JP3317411B2 - ポリスチレン系フィルム - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、金属、金属酸化物など
の薄膜を表面に有するポリスチレン系フィルムに関し、
より詳しくは、熱安定性に優れ、長尺状の該フィルムを
巻取りなどにより走行させたときに走行性が良好であ
り、かつ耐摩耗性が充分であるため、薄膜層の表面にフ
ィルムの削れ粉が生じないポリスチレン系フィルムに関
する。

【０００２】

【従来の技術】ポリスチレン系フィルムの表面に金属や
金属酸化物の薄膜が形成された積層フィルムが、各種工
業用フィルム、包装用フィルム、磁気テープ用フィルム
などとして期待されている。このような積層フィルムの
ベースフィルムとなるポリスチレン系フィルムは、機械
特性、耐薬品性、誘電損失、誘電率などの電気特性、透
明性などに優れていることが望ましい。最近、シンジオ
タクチック構造を有するポリスチレン系重合体が、結晶
性、熱安定性および耐溶剤性に優れた素材であることが
明らかにされ（特公平３−７６８５号公報）、特開平１
−１１０１２２号公報、特開平１−１６８７０９号公
報、特開平１−１８２３４６号公報、特開平２−２７９
７３１号公報、特開平３−７４４３７号公報、特開平３
−１０９４５３号公報、特開平３−９９８２８号公報、
特開平３−１２４４２７号公報および特開平３−１３１
６４４号公報には、シンジオタクチック構造を有するポ
リスチレン系重合体を用いた延伸フィルムが開示されて
いる。これらのフィルムは、それ自身で各種工業用およ
び包装用フィルムとして期待されており、さらに、特開
平２−１４３８５１号公報には、上記の延伸フィルム上
に金属薄膜層を設けたフィルムが開示されている。

【０００３】一般に、フィルム上に、蒸着、スパッタリ
ングなどにより、金属や金属酸化物の薄膜層を設ける場
合には、該フィルムには、高温においても熱収縮しない
ような特性が要求される。シンジオタクチック構造を有
するポリスチレン系のフィルムが、高温においても熱収
縮しないような特性を有するためには、該フィルムの調
製時に高温下で比較的長時間熱固定することが必要であ
る。しかし、シンジオタクチック構造を有するポリスチ
レン系のフィルムは脆くかつ削れが発生しやすい上に、
高温下での長時間の熱固定により、製膜時または蒸着時
の操作を行うときにさらにフィルムの削れが発生しやす
くなる。その結果、削れにより生じたフィルムの粉がフ
ィルムの種々の特性を悪化させる。例えば、ガスバリア
ーフィルムの場合には、ガスバリアー性が低くなり、磁
気テープの場合にはドロップアウト（信号の欠落）が生
じ、コンデンサ用のフィルムの場合には絶縁破壊を生じ
る。

【０００４】さらに、一般に、長尺状のフィルムの巻取
り時などにおける走行性を良好にするために、有機もし
くは無機の微粒子を添加したポリマーを用いてフィルム
を形成し、表面に突起が形成されたフィルムを得ること
が知られている。しかし、このフィルムは、その突起が
大きいと、その突起自身がフィルムの特性を悪化させ、
かつフィルムの走行時にその突起が削れ、発生した粉末
がさらにフィルムの特性を悪化させる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の点を
解決しようとするもので、その目的は、ポリスチレン系
のベースフィルム表面に金属、金属酸化物などの薄膜で
なる層を有するポリスチレン系フィルムであって、高温
下でも熱収縮がなく、かつ走行性および耐摩耗性が良好
であり、ベースフィルムまたは薄膜層が走行時において
摩擦により削れ粉を生じることのないポリスチレン系フ
ィルムを提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明のポリスチレン系
フィルムは、シンジオタクチック構造を有するポリスチ
レン系重合体を含有する樹脂組成物からなるベースフィ
ルムと、該ベースフィルムの少なくとも一表面上に設け
られた薄膜層とを含有するポリスチレン系フィルムであ
って；該ポリスチレン系フィルムの２００℃における熱
収縮率が、３％以下であり；該ポリスチレン系フィルム
の薄膜層の表面に実質的に１μｍ以上の突起がなく；か
つ該ポリスチレン系フィルムの薄膜層の三次元表面粗さ
Ｓ△ａが０．００４〜０．０４であり、そのことにより
上記課題が達成される。

