JP3297498B2 - Icカード - Google Patents
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Description
に詳しくはカードを構成するパネル、プリント基板、ス
ペーサー、中間保護板及びフレームの少くとも一つが、
低吸湿性で耐熱性の高いポリエステルフイルムからつく
られたICカードに関する。
コンカードに大別されるが、特にICメモリカードは、
高速動作、低消費電力、小形・軽量かつ振動・衝撃に強
いことから、携帯用機器例えば電子手帳、電子スチール
カメラ、ノートブック型パソコン、電子辞書等の外部記
憶装置として、普及促進が進んでいる。
質塩化ビニール樹脂、金属、ポリイミド樹脂、エポキシ
樹脂等が使用されているが、高分子素材については耐熱
性、耐屈曲性、耐溶剤性、剛性、コスト等の点で必ずし
も満足な状況ではない。また、金属については重量、絶
縁性、耐蝕性等で難点もある。例えば、ICカードの高
温保存時の品質確保を可能とするため、フレーム等は耐
熱性が重要であるが、硬質塩化ビニル樹脂は熱や溶剤に
弱く、またカード構成時の接着性も低い。
カードを構成するパネル、プリント基板、スペーサー、
中間保護板及びフレームの少くとも一つが、耐熱性、耐
屈曲性、耐溶剤性、接着性、低吸湿性等に優れたフイル
ムからつくられ、例えば電子手帳、パソコン、電子辞
書、音声記録再生機器等に、また流通カードとして有用
なICカードを提供することである。
達成するために、次の構成をとる。
板、スペーサー、中間保護板及びフレームの少くとも一
つが、ジカルボン酸成分の70モル%以上がナフタレン
ジカルボン酸、フェニルインダンジカルボン酸及び4,
4´−ジフェニルジカルボン酸の少くとも一種からなる
厚みが50〜500μmの単層ポリエステルフイルムお
よび/または該単層ポリエステルフィルムを2枚以上貼
り合わせた厚みが500μm〜3mmの積層ポリエステ
ルフィルムからつくられたものであることを特徴とする
ICカード。
酸成分の70モル%以上がナフタレンジカルボン酸、フ
ェニルインダンジカルボン酸及び4,4′―ジフェニル
ジカルボン酸の少くとも一種からなる、線状飽和のポリ
エステルである。このナフタレンジカルボン酸として
は、例えば2,6―ナフタレンジカルボン酸、1,5―
ナフタレンジカルボン酸等が好ましく挙げられる。また
フェニルインダンジカルボン酸としては、次式で表わさ
れる化合物が好ましく挙げられる。
ル基であり、好ましくはメチル基である。)上述のジカ
ルボン酸成分と併用し得る他のジカルボン酸成分として
は、テレフタル酸、イソフタル酸、1,4―シクロヘキ
サンジカルボン酸等を例示することができる。かかる他
のジカルボン酸成分の割合は、全酸成分当り、30モル
%以下である。この割合が30モル%を超えると、ポリ
エステルの耐熱性や剛性が低下し、好ましくない。
化合物成分としては、例えばエチレングリコール、1,
4―ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、ジエチ
レングリコール、ジプロピレングリコール、1,6―ヘ
キサンジオール、1,4―シクロヘキサンジメタノー
ル、キシリレングリコール、ジメチロールプロピオン
酸、グリセリン、トリメチロールプロパン、ポリ(エチ
レンオキシド)グリコール、ポリ(テトラメチレンオキ
シド)グリコール、ビスフェノールAのアルキレンオキ
シド付加物等が挙げられる。これらの中エチレングリコ
ールが好ましい。
方法で製造することができるが、この数平均分子量は
8,000〜28,000が好ましい。またポリエステ
ルの二次転移点は60〜200℃(DSC法で測定)が
好ましい。この二次転移点が60℃未満では耐熱性が悪
化し、一方200℃を超えると加工特性が低下し、好ま
しくない。
の樹脂、難燃剤、帯電防止剤、滑剤、充填剤、着色剤、
紫外線吸収剤、酸化防止剤、等を添加することができ
る。
は未延伸フイルム、一軸延伸フイルム、二軸延伸フイル
ムのいずれでもよい。これらの中二軸延伸フイルムが好
ましい。フイルムの厚みはカード構成部品によって選定
すれば良く、50〜500μmの単層ポリエステルフィ
ルムから選定する。場合によっては、2枚以上の単層ポ
リエステルフイルムを積層して500μm〜3mmの厚
みにすることもできる。フイルムの力学的特性として
は、少くとも一方向の引張弾性率が600〜1300k
g/mm2 であることが好ましい。
強力が大きく、低吸湿性で耐熱性に優れるという特徴を
有し、さらに結晶配向したフイルムでは耐溶剤性がさら
に大きいという利点を有する。また接着性に優れ、IC
カードの部品形成が容易である。例えば、ポリエステル
フイルム(含シート)の表面に回路をプリントし、さら
にマイクロプロセッサ、メモリ等の素子(チップ)をフ
イルム中に内蔵させ又はフイルム表面に貼りつけてプリ
