JP3292739B2 - 空気清浄化方法、清浄空気供給装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
空気清浄化方法、清浄空気供給装置および半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP3292739B2 JP3292739B2 JP21734091A JP21734091A JP3292739B2 JP 3292739 B2 JP3292739 B2 JP 3292739B2 JP 21734091 A JP21734091 A JP 21734091A JP 21734091 A JP21734091 A JP 21734091A JP 3292739 B2 JP3292739 B2 JP 3292739B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filter
- air
- silicon
- semiconductor device
- clean
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
- Separation Of Gases By Adsorption (AREA)
- Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造、よ
り詳しくは、空気清浄化方法、清浄空気供給装置および
半導体装置の製造方法に関する。ＩＣ、ＬＳＩなどの半
導体装置は今日あらゆる分野に使用される重要な電子部
品であり、その製造においてクリーン化技術は重要であ
る。半導体装置の特性が安定で品質の良い製品とするに
は、数多くの製造工程で半導体基板の表面に異物（塵
埃）が付着しないようにする必要がある。近年の半導体
装置の高集積化、微細化のためには今までよりも半導体
基板表面をきれいに保つことが求められている。
り詳しくは、空気清浄化方法、清浄空気供給装置および
半導体装置の製造方法に関する。ＩＣ、ＬＳＩなどの半
導体装置は今日あらゆる分野に使用される重要な電子部
品であり、その製造においてクリーン化技術は重要であ
る。半導体装置の特性が安定で品質の良い製品とするに
は、数多くの製造工程で半導体基板の表面に異物（塵
埃）が付着しないようにする必要がある。近年の半導体
装置の高集積化、微細化のためには今までよりも半導体
基板表面をきれいに保つことが求められている。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造におけるシリコ
ン酸化膜の形成やＣＶＤ（化学的気相成長）膜の形成で
は、シリコン基板を前処理して清浄な表面にしたシリコ
ンウエハーを反応炉に挿入して成膜する。このような場
合に、反応炉のところまでは洗浄後のシリコンウエハー
を不活性ガスで満たした容器に入れての搬送あるいは真
空密閉しての移動として、このウエハーへの汚染（異物
付着）を防止している。ところが反応炉に挿入する時に
は、反応炉の設置してあるクリーンルーム内でＨＥＰＡ
フィルター(high efficiency particulate air-filter)
ないしＵＬＰＡフィルター(ultra low penetration air
-filter)で濾過して清浄化した空気に触れる。なお、こ
の空気は0.１μｍ以下の浮遊微粒子にまで塵埃を除去し
たものである。
ン酸化膜の形成やＣＶＤ（化学的気相成長）膜の形成で
は、シリコン基板を前処理して清浄な表面にしたシリコ
ンウエハーを反応炉に挿入して成膜する。このような場
合に、反応炉のところまでは洗浄後のシリコンウエハー
を不活性ガスで満たした容器に入れての搬送あるいは真
空密閉しての移動として、このウエハーへの汚染（異物
付着）を防止している。ところが反応炉に挿入する時に
は、反応炉の設置してあるクリーンルーム内でＨＥＰＡ
フィルター(high efficiency particulate air-filter)
ないしＵＬＰＡフィルター(ultra low penetration air
-filter)で濾過して清浄化した空気に触れる。なお、こ
の空気は0.１μｍ以下の浮遊微粒子にまで塵埃を除去し
たものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＨＥＰＡないしＵＬＰ
Ａフィルターを通過した空気は浮遊している微粒子が除
去されているが、ガス状の分子構成物（例えば、有機揮
発成分（アルコール、シロキサン、トルエンなど）、Ｈ
Ｃｌ，ＨＦ，Ｈ2 Ｓなど、ＰやＢを含む化合物）はフィ
ルターを通過してしまう。特に、Ｐ、Ｂなどのガス状分
子はドーピング不純物であり、これらがシリコンウエハ
ーに吸着されると半導体基板の特性を変えてしまう。
