JP3281017B2 - 荷電粒子ビーム装置 - Google Patents

荷電粒子ビーム装置

Info

Publication number
JP3281017B2
JP3281017B2 JP03352192A JP3352192A JP3281017B2 JP 3281017 B2 JP3281017 B2 JP 3281017B2 JP 03352192 A JP03352192 A JP 03352192A JP 3352192 A JP3352192 A JP 3352192A JP 3281017 B2 JP3281017 B2 JP 3281017B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lens
plane
correction
charged particle
particle beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP03352192A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04328232A (ja
Inventor
ディーデリック ファン デル マスト カレル
フランク デ ヨンフ アラン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips NV
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips NV, Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips NV
Publication of JPH04328232A publication Critical patent/JPH04328232A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3281017B2 publication Critical patent/JP3281017B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/153Electron-optical or ion-optical arrangements for the correction of image defects, e.g. stigmators
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/15Means for deflecting or directing discharge
    • H01J2237/151Electrostatic means
    • H01J2237/1514Prisms

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、物体平面に荷電粒子ビ
ームを放出するビーム源と、光軸に沿って配置され、物
体平面の像を形成するための少なくとも1個のレンズを
具えている粒子−光学素子と、前記少なくとも1個のレ
ンズによる像の球面及び/又は色収差を補正するための
補正素子とを具え、該補正素子が光軸に対して垂直に延
在する補正平面に磁位及び/又は電位分布を発生するた
めの多重極素子を具えている荷電粒子ビーム装置に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】この種の荷電粒子ビーム装置は米国特許
第4,414,474号明細書から既知である。この米国特許明
細書には電子顕微鏡の球面収差を補正する補正素子が開
示されている。球面収差は光軸上の一点から電子光学レ
ンズに入射する電子がレンズの光軸に近い部分よりもレ
ンズの周縁部で強く偏向させるために発生する。光軸上
に位置する一点はレンズによりr=MCS α3 で与えら
れる半径rを有するスポットとして結像される。ここ
で、CS は球面収差係数、Mは横倍率及びαは光軸上の
前記点においてレンズの半径が張る角度である。球面収
差はビーム絞りにより低減し得るが、この方法は結像す
べき物体の情報の損失が生ずるので有利でない。球面収
差係数を減少させることもできる。
【0003】電荷電流密度が零の無電荷空間内の静電界
又は磁界はラプラス方程式を満足するポテンシャル(電
位又は磁位)分布で記述される。円筒対称系ではこのポ
テンシャル分布は光軸からの距離の偶数ベキのみを含む
光軸を中心とする総数に展開することができる。このポ
テンシャル分布と関連する電界又は磁界はこの分布の導
関数を決定することにより見出せる。これら電界又は磁
界内の荷電粒子の軌道の計算に、光軸を中心とする総数
展開の、光軸からの距離のベキが1以下の電界又は磁界
項のみを考慮に入れると、一次軌道が見出せる。荷電粒
子の軌道の計算に、1より大きい光軸からの距離のベキ
を有する電界又は磁界項を考慮に入れると、一次軌道か
らずれた三次軌道が見出せる。光軸上の一点から出た荷
電粒子に対し、一次軌道と三次軌道との間の像平面にお
ける偏差を球面収差という。磁界に対する球面収差の係
数は物体平面と像平面との間の光軸に沿う積分で表わす
ことができる。円筒対称系に対し、シェルツェルがこの
積分は常に負になることを証明している。従って、球面
収差は円筒対称の粒子光学系により補正することはでき
ない。既知の方法に従って円形レンズの周囲に2個の6
重極を具える補正素子を用いると、円筒対称粒子光学系
により導入される球面収差に対抗する三次効果が電子軌
道に及ぼされる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような補正素子
は、光軸のかなり長い部分に亘って補正を行なうもの
で、この補正素子はこの方向に10cmの長さを有し、かな
り大きなスペースを占めるという欠点を有する。この結
果、この補正素子を既存の粒子光学装置内に組み込むの
