JP3321533B2 - 透過型電子顕微鏡用試料作製方法 - Google Patents
透過型電子顕微鏡用試料作製方法Info
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- JP3321533B2 JP3321533B2 JP25789596A JP25789596A JP3321533B2 JP 3321533 B2 JP3321533 B2 JP 3321533B2 JP 25789596 A JP25789596 A JP 25789596A JP 25789596 A JP25789596 A JP 25789596A JP 3321533 B2 JP3321533 B2 JP 3321533B2
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- transmission electron
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面に結晶性薄膜
を有する材料を、上記結晶性薄膜評価用の透過型電子顕
微鏡用試料に加工する方法に関するものである。
を有する材料を、上記結晶性薄膜評価用の透過型電子顕
微鏡用試料に加工する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｓｉ基板やＧａＡｓ基板上に形成された
結晶性薄膜の結晶構造や粒界構造を評価するために透過
型電子顕微鏡が用いられている。この場合、透過型電子
顕微鏡で結晶性薄膜の結晶構造や粒界構造の評価を可能
にする為には、試料を裏面側から垂直方向に研磨して、
電子線が透過できる様に、結晶性薄膜部分を残して、数
十〜数百ｎｍまで薄く加工する必要がある。
結晶性薄膜の結晶構造や粒界構造を評価するために透過
型電子顕微鏡が用いられている。この場合、透過型電子
顕微鏡で結晶性薄膜の結晶構造や粒界構造の評価を可能
にする為には、試料を裏面側から垂直方向に研磨して、
電子線が透過できる様に、結晶性薄膜部分を残して、数
十〜数百ｎｍまで薄く加工する必要がある。
【０００３】従来、表面薄膜を対象とした透過型電子顕
微鏡用試料の作製に於いては、 （１）１．５〜２ｍｍ□の試料片を切り出し、裏面側か
ら機械研磨とイオンミリング或いは化学エッチングによ
って薄膜化する。
微鏡用試料の作製に於いては、 （１）１．５〜２ｍｍ□の試料片を切り出し、裏面側か
ら機械研磨とイオンミリング或いは化学エッチングによ
って薄膜化する。
【０００４】（２）表面薄膜の下地が選択的に化学エッ
チングできる場合は、エッチング薬液に試料を浮かせ、
下層を選択的にエッチングすることで表面薄膜のみを剥
がし、これをすくい取って薄膜試料を得る。
チングできる場合は、エッチング薬液に試料を浮かせ、
下層を選択的にエッチングすることで表面薄膜のみを剥
がし、これをすくい取って薄膜試料を得る。
【０００５】などの方法が行われている。
【０００６】但し、上記（２）の方法は対象が極めて限
定されており、殆どの場合、用いることができないた
め、上記の（１）の方法が一般的である。
定されており、殆どの場合、用いることができないた
め、上記の（１）の方法が一般的である。
【０００７】（１）の方法は、試料中央が最も薄くなる
ように加工を進め、イオンミリング工程や化学エッチン
グ工程で、試料中央に穴があいた段階を加工終点とし
て、穴の横の数十〜数百ｎｍの厚さの領域の薄膜を透過
型電子顕微鏡により観察するものである。
ように加工を進め、イオンミリング工程や化学エッチン
