JP4822161B2 - 光伝送装置 - Google Patents

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Description

本発明は、マッハツェンダー（Ｍａｃｈ−Ｚｅｈｎｄｅｒ、以下ＭＺと称する）型干渉計を備えた光伝送装置に関し、より特定的には、単一側波帯変調（ＳｉｎｇｌｅＳｉｄｅ−Ｂａｎｄ、以下ＳＳＢと称する）、及び搬送波抑圧単一側波帯変調（ＳｉｎｇｌｅＳｉｄｅ−Ｂａｎｄ ｗｉｔｈ Ｓｕｐｐｕｒｅｓｓｅｄ Ｃａｒｒｉｅｒ、以下ＳＳＢ−ＳＣと称する）等を施す光変調部が製造誤差及び波長依存性を有する場合において、不要な片側波帯成分残留の問題を解消し、良質な光強度変調信号を得ることができる光伝送装置に関する。
マイクロ波帯及びミリ波帯高周波帯等の高周波信号を用いて無線通信を行うシステムにおいて、制御局と基地局との間における信号伝送には、伝送帯域が広く、且つ損失が小さい光ファイバを用いた光伝送方式を採用することが有望視されている。更に、無線通信において使用される周波数帯は、マイクロ波帯からミリ波帯へ移行することが予想されている。従って、特にミリ波帯における光伝送装置の必要性が高まりつつある。
図１４は、高周波信号を用いて無線通信を行うシステムにおける、制御局と基地局間の光ファイバ網を示す模式図である。図１４に示されるように、光ファイバ網は、光信号を送信する制御局１１０と、光信号を伝送する光ファイバ３００と、光信号を受信して携帯端末等（図示せず）と無線通信を行う基地局２００−１・・・２００−ｎとを備えている。
制御局１１０は光伝送装置１２０を含む。光伝送装置１２０は、マイクロ波、ミリ波等の高周波信号によって変調された光信号を送信する。送信された光信号は、光ファイバ３００を経て、基地局２００−１・・・２００−ｎに各々含まれている受光部（図示せず）において光電変換される。光電変換された信号は、マイクロ波、ミリ波等の高周波帯の無線信号として携帯端末等に送信される。
しかしながら、例えば波長１．５５μｍの光信号は、波長１．３１μｍ光信号用のシングルモード光ファイバで伝送される場合、所定の伝送距離毎に周期的に減衰する。この減衰現象は、光搬送波が高周波帯信号によって強度変調される際に生じる上下側波帯成分が、波長分散の影響を受けることにより発生する。
図１５は、光搬送波成分、上側側波帯成分、及び下側波帯成分を含むように光強度変調を行うことで生成された光強度変調信号の周波数スペクトルを示す図である。周波数ｆ0の光搬送波を周波数ｆ1の高周波信号によって強度変調した場合、光搬送波より高周波数帯に生じる上側波帯成分（周波数ｆ0＋ｆ1）、及び光搬送波より低周波数帯に生じる下側波帯成分（周波数ｆ0−ｆ1）の周波数は、互いに変調信号の２倍の周波数分２×ｆ1離れた値となる。光変調信号送信地点における上側波帯成分と下側波帯成分は、搬送波成分に対し所定の位相ずれ角を有しており、その値は、例えば、各々＋π／４、−π／４（ｒａｄ）である。
しかしながら、信号伝送距離が長くなるにつれてその位相ずれ角が変化し、各々＋π／２、−π／２（ｒａｄ）となる状態が周期的に現れる。搬送波成分に対する位相ずれ角が各々＋π／２、−π／２（ｒａｄ）となる地点では、上側波帯成分の位相と下側波帯成分の位相が互いにπ（ｒａｄ）ずれる。この地点で光強度変調信号が受信器において光電変換されると、光搬送波と上側波帯間のビート成分ｆ1と、光搬送波と下側波帯間のビート成分ｆ1が干渉によって互いを打ち消し合う。その結果、光電変換された変調信号が消失してしまう。
図１６は、光信号受信側における受信信号電力と伝送距離との関係を表す図である。図１６に示されるように、受信信号電力の消失は、一定の伝送距離毎に生じる。これは、光電変換された変調信号が、一定の伝送距離毎に消失することを示している。この一定の伝送距離は、変調信号の周波数が高くなる程短くなる。特に、ミリ波信号を変調信号とする場合には、短い伝送距離毎に頻繁に変調信号が消失するため、光伝送におけるかなりの障害となる。
図１４に示されるような光ファイバ網において、上記障害を回避するためには、制御局１１０が光搬送波をマイクロ波信号により強度変調して送信し、基地局２００−１・・・２００−ｎが光信号を受信し、受信した光信号をミリ波信号にアップコンバートする方法が考えられる。しかしながら、このような方法を採れば、基地局２００−１・・・２００−ｎにおいて各々アップコンバート装置が必要となる。そのため、各基地局２００−１・・・２００−ｎが大型化するとともにコストアップの原因ともなり、更には保守も困難となる。
そこで、特にミリ波信号を変調信号とする場合には、受信器においてアップコンバートせずに変調信号の消失を回避する必要がある。そのために、例えば、ＳＳＢ光変調を用いることが検討されている（非特許文献１参照）。
図１７は、非特許文献１に記載されている従来の光伝送装置の構成を示す図である。この光伝送装置は、上述の光伝送装置１２０に対応する。図１７に示されるように、この光伝送装置は、光搬送波を送出するＤＦＢ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ）レーザ４００と、ＤＦＢレーザ４００からの光信号を入力するアイソレータ４１０と、アイソレータ４１０からの光搬送波を入力する偏波コントローラ４２０と、伝送すべき信号を出力する信号発生器４４０と、信号発生器４４０からの信号を入力する増幅部４５０と、増幅部４５０からの信号を入力する分配器４６０と、分配器４６０からの信号を入力する位相調整部４７０と、位相調整部４７０からの信号、分配器４６０からの信号、及び偏波コントローラ４２０からの信号を入力するＭＺ型干渉計４３０とを備える。
ＤＦＢレーザ４００から出力された光搬送波は、アイソレータ４１０と偏波コントローラ４２０を介して、ＭＺ型干渉計４３０に入力される。アイソレータ４１０は、反射光がＤＦＢレーザ４００に入光することを防ぐために設けられている。一般的に、アイソレータ４１０は、ＤＦＢレーザ４００に内蔵されることが多い。偏波コントローラ４２０は、入力光の偏波面を強度変調に適した偏波面に調整するためのものである。
伝送すべき高周波信号は、信号発生器４４０から出力され、増幅器４５０により所定のレベルまで増幅される。増幅された信号は、分配器４６０により２つの信号に分岐される。分岐された一方の信号は、直接ＭＺ型干渉計４３０に入力される。分岐された他方の信号は、位相調整部４７０により位相がπ／２（ｒａｄ）変化させられる。位相が変化した信号は、ＭＺ型干渉計４３０に入力される。
図１８Ａは、周波数ｆ0の光搬送波を周波数ｆ1の変調信号により理想的にＳＳＢ光変調することで生成された光強度変調信号の周波数スペクトルを示す図である。ＭＺ型干渉計４３０に入力された光搬送波を２つの光導波路に分岐し、一方の光導波路に印加する高周波信号の位相と他方の光導波路に印加する高周波信号の位相を互いにπ／２（ｒａｄ）ずらすと、図１８Ａに示されるように、光搬送波成分に加えて上側又は下側の片側波帯成分を有する光強度変調信号が得られる。このように位相が互いにπ／２（ｒａｄ）異なる２つの高周波信号（変調信号）を用いてＳＳＢ光変調を行う方法は、位相法として知られている。
このように搬送波成分と片側波帯成分のみを有する光強度変調信号が光ファイバを介して長距離伝送された場合、側波帯成分が上側又は下側の一方のみであるので、受信器においてビート成分同士の打ち消し合いが生じず、光電変換された変調信号が消失することがない。従って、ＳＳＢ光変調方式を用いれば、波長分散による信号消失の影響を回避することができる。
図１９は、ＳＳＢ光変調が可能な一般的なＭＺ型干渉計４３０の構成を示す図である。ＭＺ型干渉計４３０は、入力端にある分岐部９６０で入力光を分岐し、２つの光導波路９４０，９５０に導く。光導波路９４０，９５０には各々ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）バイアス電圧及びＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号電圧が印加され、その電圧に応じて光導波路９４０及び９５０の屈折率が変化する。その屈折率変化により、光導波路９４０，９５０を通過する光搬送波は各々位相変調される。ＭＺ型干渉計４３０の出力端にある光結合部９７０では、光導波路９４０，９５０で位相変調された光が合波される。この合波により、光搬送波に変調信号が重畳された光強度変調信号が生成される。
特開２００５−２０８１７２号公報 グラハム エッチ． スミス（Graham H. Smith et. al.）著，アイトリプルイー トランザクションズ オン マイクロウェーブ セオリー アンド テクニックス（IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques）、Vol.45、No.8 1997年8月、p.1410-1415
