JP3285071B2 - フロントエレクトレット型マイクロフォン - Google Patents
フロントエレクトレット型マイクロフォンInfo
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- JP3285071B2 JP3285071B2 JP24303994A JP24303994A JP3285071B2 JP 3285071 B2 JP3285071 B2 JP 3285071B2 JP 24303994 A JP24303994 A JP 24303994A JP 24303994 A JP24303994 A JP 24303994A JP 3285071 B2 JP3285071 B2 JP 3285071B2
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- Japan
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- electret microphone
- shielding plate
- electret
- capsule
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- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、フロントエレクトレ
ット型マイクロフォンに関し、特に、エレクトレット振
動膜と垂直方向の厚さを小さくしたフロントエレクトレ
ット型マイクロホンに関する。
ット型マイクロフォンに関し、特に、エレクトレット振
動膜と垂直方向の厚さを小さくしたフロントエレクトレ
ット型マイクロホンに関する。
【０００２】
【従来の技術】エレクトレットマイクロホンの従来例を
図３を参照して説明する。図３において、１１はカプセ
ルを示し、このカプセル１１は金属の円筒体より成る。
カプセル１１の一端面は前面板１２により閉塞されてい
る。但し、前面板１２の中心には中心孔１３が穿設され
ており、そして中心孔１３は前面板１２の全面に貼着さ
れるクロス１４により覆われている。
図３を参照して説明する。図３において、１１はカプセ
ルを示し、このカプセル１１は金属の円筒体より成る。
カプセル１１の一端面は前面板１２により閉塞されてい
る。但し、前面板１２の中心には中心孔１３が穿設され
ており、そして中心孔１３は前面板１２の全面に貼着さ
れるクロス１４により覆われている。
【０００３】カプセル１１内には、振動膜リング１５に
張り付けられた振動膜１６が収容され、リング１５側は
前面板１２に接触している。振動膜１６は金属箔１６1
より成り、その下面には分極されたエレクトレット誘電
体膜１６2 が被着される。振動膜１６は絶縁スペーサ１
７を介して背極板１８と対向位置決めされている。背極
板１８は背極ホルダー１９に保持される。ホルダー１９
の背後はリングクッション２１を介して遮蔽板２２によ
り閉塞され、遮蔽板２２に対してカプセル１１の後方端
部を屈曲かしめつける。この様にすることにより、振動
膜１６、背極板１８、背極ホルダ１９、遮蔽板２２はカ
プセル１１内に機械的に固定されるに到る。２４はイン
ピーダンス変換モジュールであり、電界効果トランジス
タ、抵抗その他の回路素子により構成される。振動膜１
６を構成する金属箔１６1 と背極板１８はインピーダン
ス変換モジュール２４に接続し、インピーダンス変換さ
れて出力端に到る。２８は背室を示す。ところで、図３
に示されるエレクトレットマイクロホンは、分極された
エレクトレット誘電体膜１６2 が金属箔１６1 の下面、
即ち背後に形成されるものであるところから、バックエ
レクトレット型マイクロホンといわれている。
張り付けられた振動膜１６が収容され、リング１５側は
前面板１２に接触している。振動膜１６は金属箔１６1
より成り、その下面には分極されたエレクトレット誘電
体膜１６2 が被着される。振動膜１６は絶縁スペーサ１
７を介して背極板１８と対向位置決めされている。背極
板１８は背極ホルダー１９に保持される。ホルダー１９
の背後はリングクッション２１を介して遮蔽板２２によ
り閉塞され、遮蔽板２２に対してカプセル１１の後方端
部を屈曲かしめつける。この様にすることにより、振動
膜１６、背極板１８、背極ホルダ１９、遮蔽板２２はカ
プセル１１内に機械的に固定されるに到る。２４はイン
ピーダンス変換モジュールであり、電界効果トランジス
タ、抵抗その他の回路素子により構成される。振動膜１
６を構成する金属箔１６1 と背極板１８はインピーダン
ス変換モジュール２４に接続し、インピーダンス変換さ
