器１１１の各々の電極に与える変調波形の振幅を各々
独立に制御する。例えば、制御回路１１６は、光周波数
変動量が最適になるようにアンプ１１３及び第２のＡＧ
Ｃアンプ１１４の出力振幅、又は変調端子（Ｃｈ１）及
び変調端子（Ｃｈ２）に与えるバイアス電圧１４の何れ
かを制御する。
【０１８１】このように、本光伝送システムにおける光
送信器１１０は、マッハツェンダ型光変調器１１１の出
力側に周波数変動量のピークを検出するための光カプラ
２１と光周波数変動量モニタ２４を付加した構成であ
る。
【０１８２】以下、上述のように構成された光伝送シス
テムの動作を説明する。
【０１８３】光源１１からの光出力は、マッハツェンダ
型光変調器１１１に入力され、マッハツェンダ型光変調
器１１１により強度変調された後、一方は光送信器の出
力として伝送路ファイバ上に出力され、他方は光周波数
変動量モニタ２４の光周波数弁別器２２に出力される。
光周波数弁別器２２では、前記図２に示すような弁別特
性により光周波数を弁別し、その光出力信号の光周波数
変動量のピーク値はピーク検出器２２により検出され
る。
【０１８４】電気入力信号は、入力バッファ１１２によ
り非反転信号と反転信号に分岐され、非反転信号は第１
のＡＧＣアンプ１１３に入力され、反転信号は第２のＡ
ＧＣアンプ１１４に入力される。第１のＡＧＣアンプ１
１２の出力信号は、マッハツェンダ型光変調器１１１の
一方の変調端子（Ｃｈ２）に入力され、第２のＡＧＣア
ンプ１１４の出力信号は、マッハツェンダ型光変調器１
１１の他方の変調端子（Ｃｈ１）に入力される。マッハ
ツェンダ型光変調器１１１の２つの変調端子には、バイ
アス回路１４からバイアス電圧が与えられる。
【０１８５】第１のＡＧＣアンプ１１３及び第２のＡＧ
Ｃアンプ１１４の利得及びバイアス回路１４から出力さ
れるバイアス電圧は、制御回路１１６により制御され
る。以下、詳細に説明する。
【０１８６】制御回路１１６では、バイアス電圧の変化
に応じて、光源１１の光出力パワーと駆動回路１３出力
波形の駆動振幅とＤｕｔｙの何れかのパラメータを制御
する。以下、詳細に説明する。
【０１８７】一般にマッハツェンダ型光変調器は、入力
光信号を２分岐し、相対的に光の位相を変調した後再び
合波及び干渉させることで、出力光として強度変調され
た光信号を得るものである。通常、２分岐した光信号の
うち、片側の光信号の位相のみ変調する方法が用いられ
ているが、この場合、チャープ係数は主に変調電極形状
で決定され、極性（正か負か）の切り替えしかできなか
った。しかし、双方の光信号について各々変調すること
により、チャープ係数を連続的に変化させる方法が提案
されている（S.K.Korotky 他、"High-speed,low power
optical modulator with adjustable chirp paramete
r",Integrated Photonics Research 1991,TuG2,pp53-5
4）。
【０１８８】チャープ係数αは、次式（３）で与えられ
る。
【０１８９】 α＝（１＋ｒ）／（１−ｒ） …（３） 但し、ｒ＝Δβ2／Δβ1、Δβ1：Ｃｈ１の光の位相速
度変化、Δβ2：Ｃｈ２の光の位相速度変化を示す。
【０１９０】光の位相速度変化が変調電圧に比例して変
化するとすると、図１３に示すような駆動条件で、チャ
ープ係数αを変化させることができる。
【０１９１】図１３はマッハツェンダ型光変調器（２電
極駆動）の動作を説明するための図である。図１３中、
Ｖπは光の位相をπだけ変化させる電圧を示す。
【０１９２】例えば、α＝−１の場合（ｃａｓｅ２）、
Ｃｈ１は０Ｖ固定で変調せず、Ｃｈ２はＶπの振幅（Ｌ
ｏｗレベルは０Ｖ）で変調する。逆に、α＝１の場合
（ｃａｓｅ４）、Ｃｈ２は０Ｖ固定で変調せず、Ｃｈ１
