JP2001316701A

JP2001316701A - ニッケル粉及び導電ペースト

Info

Publication number: JP2001316701A
Application number: JP2001031321A
Authority: JP
Inventors: Hisao Hayashi; 尚男林; Yasuhide Yamaguchi; 靖英山口
Original assignee: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Current assignee: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Priority date: 2000-02-28
Filing date: 2001-02-07
Publication date: 2001-11-16

Abstract

(57)【要約】【課題】凝集が少ないので、導電ペーストの調製におい
て有機ビヒクル中での分散性が優れており、導電ペース
トの調製に特に適しているニッケル粉、並びに該ニッケ
ル粉を含有する導電ペーストを提供すること。【解決手段】ＳＥＭ観察による平均粒子径が０．１〜１
μｍであり、且つレーザ回折散乱式粒度分布測定による
Ｄ₅₀値及びＳＥＭ観察による平均粒子径が下記式（１）
の条件を満たしていることを特徴とするニッケル粉：１≦｛（レーザ回折散乱式粒度分布測定によるＤ₅₀値）／（ＳＥＭ観察による平均粒子径）｝≦１．８‥‥‥（１）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はニッケル粉及び導電
ペーストに関し、より詳しくは、凝集が少なく単分散状
態に近いので、導電ペーストの調製において有機ビヒク
ル中での分散性が優れており、更に粒度分布がシャープ
であるので積層セラミックコンデンサの薄くて突起のな
い内部電極の形成に用いる導電ペーストの調製に特に適
しているニッケル粉、並びに該ニッケル粉を含有する導
電ペーストに関する。

【０００２】

【従来の技術】積層セラミックコンデンサは交互に積層
された複数のセラミック誘電体層と内部電極層とが一体
化したものであり、このような積層セラミックコンデン
サの内部電極層を形成する際には、内部電極材料である
金属微粉末をペースト化して導電ペーストを調製し、該
導電ペーストを用いてセラミック誘電体グリーンシート
上に印刷し、セラミック誘電体グリーンシートと導体ペ
ースト層とを交互に層状に複数層積層し、加熱圧着して
一体化した後、還元性雰囲気中、高温で焼成してセラミ
ック誘電体層と内部電極層とを一体化させることが一般
的である。

【０００３】この内部電極材料として、従来は、白金、
パラジウム、銀−パラジウム等が使用されていたが、コ
ストを低減させるために、近時にはこれらの白金、パラ
ジウム、銀−パラジウム等の貴金属の代わりにニッケル
等の卑金属を用いる技術が開発され、進歩してきてい
る。

【０００４】一般に、乾式反応もしくは湿式反応により
製造されたままの状態の金属粉は程度の差はあっても何
れも凝集しており、また粒子径が小さくなればなるほど
その凝集の度合いは強くなる。ニッケル粉においても、
乾式もしくは湿式の何れの反応法でも製造できるが、勿
論この凝集の問題は大きく、特に導電ペーストの調製の
際には有機ビヒクル中への分散性が重要なポイントであ
り、凝集のより少ない、いわゆるできるだけ単分散状態
に近いニッケル粉が求められている。このような凝集の
より少ないニッケル粉を導電ペーストに用いた場合に
は、最終的に仕上がる導電層の緻密性は向上し、製造さ
れる製品の信頼性が高まり、特に、絶縁不良や誘電特性
不良等の電気特性の不良品の発生を抑制することがで
き、製品の歩留まり向上が図れる。

【０００５】また、上記の積層セラミックコンデンサ等
は近年ますます小型化しており、必然的にセラミック誘
電体層及び内部電極層の薄膜化、多層化が進み、現在積
層部品、特に積層セラミックコンデンサについては、誘
電体層厚２μｍ以下、内部電極膜厚１．５μｍ以下、積
層数１００層以上の部品が作られている。

【０００６】薄い内部電極層を得るためにはそれに見合
った平均粒子径の小さい金属微粉を用いればよいと考え
られるが、粗粒子が混入している金属粉を含む導電ペー
ストを用いて内部電極層を形成すると、そのような粗粒
子が内部電極層上に突起を形成し、その突起が薄いセラ
ミック誘電体層を突き破って内部電極層間の短絡を引き
起こすことがある。このような内部電極層間の短絡を防
止するためには、薄い内部電極層を得るのに見合った平
均粒子径の金属微粉よりもかなり小さい平均粒子径の金
属微粉を用いる必要がある。

