JP3305022B2 - 電極基板 - Google Patents
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Description
形成させるための電極基板、殊に、液晶セル製造のため
の電極基板に関するものである。
きの2枚の電極基板の透明電極側を対向配置すると共
に、両電極基板の間隙に液晶を封入した構成を有する。
そして液晶表示パネルは、典型的には、液晶セルの片面
に偏光板、他面には位相差板を介して偏光板を積層する
ことにより作製される。位相差板を省略したり、位相差
板に代えて補償用液晶セルを用いることもある。
板が用いられていたが、重いこと、破損しやすいこと、
薄型化に限界があることなどの問題点があるため、この
電極基板をプラスチックス製とすることもなされている
(たとえば、本出願人の出願にかかる特開昭63−71
829号公報など)。
明導電膜からなる電極を有する透明プラスチック基板を
用いた表示用パネルにおいて、該透明プラスチック基板
の片面または両面に金属酸化物膜を形成した表示用パネ
ルが示されている。ここで金属酸化物膜とは、酸化チタ
ン、酸化ジルコニウム、酸化クロム、酸化タングステ
ン、酸化ニッケルなどの遷移金属酸化物、酸化ケイ素、
酸化ゲルマニウム、酸化スズ、酸化鉛などの第四族a族
元素の酸化物、酸化インジウムなどの第三族a族元素の
酸化物、およびそれら酸化物の混合膜、多層膜であり、
その実施例では二酸化ケイ素、酸化チタンを用いてい
る。透明プラスチック基板としては、実施例ではポリア
リレートフィルム、ポリサルフォンフィルム、トリアセ
チルセルロースフィルムを用いている。
0−190342号公報)には、ポリビニルアルコー
ル、エチレン・ビニルアルコール共重合体、三弗化モノ
クロロエチレンまたは透明金属酸化物等のガスおよび水
蒸気バリアー層を含む全光線透過率が70%以上の透明
な高分子フィルムの表面に50〜1000オングストロ
ームの層厚みからなる金属酸化物の透明導電性層を構成
した高ガスバリアー性透明導電性フィルムが示されてい
る。ここで透明金属酸化物については詳しい説明はない
が、実施例4では酸化ケイ素蒸着層を用いている。この
高ガスバリアー性透明導電性フィルムは、液晶表示用透
明導電体、すなわち液晶セル製造用の透明電極付き電極
基板である。
特開昭55−105222号公報や特公昭62−517
40号公報に記載の「高分子シート/金属酸化物」の基
本構成を有する電極基板は、硬い金属酸化物の層を有し
ているにかかわらず、耐スクラッチ性および表面硬度の
点で実用化にはなお改善の余地があった。
スクラッチ性および表面硬度を顕著に改善した透明電極
形成用の電極基板(殊に液晶セル製造のための電極基
板)を提供することを目的とするものである。
は、その表面に透明電極(2) を形成させるための電極基
板(1) であって、該電極基板(1) が、高分子シート製の
光等方性ベースシート(11)の少なくとも片面にSiOx
(ただし、1<x<2)層(12)を介して硬化性樹脂硬化
物層(13)を設けた積層シートからなることを特徴とする
ものである。
に透明電極(2) を形成させるための電極基板(1) であっ
て、該電極基板(1) が、高分子シート製の光等方性ベー
スシート(11)の少なくとも片面に硬化性樹脂硬化物層(1
3)を介してSiOx (ただし、1<x<2)層(12)を設
けた積層シートからなることを特徴とするものである。
ースシート(11)/SiOx 層(12)/硬化性樹脂硬化物層
(13)、 光等方性ベースシート(11)/硬化性樹脂硬化
物層(13)/SiOx 層(12)、のいずれかの層構成を有す
る積層シートからなる。の場合は、光等方性ベースシ
ート(11)と硬化性樹脂硬化物層(13)との間にアンカーコ
ーティング層(ac)を介在させることもできる。
な機械的強度を有する高分子シート、たとえば、硬質ポ
リ塩化ビニルフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、
ポリカーボネートフィルム、ポリスチレンフィルム、ポ
リエステルフィルム、ポリスルホンフィルム、ポリ−4
−メチルペンテンフィルム、ポリフェニレンオキサイド
フィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリアリレ
ートフィルム、アモルファスポリオレフィン、ノルボル
ネン系ポリマー、ポリビニルアルコールフィルム、エチ
レン−ビニルアルコール共重合体フィルム、セルロース
フィルム(セルローストリアセテート、セルロースジア
セテート、セルロースアセテートブチレート等)などが
用いられる。この光等方性ベースシート(11)は、単層の
みならず、複層であってもよい。
ることが必要であるので、レターデーション値が30nm
以下、殊に20nm以下のフィルムであって、可視光線透
過率が75%以上のものが用いられる。このような光等
方性ベースシート(11)は、流延法により製膜することに
より得られるが、レターデーション値および可視光線透
過率が上記の条件を満足していれば、押出法など他の成
形法を採用することもできる。光等方性ベースシート(1
1)の厚さは、たとえば30〜500μm 程度が適当であ
る。
性、光等方性ベースシート(11)または硬化性樹脂硬化物
層(13)に対する密着性、無着色性、ITO密着性などの
点を総合考慮すると、SiOx (ただし、1<x<2)
で示される層が用いられる。SiO2 で示される二酸化
ケイ素は、SiOx (ただし、1<x<2)に比すれば
性質が不足する。
SiOx 層(12)の厚さは、200〜2000オングスト
ロームとすることが望ましく、その厚さが余りに薄いと
きは改質効果を欠き、一方余りに厚いときは透明性が損
なわれる。
化型樹脂硬化物層(フェノキシエーテル型架橋性樹脂、
エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、アクリルシリコーン
樹脂、シリコーン樹脂、メラミン系樹脂、フェノール系
樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂等)、紫外線硬化型
樹脂硬化物層(紫外線硬化型アクリル系樹脂、ホスファ
ゼン系樹脂等)、電子線硬化型樹脂硬化物層などがあげ
られる。厚さは 0.5〜50μm 程度とすることが多い。
この硬化性樹脂硬化物層(13)も光等方性を有することが
必要である。
(1) 全体のレターデーション値、可視光線透過率につい
ても、それぞれ30nm以下、75%以下となるように留
意する。
層(上記の場合は光等方性ベースシート(11)、の場
合は硬化性樹脂硬化物層(13))上に形成される。硬化性
樹脂硬化物層(13)は、通常は流延法により下層(上記
の場合は金属酸化物層(12)、の場合は光等方性ベース
シート(11)またはアンカーコーティング層(ac))上に形
成される。
樹脂硬化物層(13)を形成させる場合には、形成した硬化
性樹脂硬化物層(13)の表面粗度を 0.5μm 以下、好まし
くは0.2μm 以下、さらに好ましくは 0.1μm 以下とな
るようにすることが望ましい。
ように小さくする方法としては、たとえば、以下に述べ
る第1、第2または第3の方法が採用される。
ースシート(11)、光等方性ベースシート(11)/アンカー
コーティング層(ac)、または光等方性ベースシート(11)
/金属酸化物層(12)からなる積層物のいずれか(以下、
下地シートという)と平滑化鋳型材(F) との間隙に加熱
硬化型樹脂組成物、紫外線硬化型樹脂組成物または電子
線硬化型樹脂組成物を供給して該樹脂組成物が両者間に
層状に挟持されるようにする。この場合、下地シートが
一つの製膜用ロールに、平滑化鋳型材(F) がもう一つの
製膜用ロールにそれぞれ供給されるようにしておき、両
製膜ロール間の間隙は所定の値に調整しておく。つい
で、加熱、紫外線照射または電子線照射により上記の挟
持層を硬化させて硬化性樹脂硬化物層(13)となす。これ
により、下地層/硬化性樹脂硬化物層(13)/平滑化鋳型
材(F) よりなる積層体が得られるので、爾後の適宜の段
階でその積層体から平滑化鋳型材(F) を剥離除去する。
二軸延伸ポリエチレンテレフタレートシート、二軸延伸
ポリブチレンテレフタレートシート、二軸延伸ポリエチ
レンナフタレートシート等の二軸延伸ポリエステルフィ
ルムや、二軸延伸ポリプロピレフィルムなどが用いられ
る。平滑化鋳型材(F) としては、その表面粗度が0.15μ
m 以下、好ましくは0.05μm 以下、さらには0.01μm 以
下であるものを用いる。
