JP3279645B2 - 試験物体から取り出された電位降下を所定の入力電圧範囲から所望の出力電圧範囲へ変換するための回路構成 - Google Patents
試験物体から取り出された電位降下を所定の入力電圧範囲から所望の出力電圧範囲へ変換するための回路構成Info
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- JP3279645B2 JP3279645B2 JP17527992A JP17527992A JP3279645B2 JP 3279645 B2 JP3279645 B2 JP 3279645B2 JP 17527992 A JP17527992 A JP 17527992A JP 17527992 A JP17527992 A JP 17527992A JP 3279645 B2 JP3279645 B2 JP 3279645B2
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- output
- potential drop
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/327—Testing of circuit interrupters, switches or circuit-breakers
- G01R31/3277—Testing of circuit interrupters, switches or circuit-breakers of low voltage devices, e.g. domestic or industrial devices, such as motor protections, relays, rotation switches
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Amplifiers (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、試験物体から取り出さ
れた電位降下を所定の入力電圧範囲から所望の出力電圧
範囲へ変換するための回路構成に関する。
れた電位降下を所定の入力電圧範囲から所望の出力電圧
範囲へ変換するための回路構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】部品を横切って発生する電位降下の測定
され、これに基づいて、これが所定の許容範囲内にある
か否かを決定することが検査されて、電気回路内部の部
品の機能が検査されることがある。この様な試験物体は
例えば、理想的な完全な状態においては、閉じた状態で
数ｍΩの一定の抵抗値を有するスイッチとすることがが
てきる。しかしながら、スイッチが閉じた状態でより高
い抵抗値を有している場合、このスイッチで発生した電
位降下を評価することにより、スイッチを依然として使
用することができるか、新たな物と置き換える必要があ
るかを決めることができる。例えば、このスイッチは、
このスイッチの閉鎖が警報を発生する警報発生電子回路
として使用することができる。腐食接点のために最早機
能しなくなったスイッチは、警報の発生を阻害し、極め
て危険な結果をもたらすことになるかのもしれない。こ
の理由のため、閉じた接触の接触抵抗を時々検査する必
要がある。
され、これに基づいて、これが所定の許容範囲内にある
か否かを決定することが検査されて、電気回路内部の部
品の機能が検査されることがある。この様な試験物体は
例えば、理想的な完全な状態においては、閉じた状態で
数ｍΩの一定の抵抗値を有するスイッチとすることがが
てきる。しかしながら、スイッチが閉じた状態でより高
い抵抗値を有している場合、このスイッチで発生した電
位降下を評価することにより、スイッチを依然として使
用することができるか、新たな物と置き換える必要があ
るかを決めることができる。例えば、このスイッチは、
このスイッチの閉鎖が警報を発生する警報発生電子回路
として使用することができる。腐食接点のために最早機
能しなくなったスイッチは、警報の発生を阻害し、極め
て危険な結果をもたらすことになるかのもしれない。こ
の理由のため、閉じた接触の接触抵抗を時々検査する必
要がある。
【０００３】しかしながら、この様な電位降下を評価す
る場合、電位降下が、電位降下評価回路に加わえること
のできる入力電圧範囲よりも大きい電圧レベルにある場
合に問題が生じる。例えば０から５Ｖの電圧範囲にある
デジタル評価回路を使用することができる場合、例えば
１５Ｖの電圧範囲に存在する電位降下を評価回路の入力
に加えることは不可能である。
る場合、電位降下が、電位降下評価回路に加わえること
のできる入力電圧範囲よりも大きい電圧レベルにある場
合に問題が生じる。例えば０から５Ｖの電圧範囲にある
デジタル評価回路を使用することができる場合、例えば