【０００７】例えば、特開平１１−１８９８０１号公報
には、平均粒子径が０．２〜０．６μｍであり、且つ平
均粒子径の２．５倍以上の粒子径を持つ粗粒子の存在率
が個数基準で０．１％以下であるニッケル超微粉が記載
されており、該公報の第４欄２１〜２４行には「例えば
粗粒子の粒径を１．５μｍ以上程度に限定すれば、本発
明のニッケル超微粉の平均粒子径は、０．６μｍに限定
する必要がある訳である。」と記載されており、薄い内
部電極層を得るためにかなり小さい平均粒子径の金属微
粉を用いる必要がある。しかし、微粉になればなるほ
ど、そのような微粉を含む導電ペーストの粘度が上昇す
るという問題があり、また焼成の際に熱収縮や酸化が促
進されるという問題がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、ニッケル粉
粒子同士の凝集が抑制されて単分散状態に近い状態にな
っており、そのことにより導電ペーストの調製において
有機ビヒクル中での分散性が優れており、更に、優れた
シャープな粒度分布特性を有していることから、ニッケ
ル粉の平均粒子径を無用に小さくする必要なしで積層セ
ラミックコンデンサの薄くて突起のない内部電極層を形
成することができるニッケル粉、並びにそのようなニッ
ケル粉を含有している導電ペーストを提供することを課
題としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者等は上記の課題
を達成するために鋭意検討した結果、ニッケル粉に特定
の解粒処理を施すことによりニッケル粉粒子間の凝集を
極力少なくすることができ、それに加え、粗粒の割合を
比較的小さくし、且つ大部分のニッケル粉の粒子径を所
定の範囲内に入るようにすれば、ニッケル粉を無用に微
細にする必要なしで、表面に突起のない内部電極層を形
成して内部電極間の短絡が起こりにくくでき、しかも微
粉が少ないために酸化が抑制されると共に、熱収縮が抑
制でき、絶縁不良や誘電特性不良等の電気特性の不良品
の発生を抑制することができることを見いだし、発明を
完成した。

【００１０】即ち、本発明のニッケル粉は、ＳＥＭ観察
による平均粒子径が０．１〜１μｍであり、且つレーザ
回折散乱式粒度分布測定によるＤ₅₀値及びＳＥＭ観察に
よる平均粒子径が下記式（１）の条件を満たしているこ
とを特徴とする：１≦｛（レーザ回折散乱式粒度分布測定によるＤ₅₀値）／（ＳＥＭ観察による平均粒子径）｝≦１．８‥‥‥（１）また、本発明の導電ペーストは上記のニッケル粉を含有
することを特徴とする。

【００１１】

【発明の実施の形態】前記した〔従来の技術〕の項でも
説明した通り、ニッケル粉は各種の製造方法で製造でき
るが、ニッケル粉粒子同士の凝集が生じていると、導電
ペーストの調製の際の有機ビヒクル中への分散性に悪影
響を与える。

【００１２】この分散性を評価する一つの指標（分散性
の間接評価法）として、本発明者等は、レーザ回折散乱
式粒度分布測定によるＤ₅₀値と、ＳＥＭ観察による平均
粒子径との比に着目した。即ち、レーザ回折散乱式粒度
分布測定によるＤ₅₀値（重量分布平均値）により、粉末
の凝集粒子径の平均値を捉え、ＳＥＭ観察による平均粒
子径により、粉末の個々の一次粒子の幾何平均値を捉え
ることが出来るから、この両者の比が１に近いほど、単
分散状態に近い、いわゆる分散性に優れたニッケル粉で
あると言える。

【００１３】即ち、本発明のニッケル粉は、ＳＥＭ観察
による平均粒子径が０．１〜１μｍ、好ましくは０．５
〜１μｍであり、且つ式｛（レーザ回折散乱式粒度分布測定によるＤ₅₀値）／
（ＳＥＭ観察による平均粒子径）｝の値が１以上で、１．８以下、好ましくは１．５以下、
より好ましくは１．３以下である。

