JP3329552B2

JP3329552B2 - エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び評価方法

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Publication number: JP3329552B2
Application number: JP34434393A
Authority: JP
Inventors: 元石原; 有服部; 片山　　雅之; 信衛伊藤; 服部　　正
Original assignee: Denso Corp; Japan Science and Technology Corp
Current assignee: Japan Science and Technology Agency; Denso Corp
Priority date: 1993-12-17
Filing date: 1993-12-17
Publication date: 2002-09-30
Anticipated expiration: 2017-09-30
Also published as: JPH07169571A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、計器類のバッ
クライト用の面発光源などに使用されるエレクトロルミ
ネッセンス(Electroluminescence、以下ELと記す）素子
に関し、特に高輝度発光が可能なEL素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、EL素子は、硫化亜鉛(ZnS) などの
蛍光体に電界をかけたときに発光する現象を利用したも
ので、自発光型の平面ディスプレイを構成するものとし
て注目されている。EL素子の典型的な層構造としては、
絶縁性基板であるガラス基板上に、光学的に透明なITO
(Indium Tin Oxide)膜から成る第一電極，五酸化タンタ
ル(Ta₂O₅) などから成る第一絶縁層、発光層，第二絶縁
層及びITO 膜から成る第二電極が順次積層されたものが
知られている。上記ITO 膜は、酸化インジウム(In₂O₃)
に錫(Sn)をドープした透明の導電膜で、低抵抗率である
ことから従来より透明電極用として広く使用されてい
る。発光層としては、例えば、硫化亜鉛を母体材料と
し、発光中心としてマンガン(Mn)や三フッ化テルビウム
(TbF₃)を添加したものが使用される。EL素子の発光色は
硫化亜鉛中の添加物の種類によって決まり、例えば、発
光中心としてマンガン(Mn)を添加した場合には黄橙色、
三フッ化テルビウム(TbF₃)を添加した場合には緑色の発
光が得られる。

【０００３】また、一般的に発光層の結晶性を向上させ
ると、発光輝度が向上することができるという報告が知
られている。具体的には、蒸着法におけるEL素子の発光
層の結晶性と発光特性に関しては、例えば研究実用化報
告第36巻第６号(1987)P811-818「薄膜EL素子の多色化と
長寿命化」（もしくはJJAP,Vol.26,No.9,September,198
7,pp.1472-1476）が知られており、ここには硫化亜鉛を
母体材料とし、発光中心としてフッ化サマリウムを添加
したもの(ZnS-SmF₃)において、発光中心(SmF₃)の濃度が
増加するにともない、cub-ZnS(111)面(cubは立方晶を意
味する）の単位膜厚ｄ当たりの回折線強度Ｉ₍₁₁₁₎／ｄ
が減少すること、すなわち発光中心濃度が増加するほど
ZnS-SmF₃発光層の結晶性が低下することが記載されてい
る。またCVD 法における結晶構造は、キャリア HClガス
だけでなく、バイパス HClガスによっても制御可能とい
うことが、例えば日本学術振興会光電相互変換第１２５
委員会第６回ＥＬ分科会資料（平成３年１１月１９日）
p7-p14 「バイパスフロー減圧CVD 法によるZnS:Tb膜の
結晶構造制御」に記載されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが従来方法で、
生産性に優れたスパッタ法によるEL素子の製造方法にお
いては、高輝度な発光を得る具体的な製造方法は報告さ
れておらず、スパッタ法による実用的な高輝度のEL素子
は実現していなかった。そこで本発明者らは、スパッタ
法により、硫化亜鉛(ZnS) を母体材料とし、発光中心と
して発光中心元素の弗化物を添加した発光層を成膜して
EL素子を作成し、そのEL素子を、通常のＸ線回折法によ
りＸ線回折スペクトルを測定したところ、図８に示すよ
うに、Ｘ線回折角（２θ）が28.5度に主ピークを示し
た。このＸ線回折結果からは、このEL素子の発光層は、
立方晶系のみ（即ち、六方晶系など別の結晶系が混合し
ていない）で構成されているため、結晶性は極めて良好
であると考えられていた。

