JPH0725186A - Ｉｃカード - Google Patents
ＩｃカードInfo
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- JPH0725186A JPH0725186A JP5171667A JP17166793A JPH0725186A JP H0725186 A JPH0725186 A JP H0725186A JP 5171667 A JP5171667 A JP 5171667A JP 17166793 A JP17166793 A JP 17166793A JP H0725186 A JPH0725186 A JP H0725186A
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- card
- film
- acid
- polyester
- sheet
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＣカードの耐熱性、接着性、耐溶剤性等を
改善する。 【構成】 ＩＣカードを構成するパネル、プリント基
板、スペーサー及びフレームの少くとも一つが、ジカル
ボン酸成分の７０モル％以上がナフタレンジカルボン
酸、フェニルインダンジカルボン酸及び４，４′―ジフ
ェニルジカルボン酸の少くとも一種からなるポリエステ
ルのフイルムからつくられたものであることを特徴とす
るＩＣカード。
改善する。 【構成】 ＩＣカードを構成するパネル、プリント基
板、スペーサー及びフレームの少くとも一つが、ジカル
ボン酸成分の７０モル％以上がナフタレンジカルボン
酸、フェニルインダンジカルボン酸及び４，４′―ジフ
ェニルジカルボン酸の少くとも一種からなるポリエステ
ルのフイルムからつくられたものであることを特徴とす
るＩＣカード。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣカードに関し、さら
に詳しくはカードを構成するパネル、プリント基板、ス
ペーサー、中間保護板及びフレームの少くとも一つが、
低吸湿性で耐熱性の高いポリエステルフイルムからつく
られたＩＣカードに関する。
に詳しくはカードを構成するパネル、プリント基板、ス
ペーサー、中間保護板及びフレームの少くとも一つが、
低吸湿性で耐熱性の高いポリエステルフイルムからつく
られたＩＣカードに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣカードはＩＣメモリーカード、マイ
コンカードに大別されるが、特にＩＣメモリカードは、
高速動作、低消費電力、小形・軽量かつ振動・衝撃に強
いことから、携帯用機器例えば電子手帳、電子スチール
カメラ、ノートブック型パソコン、電子辞書等の外部記
憶装置として、普及促進が進んでいる。
コンカードに大別されるが、特にＩＣメモリカードは、
高速動作、低消費電力、小形・軽量かつ振動・衝撃に強
いことから、携帯用機器例えば電子手帳、電子スチール
カメラ、ノートブック型パソコン、電子辞書等の外部記
憶装置として、普及促進が進んでいる。
【０００３】ＩＣカードを構成する部品の素材には、硬
質塩化ビニール樹脂、金属、ポリイミド樹脂、エポキシ
樹脂等が使用されているが、高分子素材については耐熱
性、耐屈曲性、耐溶剤性、剛性、コスト等の点で必ずし
も満足な状況ではない。また、金属については重量、絶
縁性、耐蝕性等で難点もある。例えば、ＩＣカードの高
温保存時の品質確保を可能とするため、フレーム等は耐
熱性が重要であるが、硬質塩化ビニル樹脂は熱や溶剤に
弱く、またカード構成時の接着性も低い。
質塩化ビニール樹脂、金属、ポリイミド樹脂、エポキシ
樹脂等が使用されているが、高分子素材については耐熱
性、耐屈曲性、耐溶剤性、剛性、コスト等の点で必ずし
も満足な状況ではない。また、金属については重量、絶
縁性、耐蝕性等で難点もある。例えば、ＩＣカードの高
温保存時の品質確保を可能とするため、フレーム等は耐
熱性が重要であるが、硬質塩化ビニル樹脂は熱や溶剤に
弱く、またカード構成時の接着性も低い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ＩＣ
カードを構成するパネル、プリント基板、スペーサー、
中間保護板及びフレームの少くとも一つが、耐熱性、耐
屈曲性、耐溶剤性、接着性、低吸湿性等に優れたフイル