れて出力端に到る。２８は背室を示す。ところで、図３
に示されるエレクトレットマイクロホンは、分極された
エレクトレット誘電体膜１６2 が金属箔１６1 の下面、
即ち背後に形成されるものであるところから、バックエ
レクトレット型マイクロホンといわれている。
【０００４】図４を参照して他の従来例を説明する。図
４に示されるエレクトレットマイクロホンは、振動膜１
６は、図３の実施例とは異なり分極されたエレクトレッ
ト誘電体膜１６2 は金属箔１６1 の上面に被着されてお
り、フロントエレクトレット型マイクロホンといわれて
いる。
４に示されるエレクトレットマイクロホンは、振動膜１
６は、図３の実施例とは異なり分極されたエレクトレッ
ト誘電体膜１６2 は金属箔１６1 の上面に被着されてお
り、フロントエレクトレット型マイクロホンといわれて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ここで、バックエレク
トレット型マイクロホン全体の厚さ＝前面板１２＋振動
膜リング１５＋絶縁スペーサ１７＋背極板１８＋背極ホ
ルダ１９＋遮蔽板２２、である。バックエレクトレット
型マイクロホン全体の厚さは以上の総和を下まわること
はできない。
トレット型マイクロホン全体の厚さ＝前面板１２＋振動
膜リング１５＋絶縁スペーサ１７＋背極板１８＋背極ホ
ルダ１９＋遮蔽板２２、である。バックエレクトレット
型マイクロホン全体の厚さは以上の総和を下まわること
はできない。
【０００６】これに対して、フロントエレクトレット型
マイクロホンは、バックエレクトレット型マイクロホン
と比較して、背極板１８を特に必要とはせず、これを保
持する背極ホルダ１９も不用であり、その分部品点数を
少なくすることができる。背極板１８およびこれを保持
する背極ホルダ１９の厚さは共にエレクトレットマイク
ロホンの構成部品の内においては比較的に厚いものであ
るので、これらを省略することができるということはマ
イクロホン全体の厚さを小さくする上において好都合な
ことである。しかし、フロントエレクトレット型マイク
ロホンにおいてもインピーダンス変換モジュール２４を
カプセル１１内に収容しなければならないことに変わり
なく、この厚さは背極板１８と背極ホルダ１９を一体化
した厚さにほぼ匹敵する。従って、背極板１８と背極ホ
ルダ１９を一体化した厚さを省略することができても、
この厚さに匹敵するインピーダンス変換モジュール２４
をカプセル１１内に適切に収容しない限り、マイクロホ
ン全体の厚さを小さくすることはできない。
マイクロホンは、バックエレクトレット型マイクロホン
と比較して、背極板１８を特に必要とはせず、これを保
持する背極ホルダ１９も不用であり、その分部品点数を
少なくすることができる。背極板１８およびこれを保持
する背極ホルダ１９の厚さは共にエレクトレットマイク
ロホンの構成部品の内においては比較的に厚いものであ
るので、これらを省略することができるということはマ
イクロホン全体の厚さを小さくする上において好都合な
ことである。しかし、フロントエレクトレット型マイク
ロホンにおいてもインピーダンス変換モジュール２４を
カプセル１１内に収容しなければならないことに変わり
なく、この厚さは背極板１８と背極ホルダ１９を一体化
した厚さにほぼ匹敵する。従って、背極板１８と背極ホ
ルダ１９を一体化した厚さを省略することができても、
この厚さに匹敵するインピーダンス変換モジュール２４
をカプセル１１内に適切に収容しない限り、マイクロホ
ン全体の厚さを小さくすることはできない。
【０００７】この発明は、フロントエレクトレット型マ
イクロホンにおいて振動膜と垂直な方向の厚さを更に小
さくし、感度が高く安定して、音質も良好である薄形の
フロントエレクトレット型マイクロホンを提供するもの
である。
イクロホンにおいて振動膜と垂直な方向の厚さを更に小
さくし、感度が高く安定して、音質も良好である薄形の
フロントエレクトレット型マイクロホンを提供するもの
である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前面板１２内面にエレク
トレット誘電体膜１６2 が形成される金属材料より成る
カプセル１１を具備し、振動膜リング１５に張り付けら
れる金属材料より成る振動膜１６を具備し、インピーダ
ンス変換モジュール２４を具備し、前面板１２に対向し
て配置される遮蔽板２２を具備し、振動膜１６をスペー
サ１７を介してエレクトレット誘電体膜１６2 に対向さ
せて振動膜リング１５を遮蔽板２２の一部と前面板１２
の一部との間に配置し、遮蔽板２２の他の一部と前面板
