JPH10228006A - 光変調器 - Google Patents
光変調器Info
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- JPH10228006A JPH10228006A JP9032489A JP3248997A JPH10228006A JP H10228006 A JPH10228006 A JP H10228006A JP 9032489 A JP9032489 A JP 9032489A JP 3248997 A JP3248997 A JP 3248997A JP H10228006 A JPH10228006 A JP H10228006A
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- optical waveguide
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/0123—Circuits for the control or stabilisation of the bias voltage, e.g. automatic bias control [ABC] feedback loops
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
-
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F2203/21—Thermal instability, i.e. DC drift, of an optical modulator; Arrangements or methods for the reduction thereof
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 信号光源から出射される光を変調する光変調
器において、機構上の設計を容易にしながら、光変調器
の動作点制御を安定して行なえるようにする。 【解決手段】 電気光学効果を有する基板１ａと、基板
１ａ上に形成されたマッハツェンダ型光導波路４と、基
板１ａ上に形成され光導波路４を伝播する光を制御する
ための電極２と、光導波路４から放射され又は漏洩する
光をガイドする光ガイド部２１と、光ガイド部２１から
出射される光と光導波路４から漏洩する信号光とを干渉
させて干渉光を生成し、干渉光を基板１ａの端面から出
射させる干渉光生成手段と、干渉光生成手段にて得られ
た干渉光をモニタする光検知器５と、光検知器５でモニ
タされた干渉光の変化に応じて光変調器動作点を制御す
る信号制御回路１０とをそなえるように構成する。
器において、機構上の設計を容易にしながら、光変調器
の動作点制御を安定して行なえるようにする。 【解決手段】 電気光学効果を有する基板１ａと、基板
１ａ上に形成されたマッハツェンダ型光導波路４と、基
板１ａ上に形成され光導波路４を伝播する光を制御する
ための電極２と、光導波路４から放射され又は漏洩する
光をガイドする光ガイド部２１と、光ガイド部２１から
出射される光と光導波路４から漏洩する信号光とを干渉
させて干渉光を生成し、干渉光を基板１ａの端面から出
射させる干渉光生成手段と、干渉光生成手段にて得られ
た干渉光をモニタする光検知器５と、光検知器５でモニ
タされた干渉光の変化に応じて光変調器動作点を制御す
る信号制御回路１０とをそなえるように構成する。
Description
【０００１】（目次） 発明の属する技術分野 従来の技術（図２８〜図３２） 発明が解決しようとする課題（図２８，図３１） 課題を解決するための手段 発明の実施の形態 ・（ａ）本発明の一実施形態の説明（図１〜図２５） ・（ｂ）本発明の一実施形態の変形例の説明（図２６，
図２７） 発明の効果
図２７） 発明の効果
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば超高速光通
信システムの送信部において、信号光源から出射される
光を変調するための外部光変調器として用いて好適な、
光変調器に関する。
信システムの送信部において、信号光源から出射される
光を変調するための外部光変調器として用いて好適な、
光変調器に関する。
【０００３】
【従来の技術】従来より、光通信システムの送信部にお
いては、例えば信号光源としての半導体レーザから出射
される光を変調する光変調器として、半導体レーザに流
れる電流をデータ信号により変調する直接変調方式の光
変調器が用いられている。ところが、近年では、光通信
システムの高速化の要求から、光の変調も高速に行なう
必要が生じており、この直接変調方式の光変調器を用い
て高速に光の変調を行なうと、出射される信号光の波長
変動（チャーピング）の影響が大きくなるため、光ファ
イバ内の波長分散により長距離伝送が困難となる。
いては、例えば信号光源としての半導体レーザから出射
される光を変調する光変調器として、半導体レーザに流
れる電流をデータ信号により変調する直接変調方式の光
変調器が用いられている。ところが、近年では、光通信
システムの高速化の要求から、光の変調も高速に行なう
必要が生じており、この直接変調方式の光変調器を用い
て高速に光の変調を行なうと、出射される信号光の波長
変動（チャーピング）の影響が大きくなるため、光ファ
イバ内の波長分散により長距離伝送が困難となる。
【０００４】このため、光の変調を高速に行なう際に
は、原理的にチャーピングを生じない外部変調器が用い
る必要があり、このような外部変調器の一例としては、
図２８に示すようなマッハツェンダ型光変調器がある。
なお、図２８に示すマッハツェンダ型光変調器１００の
出射側からみた斜視図を図２９に示す。この図２８に示
すように、マッハツェンダ型光変調器１００は、マッハ
ツェンダ型光導波路デバイス１０１，光検知器１０７及
び信号制御回路１０８をそなえて構成されている。
は、原理的にチャーピングを生じない外部変調器が用い
る必要があり、このような外部変調器の一例としては、
図２８に示すようなマッハツェンダ型光変調器がある。
なお、図２８に示すマッハツェンダ型光変調器１００の
出射側からみた斜視図を図２９に示す。この図２８に示
すように、マッハツェンダ型光変調器１００は、マッハ
ツェンダ型光導波路デバイス１０１，光検知器１０７及
び信号制御回路１０８をそなえて構成されている。
【０００５】ここで、マッハツェンダ型光導波路デバイ
ス１０１は、基板１０１ａ上にマッハツェンダ型光導波
路１０４が形成され、この光導波路１０４上に進行波電
極１０２及び接地電極１０３が形成されたものである。
また、マッハツェンダ型光導波路１０４は、入射導波路
１０４ａ，出射導波路１０４ｂ及び中間導波路１０４
ｃ，１０４ｄからなり、中間導波路１０４ｃ，１０４ｄ
は、それぞれ入射導波路１０４ａと出射導波路１０４ｂ
との間にＹ字状分岐部Ｑ1 及びＹ字状合波部Ｑ2 を介し
て平行に接続されている。
ス１０１は、基板１０１ａ上にマッハツェンダ型光導波
路１０４が形成され、この光導波路１０４上に進行波電
極１０２及び接地電極１０３が形成されたものである。
また、マッハツェンダ型光導波路１０４は、入射導波路
１０４ａ，出射導波路１０４ｂ及び中間導波路１０４
ｃ，１０４ｄからなり、中間導波路１０４ｃ，１０４ｄ
は、それぞれ入射導波路１０４ａと出射導波路１０４ｂ
との間にＹ字状分岐部Ｑ1 及びＹ字状合波部Ｑ2 を介し
て平行に接続されている。
【０００６】さらに、進行波電極１０２及び接地電極１
０３は、光導波路１０４を伝播する光を制御するための
電極であり、図２８に示すように、光導波路１０４の中
間導波路１０４ｃ，１０４ｄ上に形成される。また、光
導波路１０４の入射導波路１０４ａには、光ファイバ１
０５ａを介して半導体レーザ１１１からの直流光が入射
され、光導波路１０４の出射導波路１０４ｂからは、変
調された信号光が光ファイバ１０５ｂを介して光検知器
１１２に出射されるようになっている。
０３は、光導波路１０４を伝播する光を制御するための
電極であり、図２８に示すように、光導波路１０４の中
間導波路１０４ｃ，１０４ｄ上に形成される。また、光
導波路１０４の入射導波路１０４ａには、光ファイバ１
０５ａを介して半導体レーザ１１１からの直流光が入射
され、光導波路１０４の出射導波路１０４ｂからは、変
調された信号光が光ファイバ１０５ｂを介して光検知器
１１２に出射されるようになっている。
【０００７】なお、光検知器１１２は、光ファイバ１０
５ｂを介して出射された信号光を受光して、電気信号に
変換するものである。さらに、基板１０１ａの出射側端
面には、前述した光ファイバ１０５ｂのほか、光ファイ
バ１０６が直付けされており、光導波路１０４のＹ字状
合波部Ｑ2 にて発生する放射光（モニタ光）は、この光
ファイバ１０６を介して光検知器１０７に入射されるよ
うになっている。
５ｂを介して出射された信号光を受光して、電気信号に
変換するものである。さらに、基板１０１ａの出射側端
面には、前述した光ファイバ１０５ｂのほか、光ファイ
バ１０６が直付けされており、光導波路１０４のＹ字状
合波部Ｑ2 にて発生する放射光（モニタ光）は、この光
ファイバ１０６を介して光検知器１０７に入射されるよ
うになっている。
【０００８】ここで、光検知器１０７は、光ファイバ１
０６を介して入射された放射光を受光して、受光した放
射光を電気信号に変換して信号制御回路１０８へ出力す
ることにより、放射光をモニタするものである。また、
光検知器１０７には信号制御回路１０８が接続されてお
り、この信号制御回路１０８は、光検知器１０７でのモ
ニタ結果（即ち光検知器１０７からの光出力電気信号の
変化）に応じて、進行波電極１０２に印加される入力電
気信号の直流バイアスを変化させるものである。
０６を介して入射された放射光を受光して、受光した放
射光を電気信号に変換して信号制御回路１０８へ出力す
ることにより、放射光をモニタするものである。また、
光検知器１０７には信号制御回路１０８が接続されてお
り、この信号制御回路１０８は、光検知器１０７でのモ
ニタ結果（即ち光検知器１０７からの光出力電気信号の
変化）に応じて、進行波電極１０２に印加される入力電
気信号の直流バイアスを変化させるものである。
【０００９】一般的に、マッハツェンダ型光変調器１０
０においては、温度ドリフト，ＤＣドリフト及び応力等
による経時変化により、マッハツェンダ型光変調器１０
０の動作点シフトが発生する。ここで、マッハツェンダ
型光変調器１００における動作点シフトについて、図３
０を用いて説明する。
０においては、温度ドリフト，ＤＣドリフト及び応力等
による経時変化により、マッハツェンダ型光変調器１０
０の動作点シフトが発生する。ここで、マッハツェンダ
型光変調器１００における動作点シフトについて、図３
０を用いて説明する。
【００１０】図３０は、マッハツェンダ型光変調器１０
０の入出力特性を示す図であり、この図３０において、
は動作点シフトが発生する前の特性を示し、は動作
点シフトが発生した場合の特性を示している。この図３
０に示すように、マッハツェンダ型光変調器１００の入
出力特性は、駆動電圧に対して周期性を有している。
０の入出力特性を示す図であり、この図３０において、
は動作点シフトが発生する前の特性を示し、は動作
点シフトが発生した場合の特性を示している。この図３
０に示すように、マッハツェンダ型光変調器１００の入
出力特性は、駆動電圧に対して周期性を有している。
【００１１】従って、入力信号の各論理積に対応して出
力光電力の上下の各尖頭値が得られる駆動電圧Ｖ0 ，Ｖ
1 を用いることにより、効率的な２値変調を行なってい
る。ところが、動作点シフトが発生した場合にも、駆動
電圧Ｖ0 ，Ｖ1 が一定であると、マッハツェンダ型光変
調器１００から出力される信号光は、前記の周期性によ
り、図３０に示すように消光比が劣化する。
力光電力の上下の各尖頭値が得られる駆動電圧Ｖ0 ，Ｖ
1 を用いることにより、効率的な２値変調を行なってい
