JP3280372B2 - ニッケル粉及び導電ペースト - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はニッケル粉及び積層
セラミックコンデンサ用導電ペーストに関し、より詳し
くは、狭い粒度分布及び導電ペースト中での優れた充填
性を有し、特に、クラックやデラミネーションの発生な
しで積層セラミックコンデンサの薄くて均質な内部電極
を形成するのに適したニッケル粉及び該ニッケル粉を含
有する積層セラミックコンデンサ用導電ペーストに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】積層セラミックコンデンサは交互に積層
された複数のセラミック誘電体層と内部電極層とが一体
化したものであり、このような積層セラミックコンデン
サを形成する際には、内部電極材料である金属微粉末を
ペースト化して導電ペーストを調製し、該導電ペースト
を用いてセラミック誘電体グリーンシート上に印刷し、
セラミック誘電体グリーンシートと導体ペースト層とが
交互に層状になるように複数層積層し、加熱圧着して一
体化した後、還元性雰囲気中、高温で焼成してセラミッ
ク誘電体層と内部電極層とを一体化させることが一般的
である。

【０００３】この内部電極材料として、従来は白金、パ
ラジウム、銀−パラジウム等の貴金属が使用されていた
が、コスト低減のために、近時にはこれらの貴金属の代
わりにニッケル等の卑金属を用いる技術が開発され、進
歩してきている。しかし、ニッケル粉を含むペーストを
用いて内部電極を形成した場合にはクラックやデラミネ
ーションの問題が生じていた。

【０００４】また、導電ペーストを用いて製造される電
子部品、例えば積層セラミックコンデンサ等は近年ます
ます小型化しており、それに伴い、セラミック誘電体層
及び内部電極層の薄膜化、多層化が進み、現在積層部
品、特に積層セラミックコンデンサでは誘電体層厚２μ
ｍ以下、内部電極膜厚１．５μｍ以下、積層数１００層
以上の部品が作られている。このような部品を製造する
ためには、クラックやデラミネーションの発生なしで薄
くて均質な内部電極を形成する必要がある。

【０００５】薄い内部電極層を得るにはそれに見合った
平均粒子径の小さい金属微粉を用いればよいと考えられ
るが、平均粒子径が所定の範囲内にあったとしても粗粒
が混入していると、そのような金属微粉を含む導電ペー
ストを用いて内部電極層を形成すると、そのような粗粒
が内部電極層上に突起を形成し、その突起が薄いセラミ
ック誘電体層を突き破って内部電極間の短絡を引き起こ
すことがある。このような内部電極間の短絡を防止する
ためには、薄い内部電極層を得るのに見合った平均粒子
径の金属微粉よりもかなり小さい平均粒子径の金属微粉
を用いる必要がある。

【０００６】例えば、特開平１１−１８９８０１号公報
には、平均粒径が０．２〜０．６μｍであり、かつ平均
粒径の２．５倍以上の粒径を持つ粗粒子の存在率が個数
基準で０．１％以下であるニッケル超微粉が記載されて
おり、その第４欄２１〜２４行には「例えば粗粒子の粒
径を１．５μｍ以上程度に限定すれば、本発明のニッケ
ル超微粉の平均粒径は、０．６μｍに限定する必要があ
る訳である。」と記載されており、薄い内部電極層を得
るためにかなり小さい平均粒径の金属微粉を用いる必要
がある。

【０００７】しかも、電極の導電性を安定して確保する
ためには、微粉でありながら導電ペーストを製造する際
のビヒクル中への充填性が高くなければならない。しか
し、微粉になればなるほど、そのような微粉を含むニッ
ケル粉の導電ペースト中での充填性が上がりにくくなる
のみならず、その導電ペーストの粘度が上昇するという
問題があり、また焼成の際に熱収縮や酸化が促進される
という問題がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、狭い粒度分
布及び導電ペースト中での優れた充填性を有し、特に、
クラックやデラミネーションの発生なしで積層セラミッ
クコンデンサの薄くて均質な内部電極を形成するのに適
したニッケル粉を提供すること、及び積層セラミックコ
ンデンサ用導電ペーストを提供することを目的としてい
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者等は上記の目的
を達成するために鋭意検討した結果、ニッケル粉におい
て、粗粒及び微細粒のそれぞれの割合を比較的小さく
し、且つタップ密度が所定値よりも高いニッケル粉であ
れば、ニッケル粉を無用に微細にする必要なしで表面に
突起のない内部電極層を形成して内部電極間の短絡が起
こりにくくでき、しかも微細粒が少ないために酸化が抑
制されると共に、熱収縮が抑制できること、また、タッ
プ密度が高いことに起因して、導電ペースト中でのニッ
ケル粉の充填性が高く、きれいな焼結膜を得ることがで
きることを見いだし、発明を完成した。さらに、上記の
特性に加えて各々の粒子内の結晶子径が小さいと焼結が
穏やかで且つ焼結速度にむらがなくなり、その結果とし
てクラックやデラミネーションの発生なしで薄くて均質
な内部電極を形成できることも見いだした。