型材(F) の一方に加熱硬化型樹脂組成物、紫外線硬化型
樹脂組成物または電子線硬化型樹脂組成物を流延してお
き、該流延層に平滑化鋳型材(F) または下地シートを被
覆させながらロールの間隙により挟持層の厚さを制御し
つつ、加熱、紫外線照射または電子線照射によりその挟
持層を硬化させて硬化性樹脂硬化物層(13)となす方法で
ある。
樹脂組成物、紫外線硬化型樹脂組成物または電子線硬化
型樹脂組成物を流延しておき、該流延層に平滑化鋳型材
(F)としての平滑加工したガラスを押し当てながら挟持
層の厚さを制御しつつ、加熱、紫外線照射または電子線
照射によりその挟持層を硬化させて硬化性樹脂硬化物層
(13)となす方法である。この方法においては、使用した
ガラスを反復使用する。
(1) の硬化性樹脂硬化物層(13)(上記の場合)または
SiOx 層(12)(上記の場合)上には、真空蒸着法、
スパッタリング法、イオンプレーティング法、金属溶射
法、金属メッキ法などの手段によりパターン状またはベ
タ状の透明電極(2)を形成する。透明電極(2)の厚さは
100オングストローム以上で、透明性が損なわれない
範囲(慨ね2000オングストローム以下)とする。透
明電極(2)の素材としてはITOが好適であるが、他の
導電性金属酸化物を用いることもできる。
必要に応じて配向膜を形成させる。そしてこのようにし
て作製した透明電極(2)付きの電極基板(1) 2枚をそれ
ぞれの透明電極(2)側が対向する状態で所定の間隔をあ
けて配置すると共に、その間隙に液晶を封入すれば(周
囲はシールしておく)、液晶セルが作製される。液晶と
してはポリマー液晶を用いることもできる。
偏光板、他面には位相差板を介して偏光板を積層するこ
とにより作製される。位相差板を省略したり、位相差板
に代えて補償用液晶セルを用いることもある。なお上記
の電極基板(1) は、偏光板または位相差板と一体とした
一体型基板とすることもできる。
は、 光等方性ベースシート(11)/SiOx 層(12)/
硬化性樹脂硬化物層(13)、 光等方性ベースシート(1
1)/硬化性樹脂硬化物層(13)/SiOx 層(12)、のいず
れかの層構成を有する積層シートからなる。
スシート(11)に耐スクラッチ性、表面硬度、耐透湿性、
耐熱性、耐溶剤性などの性質を付与するのに貢献する。
SiOx 層(12)は、光等方性ベースシート(11)に耐スク
ラッチ性、表面硬度、耐透湿性、耐透気性、耐熱性、耐
溶剤性などの性質を付与するのに貢献する。また最外層
がSiOx 層(12)および硬化性樹脂硬化物層(13)のいず
れの場合であっても、ITOなどの透明電極(2)の密着
性が良好である。
たはSiOx 層(12)は、下層のSiOx 層(12)または硬
化性樹脂硬化物層(13)と協力して、一段と耐スクラッチ
性および表面硬度を向上させる役割を果たす。すなわ
ち、下層である硬いSiOx 層(12)または硬化性樹脂硬
化物層(13)上に硬化性樹脂硬化物層(13)またはSiOx
層(12)が配置しているので、耐スクラッチ性および表面
硬度の向上が達成できるのである。さらに述べると、光
等方性ベースシート(11)からなる柔らかい下層の上に硬
い上層であるSiOx 層(12)あるいは硬化性樹脂硬化物
層(13)のみを形成しても、耐スクラッチ性および表面硬
度の顕著な向上は望みえないのである。
Ox 層(12)が光等方性ベースシート(11)と硬化性樹脂硬
化物層(13)とでサンドイッチされているので、保護板
(1) の取り扱い中に曲げ力が加わっても、SiOx 層(1
2)に割れなどのトラブルを生ずることがないという格別
の作用効果が奏される。
る。以下「部」とあるのは重量部である。
であり、透明電極(2)を付した状態を示してある。図2
はその電極基板を用いて作製した液晶セルの一例を模式
的に示した断面図である。
リアリレートフィルムを準備した。このフィルムは、塩
化メチレンを溶媒とする20重量%濃度の溶液から流延
法により製膜されたものである。厚さは70μm 、レタ
ーデーション値は5nm、可視光線透過率は92%であ
る。
溶性四級化エステルウレタン系アンカーコーティング剤
を塗布、乾燥し、厚さ 1.0μm のアンカーコーティング
層(ac)を形成させた。
他面にも厚さ 1.0μm のアンカーコーティング層(ac)を
形成させた。