１２の他の一部との間にインピーダンス変換モジュール
２４を配置するフロントエレクトレット型マイクロフォ
ンを構成した。
トレット誘電体膜１６2 が形成される金属材料より成る
カプセル１１を具備し、振動膜リング１５に張り付けら
れる金属材料より成る振動膜１６を具備し、インピーダ
ンス変換モジュール２４を具備し、前面板１２に対向し
て配置される遮蔽板２２を具備し、振動膜１６をスペー
サ１７を介してエレクトレット誘電体膜１６2 に対向さ
せて振動膜リング１５を遮蔽板２２の一部と前面板１２
の一部との間に配置し、遮蔽板２２の他の一部と前面板
１２の他の一部との間にインピーダンス変換モジュール
２４を配置するフロントエレクトレット型マイクロフォ
ンを構成した。
【０００９】そして、遮蔽板２２の他の一部に嵌合部４
０を形成し、インピーダンス変換モジュール２４を嵌合
固定するフロントエレクトレット型マイクロフォンを構
成した。また、遮蔽板２２の一部に凹部２８’を形成す
るフロントエレクトレット型マイクロフォンを構成し
た。
０を形成し、インピーダンス変換モジュール２４を嵌合
固定するフロントエレクトレット型マイクロフォンを構
成した。また、遮蔽板２２の一部に凹部２８’を形成す
るフロントエレクトレット型マイクロフォンを構成し
た。
【００１０】更に、振動膜リング１５は遮蔽板２２に平
行に連通孔１５1 が穿設されるものであるフロントエレ
クトレット型マイクロフォンを構成した。ここで、カプ
セルを円筒体としたフロントエレクトレット型マイクロ
フォンを構成した。そして、カプセルを四角筒体とした
フロントエレクトレット型マイクロフォンを構成した。
行に連通孔１５1 が穿設されるものであるフロントエレ
クトレット型マイクロフォンを構成した。ここで、カプ
セルを円筒体としたフロントエレクトレット型マイクロ
フォンを構成した。そして、カプセルを四角筒体とした
フロントエレクトレット型マイクロフォンを構成した。
【００１１】また、遮蔽板を導電性金属板により構成し
たフロントエレクトレット型マイクロフォンを構成し
た。
たフロントエレクトレット型マイクロフォンを構成し
た。
【００１２】
【実施例】この発明の実施例を図１を参照して説明す
る。図１（ａ）はこの発明のフロントエレクトレット型
マイクロフォンの厚さ方向の断面を示す図、図１（ｂ）
は図１（ａ）を上から視たところを示す図、図１（ｃ）
は図１（ａ）を下から視たところを示す図、図１（ｄ）
は水平方向の断面を示す図である。
る。図１（ａ）はこの発明のフロントエレクトレット型
マイクロフォンの厚さ方向の断面を示す図、図１（ｂ）
は図１（ａ）を上から視たところを示す図、図１（ｃ）
は図１（ａ）を下から視たところを示す図、図１（ｄ）
は水平方向の断面を示す図である。
【００１３】図１において、１１は金属材料より成る高
さの極く小さい薄型円筒体より成るカプセルである。１
２はカプセル１１の前面板を示し、その一部には１３に
より示される音孔が穿設されている。１５は金属材料よ
り成る振動膜リング、１６は金属材料より成る振動膜、
１７はスペーサ、２２は絶縁材料より成る遮蔽板であ
る。２４はインピーダンス変換モジュールを示す。
さの極く小さい薄型円筒体より成るカプセルである。１
２はカプセル１１の前面板を示し、その一部には１３に
より示される音孔が穿設されている。１５は金属材料よ
り成る振動膜リング、１６は金属材料より成る振動膜、
１７はスペーサ、２２は絶縁材料より成る遮蔽板であ
る。２４はインピーダンス変換モジュールを示す。
【００１４】エレクトレットマイクロフォンを構成する
部材はカプセル１１と遮蔽板２２とにより形成される領
域に収容される。この領域を形成するカプセル１１の前
面板１２の内側面には、エレクトレット材料を熱溶着す
ることにより分極されたエレクトレット誘電体膜１６2
が形成される。振動膜１６は振動膜リング１５に張り付
けられている。振動膜リング１５は、スペーサ１７を介
して振動膜１６をエレクトレット誘電体膜１６2 に対向
させた状態においてカプセル１１の前面板１２と遮蔽板
２２の間に組み込まれる。この振動膜リング１５には、
その遮蔽板２２に接合する側の一部に１５1 により示さ
れる連通孔が形成される。遮蔽板２２には、４０により
示される角孔或は切り欠き部より成る嵌合部が形成さ
れ、ここにインピーダンス変換モジュール２４を嵌合
し、固定する。マイクロフォンを構成する部材をカプセ
ル１１と遮蔽板２２とにより形成される領域に上述の如
くして組み立て収容した後、遮蔽板２２に対してカプセ
ル１１の後方端部を屈曲してカシメつけてフロントエレ
クトレット型マイクロホンは完成する。２８は背室であ