る。ところが、動作点シフトが発生した場合にも、駆動
電圧Ｖ0 ，Ｖ1 が一定であると、マッハツェンダ型光変
調器１００から出力される信号光は、前記の周期性によ
り、図３０に示すように消光比が劣化する。
【００１２】従って、動作点シフトが発生した場合に
は、そのシフト量をｄＶとすると、駆動電圧Ｖ0 ，Ｖ1
を、それぞれ（Ｖ0 ＋ｄＶ）及び（Ｖ1 ＋ｄＶ）として
動作点制御を行なう必要がある。そこで、図２８に示す
マッハツェンダ型光変調器１００においては、光検知器
１０７により光導波路１０４のＹ字状合波部Ｑ2 にて発
生する放射光をモニタし、光検知器１０７でのモニタ結
果に応じて、信号制御回路１０８により進行波電極１０
２に印加される入力電気信号の直流バイアスを変化させ
ることにより、マッハツェンダ型光変調器１００の動作
点制御を行なうように構成されている。
は、そのシフト量をｄＶとすると、駆動電圧Ｖ0 ，Ｖ1
を、それぞれ（Ｖ0 ＋ｄＶ）及び（Ｖ1 ＋ｄＶ）として
動作点制御を行なう必要がある。そこで、図２８に示す
マッハツェンダ型光変調器１００においては、光検知器
１０７により光導波路１０４のＹ字状合波部Ｑ2 にて発
生する放射光をモニタし、光検知器１０７でのモニタ結
果に応じて、信号制御回路１０８により進行波電極１０
２に印加される入力電気信号の直流バイアスを変化させ
ることにより、マッハツェンダ型光変調器１００の動作
点制御を行なうように構成されている。
【００１３】なお、１０９は入力信号電源であり、１１
０は終端抵抗である。このような構成により、図２８に
示すマッハツェンダ型光変調器１００においては、半導
体レーザ１１１からの直流光（入射光）は、光ファイバ
１０５ａを介して光導波路１０４の入射導波路１０４ａ
に入射され、Ｙ字状分岐部Ｑ1 で２つに分波された後
に、中間導波路１０４ｃ，１０４ｄ中を伝播する。
０は終端抵抗である。このような構成により、図２８に
示すマッハツェンダ型光変調器１００においては、半導
体レーザ１１１からの直流光（入射光）は、光ファイバ
１０５ａを介して光導波路１０４の入射導波路１０４ａ
に入射され、Ｙ字状分岐部Ｑ1 で２つに分波された後
に、中間導波路１０４ｃ，１０４ｄ中を伝播する。
【００１４】このとき、進行波電極１０２に高周波変調
信号電圧が印加されると、中間導波路１０４ｃ，１０４
ｄにおける電気光学効果により、分波された各入射光に
位相差が生じ、このように位相差を生じた各入射光は、
Ｙ字状合波部Ｑ2 で再び合波される。このとき、中間導
波路１０４ｃ，１０４ｄにおける各入射光の位相差が０
及びπとなるように駆動電圧を設定することにより、出
射される信号光としてＯＮ−ＯＦＦの光パルス信号が得
られ、光導波路１０４の出射導波路１０４ｂからは変調
された信号光が出射される。
信号電圧が印加されると、中間導波路１０４ｃ，１０４
ｄにおける電気光学効果により、分波された各入射光に
位相差が生じ、このように位相差を生じた各入射光は、
Ｙ字状合波部Ｑ2 で再び合波される。このとき、中間導
波路１０４ｃ，１０４ｄにおける各入射光の位相差が０
及びπとなるように駆動電圧を設定することにより、出
射される信号光としてＯＮ−ＯＦＦの光パルス信号が得
られ、光導波路１０４の出射導波路１０４ｂからは変調
された信号光が出射される。
【００１５】なお、出射導波路１０４ｂから出射された
信号光は、光ファイバ１０５ｂを介して光検知器１１２
により受光されて電気信号に変換される。一方で、光導
波路１０４のＹ字状合波部Ｑ2 にて発生した放射光は、
光ファイバ１０６を介して光検知器１０７により受光さ
れ、電気信号に変換された後に信号制御回路１０８へ出
力される。
信号光は、光ファイバ１０５ｂを介して光検知器１１２
により受光されて電気信号に変換される。一方で、光導
波路１０４のＹ字状合波部Ｑ2 にて発生した放射光は、
光ファイバ１０６を介して光検知器１０７により受光さ
れ、電気信号に変換された後に信号制御回路１０８へ出
力される。
【００１６】そして、信号制御回路１０８では、光検知
器１０７からの光出力電気信号の変化に応じて、進行波
電極１０２に印加される入力電気信号の直流バイアスを
変化させることにより、マッハツェンダ型光変調器１０
０の動作点制御が行なわれる。このように、図２８に示
すマッハツェンダ型光変調器１００によれば、マッハツ
ェンダ型光変調器１００の動作点の安定化を図ることが
でき、図３０に示すような信号光の劣化を防いで、安定
した光変調を行なうことができる。
器１０７からの光出力電気信号の変化に応じて、進行波
電極１０２に印加される入力電気信号の直流バイアスを
変化させることにより、マッハツェンダ型光変調器１０
０の動作点制御が行なわれる。このように、図２８に示
すマッハツェンダ型光変調器１００によれば、マッハツ
ェンダ型光変調器１００の動作点の安定化を図ることが
でき、図３０に示すような信号光の劣化を防いで、安定
した光変調を行なうことができる。
【００１７】ところが、図２８に示すマッハツェンダ型
光変調器１００においては、光導波路１０４のＹ字状合
波部Ｑ2 にて発生した放射光をモニタする際に、モニタ
用の光ファイバ１０６を用いているため、この光ファイ
バ１０６のアライメントを行なう必要があり、機構上の
設計が困難となる。即ち、変調された信号光が入射され
る光ファイバ１０５ｂと、光導波路１０４のＹ字状合波
部Ｑ2 にて発生した放射光が入射される光ファイバ１０
６とは、実際には約８０μｍ程度しか離隔していないた
め、マッハツェンダ型光変調器１００の製造が困難とな
るのである。
光変調器１００においては、光導波路１０４のＹ字状合
波部Ｑ2 にて発生した放射光をモニタする際に、モニタ
用の光ファイバ１０６を用いているため、この光ファイ
バ１０６のアライメントを行なう必要があり、機構上の
設計が困難となる。即ち、変調された信号光が入射され
る光ファイバ１０５ｂと、光導波路１０４のＹ字状合波
部Ｑ2 にて発生した放射光が入射される光ファイバ１０
６とは、実際には約８０μｍ程度しか離隔していないた
め、マッハツェンダ型光変調器１００の製造が困難とな
るのである。
【００１８】このため、図３１に示すように、モニタ用
の光ファイバ１０６を設けない構成としたマッハツェン
ダ型光変調器１００Ａも提案されている。なお、図３１
に示すマッハツェンダ型光導波路デバイス１００Ａの出
射側の側面図を図３２に示す。即ち、この図３１に示す
マッハツェンダ型光変調器１００Ａは、基板１０１ａの
出射側端面の後段に直接光検知器１０７を設け、基板１
０１ａの出射側端面から出射される放射光を、光検知器
１０７により直接受光するように構成されている。
の光ファイバ１０６を設けない構成としたマッハツェン
ダ型光変調器１００Ａも提案されている。なお、図３１
に示すマッハツェンダ型光導波路デバイス１００Ａの出
射側の側面図を図３２に示す。即ち、この図３１に示す
マッハツェンダ型光変調器１００Ａは、基板１０１ａの
出射側端面の後段に直接光検知器１０７を設け、基板１
０１ａの出射側端面から出射される放射光を、光検知器
１０７により直接受光するように構成されている。
【００１９】ここで、図３１において、図２８に示すマ
ッハツェンダ型光変調器１００におけるものと同様の符
号を付したものは、それぞれ同様の構成及び機能を有す
るものである。また、図３１において、１１３は半導体
レーザ（図３１では図示せず）からの直流光が入射され
る光ファイバであり、１１４は光ファイバ１１３からの
入射光を集光するためのレンズであり、１１５は光導波
路１０４の出射導波路１０４ｂから出射される信号光を
集光するためのレンズであり、１１６はレンズ１１５か
らの信号光を出射するための光ファイバである。
ッハツェンダ型光変調器１００におけるものと同様の符
号を付したものは、それぞれ同様の構成及び機能を有す
るものである。また、図３１において、１１３は半導体
レーザ（図３１では図示せず）からの直流光が入射され
る光ファイバであり、１１４は光ファイバ１１３からの
入射光を集光するためのレンズであり、１１５は光導波
路１０４の出射導波路１０４ｂから出射される信号光を
集光するためのレンズであり、１１６はレンズ１１５か
らの信号光を出射するための光ファイバである。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２
８，図３１にそれぞれ示すマッハツェンダ型光変調器１
００，１００Ａにおいては、光導波路１０４のＹ字状合
波部Ｑ2 にて発生した放射光は、Ｙ字状合波部Ｑ2 の近
傍に均一に放射されるため、基板１０１ａの出射側端面
から出射される放射光の強度が小さく、光変調器の動作
点制御を安定して行なうことが困難であるという課題が
ある。
８，図３１にそれぞれ示すマッハツェンダ型光変調器１
００，１００Ａにおいては、光導波路１０４のＹ字状合
波部Ｑ2 にて発生した放射光は、Ｙ字状合波部Ｑ2 の近
傍に均一に放射されるため、基板１０１ａの出射側端面
から出射される放射光の強度が小さく、光変調器の動作
点制御を安定して行なうことが困難であるという課題が
ある。
【００２１】本発明は、このような課題に鑑み創案され
たもので、基板の出射側端面におけるモニタ光の出射位
置を調節するとともに、モニタ光の強度を増加させるこ
とにより、機構上の設計を容易にしながら、光変調器の
動作点制御を安定して行なえるようにした、光変調器を
提供することを目的とする。
たもので、基板の出射側端面におけるモニタ光の出射位
置を調節するとともに、モニタ光の強度を増加させるこ
とにより、機構上の設計を容易にしながら、光変調器の
動作点制御を安定して行なえるようにした、光変調器を
提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】このため、本発明の光変
調器は、電気光学効果を有する基板と、基板上に形成さ
れたマッハツェンダ型光導波路と、基板上に形成され、
光導波路を伝播する光を制御するための電極と、光導波
路から放射され又は漏洩する光をガイドする光ガイド部
と、光ガイド部から出射される光と光導波路から漏洩す
る信号光とを干渉させて干渉光を生成し、干渉光を基板
の端面から出射させる干渉光生成手段と、干渉光生成手
段にて得られた干渉光をモニタする光検知器と、光検知
器でモニタされた干渉光の変化に応じて、電極に印加さ
れる直流バイアスを変化させることにより、光変調器動
作点を制御する信号制御回路とをそなえて構成されたこ
とを特徴としている（請求項１）。
調器は、電気光学効果を有する基板と、基板上に形成さ
れたマッハツェンダ型光導波路と、基板上に形成され、
光導波路を伝播する光を制御するための電極と、光導波
路から放射され又は漏洩する光をガイドする光ガイド部
と、光ガイド部から出射される光と光導波路から漏洩す
る信号光とを干渉させて干渉光を生成し、干渉光を基板
の端面から出射させる干渉光生成手段と、干渉光生成手
段にて得られた干渉光をモニタする光検知器と、光検知
器でモニタされた干渉光の変化に応じて、電極に印加さ
れる直流バイアスを変化させることにより、光変調器動
作点を制御する信号制御回路とをそなえて構成されたこ
とを特徴としている（請求項１）。
【００２３】また、本発明の光変調器は、電気光学効果
を有する基板と、基板上に形成されたマッハツェンダ型
光導波路と、基板上に形成され、光導波路を伝播する光
を制御するための電極と、光導波路から放射され又は漏
洩する光をガイドする光ガイド部と、光ガイド部から出
射される光と光導波路から漏洩する信号光とを干渉させ
て干渉光を生成し、干渉光を基板の端面から出射させる
干渉光生成手段とをそなえて構成されたことを特徴とし
ている（請求項２）。
を有する基板と、基板上に形成されたマッハツェンダ型
光導波路と、基板上に形成され、光導波路を伝播する光
を制御するための電極と、光導波路から放射され又は漏
洩する光をガイドする光ガイド部と、光ガイド部から出
射される光と光導波路から漏洩する信号光とを干渉させ
て干渉光を生成し、干渉光を基板の端面から出射させる