【０００５】しかしながら、このEL素子の発光輝度を実
際に測定した結果、結晶性から期待される輝度よりも低
いという事実が判明した。これは実際には、測定されて
いるよりも発光層の結晶性が悪いと推定される。そこで
本発明は、発光輝度が低いという上記の課題を解決する
ために成されたものであり、その目的とするところは、
スパッタ法で発光層を成膜する際に、その結晶性を向上
させることによって、高輝度のEL素子を提供すること、
その製造方法及びその評価方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため鋭意工夫を行ったところ、通常のＸ線回
折法の代わりに、Ｘ線の入射角（α）が1°から10°と
小さい薄膜Ｘ線回折法を用いて、従来方法のスパッタ方
法にて作成したEL素子を測定し、興味ある結果を得た。
この結果を図７に示す。即ち図７は、通常のＸ線回折で
評価した試料（図８）と同じであるにも関わらず、Ｘ線
回折角27度付近に、新たなＸ線回折ピーク（別ピーク）
が検出された。この別ピークは立方晶系以外の結晶系ま
たは別の物質が存在することを示すもので有ることか
ら、従来方法で作製したEL素子は立方晶系とそれ以外の
結晶系のものが混在した結晶構造で有ることが判明し
た。

【０００７】そこで、本発明者らはスパッタ法における
EL素子の製造方法において、HCl ガスを導入することを
着想し、本発明の製造方法を見いだした。即ち、スパッ
タ法により発光層を形成するEL素子の製造方法におい
て、特に発光層を形成する前に、塩素(Cl)を含むガスを
用いて成膜装置内およびターゲット表面を前処理したも
ののみが発光輝度を向上させることができることを見い
だした。

【０００８】また、上記方法によって製造されたEL素子
の中でも、次の示すような構造の素子が、発光輝度を極
めて向上させることができることを確認した。即ち、絶
縁性基板上に第一電極，第一絶縁層，発光層、第二絶縁
層及び第二電極を、少なくとも光取り出し側の材料を光
学的に透明なものにて順次積層し形成したEL素子におい
て、前記発光層が、母体材料としての硫化亜鉛(ZnS)
と、発光中心材料として発光中心元素のフッ化物(Sm
F₃、TbOF、MnF₂) とからなり、Ｘ線源のひとつであるC
u Kα線を用いた入射角1°から10°の薄膜Ｘ線回折測定
法で、Ｘ線回折角が25°〜30°の範囲に於いて、Ｘ線回
折スペクトルが単一のピークのみを有する（Ｘ線回折角
約27°にＸ線回折スペクトルの別ピークが存在しない）
ことを特徴とするEL素子が、発光輝度を向上することが
判明できた。

【０００９】また、逆に、発光輝度の高い良品を評価、
選別するためには、通常のＸ線回折法では不十分で、Ｘ
線の入射角（α）の小さい薄膜Ｘ線回折法が有効である
ことを見いだした。即ち、絶縁性基板上に第一電極，第
一絶縁層，発光層、第二絶縁層及び第二電極を、少なく
とも光取り出し側の材料を光学的に透明なものにて順次
積層し、前記発光層薄膜が硫化亜鉛(ZnS) を母体材料と
し、発光中心材料として発光中心元素のフッ化物が含ま
れているEL素子の評価方法において、Cu Kα線を用いた
入射角1°から10°の薄膜Ｘ線回折測定法で、Ｘ線回折
角が25°〜30°の範囲に於いて、Ｘ線回折スペクトルが
単一のピークのみを有するEL素子を、高輝度発光する良
品と判定することを本発明の特徴とする。

【００１０】

【作用および発明の効果】本発明者らは、従来方法のス
パッタ法で製造したEL素子を、入射角1°から10°の薄
膜Ｘ線回折法を用いて分析すると、発光層は立方晶系と
それ以外のものが混合した構造をとることを初めて見い
だした。そして、高輝度のEL素子は、Cu Kα線を用いた
入射角1°から10°薄膜Ｘ線回折測定法で、Ｘ線回折角
が25〜30度の範囲に於いて、Ｘ線回折スペクトルが単一
のピークのみを有することを明らかにし、このことを用
いて高輝度のEL素子およびEL素子の製造方法、評価手段
を提示できた。また、硫化亜鉛(ZnS) を母体材料とし、
発光中心として発光中心元素の弗化物を添加した発光層
のEL素子において、発光層の成膜前にHCl ガスを導入し
て前処理することにより、高輝度のEL素子を提供するこ
とができた。