【００１０】即ち、本発明のニッケル粉は、ＳＥＭ観察
による平均粒子径の１．２倍以上の粒子径を持つ粒子個
数が全粒子個数の５％以下であり、該平均粒子径の０．
８倍以下の粒子径を持つ粒子個数が全粒子個数の５％以
下であり、且つタップ密度が２．５ｇ／ｃｍ³ 以上であ
ることを特徴とする。また、本発明の積層セラミックコ
ンデンサ用導電ペーストは、上記の特性を有するニッケ
ル粉を含有することを特徴とする。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明のニッケル粉においては、
便宜的には１万倍程度のＳＥＭ観察による平均粒子径の
１．２倍以上の粒子径を持つ粒子個数が全粒子個数の５
％以下、好ましくは４％以下、より好ましくは３％以下
であり、該平均粒子径の０．８倍以下の粒子径を持つ粒
子個数が全粒子個数の５％以下、好ましくは４％以下、
より好ましくは３％以下であることが重要である。即
ち、粗粒の割合が比較的小さく、ニッケル粉中の各ニッ
ケル粒子の粒子径が相当に均一であるので、そのような
ニッケル粉を含むペーストを用いて得られる例えば積層
セラミックコンデンサにおいては、ニッケル粉の平均粒
子径に比較してかなり薄い内部電極層を形成することが
でき、しかも内部電極層の表面に突起が形成されること
はなく、従って内部電極間の短絡が起こることがない。
更に、微細粒の割合も比較的小さいので、そのようなニ
ッケル粉を含有する導電ペーストの粘度が上昇するとい
う問題が発生せず、また焼成の際に熱収縮や酸化が促進
されることもない。

【００１２】また、本発明のニッケル粉においては、タ
ップ密度が２．５ｇ／ｃｍ³ 以上、好ましくは２．７ｇ
／ｃｍ³ 以上、より好ましくは３．０ｇ／ｃｍ³ 以上で
あることが重要である。即ち、ニッケル粉が高タップ密
度であることに起因して導電ペースト中でのニッケル粉
の充填性が高く、このようなニッケル粉を含有する導電
ペーストを用いて得られる例えば積層セラミックコンデ
ンサにおいてはきれいな焼結膜が得られる。

【００１３】また、本発明のニッケル粉においては、各
々の粒子内の平均結晶子径が４００Å未満であることが
好ましく、３００Å以下であることがより好ましい。こ
のようなニッケル粉を含有する導電ペーストを用いて得
られる例えば積層セラミックコンデンサにおいてはきれ
いな焼結膜が得られる。また各々の粒子内の結晶子径が
小さいことに起因して焼結が緩やかに進行する。即ち、
各々の粒子内の結晶子径が大きい粒子の場合には一気に
焼結が起こるが、各々の粒子内の結晶子径が小さいと、
焼結時にまず粒子内の結晶子間の焼結が生じ、徐々に粒
子間の焼結がおこるので焼結速度にむらがなく、きれい
な膜が形成され、クラックやデラミネーションは生じに
くい。

【００１４】このように、本発明のニッケル粉におい
て、ＳＥＭ観察による平均粒子径の１．２倍以上の粒子
径を持つ粒子個数が全粒子個数の５％以下であり、該平
均粒子径の０．８倍以下の粒子径を持つ粒子個数が全粒
子個数の５％以下であり、タップ密度が２．５ｇ／ｃｍ
³ 以上であり、且つ各々の粒子内の平均結晶子径が４０
０Å未満のニッケル粉であれば、そのようなニッケル粉
を含有する導電ペーストを用いて得られる例えば積層セ
ラミックコンデンサにおいては、クラックやデラミネー
ションの発生なしで、且つ内部電極層の表面の突起形成
が一層充分に防止されて、極めて均質かつ緻密で薄い内
部電極膜を形成することが可能となる。