干渉光生成手段とをそなえて構成されたことを特徴とし
ている（請求項２）。
【００２４】ここで、光ガイド部の屈折率は、基板の屈
折率とは異なるように設定されている（請求項３）。ま
た、光ガイド部は、光導波路から放射される放射光をガ
イドしてもよく（請求項４）、光導波路から放射される
放射光と光導波路から漏洩する信号光とをガイドしても
よい（請求項５）。
折率とは異なるように設定されている（請求項３）。ま
た、光ガイド部は、光導波路から放射される放射光をガ
イドしてもよく（請求項４）、光導波路から放射される
放射光と光導波路から漏洩する信号光とをガイドしても
よい（請求項５）。
【００２５】さらに、光ガイド部は、光導波路を構成す
る出射側光導波路の近傍に設けてもよく（請求項６）、
光導波路を構成する合波部及び光導波路を構成し合波部
に接続された出射側光導波路からなる合波部付き出射側
光導波路の近傍に設けてもよい（請求項７）。また、光
ガイド部は、チタン拡散により作製された光ガイド部と
して構成されてもよく（請求項８）、イオン交換により
作製された光ガイド部として構成されてもよい（請求項
９）。
る出射側光導波路の近傍に設けてもよく（請求項６）、
光導波路を構成する合波部及び光導波路を構成し合波部
に接続された出射側光導波路からなる合波部付き出射側
光導波路の近傍に設けてもよい（請求項７）。また、光
ガイド部は、チタン拡散により作製された光ガイド部と
して構成されてもよく（請求項８）、イオン交換により
作製された光ガイド部として構成されてもよい（請求項
９）。
【００２６】さらに、出射側光導波路は、直線光導波路
であってもよく（請求項１０）、屈曲部を有する曲線光
導波路であってもよい（請求項１１）。また、干渉光
は、信号光と逆位相となるように設定することができる
（請求項１２）。さらに、光検知器は、基板の端面と出
射用光ファイバの前段に設けられたレンズとの間に設け
てもよく（請求項１３）、出射用光ファイバが結合され
た基板の端面の後段に設けてもよい（請求項１４）。
であってもよく（請求項１０）、屈曲部を有する曲線光
導波路であってもよい（請求項１１）。また、干渉光
は、信号光と逆位相となるように設定することができる
（請求項１２）。さらに、光検知器は、基板の端面と出
射用光ファイバの前段に設けられたレンズとの間に設け
てもよく（請求項１３）、出射用光ファイバが結合され
た基板の端面の後段に設けてもよい（請求項１４）。
【００２７】ここで、光検知器は、板部材上に光検出素
子を設けることにより構成することができ（請求項１
５）、このとき、板部材がセラミック基板であってもよ
く（請求項１６）、光検出素子がベアチップであっても
よい（請求項１７）。また、基板は、ニオブ酸リチウム
基板であってもよい（請求項１８）。
子を設けることにより構成することができ（請求項１
５）、このとき、板部材がセラミック基板であってもよ
く（請求項１６）、光検出素子がベアチップであっても
よい（請求項１７）。また、基板は、ニオブ酸リチウム
基板であってもよい（請求項１８）。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。 （ａ）本発明の一実施形態の説明 図１は本発明の一実施形態にかかる光変調器の構成を示
す模式図である。この図１に示す光変調器は、レンズ結
合系のマッハツェンダ型光変調器であり、例えば超高速
光通信システムの送信部において、半導体レーザ等の信
号光源から出射される光を変調するための外部光変調器
として用いられるものである。
施の形態を説明する。 （ａ）本発明の一実施形態の説明 図１は本発明の一実施形態にかかる光変調器の構成を示
す模式図である。この図１に示す光変調器は、レンズ結
合系のマッハツェンダ型光変調器であり、例えば超高速
光通信システムの送信部において、半導体レーザ等の信
号光源から出射される光を変調するための外部光変調器
として用いられるものである。
【００２９】また、図２は図１に示すマッハツェンダ型
光変調器２０のＡ−Ａ断面図であり、図３は図１に示す
マッハツェンダ型光変調器２０の入射側から出射側をみ
たときの斜視図である。さらに、図４は図１に示すマッ
ハツェンダ型光変調器２０の要部構成を示す模式図であ
り、図５は図４に示すマッハツェンダ型光導波路デバイ
ス１の出射側の側面図である。
光変調器２０のＡ−Ａ断面図であり、図３は図１に示す
マッハツェンダ型光変調器２０の入射側から出射側をみ
たときの斜視図である。さらに、図４は図１に示すマッ
ハツェンダ型光変調器２０の要部構成を示す模式図であ
り、図５は図４に示すマッハツェンダ型光導波路デバイ
ス１の出射側の側面図である。
【００３０】また、図６（ａ），図６（ｂ）はそれぞれ
光検知器５の配設位置について説明するための図であ
り、図７は図６（ｂ）に示す光検知器５を示す図であ
る。図１に示すように、マッハツェンダ型光変調器２０
は、マッハツェンダ型光導波路デバイス１及び光検知器
５を内蔵したパッケージ１３と、信号制御回路１０とを
そなえて構成されている。
光検知器５の配設位置について説明するための図であ
り、図７は図６（ｂ）に示す光検知器５を示す図であ
る。図１に示すように、マッハツェンダ型光変調器２０
は、マッハツェンダ型光導波路デバイス１及び光検知器
５を内蔵したパッケージ１３と、信号制御回路１０とを
そなえて構成されている。
【００３１】また、パッケージ１３の入射側及び出射側
には、集光性を高めるためのレンズ８ａを有するレンズ
ホルダ８を介して、光ファイバ９ａ，９ｂがそれぞれ接
続されている。なお、１１は入力信号電源であり、１２
は終端抵抗である。ここで、マッハツェンダ型光導波路
デバイス１は、基板１ａ上にマッハツェンダ型光導波路
４が形成され、この光導波路４上に進行波電極２及び接
地電極３が形成されたものである。
には、集光性を高めるためのレンズ８ａを有するレンズ
ホルダ８を介して、光ファイバ９ａ，９ｂがそれぞれ接
続されている。なお、１１は入力信号電源であり、１２
は終端抵抗である。ここで、マッハツェンダ型光導波路
デバイス１は、基板１ａ上にマッハツェンダ型光導波路
４が形成され、この光導波路４上に進行波電極２及び接
地電極３が形成されたものである。
【００３２】また、光導波路４の近傍には、光ガイド領
域２１が設けられている。ここで、基板１ａは、電気光
学効果を有するニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）基板
（Ｚ板）である。また、マッハツェンダ型光導波路４
は、入射導波路４ａ，出射導波路４ｂ及び中間導波路４
ｃ，４ｄからなり、中間導波路４ｃ，４ｄは、それぞれ
入射導波路４ａと出射導波路４ｂとの間にＹ字状分岐部
Ｒ1 及びＹ字状合波部Ｒ2 を介して平行に接続されてい
る。
域２１が設けられている。ここで、基板１ａは、電気光
学効果を有するニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）基板
（Ｚ板）である。また、マッハツェンダ型光導波路４
は、入射導波路４ａ，出射導波路４ｂ及び中間導波路４
ｃ，４ｄからなり、中間導波路４ｃ，４ｄは、それぞれ
入射導波路４ａと出射導波路４ｂとの間にＹ字状分岐部
Ｒ1 及びＹ字状合波部Ｒ2 を介して平行に接続されてい
る。
【００３３】光導波路４の入射導波路４ａには、パッケ
ージ１３に接続された光ファイバ９ａを介して半導体レ
ーザ（図示せず）からの直流光が入射され、光導波路４
の出射導波路４ｂからは、変調された信号光がパッケー
ジ１３に接続された光ファイバ９ｂに出射されるように
なっている。なお、光ファイバ９ａは、定偏波ファイバ
であり、光ファイバ９ｂはシングルモードファイバであ
る。
ージ１３に接続された光ファイバ９ａを介して半導体レ
ーザ（図示せず）からの直流光が入射され、光導波路４
の出射導波路４ｂからは、変調された信号光がパッケー
ジ１３に接続された光ファイバ９ｂに出射されるように
なっている。なお、光ファイバ９ａは、定偏波ファイバ
であり、光ファイバ９ｂはシングルモードファイバであ
る。
【００３４】ここで、光導波路４は、ニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｂＯ3 ）の基板１ａの表面に厚さ１０００Åの
チタン（Ｔｉ）等の金属を蒸着して、フォトリソグラフ
ィ及びエッチングによりパターン化し、１０００℃の高
温酸素中（ＷｅｔＯ2 中）に８時間おき、Ｔｉ等の金属
を同基板１ａ中に拡散させるチタン拡散処理により形成
される。
（ＬｉＮｂＯ3 ）の基板１ａの表面に厚さ１０００Åの
チタン（Ｔｉ）等の金属を蒸着して、フォトリソグラフ
ィ及びエッチングによりパターン化し、１０００℃の高
温酸素中（ＷｅｔＯ2 中）に８時間おき、Ｔｉ等の金属
を同基板１ａ中に拡散させるチタン拡散処理により形成
される。
【００３５】即ち、光導波路４は、基板１ａ内の光導波
路部分だけにＴｉ等の金属を選択的に拡散させることに
より、その部分の屈折率が他の部分（基板１ａ）の屈折
率よりも大きくなるように構成されている。そして、光
導波路４の上には、光導波路４上の金属電極層（進行波
電極２及び接地電極３）による光の吸収を小さくするた
めに、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）等の薄膜からなるバッ
ファ層（図示せず）が形成されている。
路部分だけにＴｉ等の金属を選択的に拡散させることに
より、その部分の屈折率が他の部分（基板１ａ）の屈折
率よりも大きくなるように構成されている。そして、光
導波路４の上には、光導波路４上の金属電極層（進行波
電極２及び接地電極３）による光の吸収を小さくするた
めに、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）等の薄膜からなるバッ
ファ層（図示せず）が形成されている。
【００３６】また、この図示しないバッファ層の上に
は、マッハツェンダ型光導波路デバイス１の温度安定性
を向上させるために、同じく図示はしないが、ケイ素
（Ｓｉ）を堆積したコーティング（Ｓｉコート）が施さ
れている。ところで、進行波電極２及び接地電極３は、
光導波路４を伝播する光を制御するための電極であり、
光導波路４の中間導波路４ｃ，４ｄ上に、例えば金（Ａ
ｕ）等の金属を蒸着することにより形成される。
は、マッハツェンダ型光導波路デバイス１の温度安定性
を向上させるために、同じく図示はしないが、ケイ素
（Ｓｉ）を堆積したコーティング（Ｓｉコート）が施さ
れている。ところで、進行波電極２及び接地電極３は、
光導波路４を伝播する光を制御するための電極であり、
光導波路４の中間導波路４ｃ，４ｄ上に、例えば金（Ａ
ｕ）等の金属を蒸着することにより形成される。
【００３７】進行波電極２及び接地電極３は、それぞれ
入力信号電源１１と接続されており、この入力信号電源
１１から入力信号（変調波信号）に応じた電圧が印加さ
れることにより、後述するように中間導波路４ｃ，４ｄ
の屈折率を変化させて、光ファイバ９ａを介して入射さ
れた半導体レーザ（図示せず）からの直流光の変調を行
なうものである。
入力信号電源１１と接続されており、この入力信号電源
１１から入力信号（変調波信号）に応じた電圧が印加さ
れることにより、後述するように中間導波路４ｃ，４ｄ
の屈折率を変化させて、光ファイバ９ａを介して入射さ
れた半導体レーザ（図示せず）からの直流光の変調を行
なうものである。
【００３８】そして、半導体レーザからの直流光は、進
行波電極２及び接地電極３により変調されることによ
り、信号光（主信号光）又は放射光として光導波路４の
Ｙ字状合波部Ｒ2 から出射されるようになっている。こ
こで、信号光と放射光とは、図１２に示すように、それ
ぞれ位相が反転した関係にある。また、信号光及び放射
光は、それぞれ駆動電圧に対して周期性を有している。
なお、図１２においては、信号光を符号Ｍで示し、放射
光を符号Ｎで示す。
行波電極２及び接地電極３により変調されることによ
り、信号光（主信号光）又は放射光として光導波路４の