り、振動膜１６、振動膜リング１５、遮蔽板２２により
形成される領域である。２８’は背室２８内の遮蔽板２
２に形成される凹部である。
部材はカプセル１１と遮蔽板２２とにより形成される領
域に収容される。この領域を形成するカプセル１１の前
面板１２の内側面には、エレクトレット材料を熱溶着す
ることにより分極されたエレクトレット誘電体膜１６2
が形成される。振動膜１６は振動膜リング１５に張り付
けられている。振動膜リング１５は、スペーサ１７を介
して振動膜１６をエレクトレット誘電体膜１６2 に対向
させた状態においてカプセル１１の前面板１２と遮蔽板
２２の間に組み込まれる。この振動膜リング１５には、
その遮蔽板２２に接合する側の一部に１５1 により示さ
れる連通孔が形成される。遮蔽板２２には、４０により
示される角孔或は切り欠き部より成る嵌合部が形成さ
れ、ここにインピーダンス変換モジュール２４を嵌合
し、固定する。マイクロフォンを構成する部材をカプセ
ル１１と遮蔽板２２とにより形成される領域に上述の如
くして組み立て収容した後、遮蔽板２２に対してカプセ
ル１１の後方端部を屈曲してカシメつけてフロントエレ
クトレット型マイクロホンは完成する。２８は背室であ
り、振動膜１６、振動膜リング１５、遮蔽板２２により
形成される領域である。２８’は背室２８内の遮蔽板２
２に形成される凹部である。
【００１５】以上のフロントエレクトレット型マイクロ
ホンにおいて、金属材料より成る振動膜１６が一方の電
極を構成し、内面にエレクトレット誘電体膜１６2 が形
成される金属材料より成る前面板１２が他方の電極を構
成する。具体的な図示説明は省略するが、一方の電極で
ある振動膜１６はその金属材料より成る振動膜リング１
５が例えば極く薄いフレキシブル配線基板を介してイン
ピーダンス変換モジュール２４の一方の入力端子に電気
接続される。他方の電極である前面板１２は、上述のカ
プセル１１のカシメつけによりインピーダンス変換モジ
ュール２４の他方の入力端子に圧接状態とされ、電気接
続している。３１1 はインピーダンス変換モジュール２
４の一方の出力端子であり、３１2 は他方の出力端子で
ある接地端子である。
ホンにおいて、金属材料より成る振動膜１６が一方の電
極を構成し、内面にエレクトレット誘電体膜１６2 が形
成される金属材料より成る前面板１２が他方の電極を構
成する。具体的な図示説明は省略するが、一方の電極で
ある振動膜１６はその金属材料より成る振動膜リング１
５が例えば極く薄いフレキシブル配線基板を介してイン
ピーダンス変換モジュール２４の一方の入力端子に電気
接続される。他方の電極である前面板１２は、上述のカ
プセル１１のカシメつけによりインピーダンス変換モジ
ュール２４の他方の入力端子に圧接状態とされ、電気接
続している。３１1 はインピーダンス変換モジュール２
４の一方の出力端子であり、３１2 は他方の出力端子で
ある接地端子である。
【００１６】上述のフロントエレクトレット型マイクロ
ホンは、その動作時において他方の電極である前面板１
２を−２００ボルト程度の電位にバイアスしておく。音
孔１３を介して音響振動が進入すると、これに起因して
振動膜１６は振動し、この振動に対応する振動膜１６と
前面板１２との間の電気容量変化を電気信号として出力
する。
ホンは、その動作時において他方の電極である前面板１
２を−２００ボルト程度の電位にバイアスしておく。音
孔１３を介して音響振動が進入すると、これに起因して
振動膜１６は振動し、この振動に対応する振動膜１６と
前面板１２との間の電気容量変化を電気信号として出力
する。
【００１７】図２を参照してこの発明の他の実施例を説
明する。図２はこの他の実施例の厚さ方向の断面を示す
図である。図２において、１１は金属材料より成る高さ
の極く小さい薄型四角筒体より成るカプセルである。１
２はカプセル１１の前面板を示し、その一部には１３に
より示される音孔が穿設されている。１５は金属材料よ
り成る四角形の振動膜リング、１６は金属材料より成る
振動膜、１７はスペーサ、２２は真ちゅうの如き導電性
金属板より成る遮蔽板である。２４はインピーダンス変
換モジュールを示す。
明する。図２はこの他の実施例の厚さ方向の断面を示す
図である。図２において、１１は金属材料より成る高さ
の極く小さい薄型四角筒体より成るカプセルである。１
２はカプセル１１の前面板を示し、その一部には１３に
より示される音孔が穿設されている。１５は金属材料よ
り成る四角形の振動膜リング、１６は金属材料より成る
振動膜、１７はスペーサ、２２は真ちゅうの如き導電性
金属板より成る遮蔽板である。２４はインピーダンス変