は困難である。また、このような補正素子の位置決めに
課せられる要件は厳しく、満足させるのが困難である。
更に、この補正素子の寸法は大きいので、補正素子の領
域ではまだ像情報が拡大されないため、電磁妨害をかな
り受けやすい。本発明の目的は、光軸方向に比較的小さ
な寸法を有する補正素子を具える上述した種類の荷電粒
子ビーム装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、物体平面に荷
電粒子ビームを放出するビーム源と、光軸に沿って配置
され、物体平面の像を形成するための少なくとも1個の
レンズを具えている粒子−光学素子と、前記少なくとも
1個のレンズによる像の球面及び/又は色収差を補正す
るための補正素子とを具え、該補正素子が前記光軸に対
して垂直に延在する補正平面に磁位及び/又は電位分布
を発生するための多重極素子を具えている荷電粒子ビー
ム装置において、球面収差を補正するために、前記磁位
及び/又は電位分布が8重極分布を含み、且つ前記荷電
粒子ビーム装置が、補正方向を調整するために前記補正
平面における磁位及び/又は電位分布を回転させる手段
を具えていることを特徴とする。
【0006】本発明荷電粒子ビーム装置の一例では、種
々の方向にて順次補正された多数の像を合成する手段を
設ける。補正された像を例えばコンピュータの画像メモ
リ内で合成することにより又は写真乾板上に重畳するこ
とにより物体の補正全像を得ることができる。
【0007】本発明荷電粒子ビーム装置の他の例では、
補正平面をレンズの主平面と共役な平面と一致させる。
レンズにより導入される球面及び/又は色収差は前記補
正素子により補正されるので、この補正素子はレンズの
主平面に等価な平面に位置させるのが好ましい。レンズ
の主平面とは、ここでは、レンズ誤差(もしあれば)が
導入されるレンズの作用平面を意味するものと理解され
たい。
【0008】本発明荷電粒子ビーム装置の更に他の例で
はレンズを対物レンズとする。電子顕微鏡においては、
前記補正素子は対物レンズの背後の、通常無非点収差素
子が設けられる区域に配置するのが好ましい。走査形電
子顕微鏡においては、前記補正素子は対物レンズの近く
に、即ち試料の前に配置するのが好ましい。対物レンズ
は、その比較的大きな開口角(例えば20mrad)のため
に、他のレンズと比較して大きな球面収差及び色収差を
発生する。前記補正素子は、小寸法である結果として、
透過形電子顕微鏡の対物レンズの背後に配置された無非
点収差素子と結合することができる。
【0009】本発明荷電粒子ビーム装置の更に他の例で
は、像の補正方向を選択する像処理工程に組込む像処理
系を設ける。このように像処理系を用いて像から所望の
方向、特に補正方向を、フーリエ空間内のこの方向を選
択し他の方向を抑圧することにより選択することができ
る。この選択は強度に基づいて行なう。
【0010】透過形電子顕微鏡として構成された本発明
荷電粒子ビーム装置の更に他の例では、レンズの後焦平
面にて補正方向を選択する絞りを具え、該絞り及び荷電
粒子ビームを互いに可動自在とし、この動きを前記補正
素子の磁位及び/又は電位分布の回転に結合させるよう
にする。対物レンズの後焦平面における電子波動関数は
フーリエ変換形に表わせる。原像内の各方向は直線で表
わせる。絞りを用いて方向を選択することができる。選
択方向を補正方向に対応させる種々の方法が可能であ
る。第1の方法は絞りを光軸を中心に回転多重極場と一
緒に回転させるものである。この場合画像処理ステップ
は例えば重畳とする。第2の方法は、絞りを回転させる
代りに、試料に入射する電子ビームを傾斜させ、その傾
斜方向を回転させる。この場合の電子波動関数は対物レ
ンズの後焦平面における固定絞りに対し回転する。これ
らのフィルタ技術の利点は、波動関数の位相情報が維持
されることにある。このような像処理は像再構成に有利
に用いることができる。他の利点は非直線結像が著しく
抑圧されることにあり、これは絞り内の非直線結像のみ
が重要であるだけであるためである。
【0011】本発明では、球面収差の補正のために前記
磁位及び/又は電位分布が8重極分布を含むようにする
のであって、8重極は荷電粒子に光軸の方向に向いた力
を2つの直交方向に及ぼし、この力は光軸からの荷電粒
子の距離の3乗に比例する。8重極により荷電粒子に及
ぼされる力は光軸から他の2つの直交方向に離れる向き
である。光軸から離れる向きの力はレンズの周縁部に入
射し球面収差のために光軸方向に過度に偏向される粒子
の軌道の角度を変化させ、過度の偏向を補正する。8重
極素子は「Optik 33, Vol. 6」1971年、pp 591〜596 の
ビー・バスチン、ケー・スペングラー及びディー・ティ
プケの論文「Ein elektrisch-magnetisches Oktupolele
ment zur spharischen und chromatischen Korrektur v
on Electronenlinsen 」に記載されている。これに記載
されている8重極はリング上に8個の半径方向に延在す
る磁極片を取付け、各磁極片にコイルを巻装している。
このような8重極は光軸に対し一つの固定の向きにおい
て三次球面収差を2つの直交方向に補正するのに好適で
あるだけである。例えば16個の8重極を具えるこのよう
な構成を用いると、それらのコイルの選択的励磁により
種々の向きの多数の8重極磁場を得ることができる。こ
の目的のために、例えば各コイルは自分用の制御電圧源
又は電流源を具えるものとする。各8個の2群のコイル
により光軸に対し互いに22.5°ずれた向きの2つの8重
極磁場を発生させることができる。2つの8重極磁場を
合成し、2群のコイルの励磁の割合を調整することによ
り任意所望の向きを有する1つの8重極磁場を形成する
ことができる。
【0012】本発明荷電粒子ビーム装置の更に他の例で
は、球面収差の補正のためにポテンシャル分布は更に4