グ工程で、試料中央に穴があいた段階を加工終点とし
て、穴の横の数十〜数百ｎｍの厚さの領域の薄膜を透過
型電子顕微鏡により観察するものである。
【０００８】上記（１）の方法を図２に示す。
【０００９】Ｓｉウェハ２１より１．５ｍｍ〜２ｍｍ□
程度の試料２２を切り出す（図２（ａ）→（ｂ））。図
２（ｂ）に於いて、２３はＳｉ基板、２４はポリシリコ
ン薄膜（ポリＳｉ）、２５はＴｉシリサイド薄膜であ
る。
程度の試料２２を切り出す（図２（ａ）→（ｂ））。図
２（ｂ）に於いて、２３はＳｉ基板、２４はポリシリコ
ン薄膜（ポリＳｉ）、２５はＴｉシリサイド薄膜であ
る。
【００１０】上記試料２２の表面側を研磨治具２６に固
定し、研磨剤２７を用いて回転研磨盤２８により、裏面
研磨を行う（図２（ｃ）→（ｄ））。
定し、研磨剤２７を用いて回転研磨盤２８により、裏面
研磨を行う（図２（ｃ）→（ｄ））。
【００１１】次いで、裏面研磨された試料２２’をディ
ンプルグラインダーの試料台２９に固定し、ディンプラ
ー３０により試料２２’の裏面中央をすり鉢状に研磨す
る（図２（ｅ）→（ｆ））。
ンプルグラインダーの試料台２９に固定し、ディンプラ
ー３０により試料２２’の裏面中央をすり鉢状に研磨す
る（図２（ｅ）→（ｆ））。
【００１２】最後に、イオンミリング装置で、裏面方向
からイオンビーム３１を照射し、イオンミリングする。
イオンミリングの終了検知は、レーザー光３２を照射
し、その透過光３３をレーザー光センサー３４で検出し
て行う（図２（ｇ））。これにより、図２（ｈ）に示す
透過型電子顕微鏡用試料３５が作製される。
からイオンビーム３１を照射し、イオンミリングする。
イオンミリングの終了検知は、レーザー光３２を照射
し、その透過光３３をレーザー光センサー３４で検出し
て行う（図２（ｇ））。これにより、図２（ｈ）に示す
透過型電子顕微鏡用試料３５が作製される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】表面薄膜とその下地の
材料の熱膨張率が大きく異なる場合、イオンミリング
や、加工途中の完成度確認の為の光学顕微鏡観察、最終
の透過型電子顕微鏡観察など、各段階の熱で表面薄膜部
に反りが生じ、巻き込みが生じて、平面的な観察ができ
なくなる（図３参照）。
材料の熱膨張率が大きく異なる場合、イオンミリング
や、加工途中の完成度確認の為の光学顕微鏡観察、最終
の透過型電子顕微鏡観察など、各段階の熱で表面薄膜部
に反りが生じ、巻き込みが生じて、平面的な観察ができ
なくなる（図３参照）。
【００１４】従来、この様な場合の対策としては、イオ
ンミリングや化学エッチングによる加工を、試料に穴が
あかず、最も薄い部分が数百ｎｍ以下になった時点で止
めることで、表面薄膜が巻き込んでしまうことを防ぎ、
透過型電子顕微鏡解析を行っていた。
ンミリングや化学エッチングによる加工を、試料に穴が
あかず、最も薄い部分が数百ｎｍ以下になった時点で止
めることで、表面薄膜が巻き込んでしまうことを防ぎ、
透過型電子顕微鏡解析を行っていた。
【００１５】しかし、イオンミリングや化学エッチング
工程の均一性や終点検出の精度について、試料に穴があ
かない段階で終点を決める精度は数十ｎｍが最高精度で
あり、ハーフミクロンルールのＬＳＩに多用される膜厚
数十ｎｍ以下の薄膜の場合、この方法で表面薄膜のみの
透過型電子顕微鏡用平面試料を作製することは極めて困
難である。すなわち、装置の精度と膜厚が同程度である
ため、下地が残るか、表面薄膜に穴があくといった不具
合が生じる。
工程の均一性や終点検出の精度について、試料に穴があ