しかしながら、ＭＺ型干渉計４３０の光透過特性には波長依存性及び製造誤差の問題がある（例えば、特許文献１参照）。この波長依存性及び製造誤差によって、ＳＳＢ特性が劣化する。すなわち、理想的には、ＭＺ型干渉計４３０の光分岐部９６０において、搬送波は１対１の同じ強度で分岐されるはずであるが、実際には、ＭＺ型干渉計４３０の波長依存性及び製造誤差によって分岐比が１対１とはならない。図１８Ｂは、図１９に示されるＭＺ型干渉計４３０において、光分岐部９６０の光分岐比が１対１とならない場合の光強度変調信号の周波数スペクトルを示す図である。光分岐比が１対１である理想状態では、光強度変調信号の周波数スペクトルは、図１８Ａに示されるように不要な片側波帯成分が消失している。一方、分岐比が１対１とならない場合には、光強度変調信号の周波数スペクトルは、図１８Ｂに示されるように、不要な片側波帯成分が残留する。
ここで、ＭＺ型干渉計４３０の変調動作について、数式を用いて説明する。入力される光搬送波を式（１）で表す。
Figure 0004822161
光分岐部９６０の分岐比をγ（γ＜１）とする。分岐比γは、（一方の光導波路へ分岐される光の強度）／（光分岐部に入力される光の強度）を意味する。この場合、一方の光導波路を通過する光搬送波の光電界は式（２）の１行目にあるＥA（ｔ）で表すことができる。この光搬送波を光強度変調することで得られる光強度変調信号の光電界は、式（２）の４行目にあるＥA（ｔ）で表すことができる。ここで、Ｖa（ｔ）は一方の光導波路に印加されるＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号電圧、ｋaはＲＦ信号の振幅、ＶAは一方の光導波路に印加されるＤＣバイアス電圧が光搬送波に与える位相量である。
Figure 0004822161
式（２）におけるＪnはｎ次のベッセル関数である。Ｊ0（ｋ）の項は光搬送波成分を表し、Ｊ1（ｋ）の項は１次側波帯成分を表し、Ｊ2（ｋ）の項は２次側波帯成分を表し、Ｊ3（ｋ）の項は３次側波帯成分を表している。以下の説明では、１次の側波帯成分Ｊ1の項のみに着目し、２次以降の成分は無視する。１次の側波帯成分Ｊ1の項は式（２）の最終行から抽出して式（３）のように表すことができる。
Figure 0004822161
他方の光導波路を通過する光搬送波の光電界は式（４）の１行目にあるＥB（ｔ）で表すことができる。この光搬送波を光強度変調することで得られる光強度変調信号の光電界は、式（４）の４行目にあるＥB（ｔ）で表すことができる。ここで、Ｖb（ｔ）は他方の光導波路に印加されるＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号電圧、ｋaはＲＦ信号の振幅、ＶBは他方の光導波路に印加されるＤＣバイアス電圧が光搬送波に与える位相量である。
Figure 0004822161
式（４）におけるＪnはｎ次のベッセル関数である。Ｊ0（ｋ）の項は光搬送波成分を表し、Ｊ1（ｋ）の項は１次側波帯成分を表し、Ｊ2（ｋ）の項は２次側波帯成分を表し、Ｊ3（ｋ）の項は３次側波帯成分を表している。以下の説明では、１次の側波帯成分Ｊ1の項のみに着目し、２次以降の成分は無視する。１次の側波帯成分Ｊ1の項は式（４）の最終行から抽出して式（５）のように表すことができる。
Figure 0004822161
一方の光導波路で位相変調を行うことで生成された光位相変調信号と、他方の光導波路で位相変調を行うことで生成された光位相変調信号とを合波し、光強度変調信号を得ることを考える。光強度変調信号の側波帯成分は、式（３）の側波帯Ｊ1成分と式（５）の側波帯Ｊ1成分とを足し合わせることで得られる。光分岐部９６０に製造誤差等がなく、光分岐部９６０が光搬送波を１対１の比で分岐する理想状態では、分岐比γは１／２となる。ｋa＝ｋbであるとすれば、式（３）の側波帯Ｊ1成分と式（５）の側波帯Ｊ1成分の和は、ｓｉｎ（ω0−ω1）ｔの項が相殺され、ｓｉｎ（ω0＋ω1）ｔの項は相殺されない。ｓｉｎ（ω0−ω1）ｔの項とｓｉｎ（ω0＋ω1）ｔの項は、各々、例えば下側波帯成分及び上側波帯成分を表す。よって、単一側波帯成分を有する光強度変調信号が得られる（図１８Ａ参照）。
一方、光分岐部９６０に製造誤差等があり、光分岐部９６０で光搬送波を１対１の比で分岐できない場合には、分岐比γが１／２ではない。ｋa＝ｋbであるとしても、式（３）の側波帯成分Ｊ1と式（５）の側波帯成分Ｊ1の和は、ｓｉｎ（ω0−ω1）ｔの成分が相殺されない。よって、不要な片側波帯成分が消失せず、残留してしまう（図１８Ｂ参照）。
一方の側波帯成分が残留することにより、光変調信号は光ファイバでの伝送中に、上記の如く波長分散の影響を受けてしまう。図２０は、光導波路の製造誤差と、不要な片側波帯成分の抑圧度との関係を示す図である。横軸は、２つの光導波路に各々入力される光の強度の差を、２つの光導波路に各々入力される光の強度の和で割った値を光導波路の製造誤差（導波路誤差）として百分率（％）で示したものである。縦軸は、必要な片側波帯成分と不要な片側波帯成分の強度比をｄＢ表示したものである。図２０から分かるように、１％の製造誤差によって抑圧度は３５ｄＢ程度となり、２％の製造誤差では抑圧度が３０ｄＢ程度となる。つまり、少しの製造誤差で抑圧度が大きく劣化する。
低周波数のベースバンドデジタル信号により光を強度変調する場合には、片側波帯成分を消失させるような光強度変調は一般には行われず、両側波帯成分を有する光強度変調が行われる。片側波帯成分を消失させないのであれば、上記した不要な片側波帯成分残留の問題は生じない。
外部光変調部においては、温度変化等によりバイアス電圧の最適点も変化する、いわゆるＤＣドリフトと称される現象がある。従来、低周波信号により光強度変調を行う場合には、バイアス電圧を上記最適点の変化に応じて制御して、ＤＣドリフトの問題を解消していた。一方、高周波のＲＦ信号により光強度変調する場合には、両側波帯成分の消失が短距離間隔で生じることから、上記の如く片側波帯成分を消失させるＳＳＢ光変調等を行う必要性が高い。そこで、導波路製造誤差による側波帯成分残留の問題を解消するために、ＤＣドリフト解消のためのバイアス電圧制御を行うことも考えられるが、バイアス電圧制御では十分に対応できなかった。
それ故に、本発明の目的は、上記従来の課題を解決するものであり、高周波信号によるＳＳＢ光変調、ＳＳＢ−ＳＣ光変調等を施す光変調部が、２系統の光搬送波を均等に分岐できない場合に発生する不要な片側波帯成分残留の問題を解消し、良質な光強度変調信号を得ることができる光伝送装置を提供することである。
本発明は、光伝送装置に向けられている。そして、上記目的を達成するために、本発明の光伝送装置は、光搬送波を出力する光源と、電気信号を出力する信号発生部と、信号発生部から出力された電気信号を所定の位相差を有する２つの電気信号に分岐する電気信号分岐部と、電気信号分岐部から出力された２つの電気信号のうち少なくともいずれか一方が入力され、当該入力された電気信号の振幅を調整する振幅調整部と、入力端で分岐され、出力端で結合する２系統の光導波路を含み、出力端から光強度変調信号を出力する片側波帯成分抑圧型の光変調部とを備える。光変調部は、振幅調整部に２つの電気信号の双方が入力された場合は、振幅調整部を介して入力された２つの振幅調整された電気信号で２系統の光導波路を通過する光搬送波を各々変調し、振幅調整部に２つの電気信号の一方が入力された場合は、振幅調整部を介して入力された１つの振幅調整された電気信号及び振幅調整部を経由しないで電気信号分岐部から入力された１つの振幅無調整の電気信号で２系統の光導波路を通過する光搬送波を各々変調する。振幅調整部は、光変調部が光搬送波の強度を２系統の光導波路に均等に分岐できない場合に、光変調部から出力される光強度変調信号の不要な片側波帯成分が消失するように、入力された電気信号の振幅を調整する。
また、光伝送装置は、光変調部から出力された光信号を分岐する光分岐部と、光分岐部から出力された一方の光信号をモニタ用光信号として受信し、当該受信した光信号の強度を検知する光強度検知部と、光強度検知部が検知した信号強度に基づき、光変調部の消光比を決める光強度最大値及び光強度最小値を求め、当該光強度最大値及び光強度最小値に基づき、片方の側波帯成分を消失させ得る２つの電気信号の各振幅又は振幅比を求める制御部とを更に備えてもよい。このような場合、振幅調整部は、制御部が求めた振幅又は振幅比に基づき入力された電気信号の振幅を調整する。
これによれば、光変調部の消光比を決める光強度最大値及び光強度最小値を求め、これら光強度最大値及び光強度最小値に基づき、光強度変調信号の片方の側波帯成分を消失させ得る電気信号の各振幅又は振幅比を求めることができる。
また、制御部は、光強度最大値及び光強度最小値と、２つの電気信号の振幅又は振幅比との関係を蓄える記憶部を含む構成であってもよい。この構成によれば、制御部は、記憶部に記憶された情報に基づいて、速やかに２つの電気信号の各振幅又は振幅比を求めることができる。
例えば、光変調部で施される変調処理は、単一側波帯変調である。また、光変調部で施される変調処理は、搬送波抑圧単一側波帯変調であってもよい。
制御部は、光強度最大値及び光強度最小値を求めるために、２系統の光導波路に各々印加されるＤＣバイアス電圧のうち一方のＤＣバイアス電圧のみを掃引する制御を行う。