重極分布を具えるものとする。8重極場以外に4重極場
を適用することにより、対物レンズのデフォーカシング
を方向に依存させる。最適なデフォーカス (シェルツェ
ル フォーカス)は球面収差に依存する。球面収差が変
わる場合には、対物レンズ及び多重極の場内でできるだ
け多くの分散ビームが同じ移相を受けるようにするため
に、デフォーカシングも変える必要がある。最適なデフ
ォーカスと球面収差との関係は4重極の使用に通じてい
る。
【0013】本発明による荷電粒子ビーム装置の他の好
適例では、多重極素子が色収差を補正するために磁石と
静電多重極素子とを組合わせたものを具えるようにす
る。粒子−光学レンズの焦点距離は荷電粒子のエネルギ
ーに依存する。粒子−光学レンズによって集束される異
なるエネルギーの荷電粒子の軌道は互いに角度偏差を呈
し、これはエネルギーの差に比例すると共に一次では光
軸からの距離に比例する。補正平面では4重極が荷電粒
子に力を及ぼし、この力も光軸からの距離に比例する。
その力は或る方向では光軸方向を向き、他の方向では光
軸から離れる方向を向く。平均的なエネルギーを有する
粒子を互いに相殺する力がある磁位及び電位4重極を組
合わせることによって、補正平面にて静電力が光軸から
離れる方向に向い、又磁力が光軸の方に向けられるよう
にして、色収差を補正することができる。これは、磁力
が遅い粒子に対するよりも速い粒子に対して大きくなる
ため、速い粒子に及ぶ総力が光軸の方向に向けられ、遅
い粒子に及ぶ総力が光軸から離れる方向に向けられるか
らである。補正像を合成することによって色収差を多数
の方向にて補正した総体的な像が得られる。このような
色収差補正用の補正素子は球面収差補正用の補正素子と
組合わせて使用するのが好適である。
【0014】本発明による荷電粒子ビーム装置の他の好
適例では、前記少なくとも1個のレンズと、前記多重極
素子との間に少なくとも1個の他のレンズを配置して、
前記少なくとも1個のレンズの像平面を補正平面に結像
させるようにする。前記他のレンズは前記少なくとも1
個の無コマ収差平面を補正素子の補正平面に結像させる
ことができる。なお、この場合にはH. Rose 著による
“Outline ofa spherically corrected semiaplanatic
medium voltage transmission electron microscope "
Optik 85, NO. 1, 1990.第19〜24頁に記載されている
ような所謂4−f系を使用するのが有利である。
【0015】本発明のさらに他の好適例では、荷電粒子
ビーム装置がホログラム形成用の電子−光学バイプリズ
ムを具えるようにする。粒子−光学バイプリズム、例え
ばミューレンステッド(Mollenstedt) バイプリズムは、
荷電粒子プリズムを像担持ビームと基準ビームとに分け
る。像平面にて、これら2つのビームは干渉するため、
多数の平行な真直ぐな明るい線と暗い線とが交互して成
るホログラムを形成する。これらの線は、荷電粒子ビー
ムによって照射された試料における厚さの変化の目安と
なる勾配を含んでいる。ホログラムにおける線の方向に
対し垂直に延在する補正方向を選択することによって、
ホログラムの線の勾配方向における解像度を高めること
ができ、且つ厚さの変化の量的目安を、補正をしない場
合よりも正確に導出することができる。
【0016】
【実施例】図1は本発明による荷電粒子ビーム装置1、
特に透過形電子顕微鏡を示し、この顕微鏡では電子源3
が電子を放出し、これら電子が光軸2に沿って加速さ
れ、集光系(図示せず)及び対物レンズ7を経て試料9
に当てられる。電子は試料に照射された後対物レンズ7
及び図示していないレンズ系により像平面11上に結像さ
れる。このレンズ系は回折レンズ、中間レンズ及び投写
装置を有することができる。ビデオカメラ14を用いるこ
とにより試料の像を形成し、この像をデジタル形態でコ
ンピュータ16に記憶させる。電源ユニット10は数百KVに
しうる高電圧を電子源3に印加するとともに対物レンズ
7をも附勢する。
【0017】観察しうる試料9のディテール(細部)の
最小寸法はほぼ電子の波長に比例し、試料9からの電子
が対物レンズ7に入射する開口角αに反比例する。でき
るだけ小さなディテール、例えば0.5 Åよりも小さなデ
ィテールを観察しうるようにするためには、開口角αを
比較的大きく、例えば20ミリラジアンにする必要があ
る。加速電圧の平方根に反比例する波長は、電源ユニッ
ト10により電子源3に印加する電子加速電圧を増大させ
ることにより、例えば300KV で2・10-2Åまで減少せし
めることができる。しかし、解像度は対物レンズ7の球
面収差及び色収差により制限される。球面収差の為に、
対物レンズ7の物体平面中で光軸2上に位置する点が開
口角αの3乗に比例する半径を有するスポットとして像
平面中に結像される。電子のエネルギーが増大すると、
相対的なエネルギーの広がりが減少し、対物レンズ7の
物体平面中で光軸上に位置する点が相対的な電子エネル
ギーの広がりに比例する半径のスポットとして結像され
る。1Åよりも小さな解像度を得るためには、電子−光
学像における球面収差及び色収差に対する補正が必要と
なる。この目的のために、電子顕微鏡は単一の多重極12
の形態の補正素子12を有する。電源13による多重極12の
極の附勢を調整することにより、球面収差及び色収差が
補正平面15内に延在する補正方向で補正されるような磁
位及び/又は電位(ポテンシャル)分布を補正平面15中
に発生せしめることができる。色収差に対してはその都
度一方向で補正され、球面収差に対してはその都度二方
向で補正された像がビデオカメラ14により電気信号に変
換され、この電気信号がデジタル化されてコンピュータ
16の像メモリに記憶される。その都度一方向で補正され
た像がコンピュータ16で合成されることにより、多数の
方向で色収差及び球面収差が殆どない全体像を得ること