Ａフィルターを通過した空気は浮遊している微粒子が除
去されているが、ガス状の分子構成物（例えば、有機揮
発成分（アルコール、シロキサン、トルエンなど）、Ｈ
Ｃｌ，ＨＦ，Ｈ2 Ｓなど、ＰやＢを含む化合物）はフィ
ルターを通過してしまう。特に、Ｐ、Ｂなどのガス状分
子はドーピング不純物であり、これらがシリコンウエハ
ーに吸着されると半導体基板の特性を変えてしまう。
【０００４】本発明の目的は、クリーンルームの空気中
のこれらのガス状分子が製造過程にあるシリコンウエハ
ー表面に付着し（吸着され）ないようにすることであ
る。本発明の別の目的は、半導体基板を清浄にして安定
良質表面状態で成膜処理ができるようにする空気清浄化
方法、清浄空気供給装置および半導体装置の製造方法を
提供することである。
のこれらのガス状分子が製造過程にあるシリコンウエハ
ー表面に付着し（吸着され）ないようにすることであ
る。本発明の別の目的は、半導体基板を清浄にして安定
良質表面状態で成膜処理ができるようにする空気清浄化
方法、清浄空気供給装置および半導体装置の製造方法を
提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明によれば下記（１）空気清浄方法、（２）
清浄空気供給装置および（３）半導体装置の製造方法が
提供される。 （１）空気を高純度シリコンに接触させる工程と、ＨＥ
ＰＡフィルタまたはＵＬＰＡフィルタを通過させる工程
とを有することを特徴とする空気清浄化方法。 （２）ＨＥＰＡフィルタまたはＵＬＰＡフィルタと、高
純度シリコンからなるガス吸着フィルタとを有すること
を特徴とする清浄空気供給装置。 （３）半導体装置の製造過程で単結晶シリコン基板が空
気にさらされる際に、該空気を高純度シリコンと、ＨＥ
ＰＡフィルタまたはＵＬＰＡフィルタをともに通過させ
た空気とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
めに、本発明によれば下記（１）空気清浄方法、（２）
清浄空気供給装置および（３）半導体装置の製造方法が
提供される。 （１）空気を高純度シリコンに接触させる工程と、ＨＥ
ＰＡフィルタまたはＵＬＰＡフィルタを通過させる工程
とを有することを特徴とする空気清浄化方法。 （２）ＨＥＰＡフィルタまたはＵＬＰＡフィルタと、高
純度シリコンからなるガス吸着フィルタとを有すること
を特徴とする清浄空気供給装置。 （３）半導体装置の製造過程で単結晶シリコン基板が空
気にさらされる際に、該空気を高純度シリコンと、ＨＥ
ＰＡフィルタまたはＵＬＰＡフィルタをともに通過させ
た空気とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０００６】そして、追加して備えることになる高純度
シリコンフィルターは、複数枚の鏡面仕上げ単結晶シリ
コン基板を微小通風間隔でもって並べて構成されている
かあるいは、複数個の単結晶シリコン劈開片を微小通風
間隔でもって並べて構成されている。
シリコンフィルターは、複数枚の鏡面仕上げ単結晶シリ
コン基板を微小通風間隔でもって並べて構成されている
かあるいは、複数個の単結晶シリコン劈開片を微小通風
間隔でもって並べて構成されている。
【０００７】
【作用】本発明では、通常のＨＥＰＡないしＵＬＰＡフ
ィルターの前段に、製造途中のシリコン基板と同等のシ
リコン基板ないしシリコン劈開片でもってクリーンルー
ムへの空気の通過する微小間隙を形成するようにしたフ
ィルターを設けることにより、これらシリコン基板ない
しシリコン劈開片の高純度の活性なシリコン表面に空気
中に存在するＰ、Ｂなどのガス状分子を吸着させる。こ
のようにしてＨＥＰＡないしＵＬＰＡフィルターでは除
去できないガス状分子（不純物）を高純度シリコンフィ
ルターで吸着除去し、そして通常の微粒子をＨＥＰＡな
いしＵＬＰＡフィルターで除去して、清浄化した空気を
クリーンルームへ送る。従って、このような清浄化した
空気中であれば、反応炉のあるクリーンルームでシリコ
ン基板が空気に晒されても、好ましくないガス状分子が
付着する（吸着される）ことが回避できる。
ィルターの前段に、製造途中のシリコン基板と同等のシ
リコン基板ないしシリコン劈開片でもってクリーンルー
ムへの空気の通過する微小間隙を形成するようにしたフ
ィルターを設けることにより、これらシリコン基板ない
しシリコン劈開片の高純度の活性なシリコン表面に空気
中に存在するＰ、Ｂなどのガス状分子を吸着させる。こ
のようにしてＨＥＰＡないしＵＬＰＡフィルターでは除
去できないガス状分子（不純物）を高純度シリコンフィ
ルターで吸着除去し、そして通常の微粒子をＨＥＰＡな
いしＵＬＰＡフィルターで除去して、清浄化した空気を
クリーンルームへ送る。従って、このような清浄化した
空気中であれば、反応炉のあるクリーンルームでシリコ