１５Ｖの電圧範囲に存在する電位降下を評価回路の入力
に加えることは不可能である。
【０００４】
【発明の要約】従って、本発明は、上述された形態の回
路構成を提供する問題に基づいており、本発明によっ
て、電位降下評価回路の許容入力電圧範囲外の電圧レベ
ルで試験物体に存在する試験物体の電位降下を評価する
ことが可能となる。本発明によると、この問題は、定電
流源によって給電され、入力トランジスタ及び出力トラ
ンジスタを備え、定電流源が入力トランジスタのコレク
ター線につながり、出力トランジスタのコレクター線に
は少なくとも一つのダイオードが接続しており、このダ
イオードを定電流源によって供給された電流の値と同じ
値の電流が横切るカレントミラー回路、出力トランジス
タ及び少なくとも一つのダイオードを含む前記カレント
ミラーの支流と並列であり、別のトランジスタ及びこの
トランジスタのコレクター線に接続する少なくとも一つ
のダイオードからなる同等に構成された回路支流、前記
別のトランジスタのエミッター線に接続し、別の定電流
源から試験電流が流される試験物体、及び一方が出力ト
ランジスタのコレクターに接続され、他方が前記別のト
ランジスタのコレクターに接続され、変換された電位降
下を発生するための２つ出力線によって解決される。
路構成を提供する問題に基づいており、本発明によっ
て、電位降下評価回路の許容入力電圧範囲外の電圧レベ
ルで試験物体に存在する試験物体の電位降下を評価する
ことが可能となる。本発明によると、この問題は、定電
流源によって給電され、入力トランジスタ及び出力トラ
ンジスタを備え、定電流源が入力トランジスタのコレク
ター線につながり、出力トランジスタのコレクター線に
は少なくとも一つのダイオードが接続しており、このダ
イオードを定電流源によって供給された電流の値と同じ
値の電流が横切るカレントミラー回路、出力トランジス
タ及び少なくとも一つのダイオードを含む前記カレント
ミラーの支流と並列であり、別のトランジスタ及びこの
トランジスタのコレクター線に接続する少なくとも一つ
のダイオードからなる同等に構成された回路支流、前記
別のトランジスタのエミッター線に接続し、別の定電流
源から試験電流が流される試験物体、及び一方が出力ト
ランジスタのコレクターに接続され、他方が前記別のト
ランジスタのコレクターに接続され、変換された電位降
下を発生するための２つ出力線によって解決される。
【０００５】本発明に従う回路構成において、試験物体
により取り出された電圧降下は、評価回路の入力電圧範
囲と適合する様に決めることの出来る出力電圧範囲に
「鏡映」される。変換された電位降下は試験物体で元々
発生された電圧レベルと独立している。本発明に従う回
路構成は、完全に集積回路として構成することができ、
個々のトランジスタ及びダイオードは製造の際に対毎に
それぞれ同じパラメータが与えられ、同じ温度特性を有
する様にされている。この電位降下変換は従って温度変
化の影響を受けない極めて正確なものである。
により取り出された電圧降下は、評価回路の入力電圧範
囲と適合する様に決めることの出来る出力電圧範囲に
「鏡映」される。変換された電位降下は試験物体で元々
発生された電圧レベルと独立している。本発明に従う回
路構成は、完全に集積回路として構成することができ、
個々のトランジスタ及びダイオードは製造の際に対毎に
それぞれ同じパラメータが与えられ、同じ温度特性を有
する様にされている。この電位降下変換は従って温度変
化の影響を受けない極めて正確なものである。
【０００６】
【実施例】本発明は次に図面の助けを得て説明される。
図１に、本発明に従う回路構成の回路図が示されてい
る。図面に示される回路構成は２つのＰＮＰトランジス
タＴ１及びＴ２からなるカレントミラー回路を含む。判
る様に、トランジスタＴ１において、コレクター端子は
ベース端子に接続されており、ベース端子はトランジス
タＴ２のベース端子に接続している。２つのトランジス
タのエミッター端子は電圧供給線１０に接続され、この
供給線には端子１２を介して供給電圧ＵV が供給され
る。使用中、供給電圧は異なる値を有することができ
る。
図１に、本発明に従う回路構成の回路図が示されてい
る。図面に示される回路構成は２つのＰＮＰトランジス
タＴ１及びＴ２からなるカレントミラー回路を含む。判
る様に、トランジスタＴ１において、コレクター端子は
ベース端子に接続されており、ベース端子はトランジス
タＴ２のベース端子に接続している。２つのトランジス
タのエミッター端子は電圧供給線１０に接続され、この
供給線には端子１２を介して供給電圧ＵV が供給され
る。使用中、供給電圧は異なる値を有することができ
る。
【０００７】前記トランジスタのコレクターライン存在
する定電流源１４によって電流Ｉ１がカレントミラー回
路の入力トランジスターを形成するトランジスタＴ１を
流れる。カレントミラー回路の既知の機能により、カレ
ントミラー回路の出力トランジスタを形成するトランジ