【０００７】次に本発明を詳細に説明する。

【０００８】本発明のポリスチレン系フィルムは、ベー
スフィルムと、該ベースフィルムの少なくとも一表面上
に設けられた薄膜層とを含有する。

【０００９】上記ベースフィルムは、シンジオタクチッ
ク構造を有するポリスチレン系重合体を含有する樹脂組
成物からなる。ここでシンジオタクチック構造とは、そ
の分子構造が、主鎖の炭素原子の一つおきに不斉炭素原
子が存在し、該不斉炭素原子に対して、置換基が交互に
ｄ型とｌ型で結合しているような立体構造をさしてい
う。本発明に用いられるシンジオタクチック構造を有す
るポリスチレン系重合体とは、主鎖の炭素原子の一つお
きに存在する不斉炭素原子に対して、フェニル基または
置換フェニル基が交互にｄ型とｌ型に配置されている、
ポリスチレン系重合体である。一般にポリスチレン系重
合体は、透明性は高いが、熱安定性および耐薬品性が悪
い。しかし、シンジオタクチック構造を有するポリスチ
レン系重合体は、熱安定性および耐薬品性に優れ、さら
に透明性が高い。

【００１０】上記シンジオタクチック構造を有するポリ
スチレン系重合体は、側鎖であるフェニル基または置換
フェニル基の、核磁気共鳴法により測定されるタクティ
シティが、上記ポリスチレン系重合体がダイアット（ポ
リスチレン系重合体を構成する単位が２種）の場合は８
５％以上、該ポリスチレン系重合体がペンタット（ポリ
スチレン系重合体を構成する単位が５種）の場合は５０
％以上であることが好ましい。

【００１１】上記ポリスチレン系重合体としては、ポリ
スチレン；ポリ（ｐ−、ｍ−またはｏ−メチルスチレ
ン）、ポリ（２，４−、２，５−、３，４−または３，
５−ジメチルスチレン）、ポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル
スチレン）等のポリ（アルキルスチレン）；ポリ（ｐ
−、ｍ−またはｏ−クロロスチレン）、ポリ（ｐ−、ｍ
−またはｏ−ブロモスチレン）、ポリ（ｐ−、ｍ−また
はｏ−フルオロスチレン）、ポリ（ｏ−メチル−ｐ−フ
ルオロスチレン）等のポリ（ハロゲン化スチレン）；ポ
リ（ｐ−、ｍ−またはｏ−クロロメチルスチレン）等の
ポリ（ハロゲン化アルキルスチレン）；ポリ（ｐ−、ｍ
−またはｏ−メトキシスチレン）、ポリ（ｐ−、ｍ−ま
たはｏ−エトキシスチレン）等のポリ（アルキコキシス
チレン）；ポリ（ｐ−、ｍ−またはｏ−カルボキシメチ
ルスチレン）等のポリ（カルボキシアルキルスチレ
ン）；ポリ（ｐ−ビニルベンジルプロピルエーテル）等
のポリ（アルキルエーテルスチレン）；ポリ（ｐ−トリ
メチルシリルスチレン）等のポリ（アルキルシリルスチ
レン）；ポリ（ビニルベンジルジメトキシホスファイ
ト）等が挙げられる。中でも、ポリスチレンが特に好ま
しい。さらに、上記ポリスチレン系重合体は、単独で
も、あるいは２種以上が含有されていてもよい。さら
に、上記ポリスチレン系重合体が、上記範囲のタクティ
シティを有するシンジオタクチック構造であれば、アタ
クチック構造またはアイソタクチック構造のポリスチレ
ン系重合体との混合物、共重合体またはそれらの混合物
であってもよい。ここで、アタクチック構造とは、その
分子構造が、主鎖の炭素原子の一つおきに存在する不斉
炭素原子に対して、置換基がｄ型とｌ型にランダムに配
置されている立体構造である。アイソタクチック構造と
は、その分子構造が、主鎖の炭素原子の一つおきに存在
する不斉炭素原子に対して、置換基がｄ型のみまたはｌ
型のみに配置されている立体構造である。

【００１２】上記ポリスチレン系重合体の重量平均分子
量は、好ましくは、１００００以上、より好ましくは５
００００以上である。上記ポリスチレン系重合体の重量
平均分子量が１００００未満の場合、強伸度特性および
熱安定性を有するフィルムを得ることができない恐れが
ある。該重量平均分子量の上限は、特に限定されない
が、１５０００００以上の場合、得られるフィルムが、
延伸張力の増大に伴い、破断する恐れがあるので好まし
くない。

【００１３】上記ポリスチレン系重合体を含有する樹脂
組成物には、得られるポリスチレン系フィルムの表面に
滑り性を付与するために、上記ポリスチレン系重合体に
加えて不活性な粒子が含有されていてもよい。この不活
性な粒子は有機粒子であっても無機粒子であってもよ
い。無機不活性粒子の素材としては、シリカ、二酸化チ
タン、タルク、カオリナイト等の金属酸化物；炭酸カル
シウム、リン酸カルシウム、硫酸バリウム等の金属の塩
が挙げられる。有機不活性粒子の素材としては、架橋ポ
リスチレン樹脂、架橋アクリル樹脂、ベンゾグアナミン
樹脂、シリコン樹脂、および架橋ポリエステル樹脂等の
ポリマーが挙げられる。これらの不活性粒子は単独ある
いは２種以上が含有されていてもよい。

【００１４】上記不活性粒子の平均粒径は０．０１〜
３．５μｍが好ましい。さらに、上記不活性粒子の粒径
のバラツキ度は２５％以下が好ましい。ここで、粒径の
バラツキ度とは、粒径の標準偏差／平均粒径で表される
ものである。さらに上記不活性粒子の含有量は、ポリス
チレン系重合体１００重量部に対して０．００５〜２．
０重量部が好ましく、特に０．００５〜１．０重量部で
あることが好ましい。さらに、上記不活性粒子の形状
は、下記式で表される面積形状係数が６０％以上である
ような不活性粒子が少なくとも１種含有されていること
が、得られるフィルムの走行性の点から好ましい。ただ
し、本発明のフィルムをコンデンサ用に使用する場合に
は、絶縁破壊特性の点から、下記式で表される面積形状
係数が８０％以下であるような不活性粒子が含有される
ことが好ましい。

【００１５】

【数１】

【００１６】上記ポリスチレン系重合体を含有する樹脂
組成物には、必要に応じて、公知の酸化防止剤、帯電防
止剤等の添加剤が含有されていてもよい。該添加剤の含
有量は、上記ポリスチレン系重合体１００重量部に対し
て１０重量部以下であることが好ましい。該添加剤の含
有量が１０重量部を超える場合には、上記ポリスチレン
系重合体を含有する樹脂組成物からなる未延伸フィルム
を延伸する際に破断する恐れがある。

【００１７】本発明のポリスチレン系フィルムは、上記
ベースフィルムの少なくとも一表面上に金属および／ま
たは金属酸化物の薄膜層を有する。

【００１８】上記薄膜層の素材は特に限定されず、得ら
れるポリスチレン系フィルムの用途によって決められ
る。例えば、磁気記録媒体用には、上記薄膜層の素材
は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅおよびこれらの合金または
これらの金属の酸化物が挙げられ、コンデンサ用には、
上記薄膜層の素材は、Ａｌ、Ｚｎ等の金属が挙げられ、
さらに透明導電フィルム用には、上記薄膜層の素材は、
酸化インジウム、酸化錫、金等が挙げられる。

【００１９】本発明のポリスチレン系フィルムにおいて
は、必要に応じて、上記ベースフィルムと薄膜層の間ま
たは上記薄膜層が設けられていないベースフィルム面上
に、公知の各種機能、例えば、静電防止性、易接着性、
走行易滑性、または走行耐擦傷性を付与し得るコーティ
ング層等を設けることができる。このようなコーティン
グ層を形成するには、例えば、フィルムの製膜中にイン
ラインコーティング方式により形成する方法、フィルム
の延伸および熱固定が終了した後にオフラインコーティ
ング方式により形成する方法が採用される。

【００２０】本発明のポリスチレン系フィルムを製造す
る方法は特に制限されず、任意の方法が採用され得る
が、例えば以下の製造方法がある。まず上記シンジオタ
クチック構造を有するポリスチレン系重合体を用いてベ
ースフィルムの調製を行う。ベースフィルム調製時に
は、フィルム表面に突起を形成させるために上記不活性
粒子を添加することが推奨される。ベースフィルムは、
例えば常法により、縦および横方向に２軸延伸して形成
される。縦延伸および横延伸を順に行う逐次延伸方法の
ほか、横・縦・縦延伸法、縦・横・縦延伸法、縦・縦・
横延伸法のような延伸方法が採用される。ポリスチレン
フィルムを２軸延伸した後、テンター中で熱処理を行
う。熱処理後には、横方向および縦方向に緩和処理を行
ってもよい。

【００２１】本発明のポリスチレン系フィルムは、高温
における熱安定性の優れたフィルムを要求されることが
ある。その場合には、上記ベースフィルムの調製時にお
ける延伸方法のほかに、延伸の条件が高温における熱安
定性に大きく影響する。特に２００℃の熱収縮率が３％
以下というような、優れた熱安定性を有するためには、
熱固定処理を冷結晶化温度から融点、好ましくは２００
℃から融点の範囲で行い、縦弛緩処理および横弛緩処理
をガラス転移点から熱セット温度、好ましくは１５０℃
からセット温度の範囲で行うことが望ましい。次いで、
上記のようにして得られたベースフィルム上に薄膜層を
形成する。薄膜層を形成する方法は、形成されるべき薄
膜の種類により異なり、真空蒸着法、イオンプレーティ
ング法、スパッタリング法、プラズマ蒸着法、メッキ
法、コーティング法、フィルムのラミネーションなどが
ある。例えば、金属、金属酸化物などの薄膜は真空蒸着
法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、プラ
ズマ蒸着法などにより好適に形成され得る。

【００２２】ベースフィルムを製膜する際の熱固定処
理、弛緩処理および延伸処理条件ならびに不活性粒子の
種類、添加量、平均粒径、バラツキ度および形状によ
り、本発明のポリスチレン系フィルムの薄膜層表面の三
次元表面粗さＳ△ａが０．００４〜０．０４であり、実
質的に１μｍ以上の突起がなく、そして、熱安定性に優
れたフィルムが得られる。

【００２３】このようにして得られるポリスチレン系フ
ィルムの２００℃における熱収縮率は、３％以下、好ま
しくは２％以下、さらに好ましくは１％以下である。２
００℃における熱収縮率が３％を越えると、薄膜層を例
えば、蒸着またはスパッタリング法で形成させる際にし
わが生じたり形成される薄膜の平面性が悪化するために
好ましくない。ここで、熱収縮率を下げるために高温に
フィルムを長時間さらすと脆さが増して耐摩耗性が不良
になるため、縦延伸処理後に緩和処理を行うこと、熱固
定温度および時間を一定範囲に保つこと、さらに必要に
応じて熱固定処理後に横および／または縦弛緩処理をす
ることが好ましい。ここで、縦延伸後の縦弛緩処理は延
伸温度以上融点未満の温度で、縦弛緩処理後のフィルム
の１５０℃の収縮率が５％以下になるように弛緩処理
し、熱固定処理は２２０℃以上融点未満の温度で３０秒
以内、好ましくは１０秒以内で行い、横および縦方向の
弛緩処理は熱固定処理の最高温度以下で平面性が乱れな
い程度に弛緩処理することが好ましい。

【００２４】このようにして形成された本発明のポリス
チレン系フィルムは、上記のように、その表面に実質的
に１μｍ以上の突起がない。１μｍ以上の突起があると
突起自身がキズ、ピンホール等の欠点となり、またフィ
ルムの走行時に突起がフィルムから脱落し、発生した粉
が薄膜のキズ、ピンホール等の原因となる。

【００２５】本発明のポリスチレン系フィルムの少なく
とも片面の三次元表面粗さＳ△ａは、上記のように、
０．００４〜０．０４の範囲内にある。Ｓ△ａが０．０
０４より小さいと長尺状のフィルムを走行させたときに
摩擦が大きくなり、走行性が不良となる。ロールなどと
の接触により摩擦が大きくなるため削れが発生する。Ｓ
△ａが０．０４を越えると耐摩擦性が低下するため同じ
力が加わっても削れが発生し、その削れた粉によりフィ
ルムに傷が生じるため好ましくない。

【００２６】このように、本発明のポリスチレン系フィ
ルムは、熱収縮率および表面の粗さが所定の条件を満足
するため、フィルムを走行させた場合にも薄膜層の表面
にフィルムの削れ粉が生じることがなく、従って、フィ
ルムの種々の特性（ガスバリヤー性、ドロップアウトを
生じないことなど）が良好である。

【００２７】

【実施例】次に本発明を実施例を挙げて具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例に限定されない。以下
に、実施例および比較例で作成されたポリスチレン系フ
ィルムおよび用いられる不活性粒子の特性を測定する方
法を以下に示す。

【００２８】１）ポリスチレン系フィルムの２００℃に
おける熱収縮率 ポリスチレン系フィルムを無張力の状態で、２００℃の
雰囲気中に３０分間放置した後、このフィルムの収縮率
を測定した。

【００２９】２）ポリスチレン系フィルムの三次元表面
粗さＳ△ａ ポリスチレン系フィルムの表面を触針式三次元表面粗さ
計（ＳＥ−３ＡＫ 株式会社小坂研究所社製）を用い、
針の半径２μｍ、荷重３０ｍｇの条件下で、ポリスチレ
ン系フィルムの長手方向に、カットオフ値０．２５ｍ
ｍ、２μｍ間隔で連続的に５００回、即ち、１ｍｍにわ
たって表面粗さを測定した。各点の高さを三次元粗さ解
析装置（ＳＰＡ−１１）に取り込ませた。

【００３０】ポリスチレン系フィルムの長手方向と直交
する方向について、２μｍ間隔で連続的に１５０回、即
ち、０．３ｍｍにわたって表面粗さを測定したこと以外
は、上記のポリスチレン系フィルムの長手方向の表面粗
さの測定と同様に行った。

【００３１】得られたデータを解析装置に取り込ませ、
その解析装置を用いてＳ△ａを求めた。

【００３２】３）ポリスチレン系フィルム表面の突起数 ベースフィルム表面にアルミニウムを薄く均一に蒸着し
た後、このポリスチレン系フィルムの表面の干渉縞を、
二光束干渉顕微鏡（Ｎａｃｈｅ社製）を用いて４００倍
で１ｍｍ²の面積について観察した。この干渉縞は突起
の高さに対応し、突起の周りにできたリング上の縞の数
が多いほど突起は高いと判断する。

【００３３】４）不活性粒子の平均粒径および粒径のバ
ラツキ度 不活性粒子をS-５１０型走査型電子顕微鏡（日立製作所
（株）製）で観察し、写真撮影したものを拡大して複写
し、不活性粒子の外形をトレースし、任意に２００個の
粒子を黒く塗りつぶした。それぞれの粒子について、黒
く塗りつぶしたトレース像の水平方向のフェレ径を画像
解析装置（ルーゼックス５００型ニコル社製）を用いて
測定した。この測定値の平均値を平均粒径とした。さら
にこの測定値より粒計の標準偏差を求め、下記式より粒
子のバラツキ度を求めた。

【００３４】

【数２】

【００３５】５）不活性粒子の面積形状係数 不活性粒子の平均粒径の測定で用いた不活性粒子のトレ
ース像から任意に２０個の粒子のトレース像を選択し、
画像解析装置（ルーゼックス５００型ニコル社製）を用
いてそれぞれの粒子の投影断面積を測定した。さらに上
記トレース像を用いてそれぞれの粒子について外接する
円の面積を算出し、下記式より粒子の面積形状係数を求
めた。

【００３６】

【数３】

【００３７】６）ポリスチレン系フィルムの走行性およ
び耐摩耗性 図１に記載の装置を用いて評価した。ポリスチレン系フ
ィルムを細幅にスリットし、ロールに巻回した長尺状の
フィルム１を得た。これを図１に示すように、金属ロー
ル（キャプスタン）２１および固定金属ピン２３を介し
て走行させた。一定の供給張力に対するガイドロール通
過後のベースフィルムの張力を張力検出装置２２により
測定した。張力および擦り傷の有無を次に示すように各
々５段階評価し、これを走行性の評価とした。ガイドロ
ール通過後の白粉のガイドロールへの付着量も次に示す
ように５段階評価し、これを耐摩耗性の評価とした。

【００３８】走行性の評価 １級・・張力大、擦り傷非常に多い ２級・・張力やや大、擦り傷多い ３級・・張力中、擦り傷ややあり ４級・・張力やや小、擦り傷ほとんどなし ５級・・張力小、擦り傷なし。

【００３９】ここで張力と擦り傷の得られた結果のラン
クが異なる場合、悪い方のランクを採用した。

【００４０】耐摩耗性の評価 １級・・白粉の発生非常に多い ２級・・白粉の発生多い ３級・・白粉の発生ややあり ４級・・白粉の発生ほとんどなし ５級・・白粉の発生なし。

【００４１】７）ポリスチレン系フィルムの薄膜欠点数 Co-Ni合金を１５００オングストロームの厚さで蒸着し
て薄膜層を形成し、その薄膜層を有するポリスチレン系
フィルムを１／２インチ幅にスリットした。このフィル
ムをＶＨＳ方式のビデオテープレコーダーに装着し、ド
ロップアウトカウンターを用いてドロップアウトの数を
測定した。これを相対評価した。

【００４２】８）ポリスチレン系フィルムの平面性 Co-Ni合金を１５００オングストロームの厚さで蒸着し
て薄膜層を形成し、その薄膜層を有するポリスチレン系
フィルムを５０ｃｍ幅にスリットした。このフィルムを
ロールから長さ２００ｃｍ巻出し、このフィルムの平面
性を目視で観察して５段階評価した。

【００４３】１級・・強い張力をかけても波打ちがフィ
ルムの全面にあり ２級・・強い張力をかけても波打ちがフィルム一部にあ
り ３級・・強い張力をかけると波打ちがない ４級・・弱い張力をかけると波打ちがない ５級・・張力をかけなくても波打ちがない。

【００４４】実施例１〜３ 不活性粒子として、平均粒径０．５μｍ、バラツキ度２
０％、面積形状係数８０％のシリカを、シンジオタクチ
ック構造を有するポリスチレン（重量平均分子量３００
０００）１００重量部に対して０．５重量部の割合で含
有するポリマーチップを調製した。これとは別に、不活
性粒子を含有しない上記ポリスチレンのポリマーチップ
を調製した。上記の不活性粒子を含有するポリマーチッ
プと不活性粒子を含有しないポリマーチップを重量比で
０．２対９．８（実施例１）、１対９（実施例２）、
２．８対７．２（実施例３）の割合で混合した後、乾燥
し、３０５℃で溶融した。これを厚さ８００μｍのリッ
プギャップダイを有するＴダイから押し出し、ついで、
静電印加法により、これを５０℃の冷却ロールに密着さ
せて、冷却固化し、厚さ１４０μｍの無定形のフィルム
を得た。

【００４５】上記無定形フィルムをロールを用いて９５
℃に予熱し、ついで、このフィルムを表面温度７００℃
の赤外線加熱ヒータ−を４本用いて加熱し、フィルム温
度１３０℃で長手方向に３．５倍延伸し、さらにこのフ
ィルムを１５０℃のセラミックロールと４０℃の金属ロ
ールとの間に挿入して長手方向に１２％弛緩処理した。
ついで、このフィルムをテンター内で１２０℃に予熱
し、フィルム温度１２０℃で長手方向と直交する方向に
３．３倍延伸し、さらにこのフィルムを２６０℃で１２
秒間熱固定処理した。ついでこのフィルムを２１５℃で
長手方向と直交する方向に３％弛緩処理し、その後２１
０℃で長手方向に２％弛緩処理した。得られた延伸ベー
スフィルムの厚さは１４μｍであった。このベースフィ
ルムの特性を表１に示す。このベースフィルムの一表面
上に、Ｃｏ−Ｎｉ合金を１５００オングストロームの厚
さに蒸着して薄膜層を形成した。得られたフィルムの薄
膜欠点数および平面性について評価した。その結果を表
１に示す。さらに、上記のベースフィルムの湿度膨張係
数は５×１０^-7／％ＲＨ、熱膨張係数は２×１０^-5／℃
と良好な値であったため、薄膜層を形成した後のフィル
ムの加工時または使用時の環境変化によるフィルムの寸
法安定性に優れ、かつフィルムの環境変化による薄膜層
の剥離、薄膜層を有するフィルムのひび割れ、そりおよ
び波打ち等の発生が生じなかった。

【００４６】比較例１および２ 不活性粒子として、平均粒径０．５μｍ、バラツキ度２
０％、面積形状係数８０％のシリカを、シンジオタクチ
ック構造を有するポリスチレン（重量平均分子量３００
０００）１００重量部に対して０．５重量部の割合で含
有するポリマーチップを調製した。これとは別に、不活
性粒子を含有しない上記ポリスチレンのポリマーチップ
を調製した。上記の不活性粒子を含有するポリマーチッ
プと不活性粒子を含有しないポリマーチップを重量比で
０．１対９．９（比較例１）、３対７（比較例２）の割
合で混合した後、乾燥し、３０５℃で溶融した。これを
厚さ８００μｍのリップギャップダイを有するＴダイか
ら押し出し、ついで、静電印加法により、これを５０℃
の冷却ロールに密着させて、冷却固化し、厚さ１４０μ
ｍの無定形のフィルムを得たこと以外は実施例１と同様
の操作を行った。得られた延伸ベースフィルムの厚さは
１４μｍであった。このベースフィルムの一表面上に、
Ｃｏ−Ｎｉ合金を１５００オングストロームの厚さに蒸
着して薄膜層を形成した。得られたフィルムの環境変化
による薄膜層の剥離、薄膜層を有するフィルムのひび割
れ、そりおよび波打ち等の発生が生じなかった。得られ
たフィルムの物性を表１に示す。

【００４７】比較例３ 不活性粒子として、平均粒径０．５μｍ、バラツキ度５
０％、面積形状係数８０％のシリカを、シンジオタクチ
ック構造を有するポリスチレン（重量平均分子量３００
０００）１００重量部に対して０．５重量部の割合で含
有するポリマーチップを調製した。これとは別に、不活
性粒子を含有しない上記ポリスチレンのポリマーチップ
を調製した。上記の不活性粒子を含有するポリマーチッ
プと不活性粒子を含有しないポリマーチップを重量比で
１対９の割合で混合した後、乾燥し、３０５℃で溶融し
た。これを厚さ８００μｍのリップギャップダイを有す
るＴダイから押し出し、ついで、静電印加法により、こ
れを５０℃の冷却ロールに密着させて、冷却固化し、厚
さ１４０μｍの無定形のフィルムを得たこと以外は実施
例１と同様の操作を行った。得られた延伸ベースフィル
ムの厚さは１４μｍであった。このベースフィルムの一
表面上に、Ｃｏ−Ｎｉ合金を１５００オングストローム
の厚さに蒸着して薄膜層を形成した。得られたフィルム
の環境変化による薄膜層の剥離、薄膜層を有するフィル
ムのひび割れ、そりおよび波打ち等の発生が生じなかっ
た。得られたフィルムの物性を表１に示す。

【００４８】実施例４ 不活性粒子として、平均粒径０．５μｍ、バラツキ度２
０％、面積形状係数８０％のシリカを、シンジオタクチ
ック構造を有するポリスチレン（重量平均分子量３００
０００）１００重量部に対して０．５重量部の割合で含
有するポリマーチップを調製した。これとは別に、不活
性粒子を含有しない上記ポリスチレンのポリマーチップ
を調製した。上記の不活性粒子を含有するポリマーチッ
プと不活性粒子を含有しないポリマーチップを重量比で
１対９の割合で混合した後、乾燥し、３０５℃で溶融し
た。これを厚さ８００μｍのリップギャップダイを有す
るＴダイから押し出し、ついで、静電印加法により、こ
れを５０℃の冷却ロールに密着させて、冷却固化し、厚
さ１４０μｍの無定形のフィルムを得た。上記無定形の
フィルムを、ロールによりフィルム温度を１０３℃に加
熱し、長手方向に３．５倍延伸し、次いで１５０℃のセ
ラミックロールと４０℃の金属ロールの間で長手方向に
１２％弛緩処理した後、テンターでフィルムを１２０℃
に予熱し、延伸温度１２０℃で長手方向と直交する方向
に３．３倍延伸し、２６０℃で１２秒熱処理固定した。
その後、２１５℃で長手方向と直交する方向に３％弛緩
処理し、さらに２１０℃で長手方向に２％弛緩処理した
こと以外は実施例１と同様の操作を行った。得られた延
伸ベースフィルムの厚さは１４μｍであった。このベー
スフィルムの一表面上に、Ｃｏ−Ｎｉ合金を１５００オ
ングストロームの厚さに蒸着して薄膜層を形成した結
果、フィルムに波打ちが発生した。得られたフィルムの
物性を表１に示す。

【００４９】比較例４ 不活性粒子として、平均粒径０．５μｍ、バラツキ度２
０％、面積形状係数８０％のシリカを、シンジオタクチ
ック構造を有するポリスチレン（重量平均分子量３００
０００）１００重量部に対して０．５重量部の割合で含
有するポリマーチップを調製した。これとは別に、不活
性粒子を含有しない上記ポリスチレンのポリマーチップ
を調製した。上記の不活性粒子を含有するポリマーチッ
プと不活性粒子を含有しないポリマーチップを重量比で
１対９の割合で混合した後、乾燥し、３０５℃で溶融し
た。これを厚さ８００μｍのリップギャップダイを有す
るＴダイから押し出し、ついで、静電印加法により、こ
れを５０℃の冷却ロールに密着させて、冷却固化し、厚
さ１３０μｍの無定形のフィルムを得た。

【００５０】上記無定形フィルムを、ロールを用いて１
０３℃に加熱し、ついで、このフィルムをロールにより
加熱して、フィルム温度１０３℃で長手方向に３．５倍
延伸した後、テンターでフィルムを１２０℃に予熱し、
延伸温度１２０℃で長手方向と直交する方向に３．３倍
延伸し、２６０℃で１２秒熱処理固定した。その後、２
１５℃で長手方向と直交する方向に３％弛緩処理し、さ
らに２１０℃で長手方向に２％弛緩処理したこと以外は
実施例１と同様の操作を行った。得られた延伸ベースフ
ィルムの厚さは１４μｍであった。このベースフィルム
の一表面上に、Ｃｏ−Ｎｉ合金を１５００オングストロ
ームの厚さに蒸着して薄膜層を形成した結果、フィルム
に波打ちが発生した。得られたフィルムの物性を表１に
示す。

【００５１】比較例５ 不活性粒子として、平均粒径０．５μｍ、バラツキ度５
０％、面積形状係数８０％のシリカを、シンジオタクチ
ック構造を有するポリスチレン（重量平均分子量３００
０００）１００重量部に対して０．５重量部の割合で含
有するポリマーチップを調製した。これとは別に、不活
性粒子を含有しない上記ポリスチレンのポリマーチップ
を調製した。上記の不活性粒子を含有するポリマーチッ
プと不活性粒子を含有しないポリマーチップを重量比で
１対９の割合で混合した後、乾燥し、３０５℃で溶融し
た。これを厚さ８００μｍのリップギャップダイを有す
るＴダイから押し出し、ついで、静電印加法により、こ
れを５０℃の冷却ロールに密着させて、冷却固化し、厚
さ１２０μｍの無定形のフィルムを得た。

【００５２】上記無定形フィルムを、ロールを用いて１
０３℃に加熱し、長手方向に３．０倍延伸し、さらにこ
のフィルムを２７０℃で２０秒熱固定処理した。熱固定
処理後の弛緩処理は行わなかったこと以外は実施例１と
同様の操作を行った。得られた延伸ベースフィルムの厚
さは１４μｍであった。このベースフィルムの特性を表
１に示す。

【００５３】

【表１】

【００５４】表１より、実施例１〜４で得られたベース
フィルムおよび薄膜層を有するポリスチレンフィルム
は、薄膜層を形成した後のフィルムの加工時または使用
時の環境変化によるフィルムの寸法安定性に優れ、かつ
フィルムの環境変化による薄膜層の剥離、薄膜層を有す
るフィルムのひび割れ、そりおよび波打ち等の発生が生
じなかった。

【００５５】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
ポリスチレン系フィルムはベースフィルム表面に金属、
金属酸化物などの薄膜を有し、熱安定性を有し（高温下
でも熱収縮がない）、走行性および耐摩耗性に優れ、走
行時に薄膜層の表面に削れ粉が発生しない。このフィル
ムは、コンデンサ、磁気記録媒体、透明導電フィルム、
フレキシブルプリント基板、ガスバリアフィルム、フレ
キシブル太陽電池等に利用される。

【図面の簡単な説明】

【図１】フィルムの走行性および耐摩耗性を評価するた
めに用いられる装置の模式図である。

【符号の説明】

１ フィルム ２１ キャプスタン ２２ 張力検出装置 ２３ 固定金属ピン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥平 正 滋賀県大津市堅田二丁目１番１号 東洋 紡績株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 平３−109454（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−86706（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−95723（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−91548（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C08J 7/04 - 7/06 B32B 27/00 - 27/42 B32B 9/04

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 シンジオタクチック構造を有するポリス
   チレン系重合体および不活性粒子を含有する樹脂組成物
   からなるベースフィルムと、該ベースフィルムの少なく
   とも一表面上に設けられた金属および／または金属酸化
   物の薄膜層とを含有するポリスチレン系フィルムであっ
   て、 該ポリスチレン系フィルムの２００℃における熱収縮率
   が、３％以下であり、 該ポリスチレン系フィルムの薄膜層表面に１μｍ以上の
   突起がなく、かつ該ポリスチレン系フィルムの薄膜層の
   三次元表面粗さＳ△ａが、０．００４〜０．０４であ
   る、 ポリスチレン系フィルム。