ムからつくられ、例えば電子手帳、パソコン、電子辞
書、音声記録再生機器等に、また流通カードとして有用
なＩＣカードを提供することである。
カードを構成するパネル、プリント基板、スペーサー、
中間保護板及びフレームの少くとも一つが、耐熱性、耐
屈曲性、耐溶剤性、接着性、低吸湿性等に優れたフイル
ムからつくられ、例えば電子手帳、パソコン、電子辞
書、音声記録再生機器等に、また流通カードとして有用
なＩＣカードを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、かかる目的を
達成するために、次の構成をとる。
達成するために、次の構成をとる。
【０００６】ＩＣカードを構成するパネル、プリント基
板、スペーサー、中間保護板及びフレームの少くとも一
つが、ジカルボン酸成分の７０モル％以上がナフタレン
ジカルボン酸、フェニルインダンジカルボン酸及び４，
４′―ジフェニルジカルボン酸の少くとも一種からなる
ポリエステルのフイルムからつくられたものであること
を特徴とするＩＣカード。
板、スペーサー、中間保護板及びフレームの少くとも一
つが、ジカルボン酸成分の７０モル％以上がナフタレン
ジカルボン酸、フェニルインダンジカルボン酸及び４，
４′―ジフェニルジカルボン酸の少くとも一種からなる
ポリエステルのフイルムからつくられたものであること
を特徴とするＩＣカード。
【０００７】本発明においてポリエステルはジカルボン
酸成分の７０モル％以上がナフタレンジカルボン酸、フ
ェニルインダンジカルボン酸及び４，４′―ジフェニル
ジカルボン酸の少くとも一種からなる、線状飽和のポリ
エステルである。このナフタレンジカルボン酸として
は、例えば２，６―ナフタレンジカルボン酸、１，５―
ナフタレンジカルボン酸等が好ましく挙げられる。また
フェニルインダンジカルボン酸としては、次式で表わさ
れる化合物が好ましく挙げられる。
酸成分の７０モル％以上がナフタレンジカルボン酸、フ
ェニルインダンジカルボン酸及び４，４′―ジフェニル
ジカルボン酸の少くとも一種からなる、線状飽和のポリ
エステルである。このナフタレンジカルボン酸として
は、例えば２，６―ナフタレンジカルボン酸、１，５―
ナフタレンジカルボン酸等が好ましく挙げられる。また
フェニルインダンジカルボン酸としては、次式で表わさ
れる化合物が好ましく挙げられる。
【０００８】
【化１】
【０００９】（ただし、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は低級アルキ
ル基であり、好ましくはメチル基である。）上述のジカ
ルボン酸成分と併用し得る他のジカルボン酸成分として
は、テレフタル酸、イソフタル酸、１，４―シクロヘキ
サンジカルボン酸等を例示することができる。かかる他
のジカルボン酸成分の割合は、全酸成分当り、３０モル
％以下である。この割合が３０モル％を超えると、ポリ
エステルの耐熱性や剛性が低下し、好ましくない。
ル基であり、好ましくはメチル基である。）上述のジカ
ルボン酸成分と併用し得る他のジカルボン酸成分として
は、テレフタル酸、イソフタル酸、１，４―シクロヘキ
サンジカルボン酸等を例示することができる。かかる他
のジカルボン酸成分の割合は、全酸成分当り、３０モル
％以下である。この割合が３０モル％を超えると、ポリ
エステルの耐熱性や剛性が低下し、好ましくない。
【００１０】前記ポリエステルを構成するジヒドロキシ
化合物成分としては、例えばエチレングリコール、１，
４―ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、ジエチ
レングリコール、ジプロピレングリコール、１，６―ヘ
キサンジオール、１，４―シクロヘキサンジメタノー
ル、キシリレングリコール、ジメチロールプロピオン
酸、グリセリン、トリメチロールプロパン、ポリ（エチ
レンオキシド）グリコール、ポリ（テトラメチレンオキ
シド）グリコール、ビスフェノールＡのアルキレンオキ
シド付加物等が挙げられる。これらの中エチレングリコ
ールが好ましい。
化合物成分としては、例えばエチレングリコール、１，
４―ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、ジエチ
レングリコール、ジプロピレングリコール、１，６―ヘ
キサンジオール、１，４―シクロヘキサンジメタノー
ル、キシリレングリコール、ジメチロールプロピオン
酸、グリセリン、トリメチロールプロパン、ポリ（エチ