【００１５】また、本発明のニッケル粉においては、上
記のようなニッケル粉を含有する導電ペーストを用いて
積層セラミックコンデンサを製造する場合には、ＳＥＭ
観察による平均粒子径が０．１〜１μｍであることが好
ましく、０．２〜０．６μｍであることが一層好まし
い。

【００１６】また、本発明の積層セラミックコンデンサ
用導電ペーストは上記の本発明のニッケル粉を含有する
ものであり、本発明の積層セラミックコンデンサ用導電
ペーストは、上記の優れた特性を有するニッケル粉を含
有していることにより、特に薄くて均質な内部電極を形
成するのに好適である。

【００１７】次に、本発明のニッケル粉の好ましい製造
方法について述べる。本発明のニッケル粉は、ニッケル
錯体を含有しているニッケル塩水溶液をアルカリ金属水
酸化物水溶液に添加することにより生成するニッケル水
酸化物含有スラリーを、５５℃以上の温度条件下でヒド
ラジン系還元剤と接触させてニッケル水酸化物をニッケ
ルに還元し、得られるニッケル粉を解粒処理し且つ風力
分級して粗粒や微細粒を除去することにより製造するこ
とができる。

【００１８】このようなニッケル錯体を含有しているニ
ッケル塩水溶液は、ニッケル塩とニッケル錯体形成用化
合物、好ましくはカルボキシル基及び／又はアミノ基を
持つ水溶性化合物とを任意の順序で水に溶解させても、
ニッケル塩水溶液にカルボキシル基及び／又はアミノ基
を持つ水溶性化合物を溶解させても、或いはカルボキシ
ル基及び／又はアミノ基を持つ水溶性化合物の水溶液に
ニッケル塩を溶解させても得ることができる。要する
に、ニッケル塩と、カルボキシル基及び／又はアミノ基
を持つ水溶性化合物とを含有する水溶液を生成させれば
良い。しかし、ニッケル塩水溶液にカルボキシル基及び
／又はアミノ基を持つ水溶性化合物を溶解させた場合に
は、ニッケル錯体の形成が容易であり、このようにして
得られるニッケル錯体含有ニッケル塩水溶液を用いる
と、得られるニッケルの粒子径が均一になり且つ導電ペ
ースト中での充填性が向上するので好ましい。

【００１９】上記のカルボキシル基及び／又はアミノ基
を持つ水溶性化合物の具体例としては、エチレンジアミ
ン四酢酸、酢酸、シュウ酸、マロン酸、サリチル酸、チ
オグリコール酸、グリシン、エチレンジアミン、アラニ
ン、クエン酸、グルタミン酸、乳酸、リンゴ酸、酒石
酸、トリエタノールアミン等を挙げることができる。

【００２０】ニッケル塩水溶液中でニッケル錯体を生成
させる場合のこのカルボキシル基及び／又はアミノ基を
持つ水溶性化合物の添加量は、ニッケル塩水溶液中のニ
ッケルに対してモル比で０．００５〜０．５であること
が好ましく、０．０１〜０．１であることが一層好まし
い。このような添加量であれば、ニッケル粉の粒度分布
を一層狭くすることができ、同時にコスト的にもバラン
スが取れているので好ましい。

【００２１】上記の好ましい製造方法で用いることので
きるニッケル塩としては硫酸ニッケル、硝酸ニッケル、
塩化ニッケル等のハロゲン化ニッケル等を挙げることが
でき、アルカリ金属水酸化物としては水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム等を挙げることができ、またヒドラ
ジン系還元剤としてはヒドラジン、水加ヒドラジン、硫
酸ヒドラジン、炭酸ヒドラジン、塩酸ヒドラジン等を挙
げることができる。