【００１４】上記の式の値は１より小さい数値を取るこ
とは理論的にあり得ない。また、上記の式の値が１．８
を超えることは、一次粒子が平均でも１．８個を超えて
凝集している状態であり、導電ペースト調製の際の有機
ビヒクル中への分散性に劣るものとなる。

【００１５】更に、本発明のニッケル粉は、レーザ回折
散乱式粒度分布測定に於いて、Ｄ₅₀値の１．５倍以上の
粒子径を持つ粒子個数が全粒子個数の２０％以下である
ことが好ましい。この範囲内であれば、ニッケル粉中に
は粗粒子が多大には存在しないので、電極間の短絡が生
じにくい。Ｄ₅₀値の１．５倍以上の粒子径を持つ粒子個
数が全粒子個数の１５％以下であることがより好まし
く、１０％以下であることが一層好ましい。

【００１６】また、本発明のニッケル粉は、レーザ回折
散乱式粒度分布測定に於いて、Ｄ₅₀値の０．５倍以下の
粒子径を持つ粒子個数が全粒子個数の５％以下であるこ
とが好ましい。この範囲内であれば、ニッケル粉中には
微粒子が多大には存在しないので凝集がおきにくく、ペ
ースト化した際の有機ビヒクル中へのニッケル粉の分散
性に優れている。Ｄ₅₀値の０．５倍以下の粒子径を持つ
粒子個数が全粒子個数の３％以下であることがより好ま
しく、１％以下であることが一層好ましい。

【００１７】更に、本発明のニッケル粉は、１万倍程度
のＳＥＭ観察による粒子径測定に於いて、平均粒子径の
１．２倍以上の粒子径を持つ粒子個数が全粒子個数の１
０％以下であることが好ましく、７％以下であることが
より好ましく、５％以下であることが一層好ましい。ま
た、平均粒子径の０．８倍以下の粒子径を持つ粒子個数
が全粒子個数の１０％以下であることが好ましく、７％
以下であることがより好ましく、５％以下であることが
一層好ましい。

【００１８】上記のような諸特性を持つニッケル粉は粒
度分布がシャープであるので、積層セラミックコンデン
サの内部電極の形成に用いる場合でも、ニッケル微粉の
平均粒子径を無用に小さくする必要なしで薄層化、高容
量化が達成でき、内部電極層間の短絡等の不良の発生、
特に、絶縁不良や誘電特性不良等の電気特性の不良品の
発生を低下させることができる。

【００１９】また、本発明のニッケル粉においては、下
記の式（２）により求められる変動係数（ＣＶ）が４０
％未満であることが好ましく、３５％未満であることが
より好ましく、３０％未満であることが一層好ましい。ＣＶ（％）＝（σ／ｘ）×１００ ‥‥‥（２）（式中、ｘはレーザ回折散乱式粒度分布測定によるＤ₅₀
値であり、σはレーザ回折散乱式粒度分布測定による個
数分布の標準偏差である）。

【００２０】このような特性を有するニッケル粉を含む
導電ペーストを用いて積層セラミックコンデンサの内部
電極を形成する場合には、前記のような粒度分布を有す
るニッケル粉を含む導電ペーストを用いて積層セラミッ
クコンデンサの内部電極を形成する場合と同等、又はそ
れ以上の薄膜化、多層化が達成できる。

【００２１】また、本発明のニッケル粉は純ニッケル粉
であっても、ニッケル粉の各微粒子の内部に金属酸化物
を含有するニッケル粉であっても、或いはニッケル粉の
各微粒子の表面が金属酸化物で被覆されているものであ
ってもよい。しかし、脱バインダ時のニッケルの耐酸化
性やセラミック誘電体中への耐拡散性を改善し、熱収縮
性を改善する点を考慮すれば、ニッケル粉の各微粒子の
表面が金属酸化物で均一に被覆されているニッケル粉で
あることが好ましい。この金属酸化物の被覆量としては
金属ニッケル微粒子の質量に対して０．０５〜１０質量
％程度であることが好ましい。