また、制御部は、光強度最大値及び光強度最小値を求めるために、光変調部を構成する３つのＭＺ型干渉計に各々印加されるＤＣバイアス電圧のうち後段のＭＺ型干渉計に印加されるＤＣバイアス電圧のみを掃引する制御を行ってもよい。
また、光伝送装置は、光源から出力される光搬送波を分岐する第１の光分岐部と、第１の光分岐部から分岐出力された光搬送波をモニタ用光搬送波として受信し、受信した光搬送波の強度を検知する第１の光強度検知部と、光変調部から出力される光信号を分岐出力する第２の光分岐部と、第２の光分岐部から分岐出力された光信号をモニタ用光信号として受信し、当該受信した光信号の強度を検知する第２の光強度検知部と、第２の光強度検知部が検知した信号強度に基づき、光変調部の消光比を決める要素である光強度最小値を求め、当該光強度最小値及び第１の光強度検知部が検知した信号強度に基づき、不要な片側波帯成分を消失させ得る２つの電気信号の各振幅又は振幅比を求める制御部とを更に備えてもよい。このような場合、振幅調整部は、制御部が求めた振幅又は振幅比に基づき入力された電気信号の振幅を調整する。
この構成によれば、光変調部の消光比を決める要素である光強度最小値を求め、この光強度最小値及び第１の光強度検知部が検知した信号強度に基づき、光強度変調信号の不要な片側波帯成分を消失させ得る電気信号の各振幅又は振幅比を求めることができる。
また、制御部は、光強度最小値及び第１の光強度検知部が検知した信号強度と、２つの電気信号の各振幅又は振幅比との関係を蓄える記憶部を含む構成であってもよい。この構成によれば、制御部は、記憶部に記憶された情報に基づいて、速やかに２つの電気信号の各振幅又は振幅比を求めることができる。
例えば、光変調部で施される変調処理は、単一側波帯変調である。また、光変調部で施される変調処理は、搬送波抑圧単一側波帯変調であってもよい。
制御部は、光強度最小値を求めるために、光変調部の２系統の光導波路に各々印加されるＤＣバイアス電圧のうち一方のＤＣバイアス電圧のみを掃引する制御を行う。
また、制御部は、光強度最小値を求めるために、光変調部を構成する３つのＭＺ型干渉計に各々印加されるＤＣバイアス電圧のうち、光変調部内部の後段ＭＺ型干渉計に印加するＤＣバイアス電圧のみを掃引する制御を行ってもよい。
好ましくは、２系統の光導波路に分岐される光搬送波の強度比が（１−γ）：γである時、振幅調整部は、光強度比が式（６）の関係を満たすように２つの電気信号の振幅ｋa，ｋbを調整する。
Figure 0004822161
 但し、Ｊ1（ｋa）及びＪ1（ｋb）は光強度変調信号の第１側波帯成分の強度を表すベッセル関数である。γは、ｋaに対応する振幅に調整される電気信号が印加される光導波路の光搬送波強度を、ｋaに対応する振幅に調整される電気信号が印加される光導波路の光搬送波強度と、ｋbに対応する振幅に調整される電気信号が印加される光導波路の光搬送波強度の和で除算した結果である。
また、好ましくは、振幅調整部は、情報伝達に必要な片側波帯成分と不要な片側波帯成分との差ビート信号の強度が基準強度を超えないように、入力された電気信号の振幅を調整する。
また、本発明は、下記の光伝送装置に備えられる、光搬送波を２系統の光導波路に分岐した後に、２系統に分岐された光搬送波の位相を高周波信号により各々変化させ、当該位相を変化させた２系統の光搬送波を合波することによって強度変調された光信号を発生させる光変調部の特性評価を行う特性評価機にも向けられている。光伝送装置は、光搬送波を出力する光源と、電気信号を出力する信号発生部と、信号発生部から出力された電気信号を所定の位相差を有する２つの電気信号に分岐する電気信号分岐部と、電気信号分岐部から出力された２つの電気信号のうち少なくともいずれか一方が入力され、当該入力された電気信号の振幅を調整する振幅調整部と、入力端で分岐され、出力端で結合する２系統の光導波路を含み、出力端から光強度変調信号を出力する片側波帯成分抑圧型の上記光変調部とを備える装置であって、光変調部は、振幅調整部に２つの電気信号の双方が入力された場合は、振幅調整部を介して入力された２つの振幅調整された電気信号で２系統の光導波路を通過する光搬送波を各々変調し、振幅調整部に２つの電気信号の一方が入力された場合は、振幅調整部を介して入力された１つの振幅調整された電気信号及び振幅調整部を経由しないで電気信号分岐部から入力された１つの振幅無調整の電気信号で２系統の光導波路を通過する光搬送波を各々変調し、振幅調整部は、光変調部が光搬送波の強度を２系統の光導波路に均等に分岐できない場合に、光変調部から出力される光強度変調信号の不要な片側波帯成分が消失するように、入力された電気信号の振幅を調整する。本発明の特性評価機は、光変調部から出力される光強度を測定し、当該測定した光強度に基づき、光変調部の消光比を決める光強度最大値及び光強度最小値を求め、当該光強度最大値及び光強度最小値に基づき、光変調部から出力される所望の光成分と非所望の光成分との比を導出する。
例えば、光変調部で施される変調処理は、単一側波帯変調である。また、光変調部で施される変調処理は、搬送波抑圧単一側波帯変調であってもよい。
好ましくは、特性評価機は、光強度最大値及び光強度最小値を求めるために、２系統の光導波路に各々印加されるＤＣバイアス電圧のうち一方のＤＣバイアス電圧のみを掃引する制御を行う。
また、特性評価機は、光強度最大値及び光強度最小値を求めるために、光変調部を構成する３つのＭＺ型干渉計に各々印加されるＤＣバイアス電圧のうち後段のＭＺ型干渉計に印加されるＤＣバイアス電圧のみを掃引する制御を行ってもよい。
また、特性評価機は、被測定対象である光変調部へ入力する光信号の波長を可変にする機能や、被測定対象である光変調部へ入力する光信号のパワーを可変にする機能を有してもよい。
また、本発明は、光搬送波を２系統の光導波路に分岐した後に、２系統に分岐された光搬送波の位相を高周波信号により各々変化させ、当該位相を変化させた２系統の光搬送波を合波することによって強度変調された光信号を発生させる光変調部の特性を補償する補償器にも向けられている。補償器は、電気信号を出力する信号発生部と、信号発生部から出力された電気信号を所定の位相差を有する２つの電気信号に分岐する電気信号分岐部と、電気信号分岐部から出力された２つの電気信号のうち少なくともいずれか一方が入力され、当該入力された電気信号の振幅を調整する振幅調整部とを備える。振幅調整部は、光変調部が光搬送波の強度を２系統の光導波路に均等に分岐できない場合に、光変調部から出力される光強度変調信号の不要な片側波帯成分が消失するように、入力された電気信号の振幅を調整する。
好ましくは、補償器は、光変調部から出力された光信号を分岐する光分岐部と、光分岐部から出力された一方の光信号をモニタ用光信号として受信し、当該受信した光信号の強度を検知する光強度検知部と、光強度検知部が検知した信号強度に基づき、光変調部の消光比を決める光強度最大値及び光強度最小値を求め、当該光強度最大値及び光強度最小値に基づき、片方の側波帯成分を消失させ得る２つの電気信号の各振幅又は振幅比を求める制御部とを更に備える。このような場合、振幅調整部は、制御部が求めた振幅又は振幅比に基づき入力された電気信号の振幅を調整する。
制御部は、光強度最大値及び光強度最小値と、２つの電気信号の振幅又は振幅比との関係を蓄える記憶部を含む構成であってもよい。この構成によれば、制御部は、記憶部に記憶された情報に基づいて、速やかに２つの電気信号の各振幅又は振幅比を求めることができる。
また、本発明は、下記の光伝送装置に備えられる、光搬送波を２系統の光導波路に分岐した後に、２系統に分岐された光搬送波の位相を高周波信号により各々変化させ、当該位相を変化させた２系統の光搬送波を合波することによって強度変調された光信号を発生させる光変調部の特性評価を行う方法にも向けられている。光伝送装置は、光搬送波を出力する光源と、電気信号を出力する信号発生部と、信号発生部から出力された電気信号を所定の位相差を有する２つの電気信号に分岐する電気信号分岐部と、電気信号分岐部から出力された２つの電気信号のうち少なくともいずれか一方が入力され、当該入力された電気信号の振幅を調整する振幅調整部と、入力端で分岐され、出力端で結合する２系統の光導波路を含み、出力端から光強度変調信号を出力する片側波帯成分抑圧型の上記光変調部とを備える装置であって、光変調部は、振幅調整部に２つの電気信号の双方が入力された場合は、振幅調整部を介して入力された２つの振幅調整された電気信号で２系統の光導波路を通過する光搬送波を各々変調し、振幅調整部に２つの電気信号の一方が入力された場合は、振幅調整部を介して入力された１つの振幅調整された電気信号及び振幅調整部を経由しないで電気信号分岐部から入力された１つの振幅無調整の電気信号で２系統の光導波路を通過する光搬送波を各々変調し、振幅調整部は、光変調部が光搬送波の強度を２系統の光導波路に均等に分岐できない場合に、光変調部から出力される光強度変調信号の不要な片側波帯成分が消失するように、入力された電気信号の振幅を調整する。本発明の特性評価を行う方法は、光変調部から出力される光強度を測定し、当該測定した光強度に基づき、光変調部の消光比を決める光強度最大値及び光強度最小値を求め、当該光強度最大値及び光強度最小値に基づき、光変調部から出力される所望の光成分と非所望の光成分との比を導出する、方法である。