【００１１】

【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は本発明に係るEL素子１００の断面構造を
示した模式図である。EL素子１００は、絶縁性基板であ
るガラス基板１１上に順次、以下の薄膜が積層形成され
構成されている。ガラス基板１１上には、光学的に透明
な酸化亜鉛(ZnO) から成る第一透明電極（第一電極）１
２が形成され、その上面には、光学的に透明な五酸化タ
ンタル(Ta₂O₅) から成る第一絶縁層１３、硫化亜鉛(Zn
S) から成る発光層１４、光学的に透明な五酸化タンタ
ル(Ta₂O₅) から成る第二絶縁層１５、光学的に透明な酸
化亜鉛(ZnO) から成る第二透明電極（第二電極）１６が
形成されている。

【００１２】次に、上述のEL素子１００の製造方法を以
下に述べる。 (a) 先ず、ガラス基板１１上に第一透明電極１２を成膜
した。具体的には、蒸着材料としては、酸化亜鉛(ZnO)
粉末に酸化ガリウム(Ga₂O₃) を加えて混合し、ペレット
状に成形したものを用い、成膜装置としては、イオンプ
レーティング装置を用いた。そしてガラス基板１１を一
定温度に保持したままイオンプレーティング装置内を真
空まで排気した。その後、アルゴン(Ar)ガスを導入して
一定圧力に保ち、ビーム電力及び高周波電力を調整し
た。 (b) 次に、第一透明電極１２上に五酸化タンタル(Ta
₂O₅) から成る第一絶縁層１３をスパッタにより形成し
た。具体的には、ガラス基板を一定温度に保持し、スパ
ッタ装置内を真空まで排気した。その後、アルゴン(Ar)
と酸素(O₂)の混合を導入して一定圧力に保ち、高周波電
力を調整して形成した。

【００１３】なお図２は、基板搬送式スパッタ装置を上
面から見た図で、本発明の発光層を得るための具体的な
装置の１つの構造を示す説明図である。成膜室２１はア
ルゴン(Ar)、塩化水素(HCl) ガスが導入できる構造で、
成膜室２１内の側面には、垂直方向に複数のヒータ２４
が設けられている。また、成膜室２１内の側面の一部
に、スパッタ用のターゲット２５が設けられる。基板２
０は、図示していない搬送台に垂直に支持され、基板加
熱室２３側から成膜室２１内を矢印方向に搬送され、途
中で、ヒータ２４で一定温度まで加熱保持され、ターゲ
ット２５の付近で、スパッタにより発光層が成膜され
る。ターゲット２５は、発光層の材料と同じ硫化亜鉛(Z
nS) を母体材料とし、発光中心として三フッ化サマリウ
ムを添加した硫化亜鉛：三フッ化サマリウム(ZnS:SmF₃)
である。また、ゲートバルブ２２は、成膜室２１と基板
加熱室２３との間に設けられ、閉鎖状態で両室を区切る
とともに、バルブ２２の解放状態では、基板２０を基板
加熱室２３から成膜室２１へ搬送できる。なお、成膜室
２１、基板加熱室２３は、図示していない真空ポンプに
接続されている。

【００１４】(c) この基板搬送式スパッタ装置におい
て、まず基板加熱室２３内に、第一絶縁層１３を形成し
たガラス基板１１を搬入し、基板２０を一定温度に保持
し、続いてゲートバルブ２２を解放状態にして、基板２
０を成膜室２１内（図２中の基板２０の位置）に搬入し
た。 (d) 次に、ターゲット２５を取り付けた状態の成膜室２
１に、HCl つまり塩素(Cl)を含むガスを導入して放電さ
せることによって本発明の特徴の一つである前処理を行
った。これは、アルゴン(Ar)希釈の１％塩化水素(HCl)
ガスを導入し、成膜室２１内を４Paに維持し、2W／cm²
の高周波電力で60min 放電させて前処理した。 (e) 次に、導入ガスをアルゴン(Ar)とヘリウム(He)の混
合ガスに切り替えて、４Paに維持し、2W／cm²の高周波
で放電させ、基板２０を搬送開始し、ターゲット２５の
前を往復させて、均一に成膜した。これにより、上記基
板の第一絶縁層１３上に、硫化亜鉛(ZnS) を母体材料と
し、発光中心として三フッ化サマリウムを添加した硫化
亜鉛：三フッ化サマリウム(ZnS:SmF₃)から成る発光層１
４をスパッタ法により成膜形成できる。