スタＴ２のコレクター線内を流れる電流は電流Ｉ１と同
じ値を有する。
する定電流源１４によって電流Ｉ１がカレントミラー回
路の入力トランジスターを形成するトランジスタＴ１を
流れる。カレントミラー回路の既知の機能により、カレ
ントミラー回路の出力トランジスタを形成するトランジ
スタＴ２のコレクター線内を流れる電流は電流Ｉ１と同
じ値を有する。
【０００８】回路図から明らかな様に、トランジスタＴ
２のコレクター線は、回路図に対応すると、ベース端子
がコレクター端子に直接接続されたトランジスタによっ
て構成されたダイオードＤ１が存在する。トランジスタ
Ｔ２及びダイオードＤ１の直列回路と平行して、トラン
ジスタＴ３及びこれと同様に直列に接続した別のダイオ
ードＤ２からなる回路支流が存在する。スイッチ１８を
含む試験物体１６が前記トランジスタＴ３のエミッター
線に挿入されている。スイッチ１８は、閉じた状態にあ
り、トランジスタＴ３のエミッター線において、スイッ
チ１８の接触抵抗のみが有効であることを意味してい
る。別の定電流源２０によって供給された電流はスイッ
チ１８を介して流れる。この回路構成は、トランジスタ
Ｔ２のコレクター端子とダイオードＤ１との間の接続点
を出力端子２４と接続する第１の出力ライン２２を有す
る。別の出力線２６はトランジスタＴ３のコレクター端
子とダイオードＤ２との間の接続点を出力端子２８とに
接続している。説明された回路構成によって変換された
電位降下を出力端子２２及び２８から取り出すことがで
きる。
２のコレクター線は、回路図に対応すると、ベース端子
がコレクター端子に直接接続されたトランジスタによっ
て構成されたダイオードＤ１が存在する。トランジスタ
Ｔ２及びダイオードＤ１の直列回路と平行して、トラン
ジスタＴ３及びこれと同様に直列に接続した別のダイオ
ードＤ２からなる回路支流が存在する。スイッチ１８を
含む試験物体１６が前記トランジスタＴ３のエミッター
線に挿入されている。スイッチ１８は、閉じた状態にあ
り、トランジスタＴ３のエミッター線において、スイッ
チ１８の接触抵抗のみが有効であることを意味してい
る。別の定電流源２０によって供給された電流はスイッ
チ１８を介して流れる。この回路構成は、トランジスタ
Ｔ２のコレクター端子とダイオードＤ１との間の接続点
を出力端子２４と接続する第１の出力ライン２２を有す
る。別の出力線２６はトランジスタＴ３のコレクター端
子とダイオードＤ２との間の接続点を出力端子２８とに
接続している。説明された回路構成によって変換された
電位降下を出力端子２２及び２８から取り出すことがで
きる。
【０００９】作動中、記述の回路は以下の様に振る舞
う。上述された様に、２つのトランジスタＴ１及びＴ２
を有するカレントミラー回路によって、一定電流Ｉ２
が、トランジスタＴ２のコレクター線に発生される。こ
の値は、定電流源１４によって供給された電流Ｉ１に対
応する。前記電流Ｉ２はダイオードＤ１を介して流れ、
このダイオードに電位降下ＵBEを発生する。勿論この電
位降下はダイオードを介して流れる電流に依存して非線
型に変化する。しかしながら、上述された様にこの電流
は一定であるので、トランジスターＴ２のコレクター端
子従って出力端子２４において、一定電圧が発生する。
この電圧は、ダイオードＤ１の電位降下ＵBEに正確に対
応する。
う。上述された様に、２つのトランジスタＴ１及びＴ２
を有するカレントミラー回路によって、一定電流Ｉ２
が、トランジスタＴ２のコレクター線に発生される。こ
の値は、定電流源１４によって供給された電流Ｉ１に対
応する。前記電流Ｉ２はダイオードＤ１を介して流れ、
このダイオードに電位降下ＵBEを発生する。勿論この電
位降下はダイオードを介して流れる電流に依存して非線
型に変化する。しかしながら、上述された様にこの電流
は一定であるので、トランジスターＴ２のコレクター端
子従って出力端子２４において、一定電圧が発生する。
この電圧は、ダイオードＤ１の電位降下ＵBEに正確に対
応する。
【００１０】試験物体１６内のスイッチ１８が理想接触
抵抗値０オームを有していると仮定すると、トランジス
タＴ２及びダイオードＤ１からなる並列に位置する直列
回路を流れるのと同じ電流が、トランジスタＴ３のエミ
ッターコレクター間経路及びダイオードＤ２を介して流
れる。この電流はまたダイオードＤ２に電位降下ＵBEを
結果し、出力端子２８において、出力端子２４に存在す
るのと同じ電圧ＵBEとなる様にする。２つの出力端子２
４及び２８における電圧差は従ってゼロである。これ
は、試験物体１６に於ける電位降下が値０Ｖを有する場
合に正確に対応する。
抵抗値０オームを有していると仮定すると、トランジス
タＴ２及びダイオードＤ１からなる並列に位置する直列
回路を流れるのと同じ電流が、トランジスタＴ３のエミ
ッターコレクター間経路及びダイオードＤ２を介して流
れる。この電流はまたダイオードＤ２に電位降下ＵBEを