はＶπの振幅（Ηｉｇｈレベルは０Ｖ）で変調する。α
＝０の場合（ｃａｓｅ３）、Ｃｈ１はＶπ／２の振幅
（Ηｉｇｈレベルは０Ｖ）で変調し、Ｃｈ２はＶπ／２
の振幅（Ｌｏｗレベルは０Ｖ）で変調する。要するに、
α＝−１〜１の範囲では、バイアス電圧０Ｖを中心に、
Ｃｈ１とＣｈ２を互いに論理の反転した信号で、振幅の
和がＶπになるよう変調すればよい。
【０１９３】一方、｜α｜＞１の場合（ｃａｓｅ１，ｃ
ａｓｅ５）は、論理を切り替えられるよう、図１２の入
力バッファとＡＧＣアンプの間にセレクタを挿入するこ
とで、図１３の条件は実現できる。
【０１９４】光周波数変動量を変えるには、チャープ係
数と光周波数変動量は前記式（１）に示すように一意に
対応するため、光周波数変動量のモニタ値に応じて、Ｃ
ｈ１とＣｈ２の駆動振幅とバイアス電圧を調整すればよ
い。
【０１９５】以上説明したように、第１１の実施形態に
係る光送信器１１０は、半導体レーザを用いた光源１
１、マッハツェンダ型光変調器１１１、入力バッファ１
１２、第１のＡＧＣアンプ１１３及び第２のＡＧＣアン
プ１１４からなるＡＧＣアンプ１１５、バイアス回路１
４、光出力を分岐する光カプラ２１、光周波数弁別器２
２及びピーク検出器２３からなる光周波数変動量モニタ
２４、及び制御回路１１６を備えて構成したので、マッ
ハツェンダ型光変調器１１１を２電極型駆動で用いた場
合でも、光出力において最適な光周波数変動量が得られ
る光送信器が実現可能となる。
【０１９６】第１２の実施形態 図１４は本発明の第１２の実施形態に係る光送信器を用
いた光伝送システムの構成を示す図である。本実施形態
に係る光送信器及び光伝送システムの説明にあたり前記
図１２と同一構成部分には同一符号を付している。
【０１９７】図１４において、１２０は光信号を送信す
る光送信器であり、光送信器１２０は、半導体レーザを
用いた光源１１、マッハツェンダ型光変調器１１１、入
力バッファ１１２、第１のＡＧＣアンプ１１３及び第２
のＡＧＣアンプ１１４からなるＡＧＣアンプ１１５、バ
イアス回路１４、光出力を分岐する光カプラ２１、光周
波数弁別器２２及びピーク検出器２３からなる光周波数
変動量モニタ２４、及び制御回路１１６から構成され
る。
【０１９８】制御回路１１６は、光周波数変動量モニタ
２４からの信号に基づいてＥＡ変調器１２の各々の電極
に与える変調波形の振幅を各々独立に制御する。
【０１９９】このように、光送信器１２０は、ＥＡ変調
器１２の出力側に周波数変動量のピークを検出するため
の光カプラ２１と光周波数変動量モニタ２４を付加した
構成であり、光周波数変動量モニタ２４からの信号が制
御回路１１６に入力されるように構成される。
【０２００】以下、上述のように構成された光送信器及
び光伝送システムの動作を説明する。
【０２０１】光周波数変動量モニタ２４において、光信
号出力における光周波数変動量のピーク値が検出され、
制御回路１１６に出力される。
【０２０２】制御回路１１６では、光信号出力における
光周波数変動量のピーク値が一定となるようにＡＧＣア
ンプ１１５を介してマッハツェンダ型光変調器１１１を
制御する。
【０２０３】ここで、駆動振幅及び駆動波形のＤｕｔｙ
等の制御は、第１１の実施形態と同様、各バイアス毎に
行うようにする。この場合、予め各光周波数変動量を得
るためのマッハツェンダ型光変調器１１１のバイアス電
圧等の駆動条件が実験などで把握できていれば、ＲＯＭ
等の記憶媒体を備えることで、自動的に制御することが
できる。
【０２０４】このように、第１２の実施形態に係る光送
信器１２０では、光周波数変動量モニタ２４からの信号
が制御回路１１６に入力されるように構成したので、最
適な光周波数変動量が無調整で得られる光送信器が実現
可能となる。