かない段階で終点を決める精度は数十ｎｍが最高精度で
あり、ハーフミクロンルールのＬＳＩに多用される膜厚
数十ｎｍ以下の薄膜の場合、この方法で表面薄膜のみの
透過型電子顕微鏡用平面試料を作製することは極めて困
難である。すなわち、装置の精度と膜厚が同程度である
ため、下地が残るか、表面薄膜に穴があくといった不具
合が生じる。
【００１６】表面薄膜と下地の重なった試料を透過型電
子顕微鏡で結晶構造評価する場合、電子線回折では下地
の回折スポットが評価すべき薄膜の回折スポットに重な
って構造評価を複雑にする。特に、下地が多結晶構造を
持つ場合、下地によって複雑な回折スポットが現れ、表
面薄膜の結晶構造評価は極めて複雑になる。
子顕微鏡で結晶構造評価する場合、電子線回折では下地
の回折スポットが評価すべき薄膜の回折スポットに重な
って構造評価を複雑にする。特に、下地が多結晶構造を
持つ場合、下地によって複雑な回折スポットが現れ、表
面薄膜の結晶構造評価は極めて複雑になる。
【００１７】また、下地がポリシリコンなど結晶性材料
の場合は、結晶粒径評価の為の透過型電子顕微鏡像観察
でも下地の結晶粒のコントラストが表面薄膜結晶粒のコ
ントラストに重なり評価が困難になる。
の場合は、結晶粒径評価の為の透過型電子顕微鏡像観察
でも下地の結晶粒のコントラストが表面薄膜結晶粒のコ
ントラストに重なり評価が困難になる。
【００１８】本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みな
されたものであり、下地を完全に除去できると共に、表
面薄膜の巻き込みも生じさせない、表面薄膜評価用試料
の作製方法を提供するものである。
されたものであり、下地を完全に除去できると共に、表
面薄膜の巻き込みも生じさせない、表面薄膜評価用試料
の作製方法を提供するものである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明においては、試料表面の結晶性薄膜上に、薄
膜下地の材料と熱膨張率が近似している材料から成る非
晶質薄膜を形成し、しかる後、従来と同様の、機械研
磨、イオンミリング等による透過型電子顕微鏡用平面試
料作製方法で加工する。
め、本発明においては、試料表面の結晶性薄膜上に、薄
膜下地の材料と熱膨張率が近似している材料から成る非
晶質薄膜を形成し、しかる後、従来と同様の、機械研
磨、イオンミリング等による透過型電子顕微鏡用平面試
料作製方法で加工する。
【００２０】試料がシリコン基板上或いはポリシリコン
膜上の結晶性薄膜の場合、その表面に形成する非晶質薄
膜として、シリコン酸化膜、非晶質シリコン膜、シリコ
ン窒化膜などを用いることができる。これらの非晶質薄
膜は、成膜温度や反応性が異なる為、評価する表面結晶
性薄膜の結晶構造や組成に影響を与えず、且つ、表面結
晶性薄膜の下地材料と熱膨張率が近似している膜を選択
して形成する。
膜上の結晶性薄膜の場合、その表面に形成する非晶質薄
膜として、シリコン酸化膜、非晶質シリコン膜、シリコ
ン窒化膜などを用いることができる。これらの非晶質薄
膜は、成膜温度や反応性が異なる為、評価する表面結晶
性薄膜の結晶構造や組成に影響を与えず、且つ、表面結
晶性薄膜の下地材料と熱膨張率が近似している膜を選択
して形成する。
【００２１】或いは、非晶質薄膜としてプラズマ重合で
形成した高分子膜を用いることもできる。プラズマ重合
高分子膜は、結晶性薄膜と密着性があり、且つ伸縮性を
持ち、数十ｎｍの厚さでも結晶性薄膜の支持膜として熱
応力による割れを抑えることができるため、透過型電子