結果し、出力端子２８において、出力端子２４に存在す
るのと同じ電圧ＵBEとなる様にする。２つの出力端子２
４及び２８における電圧差は従ってゼロである。これ
は、試験物体１６に於ける電位降下が値０Ｖを有する場
合に正確に対応する。
【００１１】しかしながら、実際は、閉じた状態におい
ても、スイッチ１８は常に或る低い抵抗値を有し、一定
の電流源２０によって導入される電流に依存して、或る
電位降下がスイッチ１８で発生する。スイッチ１８が機
能し得る限り、この接触抵抗は極めて小さく、従って電
位降下は小さくｍＶオーダの強度である。十分に低いと
考えられる特定の接触抵抗値は、スイッチ１８の特定の
使用に依存している。
ても、スイッチ１８は常に或る低い抵抗値を有し、一定
の電流源２０によって導入される電流に依存して、或る
電位降下がスイッチ１８で発生する。スイッチ１８が機
能し得る限り、この接触抵抗は極めて小さく、従って電
位降下は小さくｍＶオーダの強度である。十分に低いと
考えられる特定の接触抵抗値は、スイッチ１８の特定の
使用に依存している。
【００１２】スイッチ１８で発生する電位降下はトラン
ジスタＴ３においてベースエミッター間電圧に変化をも
たらし、これが、このトランジスタのエミッターコレク
ター間経路を流れる電流を変化する。この電流の変化は
既知のダイオード式で表現される既知の法則に従って変
換するダイオードＤ２に於ける電位降下を形成する電圧
ＵBEを導く。トランジスタＴ３のベースエミッター間電
圧の変化が前記トランジスタＴ３を介して流れる電流の
変化を導くと直ちに、このダイオードＤ２を介しての電
流変化がスイッチ１８における電位降下に対応する電圧
ＵBE' を導く。従って、出力端子２４及び２８におい
て、出力電圧を取り出すことができる。この電圧は、ダ
イオードＤ１における電圧ＵBEとダイオードＤ２を介し
ての電流変化によって変化される電圧ＵBE' との間の差
に対応し、正確にスイッチ１８における電位降下を正確
に表している。スイッチ１８の電位降下をΔＵとし、端
子２４及び２８間の出力電圧をＵA とすると、 ＵA ＝ＵBE−ＵBE' ＝ＵBE−（ＵBE−ΔＵ）＝ΔＵ となる。
ジスタＴ３においてベースエミッター間電圧に変化をも
たらし、これが、このトランジスタのエミッターコレク
ター間経路を流れる電流を変化する。この電流の変化は
既知のダイオード式で表現される既知の法則に従って変
換するダイオードＤ２に於ける電位降下を形成する電圧
ＵBEを導く。トランジスタＴ３のベースエミッター間電
圧の変化が前記トランジスタＴ３を介して流れる電流の
変化を導くと直ちに、このダイオードＤ２を介しての電
流変化がスイッチ１８における電位降下に対応する電圧
ＵBE' を導く。従って、出力端子２４及び２８におい
て、出力電圧を取り出すことができる。この電圧は、ダ
イオードＤ１における電圧ＵBEとダイオードＤ２を介し
ての電流変化によって変化される電圧ＵBE' との間の差
に対応し、正確にスイッチ１８における電位降下を正確
に表している。スイッチ１８の電位降下をΔＵとし、端
子２４及び２８間の出力電圧をＵA とすると、 ＵA ＝ＵBE−ＵBE' ＝ＵBE−（ＵBE−ΔＵ）＝ΔＵ となる。
【００１３】上述の図示され回路構成の動作のモードか
ら明らかに様に、出力電圧ＵA のレベルは完全に供給電
圧ＵV と独立しており、前記電圧に変動があっても、ス
イッチ１８の電位降下を出力端子２４及び２８に所望の
低出力レベルで発生することができる。電位降下を増大
することが望まれる場合、これは、ダイオードＤ１及び
Ｄ２に直列に各対応する図示される別のダイオードＤ
３、Ｄ４を単に接続することによって達成することがで
きる。例えば、直列に接続された２つのダイオードがト
ランジスターＴ２及びＴ３のコレクターラインに挿入さ
れる場合、スイッチ１８における電位降下にために、ト
ランジスタＴ３のコレクターライン内のダイオードの各
々において、同じ電圧変化ＵBEが生じ、結果として各ダ
イオードにおいて、変化された電圧ＵBE’が存在する。
結果として出力端子２４、２８から取り出される電圧
が、スイッチ１８における電位降下の２倍に対応する。
ら明らかに様に、出力電圧ＵA のレベルは完全に供給電
圧ＵV と独立しており、前記電圧に変動があっても、ス
イッチ１８の電位降下を出力端子２４及び２８に所望の
低出力レベルで発生することができる。電位降下を増大
することが望まれる場合、これは、ダイオードＤ１及び
Ｄ２に直列に各対応する図示される別のダイオードＤ
３、Ｄ４を単に接続することによって達成することがで
きる。例えば、直列に接続された２つのダイオードがト
ランジスターＴ２及びＴ３のコレクターラインに挿入さ
れる場合、スイッチ１８における電位降下にために、ト
ランジスタＴ３のコレクターライン内のダイオードの各
々において、同じ電圧変化ＵBEが生じ、結果として各ダ
イオードにおいて、変化された電圧ＵBE’が存在する。