【００２２】被覆のための金属酸化物として、原子番号
が１２〜８２の範囲内で周期表の２〜１４族に属する金
属元素の少なくとも１種、好ましくは原子番号１２〜８
２の範囲内で周期表の２族、３族、４族、７族、１３族
及び１４族に属する金属元素の少なくとも１種を含む酸
化物及び複合酸化物、例えば、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｇａ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ
₃、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃、Ｍｎ
Ｏ₂、Ｍｎ₃Ｏ₄、ＰｂＯ、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｎｄ₂Ｏ₃、
Ｓｍ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃、Ｅｒ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃、Ｂ
ａＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、ＭｇＴｉＯ
₃、ＢａＺｒＯ₃、ＣａＺｒＯ₃、ＳｒＺｒＯ₃、（Ｍ
ｇ，Ｃａ）ＴｉＯ₃、（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ
₃、ＰｂＴｉＯ₃、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃、（Ｐｂ，
Ｃａ）ＴｉＯ₃、ＭｇＡｌ₂Ｏ₄、及びＢａＴｉ₄Ｏ₉
からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることが
できる。これらの酸化物及び複合酸化物はＮｂ、Ｗ、Ｌ
ａ、Ｙ、Ｍｏ等の金属の酸化物でドープされていてもよ
い。

【００２３】次に、本発明のニッケル粉の好ましい製造
方法について述べる。ニッケル粉は、一般的には、液相
還元析出法、気相化学反応法、ガス中蒸発法等の湿式、
乾式の何れの製造方法でも製造可能であるが、製造方法
の違いによって形状、粒度分布、凝集性等の粉体特性が
異なる。本発明のニッケル粉を製造する際に用いられる
出発原料のニッケル粉は、乾式法、湿式法の何れの製造
方法で得られたニッケル粉でも良い。

【００２４】本発明の課題である、ニッケル粉粒子同士
の凝集が抑制されて単分散状態に近い状態になってお
り、そのことにより導電ペーストの調製において有機ビ
ヒクル中での分散性が優れており、更に、優れたシャー
プな粒度分布特性を有しているニッケル粉を得ようとし
ても、上記の製法だけではそのようなニッケル粉を得る
ことは極めて困難である。従って、そのようなニッケル
粉を得るためには、まず凝集の強い粒子や極大粒子をあ
らかじめ除去したニッケル粉を用い、ニッケル粉粒子同
士のからみが少なくなるように凝集を強力に断ち切り、
且つ断ち切られた粉体が再凝集しにくくなるよう粒子表
面を平滑化する処理をニッケル粉に施すことが望まし
い。

【００２５】上記のようなニッケル粉の処理において、
凝集の強い粒子や極大粒子をあらかじめ除去する前処理
は、単に粒度分布を揃えるという目的にとどまらず、引
き続き行う解粒処理の効果を確実且つ安定的に得るため
に重要である。この前処理に関しては、ニッケル粉表面
の酸化防止や作業性の面からみて篩分機等の使用は不適
切で、最も適当な手段は風力分級機であり、具体的には
遠心力分級機であるエアセパレータ、スペディッククラ
シファイヤ、アキュカット、ターボクラシファイヤ等が
好適である。

【００２６】また、引き続き行う解粒処理においては、
ニッケル粉粒子間の凝集を断ち切るために剪断作用の高
い装置と、摩砕、摩擦作用（粒子同士の摩擦作用をも含
む）の高い装置とを併用することが重要である。これら
の作用が顕著な装置を使用して処理することによりニッ
ケル粉は凝集の少ない単分散状態に近づき、且つ再凝集
を抑制することができる。

【００２７】上記の剪断作用、及び摩砕、摩擦作用を兼
備した装置の代表例としてローラミル等を挙げることが
できるが、そのような装置は主作用が強すぎて、他の作
用の調整が困難であったり、その他の作用、特に圧縮作
用が強く働くので、展延性に富む金属粉への適用が好ま
しくない装置であったりする。

【００２８】このような弊害を考慮した結果、本発明者
らは、解粒処理の際に、剪断作用の高い粉砕装置と摩
砕、摩擦作用の高い粉砕装置とを併用して２段以上で処
理することにより本発明のニッケル粉が好都合に製造で
きることを見出した。即ち、ニッケル粉の凝集をまず断
ち切るために剪断作用の高い装置を使用し、しかる後、
凝集を断ち切った粒子表面の平滑性を高めるため、摩
砕、摩擦作用の高い粉砕装置を使用することが好ましい
という結論に達したのである。