換モジュールを示す。
【００１８】エレクトレットマイクロフォンを構成する
部材はカプセル１１と遮蔽板２２とにより形成される領
域に収容される。この領域を形成するカプセル１１の前
面板１２の内側面には、エレクトレット材料を熱溶着す
ることにより分極されたエレクトレット誘電体膜１６2
が形成される。振動膜１６は振動膜リング１５に張り付
けられている。振動膜リング１５は、スペーサ１７を介
して振動膜１６をエレクトレット誘電体膜１６2 に対向
させた状態においてカプセル１１の前面板１２と遮蔽板
２２の間に組み込まれる。図２の実施例においては、こ
の組み込みに際して、振動膜リング１５と遮蔽板２２と
の間にフレキシブル基板５０を介在させる。フレキシブ
ル基板５０は振動膜リング１５に対応接合するところに
配線パターンが形成され、この配線パターンから更に配
線パターンが延伸してインピーダンス変換モジュール２
４の正の入力端子に接続している。そして、振動膜リン
グ１５はフレキシブル基板５０に載置されることにより
導電性の遮蔽板２２とは電気的に絶縁される。遮蔽板２
２には、４０により示される角孔或は切り欠き部より成
る嵌合部が形成され、ここにインピーダンス変換モジュ
ール２４を嵌合し、固定する。この振動膜リング１５に
は、その遮蔽板２２に接合する側の一部に１５1 により
示される連通孔が形成される。マイクロフォンを構成す
る部材をカプセル１１と遮蔽板２２とにより形成される
領域に上述の如くして組み立て収容した後、遮蔽板２２
に対してカプセル１１の後方端部を屈曲してカシメつけ
てフロントエレクトレット型マイクロホンは完成する。
２８は背室であり、振動膜１６、振動膜リング１５、遮
蔽板２２により形成される領域である。２８’は背室２
８内の遮蔽板２２に形成される凹部である。ここで、上
述のフレキシブル基板５０の内の振動膜リング１５に対
応する配線パターンの内側は打ち抜かれて存在しない。
従って、背室２８内と凹部２８’は完全に連通してい
る。
部材はカプセル１１と遮蔽板２２とにより形成される領
域に収容される。この領域を形成するカプセル１１の前
面板１２の内側面には、エレクトレット材料を熱溶着す
ることにより分極されたエレクトレット誘電体膜１６2
が形成される。振動膜１６は振動膜リング１５に張り付
けられている。振動膜リング１５は、スペーサ１７を介
して振動膜１６をエレクトレット誘電体膜１６2 に対向
させた状態においてカプセル１１の前面板１２と遮蔽板
２２の間に組み込まれる。図２の実施例においては、こ
の組み込みに際して、振動膜リング１５と遮蔽板２２と
の間にフレキシブル基板５０を介在させる。フレキシブ
ル基板５０は振動膜リング１５に対応接合するところに
配線パターンが形成され、この配線パターンから更に配
線パターンが延伸してインピーダンス変換モジュール２
４の正の入力端子に接続している。そして、振動膜リン
グ１５はフレキシブル基板５０に載置されることにより
導電性の遮蔽板２２とは電気的に絶縁される。遮蔽板２
２には、４０により示される角孔或は切り欠き部より成
る嵌合部が形成され、ここにインピーダンス変換モジュ
ール２４を嵌合し、固定する。この振動膜リング１５に
は、その遮蔽板２２に接合する側の一部に１５1 により
示される連通孔が形成される。マイクロフォンを構成す
る部材をカプセル１１と遮蔽板２２とにより形成される
領域に上述の如くして組み立て収容した後、遮蔽板２２
に対してカプセル１１の後方端部を屈曲してカシメつけ
てフロントエレクトレット型マイクロホンは完成する。
２８は背室であり、振動膜１６、振動膜リング１５、遮
蔽板２２により形成される領域である。２８’は背室２
８内の遮蔽板２２に形成される凹部である。ここで、上
述のフレキシブル基板５０の内の振動膜リング１５に対
応する配線パターンの内側は打ち抜かれて存在しない。
従って、背室２８内と凹部２８’は完全に連通してい
る。
【００１９】以上のフロントエレクトレット型マイクロ
ホンにおいて、金属材料より成る振動膜１６が一方の電
極を構成し、内面にエレクトレット誘電体膜１６2 が形
成される金属材料より成る前面板１２が他方の電極を構
成する。具体的な図示説明は省略するが、一方の電極で
ある振動膜１６はその金属材料より成る振動膜リング１
５は上述した通りフレキシブル基板５０表面の配線パタ
ーンを介してインピーダンス変換モジュール２４の一方
の入力端子に電気接続される。他方の電極である前面板
１２は、導電性金属板より成る遮蔽板を介してインピー
ダンス変換モジュール２４の他方の入力端子に電気接続
している。３１1 はインピーダンス変換モジュール２４