【００２２】上記のニッケル水酸化物含有スラリーの製
造で用いるニッケル塩水溶液の濃度は、ニッケルイオン
濃度として１０〜１５０ｇ／Ｌであることが好ましく、
５０〜１５０ｇ／Ｌであることが一層好ましい。このよ
うな濃度のニッケル塩水溶液を用いることにより本発明
のニッケル粉の特徴である狭い粒度分布が達成されると
同時に、生産効率性の面でも好ましい結果が得られる。

【００２３】上記のニッケル水酸化物含有スラリーの製
造で用いるアルカリ金属水酸化物水溶液の濃度は２０〜
３００ｇ／Ｌであることが好ましく、６０〜２５０ｇ／
Ｌであることが一層好ましい。また、ニッケル塩水溶液
とアルカリ金属水酸化物水溶液との相対量は、ニッケル
塩水溶液中のニッケル塩に対しアルカリ金属水酸化物水
溶液中のアルカリ金属水酸化物が１．１〜２当量となる
ことが好ましく、１．３〜１．８当量となることが一層
好ましい。このような相対量で用いることによりニッケ
ル水酸化物の生成状態が安定すると同時に、コスト的に
もバランスが取れているので好ましい。

【００２４】上記の好ましい製造方法においては、ニッ
ケル水酸化物含有スラリーを５５℃以上の温度条件下で
ヒドラジン系還元剤と接触させてニッケル水酸化物を還
元することが重要である。この還元の際の温度が５５℃
未満の場合には粒子径の揃ったニッケル粉を得ることが
困難であり、一層粗大なニッケル粉が混ざって生成す
る。また、不純物であるアルカリ金属の混入率が高くな
る。従って、上記の好ましい製造方法においてはニッケ
ル水酸化物を還元する際の反応温度は５５℃以上、好ま
しくは６０℃以上とする。

【００２５】また、５５℃以上、好ましくは６０℃以上
のヒドラジン水溶液と接触させて上記のニッケル水酸化
物を還元することにより得られるニッケル粉は、ＳＥＭ
観察で粒子径を測定すると均一なものであり、反応原料
由来の不純物の総量も極めて少なくなる。

【００２６】本発明のニッケル粉を製造する場合に、上
記のようにして還元反応を実施した後に、その得られた
ニッケル粉を解粒処理することが重要である。その理由
は、湿式反応で得たニッケル粉そのままではニッケル粉
の凝集が強く、従来の技術で述べた粗粒を含有する場合
の欠点と同様の欠点を示し、タップ密度も低く導電ペー
スト中での充填性が向上できないので、そのようなニッ
ケル粉を例えば導電ペーストに用いた場合の不具合を抑
制できないからである。

【００２７】この解粒処理法として、特には限定されな
いが、ニッケル粉を高速で回転している回転部に衝突さ
せて粉砕させる高速回転式衝突粉砕処理、ニッケル粉を
ビーズ等と共に攪拌して粉砕させるメディア攪拌式粉砕
処理、ニッケル粒子のスラリーを高水圧で２方向から衝
突させて粉砕させる高水圧式解砕処理、噴流衝合処理等
を挙げることができる。

【００２８】そのような解粒処理を実施するための装置
として、高速動体衝突式気流型粉砕機、衝撃式粉砕機、
ケージミル、媒体攪拌形ミル、軸流ミル、噴流衝合装置
等を挙げることができる。具体的には、スーパーハイブ
リッドミル（石川島播磨重工製）、ジェットミル（荏原
製作所製）、スーパーマスコロイダー（増幸産業製）、
ビーズミル（入江商会製）、アルティマイザー（スギノ
マシン製）、ＮＣミル（石井粉砕機械製作所製）、ディ
スインテグレータ（大塚鉄工製）、ＡＣＭパルベライザ
（ホソカワミクロン製）、ターボミル（マツボー製）、
スーパーミクロン（ホソカワミクロン製）、マイクロス
（奈良機械製）、ニューコスモマイザー（奈良機械
製）、ファインビクトルミル（ホソカワミクロン製）、
エコプレックス（ホソカワミクロン製）、ＣＦミル（宇
部興産製）、ハイブリタイザ（奈良機械製）、ピンミル
（アルピネー製）、圧力ホモジナイザ（日本精機製作所
製）、ハレルホモジナイザ（国産精工製）、メカノフュ
ージョンシステム（ホソカワミクロン製）、サンドミル
（ヨドキャスティング製）等がある。