【００２９】上記の剪断作用の高い粉砕装置の好ましい
例として、パルペライザ（ホソカワミクロン製）、スー
パーミクロン（ホソカワミクロン製）、スーパーマスコ
ロイダー（増幸産業製）等が挙げられ、摩砕、摩擦作用
の高い粉砕装置の好ましい例として、ダイノーミル（Wi
lly A.Bachofen AG Maschinenfabrik 製）、ハレルホモ
ジナイザ（国産精工製）、ジェットミル（荏原製作所
製）等が挙げられる。

【００３０】これらの装置としては、上記の各作用を有
する各種装置があり、これら装置の総称、一般名、商品
名等が種々あり、名称だけ異なっている場合があるが、
基本的には上記の各作用（剪断作用、摩砕、摩擦作用）
を有す装置であれば何れも使用できる。

【００３１】また、解粒処理方法は乾式法、湿式法の何
れも採用することができ、その際に酸化を抑制する手段
を講ずることもできる。即ち、乾式解粒処理を実施する
際は、被処理ニッケル粉を不活性ガス又は還元性ガス雰
囲気中で解粒処理することが好ましく、具体的には不活
性ガス又は還元性ガスとして、窒素、アルゴン、ヘリウ
ム、一酸化炭素、水素含有窒素等を解粒装置内に通気す
ればよく、好ましくは解粒処理を行う装置内の酸素濃度
を１００００ｐｐｍ以下、装置内温度を１５〜３０℃と
することが好ましい。

【００３２】また、湿式解粒処理を実施する際は、ニッ
ケル粉含有スラリーに還元剤を添加することが好まし
く、具体的には還元剤としてエチレンジアミン四酢酸、
ホルムアルデヒド、テトラヒドロホウ酸ナトリウム、次
亜リン酸、ヒドラジン系還元剤等をニッケル粉含有スラ
リーに添加すればよく、好ましくは各種還元剤の添加量
を０．０００５〜１当量分投入し、解粒処理中のニッケ
ル粉含有スラリー温度を２５〜８０℃に制御する。

【００３３】本発明の導電ペーストの好ましい製造方法
について述べる。本発明の導電ペーストは、上記した本
発明のニッケル粉、樹脂、溶剤等で構成され、更に必要
により分散剤、焼結抑制剤等を含有することができる。
具体的には、樹脂としてエチルセルロース等のセルロー
ス誘導体、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、
ポリビニルアルコール等のビニル系の非硬化型樹脂、エ
ポキシ、アクリル等の好ましくは過酸化物を併用した熱
硬化性樹脂等を用いることができる。また、溶剤として
テルピネオール、テトラリン、ブチルカルビトール、カ
ルビトールアセテート等を単独で又は混合して用いるこ
とができる。また、この導電ペーストには必要に応じて
ガラスフリットを加えてもよい。本発明の導電ペースト
は以上の原料をボールミル、三本ロール等の混合用機械
を用いて混合攪拌することにより得られる。

【００３４】

【実施例】以下に実施例及び比較例に基づいて本発明を
具体的に説明する。実施例１硫酸ニッケル・六水和物（品位２２．２重量％）４４．
８Ｋｇを純水８０Ｌに溶解して得た水溶液を、水酸化ナ
トリウム濃度２００ｇ／Ｌの水溶液１００Ｌにその液温
を６０℃に維持しながらゆっくりと滴下して、ニッケル
の水酸化物を析出させた。

【００３５】この懸濁液にその液温を６０℃に維持しな
がらヒドラジン・一水和物３０Ｋｇを３０分間にわたっ
て添加してニッケルの水酸化物をニッケルに還元した。
この生成ニッケル粒子含有スラリーを濾過した後、洗浄
液のｐＨが９以下になるまで純水で洗浄し、その後、乾
燥してニッケル粉を得た。