Ｙ字状合波部Ｒ2 から出射されるようになっている。こ
こで、信号光と放射光とは、図１２に示すように、それ
ぞれ位相が反転した関係にある。また、信号光及び放射
光は、それぞれ駆動電圧に対して周期性を有している。
なお、図１２においては、信号光を符号Ｍで示し、放射
光を符号Ｎで示す。
【００３９】また、図１３（ａ），図１３（ｂ）にマッ
ハツェンダ型光導波路デバイス１の光導波路４を簡略化
して示す。ここで、図１３（ａ）は電圧が印加されない
ときの光の伝播の様子を示し、図１３（ｂ）は電圧が印
加されたときの光の伝播の様子を示している。また、図
１３（ａ），図１３（ｂ）においては、光導波路４の各
導波路（入射導波路４ａ，出射導波路４ｂ，中間導波路
４ｃ，４ｄ）に、伝播モードが波形状の図形で示されて
いる。
ハツェンダ型光導波路デバイス１の光導波路４を簡略化
して示す。ここで、図１３（ａ）は電圧が印加されない
ときの光の伝播の様子を示し、図１３（ｂ）は電圧が印
加されたときの光の伝播の様子を示している。また、図
１３（ａ），図１３（ｂ）においては、光導波路４の各
導波路（入射導波路４ａ，出射導波路４ｂ，中間導波路
４ｃ，４ｄ）に、伝播モードが波形状の図形で示されて
いる。
【００４０】図１３（ａ）においては、図示しない半導
体レーザからの直流光は、所定の入力モードで入射導波
路４ａに入射されると、Ｙ字状分岐部Ｒ1 により分波さ
れて中間導波路４ｃ，４ｄに入射され、中間導波路４
ｃ，４ｄを入力モードと同じモードでそれぞれ伝播した
後に、Ｙ字状合波部Ｒ2 においてこれらの光が合波され
て、同じモードで出射導波路４ｂから出射される。
体レーザからの直流光は、所定の入力モードで入射導波
路４ａに入射されると、Ｙ字状分岐部Ｒ1 により分波さ
れて中間導波路４ｃ，４ｄに入射され、中間導波路４
ｃ，４ｄを入力モードと同じモードでそれぞれ伝播した
後に、Ｙ字状合波部Ｒ2 においてこれらの光が合波され
て、同じモードで出射導波路４ｂから出射される。
【００４１】また、図１３（ｂ）においては、図示しな
い半導体レーザからの直流光は、所定の入力モードで入
射導波路４ａに入射されると、Ｙ字状分岐部Ｒ1 により
分波されて中間導波路４ｃ，４ｄに入射されるが、この
場合においては、電圧の印加により中間導波路４ｃ，４
ｄの屈折率が変化しているため、光の伝播速度が変化す
る。
い半導体レーザからの直流光は、所定の入力モードで入
射導波路４ａに入射されると、Ｙ字状分岐部Ｒ1 により
分波されて中間導波路４ｃ，４ｄに入射されるが、この
場合においては、電圧の印加により中間導波路４ｃ，４
ｄの屈折率が変化しているため、光の伝播速度が変化す
る。
【００４２】従って、中間導波路４ｃ，４ｄを伝播する
光に位相差が生じ、Ｙ字状合波部Ｒ 2 においてこれらの
位相の異なる光が合波されると、出射導波路４ｂに入射
すべきモードが入力モードとは変化したものになる。こ
のため、Ｙ字状合波部Ｒ2 に到達した光は、出射導波路
４ｂに出射することができなくなり、基板１ａの内部に
放射光として放射されることになる。
光に位相差が生じ、Ｙ字状合波部Ｒ 2 においてこれらの
位相の異なる光が合波されると、出射導波路４ｂに入射
すべきモードが入力モードとは変化したものになる。こ
のため、Ｙ字状合波部Ｒ2 に到達した光は、出射導波路
４ｂに出射することができなくなり、基板１ａの内部に
放射光として放射されることになる。
【００４３】ところが、前述した条件にて光導波路４を
作製すると、Ｙ字状合波部Ｒ2 からは、信号光がわずか
に基板１ａの内部に漏洩する。そして、Ｙ字状合波部Ｒ
2 から放射される放射光と、Ｙ字状合波部Ｒ2 から漏洩
する信号光の一部とは、光導波路４の近傍（具体的に
は、光導波路４の出射導波路４ｂの両側の近傍）に設け
られた光ガイド領域２１に入射されるようになってい
る。
作製すると、Ｙ字状合波部Ｒ2 からは、信号光がわずか
に基板１ａの内部に漏洩する。そして、Ｙ字状合波部Ｒ
2 から放射される放射光と、Ｙ字状合波部Ｒ2 から漏洩
する信号光の一部とは、光導波路４の近傍（具体的に
は、光導波路４の出射導波路４ｂの両側の近傍）に設け
られた光ガイド領域２１に入射されるようになってい
る。
【００４４】ここで、光ガイド領域２１は、Ｙ字状合波
部Ｒ2 から放射される放射光とＹ字状合波部Ｒ2 漏洩す
る信号光とを、基板１ａの出射側端面以外の端面から出
射されないようにガイドするものであり、光ガイド部と
して機能するものである。即ち、光ガイド領域２１は、
同領域２１に入射された光をガイドして、入射された光
の散乱を防ぐことにより、基板１０１ａの出射側端面か
ら出射されるモニタ光の強度を増加させるために設けら
れているのである。
部Ｒ2 から放射される放射光とＹ字状合波部Ｒ2 漏洩す
る信号光とを、基板１ａの出射側端面以外の端面から出
射されないようにガイドするものであり、光ガイド部と
して機能するものである。即ち、光ガイド領域２１は、
同領域２１に入射された光をガイドして、入射された光
の散乱を防ぐことにより、基板１０１ａの出射側端面か
ら出射されるモニタ光の強度を増加させるために設けら
れているのである。
【００４５】ここで、光ガイド領域２１に入射される放
射光の強度は、同領域２１に入射される信号光の強度よ
りも大きいため、光ガイド領域２１では、主として入射
された放射光がガイドされることになる。この光ガイド
領域２１も、前述した光導波路４と同様に、導波路形成
プロセス時に、基板１ａ内の光ガイド領域部分だけにＴ
ｉ等の金属を選択的に拡散させるチタン拡散処理によ
り、その部分の屈折率が他の部分（基板１ａ）の屈折率
よりも大きくなるように構成されている。
射光の強度は、同領域２１に入射される信号光の強度よ
りも大きいため、光ガイド領域２１では、主として入射
された放射光がガイドされることになる。この光ガイド
領域２１も、前述した光導波路４と同様に、導波路形成
プロセス時に、基板１ａ内の光ガイド領域部分だけにＴ
ｉ等の金属を選択的に拡散させるチタン拡散処理によ
り、その部分の屈折率が他の部分（基板１ａ）の屈折率
よりも大きくなるように構成されている。
【００４６】ここで、光ガイド領域２１は、光導波路４
の出射導波路４ｂから７〜１０μｍ程度離隔した位置に
設けられている。実際には、マッハツェンダ型光変調器
２０においては、波長チャープをつけるために、出射導
波路４ｂ上にも進行波電極２を形成して（図１において
は図示せず）、出射導波路４ｂにて位相変調を行なって
いる。
の出射導波路４ｂから７〜１０μｍ程度離隔した位置に
設けられている。実際には、マッハツェンダ型光変調器
２０においては、波長チャープをつけるために、出射導
波路４ｂ上にも進行波電極２を形成して（図１において
は図示せず）、出射導波路４ｂにて位相変調を行なって
いる。
【００４７】このため、光ガイド領域２１上にも進行波
電極２が形成されているが（図１においては図示せ
ず）、位相変調の際には、進行波電極２により光ガイド
領域２１にも電圧が印加されるため、その屈折率が変化
してしまう。そして、光ガイド領域２１の屈折率変化
は、出射導波路４ｂから漏洩した信号光に影響を与え、
変調波形を劣化させてしまう。
電極２が形成されているが（図１においては図示せ
ず）、位相変調の際には、進行波電極２により光ガイド
領域２１にも電圧が印加されるため、その屈折率が変化
してしまう。そして、光ガイド領域２１の屈折率変化
は、出射導波路４ｂから漏洩した信号光に影響を与え、
変調波形を劣化させてしまう。
【００４８】このため、光ガイド領域２１は、出射導波
路４ｂから７〜１０μｍ程度離隔した位置に設けている
のである。なお、光ガイド領域２１の長さが短いとき
は、出射導波路４ｂと光ガイド領域２１とのギャップを
小さくすることができる。また、光ガイド領域２１に入
射された上記の放射光及び信号光は、光ガイド領域２１
内部で干渉した後に、光ガイド領域２１から基板１ａ内
部に出射されることになる。
路４ｂから７〜１０μｍ程度離隔した位置に設けている
のである。なお、光ガイド領域２１の長さが短いとき
は、出射導波路４ｂと光ガイド領域２１とのギャップを
小さくすることができる。また、光ガイド領域２１に入
射された上記の放射光及び信号光は、光ガイド領域２１
内部で干渉した後に、光ガイド領域２１から基板１ａ内
部に出射されることになる。
【００４９】そして、光ガイド領域２１から出射された
光（主として放射光）は、基板１ａの内部を伝播する際
に、Ｙ字状合波部Ｒ2 から漏洩した信号光と更に干渉し
て、モニタ光（干渉光）として基板１ａの出射側端面か
ら出射される。即ち、出射導波路４ｂにおける部位Ｅの
近傍の基板１ａが、光ガイド領域２１から出射される光
と、Ｙ字状合波部Ｒ2 から漏洩する信号光とを干渉させ
て干渉光を生成し、この干渉光を基板１ａの出射側端面
から出射させる干渉光生成手段として機能するのであ
る。
光（主として放射光）は、基板１ａの内部を伝播する際
に、Ｙ字状合波部Ｒ2 から漏洩した信号光と更に干渉し
て、モニタ光（干渉光）として基板１ａの出射側端面か
ら出射される。即ち、出射導波路４ｂにおける部位Ｅの
近傍の基板１ａが、光ガイド領域２１から出射される光
と、Ｙ字状合波部Ｒ2 から漏洩する信号光とを干渉させ
て干渉光を生成し、この干渉光を基板１ａの出射側端面
から出射させる干渉光生成手段として機能するのであ
る。
【００５０】なお、光ガイド領域２１では、前述のごと
く主として放射光がガイドされるため、基板１ａから出
射される干渉光の位相は信号光とは逆位相となる。ま
た、干渉光の位相の設定については、後述にて説明す
る。ところで、図１に示すように、基板１ａの出射側の
端面の後段には光検知器５が設けられており、光検知器
５の端子Ｔ1 には信号制御回路１０が接続されている。
なお、光検知器５の端子Ｔ2 は接地されている。
く主として放射光がガイドされるため、基板１ａから出
射される干渉光の位相は信号光とは逆位相となる。ま
た、干渉光の位相の設定については、後述にて説明す
る。ところで、図１に示すように、基板１ａの出射側の
端面の後段には光検知器５が設けられており、光検知器
５の端子Ｔ1 には信号制御回路１０が接続されている。
なお、光検知器５の端子Ｔ2 は接地されている。
【００５１】具体的には、この光検知器５は、図１に示
すように、パッケージ１３内において、出射用の光ファ
イバ９ｂの前段に設けられたレンズ８ａと、マッハツェ
ンダ型光導波路デバイス１の基板１ａの出射側端面との
間に介装されている。この光検知器５は、図１〜図３に
示すようにセラミック基板７上に光検出素子としてのベ
アチップ６が設けられることにより構成され、基板１ａ
の出射側端面から出射されたモニタ光（干渉光）を受光
して、受光した干渉光を電気信号に変換して信号制御回
路１０へ出力することにより、干渉光をモニタするもの
である。なお、光検知器５の大きさの一例を、図７に示
す。また、この図７において、５ａは電極である。
すように、パッケージ１３内において、出射用の光ファ
イバ９ｂの前段に設けられたレンズ８ａと、マッハツェ
ンダ型光導波路デバイス１の基板１ａの出射側端面との
間に介装されている。この光検知器５は、図１〜図３に
示すようにセラミック基板７上に光検出素子としてのベ
アチップ６が設けられることにより構成され、基板１ａ
の出射側端面から出射されたモニタ光（干渉光）を受光
して、受光した干渉光を電気信号に変換して信号制御回
路１０へ出力することにより、干渉光をモニタするもの
である。なお、光検知器５の大きさの一例を、図７に示
す。また、この図７において、５ａは電極である。
【００５２】ところで、信号制御回路１０は、光検知器
５でのモニタ結果（即ち光検知器５からの光出力電気信
号の変化）に応じて、進行波電極２に印加される入力電
気信号の直流バイアスを変化させるものである。前述し
たように、一般的に、マッハツェンダ型光変調器２０に
おいては、温度ドリフト，ＤＣドリフト及び応力等によ
る経時変化により、マッハツェンダ型光変調器２０の動
作点シフトが発生する。