ができる。像平面11中の像を記憶するのにビデオカメラ
14及びコンピュータ16を用いる代りに写真乾板を用いる
ことができる。それぞれ異なる方向で補正された多数の
写真乾板を、例えばそのスライドを同時投写することに
より重畳させて、補正された全体像を形成することがで
きる。
【0018】所望の補正方向を選択する一方法はフーリ
エ空間における像処理である。この目的のためには、電
子顕微鏡は適切な像処理手順が導入されている像処理系
を有する必要がある。電子波関数を回折パターンの形態
で表わしたフーリエ空間では、所望の補正方向を強度に
基づいたフーリエフィルタにより選択することができ
る。
【0019】荷電粒子ビーム装置を透過形電子顕微鏡と
する場合には、像処理により所望の補正方向を選択する
代りに、対物レンズの後焦平面又は回折平面中に配置し
た絞りを用いることができる。この平面では原像の各方
向が原点を通るラインにより表わされる。従って、一組
の選択した補正方向は光軸に垂直な平面中の一点を通っ
て種々の角度で延在する一組のラインである。所望の補
正方向を選択しうるようにするためには、絞りと電子ビ
ームとを相対的に移動しうるようにし、この移動を附勢
された多極のポテンシャル分布の回転に結合させる必要
がある。
【0020】この点に関する第1の例は図3bに示すよ
うな回転可能な絞りを用いる例である。第2の例は、対
物レンズの後焦平面に固定の絞りを配置し、試料に入射
する電子ビームを傾斜させ且つ傾斜方向を回転させる例
である。電子波関数は絞りに対して回転する。傾斜照明
自体は既知である。このような照明には、傾斜方向にお
いて球面収差が少なくなるために解像度が高くなるとい
う利点がある。
【0021】図1に示す透過形電子顕微鏡では、補正素
子12を試料9の下側に配置する(TEMモード)。電子
顕微鏡(SEM/STEMモード)を走査する場合、補
正素子を試料よりも上又は対物レンズよりも上に配置す
る必要がある。補正素子の補正平面と共役を成す対物レ
ンズの平面はほぼTEMモードの場合対物レンズの主平
面であり且つSEM/STEMモードの場合にも対物レ
ンズの主平面である。主平面とは対物レンズの屈折動作
面を意味するものとする。機械的に充分安定な駆動装
置、例えば圧電モータ17を用いることにより光軸2を中
心に多重極12を回転させることもできる。
【0022】図2aは、光軸2上の点18から生じレンズ
7により偏向される荷電粒子の軌道を示す。回転対称系
では、光軸2から距離hに位置する軌道が像平面11に入
る角度βは
【数1】 β=a1h+a3h3 +a5h5 + --- である。完全なレンズの場合、1よりも大きなベキを有
する項は零に等しい。点18から生じる軌道に対しては、
項a3h3 及びa5h5 はそれぞれ三次及び五次の球面
収差である。三次の球面収差が通常優勢であり、点18を
像平面11にスポットとして結像させる。このスポットは
【数2】r=CS α3 M によって与えられる半径rを有する。ここに、CS は球
面収差定数であり、Mは横倍率である。図2bに示すよ
うに補正素子12をレンズ7の後方に配置すると、距離h
でレンズ7に入った粒子の軌道がh3 に比例する角度γ
で光軸2から離れる方向に偏向される。光軸方向での荷
電粒子の速度が一定である場合、角度変化量γは補正素
子12により粒子に及ぼされる力に比例する。磁気8重極
は、h3 に比例し従ってα3 にも比例する力を荷電粒子
に及ぼす為、この多重極は補正平面15中に延在する2方
向で球面収差を補正するのに適している。SEM及びS
TEMモードの場合には、補正素子12が対物レンズ7の
前方に或いはこの対物レンズ中に位置する為、ビーム通
路は反転させる必要がある。
【0023】図3aは、この図面の平面に一致する補正
平面15において磁気8重極12により荷電粒子に及ぼされ
る力の方向を線図的に示す。光軸2を中心に磁位
【数3】fm =C4 ・h4 cos 4ψ がある。ここに、C4 は定数項であり、ψは補正平面中
の点の角度であり、この点の位置は光軸からの距離とこ
の角度とによって規定される。補正平面15中で互いに垂
直な2方向では力は光軸2から離れる方向に向かい、互
いに垂直な他の2方向では力は光軸の方向に向かう為、
球面収差は後者の方向で増大する。
【0024】図4はリング23上に装着した磁性体より成
る16磁極片26を有する多重極12を示す。隣り合う2つの
磁極片間ではリング23がコイル、例えばコイル27a又は
27bにより囲まれており、これらコイルの各々は独自の
電流源により附勢される。図4には電流源29a及び29b
のみを図示してある。電流源29を選択的に附勢すること
によりその都度所望の方向の8重極磁場を得ることがで
きる。この磁場は互いに22.5度の角度を成す2つの8重
極磁場を組合せることにより形成される。従って、光軸
2を中心に回転しうる2方向で球面収差を補正しうる。
1つの電流源に接続するために多数のコイル27を直列に
接続することもでき、正しい磁位分布が得られるように
直列接続されたコイルの巻回数を異ならせることもでき
る。
【0025】8重極磁場に4重極磁場を加えることによ
り、対物レンズの焦点外れ(デフォーカス)又は屈折力
が方向に依存しなくなる。最適な焦点外れ(シェルツェ
ル焦点)は球面収差に依存する。球面収差が変化する場
合には、焦点外れも変化させて、できるだけ多くの分散
ビームが対物レンズ及び多重極の磁場中で同じ移相を受
けるようにする必要がある。最適な焦点外れと球面収差
との関係は4重極磁場分布が最適となるようにする。球
面収差を補正するために8重極磁場と4重極磁場とを組
合せた為に、補正素子はもはや図3aに示すように4重
対称とならずに2重対称となる。従って、絞りの形状は
所望の補正方向を選択するように適合させる必要があ
る。最大補正方向を符号8で示してある。
【0026】図5は透過形電子顕微鏡中で対物レンズ
(粒子光レンズ)7により偏向される種々のエネルギー