ント基板をつくることができる。また、ポリエステルフ
イルムは表装のデザインパネルとして、所望の型に型抜
きしたスペーサとして、所望の型にしたフレームとし
て、さらには中間保護板として用いることもできる。素
子としては、用途に応じ、DRAM、SRAM、マスク
ROM、フラッシュメモリ、ワンタイムPROM、EE
PROM等種々のものを用いることができる。例えば、
音声記録用としてのICカードにはフラッシュメモリを
用いるとよい。
代表例を図1に示す。この例から理解できるように、I
Cカードは各構成部品、すなわちメモリ素子、プリント
基板(モジュール)、スペーサ、中間保護板、フレー
ム、外装パネル等を接合、一体化して作製する。
ルプリント基板をつくり、ポリエステルシートスペー
サ、ポリエステルフイルム中間保護板、ポリエステルシ
ートフレーム、更に両外側にポリエステルパネルを配置
して接合して完成する。パネルには種々の印刷等のデザ
インが施される。
帳、ノート型パソコン、流通カード、セキュリティカー
ド、音声記録再生機器等に、また各種カード例えば流通
カード等として有用である。特に音声記録用に有用であ
る。
明する。また、例中の各特性値は下記の方法によって評
価した。 (1)耐熱性 カード又はその部品構成体を80〜90℃に1時間保っ
た場合の外形の変化を観察する。 (2)接着性 カード又はその部品構成体を各積層接合部で剥離すると
きの状況を観察する。 (3)剛性 カード又はその部品構成体を曲げるときの抵抗及び戻り
変形を観察する。
重量%含有する、固有粘度([η])が0.64のポリ
エチレン―2,6―ナフタレンジカルボキシレートを溶
融し、60℃の冷却ドラムにシート状にキャストして未
延伸フイルムをつくり、続いて該未延伸フイルムを縦方
向に3.4倍延伸し、更に横方向に4.3倍延伸し、次
いで205℃で熱処理して厚さ260μmの二軸延伸フ
イルム(フイルムAとする)を作製した。
層して厚さ540μmのシート(シートBとする)を作
製した。さらに、このシートBを2枚、接着剤を用いて
積層して厚さ1110μmのシート(シートCとする)
を作製した。
を配置し、回路をプリントし、コネクターを接続してモ
ジュールをつくり、またシートCから型抜きしてスペー
サーをつくった。さらにまたシートCからフレームを、
フイルムAから中間保護板を、フイルムA、シートBか
ら外装パネルをそれぞれつくった。
し、その上下に各1枚の中間保護板を接合し、その外側
の表にフイルムAからなるパネルを、裏にシートBから
なるパネルを接合してICメモリーカードを作製した。
シートCの特性を表1に示す。
ート(厚さ540μm;シートDとする)を用いてIC
カードを作製した。この硬質塩化ビニル樹脂のシートD
の特性を表1に示す。
15重量%含有する、固有粘度([η])が0.64の
ナフタレンジカルボン酸(80mol%)―下記式で示
すフェニルインダンジカルボン酸(10mol%)―
4,4′―ジフェニルジカルボン酸(10mol%)―
エチレングリコール系共重合ポリエステルを用いるほか
は、実施例1と同様にして厚さ250μmの二軸延伸フ
イルム(フイルムEとする)を作製した。
層して厚さ520μmのシート(シートFとする)を作
製した。
メモリ素子を配置してモジュールをつくり、シートFか
らつくったスペーサーを重ねて接合した。その上下にフ
イルムEを各1枚重ねて接合し、さらにシートFからつ
くったフレームを接合した。その外側の表と裏にフイル
ムEを接合してフラッシュメモリーICカードを作製し
た。その特性を表1に示す。
DRAM素子を配置したモジュールを接着剤で貼り合
せ、モジュールをフイルムEで保護してDRAM―IC
カードを作製した。その特性を表1に示す。
SRAM素子を配置したモジュールを接着剤で貼り合
せ、モジュールの上にシートBを接合してSRAM―I
Cカードを作製した。その特性を表1に示す。
の少くとも一つが耐熱性、接着性、剛性等に優れたフイ
ルムからつくられたICカードを提供することができ
る。
る。
Claims (2)
- 【請求項1】 ICカードを構成するパネル、プリント
基板、スペーサー、中間保護板及びフレームの少くとも
一つが、ジカルボン酸成分の70モル%以上がナフタレ
ンジカルボン酸、フェニルインダンジカルボン酸及び
4,4´−ジフェニルジカルボン酸の少くとも一種から
なる厚みが50〜500μmの単層ポリエステルフイル
ムおよび/または該単層ポリエステルフィルムを2枚以
上貼り合わせた厚みが500μm〜3mmの積層ポリエ
ステルフィルムからつくられたものであることを特徴と
するICカード。 - 【請求項2】 ポリエステルがポリエチレン−2,6−
ナフタレンジカルボキシレートである請求項1記載のI
Cカード。
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