【００３６】このニッケル粉をエアセパレータであるＳ
ＦシャープカットセパレータＫＳＣ−０２型（栗本鐡工
所製）を用いて、ロータ回転数６０００ｒｐｍ、空気量
７．２ｍ³／分で処理し、粗粉を除去した。この粗粉を
除去したニッケル粉を、ナイフ型ハンマを装備したパル
ペライザＡＰ−１ＳＨ型（ホソカワミクロン製）に投入
して２５００ｒｐｍで処理した後、その得られたニッケ
ル粉に純水８０Ｌを加え、ハレルホモジナイザＫＨ−２
型（国産精工製）を用いて５０００ｒｐｍ、スラリー処
理速度２７．５Ｌ／分で２時間処理し、その後、濾過
し、乾燥してニッケル粉を得た。

【００３７】このニッケル粉０．１ｇをＳＮディスパー
サント５４６８の０．１％水溶液（サンノブコ社製）と
混合し、超音波ホモジナイザ（日本精機製作所製ＵＳ−
３００Ｔ）で５分間分散させた後、レーザ回折散乱式粒
度分布測定装置 Micro TracHRA 9320-X100 型（Leeds
＋ Northrup 製）を用いてＤ₅₀値を測定したところ、
０．５０μｍであり、また０．７５μｍ（０．５０×
１．５＝０．７５０）を越える粒子径を有する粒子比率
は全体の４．２％に相当し、０．２５μｍ（０．５０×
０．５＝０．２５０）を下回る粒子径を有する粒子比率
は全体の１．０％に相当していた。

【００３８】また、このニッケル粉を１万倍のＳＥＭに
よって観察し、無作為に選んだ５視野の合計で１５００
個の粒子の粒子径をそれぞれ測定した。その結果、平均
粒子径は０．４３μｍであり、０．５１μｍ（０．４３
×１．２＝０．５１６）を越える粒子径を有する粒子個
数は２９個で全体の１．９％に相当し、０．３５μｍ
（０．４３×０．８＝０．３４４）を下回る粒子径を有
する粒子個数は６８個で全体の４．５％に相当してい
た。上記の測定結果より、｛（レーザ回折散乱式粒度分
布測定によるＤ₅₀値）／（ＳＥＭ観察による平均粒子
径）｝は０．５０／０．４３＝１．１６であった。

【００３９】このニッケル粉５０質量部に、エチルセル
ロース５質量部、ミネラルスピリット６０質量部及びブ
チルカルビトール３５質量部からなるビヒクルを加え、
これらを混合した後、３本ロールで混練して導電ペース
トを調製し、この導電ペーストを用いて誘電体層厚２μ
ｍ、内部電極層厚１．５μｍ、積層数３５０層で、２．
０×１．２５×１．２５ｍｍのコンデンサを焼成した。
得られたセラミックコンデンサから無作為に２００個を
取り出し、絶縁不良や誘電特性不良等の電気特性の不良
品数を求めた。その結果、不良品数は１個であり、不良
率は０．５％であった。

【００４０】実施例２硫黄含有量が５００ｐｐｍである十分に乾燥した塩化ニ
ッケル無水塩２２．０Ｋｇを石英容器中に静置し、容器
内温度が９００℃に維持されるように制御しながら、キ
ャリヤ用アルゴンガスの１０Ｌ／分の気流中で加熱蒸発
させた。気化した塩化ニッケルガス中に還元用の水素ガ
スを３．５Ｌ／分で通気し、還元温度を１０００℃に制
御してニッケル粉を得た。このニッケル粉を洗浄液のｐ
Ｈが９以下になるまで純水で洗浄し、濾過し、乾燥した
後、実施例１と同様の方法で粗粉を除去した。

【００４１】この粗粉の除去したニッケル粉を、スーパ
ーミクロンＭ５２ＮＣ型（ホソカワミクロン製）を用い
てロータ回転数１５００ｒｐｍにて処理した後、その得
られたニッケル粉に純水８０Ｌを加え、ダイノーミルＫ
ＤＬ型（Willy A.Bachofen AG Maschinenfabrik 製）
（ガラスビーズ：粒子径２ｍｍφ）を用いて１Ｌ／分に
て１５分間処理した後、濾過し、乾燥してニッケル粉を
得た。