ン基板が空気に晒されても、好ましくないガス状分子が
付着する（吸着される）ことが回避できる。
【０００８】
【実施例】以下、添付図面を参照して、本発明の実施態
様例および比較例（従来例）によって本発明を詳細に説
明する。図１は、反応炉が設置されかつ従来の換気フロ
ー方式を備えたクリーンルームの概略図である。
様例および比較例（従来例）によって本発明を詳細に説
明する。図１は、反応炉が設置されかつ従来の換気フロ
ー方式を備えたクリーンルームの概略図である。
【０００９】図１に示すように、クリーンルーム１にシ
リコンの熱酸化処理用（またはＣＶＤ成膜処理用）反応
炉２が設置されている。反応炉２の横にＨＥＰＡフィル
ター３が設けられ、反応炉２の下方に空気取り入れ部４
があり、ＨＥＰＡフィルター３と空気取り入れ部４との
間のリターン・スペース５にプレフィルター６およびフ
ァン７が設けられている。この場合には、循環方式でフ
ァン７によって送られた空気は、ＨＥＰＡフィルター３
を通って、反応炉２の周囲に流れ、クリーンルーム１か
ら空気取り入れ部４へ流れ、そしてプレフィルター６を
通過してファン７に戻るようになっている。
リコンの熱酸化処理用（またはＣＶＤ成膜処理用）反応
炉２が設置されている。反応炉２の横にＨＥＰＡフィル
ター３が設けられ、反応炉２の下方に空気取り入れ部４
があり、ＨＥＰＡフィルター３と空気取り入れ部４との
間のリターン・スペース５にプレフィルター６およびフ
ァン７が設けられている。この場合には、循環方式でフ
ァン７によって送られた空気は、ＨＥＰＡフィルター３
を通って、反応炉２の周囲に流れ、クリーンルーム１か
ら空気取り入れ部４へ流れ、そしてプレフィルター６を
通過してファン７に戻るようになっている。
【００１０】そして、本発明では、図２に示すように、
上述したクリーンルーム１のリターンスペース５におけ
るＨＥＰＡフィルター３とファン７との間に高純度シリ
コンフィルター１１を設置する。従って、ＨＥＰＡフィ
ルター３での濾過の前に、空気からガス状分子を高純度
シリコンフィルター１１に吸着させて除去することがで
きる。
上述したクリーンルーム１のリターンスペース５におけ
るＨＥＰＡフィルター３とファン７との間に高純度シリ
コンフィルター１１を設置する。従って、ＨＥＰＡフィ
ルター３での濾過の前に、空気からガス状分子を高純度
シリコンフィルター１１に吸着させて除去することがで
きる。
【００１１】この高純度シリコンフィルター１１は、例
えば、図３に示すように、シリコンウエハー（基板）１
２の鏡面仕上げしたものを複数枚用意し、ホルダー１３
に平行にかつ微小間隔で並べてセットし、それを上下吹
き抜けの枠体１４内に配置したものである。例えば、６
インチのシリコンウエハー１２を両面とも鏡面仕上げ
し、それを５mm間隔で平行にホルダー１３に乗せ、枠体
１４に収めてフィルターとし、空気がウエハー１２の間
を矢印１５の方向に流れるようになっている。
えば、図３に示すように、シリコンウエハー（基板）１
２の鏡面仕上げしたものを複数枚用意し、ホルダー１３
に平行にかつ微小間隔で並べてセットし、それを上下吹
き抜けの枠体１４内に配置したものである。例えば、６
インチのシリコンウエハー１２を両面とも鏡面仕上げ
し、それを５mm間隔で平行にホルダー１３に乗せ、枠体
１４に収めてフィルターとし、空気がウエハー１２の間
を矢印１５の方向に流れるようになっている。
【００１２】また、この高純度シリコンフィルター１１
を、シリコンウエハーの代わりに単結晶シリコンの劈開
片を用いて構成することもでき、例えば、図４に示すよ
うに、多数の通気孔を有する（多孔性）底のある石英箱
１７に劈開シリコン片１８を入れ、多数の通気孔を有す
る（多孔性）石英蓋１９を嵌めるように載せ、それを上
述の枠体１４の中にセットしたものである。数mm大の単
結晶シリコンの劈開片１８を石英箱１７に１０cm位の厚
さに詰めた状態で蓋をし、枠体１４に収めてフィルター
とし、空気が通気孔を通りかつ劈開シリコン片１８間隙
間を通って矢印１５の方向に流れるようになっている。
を、シリコンウエハーの代わりに単結晶シリコンの劈開
片を用いて構成することもでき、例えば、図４に示すよ
うに、多数の通気孔を有する（多孔性）底のある石英箱
１７に劈開シリコン片１８を入れ、多数の通気孔を有す
る（多孔性）石英蓋１９を嵌めるように載せ、それを上
述の枠体１４の中にセットしたものである。数mm大の単
結晶シリコンの劈開片１８を石英箱１７に１０cm位の厚
さに詰めた状態で蓋をし、枠体１４に収めてフィルター
とし、空気が通気孔を通りかつ劈開シリコン片１８間隙
間を通って矢印１５の方向に流れるようになっている。
【００１３】本発明に係る高純度シリコンフィルター１
１は、その使用前に、フッ酸などで薬品洗浄して酸化膜
を除去し、表面を清浄にする。それを不活性ガスに満た