結果として出力端子２４、２８から取り出される電圧
が、スイッチ１８における電位降下の２倍に対応する。
【００１４】説明された回路は、トランジスタ及びダイ
オードのみから作り出すことができるので、直ちに集積
回路の形態で作ることができる。一方においてトランジ
スタＴ２及びＴ３が、他方においてダイオードＤ１及び
Ｄ２が同じ特徴パラメータを正確に有することが製造中
に保証されると、前記部品のパラメータが温度変化に対
して同様に変化するので、回路の極めて良好な温度依存
性が達成される。結果として、基準電圧として使用され
るダイオードＤ１の電圧ＵBE及びダイオードＤ２におけ
る変化電圧ＵBE' の両方が同様に変化し、出力端子２４
及び２８から取り出された電圧ＵA には何の影響も及ぼ
さない。
オードのみから作り出すことができるので、直ちに集積
回路の形態で作ることができる。一方においてトランジ
スタＴ２及びＴ３が、他方においてダイオードＤ１及び
Ｄ２が同じ特徴パラメータを正確に有することが製造中
に保証されると、前記部品のパラメータが温度変化に対
して同様に変化するので、回路の極めて良好な温度依存
性が達成される。結果として、基準電圧として使用され
るダイオードＤ１の電圧ＵBE及びダイオードＤ２におけ
る変化電圧ＵBE' の両方が同様に変化し、出力端子２４
及び２８から取り出された電圧ＵA には何の影響も及ぼ
さない。
【００１５】なお、以上の記述に関連して、以下の事項
を開示する。 １．直列に接続された複数のダイオード（Ｄ３、Ｄ４）
が、各々出力トランジスタ（Ｔ２）及び前記別のトラン
ジスタ（Ｔ３）のコレクター線に接続されている。 ２．ダイオード（Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４）がトランジ
スタから構成され、このトランジスタのベース及びコレ
クター端子が互いに接続されている。
を開示する。 １．直列に接続された複数のダイオード（Ｄ３、Ｄ４）
が、各々出力トランジスタ（Ｔ２）及び前記別のトラン
ジスタ（Ｔ３）のコレクター線に接続されている。 ２．ダイオード（Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４）がトランジ
スタから構成され、このトランジスタのベース及びコレ
クター端子が互いに接続されている。
【図１】図面は本発明に従う回路構成の回路図を示す
図。
図。
Ｔ１ 入力トランジスタ、 Ｔ２ 出力トランジスタ、 Ｔ３ 別のトランジスタ、 Ｄ１、Ｄ２ ダイオード、 １４ 定電流源、 １６ 試験物体、 ２０ 別の定電流源、 ２２、２６ 出力線、
Claims (1)
- 【請求項１】 試験物体から取り出された電位降下を所
定の入力電圧範囲から所望の出力電圧範囲へ変換する回
路構成であり、前記回路構成が、 入力トランジスタと出力トランジスタとを有するカレン
トミラー回路、 前記入力トランジスタを介して前記カレントミラー回路
の入力に接続され、一定電流を供給するための第１の定
電流源、 前記出力トランジスタを介して前記カレントミラー回路
の出力に接続され、前記第１の定電流源によって前記カ
レントミラー回路の入力に供給された電流と等しい値の
電流を受ける第１のダイオード、 前記第１のダイオード及び前記カレントミラー回路の前
記出力トランジスタにより定められた第１の回路支流、 第１の回路支流と同じ構成を有し、第１の回路支流と並
列の第２の回路支流であり、第３のトランジスタとこの
第３のトランジスタの出力に接続された第２のダイオー
ドを含む第２の回路支流、 第３トランジスタの入力に接続されて、試験電流を供給
する第２の定電流源、前記カレントミラー回路に接続さ
れた電圧供給端子、 前記カレントミラー回路の出力と前記第１のダイオード
との間に接続された第１の出力端子、及び前記第３のト
ランジスタの出力と前記第２のダイオードとの間に接続
された第２の出力端子から構成され、前記試験物体は、
電圧供給端子と、前記第２の定電流源と前記第２の定電
流源からの試験電流が流されるべき前記第３のトランジ
スタの入力の間とで接続され、試験物体から取り出され
た電位降下に比例する変換された電位降下が前記第１及
び第２の出力端子から得られることを特徴とする回路構
成。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4122029:3 | 1991-07-03 | ||
| DE4122029A DE4122029C1 (ja) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | |
| US07/907,269 US5347174A (en) | 1991-07-03 | 1992-07-01 | Circuit arrangement for converting a voltage drop tapped from a test object from a predetermined input voltage range to a desired output voltage range |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05232147A JPH05232147A (ja) | 1993-09-07 |
| JP3279645B2 true JP3279645B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=25905185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17527992A Expired - Fee Related JP3279645B2 (ja) | 1991-07-03 | 1992-07-02 | 試験物体から取り出された電位降下を所定の入力電圧範囲から所望の出力電圧範囲へ変換するための回路構成 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5347174A (ja) |
| EP (1) | EP0525421B1 (ja) |
| JP (1) | JP3279645B2 (ja) |
| DE (1) | DE4122029C1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5631941A (en) * | 1993-06-15 | 1997-05-20 | Yozan Inc. | Register circuit |
| DE4416711C1 (de) * | 1994-05-11 | 1995-08-03 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Referenzstroms |
| DE4434180A1 (de) * | 1994-09-24 | 1996-03-28 | Teves Gmbh Alfred | Schaltungsanordnung zur Auswertung des Ausgangssignals eines aktiven Sensors |
| DE19510055B4 (de) * | 1995-03-20 | 2004-07-08 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Schaltungsanordnung zum Auswerten eines binären, durch Stromschwellenwerte definierten Signals |
| DE19534825A1 (de) * | 1995-09-20 | 1997-03-27 | Teves Gmbh Alfred | Schaltungsanordnung zum Auswerten eines binären, durch Stromschwellenwerte definierten Signals |
| US6531885B1 (en) | 1999-05-11 | 2003-03-11 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum (Imec Vzw) | Method and apparatus for testing supply connections |
| US6859058B2 (en) | 1999-05-11 | 2005-02-22 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec Uzw) | Method and apparatus for testing electronic devices |
| US6496028B1 (en) | 1999-05-11 | 2002-12-17 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum | Method and apparatus for testing electronic devices |
| EP1089082A1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-04-04 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | A method and apparatus for testing supply connections |
| EP1107013B1 (en) * | 1999-09-22 | 2006-06-07 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum | A method and an apparatus for testing supply connections |