の一方の出力端子であり、３１2 は他方の出力端子であ
る接地端子である。この出力端子３１は図２において水
平方向に延伸しているが、モイクロフォンを電子機器に
組み込む際にこれをリフロー半田付け対応のものとする
ために、出力端子３１をフォーミング屈曲させると好適
である。
ホンにおいて、金属材料より成る振動膜１６が一方の電
極を構成し、内面にエレクトレット誘電体膜１６2 が形
成される金属材料より成る前面板１２が他方の電極を構
成する。具体的な図示説明は省略するが、一方の電極で
ある振動膜１６はその金属材料より成る振動膜リング１
５は上述した通りフレキシブル基板５０表面の配線パタ
ーンを介してインピーダンス変換モジュール２４の一方
の入力端子に電気接続される。他方の電極である前面板
１２は、導電性金属板より成る遮蔽板を介してインピー
ダンス変換モジュール２４の他方の入力端子に電気接続
している。３１1 はインピーダンス変換モジュール２４
の一方の出力端子であり、３１2 は他方の出力端子であ
る接地端子である。この出力端子３１は図２において水
平方向に延伸しているが、モイクロフォンを電子機器に
組み込む際にこれをリフロー半田付け対応のものとする
ために、出力端子３１をフォーミング屈曲させると好適
である。
【００２０】上述のフロントエレクトレット型マイクロ
ホンは、その動作時において他方の電極である前面板１
２を−２００ボルト程度の電位にバイアスしておく。音
孔１３を介して音響振動が進入すると、これに起因して
振動膜１６は振動し、この振動に対応する振動膜１６と
前面板１２との間の電気容量変化を電気信号として出力
する。
ホンは、その動作時において他方の電極である前面板１
２を−２００ボルト程度の電位にバイアスしておく。音
孔１３を介して音響振動が進入すると、これに起因して
振動膜１６は振動し、この振動に対応する振動膜１６と
前面板１２との間の電気容量変化を電気信号として出力
する。
【００２１】以上の通りのこの発明のエレクトレット型
マイクロホンは、そのタイプとしてフロントエレクトレ
ット型を採用する上に、カプセル１１と遮蔽板２２とに
より形成される領域の内の背室２８以外の領域にインピ
ーダンス変換モジュール２４を配置することにより、マ
イクロホン全体の厚さを小さくすることができる。そし
て、インピーダンス変換モジュール２４の嵌合部４０
を、カプセル１１と遮蔽板２２とにより形成される領域
の内の背室２８以外の領域に形成し、ここにモジュール
を嵌合固定することにより、更に遮蔽板２２の厚さの分
だけフロントエレクトレット型マイクロホン全体の厚さ
を小さくすることができる。
マイクロホンは、そのタイプとしてフロントエレクトレ
ット型を採用する上に、カプセル１１と遮蔽板２２とに
より形成される領域の内の背室２８以外の領域にインピ
ーダンス変換モジュール２４を配置することにより、マ
イクロホン全体の厚さを小さくすることができる。そし
て、インピーダンス変換モジュール２４の嵌合部４０
を、カプセル１１と遮蔽板２２とにより形成される領域
の内の背室２８以外の領域に形成し、ここにモジュール
を嵌合固定することにより、更に遮蔽板２２の厚さの分
だけフロントエレクトレット型マイクロホン全体の厚さ
を小さくすることができる。
【００２２】また、遮蔽板２２の一部に凹部２８’を形
成することにより背室２８の容量を凹部２８’の容量の
分だけ拡大することができ、それだけ振動膜１６の振動
を容易としてマイクロホンの出力電圧レベルを向上する
ことができる。更に、振動膜リング１５に遮蔽板２２に
平行な連通孔１５1 を穿設して背室２８を背室外に連通
せしめたことにより、マイクロホンの出力電圧レベルを
より向上することができる。図５は出力電圧レベルの周
波数特性を示す図であり、下側の線は背室容量を拡大し
ない場合の出力電圧レベルを示し、上側の線は背室容量
を拡大した場合の出力電圧レベルを示す。およそ、３ｄ
Ｂ程度の特性の改善をすることができる。
成することにより背室２８の容量を凹部２８’の容量の
分だけ拡大することができ、それだけ振動膜１６の振動
を容易としてマイクロホンの出力電圧レベルを向上する
ことができる。更に、振動膜リング１５に遮蔽板２２に
平行な連通孔１５1 を穿設して背室２８を背室外に連通
せしめたことにより、マイクロホンの出力電圧レベルを
より向上することができる。図５は出力電圧レベルの周
波数特性を示す図であり、下側の線は背室容量を拡大し
ない場合の出力電圧レベルを示し、上側の線は背室容量
を拡大した場合の出力電圧レベルを示す。およそ、３ｄ
Ｂ程度の特性の改善をすることができる。
【００２３】図２に示される実施例において、カプセル