された容器でクリーンルーム１まで搬送し、リターン・
スペース５にセットする。所定時間経過後に、高純度シ
リコンフィルター１１を取り外して、再生処理する。そ
のためには、窒素雰囲気中で７００℃に加熱し、３０分
保持して、フィルターのシリコンに吸着したガス状分子
（不純物）を放出除去する。あるいは、１％フッ酸溶液
で洗浄し、水洗し、窒素雰囲気下で乾燥させても良い。
これを再度不活性ガスに満たされた容器でクリーンルー
ム１まで搬送し、リターン・スペース５にセットするわ
けである。
１は、その使用前に、フッ酸などで薬品洗浄して酸化膜
を除去し、表面を清浄にする。それを不活性ガスに満た
された容器でクリーンルーム１まで搬送し、リターン・
スペース５にセットする。所定時間経過後に、高純度シ
リコンフィルター１１を取り外して、再生処理する。そ
のためには、窒素雰囲気中で７００℃に加熱し、３０分
保持して、フィルターのシリコンに吸着したガス状分子
（不純物）を放出除去する。あるいは、１％フッ酸溶液
で洗浄し、水洗し、窒素雰囲気下で乾燥させても良い。
これを再度不活性ガスに満たされた容器でクリーンルー
ム１まで搬送し、リターン・スペース５にセットするわ
けである。
【００１４】本発明に係る高純度シリコンフィルターを
使用すると、しないとでどのような効果作用があるのか
を調べた。洗浄処理したシリコンウエハーをクリーンル
ームのＨＥＰＡフィルターの前に置いて、高純度シリコ
ンフィルターを通した空気と、従来通りの高純度シリコ
ンフィルターなしでの空気とにそれぞれ４８時間晒し
た。
使用すると、しないとでどのような効果作用があるのか
を調べた。洗浄処理したシリコンウエハーをクリーンル
ームのＨＥＰＡフィルターの前に置いて、高純度シリコ
ンフィルターを通した空気と、従来通りの高純度シリコ
ンフィルターなしでの空気とにそれぞれ４８時間晒し
た。
【００１５】シリコンウエハーの表面には自然酸化膜が
形成され、それをフッ酸溶液でエッチング除去し、その
溶液を分析してウエハーに吸着されたガス状分子である
リン（Ｐ）およびボロン（Ｂ）の量を測定し、下記の表
１の結果が得られた。
形成され、それをフッ酸溶液でエッチング除去し、その
溶液を分析してウエハーに吸着されたガス状分子である
リン（Ｐ）およびボロン（Ｂ）の量を測定し、下記の表
１の結果が得られた。
【００１６】
【表１】
【００１７】この表１から分かるように、ウエハー上へ
のガス状分子（不純物）の付着が、本発明に従って高純
度シリコンフィルターをＨＥＰＡフィルターに追加して
使用することによって、１／２〜１／５以下に低減でき
る。さらに、フィルターを通過した清浄空気に含まれる
ガス状分子であるリン（Ｐ）およびボロン（Ｂ）を、純
粋水中でのバブリングで水に溶解させ、ＩＣＰＭＡＳ
（高周波誘導結合質量分析装置）にて検出して、下記の
表２の結果が得られた。
のガス状分子（不純物）の付着が、本発明に従って高純
度シリコンフィルターをＨＥＰＡフィルターに追加して
使用することによって、１／２〜１／５以下に低減でき
る。さらに、フィルターを通過した清浄空気に含まれる
ガス状分子であるリン（Ｐ）およびボロン（Ｂ）を、純
粋水中でのバブリングで水に溶解させ、ＩＣＰＭＡＳ
（高周波誘導結合質量分析装置）にて検出して、下記の
表２の結果が得られた。
【００１８】
【表２】
【００１９】この表２から分かるように、高純度シリコ
ンフィルターの追加使用によって分析装置では検出でき
ないほどにガス状分子（不純物）を循環空気から取り除
くことができる。
ンフィルターの追加使用によって分析装置では検出でき
ないほどにガス状分子（不純物）を循環空気から取り除
くことができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体装置の製造での成膜工程においてクリーンルーム
への清浄空気を高純度シリコンフィルターを通してから
流すようにして、空気中のＨＥＰＡないしＵＬＰＡフィ
ルターでは除去できないガス状分子（不純物）を大幅に
低減することができる。このような空気雰囲気下であれ
ば、成膜する熱酸化膜やＣＶＤ膜とシリコン基板との界
面に不純物が取り込まれないので、半導体装置の特性の
安定化が図れ、歩留りおよび信頼性の向上も図れる。
半導体装置の製造での成膜工程においてクリーンルーム
への清浄空気を高純度シリコンフィルターを通してから
流すようにして、空気中のＨＥＰＡないしＵＬＰＡフィ
ルターでは除去できないガス状分子（不純物）を大幅に
低減することができる。このような空気雰囲気下であれ
ば、成膜する熱酸化膜やＣＶＤ膜とシリコン基板との界
面に不純物が取り込まれないので、半導体装置の特性の
安定化が図れ、歩留りおよび信頼性の向上も図れる。
【図１】反応炉が設置されかつ従来の換気フロー方式を
備えたクリーンルームの概略図である。