本発明によれば、高周波信号によるＳＳＢ光変調、ＳＳＢ−ＳＣ光変調等を施す光変調部において、光変調部の製造誤差及び波長依存性により光搬送波を均等に分岐できない場合に発生する不要な片側波帯成分残留の問題を解消し、良質の光強度変調信号を得ることができる光伝送装置を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
（第１の実施形態）
第１の実施形態に係る光伝送装置は、単一側波帯変調（ＳＳＢ）を施す光変調部内部のＭＺ型干渉計が有する製造誤差及び波長依存性による動作特性劣化を解消するものである。
図１は、第１の実施形態に係る光伝送装置の構成を示すブロック図である。図１において、光伝送装置１００は、光源１０と、ＳＳＢ光変調部２０と、光分岐部３０と、光強度検知部４０と、制御部５０と、信号発生部６０と、電気信号分岐部６１と、振幅調整部６２と、位相調整部６３と、第１のＤＣ電源７１と、第２のＤＣ電源７２とを備える。
光源１０は、周波数ｆ0の無変調の光搬送波を出力する。信号発生部６０は、伝送すべき情報を含む所定周波数ｆ1の電気信号を出力する。この電気信号は高周波のＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号である。
ＳＳＢ光変調部２０は、図２に示されるＭＺ型干渉計９０を含む。このＭＺ型干渉計９０は、入力端に位置する光分岐部９６と、第１の光導波路９４と、第２の光導波路９５と、出力端に位置する光結合部９７とを有している。光源１０から入力された光搬送波は、光分岐部９６において第１の光導波路９４と第２の光導波路９５とに分岐される。第１の光導波路９４には、第１のＤＣ電源７１から出力されるバイアス電圧（ＤＣ電圧）と、電気信号分岐部６１から出力され、位相調整部６３で位相調整された電気信号の電圧とが印加される。これらの印加電圧により、第１の光導波路９４を通過する光搬送波は位相変調される。
第２の光導波路９５には、第２のＤＣ電源７２から出力されるバイアス電圧（ＤＣ電圧）と、電気信号分岐部６１から出力され、振幅調整部６２で振幅調整された電気信号の電圧とが印加される。これらの印加電圧により、第２の光導波路９５を通過する光搬送波は位相変調される。第１の光導波路９４及び第１の光導波路９５で各々位相変調されることで生成された光位相変調信号は、光結合部９７で合波される。この合波により、一方（上側又は下側）の片側波帯成分が抑圧された光強度変調信号が生成される。なお、位相調整部６３では、入力した電気信号の位相をπ／２（ｒａｄ）ずらす処理が行われる。これにより、第１の光導波路９４に入力される電気信号の位相と、第２の光導波路９５に入力される電気信号の位相とは、相対的にπ／２（ｒａｄ）ずれる。
光分岐部３０は、ＳＳＢ光変調部２０から出力された光強度変調信号を２つに分岐する。分岐された一方の信号は、モニタ用の光信号として光強度検知部４０に入力される。分岐された他方の信号は、光伝送路を介して基地局（図示せず）に伝送される。なお、伝送効率を高く維持するために、分岐の際、伝送用光信号の強度とモニタ用光信号の強度との比は、例えば９９：１程度であることが好ましい。
図３は、光強度検知部４０の構成を示すブロック図である。図４Ａ、及び図４Ｂは、光強度検知部４０が受信する光強度変調信号の周波数スペクトルを示す図である。図４Ａは、理想的な周波数スペクトルを示し、図４Ｂは、光変調部２０の２つの光導波路に均等に光搬送波が分岐されない場合の周波数スペクトルを示す。図３に示される例では、光強度検知部４０は、光受信部として機能するフォトダイオード４１と、電気信号検出部４２と、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）４３と、ＲＦ信号検出部４４とを含む。フォトダイオード４１は、光分岐部３０から出力されたモニタ用の光信号（光強度変調信号又は無変調光信号）を受信する。フォトダイオード４１は二乗検波特性を有しており、受信した光信号を二乗検波し、電気信号に変換する（すなわち、光電変換する）。
フォトダイオード４１は、二乗検波特性を有しているため、出力される電気信号は次のようになる。図４Ａに示されるような理想的な光スペクトルを有する光強度変調信号がフォトダイオード４１に入力された場合には、フォトダイオード４１は、情報伝送に必要な片側波帯成分と、搬送波成分との差ビート信号を出力する。この場合の差ビート信号は周波数ｆ1の信号である。一方、図４Ｂに示されるように、本来は消失するはずの不要な片側波帯成分が残留している場合には、フォトダイオード４１は、周波数ｆ1の差ビート信号の他、必要な片側波帯成分と不要な片側波帯成分との差ビート信号を出力する。この場合の差ビート信号は周波数２×ｆ1の信号である。フォトダイオード４１は、光電変換して得られた差ビート信号を、電気信号検出部４２及びバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）４３に各々入力する。
電気信号検出部４２は、光強度検知部４０にて検知した光信号強度の直流成分を検出する。その直流成分のレベルは、フォトダイオード４１に入力した光信号の強度に対応する。電気信号検出部４２は、直流成分のレベルを検出した後、そのレベルを基に、フォトダイオード４１に入力した光信号の強度を算出し、光強度情報信号として出力する。その光強度情報信号は、制御部５０に入力される。
不要な片側波帯成分が残留している場合には、バンドパスフィルタ４３に、周波数ｆ1の差ビート信号と、周波数２×ｆ1の差ビート信号が入力される。バンドパスフィルタ４３は、周波数２×ｆ1の近傍周波数のみを通過させるフィルタリング処理を行う。これにより、バンドパスフィルタ４３は、不要な片側波帯成分の存在を示す周波数２×ｆ1の差ビート信号を抽出することができる。
ＲＦ信号検出部４４は、バンドパスフィルタ４３を通過した周波数２×ｆ1の差ビート信号を検出する。これにより、不要な片側波帯成分の存在を検知することができる。ＲＦ信号検出部４４は、不要な片側波帯成分の検知信号を、制御部５０に入力する。
図５は、制御部５０の構成を示すブロック図である。図６は、ＳＳＢ光変調部２０の消光比を決める信号強度最大値及び信号強度最小値を求めるための、バイアス電圧の掃引範囲を示す図である。図６に示す曲線は、ＳＳＢ光変調部２０の変調特性を示している。横軸は、ＳＳＢ光変調部２０に印加するバイアス電圧、縦軸は、ＳＳＢ光変調部２０から出力される光強度変調信号の強度を示している。
制御部５０は、判定部５１と、記憶部５２とを含む。判定部５１は、電気信号検出部４２から入力した光強度情報信号に基づき、ＳＳＢ光変調部２０の消光比を決める信号強度最大値及び信号強度最小値を求める。ＳＳＢ光変調部２０の消光比を決める際、バイアス電圧供給源であるＤＣ電源７１又はＤＣ電源７２のいずれか一方の電圧を、所定値から半波長電圧分（ｈａｌｆ−ｗａｖｅ ｖｏｌｔａｇｅ）、掃引（スイープ）する（図６参照）。その電圧変化に応じてＳＳＢ光変調部２０から出力される光信号の強度も変化する。光信号をフォトダイオード４１で光電変換し、光電変換により生じた電気信号の電力を電気信号検出部４２で検知観測する。その電力に基づき、制御部５０において光信号の強度最大値Ｐmaxと強度最小値Ｐminを求めることができる。
判定部５１は、光信号の強度最大値Ｐmaxと強度最小値Ｐminに基づき、ＳＳＢ光変調部２０の分岐比γを求める。ここで言う分岐比γは、ＳＳＢ光変調部２０が含む２つの光導波路９４，９５の一方の光導波路に分岐される光搬送波の強度と、２つの光導波路９４，９５に分岐される光搬送波の強度の和の比を指す。本来、ＳＳＢ光変調部２０において一方の片側波帯成分を消失させるためには、２つの光導波路９４，９５に光搬送波が均等に分岐されなければならない。光搬送波が均等に分岐される場合、分岐比γは１／２である。
しかしながら、実際には分岐比γを厳密に１／２とすることは難しく、製造誤差等により、１／２から若干ずれた値となる。本実施形態では、分岐比γが１／２からずれていることを前提とする。本実施形態では、２つの光導波路９４，９５に印加される電気信号（ＲＦ信号）の振幅Ｒa，Ｒbを相違させ、上記製造誤差による影響を抑制する適切な比率に設定する。これにより、分岐比γが理想値１／２からずれていたとしても、そのずれがもたらす影響を最小限に抑制する。制御部５０は、分岐比γに基づき、２つの光導波路９４、９５に印加すべき電気信号の電圧振幅Ｒa，Ｒbを求める。
ここで、光信号の強度最大値Ｐmaxと強度最小値Ｐminから分岐比γを求める方法について説明する。分岐された光搬送波が各々光導波路９４及び光導波路９５を通過することで生成された光位相変調信号の強度を各々Ｐ1、Ｐ2とする。光導波路９４又は光導波路９５に各々印加されるＤＣバイアス電圧のいずれか一方を、所定電圧から半波長電圧分、掃引する。すると、印加電圧を掃引した方の光導波路の屈折率が変化する。この屈折率変化により、光搬送波が光導波路を通過することで得られる光位相変調信号の位相が０〜π（ｒａｄ）の間で次第に変化する。すると、２つの光位相変調信号の合波である光強度変調信号の強度は、光の干渉により、Ｐmax＝Ｐ1＋Ｐ2とＰmin＝Ｐ1−Ｐ2の間で変化する。Ｐ1及びＰ2は各々、Ｐmax及びＰminを用いて式（７）に示すように表すことができる。