【０２０５】第１３の実施形態 図１５は本発明の第１３の実施形態に係る光送信器を用
いた光伝送システムの構成を示す図である。本実施形態
に係る光送信器及び光伝送システムの説明にあたり前記
図６及び図１２と同一構成部分には同一符号を付してい
る。
【０２０６】図１５において、１３０は光信号を送信す
る光送信器であり、光送信器１３０は、半導体レーザを
用いた光源１１、マッハツェンダ型光変調器１１１、入
力バッファ１１２、第１のＡＧＣアンプ１１３及び第２
のＡＧＣアンプ１１４からなるＡＧＣアンプ１１５、バ
イアス回路１４、光出力を分岐する光カプラ２１，４
１，５１、光周波数弁別器２２及びピーク検出器２３か
らなる光周波数変動量モニタ２４、光出力パワーモニタ
４２、光出力信号を電気信号に変換する光電変換器５２
及びピーク検出器５３からなる消光比検出部５４、及び
制御回路１３１（制御手段）から構成される。
【０２０７】制御回路１３１は、光出力パワーモニタ４
２、消光比検出部５４及び光周波数変動量モニタ２４か
らの信号に基づいてマッハツェンダ型光変調器１１１の
各々の電極に与える変調波形の振幅を各々独立に制御す
る。
【０２０８】このように、光送信器１３０は、光周波数
変動量モニタ２４と、光出力波形の消光比モニタするた
めの消光比検出部５４と、出力光パワーをモニタする光
パワーモニタ４２とを備えた構成であり、消光比検出部
５４出力及び光パワーモニタ４２出力が制御回路１３１
に入力されるように構成される。
【０２０９】以下、上述のように構成された光送信器及
び光伝送システムの動作を説明する。
【０２１０】マッハツェンダ型光変調器１１１から出力
された光出力信号は、光電変換器５２で電気信号に変換
され、光電変換された信号はピーク検出器５３におい
て、光出力信号のΗｉｇｈレベルとＬｏｗレベルが検出
され、その信号が制御回路１３１に入力される。また、
光出力パワーモニタ４２により、光信号出力の平均値が
検出され、その信号が制御回路１３１に入力される。
【０２１１】制御回路１３１では、光出力信号のΗｉｇ
ｈレベルとＬｏｗレベルから消光比を計算し、消光比が
ある値以上になるようにマッハツェンダ型光変調器１１
１のバイアス及び駆動振幅を制御するとともに、光出力
パワーの平均値が一定になるように光源１１のバイアス
電流を制御する。制御回路１３１では、前記だい５の実
施形態と同様に、以下のような制御を行う。
【０２１２】すなわち、光送信器の出力波形のＤｕｔｙ
を検出し、光出力信号のΗｉｇｈレベルとＬｏｗレベル
の平均値に対する光信号出力の平均値の比を制御回路１
３１において計算し、それが一定になるようにマッハツ
ェンダ型光変調器１１１の駆動振幅やバイアス電圧を制
御する。これにより、Ｄｕｔｙは安定化される。
【０２１３】以上説明したように、第１３の実施形態に
係る光送信器１３０は、光周波数変動量モニタ２４と、
光出力波形の消光比モニタするための消光比検出部５４
と、出力光パワーをモニタする光パワーモニタ４２とを
備え、消光比検出部５４出力及び光パワーモニタ４２出
力が制御回路１３１に入力されるように構成したので、
光出力信号のＤｕｔｙ劣化を生じることなく、光出力に
おいて、最適な光周波数変動量が得られる光送信器が実
現可能となる。
【０２１４】したがって、このような優れた特長を有す
る光送信器及び光伝送システムを、例えば光加入者ネッ
トワークシステムに適用すれば、この装置においてシス
テムマージンの増大を図ることができ、特に、通信容量
の増加に伴う光アンプの増設が必要な装置に適用して好
適である。
【０２１５】なお、上記各実施形態に係る光送信器を、
上述したような基幹伝送システムや光加入者ネットワー
クシステム等に適用することもできるが、勿論これには
限定されず、光信号を伝送するシステムを備えたもので
あれば全ての装置に適用可能であることは言うまでもな
い。
【０２１６】また、上記光変調器、光中継器及びシステ
ムを構成する光カプラ、フィルタ、ＷＤＭ、各種検出部
等の種類、数、接続方法、各装置におけるパラメータの
種類、さらには制御方法などは前述した各実施形態に限
られないことは言うまでもない。
【０２１７】
【発明の効果】本発明に係る光送信器及び光伝送システ
ムでは、光変調器にバイアス電圧を供給するバイアス回
路と、入力電気信号から光変調器を駆動するための信号
を生成する駆動回路と、光源の光出力パワー及び駆動回
路出力波形の駆動振幅を制御する制御手段とを備えた光
送信器において、出力光の光周波数変動量を検出する光
周波数変動量検出手段を備え、光周波数変動量が最適に
なるようにバイアス回路及び駆動回路を制御するように
構成したので、光出力パワーや光出力波形の劣化を生じ
ることなく、光出力において、最適な光周波数変動量を
得ることができる光送信器及び光伝送システムが実現で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した第１の実施形態に係る光送信
器及び光伝送システムの構成を示す図である。
【図２】上記光送信器及び光伝送システムの周波数弁別
器の弁別特性を示す図である。
【図３】本発明を適用した第２の実施形態に係る光送信
器及び光伝送システムの構成を示す図である。
【図４】本発明を適用した第３の実施形態に係る光送信
器及び光伝送システムの構成を示す図である。
【図５】本発明を適用した第４の実施形態に係る光送信
器及び光伝送システムの構成を示す図である。
【図６】本発明を適用した第５の実施形態に係る光送信
器及び光伝送システムの構成を示す図である。
【図７】本発明を適用した第６の実施形態に係る光送信
器及び光伝送システムの構成を示す図である。
【図８】本発明を適用した第７の実施形態に係る光送信
器及び光伝送システムの構成を示す図である。
【図９】本発明を適用した第９の実施形態に係る光送信
器及び光伝送システムの構成を示す図である。
【図１０】上記光送信器及び光伝送システムの光ファイ
バの波長分散の測定原理を説明するための図である。
【図１１】本発明を適用した第１０の実施形態に係る光
送信器及び光伝送システムの構成を示す図である。
【図１２】本発明を適用した第１１の実施形態に係る光
送信器及び光伝送システムの構成を示す図である。
【図１３】上記光送信器及び光伝送システムのマッハツ
ェンダ型光変調器（２電極駆動）の動作を説明するため
の図である。
【図１４】本発明を適用した第１２の実施形態に係る光
送信器及び光伝送システムの構成を示す図である。
【図１５】本発明を適用した第１３の実施形態に係る光
送信器及び光伝送システムの構成を示す図である。
【図１６】Ｇ．６５２を伝送した場合のペナルティを示
す特性図である。
【図１７】Ｇ．６５３を伝送した場合のペナルティを示
す特性図である。
【図１８】ファイバ伝送後の波形劣化を説明するための
概念図である。
【図１９】光パルス波形と光周波数変動の関係を説明す
るための図である。
【図２０】波長チャープによるファイバ伝送後の波形劣
化を説明するための概念図である。
【図２１】波長チャープによるファイバ伝送後の波形劣
化を説明するための概念図である。
【図２２】チャープ係数αの印加電圧依存性を示す特性
図である。
【図２３】消光比の印加電圧依存性を示す特性図であ
る。
【図２４】従来のチャープ係数αを任意に設定可能とし
た光送信器の構成を示すブロック図である。
【図２５】従来の光送信器のＥＡ変調器の動作を説明す
るための図である。
【符号の説明】
１１ 光源１１、１２ 電界吸収型光変調器（ＥＡ変調
器）、１３ 光変調器駆動回路、１４ バイアス回路、
２０，３０，４０，５０，６０，７０，１１０，１２