１１は薄型四角筒体とされている。ここで、円筒体カプ
セルに外接する薄型四角筒体カプセルを構成した場合、
四角筒体カプセルに対応して振動膜リング１５を四角形
に形成し、これに対応して振動膜１６を四角形に構成す
ることができる。この場合、四角形振動膜は円筒体カプ
セルに対応する円形振動膜と比較して４隅の三角形状の
面積分だけ振動膜面積を大きくすることができる。そし
て、四角筒体カプセルに四角形振動膜を収容する方が、
円筒体カプセルに円形振動膜を収容するものと比較し
て、カプセルに対する円形振動膜のスペースファクタは
遥かに良好である。
１１は薄型四角筒体とされている。ここで、円筒体カプ
セルに外接する薄型四角筒体カプセルを構成した場合、
四角筒体カプセルに対応して振動膜リング１５を四角形
に形成し、これに対応して振動膜１６を四角形に構成す
ることができる。この場合、四角形振動膜は円筒体カプ
セルに対応する円形振動膜と比較して４隅の三角形状の
面積分だけ振動膜面積を大きくすることができる。そし
て、四角筒体カプセルに四角形振動膜を収容する方が、
円筒体カプセルに円形振動膜を収容するものと比較し
て、カプセルに対する円形振動膜のスペースファクタは
遥かに良好である。
【００２４】そして、遮蔽板を導電性金属板より構成す
ることにより、絶縁材料により構成する場合と比較し
て、凹部の形成その他の加工を含めて遮蔽板自体の加工
製造を容易とすることができる。出来上りのマイクロフ
ォンの特性も安定し、耐熱性も良好であって半田付けそ
の他の処理に際して好都合である。
ることにより、絶縁材料により構成する場合と比較し
て、凹部の形成その他の加工を含めて遮蔽板自体の加工
製造を容易とすることができる。出来上りのマイクロフ
ォンの特性も安定し、耐熱性も良好であって半田付けそ
の他の処理に際して好都合である。
【００２５】
【発明の効果】以上の通りであって、この発明はエレク
トレットマイクロホンの型としてフロントエレクトレッ
ト型を採用し、インピーダンス変換モジュールを背室外
の配線基板に嵌合部を形成してこれに嵌合配置すること
によりフロントエレクトレット型マイクロホン全体の厚
さを大きく減少せしめることができた。マイクロホン全
体の厚さは、結局、カプセルの前面板の厚さとインピー
ダンス変換モジュールの厚さの和にほぼ等しく設計する
ことができ、実際に１ｍｍ以下の厚さのものを構成する
ことができた。そして、構成されたフロントエレクトレ
ット型マイクロホンは、実験の結果、感度が高くそして
安定であり、音質も良好なものであった。
トレットマイクロホンの型としてフロントエレクトレッ
ト型を採用し、インピーダンス変換モジュールを背室外
の配線基板に嵌合部を形成してこれに嵌合配置すること
によりフロントエレクトレット型マイクロホン全体の厚
さを大きく減少せしめることができた。マイクロホン全
体の厚さは、結局、カプセルの前面板の厚さとインピー
ダンス変換モジュールの厚さの和にほぼ等しく設計する
ことができ、実際に１ｍｍ以下の厚さのものを構成する
ことができた。そして、構成されたフロントエレクトレ
ット型マイクロホンは、実験の結果、感度が高くそして
安定であり、音質も良好なものであった。
【図１】この発明の実施例を説明する図であり、（ａ）
は厚さ方向の断面を示す図、（ｂ）は（ａ）を上から視
たところを示す図、（ｃ）は（ａ）を下から視たところ
を示す図、（ｄ）は水平方向の断面を示す図である。
は厚さ方向の断面を示す図、（ｂ）は（ａ）を上から視
たところを示す図、（ｃ）は（ａ）を下から視たところ
を示す図、（ｄ）は水平方向の断面を示す図である。
【図２】この発明の他の実施例の断面を示す図である。
【図３】従来例を説明する図である。
【図４】他の従来例を説明する図である。
【図５】出力電圧レベルの周波数特性を示す図である。
１１ カプセル １２ 前面板 １５ 振動膜リング １６ 振動膜 １６2 エレクトレット誘電体膜 １７ スペーサ ２２ 遮蔽板 ２４ インピーダンス変換モジュール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西川 孝二 兵庫県神戸市西区高塚台４−３−１ ホ シデン株式会社 開発技術研究所内 (72)発明者 井土 俊朗 福岡県鞍手郡鞍手町大字中山3024の38 ホシデン九州株式会社内 (72)発明者 小野 和夫 福岡県鞍手郡鞍手町大字中山3024の38 ホシデン九州株式会社内 (72)発明者 北冨 泰彦 福岡県鞍手郡鞍手町大字中山3024の38 ホシデン九州株式会社内 (56)参考文献 特表 昭58−501699（ＪＰ，Ａ) 米国特許4331840（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H04R 19/04