Figure 0004822161
ここで、ＳＳＢ光変調部２０に入力される光搬送波の強度をＰ、ＳＳＢ光変調部２０の分岐比をγとすると、Ｐ1及びＰ2は式（８）に示すように表すことができる。なお、ＳＳＢ光変調部２０に入力される光搬送波の強度をＰとしたとき、ＳＳＢ光変調部２０から出力される光信号の強度もＰであるものとする。また、各光導波路に対応する光位相変調信号の強度をＰ1、Ｐ2としたとき、各光導波路に対応する光搬送波の強度もＰ1、Ｐ2であるとする。
Figure 0004822161
式（７）と式（８）から、分岐比γ及び分岐比誤差θを求めることができる。すなわち、Ｐ1とＰ2との関係は式（９）によって求められ、分岐比γ及び分岐比誤差θは、式（１０）に示すことができる。
Figure 0004822161
Figure 0004822161
光搬送波が一方の光導波路を通過することで生成された光位相変調信号の第１次の側波帯成分は、背景技術の欄で示したように、式（３）で示すことができる。
Figure 0004822161
 ここで、Ｊ1（ｋa）は１次のベッセル関数である。
光搬送波が他方の光導波路を通過して生成された光位相変調信号の第１次の側波帯成分は、背景技術の欄で示したように、式（５）で示すことができる。
Figure 0004822161
 ここで、Ｊ1（ｋb）は１次のベッセル関数である。
光搬送波が一方の光導波路を通過することで生成された光位相変調信号と他方の光導波路を通過することで生成された光位相変調信号とを合波して、不要な片側波帯成分が消失した光強度変調信号を得るには、次のようにすればよい。つまり、上記式（３）におけるｓｉｎ（ω0−ω1）ｔの成分と、上記式（５）におけるｓｉｎ（ω0−ω1）ｔの成分を相殺すればよい。この相殺をするには、以下の式（１１）が成立するように、各光導波路に印加する電気信号の振幅Ｒa，Ｒbを調整すればよい。
Figure 0004822161
 但し、γは、ｋaに対応する振幅に調整される電気信号が印加される光導波路に分岐される光搬送波の強度を、ｋaに対応する振幅に調整される電気信号が印加される光導波路に分岐される光搬送波の強度と、ｋbに対応する振幅に調整される電気信号が印加される光導波路に分岐される光搬送波の強度の和で除算した結果である。
判定部５１は、分岐比γから、上記式（１１）を満たすような振幅Ｒa，Ｒbを求め、求めた振幅Ｒa，Ｒbの情報信号を振幅調整部６２に入力する。振幅調整部６２は、電気信号分岐部６１から入力した電気信号の振幅を、Ａ×（Ｒb／Ｒa）に調整する。ここで、Ａは電気信号分岐部６１から出力される電気信号の振幅である。一方の光導波路及び他方の光導波路に各々印加される電気信号の電圧の振幅比はＲa：Ｒbとなる。これにより、上記式（１１）を満たす電気信号の電圧を各光導波路に印加することができる。
振幅Ａ×（Ｒb／Ｒa）に調整された電気信号の電圧は、第２のＤＣ電源７２から出力されたバイアス電圧に重畳される。その重畳電圧は、ポート２２に入力され、光導波路９５に印加される。電気信号分岐部６１から出力され振幅調整部６２に入力されない振幅無調整の電気信号の電圧は、第１のＤＣ電源７１から出力されたバイアス電圧に重畳される。その重畳電圧は、ポート２１に入力され、他方の光導波路９４に印加される。
制御部５０は、上記の振幅調整機能に加え、振幅制御動作が適切に行われたかどうかを判定する機能も有している。判定部５１は、バンドパスフィルタ４３から周波数２×ｆ1の信号を入力した場合、その信号の強度が基準強度を超えているかどうかを判断する。超えていると判断すれば、不要な片側波帯成分の抑圧が適切に行われていないと判定し、超えていないと判断すれば、不要な片側波帯成分の抑圧が適切に行われていると判定する。抑圧が適切に行われていないと判定した場合には、判定部５１は、先に行った振幅調整とは振幅比を逆にする命令を振幅調整部６２に出す。これにより、振幅調整部６２は、電気信号分岐部６１から入力した電気信号の振幅を、Ａ×（Ｒa／Ｒb）に調整する。これにより、光導波路９４及び光導波路９５に各々印加される電気信号電圧の振幅比はＲb：Ｒaとなり、先に行った振幅調整とは振幅比が逆になる。
なお、振幅比を逆にする理由は、ＳＳＢ光変調部２０の出力信号の強度最大値及び強度最小値からＳＳＢ光変調部２０の分岐比γを求めることはできるものの、光導波路９４と光導波路９５のいずれに入力される光の強度の方が大きいのかが分からないからである。しかしながら、振幅調整をしても不要な片側波帯成分が消失しない場合には、光導波路９４及び光導波路９５に各々印加される電気信号電圧の振幅比が本来与えられるべき振幅比とは逆であったことが分かる。よって、光導波路９４及び光導波路９５に各々印加される電気信号電圧の振幅比を先に設定した振幅比とは逆に設定し、振幅調整を改めて行うことにより、不要な片側波帯成分を消失させることができる。
次に、第１の実施形態に係る光伝送装置の動作として、ＳＳＢ光変調部２０内部のＭＺ型干渉計が有する製造誤差及び波長依存性を補正するためのステップを図７に示されるフローチャート、及び図１〜６を参照しつつ説明する。ＳＳＢ光変調部２０から出力される光信号の最大値Ｐmax及び最小値Ｐminを把握するために、制御部５０の制御により、第１のＤＣ電源７１又は第２のＤＣ電源７２のいずれか一方のバイアス電圧を半波長電圧分掃引する（ステップＳ１）。すると、電圧掃引した方の光導波路の屈折率変化に応じて光信号の強度が変化する。このとき、光信号の強度は最大値Ｐmaxから最小値Ｐminの間で変化する。光分岐部３０は、光信号を２つに分岐する。分岐された信号のうち強度の大きい方は、光伝送路を介して基地局へ伝送され、強度の小さい方は、モニタ信号として光強度検知部４０に入力される。なお、この時、信号発生部６０から出力される電気信号は、各入力ポート２１、２２に入力されていても、入力されていなくても構わない。
ここで、光強度検知部４０のフォトダイオード４１は、光信号強度の検知及び光強度変調信号を二乗検波し、光電変換する（ステップＳ２）という２つの機能を有している。光信号の強度は、光信号の変調の有無に関わらず、光信号強度の直流成分により検知する。信号発生部６０から出力された電気信号が各入力ポート２１、２２に入力されている場合、すなわち光信号が強度変調されている場合、フォトダイオード４１は、二乗検波により、光搬送波成分と必要な片側波帯成分間の周波数差を示す第１の差ビート信号、及び不要な片側波帯成分と必要な片側波帯成分間の周波数差を示す第２の差ビート信号とを含む電気信号を生成する（ステップＳ３）。
電気信号検出部４２は、光強度検知部４０にて検知した光信号強度の直流成分を検出する。その直流成分のレベルは、フォトダイオード４１に入力した光信号の強度に対応する。電気信号検出部４２は、直流成分のレベルを出した後、そのレベルを基に、フォトダイオード４１に入力した光信号の強度を算出する。電気信号検出部４２は、光信号の強度測定を上記掃引に対応する時間行うことにより、光信号の強度の最大値Ｐmax及び最小値Ｐminを算出する（ステップＳ４）。電気信号検出部４２は、これら最大値Ｐmax及び最小値Ｐminを表す信号を制御部５０に入力する。
制御部５０の判定部５１には、光信号の強度の最大値Ｐmax及び最小値Ｐminが入力される。判定部５１は、最大値Ｐmax及び最小値Ｐminを上記式（１０）に代入することで、分岐比γ又は分岐比誤差θを求める（ステップＳ５）。制御部５０の記憶部５２は、分岐比γ又は分岐比誤差θと、振幅Ｒa，Ｒbとの関係を記憶している。記憶部５２は、例えば、図８に示されるような分岐比誤差θと振幅比Ｒa／Ｒbとの関係を記憶してもよい。又は、分岐比γと振幅比Ｒa／Ｒbとの関係を記憶することも可能である。制御部５０の判定部５１は、求めた分岐比γ又は分岐比誤差θを、記憶部５２に記憶した情報と照合し、振幅Ｒa，Ｒb、或いは振幅比Ｒa／Ｒb等を求める（ステップＳ６）。なお、判定部５１は、分岐比γ又は分岐比誤差θを式（１１）に代入する演算を行うことにより、振幅Ｒa，Ｒb、或いは振幅比Ｒa／Ｒb等を求めてもよい。
判定部５１は、求めた振幅の情報を振幅調整部６２に入力する。振幅調整部６２は、一方の光導波路に印加される電気信号の振幅と、他方の光導波路に印加される電気信号の振幅の比が、Ｒa：Ｒbとなるように、電気信号分岐部６１から入力した電気信号の振幅を調整する（ステップＳ７）。判定部５１は、第１のＤＣ電源７１と第２のＤＣ電源７２が出力するバイアス電圧値を所定値に設定する（ステップＳ８）。なお、所定のバイアス電圧値とは、所望の光スペクトラムを得る事ができる値である。
光強度検知部４０のＲＦ信号検出部４４は、上記振幅設定により不要な片側波帯成分が消失しているかどうかを検知するために、不要な片側波帯成分の存在の可能性を示唆する周波数２×ｆ1（ｆ1はＲＦ信号の周波数）の信号レベルを検出する（ステップＳ９）。検出した信号レベルを示す信号が、制御部５０の判定部５１に入力される。判定部５１は、記憶部５２に記憶された閾値と入力信号レベルを比較し（ステップＳ１０）、閾値より入力信号レベルが大きければ（ステップＳ１１のＹＥＳ）、不要な片側波帯成分が消失していないと判断する。一方、入力信号レベルが閾値以下であれば（ステップＳ１１のＮＯ）、不要な片側波帯成分が消失したと判断する。不要な片側波帯成分が消失していると判断したときは、処理を終了する。