の製膜用ロールの一方に上記の光等方性ベースシート(1
1)を供給しながら走行させ、もう一方の製膜用ロールに
は平滑化鋳型材(F) の一例としての厚さ50μm 、表面
粗度 0.004μm のコロナ放電処理していない二軸延伸ポ
リエチレンテレフタレートフィルム(帝人株式会社製O
タイプ)の平滑面が上面となるように供給しながら走行
させ、両製膜用ロールの間隙に向けて、新日鉄化学株式
会社製のエポキシアクリル樹脂「V−254PA」10
0部にベンゾフェノン1部を加えた紫外線硬化型樹脂組
成物を吐出した。
等方性ベースシート(11)のアンカーコーティング層(ac)
形成側の面と平滑化鋳型材(F) の平滑面との間に挟持さ
れたので、この状態で走行させながら、高圧水銀灯によ
り、120W/cm 、1灯、3秒、距離200mmの条件で
紫外線照射した。これにより挟持層は硬化し、厚さ8μ
m の硬化性樹脂硬化物層(13)となった。
他面に対しても実施し、当該他面にも厚さ7μm の硬化
性樹脂硬化物層(13)を形成させた。
脂硬化物層(13)/アンカーコーティング層(ac)/光等方
性ベースシート(11)/アンカーコーティング層(ac)/硬
化性樹脂硬化物層(13)/平滑化鋳型材(F) の層構成を有
する積層体が得られた。平滑化鋳型材(F) を剥離除去し
た後の硬化性樹脂硬化物層(13)の表面粗度は、光の干渉
を利用した非接触式表面粗さ計による測定で 0.1μm 以
下であった。
(F) を剥離除去し、露出した硬化性樹脂硬化物層(13)上
に、厚さ1000オングストロームのSiOx (ただ
し、xは1と2の間)の層からなるSiOx 層(12)を蒸
着法により形成させた。硬化性樹脂硬化物層(13)に対す
るSiOx 層(12)の密着性は良好であった。
(F) を剥離除去した電極基板(1) は、最外層がSiOx
層(12)で形成され、さらにその下層にも硬い硬化性樹脂
硬化物層(13)で位置しているので、耐損傷性(耐スクラ
ッチ性)および表面硬度が極めてすぐれており、また耐
透湿性、耐透気性、耐熱性、耐溶剤性、ITO密着性な
どの性質もすぐれている。
SiOx 層(12)/硬化性樹脂硬化物層(13)/アンカーコ
ーティング層(ac)/光等方性ベースシート(11)/アンカ
ーコーティング層(ac)/硬化性樹脂硬化物層(13)の層構
成を有し、全体のレターデーション値は5nm、可視光線
透過率は84%、厚さは87μm であった。
スパッタリング法により厚さ500オングストロームの
ITO層からなる透明電極(2) を形成させ、透明電極
(2) 付きの電極基板(1) を得た。
極基板(1) の透明電極(2) 面に必要に応じて配向膜を形
成した後、図2のようにその透明電極(2)付きの電極基
板(1) 2枚をそれぞれの透明電極(2)が対向する状態で
所定の間隔をあけて配置すると共に、その間隙に液晶
(3) を封入することにより作製される。図2中、(4) は
シールである。
偏光板、他面に位相差板を介して偏光板を積層すること
により作製される。
/硬化性樹脂硬化物層(13)/アンカーコーティング層(a
c)/光等方性ベースシート(11)/アンカーコーティング
層(ac)/硬化性樹脂硬化物層(13)の層構成を有するが、
SiOx 層(12)/硬化性樹脂硬化物層(13)/アンカーコ
ーティング層(ac)/光等方性ベースシート(11)の層構成
とすることもできる。
面図であり、透明電極(2) を付した状態を示してある。
リカーボネートフィルム(流延製膜品)を準備した。厚
さは80μm 、レターデーション値は5nm、可視光線透
過率は90%である。
厚さ1000オングストロームのSiOx (ただし、x
は1と2の間)の層からなるSiOx 層(12)を蒸着法に
より直接形成させた。光等方性ベースシート(11)に対す
るSiOx 層(12)の密着性は良好であった。同様にし
て、光等方性ベースシート(11)の他面にも厚さ1000
オングストロームのSiOx 層(12)を形成させた。
シート(11)を走行させながら、その上から、フェノキシ
エーテル樹脂(東都化成株式会社製)40部、メチルエ
チルケトン40部、セロソルブアセテート20部、トリ
レンジイソシアネートとトリメチロールプロパンとのア
ダクト体の75%溶液(日本ポリウレタン工業株式会社
製のコロネートL)40部よりなる組成の硬化性樹脂組