の帯電粒子の軌道を示す。走査形電子顕微鏡の場合に
は、補正素子を対物レンズ内に又はその上に配置し、ビ
ーム通路を反転させる必要がある。平均エネルギーE0
よりも高いエネルギーを有する粒子は不充分にしか偏向
されず、平均エネルギーよりも低いエネルギーを有する
粒子は過度に偏向される。光軸2上の点18は
【数4】r=1/2mCC αΔE/E0 により与えられる半径rを有するスポットとして像平面
11中に結像される。ここにΔEは平均エネルギーを中心
とする粒子のエネルギーの広がりである。平均エネルギ
ーE0 を有する粒子の軌道とこのエネルギーから量ΔE
だけずれたエネルギーの軌道との間の角度のずれδはα
に、従って光軸からの距離hに比例する。色収差を補正
する補正素子は平均エネルギーE0 を有する粒子に力を
及ぼさず、平均エネルギーよりも高い又は低いエネルギ
ーを有する粒子をそれぞれ光軸2に向う方向に又は光軸
2から離れる方向に偏向させ、偏向程度は光軸からの距
離hに比例する。補正平面15では、4重極素子は
【数5】f=C2 2 cos 2ψ により与えられるポテンシャル分布fを有する。4重極
により荷電粒子に及ぼされる力を図6に線図的に示す。
4重極により荷電粒子に及ぼされる力は光軸からの距離
hに比例し、図6に矢印で示すように一方向では光軸の
方向に向い、他の方向では光軸から離れる方向に向う。
力が互いに逆向きで、平均エネルギーE0 を有する粒子
に対しては相殺される磁気4重極及び電気4重極を組合
せることにより、色収差を一方向で補正でき、色収差が
他の方向で2倍になる補正素子が得られる。磁場中で荷
電粒子に作用する力は粒子の速度に比例する。図5に示
すように、静電4重極により与えられる力FEが光軸2
から離れる方向に向き、磁気4重極により与えられる力
FBが光軸に向う方向に向っていると、高速粒子に与え
る静電力及び磁気力の合計は光軸の方向に向い、低速粒
子に与える力の合計は光軸2から離れる方向に向う。力
の合計はhに比例する。図4に示す電圧源30a〜30dは
多重極の4極にそれぞれ電圧を与える。多重極の各極を
電圧源に接続するも、図にはすべての電圧源を図示して
いるものではない。これらの4極のコイルは同時に附勢
され、補正平面において一方向で色収差を補正し且つ一
方向で色収差を増大させる電気多重極及び磁気多重極の
組合せが得られる。図4に示す多重極の電流源29及び電
圧源30を選択的に動作させることにより色収差をいかな
る所望方向においても順次に補正することができる。
【0027】図7は、接地電位にある2つの電極43及び
44が側面に立つ帯電ワイヤ42を有するミョーレンステッ
ド(Mollenstedt) バイプリズム40を具える電子顕微鏡を
示す。このバイプリズムでは、電子ビームが像伝達部分
46と基準部分48とに分割され、これらの部分が像平面11
で干渉する。図8はこのようにして形成されるホログラ
ムを示す。試料9が完全に平坦な場合、ホログラムは多
数の平行な明暗なラインから成る。試料に厚さの差が生
じている場合には、像伝達ビームの位相がずれ、ライン
52に勾配50が生ずる。この勾配の寸法はライン幅の分数
値となる。多重極12のポテンシャル分布を光軸2を中心
に回転させ、ホログラムのライン方向に対し垂直な方向
で色収差及び球面収差の双方又はいずれか一方の補正を
相殺することにより、勾配50の高さをより正確に測定で
き、従って試料による位相ずれを正確に決定しうる。
【0028】ホログラフィーの場合、リニア像情報が存
在するホログラムの側波帯の領域に絞りを配置すること
により所望の補正方向を選択することができる。このこ
とは、強度に基づいてではなく波動関数自体に基づいて
フィルタ処理が行なわれるということを意味する。電子
ホログラフィーで球面収差が補正されることにより、像
のデローカライゼイションが可成り減少し、電子顕微鏡
の伝達関数に対する精度条件が緩和される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による荷電粒子ビーム装置を示す線図で
ある。
【図2】球面収差を補正しない粒子光学レンズに対する
荷電粒子の軌道及び球面収差を補正した粒子光学レンズ
に対する荷電粒子の軌道を示す線図である。
【図3】8重極により補正平面中で荷電粒子に及ぼされ
る力、及び4重極磁場分布と8重極磁場分布とを組合せ
た場合のフィルタ絞りを示す線図である。
【図4】多重極を示す断面図である。
【図5】色収差を補正しない粒子光学レンズに対する種
々のエネルギーの荷電粒子の軌道を示す線図である。
【図6】4重極により補正平面中で荷電粒子に及ぼされ
る力を示す線図である。
【図7】粒子光学バイプリズムを有する荷電粒子ビーム
装置を示す線図である。
【図8】バイプリズムにより形成されるホログラムを示
す線図である。
【符号の説明】
1 荷電粒子ビーム装置(透過形電子顕微鏡) 2 光軸 3 電子源 7 対物レンズ 9 試料 10 電源ユニット 11 像平面 12 多重極(補正素子;磁気8極子) 13 電源 14 ビデオカメラ 15 補正平面 16 コンピュータ 17 圧電モータ 23 リング 26 16磁極片 27a, 27b コイル 29a, 29b 電流源 30a〜30d 電圧源 40 バイプリズム 42 帯電ワイヤ 43, 44 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (73)特許権者 590000248 Groenewoudseweg 1, 5621 BA Eindhoven, T he Netherlands (72)発明者 アラン フランク デ ヨンフ オランダ国 5621 ベーアー アインド ーフェンフルーネバウツウェッハ 1 (56)参考文献 特開 昭60−250547(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01J 37/153