判定部５１は、不要な片側波帯成分が消失していないと判断したときは、振幅の再調整を行う。すなわち、判定部５１は、一方の光導波路と他方の光導波路に印加する電気信号の振幅比が、先の振幅調整における振幅比とは逆の比となるように、振幅調整部６２に振幅の情報信号を入力する（ステップＳ１２）。振幅調整部６２は、一方の光導波路に印加される電気信号の振幅と、他方の光導波路に印加される電気信号の振幅の比が先の振幅調整とは逆のＲb：Ｒaとなるように、電気信号分岐部６１から入力した電気信号の振幅を調整する（ステップＳ１３）。判定部５１は、閾値と入力信号レベルを比較し、閾値より入力信号レベルが小さくなったことを確認し（ステップＳ１４）、処理を終了する。
上記制御動作によれば、ＳＳＢ光変調部２０の分岐比γを求め、次いで、その分岐比γに基づく適切な振幅を電気信号に与える。これにより、分岐比γの１／２からずれが光強度変調信号へ与える影響を抑制し、不要な片側波帯成分を消失させて良質の光強度変調信号を得ることができる。
なお、図１に示す例では、振幅調整部６２は、電気信号分岐部６１から出力された２つの電気信号の一方のみを入力し、一方の電気信号の振幅を調整しているが、本実施形態に係る光伝送装置は、次のように構成することも可能である。すなわち、振幅調整部６２は、電気信号分岐部６１から出力された２つの電気信号の双方を入力し、双方の電気信号の振幅を各々調整してもよい。この場合、ＳＳＢ光変調部２０は、振幅調整部６２から２つの振幅調整された電気信号を入力し、これら２つの振幅調整された電気信号で２つの光導波路９４，９５を通過する光搬送波を各々変調することができる。ここで、１つの振幅調整部６２で２つの電気信号を振幅調整してもよいし、或いは、２つの振幅調整部（図示せず）で２つの電気信号を個別に振幅調整してもよい。
（第２の実施形態）
図９は、本発明の第２の実施形態に係る光伝送装置の構成を示すブロック図である。図１０は、第２の実施形態に係る光伝送装置におけるＳＳＢ−ＳＣ光変調部８０の構成を示す図である。図１１Ａ及び図１１Ｂには、ＳＳＢ−ＳＣ光変調部８０から出力される光強度変調信号の周波数スペクトルを示す。図１１Ａは、理想的な周波数スペクトルを示し、図１１Ｂは、前段２つのＭＺ型干渉計９１，９２に光搬送波を均等に分岐できない場合の周波数スペクトルを示す。
第２の実施形態に係る光伝送装置１０１は、搬送波抑圧単一側波帯変調（ＳｉｎｇｌｅＳｉｄｅ−Ｂａｎｄ ｗｉｔｈ Ｓｕｐｐｕｒｅｓｓｅｄ Ｃａｒｒｉｅｒ、以下ＳＳＢ−ＳＣと称する）を行う光変調部において、内部のＭＺ型干渉計が有する製造誤差及び波長依存性による動作特性劣化を解消するものである。
第２の実施形態に係る光伝送装置は、第１の実施形態におけるＳＳＢ光変調部２０をＳＳＢ−ＳＣ光変調部８０に置き換えた点と、この置き換えに伴い第３のＤＣ電源７３を設けた点が第１の実施形態と異なっており、その他の構成は第１の実施形態と同様である。以下の説明では、第１の実施形態と同様の構成については、第１の実施形態と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
図１０に示されるように、ＳＳＢ−ＳＣ光変調部８０は、３つのＭＺ型干渉計９１、９２、９３を含む。前段２つのＭＺ型干渉計９１、９２には、第１、第２のＤＣ電源７１、７２からのバイアス電圧と、信号発生部６０からの電気信号とを各々印加するための入力ポート８１、８２が接続されている。後段１つのＭＺ型干渉計９３には、第３のＤＣ電源７３からのバイアス電圧を印加するための入力ポート８３が接続されている。ＳＳＢ−ＳＣ光変調部８０は、ＭＺ型干渉計９１を構成する２つの光導波路及びＭＺ型干渉計９３を構成する２つの光導波路の一方９４を有する第１系統の光導波路と、ＭＺ型干渉計９２を構成する２つの光導波路及びＭＺ型干渉計９３を構成する２つの光導波路の他方９５を有する第２系統の光導波路とを含んでいる。
前述の第１の実施形態におけるＳＳＢ光変調部２０は、１つのＭＺ型干渉計９０と、ＭＺ型干渉計を構成する２つの光導波路９４、９５に電圧を印加するための２つの入力ポートを２１、２２とを含んでいる。第１の実施形態では、光信号の強度の最大値Ｐmaxと最小値Ｐminを求めるに当たり、いずれか一方のポートに対するバイアス電圧を半波長電圧分、掃引した。
一方、第２の実施形態では、光信号の強度の最大値Ｐmaxと最小値Ｐminを求めるに当たり、後段のＭＺ型干渉計９３の２つの光導波路９８，９９に印加する電気信号電圧を半波長電圧分、掃引する。この掃引により、光信号の強度の最大値Ｐmaxと最小値Ｐminを求めることができる。最大値Ｐmaxと最小値Ｐminが求まれば、その後は、第１の実施形態と同様の段階を経て、不要な片側波帯成分を図１１Ａに示される如く消失させればよい。
（第３の実施形態）
図１２は、本発明の第３の実施形態に係る光伝送装置の構成を示すブロック図である。第３の実施形態に係る光伝送装置１０２は、第１の実施形態と比べて以下の点が異なっている。すなわち、第３の実施形態では、ＳＳＢ光変調部２０と光源１０との間に第１の光分岐部３１を設け、第１の光分岐部３１の出力の一部を光強度検知部４０に入力している点が異なっており、その他の構成は第１の実施形態と同様である。以下、第１の実施形態と同様の構成については、同一の参照符号を付して、その説明を省略する。なお、第３の実施形態では、第２の光分岐部３２を設けているが、これは第１の実施形態における光分岐部３０と同一のものである。
第１の光分岐部３１は、光源１０から入力した光搬送波を２つに分岐し、大きな光強度の方をＳＳＢ光変調部２０に入力し、小さな光強度の方を第１のモニタ用光信号として光強度検知部４０に入力する。
第２の光分岐部３２は、ＳＳＢ光変調部２０から入力した光信号を第１の実施形態と同様に２つに分岐し、大きな光強度の方を光伝送路を介して基地局に出力し、小さな光強度の方を第２のモニタ用光信号として光強度検知部４０に入力する。光強度検知部４０は、入力した第１のモニタ用光信号及び第２のモニタ用光信号に基づき、ＳＳＢ光変調部２０の分岐比γを求める。以下、その算出方法を説明する。
第１の光分岐部３１に入力される光搬送波の強度をＰ、第１の光分岐部３１で分岐され、ＳＳＢ光変調部２０に入力される光搬送波の強度をＰ11、光強度検知部４０に入力される第１のモニタ用光信号の強度をＰ12＝Ｐ−Ｐ11とする。ＳＳＢ光変調部２０の分岐比γを用いて、一方の光導波路に入力される光搬送波の強度Ｐ1及び他方の光導波路に入力される光搬送波の強度Ｐ2を表すと式（１２）のようになる。
Figure 0004822161
バイアス電圧の掃引により得られる、光信号の強度の最小値Ｐminは、Ｐ11とＰ12の差に等しいから式（１３）のように表すことができる。
Figure 0004822161
また、式（１３）を変形することで、式（１４）が得られる。
Figure 0004822161
第１のモニタ用光信号の強度はＰ12（＝Ｐ−Ｐ11）であるから、式（１４）は、ＰとＰ12を用いて式（１５）のように表すことができる。
Figure 0004822161
バイアス電圧の掃引により得られる光信号強度の最小値Ｐminと、光源１０から出力される搬送波の強度Ｐと、光強度検知部４０に入力される光搬送波の強度Ｐ12とを各々求め、これらを式（１５）に代入することにより、分岐比γが求まる。分岐比γが求まれば、その後は、第１の実施形態と同様の段階を経て、不要な片側波帯成分を消失させればよい。
（第４の実施形態）
図１３Ａは、本発明の第４の実施形態に係る光伝送装置の構成を示すブロック図である。第４の実施形態に係る光伝送装置は、ＳＳＢ−ＳＣ光変調部８０において、内部のＭＺ型干渉計が有する製造誤差及び波長依存性による動作特性劣化を解消するものである。
第４の実施形態に係る光伝送装置１０３は、第３の実施形態におけるＳＳＢ光変調部２０をＳＳＢ−ＳＣ光変調部８０に置き換えた点と、この置き換えに伴い第３のＤＣ電源７３を設けた点が第３の実施形態と異なっており、その他の構成は第３の実施形態と同様である。以下の説明では、第３の実施形態と同様の構成については、第３の実施形態と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
第４の実施形態では、ＳＳＢ−ＳＣ光変調部８０の分岐比γを求めるに当たり、図１０に示される後段のＭＺ型干渉計９３に印加するバイアス電圧を半波長電圧分、掃引すればよい。この掃引により、第３の実施形態と同様にしてＳＳＢ−ＳＣ光変調部８０の分岐比γを求めることができる。分岐比γが求まれば、その後は、第１の実施形態と同様の段階を経て、不要な片側波帯成分を消失させればよい。
（第５の実施形態）