【００１５】尚、上述した製法例では、前処理中に基板
２０を成膜室２１に搬送した状態で行ったが、基板２０
は前記前処理中に成膜室２１にある必要はなく加熱室２
３、あるいは、図２の装置の外にあってもよい。

【００１６】また、図３のようなバッチ式のスパッタ成
膜装置であれば、前記前処理はシャッタ３１を閉じた状
態で行えばよい。図３は一般的な装置であるので簡単に
説明すると、ヒータ３４が基板３０の上部に設けられ、
また、シャッタ３１がスパッタによる成膜時間を制御す
るために、ターゲット３５と基板３０との間に設けられ
ている。成膜前には、ターゲット３５と基板３０との間
を遮蔽し、成膜時に両者の間を開放し、成膜できる状態
にする。なお、図３は側面から見た説明図である。

【００１７】本発明の前処理は、必ずしも成膜前に毎回
行う必要はなく、上記処理条件であれば一旦前処理を行
えば、その後数回（６回）程度はその効果が持続するこ
とを確認した。

【００１８】この後、通常は発光層の結晶性を向上する
ための熱処理を行うのであるが、本実施例では前記前処
理を行うことにより、通常の熱処理による結晶性向上以
上の結晶性が得られる。このため本実施例では、通常の
熱処理工程は不要となる。

【００１９】(f) 発光層１４を形成した後、次に、五酸
化タンタル(Ta₂O₅) から成る第二絶縁層１５を第一絶縁
層１３と同一の方法により発光層１４上に形成した。 (g) その後、酸化亜鉛(ZnO) から成る第二透明電極１６
を第一透明電極１２と同一の方法で形成した。なお、発
光層１４の膜厚は800nm である。

【００２０】上述の方法により製造したエレクトロルミ
ネセンス素子を、Cu Kα線を用いた薄膜Ｘ線回折法で測
定した結果が、図６である。

【００２１】ここで、薄膜Ｘ線回折装置の概略を説明す
る。図４は、薄膜Ｘ線回折装置の概略図である。薄膜Ｘ
線回折装置は、図示していないＸ線源として、Cu Kα線
（波長0.154nm)を入射Ｘ線として用いる。この装置は、
縦方向の発散を制限する縦発散制限ソーラスリット４１
および入射スリット４２と、試料となるEL素子（基板１
１）の発光層に入射Ｘ線が入射するように基板１１をセ
ットする試料取付板４３と、基板１１の発光層から回折
されたＸ線の角度分解能を向上するための受光ソーラス
リット４４と、試料からの散乱Ｘ線および白色Ｘ線を除
去することで S/N比のよい回折Ｘ線を得る回折Ｘ線モノ
クロメータ４５、回折Ｘ線の強度を検出する検出器４６
などから主に構成されている。図中２θ_Mは、回折Ｘ線
モノクロメータ４５にあたる回折Ｘ線方向と検出器４６
とのなす角である。

【００２２】この装置は、薄膜試料（基板１１の発光層
１４）からの回折強度を増すために、入射Ｘ線を試料表
面すれすれ（入射角α＝ 1°〜10°）に入射することが
できる。つまり、薄膜試料が同じときには、入射角αを
小さくとると、回折Ｘ線強度を増すことができることが
知られている。例えば、入射角α＝４°にとることによ
り、入射角α＝45°の約10倍の回折Ｘ線強度を増すこと
ができる。

【００２３】なお、この装置による測定では、入射角α
はゴニオメータ（図４には図示しないが回転可動範囲の
半径として示してある）を用いて任意設定し、測定中は
αを動かさないようにして測定する。 2θ_M( 回折Ｘ線
モノクロメータ４５に当たる回折Ｘ線方向と検出器４６
の光軸とのなす角）も、使用する特性Ｘ線、モノクロメ
ータ４５の結晶および面指数に合わせて設定し、測定中
は動かさない。測定は、 2θ（Ｘ線回折角）を動かし、
2θの値とその位置におけるＸ線強度を検出する。

【００２４】図５は、上述した薄膜Ｘ線回折装置におい
て、Ｘ線の入射角αを1.0 ゜、2.0°、5.0 °、10.0°
と変化させたときの、従来方法で試作したEL素子の発光
層薄膜のＸ線回折スペクトルで、図５(a) 〜(d) の上か
ら順次、前記各入射角αに対応している。

【００２５】通常のＸ線回折測定（図８のデータ）では
入射角度θと回折角度２θは連動して変化しており、例
えば、回折角度 2θ＝28゜付近では入射角度θはθ＝14
゜と言うように、入射角度は高い。それに比べて薄膜Ｘ
線回折測定では、Ｘ線の入射角度を低くしているため、
薄膜の粒界の情報も得ることができ、図５のように、通
常では見られない回折ビームも見えてくる。例えば、入
射角＝ 1.0°、2.0 °では、主なピーク(P1)の左のふも
との部分に他のピーク(P2)が存在していることが分か
る。

【００２６】図６、図７は、本発明の製造方法である塩
素(Cl)を含むガスでの前処理を行った発光層薄膜（図
６）と、従来のように前述の前処理を行わない発光層薄
膜（図７）とにおける薄膜Ｘ線回折スペクトルを比較し
たものである。このときのＸ線の入射角αは１゜であ
る。なお従来品の図７は、実測した結果（図５）を強調
して描いた模式的なものである。

【００２７】図７から明らかなように、従来のように上
記前処理を行わない発光層薄膜のＸ線回折ビームは、Ｘ
線回折角が25〜30度の範囲において、主な単一ピークP1
の他に、別の回折ピークP2が見られるのに対し、図６の
ように本発明の製造方法である塩素(Cl)を含むガスでの
前処理を行った発光層薄膜のＸ線回折ビームには、単一
ピークP1のみが見られ、別の回折ピークP2は見られな
い。この主な単一の回折ピークP1は、立方晶系(cubic)
の (111)面の配向を示し、別の回折ピークP2は立方晶系
以外の結晶系、例えば六方晶系(hexagonal) の(10・0)面
の配向を示すものと考えられる。

【００２８】上記の結果から、従来の発光層は立方晶系
とそれ以外のものが混在した結晶構造で有ることが分か
り、通常は結晶性の悪い薄膜となっていると思われる。
そして、本発明の前処理を行った場合には、立方晶系以
外の結晶系、例えば六方晶系の構造の部分がなくなった
為に、結晶性の良い薄膜となったと思われる。

【００２９】図９は、上述の実施例のEL素子と従来の発
光層の形成前に塩素(Cl)を含むガスの処理を加えないEL
素子とにおける印加電圧Ｖ_0-P(V) と発光輝度Ｌ（cd/m
²)との関係を比較したものである。本発明の処理によっ
て結晶性が向上した発光層を有するEL素子１００は、図
９に示すように発光効率が向上し、発光輝度が約二倍向
上することが確認された。

【００３０】上述の発光層の発光中心材料としてSmF₃を
用いたが、SmOF、TbOF、MnF₂であってもよい。図１０〜
図１２は、本発明の前処理を行わない時の、それぞれの
発光中心材料の、Ｘ線の入射角αを 1.0°とした薄膜Ｘ
線回折スペクトルである。これらの発光中心材でも、Sm
F₃と同様に、Ｘ線回折角が25°〜30°の範囲において、
主な単一ピークP1の他に、別ピークP2が見られる。そし
てSmF₃と同様に、本発明の処理を行うことによって、別
ピークP2は見られなくなり、発光輝度が向上した。（こ
れらの発光中心材に対する本発明の処理による結果は図
６と同等なので省略する。）

【００３１】本発明は上記の実施例に限定されるもので
はなく、以下のような種々の変形が可能である。 (1) 第一、第二、第三、第四絶縁層１３、１５、２３、
２５は五酸化タンタル(Ta₂O₅) で構成したが、Al₂O₃、
Si₃N₄、SiO₂、PbTiO₃、Y₂O₃もしくはそれらの積層で構
成しても良い。 (2) 発光層を、第一層、第二層の他に三層以上、例え
ば、ＲＧＢの各色をそれぞれ発光する三つの発光層を重
ねてフルカラー化したEL素子としてもよい。 (3) 上記実施例では、EL素子の両方向側より光を放出さ
せたが、電極及び絶縁層の材質を適宜変更することによ
り、一方向側からの光を放出する素子構成としてもよ
い。 (4) 上記実施例では、塩素(Cl)を含むガスとして塩化水
素(HCl) を用いたが、塩素(Cl₂) 、四塩化炭素(CCl₄)な
ど成膜装置内に残留しても不純物とならない原料ガスな
らば、どのような原料でもよい。 (5) 上記実施例では、スパッタ法で作成したEL素子を薄
膜Ｘ線回折法で良品判別したが、他の製法によるEL素子
でも本発明の評価方法は適用でき、よりよい製法を決め
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の具体的な一実施例に係るEL素子の断面
構造を示した模式図である。

【図２】本発明の発光層の構造を得るための具体的な装
置の一つである基板搬送式のスパッタ装置の構造を示す
模式図である。

【図３】本発明の発光層の構造を得るための具体的な装
置の一つであるバッチ式のスパッタ装置の構造を示す模
式図である。

【図４】薄膜Ｘ線回折装置の構造を示した概略図であ
る。

【図５】薄膜Ｘ線回折装置におけるＸ線の入射角度を 1
゜〜10゜まで変化させたときの発光層薄膜のＸ線回折ス
ペクトル図である。

【図６】本発明の製造方法である塩素(Cl)を含むガスで
の前処理を行った発光層薄膜の薄膜Ｘ線回折スペクトル
図である。

【図７】従来方法による（本発明の前処理を行わない）
発光層薄膜の薄膜Ｘ線回折スペクトル図である。

【図８】従来方法による（本発明の前処理を行わない）
発光層薄膜の通常のＸ線回折スペクトル図である。

【図９】本発明の実施例のEL素子と従来の製造方法によ
り発光層を形成したEL素子とにおける印加電圧と発光輝
度との関係を示した特性図である。

【図１０】本発明の前処理を行わない時の、発光中心材
料がSmOFのEL素子の発光層の薄膜Ｘ線回折スペクトル図
である。

【図１１】本発明の前処理を行わない時の、発光中心材
料がTbOFのEL素子の発光層の薄膜Ｘ線回折スペクトル図
である。

【図１２】本発明の前処理を行わない時の、発光中心材
料がMnF₂のEL素子の発光層の薄膜Ｘ線回折スペクトル図
である。

【符号の説明】

Ｐ１第一のＸ線回折ピーク（立方晶(111) による）Ｐ２第二のＸ線回折ピーク（立方晶(111) 以外によ
る）１１ガラス基板１４発光層１００エレクトロルミネッセンス素子２００基板搬送式スパッタ装置３００バッチ式スパッタ装置

フロントページの続き (72)発明者伊藤信衛愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地日本電装株式会社内 (72)発明者服部正愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地日本電装株式会社内審査官今関雅子 (56)参考文献特開平１−241791（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−113387（ＪＰ，Ａ) 特開昭60−88340（ＪＰ，Ａ) 特開昭49−106386（ＪＰ，Ａ) 実公平１−25315（ＪＰ，Ｙ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05B 33/00 - 33/28

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性基板上に第一電極、第一絶縁層、
発光層、第二絶縁層及び第二電極を順次積層し、スパッ
タ法により前記発光層を形成するエレクトロルミネッセ
ンス素子の製造方法において、前記発光層を形成する前に、成膜装置内に塩素(Cl)を含
むガスを導入して放電処理することを特徴とするエレク
トロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】前記発光層は、硫化亜鉛(ZnS) を母体材
料とし、発光中心材料として発光中心元素のフッ化物を
添加して形成されることを特徴とする請求項１に記載の
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】前記発光中心元素のフッ化物は、三フッ
化サマリウム(SmF ₃ )、フッ化酸化テルビウム(TbFO)、二
フッ化マンガン(MnF ₂ )から選ばれることを特徴とする請
求項２に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方
法。
【請求項４】絶縁性基板上に第一電極、第一絶縁層、
発光層、第二絶縁層及び第二電極を順次積層し、前記発
光層の薄膜が硫化亜鉛(ZnS) を母体材料とするエレクト
ロルミネッセンス素子の評価方法において、入射角1°から10°の薄膜Ｘ線回折測定法で、Ｘ線回折
角が25°から30°の範囲に於いて、Ｘ線回折スペクトル
が単一のピークのみを有するエレクトロルミネッセンス
素子を、高輝度発光する良品と判定することを特徴とす
るエレクトロルミネッセンス素子の評価方法。