【００２９】また、本発明のニッケル粉を製造する場合
には、解粒処理の前後に風力分級による粗粒や微細粒の
除去処理を行うことも重要である。その理由としては、
解粒処理の前に風力分級を行えば、凝集の強い粒子や巨
大粒子を予め除去できるし、解粒処理の後に風力分級を
行えば、解粒処理で処理しきれなかった凝集の強い粒子
や極大粗粒を含め、微細粒も除去できるからである。こ
の除去処理については製造するニッケル粉の品質に応じ
て時期を適宜選択でき、無論、解粒処理の前後の両方で
実施してもかまわない。

【００３０】また、この除去処理に関しては、ニッケル
粉表面の酸化防止や作業性の面からみて篩分機等の使用
は不適切で、最も適当な手段は風力分級機であり、具体
的には遠心力分級機であるエアセパレータ、スペディッ
ククラシファイヤ、アキュカット、ターボクラシファイ
ヤ等が好適でる。

【００３１】次に、本発明の積層セラミックコンデンサ
用導電ペーストの好ましい製造方法について述べる。本
発明の積層セラミックコンデンサ用導電ペーストは、上
記した本発明のニッケル粉、樹脂、溶剤等で構成され
る。具体的には、樹脂としてエチルセルロース等のセル
ロース誘導体、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール樹
脂、ポリビニルアルコール等のビニル系の非硬化型樹
脂、エポキシ、アクリル等の好ましくは過酸化物を併用
した熱硬化性樹脂等を用いることができる。また、溶剤
として、テルピネオール、テトラリン、ブチルカルビト
ール、カルビトールアセテート等を単独で又は混合して
用いることができる。また、このペーストには必要に応
じてガラスフリットを加えてもよい。本発明の積層セラ
ミックコンデンサ用導電ペーストは以上の原料をボール
ミル、三本ロール等の混合用機械を用いて混合攪拌する
ことにより得られる。

【００３２】

【実施例】以下に実施例及び比較例に基づいて本発明を
具体的に説明する。 実施例１ 硫酸ニッケル・６水和物４４．８ｋｇ（品位２２．２質
量％）及びクエン酸・１水和物１．８ｋｇを純水８０Ｌ
に溶解して得た水溶液を、水酸化ナトリウム濃度２００
ｇ／Ｌの水溶液１００Ｌに液温を６０℃に維持しながら
ゆっくりと滴下して、ニッケルの水酸化物を析出させ
た。この懸濁液に液温を６０℃に維持しながら、ヒドラ
ジン・１水和物３０ｋｇを３０分間にわたって添加して
ニッケルの水酸化物をニッケルに還元した。得られたニ
ッケル粉を純水で洗浄液のｐＨが９以下になるまで洗浄
し、濾過し、乾燥した。その後、ナイフ型ハンマを装備
したパルペライザＡＰ−１ＳＨ型（ホソカワミクロン
製）に投入して回転速度２５００ｒｐｍで解粒処理し
た。この解粒処理したニッケル粉をエアセパレータであ
るＳＦシャープカットセパレータＫＳＣ−０２型（栗本
鐡工所製）を用いて、ロータ回転数６０００ｒｐｍ、空
気量７．２ｍ³ ／分で処理し、粗粒を除去してニッケル
粉を得た。

【００３３】このニッケル粉を１万倍のＳＥＭによって
観察し、無作為に選んだ５視野の合計で１５００個の粒
子の粒子径をそれぞれ測定した。その測定値から求めた
平均粒子径は０．５１μｍであり、０．６１μｍ（０．
５１×１．２＝０．６１２）を越える粒子径を有する粒
子個数は３０個（全測定粒子個数の２．０％）であり、
０．４１μｍ（０．５１×０．８＝０．４０８）を下回
る粒子径を有する粒子個数は４０個（全測定粒子個数の
２．７％）であった。また、このニッケル粉のタップ密
度は３．２３ｇ／ｃｍ³ であり、各々の粒子内の平均結
晶子径は１９５Åであった。