| US6232829B1 (en) * | 1999-11-18 | 2001-05-15 | National Semiconductor Corporation | Bandgap voltage reference circuit with an increased difference voltage |
| DE102008012058A1 (de) | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Henkel Ag & Co. Kgaa | Haarbehandlungsmittel mit Acai-Extrakt |
| CN106405397B (zh) * | 2016-08-30 | 2019-03-26 | 贵州贵航汽车零部件股份有限公司华阳电器公司 | 用电压降判定旋转式点火开关失效寿命的方法 |
| CN107390058B (zh) * | 2017-07-25 | 2020-08-14 | 广东电网有限责任公司电力科学研究院 | 一种评价隔离开关触头材料带电服役性能的测试方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4088905A (en) * | 1977-02-15 | 1978-05-09 | Precision Monolithics, Inc. | Self-adjusting compatibility circuit for digital to analog converter |
| JPS6025743B2 (ja) * | 1977-12-28 | 1985-06-20 | ソニー株式会社 | 電流比較回路 |
| JPS57557A (en) * | 1980-05-26 | 1982-01-05 | Toshiba Corp | Voltage comparator |
| JPS57135370A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Level detecting circuit |
| DE3476476D1 (en) * | 1983-08-31 | 1989-03-02 | Toshiba Kk | A constant current source circuit |
| GB2145890B (en) * | 1983-09-01 | 1987-05-20 | Plessey Co Plc | Signal strength detector |
| US4553048A (en) * | 1984-02-22 | 1985-11-12 | Motorola, Inc. | Monolithically integrated thermal shut-down circuit including a well regulated current source |
| DE3545039A1 (de) * | 1985-12-19 | 1987-07-02 | Sgs Halbleiterbauelemente Gmbh | Spannungsbegrenzungsschaltung |
| US4673867A (en) * | 1986-06-30 | 1987-06-16 | Motorola, Inc. | Current mirror circuit and method for providing zero temperature coefficient trimmable current ratios |
| JPH0514582Y2 (ja) * | 1986-07-10 | 1993-04-19 | ||
| DE3642167A1 (de) * | 1986-12-10 | 1988-06-30 | Philips Patentverwaltung | Stromspiegelschaltung |
| DE3744756A1 (de) * | 1987-07-07 | 1989-01-26 | Ifm Electronic Gmbh | Konstantstromgenerator |
| JP2511399Y2 (ja) * | 1988-02-29 | 1996-09-25 | シャープ株式会社 | コンパレ―タ回路 |
| US4866399A (en) * | 1988-10-24 | 1989-09-12 | Delco Electronics Corporation | Noise immune current mirror |
-
1991
- 1991-07-03 DE DE4122029A patent/DE4122029C1/de not_active Expired - Lifetime
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