レンオキシド）グリコール、ポリ（テトラメチレンオキ
シド）グリコール、ビスフェノールＡのアルキレンオキ
シド付加物等が挙げられる。これらの中エチレングリコ
ールが好ましい。
【００１１】前記ポリエステルは従来から知られている
方法で製造することができるが、この数平均分子量は
８，０００〜２８，０００が好ましい。またポリエステ
ルの二次転移点は６０〜２００℃（ＤＳＣ法で測定）が
好ましい。この二次転移点が６０℃未満では耐熱性が悪
化し、一方２００℃を超えると加工特性が低下し、好ま
しくない。
方法で製造することができるが、この数平均分子量は
８，０００〜２８，０００が好ましい。またポリエステ
ルの二次転移点は６０〜２００℃（ＤＳＣ法で測定）が
好ましい。この二次転移点が６０℃未満では耐熱性が悪
化し、一方２００℃を超えると加工特性が低下し、好ま
しくない。
【００１２】前記ポリエステルには、必要に応じて、他
の樹脂、難燃剤、帯電防止剤、滑剤、充填剤、着色剤、
紫外線吸収剤、酸化防止剤、等を添加することができ
る。
の樹脂、難燃剤、帯電防止剤、滑剤、充填剤、着色剤、
紫外線吸収剤、酸化防止剤、等を添加することができ
る。
【００１３】本発明においてポリエステルフイルムは未
延伸フイルム、一軸延伸フイルム、二軸延伸フイルムの
いずれでもよい。これらの中二軸延伸フイルムが好まし
い。フイルムの厚みはカード構成部品によって選定すれ
ば良く、概して５０〜５００μｍが好ましい。場合によ
っては、２枚以上のフイルムを積層して５００μｍ〜３
ｍｍの厚みにすることもできる。フイルムの力学的特性
としては、少くとも一方向の引張弾性率が６００〜１３
００ｋｇ／ｍｍ2 であることが好ましい。
延伸フイルム、一軸延伸フイルム、二軸延伸フイルムの
いずれでもよい。これらの中二軸延伸フイルムが好まし
い。フイルムの厚みはカード構成部品によって選定すれ
ば良く、概して５０〜５００μｍが好ましい。場合によ
っては、２枚以上のフイルムを積層して５００μｍ〜３
ｍｍの厚みにすることもできる。フイルムの力学的特性
としては、少くとも一方向の引張弾性率が６００〜１３
００ｋｇ／ｍｍ2 であることが好ましい。
【００１４】本発明におけるポリエステルフイルムは、
強力が大きく、低吸湿性で耐熱性に優れるという特徴を
有し、さらに結晶配向したフイルムでは耐溶剤性がさら
に大きいという利点を有する。また接着性に優れ、ＩＣ
カードの部品形成が容易である。例えば、ポリエステル
フイルム（含シート）の表面に回路をプリントし、さら
にマイクロプロセッサ、メモリ等の素子（チップ）をフ
イルム中に内蔵させ又はフイルム表面に貼りつけてプリ
ント基板をつくることができる。また、ポリエステルフ
イルムは表装のデザインパネルとして、所望の型に型抜
きしたスペーサとして、所望の型にしたフレームとし
て、さらには中間保護板として用いることもできる。素
子としては、用途に応じ、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、マスク
ＲＯＭ、フラッシュメモリ、ワンタイムＰＲＯＭ、ＥＥ
ＰＲＯＭ等種々のものを用いることができる。例えば、
音声記録用としてのＩＣカードにはフラッシュメモリを
用いるとよい。
強力が大きく、低吸湿性で耐熱性に優れるという特徴を
有し、さらに結晶配向したフイルムでは耐溶剤性がさら
に大きいという利点を有する。また接着性に優れ、ＩＣ
カードの部品形成が容易である。例えば、ポリエステル
フイルム（含シート）の表面に回路をプリントし、さら
にマイクロプロセッサ、メモリ等の素子（チップ）をフ
イルム中に内蔵させ又はフイルム表面に貼りつけてプリ
ント基板をつくることができる。また、ポリエステルフ
イルムは表装のデザインパネルとして、所望の型に型抜
きしたスペーサとして、所望の型にしたフレームとし
て、さらには中間保護板として用いることもできる。素
子としては、用途に応じ、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、マスク
ＲＯＭ、フラッシュメモリ、ワンタイムＰＲＯＭ、ＥＥ
ＰＲＯＭ等種々のものを用いることができる。例えば、
音声記録用としてのＩＣカードにはフラッシュメモリを
用いるとよい。
【００１５】ＩＣカードの構成は種々とりうるが、その
代表例を図１に示す。この例から理解できるように、Ｉ
Ｃカードは各構成部品、すなわちメモリ素子、プリント
基板（モジュール）、スペーサ、中間保護板、フレー