Claims (15)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 物体平面に荷電粒子ビームを放出するビ
    ーム源と、光軸に沿って配置され、物体平面の像を形成
    するための少なくとも1個のレンズを具えている粒子−
    光学素子と、前記少なくとも1個のレンズによる像の球
    面及び/又は色収差を補正するための補正素子とを具
    え、該補正素子が前記光軸に対して垂直に延在する補正
    平面に磁位及び/又は電位分布を発生するための多重極
    素子を具えている荷電粒子ビーム装置において、球面収
    差を補正するために、前記磁位及び/又は電位分布が8
    重極分布を含み、且つ前記荷電粒子ビーム装置が、補正
    方向を調整するために前記補正平面における磁位及び/
    又は電位分布を回転させる手段を具えていることを特徴
    とする荷電粒子ビーム装置。
  2. 【請求項2】 前記荷電粒子ビーム装置が、種々の方向
    にて順次補正された多数の像を合成する手段を具えてい
    ることを特徴とする請求項1に記載の装置。
  3. 【請求項3】 前記補正平面が前記レンズの主平面と共
    役の平面に一致するようにしたことを特徴とする請求項
    2に記載の装置。
  4. 【請求項4】 前記レンズ(7)を対物レンズとしたこ
    とを特徴とする請求項1,2又は3のいずれか一項に記
    載の装置。
  5. 【請求項5】 前記荷電粒子ビーム装置が、像の補正方
    向を選択する像処理工程に組込む像処理系を具えている
    ことを特徴とする請求項1,2,3又は4のいずれか一
    項に記載の装置。
  6. 【請求項6】 前記荷電粒子ビーム装置を透過形電子顕
    微鏡として構成し、前記装置がレンズの後焦平面にて補
    正方向を選択する絞りを具え、該絞り及び荷電粒子ビー
    ムを互いに可動自在とし、この動きを前記補正素子の磁
    位及び/又は電位分布の回転に結合させるようにしたこ
    とを特徴とする請求項1,2,3又は4項のいずれか一
    項に記載の装置。
  7. 【請求項7】 球面収差を補正するために、前記磁位及
    び/又は電位分布が4重極場分布も含むことを特徴とす
    る請求項1〜6のいずれか一項に記載の装置。
  8. 【請求項8】 前記磁位及び/又は電位分布を回転させ
    るための手段が多重極素子によって8重極場及び/又は
    4重極場を選択的に附勢する電力供給源を具えているこ
    とを特徴とする請求項7に記載の装置。
  9. 【請求項9】 前記多重極素子が色収差を補正するため
    に磁石と静電多重極素子とを組合わせたものを具えてい
    ることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載
    の装置。
  10. 【請求項10】 前記磁位及び/又は電位分布を回転さ
    せるための手段が、磁気的な多重極素子による4重極場
    及び静電的多重極素子による4重極場を選択的に附勢す
    る電力供給源を具えていることを特徴とする請求項9に
    記載の装置。
  11. 【請求項11】 前記補正平面にて、予定したエネルギ
    ーを有している荷電粒子に磁界による4重極場が及ぼす
    力が、電界による4重極場が荷電粒子に及ぼす力をほぼ
    相殺するように、前記電力供給源が前記多重極素子を附
    勢することを特徴とする請求項10に記載の装置。
  12. 【請求項12】 前記少なくとも1個のレンズと、前記
    多重極素子との間に少なくとも1個の他のレンズを配置
    して、前記少なくとも1個のレンズの像平面を補正素子
    の平面に結合させることを特徴とする請求項1〜11の
    いずれか一項に記載の装置。
  13. 【請求項13】 前記少なくとも1個のレンズと多重極
    素子との間に焦点距離がfの他の2つのレンズを配置
    し、前記少なくとも1個のレンズの主平面と前記補正素
    子の平面との間の距離がほぼ4fとなり、前記2つの他
    のレンズ間の距離が2fとなり、且つ前記少なくとも1
    個のレンズの平面及び前記補正平面のそれぞれと最も近
    くにある前記他のレンズとの間の距離がfとなるように
    したことを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記
    載の装置。
  14. 【請求項14】 荷電粒子ビーム装置がホログラム形成
    用の電子−光学バイプリズムを具えていることを特徴と
    する請求項1〜13のいずれか一項に記載の装置。
  15. 【請求項15】 前記多重極素子の磁位及び/又は電位
    分布を回転させる手段を具え、請求項1〜14のいずれ
    か一項に記載の荷電粒子ビーム装置に使用するのに好適
    な球面及び/又は色収差補正用の多重極素子。
JP03352192A 1991-02-20 1992-02-20 荷電粒子ビーム装置 Expired - Lifetime JP3281017B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL9100294 1991-02-20
NL9100294A NL9100294A (nl) 1991-02-20 1991-02-20 Geladen deeltjesbundelinrichting.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04328232A JPH04328232A (ja) 1992-11-17
JP3281017B2 true JP3281017B2 (ja) 2002-05-13