顕微鏡用試料として１００ｎｍ程度以下に仕上げる必要
がある場合に選択して形成する。
形成した高分子膜を用いることもできる。プラズマ重合
高分子膜は、結晶性薄膜と密着性があり、且つ伸縮性を
持ち、数十ｎｍの厚さでも結晶性薄膜の支持膜として熱
応力による割れを抑えることができるため、透過型電子
顕微鏡用試料として１００ｎｍ程度以下に仕上げる必要
がある場合に選択して形成する。
【００２２】結晶構造評価の場合は、非晶質薄膜の膜厚
は、表面結晶性薄膜膜厚と合わせて五百ｎｍ程度とし、
最大でも１μｍを越えない範囲で成膜する。なお、膜厚
合計値の下限は２０ｎｍである。下限は、イオンミリン
グ装置或いは化学エッチング装置の精度により、また、
上限は、透過型電子顕微鏡の透過能力により定まるもの
である。
は、表面結晶性薄膜膜厚と合わせて五百ｎｍ程度とし、
最大でも１μｍを越えない範囲で成膜する。なお、膜厚
合計値の下限は２０ｎｍである。下限は、イオンミリン
グ装置或いは化学エッチング装置の精度により、また、
上限は、透過型電子顕微鏡の透過能力により定まるもの
である。
【００２３】但し、表面結晶性薄膜の格子像を観察する
必要がある場合は、非晶質膜厚を五十ｎｍ程度、表面結
晶性薄膜との合計膜厚を百ｎｍ以下程度とする。
必要がある場合は、非晶質膜厚を五十ｎｍ程度、表面結
晶性薄膜との合計膜厚を百ｎｍ以下程度とする。
【００２４】本発明によると、表面結晶性薄膜の下地と
近似熱膨張率の非晶質薄膜、或いは、結晶性薄膜と密着
性があり、且つ伸縮性を有する非晶質薄膜を形成する事
で、加工中の熱による応力を緩和し表面結晶性薄膜の反
りを防止できる。
近似熱膨張率の非晶質薄膜、或いは、結晶性薄膜と密着
性があり、且つ伸縮性を有する非晶質薄膜を形成する事
で、加工中の熱による応力を緩和し表面結晶性薄膜の反
りを防止できる。
【００２５】評価薄膜と非晶質薄膜の膜厚合計が五百ｎ
ｍになる様に非晶質薄膜の厚さを決める事で、イオンミ
リングの加工精度内で、試料に穴があかず、かつ評価薄
膜と非晶質薄膜のみが残った領域を形成する事ができ
る。これにより、非晶質薄膜が支持膜となって評価薄膜
の反りを防ぐ事ができる。そして、非晶質薄膜は結晶解
析における電子線回折等でも単純なバックグラウンドと
して容易に差し引き薄膜の結晶構造解析情報を取り出す
事ができる。
ｍになる様に非晶質薄膜の厚さを決める事で、イオンミ
リングの加工精度内で、試料に穴があかず、かつ評価薄
膜と非晶質薄膜のみが残った領域を形成する事ができ
る。これにより、非晶質薄膜が支持膜となって評価薄膜
の反りを防ぐ事ができる。そして、非晶質薄膜は結晶解
析における電子線回折等でも単純なバックグラウンドと
して容易に差し引き薄膜の結晶構造解析情報を取り出す
事ができる。
【００２６】評価薄膜と非晶質薄膜の膜厚合計が百ｎｍ
になる様に非晶質薄膜の厚さを決める事で、イオンミリ
ングの加工精度限度内で、試料に穴があかず、かつ評価
薄膜と非晶質薄膜のみが残り、格子像観察が可能な領域
を形成する事ができる。
になる様に非晶質薄膜の厚さを決める事で、イオンミリ
ングの加工精度限度内で、試料に穴があかず、かつ評価
薄膜と非晶質薄膜のみが残り、格子像観察が可能な領域
を形成する事ができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の具体的な実施形態
について説明する。
について説明する。
【００２８】図１は、本発明による、ポリシリコン薄膜
（ポリＳｉ）上Ｔｉシリサイド薄膜の評価用平面試料の
作製方法の説明図である。