ム、外装パネル等を接合、一体化して作製する。
代表例を図１に示す。この例から理解できるように、Ｉ
Ｃカードは各構成部品、すなわちメモリ素子、プリント
基板（モジュール）、スペーサ、中間保護板、フレー
ム、外装パネル等を接合、一体化して作製する。
【００１６】例えば、メモリ素子を搭載したポリエステ
ルプリント基板をつくり、ポリエステルシートスペー
サ、ポリエステルフイルム中間保護板、ポリエステルシ
ートフレーム、更に両外側にポリエステルパネルを配置
して接合して完成する。パネルには種々の印刷等のデザ
インが施される。
ルプリント基板をつくり、ポリエステルシートスペー
サ、ポリエステルフイルム中間保護板、ポリエステルシ
ートフレーム、更に両外側にポリエステルパネルを配置
して接合して完成する。パネルには種々の印刷等のデザ
インが施される。
【００１７】かくして得られたＩＣカードは、電子手
帳、ノート型パソコン、流通カード、セキュリティカー
ド、音声記録再生機器等に、また各種カード例えば流通
カード等として有用である。特に音声記録用に有用であ
る。
帳、ノート型パソコン、流通カード、セキュリティカー
ド、音声記録再生機器等に、また各種カード例えば流通
カード等として有用である。特に音声記録用に有用であ
る。
【００１８】
【実施例】以下、実施例をあげて本発明を更に詳細に説
明する。また、例中の各特性値は下記の方法によって評
価した。 （１）耐熱性 カード又はその部品構成体を８０〜９０℃に１時間保っ
た場合の外形の変化を観察する。 （２）接着性 カード又はその部品構成体を各積層接合部で剥離すると
きの状況を観察する。 （３）剛性 カード又はその部品構成体を曲げるときの抵抗及び戻り
変形を観察する。
明する。また、例中の各特性値は下記の方法によって評
価した。 （１）耐熱性 カード又はその部品構成体を８０〜９０℃に１時間保っ
た場合の外形の変化を観察する。 （２）接着性 カード又はその部品構成体を各積層接合部で剥離すると
きの状況を観察する。 （３）剛性 カード又はその部品構成体を曲げるときの抵抗及び戻り
変形を観察する。
【００１９】
【実施例１】平均粒径０．１μｍの二酸化珪素を０．１
重量％含有する、固有粘度（［η］）が０．６４のポリ
エチレン―２，６―ナフタレンジカルボキシレートを溶
融し、６０℃の冷却ドラムにシート状にキャストして未
延伸フイルムをつくり、続いて該未延伸フイルムを縦方
向に３．４倍延伸し、更に横方向に４．３倍延伸し、次
いで２０５℃で熱処理して厚さ２６０μｍの二軸延伸フ
イルム（フイルムＡとする）を作製した。
重量％含有する、固有粘度（［η］）が０．６４のポリ
エチレン―２，６―ナフタレンジカルボキシレートを溶
融し、６０℃の冷却ドラムにシート状にキャストして未
延伸フイルムをつくり、続いて該未延伸フイルムを縦方
向に３．４倍延伸し、更に横方向に４．３倍延伸し、次
いで２０５℃で熱処理して厚さ２６０μｍの二軸延伸フ
イルム（フイルムＡとする）を作製した。
【００２０】このフイルムＡを２枚、接着剤を用いて積
層して厚さ５４０μｍのシート（シートＢとする）を作
製した。さらに、このシートＢを２枚、接着剤を用いて
積層して厚さ１１１０μｍのシート（シートＣとする）
を作製した。
層して厚さ５４０μｍのシート（シートＢとする）を作
製した。さらに、このシートＢを２枚、接着剤を用いて
積層して厚さ１１１０μｍのシート（シートＣとする）
を作製した。
【００２１】このフイルムＡをベースとしてメモリ素子
を配置し、回路をプリントし、コネクターを接続してモ
ジュールをつくり、またシートＣから型抜きしてスペー
サーをつくった。さらにまたシートＣからフレームを、
フイルムＡから中間保護板を、フイルムＡ、シートＢか
ら外装パネルをそれぞれつくった。
を配置し、回路をプリントし、コネクターを接続してモ
ジュールをつくり、またシートＣから型抜きしてスペー
サーをつくった。さらにまたシートＣからフレームを、
フイルムＡから中間保護板を、フイルムＡ、シートＢか
ら外装パネルをそれぞれつくった。
【００２２】上記モジュールにスペーサを重ねて接合
し、その上下に各１枚の中間保護板を接合し、その外側
の表にフイルムＡからなるパネルを、裏にシートＢから
なるパネルを接合してＩＣメモリーカードを作製した。
シートＣの特性を表１に示す。
し、その上下に各１枚の中間保護板を接合し、その外側
の表にフイルムＡからなるパネルを、裏にシートＢから