【００３４】また、上記のニッケル粉１００質量部に、
エチルセルロース８質量部、テルピネオール１００質量
部及びブチルカルビトール１２質量部からなるバインダ
ーを加え、これらを混合した後、ロールミルで混練して
導電ペーストを調製した。調製した導電ペーストを３８
０メッシュのテトロン製スクリーンマスクを用いてポリ
イミド（ＰＩ）フィルム（宇部興産製ユーピレックス：
厚さ１２５μｍ）に印刷した（印刷パターンは４ｃｍ×
４ｃｍ）。印刷したＰＩフィルムを室温で１５分間レベ
リングした後、６０℃に設定した熱風循環式恒温乾燥機
中で３０分間仮乾燥を行った。さらに１２０℃に設定し
た熱風循環式恒温乾燥機に移して６０分間本硬化を行っ
た。乾燥機から取り出し、室温まで放冷した後、無作為
に選んだ２０点の膜密度を測定した。その平均膜密度は
４．７１ｇ／ｃｍ³ であり、その標準偏差は０．０８ｇ
／ｃｍ³ であった。

【００３５】また、上記の導電ペーストを用いて誘電体
層厚２μｍ、内部電極層厚１．５μｍ、積層数３５０層
となるように圧着した。その圧着体から２．０ｍｍ×
１．２５ｍｍの大きさに切断し、乾燥し、脱バインダ処
理を実施した。その後１２００℃、水素−窒素混合ガス
中で焼成して２．０ｍｍ×１．２５ｍｍ×１．２５ｍｍ
の積層セラミックコンデンサを得た。得られた積層セラ
ミックコンデンサから無作為に２００個を取り出し、ク
ラックやデラミネーション等の有無を検査した。その結
果、不良品数は２個であり、不良率は１％であった。以
上の測定結果、計算値及び観察結果を第１表にまとめて
示す。なお、第１表においては、「≧１．２ｄの比率」
は平均粒子径の１．２倍以上の粒子径を持つ粒子個数の
全粒子個数に対する比率であり、「≦０．８ｄの比率」
平均粒子径の０．８倍以下の粒子径を持つ粒子個数の全
粒子個数に対する比率である。

【００３６】実施例２ 硫酸ニッケル・６水和物４４．８ｋｇ（品位２２．２質
量％）及びグリシン０．６５ｋｇを純水８０Ｌに溶解し
て得た水溶液を、水酸化ナトリウム濃度２００ｇ／Ｌの
水溶液１００Ｌに液温を６０℃に維持しながらゆっくり
と滴下して、ニッケルの水酸化物を析出させた。この懸
濁液に液温を６０℃に維持しながら、ヒドラジン・１水
和物４２ｋｇを２０分間にわたって添加してニッケルの
水酸化物をニッケルに還元した。得られたニッケル粉を
純水で洗浄液のｐＨが９以下になるまで洗浄し、濾過
し、乾燥した。その後、ハイブリタイザＮＨＳ−３型
（奈良機械製）を用いて回転速度４０００ｒｐｍで５分
間解粒処理した。この解粒処理したニッケル粉をエアセ
パレータであるＳＦシャープカットセパレータＫＳＣ−
０２型（栗本鐡工所製）を用いて、ロータ回転数６００
０ｒｐｍ、空気量７．２ｍ³ ／分で処理し、粗粒を除去
してニッケル粉を得た。

【００３７】このニッケル粉について実施例１の場合と
同様にして諸特性を測定した。また、実施例１の場合と
同様にして導電ペーストを調製し、実施例１の場合と同
様にして内部電極としての膜密度を測定した。また、上
記の導電ペーストを用いて実施例１の場合と同様にして
作製した積層セラミックコンデンサのクラックやデラミ
ネーション等の検査を実施例１の場合と同様にして実施
した。それらの測定結果、計算値及び観察結果は第１表
に示す通りであった。

【００３８】実施例３ 硫酸ニッケル・６水和物４４．８ｋｇ（品位２２．２質
量％）及びクエン酸・１水和物１．８ｋｇを純水８０Ｌ
に溶解して得た水溶液を、水酸化ナトリウム濃度２００
ｇ／Ｌの水溶液１００Ｌに液温を７０℃に維持しながら
ゆっくりと滴下して、ニッケルの水酸化物を析出させ
た。この懸濁液に液温を７０℃に維持しながら、ヒドラ
ジン・１水和物４２ｋｇを３０分間にわたって添加して
ニッケルの水酸化物をニッケルに還元した。得られたニ
ッケル粉を純水で洗浄液のｐＨが９以下になるまで洗浄
し、濾過し、乾燥した。その後、ジェットミルであるエ
バラトリアードジェットＰＭ１００型（荏原製作所製）
を用いて、ロータ回転数６０００ｒｐｍ、空気量７．２
ｍ³ ／分で処理し、粗粒を除去してニッケル粉を得た。