Family

ID=19858905

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03352192A Expired - Lifetime JP3281017B2 (ja) 1991-02-20 1992-02-20 荷電粒子ビーム装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5221844A (ja)
EP (1) EP0500179B1 (ja)
JP (1) JP3281017B2 (ja)
DE (1) DE69210440T2 (ja)
NL (1) NL9100294A (ja)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5631615A (en) * 1995-06-02 1997-05-20 International Business Machines Corporation Free wound electromagnetic deflection yoke
DE69733873T2 (de) * 1996-05-21 2006-04-06 Fei Co., Hillsboro Vorrichtung zur korrektur von linsenfehlern in teilchen-optischer geräte
DE69733408T2 (de) * 1996-09-20 2005-11-10 Fei Co., Hillsboro Korrigiervorrichtung zur korrektur chromatischer fehler in einem partikel-optischen gerät
AU748840B2 (en) * 1997-12-08 2002-06-13 Fei Company Environmental SEM with multipole fields for improved secondary electron detection
US6069363A (en) * 1998-02-26 2000-05-30 International Business Machines Corporation Magnetic-electrostatic symmetric doublet projection lens
EP1049131B1 (en) * 1999-03-31 2008-08-13 Advantest Corporation Particle beam apparatus for tilted observation of a specimen
US6614026B1 (en) 1999-04-15 2003-09-02 Applied Materials, Inc. Charged particle beam column
KR100523229B1 (ko) * 1999-10-29 2005-10-20 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 전자빔장치
JP2001229868A (ja) * 2000-02-21 2001-08-24 Jeol Ltd ホログラフィ電子顕微鏡
EP1158563A1 (en) * 2000-05-22 2001-11-28 Advantest Corporation Particle beam system
US6552340B1 (en) 2000-10-12 2003-04-22 Nion Co. Autoadjusting charged-particle probe-forming apparatus
JP3942363B2 (ja) * 2001-02-09 2007-07-11 日本電子株式会社 透過電子顕微鏡の位相板用レンズシステム、および透過電子顕微鏡
US7361894B2 (en) * 2002-10-22 2008-04-22 Hitachi High-Technologies Corporation Method of forming a sample image and charged particle beam apparatus
WO2003044821A1 (fr) * 2001-11-21 2003-05-30 Hitachi High-Technologies Corporation Procede d'imagerie d'echantillon et systeme de faisceau de particules chargees
US7034296B2 (en) * 2001-11-21 2006-04-25 Hitachi High-Technologies Corporation Method of forming a sample image and charged particle beam apparatus
US6770887B2 (en) * 2002-07-08 2004-08-03 Ondrej L. Krivanek Aberration-corrected charged-particle optical apparatus
DE10237141A1 (de) * 2002-08-13 2004-02-26 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Strahlführungssystem, Abbildungsverfahren und Elektronenmikroskopiesystem
JP3968334B2 (ja) * 2002-09-11 2007-08-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び荷電粒子線照射方法
US20070236573A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-11 D-Blur Technologies Ltd. Combined design of optical and image processing elements
JP4133508B2 (ja) 2003-03-28 2008-08-13 日本電子株式会社 多極子レンズの製造方法及び多極子レンズ並びに多極子レンズを備えた観察装置
JP4133619B2 (ja) * 2003-06-24 2008-08-13 日本電子株式会社 多極子レンズ及び多極子レンズを備えた観察装置並びに多極子レンズの製造方法
NL1025500C2 (nl) * 2004-02-17 2005-08-19 Fei Co Deeltjesbron met selecteerbare bundelstroom en energiespreiding.
JP5043296B2 (ja) * 2004-10-14 2012-10-10 日本電子株式会社 色収差自動補正方法及び装置並びに試料表面観察装置及び試料表面観察装置の動作方法
EP1783811A3 (en) * 2005-11-02 2008-02-27 FEI Company Corrector for the correction of chromatic aberrations in a particle-optical apparatus
JP2007173132A (ja) * 2005-12-26 2007-07-05 Hitachi High-Technologies Corp 走査透過電子顕微鏡、および走査透過電子顕微鏡の調整方法
JP4822925B2 (ja) * 2006-04-28 2011-11-24 日本電子株式会社 透過型電子顕微鏡
EP1914785B1 (en) * 2006-10-20 2016-09-14 JEOL Ltd. Aberration corrector and method of aberration correction
DE102007007923A1 (de) * 2007-02-14 2008-08-21 Carl Zeiss Nts Gmbh Phasenschiebendes Element und Teilchenstrahlgerät mit phasenschiebenden Element
JP2009004245A (ja) * 2007-06-22 2009-01-08 Jeol Ltd 透過電子顕微鏡の収差補正方法
EP2091062A1 (en) * 2008-02-13 2009-08-19 FEI Company TEM with aberration corrector and phase plate
EP2128885A1 (en) 2008-05-26 2009-12-02 FEI Company Charged particle source with integrated energy filter
EP2131385A1 (en) * 2008-06-05 2009-12-09 FEI Company Hybrid phase plate
EP2166557A1 (en) * 2008-09-22 2010-03-24 FEI Company Method for correcting distortions in a particle-optical apparatus
JP5623719B2 (ja) * 2008-10-06 2014-11-12 日本電子株式会社 荷電粒子線装置の色収差補正装置及びその補正方法
EP2197018A1 (en) 2008-12-12 2010-06-16 FEI Company Method for determining distortions in a particle-optical apparatus
EP2226830B1 (en) * 2009-03-06 2014-01-08 FEI Company Charged particle beam processing
EP2325862A1 (en) * 2009-11-18 2011-05-25 Fei Company Corrector for axial aberrations of a particle-optical lens
EP2365514B1 (en) * 2010-03-10 2015-08-26 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Twin beam charged particle column and method of operating thereof
EP2402475A1 (en) 2010-06-30 2012-01-04 Fei Company Beam-induced deposition at cryogenic temperatures
EP2511936B1 (en) 2011-04-13 2013-10-02 Fei Company Distortion free stigmation of a TEM
EP2722868B1 (en) * 2012-10-16 2018-02-21 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Octopole device and method for spot size improvement
FR3006499B1 (fr) 2013-05-31 2016-11-25 Commissariat Energie Atomique Lentille electrostatique a membrane isolante ou semiconductrice
US10170228B2 (en) * 2017-01-11 2019-01-01 National Synchrotron Radiation Research Center Magnetic apparatus
US10283315B2 (en) 2017-05-16 2019-05-07 International Business Machines Corporation Measuring spherical and chromatic aberrations in cathode lens electrode microscopes
CN112088418B (zh) 2018-05-10 2024-02-13 株式会社日立高新技术 多极透镜及使用了该多极透镜的像差校正器、带电粒子束装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1463748A (en) * 1973-09-03 1977-02-09 Jeol Ltd Electron beam apparatus
US4414474A (en) * 1982-02-17 1983-11-08 University Patents, Inc. Corrector for axial aberrations in electron optic instruments
US4554457A (en) * 1983-07-08 1985-11-19 Surface Science Laboratories, Inc. Magnetic lens to rotate transverse particle momenta
EP0175933A1 (de) * 1984-09-21 1986-04-02 Siemens Aktiengesellschaft Rasterlinsen-System ohne Ablenkfarbfehler zur Materialbearbeitung mit Korpuskularstrahlen
US4673794A (en) * 1985-05-10 1987-06-16 National Research Institute For Metals Electron beam welding method
US4963748A (en) * 1988-06-06 1990-10-16 Arizona Technology Development Corporation (Atdc) Composite multipurpose multipole electrostatic optical structure and a synthesis method for minimizing aberrations
DE3841715A1 (de) * 1988-12-10 1990-06-13 Zeiss Carl Fa Abbildender korrektor vom wien-typ fuer elektronenmikroskope
DE69026242T2 (de) * 1990-04-12 1996-10-02 Philips Electronics Nv Korrekturvorrichtung für ein teilchengeladenes Strahlgerät