なるパネルを接合してＩＣメモリーカードを作製した。
シートＣの特性を表１に示す。
【００２３】
【比較例１】シートＢの代わりに硬質塩化ビニル樹脂シ
ート（厚さ５４０μｍ；シートＤとする）を用いてＩＣ
カードを作製した。この硬質塩化ビニル樹脂のシートＤ
の特性を表１に示す。
ート（厚さ５４０μｍ；シートＤとする）を用いてＩＣ
カードを作製した。この硬質塩化ビニル樹脂のシートＤ
の特性を表１に示す。
【００２４】
【実施例２】平均粒径０．２２μｍの二酸化珪素を０．
１５重量％含有する、固有粘度（［η］）が０．６４の
ナフタレンジカルボン酸（８０ｍｏｌ％）―下記式で示
すフェニルインダンジカルボン酸（１０ｍｏｌ％）―
４，４′―ジフェニルジカルボン酸（１０ｍｏｌ％）―
エチレングリコール系共重合ポリエステルを用いるほか
は、実施例１と同様にして厚さ２５０μｍの二軸延伸フ
イルム（フイルムＥとする）を作製した。
１５重量％含有する、固有粘度（［η］）が０．６４の
ナフタレンジカルボン酸（８０ｍｏｌ％）―下記式で示
すフェニルインダンジカルボン酸（１０ｍｏｌ％）―
４，４′―ジフェニルジカルボン酸（１０ｍｏｌ％）―
エチレングリコール系共重合ポリエステルを用いるほか
は、実施例１と同様にして厚さ２５０μｍの二軸延伸フ
イルム（フイルムＥとする）を作製した。
【００２５】
【化２】
【００２６】このフイルムＥを２枚、接着剤を用いて積
層して厚さ５２０μｍのシート（シートＦとする）を作
製した。
層して厚さ５２０μｍのシート（シートＦとする）を作
製した。
【００２７】このフイルムＥをベースとしてフラッシュ
メモリ素子を配置してモジュールをつくり、シートＦか
らつくったスペーサーを重ねて接合した。その上下にフ
イルムＥを各１枚重ねて接合し、さらにシートＦからつ
くったフレームを接合した。その外側の表と裏にフイル
ムＥを接合してフラッシュメモリーＩＣカードを作製し
た。その特性を表１に示す。
メモリ素子を配置してモジュールをつくり、シートＦか
らつくったスペーサーを重ねて接合した。その上下にフ
イルムＥを各１枚重ねて接合し、さらにシートＦからつ
くったフレームを接合した。その外側の表と裏にフイル
ムＥを接合してフラッシュメモリーＩＣカードを作製し
た。その特性を表１に示す。
【００２８】
【実施例３】シートＣの上にフイルムＡをベースとした
ＤＲＡＭ素子を配置したモジュールを接着剤で貼り合
せ、モジュールをフイルムＥで保護してＤＲＡＭ―ＩＣ
カードを作製した。その特性を表１に示す。
ＤＲＡＭ素子を配置したモジュールを接着剤で貼り合
せ、モジュールをフイルムＥで保護してＤＲＡＭ―ＩＣ
カードを作製した。その特性を表１に示す。
【００２９】
【実施例４】シートＣの上にフイルムＥをベースとした
ＳＲＡＭ素子を配置したモジュールを接着剤で貼り合
せ、モジュールの上にシートＢを接合してＳＲＡＭ―Ｉ
Ｃカードを作製した。その特性を表１に示す。
ＳＲＡＭ素子を配置したモジュールを接着剤で貼り合
せ、モジュールの上にシートＢを接合してＳＲＡＭ―Ｉ
Ｃカードを作製した。その特性を表１に示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、カードを構成する部品
の少くとも一つが耐熱性、接着性、剛性等に優れたフイ
ルムからつくられたＩＣカードを提供することができ
る。
の少くとも一つが耐熱性、接着性、剛性等に優れたフイ
ルムからつくられたＩＣカードを提供することができ
る。
【図１】代表的なＩＣカードの構造を示す分解図であ
る。
る。
Claims (2)
- 【請求項１】 ＩＣカードを構成するパネル、プリント
基板、スペーサー、中間保護板及びフレームの少くとも
一つが、ジカルボン酸成分の７０モル％以上がナフタレ
ンジカルボン酸、フェニルインダンジカルボン酸及び
４，４′―ジフェニルジカルボン酸の少くとも一種から
なるポリエステルのフイルムからつくられたものである
ことを特徴とするＩＣカード。 - 【請求項２】 ポリエステルがポリエチレン―２，６―
ナフタレンジカルボキシレートである請求項１記載のＩ
Ｃカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17166793A JP3297498B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | Ｉｃカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17166793A JP3297498B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | Ｉｃカード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0725186A true JPH0725186A (ja) | 1995-01-27 |
| JP3297498B2 JP3297498B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=15927472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17166793A Expired - Fee Related JP3297498B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | Ｉｃカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3297498B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001051450A3 (en) * | 2000-01-14 | 2003-07-10 | Bp Corp North America Inc | Synthesis and use of dimethyl-1,5-naphthalenedicarboxylates and intermediates therefrom |
| JP2006175663A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Toppan Forms Co Ltd | 音声メッセージ伝達シート |
| JP2006175662A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Toppan Forms Co Ltd | 音声メッセージ伝達シート |
| US7840017B2 (en) | 2003-08-28 | 2010-11-23 | Toppan Forms Co., Ltd. | Audio message transfer sheet and manufacturing method thereof, and power supply circuit |
-
1993
- 1993-07-12 JP JP17166793A patent/JP3297498B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001051450A3 (en) * | 2000-01-14 | 2003-07-10 | Bp Corp North America Inc | Synthesis and use of dimethyl-1,5-naphthalenedicarboxylates and intermediates therefrom |
| US7840017B2 (en) | 2003-08-28 | 2010-11-23 | Toppan Forms Co., Ltd. | Audio message transfer sheet and manufacturing method thereof, and power supply circuit |
| JP2006175663A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Toppan Forms Co Ltd | 音声メッセージ伝達シート |
| JP2006175662A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Toppan Forms Co Ltd | 音声メッセージ伝達シート |
| JP4579672B2 (ja) * | 2004-12-21 | 2010-11-10 | トッパン・フォームズ株式会社 | 音声メッセージ伝達シート |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3297498B2 (ja) | 2002-07-02 |
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