【００３９】このニッケル粉について実施例１の場合と
同様にして諸特性を測定した。また、実施例１の場合と
同様にして導電ペーストを調製し、実施例１の場合と同
様にして内部電極としての膜密度を測定した。また、上
記の導電ペーストを用いて実施例１の場合と同様にして
作製した積層セラミックコンデンサのクラックやデラミ
ネーション等の検査を実施例１の場合と同様にして実施
した。それらの測定結果、計算値及び観察結果は第１表
に示す通りであった。

【００４０】比較例１ 硫酸ニッケル・６水和物４４．８ｋｇ（品位２２．２質
量％）を純水８０Ｌに溶解して得た水溶液を、水酸化ナ
トリウム濃度２００ｇ／Ｌの水溶液１００Ｌに液温を５
０℃に維持しながらゆっくりと滴下して、ニッケルの水
酸化物を析出させた。この懸濁液に液温を５０℃に維持
しながら、ヒドラジン・１水和物４２ｋｇを２０分間に
わたって添加してニッケルの水酸化物をニッケルに還元
し、得られたニッケル粉を純水で洗浄液のｐＨが９以下
になるまで洗浄し、濾過し、乾燥した。その後、ナイフ
型ハンマを装備したパルペライザＡＰ−１ＳＨ型（ホソ
カワミクロン製）に投入して回転速度２５００ｒｐｍで
解粒処理してッケル粉を得た。

【００４１】このニッケル粉について実施例１の場合と
同様にして諸特性を測定した。また、実施例１の場合と
同様にして導電ペーストを調製し、実施例１の場合と同
様にして内部電極としての膜密度を測定した。また、上
記の導電ペーストを用いて実施例１の場合と同様にして
作製した積層セラミックコンデンサのクラックやデラミ
ネーション等の検査を実施例１の場合と同様にして実施
した。それらの測定結果、計算値及び観察結果は第１表
に示す通りであった。

【００４２】比較例２ 硫酸ニッケル・６水和物４４．８ｋｇ（品位２２．２質
量％）及びクエン酸・１水和物１．８ｋｇを純水８０Ｌ
に溶解して得た水溶液を、水酸化ナトリウム濃度２００
ｇ／Ｌの水溶液１００Ｌに液温を６０℃に維持しながら
ゆっくりと滴下して、ニッケルの水酸化物を析出させ
た。この懸濁液に液温を６０℃に維持しながら、ヒドラ
ジン・１水和物３０ｋｇを３０分間にわたって添加して
ニッケルの水酸化物をニッケルに還元した。得られたニ
ッケル粉を純水で洗浄液のｐＨが９以下になるまで洗浄
し、濾過し、乾燥した。その後、ナイフ型ハンマを装備
したパルペライザＡＰ−１ＳＨ型（ホソカワミクロン
製）に投入して回転速度２５００ｒｐｍで解粒処理して
ニッケル粉を得た。

【００４３】このニッケル粉について実施例１の場合と
同様にして諸特性を測定した。また、実施例１の場合と
同様にして導電ペーストを調製し、実施例１の場合と同
様にして内部電極としての膜密度を測定した。また、上
記の導電ペーストを用いて実施例１の場合と同様にして
作製した積層セラミックコンデンサのクラックやデラミ
ネーション等の検査を実施例１の場合と同様にして実施
した。それらの測定結果、計算値及び観察結果は第１表
に示す通りであった。