Also Published As

Publication number Publication date
DE69210440T2 (de) 1996-11-07
NL9100294A (nl) 1992-09-16
EP0500179B1 (en) 1996-05-08
JPH04328232A (ja) 1992-11-17
EP0500179A1 (en) 1992-08-26
DE69210440D1 (de) 1996-06-13
US5221844A (en) 1993-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3281017B2 (ja) 荷電粒子ビーム装置
US8436302B2 (en) Phase-shifting element and particle beam device having a phase-shifting element
US8592776B2 (en) Charged particle beam apparatus
US6191423B1 (en) Correction device for correcting the spherical aberration in particle-optical apparatus
US7348566B2 (en) Aberration-correcting cathode lens microscopy instrument
US7723683B2 (en) Aberration correction system
JP6224717B2 (ja) 荷電粒子ビーム装置
WO2015045476A1 (ja) 電子顕微鏡
US8541739B2 (en) Precession diffraction charged particle beam system
JPH11509972A (ja) 粒子光学機器のレンズ収差補正用補正装置
EP2091064B1 (en) Electron beam device
US20140197312A1 (en) Electron microscope and sample observation method
US8022365B2 (en) Charged particle beam equipments, and charged particle beam microscope
JP3896043B2 (ja) 電子顕微鏡の球面収差補正装置
JP3896150B2 (ja) 電子顕微鏡の球面収差補正装置
US8952339B2 (en) Chromatic aberration corrector and method of controlling same
US20240145211A1 (en) Method of Adjusting Charged Particle Optical System and Charged Particle Beam Apparatus
JP2007335385A (ja) 収差補正荷電粒子ビーム発生装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090222

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090222

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100222

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100222

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120222

Year of fee payment: 10

EXPY Cancellation because of completion of term