５でのモニタ結果（即ち光検知器５からの光出力電気信
号の変化）に応じて、進行波電極２に印加される入力電
気信号の直流バイアスを変化させるものである。前述し
たように、一般的に、マッハツェンダ型光変調器２０に
おいては、温度ドリフト，ＤＣドリフト及び応力等によ
る経時変化により、マッハツェンダ型光変調器２０の動
作点シフトが発生する。
【００５３】このように、動作点シフトが発生した状態
で光変調を行なうと、図３０を用いて前述したように消
光比の劣化が生じる。そこで、光検知器５により基板１
ａの出射側端面から出射された干渉光をモニタし、光検
知器５でのモニタ結果に応じて、信号制御回路１０によ
り進行波電極２に印加される入力電気信号の直流バイア
スを変化させることにより、マッハツェンダ型光変調器
２０の動作点制御を行なうように構成されている。
で光変調を行なうと、図３０を用いて前述したように消
光比の劣化が生じる。そこで、光検知器５により基板１
ａの出射側端面から出射された干渉光をモニタし、光検
知器５でのモニタ結果に応じて、信号制御回路１０によ
り進行波電極２に印加される入力電気信号の直流バイア
スを変化させることにより、マッハツェンダ型光変調器
２０の動作点制御を行なうように構成されている。
【００５４】ここで、本実施形態にかかるマッハツェン
ダ型光変調器２０においては、干渉光が基板１ａの出射
側端面における光導波路端部位置（光導波路４の出射導
波路４ｂの端部位置）から所望の距離だけ離隔した位置
に出射されるように、干渉光の位相が設定されている。
具体的には、光検知器５は、出射導波路４ｂから光ファ
イバ９ｂへ入射される信号光を遮らないようにするため
に、基板１ａの出射側端面における出射導波路４ｂの端
部位置から数百μｍ程度〔図６（ｂ）ではこの距離をＹ
で示しており、この距離Ｙは例えば約６００〜８００μ
ｍ程度である〕下げた位置に設けられている。
ダ型光変調器２０においては、干渉光が基板１ａの出射
側端面における光導波路端部位置（光導波路４の出射導
波路４ｂの端部位置）から所望の距離だけ離隔した位置
に出射されるように、干渉光の位相が設定されている。
具体的には、光検知器５は、出射導波路４ｂから光ファ
イバ９ｂへ入射される信号光を遮らないようにするため
に、基板１ａの出射側端面における出射導波路４ｂの端
部位置から数百μｍ程度〔図６（ｂ）ではこの距離をＹ
で示しており、この距離Ｙは例えば約６００〜８００μ
ｍ程度である〕下げた位置に設けられている。
【００５５】また、光検知器５は、図１，図６（ａ）に
示すように、基板１ａの出射側端面から放射した干渉光
の放射領域を更に広げるために、基板１ａの出射側端面
から数百μｍ程度離れた位置に設けられている。なお、
図１，図６（ａ）においては、光検知器５を基板１ａの
出射側端面から７００μｍ離れた位置に設けた場合につ
いて示している。
示すように、基板１ａの出射側端面から放射した干渉光
の放射領域を更に広げるために、基板１ａの出射側端面
から数百μｍ程度離れた位置に設けられている。なお、
図１，図６（ａ）においては、光検知器５を基板１ａの
出射側端面から７００μｍ離れた位置に設けた場合につ
いて示している。
【００５６】ここで、干渉光の位相及び強度は、光導波
路４の作製条件を調整することにより設定されている。
即ち、干渉光の位相及び強度の設定は、光導波路４の作
製条件として、光導波路４を作製する際の拡散条件を変
えて、光導波路４のＹ字状合波部Ｒ2 から漏洩する信号
光パワー（信号光強度）を調整することにより行なわれ
ている。
路４の作製条件を調整することにより設定されている。
即ち、干渉光の位相及び強度の設定は、光導波路４の作
製条件として、光導波路４を作製する際の拡散条件を変
えて、光導波路４のＹ字状合波部Ｒ2 から漏洩する信号
光パワー（信号光強度）を調整することにより行なわれ
ている。
【００５７】また、干渉光の位相及び強度の設定は、光
導波路４の作製条件として、光導波路４の出射導波路４
ｂの長さＤ〔即ち光導波路４のＹ字状合波部Ｒ2 と基板
１ａの出射側端面との長さＤ；図１，図６（ａ）参照〕
を変えて、出射導波路４ｂを伝播する際に漏洩する信号
光パワーを調整することによっても行なわれる。なお、
本実施形態においては、出射導波路４ｂの長さは、干渉
光を基板１ａの出射側端面の全面に放射させるために、
例えば４．５ｍｍ以上に設定されている。
導波路４の作製条件として、光導波路４の出射導波路４
ｂの長さＤ〔即ち光導波路４のＹ字状合波部Ｒ2 と基板
１ａの出射側端面との長さＤ；図１，図６（ａ）参照〕
を変えて、出射導波路４ｂを伝播する際に漏洩する信号
光パワーを調整することによっても行なわれる。なお、
本実施形態においては、出射導波路４ｂの長さは、干渉
光を基板１ａの出射側端面の全面に放射させるために、
例えば４．５ｍｍ以上に設定されている。
【００５８】上述の構成により、本発明の一実施形態に
かかるマッハツェンダ型光変調器２０においては、図示
しない半導体レーザからの直流光が光ファイバ９ａを介
してパッケージ１３に入射されると、入射光はマッハツ
ェンダ型光導波路デバイス１の光導波路４に入射され
る。マッハツェンダ型光導波路デバイス１では、入射導
波路４ａから入射された光は、Ｙ字状分岐部Ｒ1 で分岐
されて中間導波路４ｃ，４ｄを伝播する間に進行波電極
２及び接地電極３により変調され、変調された光は、光
導波路４のＹ字状合波部Ｒ2 で合波される。
かかるマッハツェンダ型光変調器２０においては、図示
しない半導体レーザからの直流光が光ファイバ９ａを介
してパッケージ１３に入射されると、入射光はマッハツ
ェンダ型光導波路デバイス１の光導波路４に入射され
る。マッハツェンダ型光導波路デバイス１では、入射導
波路４ａから入射された光は、Ｙ字状分岐部Ｒ1 で分岐
されて中間導波路４ｃ，４ｄを伝播する間に進行波電極
２及び接地電極３により変調され、変調された光は、光
導波路４のＹ字状合波部Ｒ2 で合波される。
【００５９】これにより、Ｙ字状合波部Ｒ2 では信号光
及び放射光が発生し、信号光は出射導波路４ｂから出射
され、放射光はＹ字状合波部Ｒ2 から基板１ａの内部に
放射される。一方、Ｙ字状合波部Ｒ2 からは、信号光が
わずかに基板１ａの内部に漏洩する。
及び放射光が発生し、信号光は出射導波路４ｂから出射
され、放射光はＹ字状合波部Ｒ2 から基板１ａの内部に
放射される。一方、Ｙ字状合波部Ｒ2 からは、信号光が
わずかに基板１ａの内部に漏洩する。
【００６０】そして、放射光及び漏洩した信号光は、光
ガイド領域２１に入射され、入射された光は、光ガイド
領域２１により散乱を防ぎながらガイドされた後に、基
板１ａ内部に出射される。さらに、光ガイド領域２１か
ら出射された光は、基板１ａの内部を伝播する際に、Ｙ
字状合波部Ｒ2 から漏洩した信号光と干渉して、干渉光
として基板１ａの出射側端面から出射される。
ガイド領域２１に入射され、入射された光は、光ガイド
領域２１により散乱を防ぎながらガイドされた後に、基
板１ａ内部に出射される。さらに、光ガイド領域２１か
ら出射された光は、基板１ａの内部を伝播する際に、Ｙ
字状合波部Ｒ2 から漏洩した信号光と干渉して、干渉光
として基板１ａの出射側端面から出射される。
【００６１】このとき、前述のごとく、光導波路４の作
製条件の調整により干渉光の位相が設定されているた
め、干渉光は基板１ａの出射側端面における出射導波路
４ｂの端部位置から所望の距離だけ離隔した位置に出射
される。そして、出射された干渉光は、当該位置に配設
された光検知器５により受光され、光検知器５では、受
光した干渉光が電気信号に変換されて信号制御回路１０
へ出力される。
製条件の調整により干渉光の位相が設定されているた
め、干渉光は基板１ａの出射側端面における出射導波路
４ｂの端部位置から所望の距離だけ離隔した位置に出射
される。そして、出射された干渉光は、当該位置に配設
された光検知器５により受光され、光検知器５では、受
光した干渉光が電気信号に変換されて信号制御回路１０
へ出力される。
【００６２】この結果、信号制御回路１０では、光検知
器５からの光出力電気信号の変化に応じて、進行波電極
２に印加される入力電気信号の直流バイアスを変化させ
ることにより、マッハツェンダ型光変調器２０の動作点
制御が行なわれる。なお、マッハツェンダ型光導波路デ
バイス１の出射導波路４ｂから出射された信号光は、レ
ンズ８ａを介してパッケージ１３に接続された光ファイ
バ９ｂに出射される。
器５からの光出力電気信号の変化に応じて、進行波電極
２に印加される入力電気信号の直流バイアスを変化させ
ることにより、マッハツェンダ型光変調器２０の動作点
制御が行なわれる。なお、マッハツェンダ型光導波路デ
バイス１の出射導波路４ｂから出射された信号光は、レ
ンズ８ａを介してパッケージ１３に接続された光ファイ
バ９ｂに出射される。
【００６３】ここで、図１４〜図２５を用いて、本実施
形態にかかるマッハツェンダ型光変調器２０の特性につ
いて説明する。図１４〜図１６は、ともに干渉光強度の
特性について説明するための図であり、図２３〜図２５
は、ともにＢＰＭ（ビーム・プロファイル・メソッド）
シミュレーション結果を示す図である。
形態にかかるマッハツェンダ型光変調器２０の特性につ
いて説明する。図１４〜図１６は、ともに干渉光強度の
特性について説明するための図であり、図２３〜図２５
は、ともにＢＰＭ（ビーム・プロファイル・メソッド）
シミュレーション結果を示す図である。
【００６４】また、図１７，図２０はともに信号光のパ
ワー分布を示す図であり、図１８，図２１はともに放射
光のパワー分布を示す図であり、図１９，図２２はとも
に干渉光の位相分布を示す図である。 （１）出射導波路４ｂの近傍に光ガイド領域２１を設け
ない場合 この場合の信号光のパワー分布及び放射光のパワー分布
を、それぞれ図１７，図１８に示すと、図１７，図１８
より、干渉光の位相分布は図１９に示すようになる。
ワー分布を示す図であり、図１８，図２１はともに放射
光のパワー分布を示す図であり、図１９，図２２はとも
に干渉光の位相分布を示す図である。 （１）出射導波路４ｂの近傍に光ガイド領域２１を設け
ない場合 この場合の信号光のパワー分布及び放射光のパワー分布
を、それぞれ図１７，図１８に示すと、図１７，図１８
より、干渉光の位相分布は図１９に示すようになる。
【００６５】この場合は、放射光の強度が小さいため、
干渉光の位相は信号光と同位相となる。また、図１９に
示すように、干渉光は、基板１ａの出射側端面における
出射導波路４ｂの端部位置から約６００〜８００μｍ程
度下方に出射する。さらに、図２３に、この場合におけ
るＢＰＭシミュレーション結果を示す。この図２３は、
光導波路４のＹ字状合波部Ｒ2 から放射され又は漏洩す
る光についての分布を示すものである。
干渉光の位相は信号光と同位相となる。また、図１９に
示すように、干渉光は、基板１ａの出射側端面における
出射導波路４ｂの端部位置から約６００〜８００μｍ程
度下方に出射する。さらに、図２３に、この場合におけ
るＢＰＭシミュレーション結果を示す。この図２３は、
光導波路４のＹ字状合波部Ｒ2 から放射され又は漏洩す
る光についての分布を示すものである。
【００６６】この場合には、図２３より、Ｙ字状合波部
Ｒ2 から出射される光は、殆ど基板１ａの出射側端面以
外の端面から出射されることがわかるため、基板１ａの
出射側端面から出射されるモニタ光（干渉光）はかなり
散乱すると考えられる。 （２）出射導波路４ｂの近傍に光ガイド領域２１を設け
た場合 この場合の信号光のパワー分布及び放射光のパワー分布
を、それぞれ図２０，図２１に示すと、図２０，図２１
より、干渉光の位相分布は図２２に示すようになる。
Ｒ2 から出射される光は、殆ど基板１ａの出射側端面以
外の端面から出射されることがわかるため、基板１ａの
出射側端面から出射されるモニタ光（干渉光）はかなり
散乱すると考えられる。 （２）出射導波路４ｂの近傍に光ガイド領域２１を設け
た場合 この場合の信号光のパワー分布及び放射光のパワー分布