【００４４】比較例３ 硫黄含有量が５００ｐｐｍである充分に乾燥した塩化ニ
ッケル無水塩２２．０ｋｇを石英容器中に静置し、容器
内温度が９００℃に維持されるように制御しながら、キ
ャリヤ用アルゴンガスの１０Ｌ／分の気流中で加熱蒸発
させた。気化した塩化ニッケルガス中に還元用の水素ガ
スを３．５Ｌ／分で通気し、還元温度を１０００℃に制
御してニッケル粉を得た。得られたニッケル粉を純水で
洗浄液のｐＨが９以下になるまで洗浄し、濾過し、乾燥
した後、ナイフ型ハンマを装備したパルペライザＡＰ−
１ＳＨ型（ホソカワミクロン製）に投入して回転速度２
５００ｒｐｍで解粒処理した。この解粒処理したニッケ
ル粉をエアセパレータであるＳＦシャープカットセパレ
ータＫＳＣ−０２型（栗本鐡工所製）を用いて、ロータ
回転数６０００ｒｐｍ、空気量７．２ｍ³ ／分で処理
し、粗粒を除去してニッケル粉を得た。

【００４５】このニッケル粉について実施例１の場合と
同様にして諸特性を測定した。この比較例３においては
乾式法で製造しているため各々の粒子内の平均結晶子径
が大きくなっていた。また、実施例１の場合と同様にし
て導電ペーストを調製し、実施例１の場合と同様にして
内部電極としての膜密度を測定した。また、上記の導電
ペーストを用いて実施例１の場合と同様にして作製した
積層セラミックコンデンサのクラックやデラミネーショ
ン等の検査を実施例１の場合と同様にして実施した。そ
れらの測定結果、計算値及び観察結果は第１表に示す通
りであった。

【００４６】

【表１】

【００４７】第１表中のデータからも明らかなように、
実施例１〜３の本発明のニッケル粉は特定粒子径以上の
粗粒や特定粒子径以下の微細粒が少なく、狭い粒度分布
を有していてタップ密度も高いので、導電ペースト中で
の充填性にも優れていた。また、このようなニッケル粉
を含有する導電ペーストを用いて形成した膜は膜密度も
高く且つ均質であり、更にこのようなニッケル粉を含有
する導電ペーストを用いて作製した積層セラミックコン
デンサの不良率も低かった。

【００４８】これに対して、比較例１のニッケル粉は粗
粒や微細粒を多く含んであり、導電ペースト中での充填
性が低く、また、そのようなニッケル粉を含有する導電
ペーストを用いて作製した積層セラミックコンデンサの
不良率も高かった。比較例２のニッケル粉はタップ密度
が低いので導電ペースト中での充填性が低く、また、そ
のようなニッケル粉を含有する導電ペーストを用いて作
製した積層セラミックコンデンサの不良率も高かった。
更に、比較例３のニッケル粉は乾式粉であるため微細粒
が多く且つ平均結晶子径が大きく、またそのようなニッ
ケル粉を含有する導電ペーストを用いて形成した膜の膜
密度にバラツキがあり、更にそのようなニッケル粉を含
有する導電ペーストを用いて作製した積層セラミックコ
ンデンサの不良率も高かった。

【００４９】

【発明の効果】本発明のニッケル粉は狭い粒度分布及び
優れた導電ペースト中での充填性を有し、該ニッケル粉
を含有する導電ペーストは各種の用途に用いることがで
き、特に積層セラミックコンデンサの内部電極の形成に
用いる場合でも、ニッケル微粉の粒子径を無用に小さく
することなしで、クラックやデラミネーションの発生な
しで、且つ内部電極層の表面の突起形成が一層充分に防
止されて、極めて均質かつ緻密で薄い内部電極膜を形成
することが可能である。また、本発明の積層セラミック
コンデンサ用導電ペーストは、上記の優れた特性を有す
るニッケル粉を使用していることにより、特に薄くて均
一な内部電極を形成するのに好適である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−246001（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−152507（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01B 5/00 B22F 1/00 H01B 1/22 H01G 4/12 361

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ＳＥＭ観察による平均粒子径の１．２倍以
   上の粒子径を持つ粒子個数が全粒子個数の５％以下であ
   り、該平均粒子径の０．８倍以下の粒子径を持つ粒子個
   数が全粒子個数の５％以下であり、タップ密度が２．５
   ｇ／ｃｍ³ 以上であり、且つ各々の粒子内の平均結晶子
   径が４００Å未満であることを特徴とするニッケル粉。
2. 【請求項２】請求項１記載のニッケル粉を含有すること
   を特徴とする積層セラミックコンデンサ用導電ペース
   ト。