０，１３０ 光送信器、２１，４１，５１ 光カプラ、
２２ 光周波数弁別器、２３ ピーク検出器、２４ 光
周波数変動量モニタ（光周波数変動量検出手段）、２
５，４３，５５，６１，１１６，１３１ 制御回路（制
御手段）、４２ 光出力パワーモニタ、５２ 光電変換
器、５３ ピーク検出器、５４ 消光比検出部、７１
光伝送路、７２ 中継器、７３ 光受信器（ＲＸ）、７
４ 伝送特性モニタ、７５ スーパヴァイザリ（Ｓ
Ｖ）、８０ 光送信装置（第１の端局装置）、８１ 発
振器、８２ 波長可変光源、８３ 参照光源、８４ 送
信側ＷＤＭ、９０ 光受信装置（第２の端局装置）、９
１ 受信側ＷＤＭ、９２ 第１の受光素子、９３ 第２
の受光素子、９４ 位相比較器、９５ 波長分散量モニ
タ、１１１ マッハツェンダ型光変調器、１１２ 入力
バッファ（光変調器駆動回路）、１１３ 第１のＡＧＣ
アンプ（第１のバイアス回路）、１１４ 第２のＡＧＣ
アンプ（第２のバイアス回路）、１１５ ＡＧＣアンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０４Ｂ 10/152 10/18

Claims (16)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光源からの光を入力とし、印加電圧に応
    じて入力光を吸収することにより強度変調を行う電界吸
    収型光変調器と、 前記光変調器にバイアス電圧を供給するバイアス回路
    と、 入力電気信号から前記光変調器を駆動するための信号を
    生成する駆動回路と、 前記光源の光出力パワー及び前記駆動回路出力波形の駆
    動振幅を制御する制御手段とを備えた光送信器におい
    て、 出力光の光周波数変動量を検出する光周波数変動量検出
    手段と、 前記光周波数変動量が最適になるように前記光変調器の
    駆動条件を調整する手段とを備えたことを特徴とする光
    送信器。
  2. 【請求項２】 光源からの光を入力とし、印加電圧に応
    じて入力光を吸収することにより強度変調を行う電界吸
    収型光変調器と、 前記光変調器にバイアス電圧を供給するバイアス回路
    と、 入力電気信号から前記光変調器を駆動するための信号を
    生成する駆動回路と、 前記光源の光出力パワー及び前記駆動回路出力波形の駆
    動振幅を制御する制御手段とを備えた光送信器におい
    て、 出力光の光周波数変動量を検出する光周波数変動量検出
    手段を備え、 前記制御手段は、 前記光周波数変動量が最適になるように前記バイアス回
    路及び前記駆動回路を制御することを特徴とする光送信
    器。
  3. 【請求項３】 入力光を強度変調するマッハツェンダ型
    変調器と、 前記マッハツェンダ型光変調器の第１の電極に変調信号
    を与える第１の駆動回路と、 前記マッハツェンダ型光変調器の第２の電極に変調信号
    を与える第２の駆動回路と、 前記第１の電極及び前記第２の電極にバイアス電圧を供
    給するバイアス回路と、 光源の光出力パワー及び前記第１及び第２の駆動回路出
    力波形の駆動振幅を制御する制御手段とを備えた光送信
    器において、 出力光の光周波数変動量を検出する光周波数変動量検出
    手段を備え、 前記制御手段は、 前記光周波数変動量が最適になるように前記第１及び第
    ２のバイアス回路の出力振幅、又は前記第１の電極及び
    前記第２の電極に与えるバイアス電圧の少なくとも何れ
    か１つ以上を制御することを特徴とする光送信器。
  4. 【請求項４】 前記調整手段及び前記制御手段は、 前記光周波数変動量が最適になるように前記バイアス回
    路のバイアス電圧、前記駆動回路出力波形の駆動振幅、