を、それぞれ図２０，図２１に示すと、図２０，図２１
より、干渉光の位相分布は図２２に示すようになる。
【００６７】この場合は、放射光の強度が増加するた
め、干渉光の位相は信号光と逆位相となる。また、図２
２に示すように、干渉光は、基板１ａの出射側端面にお
ける出射導波路４ｂの端部位置から約６００〜８００μ
ｍ程度下方に出射する。さらに、図２４，図２５に、こ
の場合におけるＢＰＭシミュレーション結果を示す。
め、干渉光の位相は信号光と逆位相となる。また、図２
２に示すように、干渉光は、基板１ａの出射側端面にお
ける出射導波路４ｂの端部位置から約６００〜８００μ
ｍ程度下方に出射する。さらに、図２４，図２５に、こ
の場合におけるＢＰＭシミュレーション結果を示す。
【００６８】この図２４，図２５も、光導波路４のＹ字
状合波部Ｒ2 から放射され又は漏洩する光についての分
布を示すものであるが、図２４，図２５においては、そ
れぞれ光ガイド領域２１の矩形幅が１００μｍ，２００
μｍである場合について示している。この場合には、図
２４，図２５より、Ｙ字状合波部Ｒ2 から出射される光
は、光ガイド領域２１により基板１ａの出射側端面の方
向にガイドされることがわかるため、基板１ａの出射側
端面から出射されるモニタ光（干渉光）の散乱を低減す
ることができると考えられる。
状合波部Ｒ2 から放射され又は漏洩する光についての分
布を示すものであるが、図２４，図２５においては、そ
れぞれ光ガイド領域２１の矩形幅が１００μｍ，２００
μｍである場合について示している。この場合には、図
２４，図２５より、Ｙ字状合波部Ｒ2 から出射される光
は、光ガイド領域２１により基板１ａの出射側端面の方
向にガイドされることがわかるため、基板１ａの出射側
端面から出射されるモニタ光（干渉光）の散乱を低減す
ることができると考えられる。
【００６９】なお、図２５に示すように、光ガイド領域
２１の矩形幅を大きくすると、Ｙ字状合波部Ｒ2 から出
射される光の散乱を大幅に低減できるとともに、基板１
ａの出射側端面の広い領域に放射光をガイドすることが
可能となる。さらに、光ガイド領域２１を設けた場合の
干渉光強度ＲDC，ＲACの一例を、図１６において符号Ｋ
2 で示し、光ガイド領域２１を設けない場合の干渉光強
度Ｒ DC，ＲACを、図１６において符号Ｋ1 で示す。
２１の矩形幅を大きくすると、Ｙ字状合波部Ｒ2 から出
射される光の散乱を大幅に低減できるとともに、基板１
ａの出射側端面の広い領域に放射光をガイドすることが
可能となる。さらに、光ガイド領域２１を設けた場合の
干渉光強度ＲDC，ＲACの一例を、図１６において符号Ｋ
2 で示し、光ガイド領域２１を設けない場合の干渉光強
度Ｒ DC，ＲACを、図１６において符号Ｋ1 で示す。
【００７０】ここで、ＲDC，ＲACは、図１４に示す光検
知器（ＰＤ）５からの光出力電気信号（電流信号）の平
均値をＩAVE ，この光出力電気信号のピーク値とボトム
値との差分をΔＩ0 （図１４，図１５参照），図１４に
示す信号光源（ＬＤ ＭＯＤ）２２からの出力電流をＰ
inとすると、それぞれ次式，により定義される。 ＲDC＝ＩAVE ／Ｐin（Ａ／Ｗ） ・・・・・ ＲAC＝ΔＩ0 ／Ｐin（Ａ／Ｗ） ・・・・・ そして、ＲDCとＲACとの比が小さくなるように干渉光強
度を調整する（即ち、ＲDCがより小さく，ＲACがより大
きくなるようにマッハツェンダ型光変調器２０を設計す
る）ことにより、信号制御回路１０におけるＳ／Ｎ比を
改善し、マッハツェンダ型光変調器２０の動作点制御の
安定化を図ることができる。
知器（ＰＤ）５からの光出力電気信号（電流信号）の平
均値をＩAVE ，この光出力電気信号のピーク値とボトム
値との差分をΔＩ0 （図１４，図１５参照），図１４に
示す信号光源（ＬＤ ＭＯＤ）２２からの出力電流をＰ
inとすると、それぞれ次式，により定義される。 ＲDC＝ＩAVE ／Ｐin（Ａ／Ｗ） ・・・・・ ＲAC＝ΔＩ0 ／Ｐin（Ａ／Ｗ） ・・・・・ そして、ＲDCとＲACとの比が小さくなるように干渉光強
度を調整する（即ち、ＲDCがより小さく，ＲACがより大
きくなるようにマッハツェンダ型光変調器２０を設計す
る）ことにより、信号制御回路１０におけるＳ／Ｎ比を
改善し、マッハツェンダ型光変調器２０の動作点制御の
安定化を図ることができる。
【００７１】図１６に示すように、光ガイド領域２１を
設けた場合には、光ガイド領域２１を設けない場合と比
べて、ＲACをより大きくすることができるため、信号制
御回路１０におけるＳ／Ｎ比を改善し、マッハツェンダ
型光変調器２０の動作点制御の安定化を図ることができ
る。なお、図１４において、符号２３は、信号制御回路
１０からのパイロット信号を受けてマッハツェンダ型光
導波路デバイス（ＬＮ ＭＯＤ）１を制御する駆動回路
（ＤＲＶ）である。
設けた場合には、光ガイド領域２１を設けない場合と比
べて、ＲACをより大きくすることができるため、信号制
御回路１０におけるＳ／Ｎ比を改善し、マッハツェンダ
型光変調器２０の動作点制御の安定化を図ることができ
る。なお、図１４において、符号２３は、信号制御回路
１０からのパイロット信号を受けてマッハツェンダ型光
導波路デバイス（ＬＮ ＭＯＤ）１を制御する駆動回路
（ＤＲＶ）である。
【００７２】また、図１７〜図２２では、横軸に示すＸ
〔μｍ〕及び縦軸に示すＹ〔μｍ〕は、それぞれ図６
（ｂ）に示すＸ及びＹ（Ｙは前述した距離Ｙに相当す
る）に対応するものである。図１７〜図２２では、前述
した距離Ｙが、基板１ａの出射側端面における出射導波
路４ｂの端部位置から下方向への長さであることを示す
ために、縦軸に示すＹに負の数値を記している。
〔μｍ〕及び縦軸に示すＹ〔μｍ〕は、それぞれ図６
（ｂ）に示すＸ及びＹ（Ｙは前述した距離Ｙに相当す
る）に対応するものである。図１７〜図２２では、前述
した距離Ｙが、基板１ａの出射側端面における出射導波
路４ｂの端部位置から下方向への長さであることを示す
ために、縦軸に示すＹに負の数値を記している。
【００７３】また、横軸に示すＸにおいては、基板１ａ
の出射側端面における出射導波路４ｂの端部位置を０で
示し、この出射導波路４ｂの端部位置からの右方向への
長さを正の数値で、左方向への長さを負の数値でそれぞ
れ示している。なお、図１７〜図２２において、信号光
のパワー分布，放射光のパワー分布又は干渉光の位相分
布が非対称となっているのは、出射された光の反射戻り
光を低減させるために、マッハツェンダ型光導波路デバ
イス１として、上面からみたときに基板１ａの出射側端
面が斜めにカットされたものを用いたためである（図１
１参照）。
の出射側端面における出射導波路４ｂの端部位置を０で
示し、この出射導波路４ｂの端部位置からの右方向への
長さを正の数値で、左方向への長さを負の数値でそれぞ
れ示している。なお、図１７〜図２２において、信号光
のパワー分布，放射光のパワー分布又は干渉光の位相分
布が非対称となっているのは、出射された光の反射戻り
光を低減させるために、マッハツェンダ型光導波路デバ
イス１として、上面からみたときに基板１ａの出射側端
面が斜めにカットされたものを用いたためである（図１
１参照）。
【００７４】このように、本発明の一実施形態にかかる
マッハツェンダ型光変調器２０によれば、光ガイド領域
２１にて光導波路４から放射され又は漏洩する光をガイ
ドするとともに、動作点制御を行なう際に使用するモニ
タ光として、光ガイド領域２１から出射される光と光導
波路４から漏洩する信号光との干渉光を用いることによ
り、基板１０１ａの出射側端面におけるモニタ光の出射
位置を調節しながら、基板１０１ａの出射側端面から出
射されるモニタ光（干渉光）の強度を増加させることが
できる。
マッハツェンダ型光変調器２０によれば、光ガイド領域
２１にて光導波路４から放射され又は漏洩する光をガイ
ドするとともに、動作点制御を行なう際に使用するモニ
タ光として、光ガイド領域２１から出射される光と光導
波路４から漏洩する信号光との干渉光を用いることによ
り、基板１０１ａの出射側端面におけるモニタ光の出射
位置を調節しながら、基板１０１ａの出射側端面から出
射されるモニタ光（干渉光）の強度を増加させることが
できる。
【００７５】これにより、変調された信号光が入射され
る光ファイバ９ｂと干渉光を受光する光検知器５とを所
望の距離だけ離隔して配設することができるため、図２
８に示すようなモニタ用の光ファイバ（符号１０６参
照）を設ける必要がなくなり、マッハツェンダ型光変調
器２０の機構上の設計を容易にすることができる。ま
た、マッハツェンダ型光変調器２０の動作点制御を安定
して行なえるようになるため、マッハツェンダ型光変調
器２０の動作点シフトに伴う信号光の消光比の劣化を防
止して、安定した光変調を行なうことができる。
る光ファイバ９ｂと干渉光を受光する光検知器５とを所
望の距離だけ離隔して配設することができるため、図２
８に示すようなモニタ用の光ファイバ（符号１０６参
照）を設ける必要がなくなり、マッハツェンダ型光変調
器２０の機構上の設計を容易にすることができる。ま
た、マッハツェンダ型光変調器２０の動作点制御を安定
して行なえるようになるため、マッハツェンダ型光変調
器２０の動作点シフトに伴う信号光の消光比の劣化を防
止して、安定した光変調を行なうことができる。
【００７６】さらに、光検知器５が、図６（ｂ）に示す
ように、基板１ａの出射側端面における出射導波路４ｂ
の端部位置から所定長（距離Ｙ）下げた位置に設けられ
ることにより、光導波路４の出射導波路４ｂから光ファ
イバ９ｂへ入射される信号光を遮らないようにすること
ができる。また、光検知器５が、図１，図６（ａ）に示
すように、基板１ａの出射側端面から数百μｍ（例えば
約７００μｍ）離れた位置に設けられることにより、基
板１ａの出射側端面から放射した干渉光の放射領域をさ
らに広げることができる。
ように、基板１ａの出射側端面における出射導波路４ｂ
の端部位置から所定長（距離Ｙ）下げた位置に設けられ
ることにより、光導波路４の出射導波路４ｂから光ファ
イバ９ｂへ入射される信号光を遮らないようにすること
ができる。また、光検知器５が、図１，図６（ａ）に示
すように、基板１ａの出射側端面から数百μｍ（例えば
約７００μｍ）離れた位置に設けられることにより、基
板１ａの出射側端面から放射した干渉光の放射領域をさ
らに広げることができる。
【００７７】さらに、光導波路４の出射導波路４ｂの長
さＤを、例えば４．５ｍｍ以上に設定すれば、干渉光を
基板１ａの出射側端面の全面に放射させることが可能と
なるため、光検知器５により容易に干渉光をモニタする
ことができる。なお、本実施形態においては、光ガイド
領域２１の形状を、図９（ａ）に示すような形状とした
場合について説明したが、図９（ｂ），図９（ｃ）に示
すような形状とすることもできる。
さＤを、例えば４．５ｍｍ以上に設定すれば、干渉光を
基板１ａの出射側端面の全面に放射させることが可能と
なるため、光検知器５により容易に干渉光をモニタする
ことができる。なお、本実施形態においては、光ガイド
領域２１の形状を、図９（ａ）に示すような形状とした
場合について説明したが、図９（ｂ），図９（ｃ）に示
すような形状とすることもできる。
【００７８】特に、光ガイド領域２１の形状を、図９
（ｃ）に示すように、基板１ａの出射側端面にいくにつ
れて幅が細くなるような形状とすれば、光導波路４から
放射され又は漏洩する光の集光性を高めることができ
る。また、光ガイド領域２１を、図１０（ａ）〜図１０
（ｃ）に示すように、光導波路４のＹ字状合波部Ｒ2 及
び出射導波路４ｂからなる合波部付き出射側導波路の近
傍に設ければ、光導波路４から放射され又は漏洩する光
の集光性を更に高めることができる。
（ｃ）に示すように、基板１ａの出射側端面にいくにつ
れて幅が細くなるような形状とすれば、光導波路４から
放射され又は漏洩する光の集光性を高めることができ
る。また、光ガイド領域２１を、図１０（ａ）〜図１０
（ｃ）に示すように、光導波路４のＹ字状合波部Ｒ2 及