図１３Ｂは、本発明の第５の実施形態に係る特性評価機の構成を示すブロック図である。第５の実施形態に係る特性評価機１４０は、ＳＳＢ光変調部８５の特性を評価するものである。ＳＳＢ光変調部８５は、上述した第１〜４の実施形態で説明したもの同じである。図１３Ｂにおいて、特性評価機１４０は、光強度検知部４０と、制御部５０とを備える。特性評価機１４０が備える各構成については、上述した第１〜４の実施形態と同じであるので説明を省略する。すなわち、特性評価機１４０は、上述した第１〜４の実施形態と同様の方法を用いて、ＳＳＢ光変調部８５から出力される光強度を測定し、当該測定した光強度に基づき、ＳＳＢ光変調部８５の消光比を決める光強度最大値Ｐmax及び光強度最小値Ｐminを求め、当該光強度最大値Ｐmax及び光強度最小値Ｐminに基づき、ＳＳＢ光強度変調部８５から出力される所望の光成分と非所望の光成分との比を導出する。これによって、特性評価機１４０は、ＳＳＢ光変調部８５の特性を評価することが可能となる。また、特性評価機１４０は、ＳＳＢ光変調部８５の特性をより多くの条件で評価できるように、ＳＳＢ光変調部８５へ入力する光信号の波長を可変にする機能を有していてもよいし、ＳＳＢ光変調部８５へ入力する光信号のパワーを可変にする機能を有していてもよい。
（第６の実施形態）
図１３Ｃは、本発明の第６の実施形態に係る補償器の構成を示すブロック図である。第６の実施形態に係る補償器１５０は、第１〜４の実施形態に係る光伝送装置からＳＳＢ光変調部を除いた構成であり、ＳＳＢ光変調部の特性を補償するものである。図１３Ｃにおいて、補償器１５０は、光源１０と、光分岐部３０と、光強度検知部４０と、制御部５０と、信号発生部６０と、電気信号分岐部６１と、振幅調整部６２と、位相調整部６３と、第１のＤＣ電源７１と、第２のＤＣ電源７２とを備える。補償器１５０が備える各構成については、上述した第１〜４の実施形態と同じであるので説明を省略する。また、ＳＳＢ光変調部８５は、第１〜４の実施形態と同じものである。すなわち、補償器１５０は、上述した第１〜４の実施形態と同様の方法を用いて、ＳＳＢ光変調部８５の特性を補償する。なお、ＳＳＢ光変調部８５には、光源１０、第１のＤＣ電源７１、及び第２のＤＣ電源７２が付属している場合があるが、このような場合には、補償器１５０は、光源１０、第１のＤＣ電源７１、及び第２のＤＣ電源７２を必ずしも備える必要はない。
本発明は、単一側波帯変調及び搬送波抑圧単一側波帯変調等を施す光変調部内部のＭＺ型干渉計が製造誤差及び波長依存性を有する場合において、製造誤差等によって生じる光変調部の動作特性劣化を補償できる光伝送装置等として有用である。
第１の実施形態に係る光伝送装置の構成を示すブロック図 第１の実施形態におけるＳＳＢ光変調部の構成を示す図 第１の実施形態における光強度検知部の構成を示すブロック図 第１の実施形態における光強度検知部が受信する光強度変調信号の理想的な周波数スペクトルを示す図 光変調部の２つの光導波路に均等に光搬送波が分岐されない場合の周波数スペクトルを示す図 第１の実施形態における制御部の構成を示すブロック図 第１の実施形態において、ＳＳＢ光変調部の消光比を決める光強度最大値及び光強度最小値を求めるための、バイアス電圧の掃引範囲を示す図 第１の実施形態に係る光伝送装置の動作を示すフローチャート 第１の実施形態における記憶部が記憶する、分岐比誤差θと振幅比Ｒa／Ｒbの関係を示す図 第２の実施形態に係る光伝送装置の構成を示すブロック図 第２の実施形態におけるＳＳＢ−ＳＣ光変調部の構成を示す図 第２の実施形態におけるＳＳＢ−ＳＣ光変調部から出力される光強度変調信号の理想的な周波数スペクトルを示す図 前段２つのＭＺ干渉計９１，９２に光搬送波を均等に分岐できない場合の周波数スペクトルを示す図 第３の実施形態に係る光伝送装置の構成を示すブロック図 第４の実施形態に係る光伝送装置の構成を示すブロック図 第５の実施形態に係る特性評価機の構成を示すブロック図 第６の実施形態に係る補償器の構成を示すブロック図 高周波帯信号を用いて無線通信を行うシステムにおける、制御局と基地局間の光ファイバ網を示す模式図 光搬送波成分、上側側波帯成分、及び下側波帯成分を含むように光強度変調を行うことで生成された光強度変調信号の周波数スペクトルを示す図 光信号受信側における受信信号電力と伝送距離との関係を表す図 非特許文献１に記載されている従来の光伝送装置の構成を示す図 周波数ｆ0の光搬送波を周波数ｆ1の変調信号により理想的にＳＳＢ光変調することで生成された光強度変調信号の周波数スペクトルを示す図 図１９に示されるＭＺ型干渉計４３０において、光分岐部９６０の分岐比が１／２とならない場合の光強度変調信号の周波数スペクトルを示す図 ＳＳＢ光変調可能なＭＺ型干渉計４３０の構成を示す図 光導波路の製造誤差と、不要な片側波帯成分の抑圧度の関係を示す図
符号の説明
１０ 光源
２０ ＳＳＢ光変調部
３０ 光分岐部
３１ 第１の光分岐部
３２ 第２の光分岐部
４０ 光強度検知部
４１ フォトダイオード
４２ 電気信号検出部
４３ ＢＰＦ
４４ ＲＦ信号検出部
５０ 制御部
５１ 判定部
５２ 記憶部
６０ 信号発生部
６１ 電気信号分岐部
６２ 振幅調整部
６３ 位相調整部
７１ 第１のＤＣ電源
７２ 第２のＤＣ電源
７３ 第３のＤＣ電源
８０ ＳＳＢ−ＳＣ光変調部
９０〜９３ ＭＺ干渉計
９４〜９５，９８〜９９ 光導波路
９６ 光分岐部
９７ 光結合部
１００，１０１，１０２，１０３ 光伝送装置
１４０ 特性評価機
１５０ 補償器

Claims (26)

  1. 光伝送装置であって、
    光搬送波を出力する光源と、
    電気信号を出力する信号発生部と、
    前記信号発生部から出力された電気信号を所定の位相差を有する２つの電気信号に分岐する電気信号分岐部と、
    前記電気信号分岐部から出力された２つの電気信号のうち少なくともいずれか一方が入力され、当該入力された電気信号の振幅を調整する振幅調整部と、
    入力端で分岐され、出力端で結合する２系統の光導波路を含み、前記出力端から光強度変調信号を出力する片側波帯成分抑圧型の光変調部とを備え、
    前記光変調部は、前記振幅調整部に前記２つの電気信号の双方が入力された場合は、前記振幅調整部を介して入力された２つの振幅調整された電気信号で前記２系統の光導波路を通過する光搬送波を各々変調し、前記振幅調整部に前記２つの電気信号の一方が入力された場合は、前記振幅調整部を介して入力された１つの振幅調整された電気信号及び前記振幅調整部を経由しないで前記電気信号分岐部から入力された１つの振幅無調整の電気信号で前記２系統の光導波路を通過する光搬送波を各々変調し、
    前記振幅調整部は、前記光変調部が前記光搬送波の強度を前記２系統の光導波路に均等に分岐できない場合に、前記光変調部から出力される光強度変調信号の不要な片側波帯成分が消失するように、前記入力された電気信号の振幅を調整することを特徴とする、光伝送装置。
  2. 前記光変調部から出力された光信号を分岐する光分岐部と、
    前記光分岐部から出力された一方の光信号をモニタ用光信号として受信し、当該受信した光信号の強度を検知する光強度検知部と、
    前記光強度検知部が検知した信号強度に基づき、前記光変調部の消光比を決める光強度最大値及び光強度最小値を求め、当該光強度最大値及び光強度最小値に基づき、前記片方の側波帯成分を消失させ得る前記２つの電気信号の各振幅又は振幅比を求める制御部とを更に備え、
    前記振幅調整部は、前記制御部が求めた振幅又は振幅比に基づき前記入力された電気信号の振幅を調整する、請求項１に記載の光伝送装置。
  3. 前記制御部は、前記光強度最大値及び光強度最小値と、前記２つの電気信号の振幅又は振幅比との関係を蓄える記憶部を含む、請求項２に記載の光伝送装置。
  4. 前記光変調部で施される変調処理は、単一側波帯変調である、請求項１に記載の光伝送装置。
  5. 前記光変調部で施される変調処理は、搬送波抑圧単一側波帯変調である、請求項１に記載の光伝送装置。
  6. 前記制御部は、前記光強度最大値及び光強度最小値を求めるために、前記２系統の光導波路に各々印加されるＤＣバイアス電圧のうち一方のＤＣバイアス電圧のみを掃引する制御を行う、請求項４に記載の光伝送装置。
  7. 前記制御部は、前記光強度最大値及び光強度最小値を求めるために、前記光変調部を構成する３つのＭＺ型干渉計に各々印加されるＤＣバイアス電圧のうち後段のＭＺ型干渉計に印加されるＤＣバイアス電圧のみを掃引する制御を行う、請求項５に記載の光伝送装置。
  8. 前記光源から出力される光搬送波を分岐する第１の光分岐部と、
    前記第１の光分岐部から分岐出力された光搬送波をモニタ用光搬送波として受信し、受信した光搬送波の強度を検知する第１の光強度検知部と、
    前記光変調部から出力される光信号を分岐出力する第２の光分岐部と、
    前記第２の光分岐部から分岐出力された光信号をモニタ用光信号として受信し、当該受信した光信号の強度を検知する第２の光強度検知部と、
    前記第２の光強度検知部が検知した信号強度に基づき、前記光変調部の消光比を決める要素である光強度最小値を求め、当該光強度最小値及び前記第１の光強度検知部が検知した信号強度に基づき、前記不要な片側波帯成分を消失させ得る前記２つの電気信号の各振幅又は振幅比を求める制御部とを更に備え、