【００４２】このニッケル粉０．１ｇをＳＮディスパー
サント５４６８の０．１％水溶液（サンノブコ社製）と
混合し、超音波ホモジナイザ（日本精機製作所製ＵＳ−
３００Ｔ）で５分間分散させた後、レーザ回折散乱式粒
度分布測定装置 Micro TracHRA 9320-X100 型（Leeds
＋ Northrup 製）を用いてＤ₅₀値を測定したところ、
０．５５μｍであり、また０．８２μｍ（０．５５×
１．５＝０．８２５）を越える粒子径を有する粒子比率
は全体の６．３％に相当し、０．２８μｍ（０．５５×
０．５＝０．２７５）を下回る粒子径を有する粒子比率
は全体の１．６％に相当していた。

【００４３】また、このニッケル粉を１万倍のＳＥＭに
よって観察し、無作為に選んだ５視野の合計で１５００
個の粒子の粒子径をそれぞれ測定した。その結果、平均
粒子径は０．４０μｍであり、０．４８μｍ（０．４０
×１．２＝０．４８０）を越える粒子径を有する粒子個
数は７７個で全体の５．１％に相当し、０．３２μｍ
（０．４０×０．８＝０．３２０）を下回る粒子径を有
する粒子個数は９２個で全体の６．１％に相当してい
た。上記測定結果より、｛（レーザ回折散乱式粒度分布
測定によるＤ₅₀値）／（ＳＥＭ観察による平均粒子
径）｝は０．５５／０．４０＝１．３８であった。

【００４４】このニッケル粉５０質量部に、エチルセル
ロース５質量部、ミネラルスピリット６０質量部及びブ
チルカルビトール３５質量部からなるビヒクルを加え、
これらを混合した後、３本ロールで混練して導電ペース
トを調製し、この導電ペーストを用いて誘電体層厚２μ
ｍ、内部電極層厚１．５μｍ、積層数３５０層で、２．
０×１．２５×１．２５ｍｍのコンデンサを焼成した。
得られたセラミックコンデンサから無作為に２００個を
取り出し、絶縁不良や誘電特性不良等の電気特性の不良
品数を求めた。その結果、不良品数は２個であり、不良
率は１％であった。

【００４５】比較例１実施例１で実施した方法において、解粒処理を全く行わ
ないでニッケル粉を調製した。このニッケル粉０．１ｇ
をＳＮディスパーサント５４６８の０．１％水溶液（サ
ンノブコ社製）と混合し、超音波ホモジナイザ（日本精
機製作所製ＵＳ−３００Ｔ）で５分間分散させた後、レ
ーザ回折散乱式粒度分布測定装置 Micro TracHRA 9320-
X100 型（Leeds ＋ Northrup 製）を用いてＤ₅₀値を測
定したところ、０．８７μｍであり、また１．３０μｍ
（０．８７×１．５＝１．３０５）を越える粒子径を有
する粒子比率は全体の１５．０％に相当し、０．４４μ
ｍ（０．８７×０．５＝０．４３５）を下回る粒子径を
有する粒子比率は全体の５．２％に相当していた。

【００４６】また、このニッケル粉を１万倍のＳＥＭに
よって観察し、無作為に選んだ５視野の合計で１５００
個の粒子の粒子径をそれぞれ測定した。その結果、平均
粒子径は０．４４μｍであり、０．５２μｍ（０．４４
×１．２＝０．５２８）を越える粒子径を有する粒子個
数は９３個で全体の６．２％に相当し、０．３６μｍ
（０．４４×０．８＝０．３５２）を下回る粒子径を有
する粒子個数は８３個で全体の５．５％に相当してい
た。上記測定結果より、｛（レーザ回折散乱式粒度分布
測定によるＤ₅₀値）／（ＳＥＭ観察による平均粒子
径）｝は０．８７／０．４４＝１．９８であった。

【００４７】このニッケル粉５０質量部に、エチルセル
ロース５質量部、ミネラルスピリット６０質量部及びブ
チルカルビトール３５質量部からなるビヒクルを加え、
これらを混合した後、３本ロールで混練して導電ペース
トを調製し、この導電ペーストを用いて誘電体層厚２μ
ｍ、内部電極層厚１．５μｍ、積層数３５０層で、２．
０×１．２５×１．２５ｍｍのコンデンサを焼成した。
得られたセラミックコンデンサから無作為に２００個を
取り出し、絶縁不良や誘電特性不良等の電気特性の不良
品数を求めた。その結果、不良品数は１２個であり、不
良率は６％であった。