    又は該出力波形のデューティの少なくとも何れか１つ以
    上のパラメータを制御することを特徴とする請求項１又
    は２の何れかに記載の光送信器。
  5. 【請求項５】 前記制御手段は、 前記光周波数変動量が一定となるように前記バイアス電
    圧を制御することを特徴とする請求項２又は４の何れか
    に記載の光送信器。
  6. 【請求項６】 請求項１又は２の何れかに記載の光送信
    器において、 出力光パワーをモニタする手段を備え、 前記制御手段は、 前記バイアス電圧の変化に対して、光送信器出力が変動
    しないように制御することを特徴とする光送信器。
  7. 【請求項７】 請求項１又は２の何れかに記載の光送信
    器において、 光送信器の光出力波形の消光比を検出する消光比検出手
    段を備え、 前記制御手段は、 前記バイアス電圧の変化に対して、前記消光比が変動し
    ないように制御することを特徴とする光送信器。
  8. 【請求項８】 前記制御手段は、 前記バイアス電圧の変化に対して、前記光送信器出力波
    形のデューティが変動しないように制御することを特徴
    とする請求項２、４、５、６又は７の何れかに記載の光
    送信器。
  9. 【請求項９】 前記制御手段は、 前記光周波数変動量が一定となるように前記第１及び第
    ２の駆動回路の出力振幅、又は前記第１及び第２の電極
    に与えるバイアス電圧の少なくとも何れか１つ以上を制
    御することを特徴とする請求項３記載の光送信器。
  10. 【請求項１０】 請求項３記載の光送信器において、 出力光パワーをモニタする手段を備え、 前記制御手段は、 前記第１及び第２の駆動回路の出力振幅、又は前記バイ
    アス電圧の変化に対して、光送信器出力が変動しないよ
    うに制御することを特徴とする光送信器。
  11. 【請求項１１】 請求項３記載の光送信器において、 光送信器の光出力波形の消光比を検出する消光比検出手
    段を備え、 前記制御手段は、 前記第１及び第２の駆動回路の出力振幅、又は前記バイ
    アス電圧の変化に対して、前記消光比が変動しないよう
    に制御することを特徴とする光送信器。
  12. 【請求項１２】 光送信器を有する第１の端局装置と、
    光受信器を有する第２の端局装置と、前記第１の端局装
    置と前記第２の端局装置を結ぶ光ファイバ伝送路とを備
    えた光伝送システムにおいて、 前記光送信器として請求項１、２、３、４、５、６、
    ７、８、９、１０又は１１の何れかに記載の光送信器を
    用いたことを特徴とする光伝送システム。
  13. 【請求項１３】 前記光受信器は、伝送品質をモニタす
    る手段を備え、 前記伝送品質に基づいて光周波数変動量を与えることを
    特徴とする請求項１２記載の光伝送システム。
  14. 【請求項１４】 光伝送システムを監視制御する手段を
    備え、 前記伝送品質に基づいて光周波数変動量を制御すること
    を特徴とする請求項１２又は１３の何れかに記載の光伝
    送システム。
  15. 【請求項１５】 光ファイバ伝送路の波長分散をモニタ
    する手段を備え、 前記波長分散に基づいて光周波数変動量を与えることを
    特徴とする請求項１２又は１３の何れかに記載の光伝送
    システム。
  16. 【請求項１６】 光伝送システムを監視制御する手段を
    備え、 前記光波長分散に基づいて光周波数変動量を制御するこ
    とを特徴とする請求項１２、１３、１４又は１５の何れ
    かに記載の光伝送システム。
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