び出射導波路４ｂからなる合波部付き出射側導波路の近
傍に設ければ、光導波路４から放射され又は漏洩する光
の集光性を更に高めることができる。
【００７９】なお、本実施形態においては、光ガイド領
域２１を出射導波路４ｂの両側に設けた場合について説
明したが、光ガイド領域２１は出射導波路４ｂの片側の
みに設けてもよい。さらに、本実施形態においては、光
ガイド領域２１を、Ｔｉ等の金属を基板１ａ中に拡散さ
せるチタン拡散処理により形成した場合について説明し
たが、この光ガイド領域２１は、イオン交換処理により
形成することもできる。
域２１を出射導波路４ｂの両側に設けた場合について説
明したが、光ガイド領域２１は出射導波路４ｂの片側の
みに設けてもよい。さらに、本実施形態においては、光
ガイド領域２１を、Ｔｉ等の金属を基板１ａ中に拡散さ
せるチタン拡散処理により形成した場合について説明し
たが、この光ガイド領域２１は、イオン交換処理により
形成することもできる。
【００８０】即ち、光ガイド領域２１は、基板１ａ上に
光ガイド領域２１のマスクパターンを形成して〔図８
（ａ）参照〕、例えばピロ燐酸により熱処理してプロト
ン交換処理を行なうことにより形成することができる
〔図８（ｂ）参照〕。なお、光ガイド領域２１における
プロトン交換の割合は、３５０℃の高温酸素中（Ｏ
2 中）でのアニール処理により調整することができる
〔図８（ｃ）参照〕。
光ガイド領域２１のマスクパターンを形成して〔図８
（ａ）参照〕、例えばピロ燐酸により熱処理してプロト
ン交換処理を行なうことにより形成することができる
〔図８（ｂ）参照〕。なお、光ガイド領域２１における
プロトン交換の割合は、３５０℃の高温酸素中（Ｏ
2 中）でのアニール処理により調整することができる
〔図８（ｃ）参照〕。
【００８１】また、光導波路４も、このプロトン交換処
理により形成してもよい。さらに、光導波路４の作製条
件を変えることにより、光導波路４から信号光が漏洩し
ないようにすれば、光ガイド領域２１は、光導波路４か
ら放射される放射光のみをガイドすることになる。ま
た、出射導波路４ｂを、図１１に示すように、屈曲部を
有する曲線導波路により構成すれば、基板１ａの出射側
端面から出射された光が、中間導波路４ｃ，４ｄ等に再
度入射されるのを防ぐことができる。
理により形成してもよい。さらに、光導波路４の作製条
件を変えることにより、光導波路４から信号光が漏洩し
ないようにすれば、光ガイド領域２１は、光導波路４か
ら放射される放射光のみをガイドすることになる。ま
た、出射導波路４ｂを、図１１に示すように、屈曲部を
有する曲線導波路により構成すれば、基板１ａの出射側
端面から出射された光が、中間導波路４ｃ，４ｄ等に再
度入射されるのを防ぐことができる。
【００８２】（ｂ）本発明の一実施形態の変形例の説明 図２６は本発明の一実施形態の変形例にかかる光変調器
の構成を示す模式図である。この図２６に示す光変調器
は、ファイバ直接接続系のマッハツェンダ型光変調器で
あり、図１に示すものと同様に、例えば超高速光通信シ
ステムの送信部において、半導体レーザ等の信号光源か
ら出射される光を変調するための外部光変調器として用
いられるものである。
の構成を示す模式図である。この図２６に示す光変調器
は、ファイバ直接接続系のマッハツェンダ型光変調器で
あり、図１に示すものと同様に、例えば超高速光通信シ
ステムの送信部において、半導体レーザ等の信号光源か
ら出射される光を変調するための外部光変調器として用
いられるものである。
【００８３】また、図２７は図２６に示すマッハツェン
ダ型光変調器２０ＡのＢ−Ｂ断面図である。ここで、図
２６に示すマッハツェンダ型光変調器２０Ａは、光ファ
イバ９ａ，９ｂがそれぞれパッケージ１３内のマッハツ
ェンダ型光導波路デバイス１に直接接続されている点を
除いては、図１に示すマッハツェンダ型光変調器２０と
同様に構成されている。
ダ型光変調器２０ＡのＢ−Ｂ断面図である。ここで、図
２６に示すマッハツェンダ型光変調器２０Ａは、光ファ
イバ９ａ，９ｂがそれぞれパッケージ１３内のマッハツ
ェンダ型光導波路デバイス１に直接接続されている点を
除いては、図１に示すマッハツェンダ型光変調器２０と
同様に構成されている。
【００８４】即ち、図２６に示すように、パッケージ１
３には２つの穴部Ｈが設けられており、光ファイバ９
ａ，９ｂがそれぞれ穴部Ｈに挿通されている。そして、
光ファイバ９ａの先端は、マッハツェンダ型光導波路デ
バイス１の基板１ａの入射側端面における入射導波路４
ａの端部と、また、光ファイバ９ｂの先端は、マッハツ
ェンダ型光導波路デバイス１の基板１ａの出射側端面に
おける出射導波路４ｂの端部と、接着剤Ｃ等によりそれ
ぞれ固着されている。
３には２つの穴部Ｈが設けられており、光ファイバ９
ａ，９ｂがそれぞれ穴部Ｈに挿通されている。そして、
光ファイバ９ａの先端は、マッハツェンダ型光導波路デ
バイス１の基板１ａの入射側端面における入射導波路４
ａの端部と、また、光ファイバ９ｂの先端は、マッハツ
ェンダ型光導波路デバイス１の基板１ａの出射側端面に
おける出射導波路４ｂの端部と、接着剤Ｃ等によりそれ
ぞれ固着されている。
【００８５】従って、この場合は、光検知器５は、図２
６，図２７に示すように、光ファイバ９ｂが接続された
基板１ａの出射側端面の後段であって、この光ファイバ
９ｂの下部に設けられている。このようなマッハツェン
ダ型光変調器２０Ａにおいても、上述した本発明の一実
施形態にかかるマッハツェンダ型光変調器２０と同様の
作用及び効果を得ることができる。
６，図２７に示すように、光ファイバ９ｂが接続された
基板１ａの出射側端面の後段であって、この光ファイバ
９ｂの下部に設けられている。このようなマッハツェン
ダ型光変調器２０Ａにおいても、上述した本発明の一実
施形態にかかるマッハツェンダ型光変調器２０と同様の
作用及び効果を得ることができる。
【００８６】特に、このマッハツェンダ型光変調器２０
Ａは、ファイバ直接接続系のものであるため、干渉光の
位相を任意に設定して光ファイバ９ｂと光検知器５とを
所望の距離だけ離隔して配設することにより、マッハツ
ェンダ型光変調器２０Ａの製造を容易にすることができ
る利点がある。なお、このマッハツェンダ型光変調器２
０Ａにおいても、光ガイド領域２１を出射導波路４ｂの
片側のみに設ける構成としてもよい。
Ａは、ファイバ直接接続系のものであるため、干渉光の
位相を任意に設定して光ファイバ９ｂと光検知器５とを
所望の距離だけ離隔して配設することにより、マッハツ
ェンダ型光変調器２０Ａの製造を容易にすることができ
る利点がある。なお、このマッハツェンダ型光変調器２
０Ａにおいても、光ガイド領域２１を出射導波路４ｂの
片側のみに設ける構成としてもよい。
【００８７】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の光変調器
によれば、光ガイド部にて光導波路から放射され又は漏
洩する光をガイドするとともに、光ガイド部から出射さ
れる光と光導波路から漏洩する信号光とを干渉させて干
渉光を生成することにより、基板の出射側端面における
モニタ光としての干渉光の出射位置を調節しながら、基
板の出射側端面から出射されるモニタ光の強度を増加さ
せることができる利点がある。
によれば、光ガイド部にて光導波路から放射され又は漏
洩する光をガイドするとともに、光ガイド部から出射さ
れる光と光導波路から漏洩する信号光とを干渉させて干
渉光を生成することにより、基板の出射側端面における
モニタ光としての干渉光の出射位置を調節しながら、基
板の出射側端面から出射されるモニタ光の強度を増加さ
せることができる利点がある。
【００８８】これにより、変調された信号光が入射され
る光ファイバと干渉光を受光する光検知器とを所望の距
離だけ離隔して配設することができるため、光変調器の
機構上の設計を容易にすることができるとともに、光変
調器の動作点制御を安定して行なえるようになるため、
光変調器の動作点シフトに伴う信号光の消光比の劣化を
防止して、安定した光変調を行なうことができる（請求
項１〜６，８〜１０，１２〜１８）。
る光ファイバと干渉光を受光する光検知器とを所望の距
離だけ離隔して配設することができるため、光変調器の
機構上の設計を容易にすることができるとともに、光変
調器の動作点制御を安定して行なえるようになるため、
光変調器の動作点シフトに伴う信号光の消光比の劣化を
防止して、安定した光変調を行なうことができる（請求
項１〜６，８〜１０，１２〜１８）。
【００８９】なお、光ガイド部を、光導波路を構成する
合波部及び光導波路を構成し合波部に接続された出射側
光導波路からなる合波部付き出射側光導波路の近傍に設
ければ、光導波路から放射され又は漏洩する光の集光性
を更に高めることができる（請求項７）。また、出射光
導波路を、屈曲部を有する曲線光導波路により構成すれ
ば、基板の出射側端面から出射された光が、光導波路の
中間導波路等に再度入射されるのを防ぐことができる
（請求項１１）。
合波部及び光導波路を構成し合波部に接続された出射側
光導波路からなる合波部付き出射側光導波路の近傍に設
ければ、光導波路から放射され又は漏洩する光の集光性
を更に高めることができる（請求項７）。また、出射光
導波路を、屈曲部を有する曲線光導波路により構成すれ
ば、基板の出射側端面から出射された光が、光導波路の
中間導波路等に再度入射されるのを防ぐことができる
（請求項１１）。
【図１】本発明の一実施形態にかかる光変調器の構成を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図２】図１に示す光変調器のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１に示す光変調器の入射側から出射側をみた
ときの斜視図である。
ときの斜視図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる光変調器の要部構
成を示す模式図である。
成を示す模式図である。
【図５】図４に示す光変調器におけるマッハツェンダ型
光導波路デバイスの出射側の側面図である。
光導波路デバイスの出射側の側面図である。
【図６】（ａ），（ｂ）はそれぞれ光検知器の配設位置
について説明するための図である。
について説明するための図である。
【図７】図６（ｂ）に示す光検知器を示す図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれプロトン交換処理に
ついて説明するための図である。
ついて説明するための図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ光ガイド領域の形状
について説明するための図である。
について説明するための図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ光ガイド領域の配
設位置について説明するための図である。
設位置について説明するための図である。
【図１１】出射導波路の形状について説明するための図
である。
である。
【図１２】信号光及び放射光について説明するための図
である。
である。
【図１３】（ａ），（ｂ）はそれぞれ信号光及び放射光
について説明するための図である。
について説明するための図である。
【図１４】干渉光強度の特性について説明するための図
である。
である。
【図１５】干渉光強度の特性について説明するための図
である。
である。
【図１６】干渉光強度の特性について説明するための図
である。
である。
【図１７】光ガイド領域を設けない場合の信号光のパワ
ー分布を示す図である。
ー分布を示す図である。
【図１８】光ガイド領域を設けない場合の放射光のパワ
ー分布を示す図である。
ー分布を示す図である。
【図１９】光ガイド領域を設けない場合の干渉光の位相
分布を示す図である。
分布を示す図である。
【図２０】光ガイド領域を設けた場合の信号光のパワー
分布を示す図である。
分布を示す図である。