Claims (8)
- 【請求項１】 前面板内面にエレクトレット誘電体膜が
形成される金属材料より成るカプセルを具備し、振動膜
リングに張り付けられる金属材料より成る振動膜を具備
し、インピーダンス変換モジュールを具備し、前面板に
対向して配置される遮蔽板を具備し、振動膜をスペーサ
を介してエレクトレット誘電体膜に対向させて振動膜リ
ングを遮蔽板の一部と前面板の一部との間に配置し、遮
蔽板の他の一部と前面板の他の一部との間にインピーダ
ンス変換モジュールを配置することを特徴とするフロン
トエレクトレット型マイクロフォン。 - 【請求項２】 請求項１に記載されるエレクトレット型
マイクロフォンにおいて、遮蔽板の他の一部に嵌合部を
形成し、インピーダンス変換モジュールを嵌合固定する
ことを特徴とするフロントエレクトレット型マイクロフ
ォン。 - 【請求項３】 請求項１および請求項２の何れかに記載
されるエレクトレット型マイクロフォンにおいて、遮蔽
板の一部に凹部を形成することを特徴とするフロントエ
レクトレット型マイクロフォン。 - 【請求項４】 請求項１ないし請求項３の内の何れかに
記載されるエレクトレット型マイクロフォンにおいて、
振動膜リングは遮蔽板に平行に連通孔が穿設されるもの
であることを特徴とするフロントエレクトレット型マイ
クロフォン。 - 【請求項５】 請求項１ないし請求項４の内の何れかに
記載されるエレクトレット型マイクロフォンにおいて、
カプセルを円筒体としたことを特徴とするフロントエレ
クトレット型マイクロフォン。 - 【請求項６】 請求項１ないし請求項４の内の何れかに
記載されるエレクトレット型マイクロフォンにおいて、
カプセルを四角筒体としたことを特徴とするフロントエ
レクトレット型マイクロフォン。 - 【請求項７】 請求項５に記載されるエレクトレット型
マイクロフォンにおいて、遮蔽板を導電性金属板により
構成したことを特徴とするフロントエレクトレット型マ
イクロフォン。 - 【請求項８】 請求項６に記載されるエレクトレット型
マイクロフォンにおいて、遮蔽板を導電性金属板により
構成したことを特徴とするフロントエレクトレット型マ
イクロフォン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24303994A JP3285071B2 (ja) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | フロントエレクトレット型マイクロフォン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24303994A JP3285071B2 (ja) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | フロントエレクトレット型マイクロフォン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08107599A JPH08107599A (ja) | 1996-04-23 |
| JP3285071B2 true JP3285071B2 (ja) | 2002-05-27 |
Family
ID=17097935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24303994A Expired - Lifetime JP3285071B2 (ja) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | フロントエレクトレット型マイクロフォン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3285071B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100540712B1 (ko) * | 2002-07-30 | 2006-01-16 | 주식회사 비에스이 | 초소형 콘덴서 실리콘 마이크로폰 |
-
1994
- 1994-10-06 JP JP24303994A patent/JP3285071B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08107599A (ja) | 1996-04-23 |
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