成物を用いて塗布し、80℃で4分間乾燥してから、そ
の上に実施例1で用いたのと同じ平滑化鋳型材(F) を被
覆し、ロール群間を通して圧着しながら130℃で20
分間加熱した。これにより塗布層は硬化し、厚さ7μm
の硬化性樹脂硬化物層(13)となった。同様にしてSiO
x 層(12)付きの光等方性ベースシート(11)の他面にも、
厚さ6μm の硬化性樹脂硬化物層(13)を形成させた。
脂硬化物層(13)/SiOx 層(12)/光等方性ベースシー
ト(11)/SiOx 層(12)/硬化性樹脂硬化物層(13)/平
滑化鋳型材(F) の層構成を有する積層体が得られた。平
滑化鋳型材(F) を剥離除去した後の硬化性樹脂硬化物層
(13)の表面粗度は、光の干渉を利用した非接触式表面粗
さ計による測定で 0.1μm 以下であり、両側の平滑化鋳
型材(F) を剥離除去した後の全体のレターデーション値
は5nm、可視光線透過率は82%、厚さは93μm であ
った。
剥離除去した電極基板(1) は、最外層が硬化性樹脂硬化
物層(13)で形成され、さらにその下層には硬いSiOx
層(12)で位置しているので、耐損傷性(耐スクラッチ
性)および表面硬度が極めてすぐれており、また耐透湿
性、耐透気性、耐熱性、耐溶剤性、ITO密着性などの
性質もすぐれている。加えてSiOx 層(12)は光等方性
ベースシート(11)と硬化性樹脂硬化物層(13)との間にサ
ンドイッチされているので、曲げ方向の力が加わっても
SiOx 層(12)に割れなどのトラブルを生ずることがな
い。
脂硬化物層(13)の上から、スパッタリング法により厚さ
500オングストロームのITO層からなる透明電極
(2) を形成させ、透明電極(2) 付きの電極基板(1) を得
た。
実施例1の場合と同様にして行うことができる。
化物層(13)/SiOx 層(12)/光等方性ベースシート(1
1)/SiOx 層(12)/硬化性樹脂硬化物層(13)の層構成
を有するが、硬化性樹脂硬化物層(13)/SiOx 層(12)
/光等方性ベースシート(11)の層構成とすることもでき
る。
板であることの利点のほか、・ 下層である硬いSiOx 層(12)または硬化性樹脂硬化
物層(13)上に硬化性樹脂硬化物層(13)またはSiOx 層
(12)が配置しているので、耐スクラッチ性および表面硬
度が極めてすぐれていること、・ 耐透湿性、耐透気性、耐熱性、耐溶剤性、ITO密着
性などの性質もすぐれていること、・ 電極基板(1) の層構成が光等方性ベースシート(11)/
SiOx 層(12)/硬化性樹脂硬化物層(13)であるとき
は、SiOx 層(12)が光等方性ベースシート(11)と硬化
性樹脂硬化物層(13)とでサンドイッチされているので、
電極基板(1) やそれを用いた液晶セルの取り扱い中に曲
げ方向の力が加わっても、SiOx 層(12)に割れなどの
トラブルを生じないこと、・SiOx 層 (12)の設置は安価にできるので、コスト的
にも負担にならないこと、などのすぐれた効果を奏す
る。
図であり、透明電極(2) を付した状態を示してある。
例を模式的に示した断面図である。
断面図であり、透明電極(2) を付した状態を示してあ
る。
SiOx 層、(13)…硬化性樹脂硬化物層、(ac)…アンカ
ーコーティング層、(2) …透明電極、(3) …液晶、(4)
…シール
Claims (3)
- 【請求項1】その表面に透明電極(2) を形成させるため
の電極基板(1) であって、該電極基板(1) が、高分子シ
ート製の光等方性ベースシート(11)の少なくとも片面に
SiOx (ただし、1<x<2)層(12)を介して硬化性
樹脂硬化物層(13)を設けた積層シートからなることを特
徴とする電極基板。 - 【請求項2】その表面に透明電極(2) を形成させるため
の電極基板(1) であって、該電極基板(1) が、高分子シ
ート製の光等方性ベースシート(11)の少なくとも片面に
硬化性樹脂硬化物層(13)を介してSiOx (ただし、1
<x<2)層(12)を設けた積層シートからなることを特
徴とする電極基板。 - 【請求項3】電極基板(1) が、液晶セル製造のための電
極基板である請求項1または2記載の電極基板。
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