    前記振幅調整部は、前記制御部が求めた振幅又は振幅比に基づき前記入力された電気信号の振幅を調整する、請求項１に記載の光伝送装置。
  9. 前記制御部は、前記光強度最小値及び前記第１の光強度検知部が検知した信号強度と、前記２つの電気信号の各振幅又は振幅比との関係を蓄える記憶部を含む、請求項８に記載の光伝送装置。
  10. 前記光変調部で施される変調処理は、単一側波帯変調である、請求項８に記載の光伝送装置。
  11. 前記光変調部で施される変調処理は、搬送波抑圧単一側波帯変調である、請求項８に記載の光伝送装置。
  12. 前記制御部は、前記光強度最小値を求めるために、前記光変調部の２系統の光導波路に各々印加されるＤＣバイアス電圧のうち一方のＤＣバイアス電圧のみを掃引する制御を行う、請求項１０に記載の光伝送装置。
  13. 前記制御部は、前記光強度最小値を求めるために、前記光変調部を構成する３つのＭＺ型干渉計に各々印加されるＤＣバイアス電圧のうち、前記光変調部内部の後段ＭＺ型干渉計に印加するＤＣバイアス電圧のみを掃引する制御を行う、請求項１１に記載の光伝送装置。
  14. 前記２系統の光導波路に分岐される光搬送波の強度比が（１−γ）：γである時、前記振幅調整部は、前記光強度比が以下の関係を満たすように前記２つの電気信号の振幅ｋa，ｋbを調整する、請求項１に記載の光伝送装置。
    （１−γ）：γ＝Ｊ1（ｋa）：Ｊ1（ｋb）
    但し、Ｊ1（ｋa）及びＪ1（ｋb）は光強度変調信号の第１側波帯成分の強度を表すベッセル関数である。γは、ｋaに対応する振幅に調整される電気信号が印加される光導波路の光搬送波強度を、ｋaに対応する振幅に調整される電気信号が印加される光導波路の光搬送波強度と、ｋbに対応する振幅に調整される電気信号が印加される光導波路の光搬送波強度の和で除算した結果である。
  15. 前記振幅調整部は、情報伝達に必要な片側波帯成分と前記不要な片側波帯成分との差ビート信号の強度が基準強度を超えないように、前記入力された電気信号の振幅を調整することを特徴とする、請求項１に記載の光伝送装置。
  16. 光伝送装置であって、
    光搬送波を出力する光源と、
    電気信号を出力する信号発生部と、
    前記信号発生部から出力された電気信号を所定の位相差を有する２つの電気信号に分岐する電気信号分岐部と、
    前記電気信号分岐部から出力された２つの電気信号のうち少なくともいずれか一方が入力され、当該入力された電気信号の振幅を調整する振幅調整部と、
    入力端で分岐され、出力端で結合する２系統の光導波路を含み、前記出力端から光強度変調信号を出力する片側波帯成分抑圧型の光変調部とを備え、
    前記光変調部は、前記振幅調整部に前記２つの電気信号の双方が入力された場合は、前記振幅調整部を介して入力された２つの振幅調整された電気信号で前記２系統の光導波路を通過する光搬送波を各々変調し、前記振幅調整部に前記２つの電気信号の一方が入力された場合は、前記振幅調整部を介して入力された１つの振幅調整された電気信号及び前記振幅調整部を経由しないで前記電気信号分岐部から入力された１つの振幅無調整の電気信号で前記２系統の光導波路を通過する光搬送波を各々変調し、
    前記振幅調整部は、前記光変調部が前記光搬送波の強度を前記２系統の光導波路に均等に分岐できない場合に、前記光変調部から出力される光強度変調信号の不要な片側波帯成分が消失するように、前記入力された電気信号の振幅を調整することを特徴とする、光伝送装置に用いられる
    光搬送波を２系統の光導波路に分岐した後に、２系統に分岐された光搬送波の位相を高周波信号により各々変化させ、当該位相を変化させた２系統の光搬送波を合波することによって強度変調された光信号を発生させる前記光変調部の特性評価を行う特性評価機であって、
    前記光変調部から出力される光強度を測定し、当該測定した光強度に基づき、前記光変調部の消光比を決める光強度最大値及び光強度最小値を求め、当該光強度最大値及び光強度最小値に基づき、前記光変調部から出力される所望の光成分と非所望の光成分との比を導出する、特性評価機。
  17. 前記光変調部で施される変調処理は、単一側波帯変調である、請求項１６に記載の特性評価機。
  18. 前記光変調部で施される変調処理は、搬送波抑圧単一側波帯変調である、請求項１６に記載の特性評価機。
  19. 前記光強度最大値及び光強度最小値を求めるために、前記２系統の光導波路に各々印加されるＤＣバイアス電圧のうち一方のＤＣバイアス電圧のみを掃引する制御を行うことを特徴とする、請求項１７に記載の特性評価機。
  20. 前記光強度最大値及び光強度最小値を求めるために、前記光変調部を構成する３つのＭＺ型干渉計に各々印加されるＤＣバイアス電圧のうち後段のＭＺ型干渉計に印加されるＤＣバイアス電圧のみを掃引する制御を行うことを特徴とする、請求項１８に記載の特性評価機。
  21. 被測定対象である光変調部へ入力する光信号の波長を可変にする機能を有していることを特徴とする、請求項１６に記載の特性評価機。
  22. 被測定対象である光変調部へ入力する光信号のパワーを可変にする機能を有していることを特徴とする、請求項１６に記載の特性評価機。
  23. 光搬送波を２系統の光導波路に分岐した後に、２系統に分岐された光搬送波の位相を高周波信号により各々変化させ、当該位相を変化させた２系統の光搬送波を合波することによって強度変調された光信号を発生させる光変調部の特性を補償する補償器であって、
    電気信号を出力する信号発生部と、
    前記信号発生部から出力された電気信号を所定の位相差を有する２つの電気信号に分岐する電気信号分岐部と、
    前記電気信号分岐部から出力された２つの電気信号のうち少なくともいずれか一方が入力され、当該入力された電気信号の振幅を調整する振幅調整部とを備え、
    前記振幅調整部は、前記光変調部が前記光搬送波の強度を前記２系統の光導波路に均等に分岐できない場合に、前記光変調部から出力される光強度変調信号の不要な片側波帯成分が消失するように、前記入力された電気信号の振幅を調整することを特徴とする、補償器。
  24. 前記光変調部から出力された光信号を分岐する光分岐部と、
    前記光分岐部から出力された一方の光信号をモニタ用光信号として受信し、当該受信した光信号の強度を検知する光強度検知部と、
    前記光強度検知部が検知した信号強度に基づき、前記光変調部の消光比を決める光強度最大値及び光強度最小値を求め、当該光強度最大値及び光強度最小値に基づき、前記片方の側波帯成分を消失させ得る前記２つの電気信号の各振幅又は振幅比を求める制御部とを更に備え、
    前記振幅調整部は、前記制御部が求めた振幅又は振幅比に基づき前記入力された電気信号の振幅を調整する、請求項２３に記載の補償器。
  25. 前記制御部は、前記光強度最大値及び光強度最小値と、前記２つの電気信号の振幅又は振幅比との関係を蓄える記憶部を含む、請求項２４に記載の補償器。
  26. 光伝送装置であって、
    光搬送波を出力する光源と、
    電気信号を出力する信号発生部と、
    前記信号発生部から出力された電気信号を所定の位相差を有する２つの電気信号に分岐する電気信号分岐部と、
    前記電気信号分岐部から出力された２つの電気信号のうち少なくともいずれか一方が入力され、当該入力された電気信号の振幅を調整する振幅調整部と、
    入力端で分岐され、出力端で結合する２系統の光導波路を含み、前記出力端から光強度変調信号を出力する片側波帯成分抑圧型の光変調部とを備え、
    前記光変調部は、前記振幅調整部に前記２つの電気信号の双方が入力された場合は、前記振幅調整部を介して入力された２つの振幅調整された電気信号で前記２系統の光導波路を通過する光搬送波を各々変調し、前記振幅調整部に前記２つの電気信号の一方が入力された場合は、前記振幅調整部を介して入力された１つの振幅調整された電気信号及び前記振幅調整部を経由しないで前記電気信号分岐部から入力された１つの振幅無調整の電気信号で前記２系統の光導波路を通過する光搬送波を各々変調し、
    前記振幅調整部は、前記光変調部が前記光搬送波の強度を前記２系統の光導波路に均等に分岐できない場合に、前記光変調部から出力される光強度変調信号の不要な片側波帯成分が消失するように、前記入力された電気信号の振幅を調整することを特徴とする、光伝送装置に用いられる
    光搬送波を２系統の光導波路に分岐した後に、２系統に分岐された光搬送波の位相を高周波信号により各々変化させ、当該位相を変化させた２系統の光搬送波を合波することによって強度変調された光信号を発生させる前記光変調部の特性評価を行う方法であって、
    前記光変調部から出力される光強度を測定し、当該測定した光強度に基づき、前記光変調部の消光比を決める光強度最大値及び光強度最小値を求め、当該光強度最大値及び光強度最小値に基づき、前記光変調部から出力される所望の光成分と非所望の光成分との比を導出することを特徴とする、特性評価を行う方法。
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