【００４８】比較例２ハレルホモジナイザでの処理を行わなかった以外は、実
施例１と同様の方法でニッケル粉を得た。このニッケル
粉０．１ｇをＳＮディスパーサント５４６８の０．１％
水溶液（サンノブコ社製）と混合し、超音波ホモジナイ
ザ（日本精機製作所製ＵＳ−３００Ｔ）で５分間分散さ
せた後、レーザ回折散乱式粒度分布測定装置 Micro Tra
cHRA 9320-X100 型（Leeds ＋ Northrup 製）を用いて
Ｄ₅₀値を測定したところ、０．８０μｍであり、また
１．２０μｍ（０．８０×１．５＝１．２００）を越え
る粒子径を有する粒子比率は全体の７．３％に相当し、
０．４０μｍ（０．８０×０．５＝０．４００）を下回
る粒子径を有する粒子比率は全体の２．６％に相当して
いた。

【００４９】また、このニッケル粉を１万倍のＳＥＭに
よって観察し、無作為に選んだ５視野の合計で１５００
個の粒子の粒子径をそれぞれ測定した。その結果、平均
粒子径は０．４２μｍであり、０．５０μｍ（０．４２
×１．２＝０．５０４）を越える粒子径を有する粒子個
数は８０個で全体の５．３％に相当し、０．３４μｍ
（０．４２×０．８＝０．３３６）を下回る粒子径を有
する粒子個数は９８個で全体の６．５％に相当してい
た。上記測定結果より、｛（レーザ回折散乱式粒度分布
測定によるＤ₅₀値）／（ＳＥＭ観察による平均粒子
径）｝は０．８０／０．４２＝１．９０であった。

【００５０】このニッケル粉５０質量部に、エチルセル
ロース５質量部、ミネラルスピリット６０質量部及びブ
チルカルビトール３５質量部からなるビヒクルを加え、
これらを混合した後、３本ロールで混練して導電ペース
トを調製し、この導電ペーストを用いて誘電体層厚２μ
ｍ、内部電極層厚１．５μｍ、積層数３５０層で、２．
０×１．２５×１．２５ｍｍのコンデンサを焼成した。
得られたセラミックコンデンサから無作為に２００個を
取り出し、絶縁不良や誘電特性不良等の電気特性の不良
品数を求めた。その結果、不良品数は５個であり、不良
率は２．５％であった。

【００５１】

【発明の効果】本発明のニッケル粉は凝集が少なく単分
散状態に近いので導電ペーストにおいて有機ビヒクル中
での分散性が優れており、更に粒度分布がシャープであ
るので積層セラミックコンデンサの薄くて突起のない内
部電極の形成に用いる導電ペーストの調製に特に適して
いる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＳＥＭ観察による平均粒子径が０．１〜１
μｍであり、且つレーザ回折散乱式粒度分布測定による
Ｄ₅₀値及びＳＥＭ観察による平均粒子径が下記式（１）
の条件を満たしていることを特徴とするニッケル粉：１≦｛（レーザ回折散乱式粒度分布測定によるＤ₅₀値）／（ＳＥＭ観察による平均粒子径）｝≦１．８‥‥‥（１）
【請求項２】レーザ回折散乱式粒度分布測定に於いて、
Ｄ₅₀値の１．５倍以上の粒子径を持つ粒子個数が全粒子
個数の２０％以下であり、Ｄ₅₀値の０．５倍以下の粒子
径を持つ粒子個数が全粒子個数の５％以下であることを
特徴とする請求項１記載のニッケル粉。
【請求項３】ＳＥＭ観察による粒子径測定に於いて、平
均粒子径の１．２倍以上の粒子径を持つ粒子個数が全粒
子個数の１０％以下であり、平均粒子径の０．８倍以下
の粒子径を持つ粒子個数が全粒子個数の１０％以下であ
ることを特徴とする請求項１又は２記載のニッケル粉。
【請求項４】請求項１、２又は３記載のニッケル粉を含
有することを特徴とする導電ペースト。
【請求項５】積層セラミックコンデンサ形成用導電ペー
ストであることを特徴とする請求項４記載の導電ペース
ト。