備えたクリーンルームの概略図である。
【図２】反応炉が設置されかつ本発明に係る高純度シリ
コンフィルターを従来の換気フロー方式に追加したクリ
ーンルームの概略図である。
コンフィルターを従来の換気フロー方式に追加したクリ
ーンルームの概略図である。
【図３】本発明に係る高純度シリコンフィルターの概略
斜視図である。
斜視図である。
【図４】本発明に係る別の高純度シリコンフィルターの
概略斜視図である。
概略斜視図である。
１…クリーンルーム ２…反応炉 ３…ＨＥＰＡないしＵＬＰＡフィルター ５…リターン・スペース ６…プレフィルター ７…ファン １１…高純度シリコンフィルター １２…シリコンウエハー（基板） １３…ホルダー １４…枠体 １７…石英箱 １８…劈開シリコン片
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B01D 53/46 B01D 53/04 B01D 46/00 H01L 21/02
Claims (5)
- 【請求項１】 シリコン表面に、空気中のガス状分子を
吸着させる工程と、該空気をＨＥＰＡフィルタまたはＵ
ＬＰＡフィルタを通過させる工程とを有することを特徴
とする空気清浄化方法。 - 【請求項２】 ＨＥＰＡフィルタまたはＵＬＰＡフィル
タと、シリコンからなるガス吸着フィルタとを有するこ
とを特徴とする清浄空気供給装置。 - 【請求項３】 前記ガス吸着フィルタは複数枚の鏡面仕
上げを施した単結晶シリコンウェーハを微小間隔で並べ
てなるものであることを特徴とする請求項２記載の清浄
空気供給装置。 - 【請求項４】 前記ガス吸着フィルタは複数個の単結晶
シリコン劈開片を微小間隔で並べてなるものであること
を特徴とする請求項２記載の清浄空気供給装置。 - 【請求項５】 半導体装置の製造過程で単結晶シリコン
基板が空気にさらされる際に、該空気を、シリコンから
なるガス吸着フィルタと、ＨＥＰＡフィルタまたはＵＬ
ＰＡフィルタをともに通過させた空気とすることを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21734091A JP3292739B2 (ja) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 空気清浄化方法、清浄空気供給装置および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21734091A JP3292739B2 (ja) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 空気清浄化方法、清浄空気供給装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0557136A JPH0557136A (ja) | 1993-03-09 |
| JP3292739B2 true JP3292739B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=16702645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21734091A Expired - Fee Related JP3292739B2 (ja) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 空気清浄化方法、清浄空気供給装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3292739B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3395471B2 (ja) * | 1995-08-21 | 2003-04-14 | ソニー株式会社 | 微量有機物分析装置 |
| JP3688784B2 (ja) * | 1995-12-26 | 2005-08-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | エアフィルタを備えた基板処理装置 |
| US5922108A (en) * | 1997-04-11 | 1999-07-13 | Dow Corning Corporation | Method of removing volatile organopolysiloxanes from a fluid stream |
| US8167981B2 (en) | 2009-04-21 | 2012-05-01 | Spx Corporation | Vacuum filter assembly |
| JP5896452B2 (ja) * | 2011-10-20 | 2016-03-30 | ヒューグル開発株式会社 | ガス浄化装置 |