【図２１】光ガイド領域を設けた場合の放射光のパワー
分布を示す図である。
分布を示す図である。
【図２２】光ガイド領域を設けた場合の干渉光の位相分
布を示す図である。
布を示す図である。
【図２３】光ガイド領域を設けない場合のＢＰＭシミュ
レーション結果を示す図である。
レーション結果を示す図である。
【図２４】光ガイド領域を設けた場合のＢＰＭシミュレ
ーション結果を示す図である。
ーション結果を示す図である。
【図２５】光ガイド領域を設けた場合のＢＰＭシミュレ
ーション結果を示す図である。
ーション結果を示す図である。
【図２６】本発明の一実施形態の変形例にかかる光変調
器の構成を示す模式図である。
器の構成を示す模式図である。
【図２７】図２６に示す光変調器のＢ−Ｂ断面図であ
る。
る。
【図２８】マッハツェンダ型光変調器の構成の一例を示
す模式図である。
す模式図である。
【図２９】図２８に示すマッハツェンダ型光変調器の出
射側から見た斜視図である。
射側から見た斜視図である。
【図３０】マッハツェンダ型光変調器の入出力特性を示
す図である。
す図である。
【図３１】マッハツェンダ型光変調器の構成の他の例を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図３２】図３１に示す光変調器におけるマッハツェン
ダ型光導波路デバイスの出射側の側面図である。
ダ型光導波路デバイスの出射側の側面図である。
１ マッハツェンダ型光導波路デバイス（ＬＮ ＭＯ
Ｄ） １ａ 基板 ２ 進行波電極（電極） ３ 接地電極 ４ マッハツェンダ型光導波路 ４ａ 入射導波路 ４ｂ 出射導波路（出射側光導波路） ４ｃ，４ｄ中間導波路 ５ 光検知器（ＰＤ） ５ａ 電極 ６ ベアチップ（光検出素子） ７ セラミック基板（板部材） ８ レンズホルダ ８ａ レンズ ９ａ，９ｂ 光ファイバ １０ 信号制御回路 １１ 入力信号電源 １２ 抵抗 １３ パッケージ ２０，２０Ａ マッハツェンダ型光変調器 ２１ 光ガイド領域（光ガイド部） ２２ 信号光源（ＬＤ ＭＯＤ） ２３ 駆動回路（ＤＲＶ） １００，１００Ａ マッハツェンダ型光変調器 １０１ マッハツェンダ型光導波路デバイス １０１ａ 基板 １０２ 進行波電極 １０３ 接地電極 １０４ マッハツェンダ型光導波路 １０４ａ 入射導波路 １０４ｂ 出射導波路 １０４ｃ，１０４ｄ中間導波路 １０５ａ，１０５ｂ，１０６ 光ファイバ １０７ 光検知器 １０８ 信号制御回路 １０９ 入力信号電源 １１０ 抵抗 １１１ 半導体レーザ １１２ 光検知器 １１３，１１６ 光ファイバ １１４，１１５ レンズ
Ｄ） １ａ 基板 ２ 進行波電極（電極） ３ 接地電極 ４ マッハツェンダ型光導波路 ４ａ 入射導波路 ４ｂ 出射導波路（出射側光導波路） ４ｃ，４ｄ中間導波路 ５ 光検知器（ＰＤ） ５ａ 電極 ６ ベアチップ（光検出素子） ７ セラミック基板（板部材） ８ レンズホルダ ８ａ レンズ ９ａ，９ｂ 光ファイバ １０ 信号制御回路 １１ 入力信号電源 １２ 抵抗 １３ パッケージ ２０，２０Ａ マッハツェンダ型光変調器 ２１ 光ガイド領域（光ガイド部） ２２ 信号光源（ＬＤ ＭＯＤ） ２３ 駆動回路（ＤＲＶ） １００，１００Ａ マッハツェンダ型光変調器 １０１ マッハツェンダ型光導波路デバイス １０１ａ 基板 １０２ 進行波電極 １０３ 接地電極 １０４ マッハツェンダ型光導波路 １０４ａ 入射導波路 １０４ｂ 出射導波路 １０４ｃ，１０４ｄ中間導波路 １０５ａ，１０５ｂ，１０６ 光ファイバ １０７ 光検知器 １０８ 信号制御回路 １０９ 入力信号電源 １１０ 抵抗 １１１ 半導体レーザ １１２ 光検知器 １１３，１１６ 光ファイバ １１４，１１５ レンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大谷 俊博 北海道札幌市中央区北一条西２丁目１番地 富士通北海道ディジタル・テクノロジ株 式会社内 (72)発明者 伊藤 知幸 北海道札幌市中央区北一条西２丁目１番地 富士通北海道ディジタル・テクノロジ株 式会社内
Claims (18)
- 【請求項１】 電気光学効果を有する基板と、 該基板上に形成されたマッハツェンダ型光導波路と、 該基板上に形成され、該光導波路を伝播する光を制御す
るための電極と、 該光導波路から放射され又は漏洩する光をガイドする光
ガイド部と、 該光ガイド部から出射される光と該光導波路から漏洩す
る信号光とを干渉させて干渉光を生成し、該干渉光を該
基板の端面から出射させる干渉光生成手段と、 該干渉光生成手段にて得られた該干渉光をモニタする光
検知器と、 該光検知器でモニタされた干渉光の変化に応じて、該電
極に印加される直流バイアスを変化させることにより、
光変調器動作点を制御する信号制御回路とをそなえて構
成されたことを特徴とする、光変調器。 - 【請求項２】 電気光学効果を有する基板と、 該基板上に形成されたマッハツェンダ型光導波路と、 該基板上に形成され、該光導波路を伝播する光を制御す
るための電極と、 該光導波路から放射され又は漏洩する光をガイドする光
ガイド部と、 該光ガイド部から出射される光と該光導波路から漏洩す
る信号光とを干渉させて干渉光を生成し、該干渉光を該
基板の端面から出射させる干渉光生成手段とをそなえて
構成されたことを特徴とする、光変調器。 - 【請求項３】 該光ガイド部の屈折率が、該基板の屈折
率とは異なるように設定されていることを特徴とする、
請求項１又は請求項２に記載の光変調器。 - 【請求項４】 該光ガイド部が、該光導波路から放射さ
れる放射光をガイドすることを特徴とする、請求項１又
は請求項２に記載の光変調器。 - 【請求項５】 該光ガイド部が、該光導波路から放射さ
れる放射光と該光導波路から漏洩する信号光とをガイド
することを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の
光変調器。 - 【請求項６】 該光ガイド部が、該光導波路を構成する
出射側光導波路の近傍に設けられたことを特徴とする、
請求項１又は請求項２に記載の光変調器。 - 【請求項７】 該光ガイド部が、該光導波路を構成する
合波部及び該光導波路を構成し該合波部に接続された出
射側光導波路からなる合波部付き出射側光導波路の近傍
に設けられたことを特徴とする、請求項１又は請求項２
に記載の光変調器。 - 【請求項８】 該光ガイド部が、チタン拡散により作製
された光ガイド部として構成されていることを特徴とす
る、請求項１又は請求項２に記載の光変調器。 - 【請求項９】 該光ガイド部が、イオン交換により作製
された光ガイド部として構成されていることを特徴とす
る、請求項１又は請求項２に記載の光変調器。 - 【請求項１０】 該出射側光導波路が、直線光導波路で
あることを特徴とする、請求項６又は請求項７に記載の
光変調器。 - 【請求項１１】 該出射光導波路が、屈曲部を有する曲
線光導波路であることを特徴とする、請求項６又は請求
項７に記載の光変調器。 - 【請求項１２】 該干渉光が、信号光と逆位相となるよ
うに設定されていることを特徴とする、請求項１又は請
求項２に記載の光変調器。 - 【請求項１３】 該光検知器が、該基板の端面と出射用
光ファイバの前段に設けられたレンズとの間に設けられ
たことを特徴とする、請求項１記載の光変調器。 - 【請求項１４】 該光検知器が、出射用光ファイバが結
合された該基板の端面の後段に設けられたことを特徴と
する、請求項１記載の光変調器。 - 【請求項１５】 該光検知器が、板部材上に光検出素子
が設けられることにより構成されたことを特徴とする、
請求項１記載の光変調器。 - 【請求項１６】 該板部材が、セラミック基板であるこ
とを特徴とする、請求項１５記載の光変調器。 - 【請求項１７】 該光検出素子が、ベアチップであるこ
とを特徴とする、請求項１５記載の光変調器。 - 【請求項１８】 該基板が、ニオブ酸リチウム基板であ
ることを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の光
変調器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03248997A JP3742477B2 (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 光変調器 |
| US08/901,336 US5953466A (en) | 1997-02-17 | 1997-07-28 | Optical modulator |
| DE69739985T DE69739985D1 (de) | 1997-02-17 | 1997-07-31 | Optischer Modulator |
| EP97113223A EP0859263B1 (en) | 1997-02-17 | 1997-07-31 | Optical modulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03248997A JP3742477B2 (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 光変調器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10228006A true JPH10228006A (ja) | 1998-08-25 |
| JP3742477B2 JP3742477B2 (ja) | 2006-02-01 |
Family
ID=12360413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03248997A Expired - Lifetime JP3742477B2 (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 光変調器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5953466A (ja) |
| EP (1) | EP0859263B1 (ja) |
| JP (1) | JP3742477B2 (ja) |
| DE (1) | DE69739985D1 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006276518A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
| JP2006301612A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-11-02 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
| JP2008026921A (ja) * | 1998-07-28 | 2008-02-07 | Litton Syst Inc | Ｍｉｏｃ（多機能集積光素子）のための二用途入力電極 |
| JP2008282057A (ja) * | 2001-11-16 | 2008-11-20 | Ngk Insulators Ltd | 光変調器および光変調方法 |
| EP2003797A1 (en) | 2005-05-23 | 2008-12-17 | Fujitsu Limited | Optical transmitting apparatus, optical receiving apparatus, and optical communication system comprising them |
| US7474812B2 (en) | 2004-06-15 | 2009-01-06 | Anritsu Corporation | Monitor photodetector equipped optical modulator |
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