（ポリＳｉ）上Ｔｉシリサイド薄膜の評価用平面試料の
作製方法の説明図である。
【００２９】１）ＣＶＤによりＳｉウェハ１の表面に非
晶質シリコン薄膜２を形成する（図１（ａ））。通常Ｓ
ｉ−ＬＳＩに用いられるＴｉシリサイド膜は数十ｎｍで
あり、形成する非晶質シリコン膜２の厚さはＴｉシリサ
イド膜と併せて約五百ｎｍになる様に設定する。
晶質シリコン薄膜２を形成する（図１（ａ））。通常Ｓ
ｉ−ＬＳＩに用いられるＴｉシリサイド膜は数十ｎｍで
あり、形成する非晶質シリコン膜２の厚さはＴｉシリサ
イド膜と併せて約五百ｎｍになる様に設定する。
【００３０】２）Ｓｉウェハ１より透過型電子顕微鏡に
挿入できるサイズの試料３を切り出す（図１（ｂ））。
大きさは、通常１．５〜２．０ｍｍ□程度である。図１
（ｂ）に於いて、４はＳｉ基板、５はポリＳｉ膜、６は
Ｔｉシリサイド膜、２は非晶質シリコン薄膜である。
挿入できるサイズの試料３を切り出す（図１（ｂ））。
大きさは、通常１．５〜２．０ｍｍ□程度である。図１
（ｂ）に於いて、４はＳｉ基板、５はポリＳｉ膜、６は
Ｔｉシリサイド膜、２は非晶質シリコン薄膜である。
【００３１】３）試料３を熱溶解性樹脂で研磨治具７に
表面側で固定し、裏面から回転研磨盤８による機械研磨
によって厚さ８０〜１００μｍ程度に加工する。研磨に
は５〜１０μｍ程度の研磨砥粒（研磨剤）９を用いて研
磨する（図１（ｃ）→（ｄ））。試料厚さは、研磨途中
に試料を研磨治具ごと触針の高さ計に移し、試料面と研
磨治具面の高さの差として測定する。
表面側で固定し、裏面から回転研磨盤８による機械研磨
によって厚さ８０〜１００μｍ程度に加工する。研磨に
は５〜１０μｍ程度の研磨砥粒（研磨剤）９を用いて研
磨する（図１（ｃ）→（ｄ））。試料厚さは、研磨途中
に試料を研磨治具ごと触針の高さ計に移し、試料面と研
磨治具面の高さの差として測定する。
【００３２】４）ディンプルグラインダーにより試料中
央を裏面からすり鉢状に研磨する。ディンプルグライン
ダーの試料台１０への固定はアセトン等の有機溶剤に溶
ける熱溶解性樹脂を用いる。最も薄い部分が１０μｍ程
度になるまでは金属研磨ディスク（ディンプラー）１１
と５〜１０μｍ程度の研磨砥粒で研磨し、１０μｍ程度
になったらバフなどの研磨ディスク１１と１μｍ程度の
研磨砥粒で鏡面状に仕上げる（図１（ｅ）→（ｆ））。
央を裏面からすり鉢状に研磨する。ディンプルグライン
ダーの試料台１０への固定はアセトン等の有機溶剤に溶
ける熱溶解性樹脂を用いる。最も薄い部分が１０μｍ程
度になるまでは金属研磨ディスク（ディンプラー）１１
と５〜１０μｍ程度の研磨砥粒で研磨し、１０μｍ程度
になったらバフなどの研磨ディスク１１と１μｍ程度の
研磨砥粒で鏡面状に仕上げる（図１（ｅ）→（ｆ））。
【００３３】５）試料を加熱して試料台から取り外し、
アセトンで洗浄する。樹脂の洗浄は熱硫酸＋水洗が望ま
しいが、熱硫酸で溶かされる膜を対象とする場合はアセ
トンで洗浄する。
アセトンで洗浄する。樹脂の洗浄は熱硫酸＋水洗が望ま
しいが、熱硫酸で溶かされる膜を対象とする場合はアセ
トンで洗浄する。
【００３４】６）透過電子顕微鏡用のメッシュに試料を
固定する。固定には熱硬化樹脂やゴム系接着剤などを用
いる。
固定する。固定には熱硬化樹脂やゴム系接着剤などを用
いる。
【００３５】７）イオンミリング装置で裏面方向からイ
オンビーム１２を照射し、イオンミリングする（図１
（ｇ）→（ｈ））。表面側は、スパッタされた粒子等の
再付着を防ぐ為、片面イオンミリング専用の試料台を用
いるか、表面側をガラス等で保護する。イオンミリング
の終了はレーザー光による終点検知器を用いる。ヘリウ
ムーネオンレーザー光１３を、イオンミリング中、常時
試料に照射し、透過光１４をセンサー１５で検知する。
Ｓｉ系材料では、センサーのゲインを適性に調整する事
で、五百±二百ｎｍ程度の厚さの範囲内でレーザー光の
透過強度から加工終点を検知し、自動的にイオンミリン
グを終了させる事ができる。
オンビーム１２を照射し、イオンミリングする（図１
（ｇ）→（ｈ））。表面側は、スパッタされた粒子等の
再付着を防ぐ為、片面イオンミリング専用の試料台を用
いるか、表面側をガラス等で保護する。イオンミリング
の終了はレーザー光による終点検知器を用いる。ヘリウ
ムーネオンレーザー光１３を、イオンミリング中、常時
試料に照射し、透過光１４をセンサー１５で検知する。
Ｓｉ系材料では、センサーのゲインを適性に調整する事
で、五百±二百ｎｍ程度の厚さの範囲内でレーザー光の
透過強度から加工終点を検知し、自動的にイオンミリン
グを終了させる事ができる。
【００３６】Ｔｉシリサイドは、レーザー光を含めて可
視光の透過率が非常に低く、非晶質シリコン薄膜を用い
ない従来法では、レーザー光での終点検知が働いた段階
ではＴｉシリサイド膜に穴があいてしまって巻き込みが
生じてしまう失敗が生じてしまう。これに対して、非晶
質シリコン薄膜を形成した本発明の方法では、Ｔｉシリ
サイド膜に穴があいて加工部中央が支持膜である非晶質
シリコン薄膜だけになった段階、又はＴｉシリサイド薄
膜が極めて薄くなった段階で、多量のレーザー光が透過
して自動終点検知が作動し、Ｔｉシリサイド膜に巻き込
みが生じる前に加工を終了せることができる。
視光の透過率が非常に低く、非晶質シリコン薄膜を用い
ない従来法では、レーザー光での終点検知が働いた段階
ではＴｉシリサイド膜に穴があいてしまって巻き込みが
生じてしまう失敗が生じてしまう。これに対して、非晶
質シリコン薄膜を形成した本発明の方法では、Ｔｉシリ
サイド膜に穴があいて加工部中央が支持膜である非晶質
シリコン薄膜だけになった段階、又はＴｉシリサイド薄
膜が極めて薄くなった段階で、多量のレーザー光が透過
して自動終点検知が作動し、Ｔｉシリサイド膜に巻き込
みが生じる前に加工を終了せることができる。
【００３７】裏面からの光学顕微鏡観察等により、Ｔｉ
シリサイド薄膜が裏面側から露出している領域がある事
を確認する。露出していない場合は、イオンミリングを
追加する。数十ｎｍ程度の精度でイオンミリングの追加
が可能であり、百ｎｍ程度のステップでイオンミリング
追加すれば、非晶質シリコン膜まで含めて試料に穴があ
くこと無く（評価膜自体には穴が開いてもかまわな
い）、Ｔｉシリサイド薄膜を裏面から露出させる事がで
きる。この領域を透過型電子顕微鏡で評価すれば、非晶
質膜については通常の像観察では均一なコントラストを
与えるのみで、Ｔｉシリサイドの結晶粒コントラストを
得る事ができる。また、電子線回折では、直進光部を中
心とする薄い円形のハローパターンを与えるのみで、容
易に差し引いてＴｉシリサイドの回折パターンを抽出す
る事ができる。
シリサイド薄膜が裏面側から露出している領域がある事
を確認する。露出していない場合は、イオンミリングを
追加する。数十ｎｍ程度の精度でイオンミリングの追加
が可能であり、百ｎｍ程度のステップでイオンミリング
追加すれば、非晶質シリコン膜まで含めて試料に穴があ
くこと無く（評価膜自体には穴が開いてもかまわな
い）、Ｔｉシリサイド薄膜を裏面から露出させる事がで
きる。この領域を透過型電子顕微鏡で評価すれば、非晶
質膜については通常の像観察では均一なコントラストを
与えるのみで、Ｔｉシリサイドの結晶粒コントラストを
得る事ができる。また、電子線回折では、直進光部を中
心とする薄い円形のハローパターンを与えるのみで、容
易に差し引いてＴｉシリサイドの回折パターンを抽出す
る事ができる。
【００３８】上記実施形態に於いては、結晶性薄膜の下
地材料と熱膨張率が近似している非晶質薄膜を用いた
が、それに代えて、結晶性薄膜と密着性が良く、且つ伸
縮性があるプラズマ重合高分子膜を用いても同様の作用
効果を得ることができる。プラズマ重合高分子膜の場
合、熱膨張率は多少違うものの、結晶性薄膜と密着性が
良く、支持膜として結晶性薄膜の反りや割れを低減して
良好な観察ができる。
地材料と熱膨張率が近似している非晶質薄膜を用いた
が、それに代えて、結晶性薄膜と密着性が良く、且つ伸
縮性があるプラズマ重合高分子膜を用いても同様の作用
効果を得ることができる。プラズマ重合高分子膜の場
合、熱膨張率は多少違うものの、結晶性薄膜と密着性が
良く、支持膜として結晶性薄膜の反りや割れを低減して
良好な観察ができる。
【００３９】
【発明の効果】本発明によると、下地と熱膨張率が異な
る薄膜の透過型電子顕微鏡用平面試料を容易に作製する
事ができる。したがって、ＬＳＩのトランジスタ特性を
左右する薄膜材料などの結晶性評価を行う事ができ、Ｌ
ＳＩの性能向上に有用な評価が可能となる。
る薄膜の透過型電子顕微鏡用平面試料を容易に作製する
事ができる。したがって、ＬＳＩのトランジスタ特性を
左右する薄膜材料などの結晶性評価を行う事ができ、Ｌ
ＳＩの性能向上に有用な評価が可能となる。
【図１】本発明による透過型電子顕微鏡用試料作製方法
の説明図である。
の説明図である。
【図２】従来方法の説明図である。
【図３】従来方法の問題点の説明に供する図である。
１ Ｓｉウェハ ２ 非晶質シリコン薄膜 ３ 試料 ４ Ｓｉ基板 ５ ポリＳｉ膜 ６ Ｔｉシリサイド膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 1/28 H01J 37/20 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (4)
- 【請求項１】 最上層に結晶性薄膜を有する試料を裏面
側から研磨して、該試料を薄膜化し、上記最上層の結晶
性薄膜評価用の透過型電子顕微鏡用試料を作製する方法
に於いて、 上記裏面側研磨前に、上記結晶性薄膜上に非晶質薄膜を
形成し、裏面研磨後にも前記非晶質薄膜が残すことを特
徴とする透過型電子顕微鏡用試料作製方法。 - 【請求項２】 上記非晶質薄膜は、上記結晶性薄膜の下
地材料と熱膨張率が近似している材料から成ることを特
徴とする、請求項１に記載の透過型電子顕微鏡用試料作
製方法。 - 【請求項３】 上記非晶質薄膜は、上記結晶性薄膜と密
着性があり、且つ伸縮性を持つ材料から成ることを特徴
とする、請求項１に記載の透過型電子顕微鏡用試料作製
方法。 - 【請求項４】 上記非晶質薄膜と上記結晶性薄膜の合計
の膜厚値が０．０２μｍ〜１μｍの範囲内にあることを
特徴とする請求項１，２又は３に記載の透過型電子顕微
鏡用試料作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25789596A JP3321533B2 (ja) | 1996-08-27 | 1996-09-30 | 透過型電子顕微鏡用試料作製方法 |
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