-
1991
- 1991-08-28 JP JP21734091A patent/JP3292739B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0557136A (ja) | 1993-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001500669A (ja) | 分子状汚染制御システム | |
| KR20010015207A (ko) | 기판운반용기 | |
| JP3292739B2 (ja) | 空気清浄化方法、清浄空気供給装置および半導体装置の製造方法 | |
| TW476113B (en) | SOI substrate and method and system for manufacturing the same | |
| KR20070043792A (ko) | 초고순도 기체로부터 금속 오염물의 제거 | |
| US9163327B2 (en) | Silicon wafer and a silicon epitaxial wafer having a polycrystal silicon layer formed on a major surface including boron concentration of the polycrystal silicon layer being 1×1015 atom/cm3 or less | |
| JP2004014981A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3429553B2 (ja) | クリーンボックス | |
| JP3156452B2 (ja) | クリーンエアー供給装置と供給方法 | |
| JPH1090161A (ja) | 微粒子集塵計測方法および微粒子集塵計測装置 | |
| JP2523380B2 (ja) | シリコンウエハの清浄化方法 | |
| JP7281937B2 (ja) | 低炭素高純度多結晶シリコン塊とその製造方法 | |
| CN115430227B (zh) | 半导体制造厂房中的外气处理装置及其净化空气的方法 | |
| DE10239775B3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Siliciumwafers mit einer mit polykristallinem Silicium beschichteten Rückseite und Siliciumwafer hergestellt nach diesem Verfahren | |
| JPH07226382A (ja) | 熱処理装置 | |
| Maruyama et al. | Silicon wafer and a silicon epitaxial wafer having a polycrystal silicon layer formed on a major surface including boron concentration of the polycrystal silicon layer being 1× 10 15 atom/cm 3 or less | |
| JPH07136450A (ja) | エアーフィルタ及びエアーフィルタ装置 | |
| JPH0192656A (ja) | Ｓｉ半導体基板の表面分析方法 | |
| JP2002153715A (ja) | フィルタとこれを用いたクリーンルーム | |
| JP4471460B2 (ja) | エピタキシャル成長装置の重金属汚染低減方法 | |
| JPH0484431A (ja) | ウェーハの保管方法 | |
| JPH0789578A (ja) | 窒素ガスパージボックス及び真空装置へのボックス内ウェハの装着方法 | |
| JPH05259147A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004127975A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH06151402A (ja) | ウェット処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020219 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080329 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090329 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |