JPH10221664A

JPH10221664A - 光変調器

Info

Publication number: JPH10221664A
Application number: JP9028208A
Authority: JP
Inventors: Yoshinobu Kubota; 嘉伸久保田; Yasuhiro Omori; 康弘大森; Toshihiro Otani; 俊博大谷; Tomoyuki Ito; 知幸伊藤
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1997-02-12
Filing date: 1997-02-12
Publication date: 1998-08-21
Also published as: EP0859262A2; US5963357A; EP0859262A3

Abstract

(57)【要約】【課題】信号光源から出射される光を変調する光変調
器において、機構上の設計を容易にしながら、光変調器
の動作点シフトに伴う信号光の消光比の劣化を防止でき
るようにして、安定した光変調を行なえるようにする。【解決手段】電気光学効果を有する基板１ａと、基板
１ａ上に形成されたマッハツェンダ型光導波路４と、基
板１ａ上に形成され光導波路４を伝播する光を制御する
ための電極２と、光導波路４から放射される放射光と光
導波路４から漏洩する信号光とを干渉させて干渉光を生
成し、この干渉光を基板１ａの端面から出射させる干渉
光生成手段と、上記の放射光と信号光との干渉光をモニ
タする光検知器５と、光検知器５でモニタされた干渉光
の変化に応じて光変調器動作点を制御する信号制御回路
１０とをそなえるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】（目次）発明の属する技術分野従来の技術（図２９〜図３１）発明が解決しようとする課題課題を解決するための手段発明の実施の形態・（ａ）本発明の一実施形態の説明（図１〜図２６）・（ｂ）本発明の一実施形態の変形例の説明（図２７，
図２８）発明の効果

【０００２】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば超高速光通
信システムの送信部において、信号光源から出射される
光を変調するための外部光変調器として用いて好適な、
光変調器に関する。

【０００３】

【従来の技術】従来より、光通信システムの送信部にお
いては、例えば信号光源としての半導体レーザから出射
される光を変調する光変調器として、半導体レーザに流
れる電流をデータ信号により変調する直接変調方式の光
変調器が用いられている。ところが、近年では、光通信
システムの高速化の要求から、光の変調も高速に行なう
必要が生じており、この直接変調方式の光変調器を用い
て高速に光の変調を行なうと、出射される信号光の波長
変動（チャーピング）の影響が大きくなるため、光ファ
イバ内の波長分散により長距離伝送が困難となる。

【０００４】このため、光の変調を高速に行なう際に
は、原理的にチャーピングを生じない外部変調器が用い
る必要があり、このような外部変調器の一例としては、
図２９に示すようなマッハツェンダ型光変調器がある。
なお、図２９に示すマッハツェンダ型光変調器１００の
出射側からみた斜視図を図３０に示す。この図２９に示
すように、マッハツェンダ型光変調器１００は、マッハ
ツェンダ型光導波路デバイス１０１，光検知器１０７及
び信号制御回路１０８をそなえて構成されている。

【０００５】ここで、マッハツェンダ型光導波路デバイ
ス１０１は、基板１０１ａ上にマッハツェンダ型光導波
路１０４が形成され、この光導波路１０４上に進行波電
極１０２及び接地電極１０３が形成されたものである。
基板１０１ａは、電気光学効果を有するニオブ酸リチウ
ム（ＬｉＮｂＯ₃）基板である。

【０００６】また、マッハツェンダ型光導波路１０４
は、入射導波路１０４ａ，出射導波路１０４ｂ及び中間
導波路１０４ｃ，１０４ｄからなり、中間導波路１０４
ｃ，１０４ｄは、それぞれ入射導波路１０４ａと出射導
波路１０４ｂとの間にＹ字状分岐部Ｑ₁及びＹ字状合波
部Ｑ₂を介して平行に接続されている。この光導波路１
０４は、基板１０１ａ内の光導波路部分だけにチタン
（Ｔｉ）等の金属を選択的に拡散させることにより、そ
の部分の屈折率が他の部分の屈折率よりも大きくなるよ
うに構成されている。

【０００７】さらに、進行波電極１０２及び接地電極１
０３は、光導波路１０４を伝播する光を制御するための
電極であり、図２９に示すように、光導波路１０４の中
間導波路１０４ｃ，１０４ｄ上に例えば金（Ａｕ）等の
金属を蒸着することにより形成される。また、光導波路
１０４の入射導波路１０４ａには、光ファイバ１０５ａ
を介して半導体レーザ１１１からの直流光が入射され、
光導波路１０４の出射導波路１０４ｂからは、変調され
た信号光が光ファイバ１０５ｂを介して光検知器１１２
に出射されるようになっている。

【０００８】なお、光ファイバ１０５ａは、定偏波ファ
イバであり、光ファイバ１０５ｂはシングルモードファ
イバである。また、光検知器１１２は、光ファイバ１０
５ｂを介して出射された信号光を受光して、電気信号に
変換するものである。さらに、基板１０１ａの出射側端
面には、前述した光ファイバ１０５ｂのほか、光ファイ
バ１０６が直付けされており、光導波路１０４のＹ字状
合波部Ｑ₂にて発生する放射光は、この光ファイバ１０
６を介して光検知器１０７に入射されるようになってい
る。

【０００９】なお、光ファイバ１０６は、マルチモード
ファイバである。ここで、光検知器１０７は、光ファイ
バ１０６を介して入射された放射光を受光して、受光し
た放射光を電気信号に変換して信号制御回路１０８へ出
力することにより、放射光をモニタするものである。ま
た、光検知器１０７には信号制御回路１０８が接続され
ており、この信号制御回路１０８は、光検知器１０７で
のモニタ結果（即ち光検知器１０７からの光出力電気信
号の変化）に応じて、進行波電極１０２に印加される入
力電気信号の直流バイアスを変化させるものである。

【００１０】一般的に、マッハツェンダ型光変調器１０
０においては、温度ドリフト，ＤＣドリフト及び応力等
による経時変化により、マッハツェンダ型光変調器１０
０の動作点シフトが発生する。ここで、マッハツェンダ
型光変調器１００における動作点シフトについて、図３
１を用いて説明する。

【００１１】図３１は、マッハツェンダ型光変調器１０
０の入出力特性を示す図であり、この図３１において、
は動作点シフトが発生する前の特性を示し、は動作
点シフトが発生した場合の特性を示している。この図３
１に示すように、マッハツェンダ型光変調器１００の入
出力特性は、駆動電圧に対して周期性を有している。

【００１２】従って、入力信号の各論理積に対応して出
力光電力の上下の各尖頭値が得られる駆動電圧Ｖ₀，Ｖ
₁を用いることにより、効率的な２値変調を行なってい
る。ところが、動作点シフトが発生した場合にも、駆動
電圧Ｖ₀，Ｖ₁が一定であると、マッハツェンダ型光変
調器１００から出力される信号光は、前記の周期性によ
り、図３１に示すように消光比が劣化する。

【００１３】従って、動作点シフトが発生した場合に
は、そのシフト量をｄＶとすると、駆動電圧Ｖ₀，Ｖ₁
を、それぞれ（Ｖ₀＋ｄＶ）及び（Ｖ₁＋ｄＶ）として
動作点制御を行なう必要がある。そこで、図２９に示す
マッハツェンダ型光変調器１００においては、光検知器
１０７により光導波路１０４のＹ字状合波部Ｑ₂にて発
生する放射光をモニタし、光検知器１０７でのモニタ結
果に応じて、信号制御回路１０８により進行波電極１０
２に印加される入力電気信号の直流バイアスを変化させ
ることにより、マッハツェンダ型光変調器１００の動作
点制御を行なうように構成されている。

【００１４】なお、１０９は入力信号電源であり、１１
０は終端抵抗である。このような構成により、図２９に
示すマッハツェンダ型光変調器１００においては、半導
体レーザ１１１からの直流光（入射光）は、光ファイバ
１０５ａを介して光導波路１０４の入射導波路１０４ａ
に入射され、Ｙ字状分岐部Ｑ₁で２つに分波された後
に、中間導波路１０４ｃ，１０４ｄ中を伝播する。

【００１５】このとき、進行波電極１０２に高周波変調
信号電圧が印加されると、中間導波路１０４ｃ，１０４
ｄにおける電気光学効果により、分波された各入射光に
位相差が生じ、このように位相差を生じた各入射光は、
Ｙ字状合波部Ｑ₂で再び合波される。このとき、中間導
波路１０４ｃ，１０４ｄにおける各入射光の位相差が０
及びπとなるように駆動電圧を設定することにより、出
射される信号光としてＯＮ−ＯＦＦの光パルス信号が得
られ、光導波路１０４の出射導波路１０４ｂからは変調
された信号光が出射される。

【００１６】なお、出射導波路１０４ｂから出射された
信号光は、光ファイバ１０５ｂを介して光検知器１１２
により受光されて電気信号に変換される。一方で、光導
波路１０４のＹ字状合波部Ｑ₂にて発生した放射光は、
光ファイバ１０６を介して光検知器１０７により受光さ
れ、電気信号に変換された後に信号制御回路１０８へ出
力される。

【００１７】そして、信号制御回路１０８では、光検知
器１０７からの光出力電気信号の変化に応じて、進行波
電極１０２に印加される入力電気信号の直流バイアスを
変化させることにより、マッハツェンダ型光変調器１０
０の動作点制御が行なわれる。このように、図２９に示
すマッハツェンダ型光変調器１００によれば、光検知器
１０７により光導波路１０４のＹ字状合波部Ｑ₂にて発
生した放射光をモニタし、信号制御回路１０８により光
検知器１０７でのモニタ結果に基づいてマッハツェンダ
型光変調器１００の動作点制御を行なうことにより、マ
ッハツェンダ型光変調器１００の動作点の安定化を図る
ことができ、図３１に示すような信号光の劣化を防い
で、安定した光変調を行なうことができる。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２９
に示すマッハツェンダ型光変調器１００においては、光
導波路１０４のＹ字状合波部Ｑ₂にて発生した放射光を
モニタする際に、モニタ用の光ファイバ１０６を用いて
いるため、この光ファイバ１０６のアライメントを行な
う必要があるとともに、機構上の設計が困難であるとい
う課題がある。

【００１９】即ち、変調された信号光が入射される光フ
ァイバ１０５ｂと、光導波路１０４のＹ字状合波部Ｑ₂
にて発生した放射光が入射される光ファイバ１０６と
は、実際には約８０μｍ程度しか離隔していないため、
マッハツェンダ型光変調器１００の製造が困難となるの
である。本発明は、このような課題に鑑み創案されたも
ので、モニタ用の光ファイバのアライメントを行なうこ
となく、機構上の設計を容易にしながら、光変調器の動
作点シフトに伴う信号光の消光比の劣化を防止できるよ
うにして、安定した光変調を行なえるようにした、光変
調器を提供することを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】このため、本発明の光変
調器は、電気光学効果を有する基板と、基板上に形成さ
れたマッハツェンダ型光導波路と、基板上に形成され、
光導波路を伝播する光を制御するための電極と、光導波
路から放射される放射光と光導波路から漏洩する信号光
とを干渉させて干渉光を生成し、干渉光を基板の端面か
ら出射させる干渉光生成手段と、干渉光生成手段にて得
られた上記の放射光と信号光との干渉光をモニタする光
検知器と、光検知器でモニタされた干渉光の変化に応じ
て、電極に印加される直流バイアスを変化させることに
より、光変調器動作点を制御する信号制御回路とをそな
えて構成されたことを特徴としている（請求項１）。

【００２１】そして、本発明の光変調器は、干渉光が基
板の端面における光導波路端部位置から所望の距離だけ
離隔した位置に出射されるように、干渉光の位相及び強
度が設定されている（請求項２）。ここで、干渉光の位
相及び強度を設定するために、光導波路の合波部から出
射される信号光強度を調整してもよく（請求項３）、光
導波路の合波部から出射される信号光強度を調整するた
めに、光導波路を作製する際の拡散条件を設定してもよ
い（請求項４）。

【００２２】また、干渉光の位相及び強度を設定するた
めに、光導波路の合波部から光導波路端部位置までの長
さを調整してもよい（請求項５）。さらに、本発明の光
変調器は、干渉光を、信号光と同位相となるように設定
してもよく（請求項６）、干渉光を、信号光と逆位相と
なるように設定してもよい（請求項７）。

【００２３】また、本発明の光変調器は、光検知器を、
基板の端面と出射用光ファイバの前段に設けられたレン
ズとの間に設けてもよく（請求項８）、光検知器を、出
射用光ファイバが結合された基板の端面の後段に設けて
もよい（請求項９）。さらに、本発明の光変調器は、光
検知器を、基板の端面から所定長離れた位置に設けても
よく（請求項１０）、光検知器を、基板の端面における
光導波路端部位置から所定長離れた位置に設けてもよい
（請求項１１）。

【００２４】また、本発明の光変調器は、光検知器を、
板部材上に光検出素子を設けることにより構成してもよ
く（請求項１２）、このとき、板部材が、セラミック基
板であってもよく（請求項１３）、また、光検出素子
が、ベアチップであってもよい（請求項１４）。さら
に、本発明の光変調器は、基板が、ニオブ酸リチウム基
板であってもよい（請求項１５）。

【００２５】また、本発明の光変調器は、電気光学効果
を有する基板と、基板上に形成されたマッハツェンダ型
光導波路と、基板上に形成され、光導波路を伝播する光
を制御するための電極と、光導波路から放射される放射
光と光導波路から漏洩する信号光とを干渉させて干渉光
を生成し、干渉光を基板の端面から出射させる干渉光生
成手段とをそなえて構成されたことを特徴としている
（請求項１６）。

【００２６】さらに、本発明の光変調器は、電気光学効
果を有する基板と、基板上に形成された光導波路と、基
板上に形成され、光導波路を伝播する光を制御するため
の電極とが設けられた光変調器において、基板の端面か
ら出射される放射光と信号光との干渉光をモニタする光
検知器と、光検知器でモニタされた干渉光の変化に応じ
て、電極に印加される直流バイアスを変化させることに
より、光変調器動作点を制御する信号制御回路とをそな
えたことを特徴としている（請求項１７）。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。（ａ）本発明の一実施形態の説明図１は本発明の一実施形態にかかる光変調器の構成を示
す模式図である。この図１に示す光変調器は、レンズ結
合系のマッハツェンダ型光変調器であり、例えば超高速
光通信システムの送信部において、半導体レーザ等の信
号光源から出射される光を変調するための外部光変調器
として用いられるものである。

【００２８】また、図２は図１に示すマッハツェンダ型
光変調器２０のＡ−Ａ断面図であり、図３は図１に示す
マッハツェンダ型光変調器２０の入射側から出射側をみ
たときの斜視図である。さらに、図４（ａ），図４
（ｂ）はそれぞれ光検知器５の配設位置について説明す
るための図であり、図５は図４（ｂ）に示す光検知器５
を示す図である。

【００２９】また、図７は図１に示すマッハツェンダ型
光変調器２０の要部構成を示す模式図であり、図８は図
７に示すマッハツェンダ型光導波路デバイス１の出射側
の側面図である。図１に示すように、マッハツェンダ型
光変調器２０は、マッハツェンダ型光導波路デバイス１
及び光検知器５を内蔵したパッケージ１３と、信号制御
回路１０とをそなえて構成されている。

【００３０】また、パッケージ１３の入射側及び出射側
には、集光性を高めるためのレンズ８ａを有するレンズ
ホルダ８を介して、光ファイバ９ａ，９ｂがそれぞれ接
続されている。なお、１１は入力信号電源であり、１２
は抵抗である。ここで、マッハツェンダ型光導波路デバ
イス１は、基板１ａ上にマッハツェンダ型光導波路４が
形成され、この光導波路４上に進行波電極２及び接地電
極３が形成されたものである。

【００３１】基板１ａは、電気光学効果を有するニオブ
酸リチウム（ＬｉＮｂＯ₃）基板（Ｚ板）である。ま
た、マッハツェンダ型光導波路４は、入射導波路４ａ，
出射導波路４ｂ及び中間導波路４ｃ，４ｄからなり、中
間導波路４ｃ，４ｄは、それぞれ入射導波路４ａと出射
導波路４ｂとの間にＹ字状分岐部Ｒ₁及びＹ字状合波部
Ｒ₂を介して平行に接続されている。

【００３２】光導波路４の入射導波路４ａには、パッケ
ージ１３に接続された光ファイバ９ａを介して半導体レ
ーザ（図示せず）からの直流光が入射され、光導波路４
の出射導波路４ｂからは、変調された信号光がパッケー
ジ１３に接続された光ファイバ９ｂに出射されるように
なっている。なお、光ファイバ９ａは、定偏波ファイバ
であり、光ファイバ９ｂはシングルモードファイバであ
る。

【００３３】ここで、光導波路４は、ニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｂＯ₃）の基板１ａの表面に厚さ１０００Åの
チタン（Ｔｉ）等の金属を蒸着して、フォトリソグラフ
ィ及びエッチングによりパターン化し、例えば１０００
℃の高温酸素中（ＷｅｔＯ₂中）に８時間おき、Ｔｉ等
の金属を同基板１ａ中に拡散させることにより形成され
る。

【００３４】即ち、光導波路４は、基板１ａ内の光導波
路部分だけにＴｉ等の金属を選択的に拡散させることに
より、その部分の屈折率が他の部分の屈折率よりも大き
くなるように構成されている。また、光導波路４の上に
は、光導波路４上の金属電極層（進行波電極２及び接地
電極３）による光の吸収を小さくするために、二酸化ケ
イ素（ＳｉＯ₂）等の薄膜からなるバッファ層（図示せ
ず）が形成されている。

【００３５】さらに、この図示しないバッファ層の上に
は、マッハツェンダ型光導波路デバイス１の温度安定性
を向上させるために、同じく図示はしないが、ケイ素
（Ｓｉ）を堆積したコーティング（Ｓｉコート）が施さ
れている。ところで、進行波電極２及び接地電極３は、
光導波路４を伝播する光を制御するための電極であり、
光導波路４の中間導波路４ｃ，４ｄ上に、例えば金（Ａ
ｕ）等の金属を蒸着することにより形成される。

【００３６】進行波電極２及び接地電極３は、それぞれ
入力信号電源１１と接続されており、この入力信号電源
１１から入力信号（変調波信号）に応じた電圧が印加さ
れることにより、後述するように中間導波路４ｃ，４ｄ
の屈折率を変化させて、光ファイバ９ａを介して入射さ
れた半導体レーザ（図示せず）からの直流光の変調を行
なうものである。

【００３７】そして、半導体レーザからの直流光は、進
行波電極２及び接地電極３により変調されることによ
り、信号光（主信号光）又は放射光として光導波路４の
Ｙ字状合波部Ｒ₂から出射されるようになっている。こ
こで、信号光と放射光とは、図９に示すように、それぞ
れ位相が反転した関係にある。また、信号光及び放射光
は、それぞれ駆動電圧に対して周期性を有している。な
お、図９においては、信号光を符号Ｍで示し、放射光を
符号Ｎで示す。

【００３８】また、図１０（ａ），図１０（ｂ）にマッ
ハツェンダ型光導波路デバイス１の光導波路４を簡略化
して示す。ここで、図１０（ａ）は電圧が印加されない
ときの光の伝播の様子を示し、図１０（ｂ）は電圧が印
加されたときの光の伝播の様子を示している。また、図
１０（ａ），図１０（ｂ）においては、光導波路４の各
導波路（入射導波路４ａ，出射導波路４ｂ，中間導波路
４ｃ，４ｄ）に、伝播モードが波形状の図形で示されて
いる。

【００３９】図１０（ａ）においては、図示しない半導
体レーザからの直流光は、所定の入力モードで入射導波
路４ａに入射されると、Ｙ字状分岐部Ｒ₁により分波さ
れて中間導波路４ｃ，４ｄに入射され、中間導波路４
ｃ，４ｄを入力モードと同じモードでそれぞれ伝播した
後に、Ｙ字状合波部Ｒ₂においてこれらの光が合波され
て、同じモードで出射導波路４ｂから出射される。

【００４０】また、図１０（ｂ）においては、図示しな
い半導体レーザからの直流光は、所定の入力モードで入
射導波路４ａに入射されると、Ｙ字状分岐部Ｒ₁により
分波されて中間導波路４ｃ，４ｄに入射されるが、この
場合においては、電圧の印加により中間導波路４ｃ，４
ｄの屈折率が変化しているため、光の伝播速度が変化す
る。

【００４１】従って、中間導波路４ｃ，４ｄを伝播する
光に位相差が生じ、Ｙ字状合波部Ｒ ₂においてこれらの
位相の異なる光が合波されると、出射導波路４ｂに入射
すべきモードが入力モードとは変化したものになる。こ
のため、Ｙ字状合波部Ｒ₂に到達した光は、出射導波路
４ｂに出射することができなくなり、基板１ａの内部に
放射光として放射されることになる。なお、放射光は、
例えば図８において符号Ｓにて示す位置に出射される。

【００４２】ところが、実際には、Ｙ字状合波部Ｒ₂か
らは、信号光がわずかに基板１ａの内部に漏洩するた
め、基板１ａ内部のＹ字状合波部Ｒ₂近傍においては、
この漏洩した信号光と放射光とが干渉することにより干
渉光が発生する。また、Ｙ字状合波部Ｒ₂から出射導波
路４ｂに出射された信号光も、出射導波路４ｂを伝播す
る際に、わずかに基板１ａの内部に漏洩するため、基板
１ａ内部の出射導波路４ｂ近傍においても、同様に漏洩
した信号光と放射光とが干渉することにより干渉光が発
生する。

【００４３】そして、このようにして発生した干渉光
は、基板１ａの内部を伝播して基板１ａの出射側端面か
ら出射される。即ち、Ｙ字状合波部Ｒ₂及びその近傍の
基板１ａや、出射導波路４ｂ及びその近傍の基板１ａ
が、干渉光を生成する干渉光生成手段として機能するの
である。ところで、図１に示すように、基板１ａの出射
側の端面の後段には光検知器５が設けられており、光検
知器５の端子Ｔ₁には信号制御回路１０が接続されてい
る。なお、光検知器５の端子Ｔ₂は接地されている。

【００４４】具体的には、この光検知器５は、図１に示
すように、パッケージ１３内において、出射用の光ファ
イバ９ｂの前段に設けられたレンズ８ａと、マッハツェ
ンダ型光導波路デバイス１の基板１ａの出射側端面との
間に介装されている。この光検知器５は、図１〜図３に
示すようにセラミック基板７上に光検出素子としてのベ
アチップ６が設けられることにより構成され、基板１ａ
の出射側端面から出射された干渉光を受光して、受光し
た干渉光を電気信号に変換して信号制御回路１０へ出力
することにより、干渉光をモニタするものである。な
お、光検知器５の大きさの一例を、図５に示す。また、
この図５において、５ａは電極である。

【００４５】ところで、信号制御回路１０は、光検知器
５でのモニタ結果（即ち光検知器５からの光出力電気信
号の変化）に応じて、進行波電極２に印加される入力電
気信号の直流バイアスを変化させるものである。前述し
たように、一般的に、マッハツェンダ型光変調器２０に
おいては、温度ドリフト，ＤＣドリフト及び応力等によ
る経時変化により、マッハツェンダ型光変調器２０の動
作点シフトが発生する。

【００４６】このように、動作点シフトが発生した状態
で光変調を行なうと、図３１を用いて前述したように消
光比の劣化が生じる。そこで、本実施形態においては、
光検知器５により基板１ａの出射側端面から出射された
干渉光をモニタし、光検知器５でのモニタ結果に応じ
て、信号制御回路１０により進行波電極２に印加される
入力電気信号の直流バイアスを変化させることにより、
マッハツェンダ型光変調器２０の動作点制御を行なうよ
うに構成されている。

【００４７】ここで、本実施形態にかかるマッハツェン
ダ型光変調器２０においては、干渉光が基板１ａの出射
側端面における光導波路端部位置（光導波路４の出射導
波路４ｂの端部位置）から所望の距離だけ離隔した位置
に出射されるように、干渉光の位相が設定されている。
具体的には、光検知器５は、出射導波路４ｂから光ファ
イバ９ｂへ入射される信号光を遮らないようにするため
に、基板１ａの出射側端面における出射導波路４ｂの端
部位置から数百μｍ程度〔図４（ｂ）ではこの距離をＹ
で示しており、この距離Ｙは例えば約５５０〜７５０μ
ｍ程度である〕下げた位置に設けられている。

【００４８】また、光検知器５は、図１，図４（ａ）に
示すように、基板１ａの出射側端面から放射した干渉光
の放射領域を更に広げるために、基板１ａの出射側端面
から数百μｍ程度離れた位置に設けられている。なお、
図１，図４（ａ）においては、光検知器５を基板１ａの
出射側端面から７００μｍ離れた位置に設けた場合につ
いて示している。

【００４９】ここで、干渉光の位相及び強度は、光導波
路４の作製条件を調整することにより設定されている。
即ち、干渉光の位相及び強度の設定は、光導波路４の作
製条件として、光導波路４を作製する際の拡散条件を変
えて、光導波路４のＹ字状合波部Ｒ₂から漏洩する信号
光パワー（信号光強度）を調整することにより行なわれ
ている。

【００５０】また、干渉光の位相及び強度の設定は、光
導波路４の作製条件として、光導波路４の出射導波路４
ｂの長さＤ〔即ち光導波路４のＹ字状合波部Ｒ₂と基板
１ａの出射側端面との長さＤ；図１，図４（ａ）参照〕
を変えて、出射導波路４ｂを伝播する際に漏洩する信号
光パワーを調整することによっても行なわれる。なお、
本実施形態においては、出射導波路４ｂの長さは、干渉
光を基板１ａの出射側端面の全面に放射させるために、
例えば４．５ｍｍ以上に設定されている。

【００５１】また、光導波路４を作製する際の拡散条件
及び出射導波路４ｂの長さＤの設計により、干渉光の位
相は、信号光と同位相又は逆位相となるように任意に設
定されている。上述の構成により、本発明の一実施形態
にかかるマッハツェンダ型光変調器２０においては、図
示しない半導体レーザからの直流光が光ファイバ９ａを
介してパッケージ１３に入射されると、入射光はマッハ
ツェンダ型光導波路デバイス１の光導波路４に入射され
る。

【００５２】マッハツェンダ型光導波路デバイス１で
は、入射導波路４ａから入射された光は、Ｙ字状分岐部
Ｒ₁で分岐されて中間導波路４ｃ，４ｄを伝播する間に
進行波電極２及び接地電極３により変調され、変調され
た光は、光導波路４のＹ字状合波部Ｒ₂で合波される。
これにより、Ｙ字状合波部Ｒ₂では信号光及び放射光が
発生し、信号光は出射導波路４ｂから出射され、放射光
はＹ字状合波部Ｒ₂から基板１ａの内部に放射される。

【００５３】一方、基板１ａ内部のＹ字状合波部Ｒ₂近
傍においては、Ｙ字状合波部Ｒ₂からもれた信号光と放
射光とが干渉することにより干渉光が発生し、基板１ａ
内部の出射導波路４ｂ近傍においては、出射導波路４ｂ
からもれた信号光と放射光とが干渉することにより干渉
光が発生する。そして、基板１ａの出射側端面からは、
上述のごとく発生した干渉光が出射される。

【００５４】このとき、本実施形態にかかるマッハツェ
ンダ型光変調器２０においては、前述したように、光導
波路４の作製条件の調整により干渉光の位相が設定され
ているため、干渉光が基板１ａの出射側端面における出
射導波路４ｂの端部位置から所望の距離だけ離隔した位
置に出射される。そして、出射された干渉光は、当該位
置に配設された光検知器５により受光され、光検知器５
では、受光した干渉光が電気信号に変換されて信号制御
回路１０へ出力される。

【００５５】この結果、信号制御回路１０では、光検知
器５からの光出力電気信号の変化に応じて、進行波電極
２に印加される入力電気信号の直流バイアスを変化させ
ることにより、マッハツェンダ型光変調器２０の動作点
制御が行なわれる。なお、マッハツェンダ型光導波路デ
バイス１の出射導波路４ｂから出射された信号光は、レ
ンズ８ａを介してパッケージ１３に接続された光ファイ
バ９ｂに出射される。

【００５６】ここで、図６を用いて、光導波路４の作製
条件の調整による干渉光の位相の設定について説明す
る。図６では、光導波路４の作製条件〔（１）〜（４）
参照〕と、そのとき発生する干渉光の位相等とが示され
ている。また、図１１，図１４，図１７及び図２０は、
ともに信号光のパワー分布を示す図であり、図１２，図
１５，図１８及び図２１は、ともに放射光のパワー分布
を示す図であり、図１３，図１６，図１９及び図２２
は、ともに干渉光の位相分布を示す図である。

【００５７】ここで、図１１〜図２２では、横軸に示す
Ｘ〔μｍ〕及び縦軸に示すＹ〔μｍ〕は、それぞれ図４
（ｂ）に示すＸ及びＹ（Ｙは前述した距離Ｙに相当す
る）に対応するものである。図１１〜図２２では、前述
した距離Ｙが、基板１ａの出射側端面における出射導波
路４ｂの端部位置から下方向への長さであることを示す
ために、縦軸に示すＹに負の数値を記している。

【００５８】また、横軸に示すＸにおいては、基板１ａ
の出射側端面における出射導波路４ｂの端部位置を０で
示し、この出射導波路４ｂの端部位置からの右方向への
長さを正の数値で、左方向への長さを負の数値でそれぞ
れ示している。なお、図１１〜図２２において、信号光
のパワー分布，放射光のパワー分布又は干渉光の位相分
布が非対称となっているのは、出射された光の反射戻り
光を低減させるために、マッハツェンダ型光導波路デバ
イス１として、上面からみたときに基板１ａの出射側端
面が斜めにカットされたものを用いたためである〔図４
（ａ）参照〕。

【００５９】また、図６に示す各条件のときの出力光電
力のモニタ波形を、図２３〜図２６にそれぞれ示す。（１）拡散条件が１０００℃，８時間であり、光導波路
４の出射導波路４ｂの長さＤが１２ｍｍである場合この場合の信号光のパワー分布及び放射光のパワー分布
を、それぞれ図１１，図１２に示すと、図１１，図１２
より、干渉光の位相分布は図１３に示すようになる。

【００６０】この場合は、干渉光の位相は信号光と同位
相となり、干渉光は、図１３に示すように、点Ｐ₁付
近、即ち、基板１ａの出射側端面における出射導波路４
ｂの端部位置から約７５０μｍ下方に出射することがわ
かる。従って、この場合は、光検知器５を、変調された
信号光が入射される光ファイバ９ｂから約７５０μｍだ
け離隔した位置に配設することにより、図２３に示すよ
うなモニタ波形を得ることができる。（２）拡散条件が１０４０℃，８時間であり、光導波路
４の出射導波路４ｂの長さＤが１５ｍｍである場合この場合の信号光のパワー分布及び放射光のパワー分布
を、それぞれ図１４，図１５に示すと、図１４，図１５
より、干渉光の位相分布は図１６に示すようになる。

【００６１】この場合は、干渉光の位相は信号光と逆位
相となり、干渉光は、図１６に示すように、点Ｐ₂付
近、即ち、基板１ａの出射側端面における出射導波路４
ｂの端部位置から約７５０μｍ下方に出射することがわ
かる。従って、この場合は、光検知器５を、変調された
信号光が入射される光ファイバ９ｂから約７５０μｍだ
け離隔した位置に配設することにより、図２４に示すよ
うなモニタ波形を得ることができる。（３）拡散条件が１０４０℃，８時間であり、光導波路
４の出射導波路４ｂの長さＤが１０ｍｍである場合この場合の信号光のパワー分布及び放射光のパワー分布
を、それぞれ図１７，図１８に示すと、図１７，図１８
より、干渉光の位相分布は図１９に示すようになる。

【００６２】この場合は、干渉光の位相は信号光と同位
相となり、干渉光は、図１９に示すように、点Ｐ₃付
近、即ち、基板１ａの出射側端面における出射導波路４
ｂの端部位置から約７５０μｍ下方に出射することがわ
かる。従って、この場合は、光検知器５を、変調された
信号光が入射される光ファイバ９ｂから約７５０μｍだ
け離隔した位置に配設することにより、図２５に示すよ
うなモニタ波形を得ることができる。（４）拡散条件が１０５０℃，１０時間であり、光導波
路４の出射導波路４ｂの長さＤが８ｍｍである場合この場合の信号光のパワー分布及び放射光のパワー分布
を、それぞれ図２０，図２１に示すと、図２０，図２１
より、干渉光の位相分布は図２２に示すようになる。

【００６３】この場合は、干渉光の位相は信号光と逆位
相となり、干渉光は、図２２に示すように、点Ｐ₄付
近、即ち、基板１ａの出射側端面における出射導波路４
ｂの端部位置から約５５０μｍ下方に出射することがわ
かる。従って、この場合は、光検知器５を、変調された
信号光が入射される光ファイバ９ｂから約５５０μｍだ
け離隔した位置に配設することにより、図２６に示すよ
うなモニタ波形を得ることができる。

【００６４】ところで、図６に示すＲ_DC，Ｒ_ACは、とも
に干渉光強度（モニタ光強度）を表すものであり、光検
知器５からの光出力電気信号（電流信号）の平均値をＩ
_AVE，この光出力電気信号のピーク値とボトム値との差
分をΔＩ，図示しない信号光源からの出力電流をＰ_inと
すると、それぞれ次式，により定義される。Ｒ_DC＝Ｉ_AVE／Ｐ_in（Ａ／Ｗ）・・・・・Ｒ_AC＝ΔＩ／Ｐ_in（Ａ／Ｗ）・・・・・そして、Ｒ_DCとＲ_ACとの比が小さくなるように干渉光強
度を調整する、即ち、拡散条件及び光導波路４の出射導
波路４ｂの長さＤを、Ｒ_DCがより小さく，Ｒ_ACがより大
きくなるように設計することにより、信号制御回路１０
におけるＳ／Ｎ比を改善し、マッハツェンダ型光変調器
２０の動作点制御の安定化を図ることができる。

【００６５】従って、上述した（１）〜（４）の場合に
おいては、（２）の場合が一番効果が大きいと考えられ
る。このように、本発明の一実施形態にかかるマッハツ
ェンダ型光変調器２０によれば、光導波路４から放射さ
れる放射光とこの光導波路４から漏洩する信号光とを干
渉させて干渉光を生成し、この干渉光を基板１ａの端面
から出射させ、干渉光を光検知器５によりモニタするこ
とにより、モニタ用の光ファイバ（図２９に示す符号１
０６参照）を設ける必要がなくなるため、このモニタ用
の光ファイバのアライメントを行なう必要もなくなり、
マッハツェンダ型光変調器２０の機構上の設計を容易に
することができる。

【００６６】そして、このようにマッハツェンダ型光変
調器２０の機構上の設計を容易にしながら、動作点制御
を行なうことができるため、マッハツェンダ型光変調器
２０の動作点シフトに伴う信号光の消光比の劣化を防止
して、安定した光変調を行なうことができる。また、前
述したように光導波路４の作製条件を調整して、干渉光
の位相及び強度を任意に設定することにより、変調され
た信号光が入射される光ファイバ９ｂと干渉光を受光す
る光検知器５とを所望の距離だけ離隔して配設すること
ができるため、マッハツェンダ型光変調器２０の製造を
容易にすることができる。

【００６７】このとき、干渉光の位相は、信号光と同位
相又は逆位相のいずれであってもよいため、マッハツェ
ンダ型光変調器２０の設計の自由度を大きくすることが
できる。さらに、光検知器５が、図４（ｂ）に示すよう
に、基板１ａの出射側端面における出射導波路４ｂの端
部位置から所定長（距離Ｙ）下げた位置に設けられるこ
とにより、光導波路４の出射導波路４ｂから光ファイバ
９ｂへ入射される信号光を遮らないようにすることがで
きる。

【００６８】また、光検知器５が、図１，図４（ａ）に
示すように、基板１ａの出射側端面から数百μｍ（例え
ば約７００μｍ）離れた位置に設けられることにより、
基板１ａの出射側端面から放射した干渉光の放射領域を
さらに広げることができる。さらに、光導波路４の出射
導波路４ｂの長さＤを、例えば４．５ｍｍ以上に設定す
れば、干渉光を基板１ａの出射側端面の全面に放射させ
ることが可能となるため、光検知器５により容易に干渉
光をモニタすることができる。

【００６９】また、放射光と信号光との干渉光を基板の
端面から出射させることにより、変調された信号光が入
射される光ファイバ９ｂと干渉光を受光する光検知器５
とを所望の距離だけ離隔して配設することができるた
め、マッハツェンダ型光変調器２０の製造を容易にする
ことができる。（ｂ）本発明の一実施形態の変形例の説明図２７は本発明の一実施形態の変形例にかかる光変調器
の構成を示す模式図である。

【００７０】この図２７に示す光変調器は、ファイバ直
接接続系のマッハツェンダ型光変調器であり、図１に示
すものと同様に、例えば超高速光通信システムの送信部
において、半導体レーザ等の信号光源から出射される光
を変調するための外部光変調器として用いられるもので
ある。また、図２８は図２７に示すマッハツェンダ型光
変調器２０ＡのＢ−Ｂ断面図である。

【００７１】ここで、図２７に示すマッハツェンダ型光
変調器２０Ａは、光ファイバ９ａ，９ｂがそれぞれパッ
ケージ１３内のマッハツェンダ型光導波路デバイス１に
直接接続されている点を除いては、図１に示すマッハツ
ェンダ型光変調器２０と同様に構成されている。即ち、
図２７に示すように、パッケージ１３には２つの穴部Ｈ
が設けられており、光ファイバ９ａ，９ｂがそれぞれ穴
部Ｈに挿通されている。

【００７２】そして、光ファイバ９ａの先端は、マッハ
ツェンダ型光導波路デバイス１の基板１ａの入射側端面
における入射導波路４ａの端部と、また、光ファイバ９
ｂの先端は、マッハツェンダ型光導波路デバイス１の基
板１ａの出射側端面における出射導波路４ｂの端部と、
接着剤Ｃ等によりそれぞれ固着されている。従って、こ
の場合は、光検知器５は、図２７，図２８に示すよう
に、光ファイバ９ｂが接続された基板１ａの出射側端面
の後段であって、この光ファイバ９ｂの下部に設けられ
ている。

【００７３】このようなマッハツェンダ型光変調器２０
Ａにおいても、上述した本発明の一実施形態にかかるマ
ッハツェンダ型光変調器２０と同様の作用及び効果を得
ることができる。特に、このマッハツェンダ型光変調器
２０Ａは、ファイバ直接接続系のものであるため、干渉
光の位相を任意に設定して光ファイバ９ｂと光検知器５
とを所望の距離だけ離隔して配設することにより、マッ
ハツェンダ型光変調器２０Ａの製造を容易にすることが
できる効果が大きい。

【００７４】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の光変調器
によれば、光導波路から放射される放射光と光導波路か
ら漏洩する信号光とを干渉させて干渉光を生成し、この
干渉光を基板の端面から出射させ、上記の放射光と信号
光との干渉光を光検知器によりモニタすることにより、
モニタ用の光ファイバを設ける必要がなくなるため、こ
のモニタ用の光ファイバのアライメントを行なう必要も
なくなり、光変調器の機構上の設計を容易にすることが
できる。

【００７５】そして、このように光変調器の機構上の設
計を容易にしながら、光変調器の動作点制御を行なうこ
とができるため、光変調器の動作点シフトに伴う信号光
の消光比の劣化を防止して、安定した光変調を行なうこ
とができる利点がある（請求項１〜１５）。また、干渉
光が基板の端面における光導波路端部位置から所望の距
離だけ離隔した位置に出射されるように干渉光の位相及
び強度が設定されることにより、変調された信号光が入
射される光ファイバと干渉光を受光する光検知器とを所
望の距離だけ離隔して配設することができるため、光変
調器の製造を容易にすることができる利点がある（請求
項２〜５）。

【００７６】このとき、干渉光を、信号光と同位相とな
るように設定してもよく、また、信号光と逆位相となる
ように設定してもよいため、光変調器の設計の自由度を
大きくすることができる利点がある（請求項６，７）。
さらに、光検知器を、基板の端面から所定長離れた位置
に設けることにより、基板の出射側端面から放射した干
渉光の放射領域をさらに広げることができる利点がある
（請求項１０）。

【００７７】また、光検知器を、基板の端面における光
導波路端部位置から所定長離れた位置に設けることによ
り、光導波路の出射導波路から光ファイバへ入射される
信号光を遮らないようにすることができる利点がある
（請求項１１）。さらに、本発明の光変調器によれば、
上記干渉光を基板の端面から出射させることにより、変
調された信号光が入射される光ファイバと干渉光を受光
する光検知器とを所望の距離だけ離隔して配設すること
ができるため、光変調器の製造を容易にすることができ
る利点がある（請求項１６）。

【００７８】また、本発明の光変調器によれば、基板の
端面から出射される放射光と信号光との干渉光を光検知
器によりモニタすることにより、光変調器の機構上の設
計を容易にしながら、光変調器の動作点制御を行なうこ
とができるため、光変調器の動作点シフトに伴う信号光
の消光比の劣化を防止して、安定した光変調を行なうこ
とができる利点がある（請求項１７）。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態にかかる光変調器の構成を
示す模式図である。

【図２】図１に示す光変調器のＡ−Ａ断面図である。

【図３】図１に示す光変調器の入射側から出射側をみた
ときの斜視図である。

【図４】（ａ），（ｂ）はそれぞれ光検知器の配設位置
について説明するための図である。

【図５】図４（ｂ）に示す光検知器を示す図である。

【図６】本発明の一実施形態にかかる光変調器における
干渉光の位相の設定について説明するための図である。

【図７】本発明の一実施形態にかかる光変調器の要部構
成を示す模式図である。

【図８】図７に示す光変調器におけるマッハツェンダ型
光導波路デバイスの出射側の側面図である。

【図９】信号光及び放射光について説明するための図で
ある。

【図１０】（ａ），（ｂ）はそれぞれ信号光及び放射光
について説明するための図である。

【図１１】本発明の一実施形態にかかる光変調器におけ
る信号光のパワー分布を示す図である。

【図１２】本発明の一実施形態にかかる光変調器におけ
る放射光のパワー分布を示す図である。

【図１３】本発明の一実施形態にかかる光変調器におけ
る干渉光の位相分布を示す図である。

【図１４】本発明の一実施形態にかかる光変調器におけ
る信号光のパワー分布を示す図である。

【図１５】本発明の一実施形態にかかる光変調器におけ
る放射光のパワー分布を示す図である。

【図１６】本発明の一実施形態にかかる光変調器におけ
る干渉光の位相分布を示す図である。

【図１７】本発明の一実施形態にかかる光変調器におけ
る信号光のパワー分布を示す図である。

【図１８】本発明の一実施形態にかかる光変調器におけ
る放射光のパワー分布を示す図である。

【図１９】本発明の一実施形態にかかる光変調器におけ
る干渉光の位相分布を示す図である。

【図２０】本発明の一実施形態にかかる光変調器におけ
る信号光のパワー分布を示す図である。

【図２１】本発明の一実施形態にかかる光変調器におけ
る放射光のパワー分布を示す図である。

【図２２】本発明の一実施形態にかかる光変調器におけ
る干渉光の位相分布を示す図である。

【図２３】本発明の一実施形態にかかる光変調器におけ
る入力特性を示す図である。

【図２４】本発明の一実施形態にかかる光変調器におけ
る入力特性を示す図である。

【図２５】本発明の一実施形態にかかる光変調器におけ
る入力特性を示す図である。

【図２６】本発明の一実施形態にかかる光変調器におけ
る入力特性を示す図である。

【図２７】本発明の一実施形態の変形例にかかる光変調
器の構成を示す模式図である。

【図２８】図２７に示す光変調器のＢ−Ｂ断面図であ
る。

【図２９】マッハツェンダ型光変調器の構成を示す模式
図である。

【図３０】図２９に示すマッハツェンダ型光変調器の出
射側からみた斜視図である。

【図３１】マッハツェンダ型光変調器の入出力特性を示
す図である。

【符号の説明】

１マッハツェンダ型光導波路デバイス１ａ基板２進行波電極（電極）３接地電極４マッハツェンダ型光導波路４ａ入射導波路４ｂ出射導波路４ｃ，４ｄ中間導波路５光検知器５ａ電極６ベアチップ（光検出素子）７セラミック基板（板部材）８レンズホルダ８ａレンズ９ａ，９ｂ光ファイバ１０信号制御回路１１入力信号電源１２抵抗１３パッケージ２０，２０Ａマッハツェンダ型光変調器１００マッハツェンダ型光変調器１０１マッハツェンダ型光導波路デバイス１０１ａ基板１０２進行波電極１０３接地電極１０４マッハツェンダ型光導波路１０４ａ入射導波路１０４ｂ出射導波路１０４ｃ，１０４ｄ中間導波路１０５ａ，１０５ｂ，１０６光ファイバ１０７光検知器１０８信号制御回路１０９入力信号電源１１０抵抗１１１半導体レーザ１１２光検知器

フロントページの続き (72)発明者大谷俊博北海道札幌市中央区北一条西２丁目１番地富士通北海道ディジタル・テクノロジ株式会社内 (72)発明者伊藤知幸北海道札幌市中央区北一条西２丁目１番地富士通北海道ディジタル・テクノロジ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成されたマッハツェンダ型光導波路と、該基板上に形成され、該光導波路を伝播する光を制御す
るための電極と、該光導波路から放射される放射光と該光導波路から漏洩
する信号光とを干渉させて干渉光を生成し、該干渉光を
該基板の端面から出射させる干渉光生成手段と、該干渉光生成手段にて得られた上記の放射光と信号光と
の干渉光をモニタする光検知器と、該光検知器でモニタされた干渉光の変化に応じて、該電
極に印加される直流バイアスを変化させることにより、
光変調器動作点を制御する信号制御回路とをそなえて構
成されたことを特徴とする、光変調器。
【請求項２】該干渉光が該基板の端面における光導波
路端部位置から所望の距離だけ離隔した位置に出射され
るように、該干渉光の位相及び強度が設定されているこ
とを特徴とする、請求項１記載の光変調器。
【請求項３】該干渉光の位相及び強度を設定するため
に、該光導波路の合波部から出射される信号光強度が調
整されていることを特徴とする、請求項２記載の光変調
器。
【請求項４】該光導波路の合波部から出射される信号
光強度を調整するために、該光導波路を作製する際の拡
散条件が設定されていることを特徴とする、請求項３記
載の光変調器。
【請求項５】該干渉光の位相及び強度を設定するため
に、該光導波路の合波部から該光導波路端部位置までの
長さが調整されていることを特徴とする、請求項２記載
の光変調器。
【請求項６】該干渉光が、信号光と同位相となるよう
に設定されていることを特徴とする、請求項１記載の光
変調器。
【請求項７】該干渉光が、信号光と逆位相となるよう
に設定されていることを特徴とする、請求項１記載の光
変調器。
【請求項８】該光検知器が、該基板の端面と出射用光
ファイバの前段に設けられたレンズとの間に設けられた
ことを特徴とする、請求項１記載の光変調器。
【請求項９】該光検知器が、出射用光ファイバが結合
された該基板の端面の後段に設けられたことを特徴とす
る、請求項１記載の光変調器。
【請求項１０】該光検知器が、該基板の端面から所定
長離れた位置に設けられたことを特徴とする、請求項１
記載の光変調器。
【請求項１１】該光検知器が、該基板の端面における
該光導波路端部位置から所定長離れた位置に設けられた
ことを特徴とする、請求項１記載の光変調器。
【請求項１２】該光検知器が、板部材上に光検出素子
が設けられることにより構成されたことを特徴とする、
請求項１記載の光変調器。
【請求項１３】該板部材が、セラミック基板であるこ
とを特徴とする、請求項１２記載の光変調器。
【請求項１４】該光検出素子が、ベアチップであるこ
とを特徴とする、請求項１２記載の光変調器。
【請求項１５】該基板が、ニオブ酸リチウム基板であ
ることを特徴とする、請求項１記載の光変調器。
【請求項１６】電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成されたマッハツェンダ型光導波路と、該基板上に形成され、該光導波路を伝播する光を制御す
るための電極と、該光導波路から放射される放射光と該光導波路から漏洩
する信号光とを干渉させて干渉光を生成し、該干渉光を
該基板の端面から出射させる干渉光生成手段とをそなえ
て構成されたことを特徴とする、光変調器。
【請求項１７】電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成された光導波路と、該基板上に形成され、該光導波路を伝播する光を制御す
るための電極とが設けられた光変調器において、該基板の端面から出射される放射光と信号光との干渉光
をモニタする光検知器と、該光検知器でモニタされた干渉光の変化に応じて、該電
極に印加される直流バイアスを変化させることにより、
光変調器動作点を制御する信号制御回路とをそなえたこ
とを特徴とする、光変調器。